北京大学信息科学技术学院电磁学期中试题 (2014年4月22日) （本试卷共5题，每题20分。在答题纸上答题，每张答题纸要写上姓名和学号）
1．如图所示直角坐标系中，有无限大均匀带电板，厚度为
2d ，电荷体密度ρ为常数，求空间各处的电势分布。
2. 如图所示，有一导体球壳其内外半径分别是b 和c 。在球壳空腔内有一同心的导体球，半径为a.
(如下(1),(2)(3)题直接写结果，不写计算过程，(4)题要有计算过程) (1)腔内导体球上带有电量Q ，求导体球和球壳上的电荷分布。
(2)如(1)所述，并将外球壳接地，求导体球和球壳上的电荷分布。
(3)如(2)所述，将外球壳的接地断开后，求导体球和球壳上的电荷分布。
(4)如(3)所述，在外球壳上开一小孔，通过小孔，用细导线将空腔内的导体球接地。忽略细导线及小孔的影响，并假设大地距离外球壳足够远，求导体球和球壳上的电荷分布。
3. (说明：本题提供如下矢量计算公式：()()()A B C B A C C A B ??=?-?，其中A 、B 和C 为任一矢量)
(1)任意两个电流元，相距为r ，写出每个电流元所受到的磁场力的公式，并证明这两个磁场力不一定满足牛顿第三定律。
(2)证明任意两个载有稳恒电流的闭合回路之间的磁场力满足牛顿第三定律。
(3)如图所示，无限长直导线中载有稳恒电流I 1，在它旁边与其共面
的边长为a 的正三角形导线中载有稳恒电流I 2。正三角形导线的一边与无限长导线平行，三角形的中心点O 到无限长导线的距离为b ，两电流的方向如图所示。求正三角形导线对无限长直导线的磁场力。（注：通有稳恒电流的无限长直导线可以看作是闭合回路）
4. 如图所示，垂直纸面的无限长螺线管，其单位长度内线圈
匝数为n ，线圈中通有沿逆时针方向的恒定电流I 。在垂直于
螺线管轴线的平面内有一段长度为l 的直导线AB 以角速度
ω绕圆心O 沿顺时针方向转动，端点A 、B 到圆心O 的距离
分别为a 、b ，且此距离在导线AB 旋转的过程中保持不变，
(1) 求这两端点之间的电势差U AB 。
(2) 如果电流以I=k t (其中t 为时间，且常量k>0)变化，求端
点A 、B 之间的电势差U AB 。
5. 如图电路，稳恒电压源的端电压为U 0，端电压U 0的正负极，电阻的阻值以及电感值均如图所示。
（1）假设电路已处于稳定状态，闭合开关K ，求通过电感L 的电流随时间的变化。 （2）如（1）所述，待到电路中的电流达到稳定状态后，求电感中储存的磁场能。 X
d -d a b c 1I 2I a o b L R 0U +-
K
北京大学软件与微电子学院XXXX硕士研究生招生复试通知北京大学软件与微电子学院 通知根据北京大学研究生院的工作安排，结合我校的具体情况，现将XXXX研究生复试和录取阶段的工作安排说明如下:1 .基本复审分数线和程序: 1. 1。参加复试的学生必须达到以下分数线 专业学位电子与通信工程085208集成电路工程085209 文化与创意产业管理方向计算机技术085211计算机辅助翻译方向考试科目包含“数学三”方向其他方向软件工程085212 政治50050050256 050 英语4545505050504 545 |考生必须在3月17日前按学院要求提交相关材料，具体材料要求已发送至考生个人邮箱 3年研究生入学考试复试费标准为100元/人次，由学院在复试前收取二、复试时间和地点:复试时间:3月19日和20日； 复试地点:软件与微电子学院(大兴校区)(地址:北京市大兴工业开发区金源路24号)公交线路: 1，北京站:地铁2号线宣武门站换乘地铁4号线高米甸南站下车，c 出口，在金星西路打车或乘星11路到富源东站下车，向北向东300米 2，北京西站:从地铁9号线国家图书馆站换乘地铁4号线高密店南
站，在c出口下车，在金星西路打车或从星11路到富源东站，向北300米 鑫徐翔。魏。XXX edu。北京南站网 3:在地铁4号线高米甸南站下车，在c出口下车，在金星西路打车或从星11路到富源东站，在北路东300米下车 4年，复试分为两部分:英语听力测试和面试英语听力时间为3月19日和20日的8: 30至9:00(8:20停止入场)。面试时间是3月19日和20日的9:10。考生具体复试时间和地点安排见复试通知。请 199名考生于3月17日和18日到北京大学本部科学楼1号1723室领取复试通知书。收到通知后可以交复审费。三、录取原则:1、2、按招生专业方向和考试类别分组，差异复试 复试主要基于综合面试。未来综合能力和专业学习能力强的考生将考虑 综合面试侧重于考生对基础知识、编程语言、工程实践(或项目管理)、语言表达、英语、逻辑思维和综合能力的掌握。3、 199报考计算机动画创作、互动媒体、数字影视制作、数字娱乐技术、艺术设计方向的 199学生，在复试前必须提交一份以上本人专业的作品作品的形式和内容不受限制，能充分体现个人的专业水平。那些不能提供作品的人将被取消综合面试的资格。4、5、 199对具有相同学历水平的考生，除正常参加复试外，需要额外选修两门专业课；
《中山大学授予学士学位工作细则》第六条：“考试作弊不授予学士学位。” 2012 学年 2 学期期中《电磁学》 试卷 提前交卷5分钟以上加1分，提前10分钟以上加2分，…… 一些可能要用到的常数：电子电荷C 1910602.1-?-，真空介电常数2212/1085.8m N C ??-,69.00.2ln = 1. 一个无限大平行板电容器两极板的距离为l ，两极板分别带自由电荷面密度±σ f .然后在电容器内插入一块厚度为 d (d < l )的无限大电介质平板，设它的极化强度矢量P 处处相同并与电容器的极板垂直. 求两板间介质内外的电场。（10分） 第一题图 第五题图 答：自由电荷在两板间产生的电场为0 0εσf E = （2分） 介质板两面的极化电荷面密度分别为P p ±=σ（2分） 这些极化电荷在介质板内产生的附加电场0 0'εεσP E p -=-=，负号表示方向与E 0方向 相反；极化电荷在介质外产和的电场为零。（2分） 所以在介质内的总电场为0 00'εσεσp f E E E - =+=（2分） 介质外的电场为0 0εσf E = （2分） 电场的方向是从正极板指向负极板。 2. 半径为R 的球体内电荷体密度为常数ρ，介电常数与真空相同，求静电能。（15分）。 答： 解法一： ??? ? ??? ≥==≤=)3(?3?434)3(32 032030 分分R r r r R r r R E R r r E ερπεπρερ ) 2(626)(36434)2(34)(0 2020220202 03 00分分ερερερερερπεπρερπεr R r R R r R R r d r R Q r U R r R r -=-+=+=?+=? 示
《公差配合与技术测量》试题 班级姓名学号 一、选择题（将下面题目中所有正确的论述选择出来）（每题2分，计20分） 1. 对于尺寸公差带，代号为A-H的基本偏差为(C ) (A)上偏差, 正值(B) 上偏差,负值(C)下偏差, 正值(D) 下偏差, 负值 2. 一般配合尺寸的公差等级范围大致为(c ) (A) IT1 ~ IT7 (B) IT2 ~ IT5 (C) IT5 ~ IT12 (D) IT8 ~IT14 3. 决定配合公差带位置的有(b ) (A) 标准公差 (B) 基本偏差 (C) 配合公差 (D) 孔轴公差之和 4. 对于基本偏差代号为JS的孔的公差带，下列论述中，正确的有(c ) (A) 基本偏差只能是上偏差 (B) 基本偏差只能是下偏差 (C) 基本偏差可以是上偏差或下偏差 (D) 不能确定 5. 配合是指_(b ) (A) 基本尺寸相同的相互结合的孔、轴的形位公差带之间的关系 (B) 基本尺寸相同的相互结合的孔、轴的尺寸公差等级之间的关系 (C) 基本尺寸相同的相互结合的孔、轴的尺寸公差带之间的关系 (D) 相互结合的孔、轴的尺寸公差带之间的关系 6. 精密配合尺寸的公差等级范围为(b) (A) IT3 ~ IT7 (B) IT2 ~ IT5 (C) IT5 ~ IT13 (D) IT01 ~IT1 7. 下列论述中正确的有(A) (A) 对于轴的基本偏差，从a～h为上偏差es，且为负值或零 (B) 对于轴，从j～z孔基本偏差均为下偏差，且为正值 (C) 基本偏差的数值与公差等
级均无关 (D) 基本偏差的数值与公差等级均有关 8. 若某配合的最大间隙为30μm，孔的下偏差为―11μm,轴的下偏差为―16μm ，轴的公差为16μm，则其配合公差为（b ） (A) 46μm (B) 41μm (C) 27μm (D) 14μm 9. 决定公差带大小的有(a) (A) 标准公差 (B) 基本偏差 (C) 配合公差 (D) 极限偏差 10. 极限与配合国家标准中规定的标准公差有(c)个公差等级 (A) 13 (B) 18 (C) 20 (D) 28 二、判断题（正确打√，错误打×，请把答案填入下表。每题2分，共20分） 1．公差可以说是允许零件尺寸的最大偏差。（×） 2．图样标注φ200 -0.021mm的轴，加工得愈靠近基本尺寸就愈精确。（×） 3．某平面对基准平面的平行度误差为0．05mm，那么这平面的平面度误差一定不大于0．05mm。（√） 4．对同一要素既有位置公差要求，又有形状公差要求时，形状公差值应大于位置公差值。（×） 5．圆柱度公差是控制圆柱形零件横截面和轴向截面内形状误差的综合性指标。（√） 6．零件图样上规定Φd实际轴线相对于ΦD基准轴线的同轴度公差为Φ0．02 mm。这表明只要Φd实际轴线上各点分别相对于ΦD基准轴线的距离不超过0．02 mm，就能满足同轴度要求。（×） 7．尺寸公差与形位公差采用独立原则时，零件加工的实际尺寸和形位误差
北大微电子专业考研数模电专业课（科目代码938）中考试的主要内容是数电和模电。该科目从2005年设立，之前微电子专业只能考半导体物理专业课。所以目前市面上只有2006、2007、2008的真题，2008年以后学校不再公布真题，因此2009年真题在市面上从未出现，而2010年真题只有我自己的回忆版。由于北大本专业不提供参考教材和考试大纲，所以以上这些真题具有极大的参考价值，同学们在复习时要认真分析试卷中的题目，把握考试重点。有重点，有区别的进行复习，以避免浪费宝贵的备考时间。这里我将结合自己的复习经验对历年的真题考点进行总结，这些真题考点也可以做为大家复习时的大纲参考。下面我们就数模电分别进行总结。 模电考点分析 2006年真题涉及到的考点： 1、三极管的工作原理（填空题） 2、三极管构成的基本放大电路（计算题） 3、负反馈技术（填空题） 4、信号的运算与处理（计算题） 5、信号产生电路（填空题） 2007年真题涉及到的考点： 1、三极管构成的基本放大电路（计算题） 2、MOSFET基础知识（判断题） 3、负反馈技术（判断题、计算题） 4、MOS基本放大电路（计算题） 5、信号的运算与处理---滤波内容（计算题） 2008年真题涉及到的考点： 1、MOS基本放大电路（计算题） 2、运放的特性（简答题） 3、信号产生电路---LC谐振（简答题） 4、信号的运算与处理（计算题）
5、负反馈技术---频率补偿技术（计算题）2 2010年真题涉及到的考点： 1、信号的运算与处理---滤波器、调制解调（简答题、计算题） 2、负反馈技术（简答题、计算题） 3、信号产生电路（计算题） 4、运放的特性（计算题） 数电考点分析 2006年真题涉及到的考点： 1、门电路基本概念（名词解释） 2、进制基础（计算题） 3、组合逻辑设计（计算题） 4、时序逻辑设计（计算题） 2007年真题涉及到的考点： 1、进制基础（判断题） 2、触发器基本概念（判断题） 3、CMOS组合逻辑（计算题） 4、组合逻辑设计（计算题） 5、时序逻辑设计（计算题） 2008年真题涉及到的考点： 1、触发器特性（简答题） 2、CMOS组合逻辑---CMOS反相器（简答题） 3、组合逻辑设计（计算题）
2009?-2010学年第一学期 2008级电磁学期中考试题2009年11月25日 注：试题共5页，满分100分 一、填空题（将最简结果填在空格内，共30分） 1、（本题3分） 线电荷密度为λ的无限长均匀带电线，分别弯成附图中（a）（b）两种形状，若圆弧半径为Ｒ，求（a）（b）图中Ｏ点的电场强度分别为_________________， _________________。 2．（本题3分） 两根相互平行的“无限长”均匀带正电直线1、2，相距为d，其电荷线密度分别为l1和l2如图所示，则场强等于零的点与直线1 的距离a为_____________ ． 3．（本题3分） 两个平行的“无限大”均匀带电平面，其电荷面密度分别为＋s和＋ 2 s，如图所示，则A、B、C三个区域的电场强度分别为： E A＝__________________，E B＝__________________，E C＝ _______________(设方向向右为正)． 4．（本题3分） 如图所示，真空中两个正点电荷Q，相距2R．若以其中一点电荷所在处O点为中心，以R为半径作高斯球 面S，则通过该球面的电场强度通量＝______________；若以表示高斯面外法线方向的单位矢量，则高斯面 上a、b两点的电场强度分别为____________，____________ ．5．（本题3分） 空气平行板电容器的两极板面积均为S，两板相距很近，电荷在平板上的分布可以认为是均匀的．设两极板分别带有电荷±Q，则两板间相
互吸引力为 ____________________． 6．（本题3分） 一电矩为的电偶极子在场强为的均匀电场中，与间的夹角为a，则它所受的电场力＝______________，力矩的大小M＝__________．7．（本题3分） 欧姆定律的微分形式为，它说明 ． 8．（本题3分） 一导体在外电场中处于静电平衡时，导体上面元d S的电荷面密度为s，那 么面元d S所受电场力的大小为______________________________，方向为 ___________________________． 9．（本题3分） 分子的正负电荷中心重合的电介质叫做_______________ 电介质．在外电 场作用下，分子的正负电荷中心发生相对位移，形成 ________________________. 10．（本题3分） 一平行板电容器，充电后与电源保持联接，然后使两极板间充满相对介电常 量为e r的各向同性均匀电介质，这时两极板上的电荷是原来的______倍；电场强 度是原来的 _________倍；电场能量是原来的_________倍． 二、计算题（共60分） 1．（本题10分） 半径为R的带电细圆环，其电荷线密度为l=l0sin f，式中l0为一常数，f为半径R与x轴所成的夹角，如图所示．试求环心O处的电场强度．
2013-2014年 第二学期考试题 科目：机电一体化 《公差技术》试题（A 卷） 一、填空题（每空2分，共30分） 1、尺寸公差带的两要素是 、 。 2、公差等级规定有 级，常用公差等级的范围是 。 3、基本偏差等于零的公差带符号是 、 。 4、配合种类分为 、 、 三大类，当配合的孔、轴需要对中性好，同时还要经常拆装时，应该选择 配合。 5、在表面粗糙度中，当不标注极限值规则时，默认的规则为 。 6、普通螺纹牙型半角的基本值是 。 7、影响螺纹旋合长度的主要因素是 、 和牙型半角误差。 8、花键的键数N 规定为偶数，只能有6、 、10三种。 二、选择题（每空2分，共20分） 1、 公差是孔公差和轴公差之和。 A 、标准 B 、基本 C 、配合 2、通常采用 选择配合类别。 A 、计算法 B 、试验法 C 、类比法 3、基孔制过盈配合的公差带的表示方法为 。 A 、H7/u6 B 、H8/h7 C 、H7/k6 4、2个基准件的配合一般认为是 。 A 、间隙配合 B 、过盈配合 C 、过渡配合 5、端面全跳动可以代替 。 A 、面对线的平面度 B 、面对线的垂直度 C 、线对线的平行度 6、一般来说，零件的形状误差 其位置误差。 A 、大于 B 、小于 C 、等于 7、以下哪个参数可用来衡量表面的耐磨特性？ A 、幅度参数 B 、间距参数 C 、形状特征参数 8、平键联接的配合种类有（ ）。 A 、1种 B 、2种 C 、3种 9、当随机误差小时,下列哪项数值较高（ ）。 A 、精密度 B 、正确度 C 、准确度 10、在进行螺纹标注时,以下哪项不可省略（ ）。 A 、右旋螺纹 B 、细牙螺纹 C 、中等旋合长度 三、判断题（每题1分，共5分） 1、“极限与配合”只能控制光滑圆柱体。 （ ） 2、孔、轴的加工误差愈小，他们的配合精度俞高。 （ ） 3、间隙配合中，孔的公差带一定在零线以上，轴的公差带一定在零线以下。（ ） 4、标注表面粗糙度符号时，符号的尖端应从材料的外面指向材料的表。( ) 5、与滚动轴承配合的轴尺寸和外壳孔尺寸，都应该采用基孔制，因为孔比轴更难加工。 （ ） 四、注解题（共30分） 1、解释下图所示表面粗糙度轮廓代号中各项技术要求。（5分）
课程编号:INF05005 北京理工大学2011-2012学年第一学期 2009级电子类电磁场理论基础期末试题A 卷 班级________ 学号________ 姓名________ 成绩________ 一、简答题（共12分）（2题） 1.请写出无源、线性各向同性、均匀的一般导电（0<σ<∞）媒质中，复麦克斯韦方程组的限定微分形式。 2.请写出谐振腔以TE mnp 模振荡时的谐振条件。并说明m ，n ，p 的物理意义。 二、选择题（每空2分，共20分）（4题）（最好是1题中各选项为同样类型） 1. 在通电流导体（0<σ<∞）内部，静电场（ A ），静磁场（B ），恒定电流场（B ），时变电磁场（ C ）。 A. 恒为零； B. 恒不为零； C.可以为零，也可以不为零; 2. 以下关于全反射和全折射论述不正确的是：（ B ） A.理想介质分界面上，平面波由光密介质入射到光疏介质，当入射角大于某一临界角时会发生全反射现象； B.非磁性理想介质分界面上，垂直极化波以某一角度入射时会发生全折射现象； C.在理想介质与理想导体分界面，平面波以任意角度入射均可发生全反射现象； D.理想介质分界面上发生全反射时，在两种介质中电磁场均不为零。 3. 置于空气中半径为a 的导体球附近M 处有一点电荷q ，它与导体球心O 的距离为d(d>a)，当导体球接地时，导体球上的感应电荷可用球内区域设置的（D ）的镜像电荷代替；当导体球不接地且不带电荷时，导体球上的感应电荷可用（B ）的镜像电荷代替； A. 电量为/q qd a '=-，距球心2/d a d '=；以及一个位于球心处，电量为q aq d ''=； B. 电量为/q qa d '=-，距球心2/d a d '=；以及一个位于球心处，电量为q aq d ''=； C. 电量为/q qd a '=-，距球心2/d a d '=； D. 电量为/q qa d '=-，距球心2/d a d '=； 4.时变电磁场满足如下边界条件：两种理想介质分界面上，（ C ）；两种一般导电介质（0<σ<∞）分界面上，（A ）；理想介质与理想导体分界面上，（ D ）。 A. 存在s ρ，不存在s J ； B. 不存在s ρ，存在s J ； C. 不存在s ρ和s J ； D. 存在s ρ和s J ； 三、（12分）如图所示，一个平行板电容 器，极板沿x 方向长度为L ，沿y 方向宽 度为W ，板间距离为z 0。板间部分填充 一段长度为d 的介电常数为ε1的电介质，如两极板间电位差为U ，求：（1）两极板 间的电场强度；（2）电容器储能；（3）电 介质所受到的静电力。
北大软件与微电子学院考研复试通知复试分数线复试名单 一、资格审查材料： 1、请考生登陆北京大学软件与微电子学院硕士招生网，北大软件与微电子学院考研复试，详细填报信息并打印《北京大学软件与微电子学院报名表》。 2、《报考攻读硕士学位研究生登记表》; 3、最后毕业证书和学位证书复印件(仅限往届生)或学生证(应届生); 4、准考证复印件;(第一志愿报考软件与微电子学院的考生除外) 5、本人身份证复印件; 6、本科成绩单原件(如为复印件，非应届生需加盖档案所在单位人事部门公章，北大软件与微电子学院考研复试应届生需加盖所在学校教务部门章); 7、个人陈述(https://www.doczj.com/doc/4513498167.html,/zs/zs_ss.html)、科研成果等可以证明自己研究潜能的各种背景材料以供专家复试组参考; 8、报考数字艺术系(计算机动画创作、交互媒体艺术)方向的考生还需提交一份以上本人专业作品; 9、同等学力考生还须提供在国家核心期刊上发表的学术论文(一篇以上，不限学科专业); 10、复试费：100元(可直接交到招办或汇款，汇款时请在备注栏写清姓名及身份证号) 以上资格复审材料请于3月19日之前送至或特快专递至学院招生办公室(北京大学软件与微电子学院招生办(北京大学理科1号楼1723N房间)，邮编：100871) 二、3月21日上午统一参加北京大学研究生院组织的英语北大软件与微电子学院考研复试(论坛)听力考试。具体考试时间、地点请在研究生院招生网页查询。 三、复试时间：3月21日听力结束后进行 四、复试通知书：复试材料审查合格的可直接来招生办领取复试通知书。 请注意：考生必须在3月20日下午3点前到北京大学软件与微电子学院(本部，理科楼1723N)领取复试通知书，没有复试通知书的考生不能参加听力考试。 准考证号
数控2010级 《极限配合与技术测量基础》期末检测题A卷 班级：姓名： 一、填空题（每空2分共42分） 1、φ30的轴，上偏差是-0.010，下偏差是-0.036，其最大极限尺寸是（），最小极限尺寸是（），其公差是（）。 2、按孔公差带和轴公差带相对位置不同，配合分为（）（）（）三种。其中孔公差带在轴公差带之上时（）配合、孔、轴公差带交叠时为（）配合。 3、互换性是指制成的同一规格的一批零件，不作任何（）、（）或（），就能进行装配，并能保证满足机械产品的（）的一种特性。 4、当最大极限尺寸等于基本尺寸时，其（）偏差等于零；当零件的最小极限尺寸等于其基本尺寸时，其（）偏差等于零。 5、孔的上偏差用（）表示，孔的下偏差用（）表示，轴的上偏差用（）表示，轴的下偏差用（）表示。 6、在公差带图中，表示基本尺寸的一条直线为（），在此线以上的偏差为（），在此线以下的偏差为（）。 二、判断题（每题2分共10分） 1．采用先进制造技术，把同一规格的一批零件的几何参数做得完全一致是可能的，也是必要的。（） 2、为使零件的几何参数具有互换性，必须把零件的加工误 差控制在给定的范围内。（） 3、在尺寸公差带图上，零线以上的为正偏差，零线以下 的为负偏差。（） 4. 相互配合的孔和轴，其基本尺寸必须相同。（）
5、零件的实际尺寸位于所给定的两个极限尺寸之间，则零 件的该尺寸为合格。（） 三、选择题（每题2分共12分） 1、基本尺寸是（）。 A 测量时得到的 B 设计时给定的 C 计算得到的 D 实际尺寸 2、最大极限尺寸（）基本尺寸 A 大于 B小于 C等于 D 大于、小于或等于 3. 最小极限尺寸减其基本尺寸所得的代数差为（）。 A、上偏差； B、下偏差； C、基本偏差； D、实际偏差4．最大极限尺寸减其基本尺寸所得的代数差为（）。 A、上偏差； B、下偏差； C、基本偏差； D、实际偏差 5. 实际偏差是（）。 A、设计时给定的； B、直接测量得到的； C、通过测量，计算得到的； D、最大极限尺寸与最小极限尺寸之代数差。6. 尺寸公差带图的零线表示（）。 A、最大极限尺寸； B、最小极限尺寸； C、基本尺寸； D、实际尺寸 四、计算题（共36分每做对一步得9分） 1．已知一轴的基本尺寸为φ40，最大极限尺寸为φ39. 991，尺寸公差为0.025 mm,求其最小极限尺寸、上偏差和下偏差。
一、单选题 1、如果通过闭合面S的电通量 e 为零，则可以肯定 A、面S内没有电荷 B 、面S内没有净电荷 C、面S上每一点的场强都等于零 D 、面S上每一点的场强都不等于零 2、下列说法中正确的是 A 、沿电场线方向电势逐渐降低B、沿电场线方向电势逐渐升高 C、沿电场线方向场强逐渐减小 D、沿电场线方向场强逐渐增大 3、载流直导线和闭合线圈在同一平面内，如图所示，当导线以速度v 向v 左匀速运动时，在线圈中 A 、有顺时针方向的感应电流 B、有逆时针方向的感应电 C、没有感应电流 D、条件不足，无法判断 4、两个平行的无限大均匀带电平面，其面电荷密度分别为和， 则 P 点处的场强为 A、 B 、 C 、2 D、 0 P 2000 5、一束粒子、质子、电子的混合粒子流以同样的速度垂直进 入磁场，其运动轨迹如图所示，则其中质子的轨迹是 12 A、曲线 1 B、曲线 23 C、曲线 3 D、无法判断 6、一个电偶极子以如图所示的方式放置在匀强电场 E 中，则在 电场力作用下，该电偶极子将 A 、保持静止B、顺时针转动C、逆时针转动D、条件不足，无法判断 7q 位于边长为a 的正方体的中心，则通过该正方体一个面的电通量为 、点电荷 A 、0 B 、q q D 、 q C、 6 0400 8、长直导线通有电流I 3 A ，另有一个矩形线圈与其共面，如图所I 示，则在下列哪种情况下，线圈中会出现逆时针方向的感应电流？ A 、线圈向左运动B、线圈向右运动 C、线圈向上运动 D、线圈向下运动 9、关于真空中静电场的高斯定理 E dS q i，下述说法正确的是： S0 A.该定理只对有某种对称性的静电场才成立； B.q i是空间所有电荷的代数和； C. 积分式中的 E 一定是电荷q i激发的；
2018北大微电子与固体电子学考研经验专业指导分享 关于初试，我考的是微固，专业课905半导体物理和906数模电二选一，建议选择半导体物理，因为即便是跨专业考研，本科没有学过的也可以自学，因为对于我们本科学过这门课的，重新拿起书看的时候也像第一次接触那样新鲜...其实半导体不难，而且会有历年的真题和答案，重要的是...率高达80%以上,233333。所以建议对于没学过的或者学过全忘记了得，可以先看复旦蒋玉龙的视频，开始量子力学部分可以不看，重点看微电子的部分，学个大概，之后可以一般翻书一遍对着答案刷真题..真题一定要多刷几遍，当时我时间很紧，专业课复习了一个月不到吧，主要刷真题，最后是考了123。 关于通考科目就不普及了哈，大家应该都有准备，主要是.时间真的不够用，只有俩月啊，专业课数学各站一个月，所以.政治近乎裸考，最后只背了下肖4和肖8，英语完全裸考的，也没啥经验可以分享的，毕竟英语只考52.政治56对的，刚刚过线而已,现在看看当初也是纯属运气好而已，万一当初手一抖，直觉选错俩选择，也就没有后来了....， 关于复试，只有口试，5位考官，1位记录，共6人，单面，你正对面的是你的主面官，平均每人20分钟，主要的考察还是以专业素养考核为主，英语口语听力以对话形式考察，主要涉及的还是日常对话，我当初准备了一段英文和中文自我介绍以及14个常考话题，应该就差不多，毕竟英语复试只占3分而已，40分制，关于专业课，是在器件、光电、数模电中自己选取两个方向抽题作答，题目不难，但是问的方式会比较新颖，比如本证费米能级中是否可以找到电子？空穴的实质是电子导电吗？解释一下光电效应，金属可以发光吗等等。当时排在我前面的人全都选的器件1和器件2，只有我自己选的一道器件和光电，因为光电部分大家都没学，而我完全自学的，想着不选的话是不是白学了啊，毕竟花了那么多时间，事实证明光电的题会很简单，就是解释一下光电效应这种最基本的概念。建议大家可以自学一下光电知识，因为光电部分真的很简单....另外就是考官会跟你拉家常，问些你生活学习工作之类的，总体压力不大，北大的老师人都很好，全程和蔼，面带微笑，不会难为大家。但是我当初面试的表现自我感觉一般，回答问题没有逻辑性，冗长拖拉。好在不紧张，因为老师根本没给你紧张的时间，会一直问你专业的问题，你会集中精力思考，没时间紧张了... 如果还有问题，欢迎师弟师妹来问我，最后祝大家19考研顺利！
六、标注题： 1．将下列精度要求标注在图样上。 （1）内孔尺寸为Φ30H7，遵守包容要求； （2）圆锥面的圆度公差为0.01mm，母线的直线度公差为0.01mm； （3）圆锥面对内孔的轴线的斜向圆跳动公差为0.02mm； （4）内孔的轴线对右端面垂直度公差为0.01mm。 （5）左端面对右端面的平行度公差为0.02mm； （6）圆锥面的表面粗糙度Rz的最大值为6.3μm，其余表面Ra的上限值为3.2μm。N 2．如图所示零件，试在图样上标注各项形位公差要求。 （1）、孔Φ1轴线的直线度公差为0.01mm； （2）、外圆柱面的圆柱度公差为0.04mm； （3）、圆锥孔Φ2对孔Φ1轴线的同轴度公差为0.02mm； （4）、左端面对右端面的平行度公差为0.05mm； （5）、左端面对孔Φ1轴线的垂直度公差为0.03mm。 12 12 A 0.03A 0.01 B A 0.02 0.05B0.04
3 ．如图所示为圆锥齿轮的毛坯，试在图样上标注各项形位公差要求。 （1）、齿轮轴孔Φ1采用包容原则； （2）、齿顶圆锥面的圆度公差为0.02mm； （3）、齿顶圆锥面的斜向圆跳动度公差为0.04mm；（4）、右端面对左端面的平行度公差为0.05mm；（5）、右端面的全跳动度公差为0.03mm。 11 E A B 0.04A0.02 0.05B 0.06A 4．将下列形位公差要求标注在图样上。 （1）A面的平面度公差为0.01mm； （2）Φ50孔的形状公差遵守包容要求，且圆柱度误差不超过0.011mm； （3）Φ65孔的形状公差遵守包容要求，且圆柱度误差不超过0.013mm； （4）Φ50和Φ65两孔心线分别对它们的公共孔心线的同轴度公差为Φ0.02mm：（5）Φ50和Φ65两孔心线分别对A面的平行度公差为Φ0.015mm。
电磁学期末考试 一、选择题。 1. 设源电荷与试探电荷分别为Q 、q ，则定义式q F E =对Q 、q 的要求为：[ C ] （Ａ）二者必须是点电荷。 （Ｂ）Q 为任意电荷，q 必须为正电荷。 （Ｃ）Q 为任意电荷，q 是点电荷，且可正可负。 （Ｄ）Q 为任意电荷，q 必须是单位正点电荷。 2. 一均匀带电球面，电荷面密度为σ，球面内电场强度处处为零，球面上面元dS 的一个带电量为dS σ的电荷元，在球面内各点产生的电场强度：[ C ] （Ａ）处处为零。 （Ｂ）不一定都为零。 （Ｃ）处处不为零。 （Ｄ）无法判定 3. 当一个带电体达到静电平衡时：[ D ] （Ａ）表面上电荷密度较大处电势较高。 （Ｂ）表面曲率较大处电势较高。 （Ｃ）导体内部的电势比导体表面的电势高。 （Ｄ）导体内任一点与其表面上任一点的电势差等于零。 4. 在相距为2R 的点电荷+q 与-q 的电场中，把点电荷+Q 从O 点沿OCD 移到D 点（如图），则电场力所做的功和+Q 电位能的增量分别为：[ A ] （Ａ）R qQ 06πε，R qQ 06πε-。 （Ｂ）R qQ 04πε，R qQ 04πε-。 （Ｃ）R qQ 04πε-，R qQ 04πε。 （Ｄ）R qQ 06πε-，R qQ 06πε。 5. 相距为1r 的两个电子，在重力可忽略的情况下由静止开始运动到相距为2r ，从相距1r 到相距2r 期间，两电子系统的下列哪一个量是不变的：[ C ] （Ａ）动能总和； （Ｂ）电势能总和；
（Ｃ）动量总和； （Ｄ）电相互作用力 6. 均匀磁场的磁感应强度B 垂直于半径为r 的圆面。今以该圆周为边线，作一半球面s ， 则通过s 面的磁通量的大小为： [ B ] （Ａ）B r 22π。 （Ｂ）B r 2 π。 （Ｃ）0。 （Ｄ）无法确定的量。 7. 对位移电流，有下述四种说法，请指出哪一种说法正确：[ A ] （Ａ）位移电流是由变化电场产生的。 （Ｂ）位移电流是由线性变化磁场产生的。 （Ｃ）位移电流的热效应服从焦耳—楞次定律。 （Ｄ）位移电流的磁效应不服从安培环路定理。 8．在一个平面内，有两条垂直交叉但相互绝缘的导线，流过每条导线的电流相等，方向如图所示。问那个区域中有些点的磁感应强度可能为零：[ D ] A ．仅在象限1 B ．仅在象限2 C ．仅在象限1、3 D ．仅在象限2、4 9．通有电流J 的无限长直导线弯成如图所示的3种形状，则P 、Q 、O 各点磁感应强度的大小关系为：[ D ] A ．P B ＞Q B ＞O B B ．Q B ＞P B ＞O B C ． Q B ＞O B ＞P B D ．O B ＞Q B ＞P B 10．若空间存在两根无限长直载流导线，空间的磁场分布就不具有简单的对称性，则该磁场分布：[ D ] A ．不能用安培环路定理来计算 B ．可以直接用安培环路定理求出 C ．只能用毕奥-萨伐尔定律求出 D ．可以用安培环路定理和磁感应强度的叠加原理求出 二、填空题 1．一磁场的磁感应强度为k c j b i a B ++=，则通过一半径为R ，开口向Z 方向的半球壳， 表面的磁通量大小为 2R c π Wb 2.一电量为C 9105-?-的试验电荷放在电场中某点时，受到N 91020-?向下的力，则该点的电场强度大小为 4/N C ，方向 向上 。 3．无限长直导线在P 处弯成半径为R 的圆，当通以电流I 时，则在圆心O 点的磁感应强度大小等于 0112I R μπ??- ??? 。 4. AC 为一根长为l 2的带电细棒，左半部均匀带有负电，右半部均匀带 有正电荷，电荷线密度分别为λ-和λ+，如图所示。O 点在棒的延
学年第一学期《公差与配合技术》试卷（一） 一、填空题（每题2分共30分） 1．一个孔或轴允许尺寸的两个极端称为极限尺寸。2.配合基准制分_基轴制_________和__基孔制________两种。一般情况下优先选用____基孔制__________。 二、选择题（每题2分，共20分） A. 间隙配合 B. 过渡配合 C. 过盈配合 A．实际偏差 B. 基本偏差 C. 标准公差 A．孔两个极限尺寸都大于基本尺寸 B．孔两个极限尺寸都小于基本尺寸 C．孔最大极限尺寸大于基本尺寸，最小极限尺寸小于基本尺寸4．基本偏差是（D）。 A．上偏差 B .下偏差 C. 上偏差和下偏差 D. 上偏差或下偏差 5．垂直度公差属于（C）。 A．形状公差 B. 定位公差 C. 定向公差 D. 跳动公差 三、判断题（每题2分，共10分） （×）1 .在ф60H7/f6 代号中，由于轴的精度高于孔，故以轴为基准件。（×）2. 测表面粗糙度时，取样长度过短不能反映表面粗糙度的真实情况，因此越长越好。
（ √ ）3. 普通螺纹的公称直径是指螺纹的大径。 四、简答与计算（每题10分，共40分） 1. 如图所示零件，若加工时以I 面为基准加工尺寸A 1和A 2，则A 3的尺寸为多少 解：根据题意，A3 A2为减环。 A3=A1-A2=（ES3=ES1-ES2=｛EI3=EI1-EI2=（）mm=-0.10mm 故A3=30 + -0.10mm 2．测量的实质是什么一个完整的测量过程包括哪几个要素 答：（1）测量的实质是将被测几何量L 与作为计量单位的标准量E 进行比较，从机时获得两面三刀者比什q 的过程，即L/E=q,或L=Eq 。 （2）一个完整的测量过程包括被测对象，计量单位、测量方法和测量精 度四个要素。 3. 有一组相配合的孔和轴为?3078 h N ,作如下几种计算并填空: N8=(036.0003.0--), h7=(021.00 -) 孔的基本偏差是,轴的基本偏差是___0______. 孔的公差为,轴公差为. 配合的基准制是___基轴制____;配合性质是_过渡配合 (4)配合公差等于. (5)计算出孔和轴的最大,最小实体尺寸. 解： 孔的最大实体尺寸： DM=Dmin=?30+=?29.964mm 孔的最小实体尺寸： DL=Dmax= ?30+=?29.9997mm 轴的最大实体尺寸： dm=dmax=d+es= ?30+0= ?30.0mm
一、单选题 1、 如果通过闭合面S 的电通量e Φ为零，则可以肯定 A 、面S 没有电荷 B 、面S 没有净电荷 C 、面S 上每一点的场强都等于零 D 、面S 上每一点的场强都不等于零 2、 下列说法中正确的是 A 、沿电场线方向电势逐渐降低 B 、沿电场线方向电势逐渐升高 C 、沿电场线方向场强逐渐减小 D 、沿电场线方向场强逐渐增大 3、 载流直导线和闭合线圈在同一平面，如图所示，当导线以速度v 向 左匀速运动时，在线圈中 A 、有顺时针方向的感应电流 B 、有逆时针方向的感应电 C 、没有感应电流 D 、条件不足，无法判断 4、 两个平行的无限大均匀带电平面，其面电荷密度分别为σ+和σ-， 则P 点处的场强为 A 、02εσ B 、0εσ C 、0 2εσ D 、0 5、 一束α粒子、质子、电子的混合粒子流以同样的速度垂直进 入磁场，其运动轨迹如图所示，则其中质子的轨迹是 A 、曲线1 B 、曲线2 C 、曲线3 D 、无法判断 6、 一个电偶极子以如图所示的方式放置在匀强电场 E 中，则在 电场力作用下，该电偶极子将 A 、保持静止 B 、顺时针转动 C 、逆时针转动 D 、条件不足，无法判断 7、 点电荷q 位于边长为a 的正方体的中心，则通过该正方体一个面的电通量为 A 、0 B 、0εq C 、04εq D 、0 6εq 8、 长直导线通有电流A 3=I ，另有一个矩形线圈与其共面，如图所 示，则在下列哪种情况下，线圈中会出现逆时针方向的感应电流？ A 、线圈向左运动 B 、线圈向右运动 C 、线圈向上运动 D 、线圈向下运动 9、 关于真空中静电场的高斯定理0 εi S q S d E ∑=?? ，下述说确的是： A. 该定理只对有某种对称性的静电场才成立； B. i q ∑是空间所有电荷的代数和； C. 积分式中的E 一定是电荷i q ∑激发的； σ- P 3 I
2019年北大软件与微电子学院集成电路工程考研复试时间复试内容 复试流程复试资料及经验 随着考研大军不断壮大，每年毕业的研究生也越来越多，竞争也越来越大。对于准备复试的同学来说，其实还有很多小问题并不了解，例如复试考什么？复试怎么考？复试考察的是什么？复试什么时间？复试如何准备等等。今天启道小编给大家整理了复试相关内容，让大家了解复试，减少一点对于复试的未知感以及恐惧感。准备复试的小伙伴们一定要认真阅读，对你的复试很有帮助啊！ 专业介绍 集成电路是二十世纪的人类最重要科技发明之一，它的发明标志着人类进入信息时代。集成电路被广泛运用于国家经济建设、社会发展和国防安全的方方面面，起到了不可替代的核心作用。 集成电路工程是研究生层次招生专业，属于电子科学与技术、仪器科学与技术、电气工程、控制科学与工程、信息与通信工程等一级学科交叉领域。本专业是信息科学的重要组成部分，其主要理论和方法已广泛应用于信息科学的各个领域。 复试时间 复试时间：3月19、20日； 复试地点：软件与微电子学院（大兴校区）（地址：北京市大兴工业开发区金苑路24号）。 复试内容（科目） 复试分数线
复试流程 (1) 院系应及时公布复试细则(含复试时间、地点和复试成绩计算规则等信息)和复试名单。考生可登录院系网站查询，并按要求参加复试。 (2) 硕士研究生招生考试复试费标准为 100 元/人次，由院系于复试前收取。参加两次及以上专家组复试的复试费按次收取。 (3) 复试专家组秘书要在复试时填写《北京大学 2018 年硕士研究生招生复试情况记录表》。 (4) 复试可结合学科特点和培养要求，通过笔试、面试、实践操作等灵活多样的方式突出对考生专业素质、实践能力和创新精神的方面的考核。 如仅对考生进行面试，院系须设立一定数量的题库，事先确定评分标准，由考生随机抽取适量的试题进行回答。试题难度要适中，并应尽量避免问题的随意性和偶然性。综合面试
一、判断题〔正确的打√，错误的打×〕 √1. 为使零件的几何参数具有互换性，必须把零件的加工误差控制在给定的范围内。 ×2.不完全互换性是指一批零件中，一部分零件具有互换性，而另一部分零件必须经过修配才有互换性。 √3.只要零件不经挑选或修配，便能装配到机器上去，则该零件具有互换性。 ×4.机器制造业中的互换性生产必定是大量或成批生产，但大量或成批生产不一定是互换性生产，小批生产不是互换性生产。 ×5．公差可以说是允许零件尺寸的最大偏差。 ×6．基本尺寸不同的零件，只要它们的公差值相同，就可以说明它们的精度要求相同。 ×7. 公差通常为正，在个别情况下也可以为负或零。 ×8．图样标注φ200 mm的轴，加工得愈靠近基本尺寸就愈精确。 -0.021 ×9．孔的基本偏差即下偏差，轴的基本偏差即上偏差。 ×10．某孔要求尺寸为φ20-0.046 ，今测得其实际尺寸为φ19.962mm，可以判断该孔合格。 -0.067 ×11．未注公差尺寸即对该尺寸无公差要求。 √12．基本偏差决定公差带相对零线的位置。 √13. 孔和轴的加工精度越高，则其配合精度也越高。 ×14. 零件的实际尺寸就是零件的真实尺寸。 ×15. 某一个零件的实际尺寸正好等于其基本尺寸，则此尺寸必定合格。 ×16. 间隙配合中，孔公差带一定在零线以上，轴公差带一定在零线以下。 ×17. 选择公差等级的原则是，在满足使用要求的前提下，尽可能选择较小的公差等级。×18. 由于零件的最大极限尺寸大于最小极限尺寸，所以上偏差绝对值大于下偏差绝对值。×19 . 不论公差值是否相等，只要公差等级相同，尺寸的精确程度就相同。 ×20. 对某一尺寸进行多次测量，他们的平均值就是真值。
复旦大学 大学物理A 电磁学 一、选择题：（每题3分，共30分） 1. 关于高斯定理的理解有下面几种说法，其中正确的是： （Ａ）如果高斯面上E 处处为零，则该面内必无电荷。 （Ｂ）如果高斯面内无电荷，则高斯面上E 处处为零。 （Ｃ）如果高斯面上E 处处不为零，则该面内必有电荷。 （Ｄ）如果高斯面内有净电荷，则通过高斯面的电通量必不为零 （E ）高斯定理仅适用于具有高度对称性的电场。 [ ] 2. 在已知静电场分布的条件下，任意两点1P 和2P 之间的电势差决定于： （Ａ）1P 和2P 两点的位置。 （Ｂ）1P 和2P 两点处的电场强度的大小和方向。 （Ｃ）试验电荷所带电荷的正负。 （Ｄ）试验电荷的电荷量。 [ ] 3. 图中实线为某电场中的电力线，虚线表示等势面，由图可看出： （Ａ）C B A E E E >>，C B A U U U >> （Ｂ）C B A E E E <<，C B A U U U << （Ｃ）C B A E E E >>，C B A U U U << （Ｄ）C B A E E E <<，C B A U U U >> [ ] 4. 如图，平行板电容器带电，左、右分别充满相对介电常数为ε 1与ε2的介质，则两种介质内： （Ａ）场强不等，电位移相等。 （Ｂ）场强相等，电位移相等。 （Ｃ）场强相等，电位移不等。 （Ｄ）场强、电位移均不等。 [ ] 5. 图中，Ua-Ub 为： （Ａ）IR -ε （Ｂ）ε+IR （Ｃ）IR +-ε （Ｄ）ε--IR [ ] 6. 边长为a 的正三角形线圈通电流为I ，放在均匀磁场B 中，其平面与磁场平行，它所受磁力矩L 等于： （Ａ）BI a 221 （Ｂ）BI a 234 1 （Ｃ）BI a 2 （Ｄ）0 [ ]
第1讲数据挖掘概述 –数据与知识的区别与联系？ 数据：对象（被描述的单元）+属性（描述对象某一方面的特征） 数据是将不同类型的属性经数据处理数据化得到的结果 知识能保障我们达成既定目标 数据是挖掘的基础。数据记录了现象，通过现象总结出知识。 –列举几项你所知道的数据挖掘应用，并论述数据挖掘在其中的作用？ （1）分类，根据特征判断对象属于哪个类别，有指导学习。预测肿瘤细胞是良性还是恶性；识别信用卡交易是否合法还是欺诈；电信客户流失分析；图片、音频、视频标签；蛋白质结构功能分类等。 （2）聚类，给对象归类使得同组对象尽可能相似，不同组对象尽可能不相似，无指导学习。把相关文档归并方便浏览；市场分割，细分为不同的客户群；获取价格波动相似的股票有助于决策；相关案件放在一起寻找嫌疑人的特征。（3）关联分析，给定一组记录，分析项目之间的依赖关系。购物分析，用于促销、货价管理存货管理；医疗信息发现与某种疾病与症状的关联以便通过症状诊断病症 （4）顾客分类，数据挖掘能够告诉我们什么样的顾客买什么产品（聚类或分类） 识别顾客需求，对不同的顾客识别最好的产品，使用预测发现什么因素影响新顾客。汽车保险检测假造事故骗取保险赔偿的人。检测电话欺骗，通话距离、通话时间，每天或每周通话次数 –数据挖掘方法过程是什么？ 数据库-->数据清理-->数据仓库-->任务相关数据-->数据挖掘-->模式评估-->知识 具体在PPT上有一个流程图
书上的：数据清理（消除噪声、不一致数据）-->数据集成（多种数据源可以组合在一起）-->数据选择（从数据库中检索与分析任务相关的数据）-->数据变换（数据变换或统一成适合挖掘的形式，如通过汇总或聚集操作）-->数据挖掘（基本步骤，使用智能方法提取数据模式）-->模式评估（根据某种兴趣度度量，识别表示知识的真正有趣的模式）-->知识表示（使用可视化和知识表示技术，向用户提供挖掘的知识） –数据挖掘与机器学习的区别与联系？ 机器学习为数据挖掘提供理论方法：分类、聚类 所处理的数据在量上的差距：机器学习数据规模相对小；数据挖掘数据规模相对大 数据挖掘目标适中，自动化繁琐的挖掘工作，而非达到人的智能行为；辅助用户决策，而非代替用户决策 –数据挖掘与统计的区别与联系？ 目标类似：统计也是希望从数据中发现令人感兴趣的信息 前提不同：统计学要求有数据分布模型的先验假设；数据挖掘没有上述要求 处理数据规模不同 相互促进：数据挖掘可以作为统计分析的初步分析阶段 统计理论方法和技术可以应用于数据挖掘 –数据挖掘与数据管理的区别与联系？ 数据库：演绎推理(deductive) 先定义好模式，按照模式查询数据（SQL） 数据挖掘：归纳推理(inductive) 给定特定数据，归纳一般模式；数据挖掘是数据库功能的延伸