内存颗粒和模组编号知识
老头儿的内存颗粒和模组编号知识60问
（https://www.doczj.com/doc/4417556697.html, ，李谦2009-04-24发表）
在内存的颗粒和模组的编号中浓缩着内存的主要技术信息，但是，除了JEDEC对模组的标注方法有一个原则规定外，颗粒和模组的编号规则都是由各个生产厂自行设定的，编号方法很不一致。因此，网上有关编号的问题的讨论也很多，我认为，有许多理解是不准确的。为此，我花了一些时间到境外生产厂的英文官方网站去寻求答案。力求收集得全面一些。还真的有不少斩获。现将它们整理出来，供网友们参考。当然，所涉及的内存种类主要是个人电脑用户接触到的UDIMM （Unbuffered non-ECC DIMM也称UBDIMM）内存和SO-DIMM(Small Outline DIMM )内存。服务器内存和其他专用内存都没有涉及。
为了便于读者朋友查询，我编了一个内存颗粒编号速查表和内存模组编号速查表（见问题3问题4）。当您要查询一个未知内存编号的含义时，可以首先跟这个速查表比对，了解了生产这种内存的厂商后，再根据本目录查询具体含义。
目录
一.关于内存的编号
1.目前的主要内存厂商有哪些？
2.内存是怎样编号的？
3.请给出常用内存颗粒编号速查表！
4.请给出常用内存模组编号速查表！
二.关于内存的编号方法
5.颗粒编号中的术语有哪些？说明其含义。
6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思？
7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度？
8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度？
9.如何根据颗粒的编号计算模组容量？
10.怎样从内存编号中知道内存的速度？
11.内存模组编号的术语有那些？说明其含义。
12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思？
13.什么是RANK?
14.如何根据模组的编号计算模组的容量？
15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数？
16.JEDEC对内存编号内容是如何规定的？
17.请解释JEDEC标准中有关内存名词及其含义
18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数？
19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系？
20.内存标签上的2R×8就表明内存是双面8个颗粒吗？
21.内存标签上的Warranty V oid是什么意思？
22.内存标签上的UNB和SOD是什么意思？
23.在内存标签上写的RoHS是什么意思？
24.有害物质是指哪些？
25.内存标签上的“0820”是什么意思？
26.内存标签上的P/N和S/N是什么意思？
27.我的内存是2GB的，为什么颗粒编号说是1GB的?
三.几个主要内存厂商编号方法介绍
28.三星内存的颗粒是怎样编号的？
29.三星内存的模组是怎样编号的？
30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的？
31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的？
32.海力士SDRAM内存模组是怎样编号的？
33.海力士DDR内存模组是怎样编号的？
34.海力士DDR2内存模组是怎样编号的？
35.海力士DDR3内存模组是怎样编号的？
36.现代的乐金内存是怎样编号的？
37.美光内存的颗粒是怎样编号的？
38.美光内存的模组是怎样编号的？
39.日立、日电和东芝旧内存颗粒是怎样编号的？
40.尔必达内存的颗粒是怎样编号的？
41.尔必达内存的模组是怎样编号的？
42.英飞凌和奇梦达内存的颗粒是怎样编号的？
43.英飞凌和奇梦达内存的模组是怎样编号的？
44.南亚内存的颗粒是怎样编号的？
45.南亚内存的模组是怎样编号的？
46.易胜的颗粒是怎样编号的？
47.易胜的模组是怎样编号的？
48.力晶的内存是怎样编号的？
49.茂矽和茂德的颗粒是如何编号的？
50.茂矽和茂德的模组是如何编号的？
51.金士顿Avardram内存是如何编号的?
52.金士顿HyperX内存是如何编号的?
53.世迈内存的模组是如何编号的？
54.海盗船内存是怎样编号的？
55.瑞士军刀内存模组是怎样编号的？
56.胜创的内存是怎样编号的?
57.威刚内存模组是怎样编号的？
58.宇瞻内存模组是怎样编号的？
59.金邦内存模组是怎样编号的？
60.超胜内存是怎样编号的？
一.关于内存的编号
1.目前的主要内存厂商有哪些？
答：内存生产厂商很多，颗粒的生产厂商主要是韩国的三星、海力士；日本的尔必达；美国的美光；德国的奇梦达和我国台湾的南亚、力晶和茂德等。据报导，2006年，以上几个厂商生产的内存颗粒占世界总产量的98%以上。因此，弄清楚这几个大厂颗粒编号规则就是十分重要的。
模组生产厂商，则要分散得多，著名的有金士顿、世迈、金邦、威刚、胜创、瑞士军刀等。这些厂商大都是用以上颗粒厂生产的颗粒组装模组的，模组的编号基本上都符合JEDEC的规定，因此，认识这些模组生产厂的产品的主要参数和性能没有什么困难。但是，因为这些厂大都有自己的模组编号方法，因此，我也尽可能地对模组编号进行了收集整理。
现将几个主要生产厂商的官方网站介绍如下：
Samsung（三星，也用SEC的标志，韩国）：
https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,/global/Semiconductor/Products/dram。
Hynix(海力士，原HyunDai现代，后来又合并了乐金LGS，韩国）：
ttp://https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,/products/computing/。
Micron（美光，又称镁光、麦康，迈克龙，美国）：
ttp://https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,/products/modules/或/SDRAM
Elpida(尔必达,是NEC和日立合组的专业DRAM生产厂，日本)：
https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,/en/products/
Qimonda(奇曼达，是从英飞凌和西门子分离出来的，德国)：
https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,/computing-dram
Powerchip（力晶PSC，台湾）：https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,
Mosel（茂矽及茂德,台湾）:
https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,和https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,
KingMax（胜创,台湾）：https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,/products
Nanya(南亚,台湾)：https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,
Elixir（南亚易胜,台湾）：http://www. https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,
Kingston(金士顿，台湾)：https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,
SMART(世迈，美国)：https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,/product
Adata(威刚,台湾)：https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,
Apacer(宇瞻，台湾):https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,
Corsair（海盗船，美国）https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,/products/
Leadmax（超胜,香港）https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,
Geil(金邦,中国) https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,
2.内存是怎样编号的？
答：内存的主要参数都可以从编号上得到答案。厂家对内存编号的方法有两类，第一类是对颗粒的编号；第二类是对内存模组的编号。在一个内存模组上，这两类编号是同时存在的，而且是密切相关的。另外，JEDEC（电子元件工业联合会，Joint Electron Device Engineering Council）也规定了一个编号方法，在近年出厂的内存标签上也都有这个编号。其实，这是对模组的简单明了的编号。以上几种编号的样式见下图。
颗粒的编号都是刻嵌在内存颗粒上面的，例如，上图中三星内存颗粒上的编号是“K4T1G084QD-ZCF7”（未全部显示出来）。模组的编号是用纸贴在内存颗粒上的，如上图的“M378T5663DZ3-CF7”就是；JEDEC的编号则是写在模组标签的上方，如图中的“2GB 2R×8 PC2-6400U-666-12-E3”就是。
搞清这些编号的含义是十分重要的，因为在这些编号中包含了内存的结构和使用信息。3.请给出各种内存颗粒编号速查表！
答：因为各种内存的编号方法很不统一，样式也太多，为了使读者查阅方便，我把主要内存厂商的内存编号各择其一两个样子，以便迅速查出该内存是哪个厂商生产的。欲知详细，还要查阅后面的分厂介绍。
4.请给出内存模组编号速查表！
答：下表中的编号只是举例，供检索生产厂用。欲查清您手头的内存编号的含义，还需参看下面的有关问答题。
二.关于内存的编号方法
5.颗粒编号中的术语有哪些？说明其含义。
答：内存颗粒编号所表达的内容较多，但是，主要是关于内存结构的内容。在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问，一次只能是一个L-Bank工作，而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列
中一个“存储单元”的容量。在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word（此处代表位的集合而不是字节的集合）。
作为一般用户，不可能把内存结构的物理作用了解得很透彻。为了使“菜鸟”网友大概了解一下内存结构的名称及其含义，首先让我用一个比喻作介绍：
假如，有32张方格纸，每张方格纸上有1200个小方格。把这32张完全相同的方格纸分成四摞放到一张桌子上，因此，每摞就有8张方格纸了。
好了，我们就可以用这些条件来说明什么是单元、什么是位宽、什么是L-BANK了。见下表：
说明：
1.一个逻辑Bank的颗粒深度已知的有1M、2M、4M、8M、16M和32M等。目前的DDR2内存，大都是8M、16M和32M的；
2.一个颗粒的位宽有过4bit、8bit、16bit和32bit的。目前，内存的位宽大都是8b和16b的；
3.一个颗粒中的BANK数有4、8和16个的，DDR内存的位宽多是4BANK的；目前DDR2
和DDR3内存大都是采用8个Bank的;
4.BANK的深度与BANK的乘积称为颗粒深度（Chip depth）,也称颗粒长度或地址空间。
5.颗粒密度有64Mb、128Mb、256Mb、512Mb、1Gb和2Gb多种。DDR内存的颗粒密度最大为512Mb;目前DDR3内存的颗粒密度可以达到4Gb。
6.颗粒密度除以8b/B才是以字节表示的每个颗粒的容量(Capacity)。
6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思？
答：在电脑业界，经常把颗的结构用M×W来表示。M就是颗粒深度；W就是颗粒位宽。例如，当用128M×8表示，这个128M就是颗粒深度，单位为1；8是颗粒位宽，单位为bit。二者的乘积就是颗粒密度。颗粒密度的单位是Mb或Gb。
7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度？
答：因为在颗粒编号中给出的参数都有颗粒密度、BANK数和位宽，而
颗粒密度=BANK深度×BANK数×颗粒位宽
所以，BANK深度=颗粒密度÷BANK数÷位宽
例如，当三星的颗粒编号是K4T1G084QD时，我们知道颗粒密度=1G=1024Mb;BANK数是8个；颗粒位宽是8bit,因此，就有
BANK深度=1024Mb÷8÷8b=16M
8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度？
答：颗粒深度又称颗粒长度，因为在颗粒编号中给出的有颗粒密度、BANK数和位宽，而颗粒密度=颗粒深度×颗粒位宽
所以，
颗粒深度=颗粒密度÷颗粒位宽
例如，当三星的颗粒编号是K4T1G084QD时，我们知道颗粒密度=1G=1024Mb;颗粒位宽是8bit,因此，就有
颗粒深度=1024Mb÷8b=128M
9.如何根据颗粒的编号计算模组容量？
答：把颗粒密度乘以颗粒数就可以得到以Mb表示的内存的容量了。如果用8个颗粒，模组容量就是1024Mb×8=8192Mb。如果把它换算成我们熟悉的字节表示，除以8b/B后，就可以得到1GB了。
这种情况往往给人造成错觉，以为颗粒编号中的“1G”就表示内存容量是1GB的。其实这是错误的，因为你不能根据一个颗粒的密度就判定模组的容量。因为容量的大小跟颗粒数有关。对于颗粒密度是1Gb的颗粒来说，如果你用的是8个颗粒，容量就是1GB：如果是用16个颗粒的话，容量就是2GB了。
10.怎样根据内存编号查出内存的速度？
答：内存的速度是内存的一个重要的技术指标。所以，在颗粒和模组的编号上都必须给以标注。标注方法基本上是用数字或英文字符表示的。但是，在一般情况下，从这些字符上是看不出具体速度值的。而且各个厂家的表示方法也不尽一致，必须根据厂家给出的说明予以认定。不过，这个标志的位置通常都是置于编号后部的短字符“-”的后面。例如，三星内存模组的编号是M378T5663DZ3-CF7时，“-”后的“F7”就表示DDR2-800。
11.内存模组编号的术语有那些？说明其含义。
答：内存模组编号的内容除了反映所采用的颗粒的特性外，还反映了模组的参数。例如插槽的类型、模组的数据深度、数据位宽等。有的内存编号还直接反映内存的容量。
为了使“菜鸟”网友大致了解模组编号中所使用的技术术语，还是想利用在桌子上摆方格纸的例子做对比说明。
注：如果模组的深度和颗粒深度相同，称为1个RANK的内存；如果模组的深度是颗粒深度的2倍，称为2RANK的内存。
12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思？
答：其中的“256M”表示模组的深度是256M；“64”表示模组的数据宽度是64b。普通用户使用的电脑都是用”64”表示。二者的乘积就是模组的密度。模组密度除以8b/B就可以求出模组的容量。例如，对于标有256M×64的模组，其容量就是
256M×64b÷8b/B=2048MB=2GB
为了简化估算，将模组深度乘以8b/B，就可以得出模组容量了。
13.什么是RANK?
答：CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个时钟周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据。可是，单个内存颗粒的位宽仅有4bit、8bit或16bit，个别也有32bit的。因此，必须把多个颗粒并联起来，组成一个位宽为64bit的数据集合，才可以和CPU互连。生产商把64bit集合称为一个物理BANK（Physical BANK），简写为P-BANK。为了和逻辑BANK相区分，也经常把P-BANK称为RANK或Physical RANK,把L-BANK 则简称为BANK。
如果每个内存颗粒的位宽是8bit，应该由8个颗粒并联起来，组成一个RANK（64bit）；同理，如果颗粒的位宽是16bit，应该由4个颗粒组成一个RANK。
由此可知：Rank其实就是一组内存颗粒位宽的集合。具体说，当颗粒位宽×颗粒数=64bits 时，这个模组就是有一个RANK。
为了保证和CPU的沟通，一个模组至少要有一个RANK。但是，为了保证有一定的内存容量，目前，DDR2内存，经常是采用一个模组两个RANK的架构。（过去也有用几个模组组成一个RANK的情况）。
14.如何根据模组的编号计算模组的容量？
答：模组的深度与模组的数据宽度的乘积就是模组密度（Module Density）。此密度除以8b/B 就是模组的容量(Memory capacity)。例如，当三星模组编号是M378B5673DZ1-CH9时，模组的深度是256M，数据宽度是64b，则模组容量就是
256M×64b÷8b/B=256M×8B=2048MB=2GB
如果不考虑单位，简单的换算方法是将模组深度数乘以8B就是内存的容量数。即256M×8B=2048MB=2GB。
有些品牌内存（如宇瞻和奇梦达）的模组编号中也直接显示出内存的容量。
15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数？
答：因为模组的编号上可以知道模组深度和数据宽度，因此，二者相乘就是模组的密度。另外，从颗粒编号中可以知道颗粒的密度，因此有
颗粒数=模组密度÷颗粒密度
例如，当三星模组编号是M378B5673DZ1-CH9时，模组数据深度是256M。数据宽度是64b，因此，
模组密度=256M×64b=16384Mb。
另外，已知所用的颗粒编号是K4T1G084QD-ZCF7，颗粒密度是1024Mb
因此，
颗粒数=16384Mb÷1024Mb=16颗。
16.JEDEC对内存编号是如何规定的？
答：在JEDEC第21C号标准第8条中，对DDR2内存产品的标签（Product lable）的格式和内容有具体的规定。下表的标签就是按JEDEC的标准设置的。
其中的：
“模组总容量”（Module total capacity）有256MB,512MB,1GB,2GB,4GB等；
“模组构成”中的“R”是“RANK”的意思。“2R”是说组成模组的RANK数（Number of ranks of memory installed）是2个。有“1R”和“2R”两种；
“模组构成”中的“×8”是颗粒的位宽(bit width)，有×4、×8和×16三种；
“模组名称”的“PC2-6400”中的“6400”是以MB/s表示的模组带宽（Module bandwidth），有“PC2-5300”(DDR2-667)和“PC2-6400”(DDR2-800)等（DDR2-1066并不是JEDEC标准）“插槽类型”即是模组类型（Module Type），有F （Fully Buffered DIMM ("FB-DIMM")）、M （Micro-DIMM）、N( Mini-Registered DIMM)、P( Registered DIMM)、R( RDIMM)、S( Small Outline DIMM)和U( Unbuffered DIMM ("UDIMM"))等多种标识。但是，对普通电脑用户来说，使用的是“U”型（Unbuffered non-ECC DIMM），即桌式普通内存和“S”型(SO-DIMM),即笔记本型内存。有的厂家还把“插槽类别”（模组类型）中的“U”用“UNB”（Unbuffered DIMM）单独表示；把“S”用“SOD”(SO-DIMM)单独表示。
“时序”中的“666”分别表示表示“CL”、“tRCD”和“tRP”的延迟值,这里都是6。也有的厂家还把时序的第4个延迟tRAS也表示出来，例如：6-6-6-18。
“SPD版次”的原文是JEDEC SPD Revision Encoding and Additions level used on this DIMM，其中的“12”表示JEDEC SPD是1.2版；
最后的参考项是生产厂商设计时采用JEDEC标准情况的有关标记和版本。
17.请解释JEDEC标准中有关内存名词及其含义！
答：JEDEC标准中对内存名词的含义如下：
Unbuffered DIMM—无缓存的普通桌式内存，一般表示为UDIMM、DIMM或UNB; DIMM Capacity—内存的总容量，以MB为单位表示。在有的厂家也把模组容量称为DIMM Density。
DIMM Organization—内存模组的结构。以整个模组的数据深度跟数据位宽的形式表示。例如：“128Meg×64”表示模组的数据深度是128Meg，模组的数据宽度是64bit。由此可以推出模组的总容量是128M×64b÷8b/B=1024MB=1GB；
SDRAM Density—颗粒的密度，即每个颗粒的总位（bit）数。例如，当SDRAM Density是512Mb时，由16个颗粒组成的模组容量就是512Mb×16÷8b/B=1024MB=1GB；由8个颗粒
组成时，模组容量就是512MB。
SDRAM Organization—颗粒结构。是颗粒深度（SDRAM depth）与颗粒位宽的乘积。例如，当SDRAM Organization是64Meg×8时，颗粒密度就是64M×8b=512Mb。在内存业界也把颗粒深度称为颗粒长度，以跟BANK深度相区别；
Number of SDRAM—颗粒数；
Number of Physical Rank—物理RANK数，即P-BANK数。在本文中简称RANK数；Number of Bank in SDRAM—一个颗粒的逻辑BANK数；
SDRAM Packge Type—颗粒的封装类型。
18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数？
答：根据模组组成原理可以知道：如果模组的深度等于颗粒的深度，就是一个RANK；如果模组的深度等于两倍颗粒深度，就是两个RANK。例如，编号为M378B5673DZ1的三星模组的模组深度是256M。又因为这种模组采用的是K4T1G084QD颗粒。这种颗粒的密度是1024Mb；位宽是8b，因此，颗粒深度是1024Mb÷8b=128M。即模组深度是颗粒深度的两倍，因此，是两个RANK。
此外，从模组编号或颗粒编号给出的颗粒位宽和实际颗理粒数也可以计算出RANK数。例如，当颗粒位宽是8b时，模组用了8个颗粒，8×8b=64b，就是一个RANK；如果用了16颗颗粒，16×8b=128b，就是两个RANK。
19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系？
答：模组的面（side）数跟RANK数是两个不同的概念。而且在内存的编号中也都没有反映面数。但是，模组的面，不是一个，就是两个；而目前的RANK数也是这样。因此，用符号表示它们时，很容易混淆。但是，可以很明确地说：内存标签中的“R”是表示RANK,不是表示面数，内存“面”的英文字是Side，如果表示两个面的话面，应该是“2S”才是呀！
20.内存标签上的2R×8就表明内存是双面8个颗粒吗？
答：不是的。“R”表示RANK，这在上面已经解释过了。“×8”就是颗粒位宽是8bit的意思。因为1个RANK是64bit，两个RANK就是128bit，因此，符号“2R×8”就表示这个模组有2个RANK,颗粒的位宽是8b。因此，这个模组用的颗粒是128b÷8b/颗=16颗，而不是8颗。同理，当内存条上的标签标明是“1R×16”时，就表明这个模组是1个RANK；颗粒位宽是16bit。其颗粒数是64b÷16b/颗=4颗。绝不是16颗。
21.内存标签上的Warranty V oid是什么意思？
答：Warranty Void if label Removed的含义是：如果此标签破坏了，将不予保修保换的意思。
22.内存标签上的UNB和SOD是什么意思？
答：UNB是Unbuffered DIMM的意思，就是没有缓冲、没有ECC的普通桌式内存；SOD 是SO-DIMM的意思，就是普通的笔记本电脑内存。在JEDEC的标志中，UNB用“U”表示；SOD用“S”表示。见第16问。
23.在内存标签上写的RoHS是什么意思？
答：RoHS是欧盟《电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令》（the Restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment）的英文缩写。其发布的标准称为RoHS认证，RoHS认证是目前最严格的环境认证之一。欧盟已经在2006年7月1日实施RoHS，届时使用或含有重金属以及多溴二苯醚PBDE、多溴联苯PBB等阻燃剂的电气电子产品将不允许进入欧盟市场。
24. 有害物质是指哪些？
答：RoHS一共列出六种有害物质，包括：铅Pb，镉Cd，汞Hg，六价铬Cr6+，多溴二苯醚PBDE，多溴联苯PBB。
25.内存标签上的“0820”是什么意思？
答：说明该产品是2008年第20周生产的。
26.内存标签上的P/N和S/N是什么意思？
答：P/N是产品编号的意思，主要是说明产品的技术特性。本文就是探讨这个编号的含义的；S/N是该产品系列号的意思,主要是说明该产品的生产时间和序列号。
27.我的内存是2GB的，为什么颗粒编号说是1GB的?
答：你说你的内存颗粒编号是：HYB18T1G802AF-3S，这是英飞凌DDR2-667的颗粒，它的颗粒密度的确是1Gb(不是1GB)，如果有8个颗粒的话，模组的容量是1GB的，如果是16个颗粒就是2GB的了。
在一般情况下，在颗粒的编号中标注的是颗粒的密度，单位为Mb或Gb。在模组编号中只标注模组的深度（是M数或G数）和模组的数据宽度（64b）。模组的容量通过计算才能求出来。计算方法上见第9和第12问。
三．各种常用内存的编号方法
28.三星内存颗粒是如何编号的？
答：三星内存的颗粒（单个芯片）编号是直接嵌刻在颗粒上的，其编号规则和符号的意义见下图（是我根据厂家官方网站的说明整理的）：
在上表中只给出了DDR2的速度（Speed）表示方法。
DDR速度的表示方法是：
CC:DDR400(200MHz@CL=3,tRCD=3,tRP=3)
B3:DDR333(166MHz@CL=2.5,tRCD=3,tRP=3)
A2:DDR266(133MHz@CL=2,tRCD=3,tRP=3)
B0:DDR266(133MHz@CL=2.5,tRCD=3,tRP=3)
DDR3的速度（Speed）表示方法是：
F7:DDR3-800(400MHz@CL=6,tRCD=6,tRP=6)
F8:DDR3-1066(533MHz@CL=7,tRCD=7,tRP=7)
H9:DDR3-1333(667MHz@CL=9,tRCD=9,tRP=9)
K0:DDR3-1600(800MHz@CL=11,tRCD=11,tRP=11)。
此外，颗粒密度（Density）还有非8的整数倍的表示方法。有33、65、29、57、52、和1K 的标记。其意义如下：
33:32M(for128Mb/512Mb)；65:64M(for128Mb/512Mb)；
29:128M(for128Mb/512Mb)；57:256M(for512Mb/2Gb)；
52:512M(for512Mb/2Gb)；1K:1G(for2Gb)
⑴三星DDR内存颗粒编号举例
三星内存颗粒的编号是K4H560838H-UCB3时，“K4H”说明这是一个DDR内存;“56”说明其颗粒密度是256Mb；“08”说明颗粒位宽是8bit;后面的“3”说明是4个BANK;“3”后的“8”说明是SSTL接口,2.5V；“H”说明版本较新。编号最后的“B3”说明这是一个DDR333内存颗粒。
⑵三星DDR2内存颗粒编号举例
三星内存颗粒的编号是K4T1G084QD-ZCF7时，“K4T”说明这是一个DDR2内存;“1G”说明其颗粒密度是1Gb；“08”说明颗粒位宽是8bit;后面的“4”说明是8个BANK;“4”后的“Q”说明是SSTL接口,1.8V；“D”说明版本是第5版。编号最后的“F7”说明这是一个DDR2-800内存颗粒，CL=6,质量不如“E7”的。
⑶三星DDR3内存颗粒编号举例
三星内存颗粒的编号是K4B2G1646B-ZCH9时，“K4B”说明这是一个DDR3内存;“2G”说明其颗粒密度是2Gb；“16”说明颗粒位宽是16bit;后面的“4”说明是8个BANK;“4”后的“6”说明是SSTL接口,1.5V；“B”说明版是第3阪。编号最后的“H9”说明这是一个DDR3-1333内存颗粒。
29.三星内存的模组是怎样编号的？
答：三星（Samsung）内存的模组（内存条）编号规则和符号见下图，该图是我根据厂家官方网站的说明归纳的：
⑴三星DDR内存模组编号举例：
M368L6423HUN-CB3中的“M368L”表示这是三星DDR普通桌用电脑内存,其中的“68”表示模组数据位宽是64bit、184针的UDIMM内存；之后的“64”表示模组的数据深度是64Meg；再往后的“2”表示颗粒有4个BANK；后面的“3”表示颗粒位宽是8位；“HUN”分别表示版次和封装等；最后的“B3”表示这是一个DDR333内存。这种内存的总容量需要通过计算才能知道，容量为64M×64b÷8b/B=512MB。因为UDIMM内存的数据宽度是64b，因此，直接把数据深度乘以8b/B就可以得到总容量。即有64b×8b/B=512MB。下同。
⑵三星DDR2内存模组编号举例：
M378T5663DZ3-CF7中的“M378T”表示这是三星DDR2普通桌用电脑内存，其中的“78”表示
传输的数据位是64bit的UDIMM内存；之后的“56”表示模组的数据深度是256Meg；再往后的“6”表示颗粒有8个BANK；“3”表示颗粒位宽是8bit；“DZ3”分别表示版次和封装等；最后的“F7”说明这是一个DDR2-800内存。因此，容量是256M×64b÷8b/B=2048MB=2GB。
⑶DDR3内存模组举例：
M378B5673DZ1-CH9中的“M378B”表示这是三星DDR3普通桌用电脑内存，其中的“78”表示传输的数据位是64bit、240针的UDIMM内存；之后的“56”表示模组的数据深度是256Meg；再往后的“7”表示颗粒有8个BANK3；“3”表示颗粒位宽是8bit；“DZ1”分别表示版次和封装等；最后的“H9”说明这是一个DDR3-1333内存。因此，模组的总容量是256M×64÷8b/B=2GB。
30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的？
答：韩国Hynix（海力士）原来是现代（Hyundai）公司所属的一个内存生产厂，当时生产的内存颗粒编号都是以“HY”为前缀的。后来Hynix成了一个独立的内存生产厂，其颗粒编号也改为以“H”为前缀了。因此，一般把以“HY”为前缀的内存颗粒称为“现代”内存；而把以“H”为前缀的颗粒成为“海力士”内存。其实都是Hynix的产品。
以“HY5”为前缀的内存颗粒都是比较早期的内存，在计算机用的内存中，DDR2和DDR3内存没有再使用“HY”为前缀为编号。但是，在Consumer Memory(用于电视机机顶盒或摄像机等用的内存)中，仍然继续使用了一段时间。2007年决定所有海力士内存的前缀都用“H”代换“HY”。现在举例说明以“HY5”为前缀的内存的命名方法，见下表所示（根据厂家网站资料，按我的理解归类的）。
以“HY5”为前缀的海力士内存颗粒的编号规律
注；其中的速度，对SDRAM来说：5:5ns(200MHz)；6: 6ns(166MHz)；75: 7.5ns(133MHz)；K: PC133, CL2；H: PC133, CL3；P: PC100, CL2；S: PC100, CL3；10: 10ns(100MHz)；
15: 15ns(66MHz)。
对DDR来说：有过变动，“D4”代表DDR400，时序为3-4-4；“D43”代表DDR400，时序为3-3-3；“J”代表DDR333；“M”、“K”和“H”都代表DDR266，只是时序不同；“L”代表DDR200；“4”代表250MHz；“5”代表200MHz。
其他项的解释：
类型：“HY”现代的意思；“5”和“57”都代表SDRAM内存；“5D”代表DDR1内存；
电压：是指处理工艺和供电电压（PROCESS & POWER SUPPL Y）：对SDRAM和DDR1：空白是5V;“V”代表CMOS,3.3V；“U”代表CMOS,2.5V；
密度：是指颗粒密度和刷新速度（DENSITY & REFRESH）：
对SDRAM来说，“64”和“65”都是64Mb;“26”和“28”都是128Mb；“56”和“52”都是256Mb。对DDR1来说，“28”是128Mb；“56”是256Mb;“12”是512Mb 。
根据密度和模组颗粒数就可以知道模组的容量。例如，密度标以“12”时，如果有8个颗粒，模组容量就是512MB；如果有16个颗粒，容量就是1GB。
位宽：是指颗粒的位宽（datawidth）：
“4”代表“×4”；“8”代表“×8”;“16”代表“×16”；“32”代表“×32”。
BANK：是指每个颗粒的逻辑BANK数。“1”代表2BANK；“2”代表4BANK；“3”代表8BANK。接口：是指颗粒的电气接口（Interface）。“0”代表LVTTL;“1”代表SSTL;“2”代表SSTL_2；版本：是指颗粒出厂的版本。空白代表第1版；二版后依次用A、B、C、D等表示；
功耗：是指功率消耗（Power consumption）。空白表示正常耗电；“L”表示低功耗；
封装：芯片发封装方法（Package）。TC：400mil TSOPII；JQ:100Pin-TQFP；
速度；速度（speed）是指颗粒的频率，说明见表注。
温度：温度（Temperature），“I”是工业温度；“E”是扩展温度。但是，在编号中经常没有这一项。
31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的？
答：以“H5”为前缀的内存颗粒命名方法是Hynix（海力士）完全从现代（Hyundai）独离出来以后的命名方法，比较规范。因为编号的位数相同，就不致引起误解,下表是2008年的编号举例：
在表中各个符号的含义:前缀中的“H”代表Hynix；“5”代表SDRAM；但是，应该注意的是“位宽”中的“6”是代表16位的。密度中的“64”是64M / 4K REF / 64ms；“12”是128M / 4K REF / 64ms；“25”是256M / 8K REF / 64ms；“51”是512M / 8K REF / 64ms 。
电压和处理工艺中的“Q”代表VDD=1.5V&VDDQ=1.5V。封装类型中的“F”代表FBGA。封材中的“P”代表铅；“R”代表卤素类。能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8xmm））．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）．速度：（D4＝DDR4--；D4=DDR4-4-4；J＝DDR；M ＝DDR--；K＝DDR66A；H＝DDR66B；L＝DDR）4．工作温度：（I=工业常温（-4-85度）；E=扩展温度。其他可参看前表。
32.海力士SDRAM内存模组是怎样编号的？
答：此类模组类型很多，现将普通用户常用的两种DIMM168针内存介绍如下：
⑴以HYM7为前缀的内存
“HYM7V”是海力士早期的SDRAM内存模组；
“64”、“65”和“63”都表示数据位宽是64bit，但是，频率不同；
“深度”是指模组的深度，有“1”、“2”、“4”、“8”和“16”等，是Meg数；
“刷新”是指刷新速度。“0”、“1”、“2”和“3”分别代表1K、2K、4K和8K；
“BANK”代表每个颗粒的逻辑BANK数。“0”是2BANK；“1”是4BANK；
模组容量=数据位宽（b）×深度÷8b/B
⑵以“MYM71”为前缀的海力士模组
33.海力士DDR内存模组是怎样编号的？
答：海力士（Hynix）DDR内存模组2001年有一个以“HYD”为前缀的编号法，2002年又修改为以“HYMD”为前缀的编号法。除了前缀有所不同外，二者的差别不大，而且后者也涵盖了前者。因此，我把它们列成了一个表。
34.海力士DDR2内存模组是怎样编号的？
答：海力士（Hynix）DDR2内存模组2007年有一个以“HYMD”为前缀的编号法，2008年又修改为以“HMD”为前缀的编号法。除了前缀有所不同外，二者的差别不大，而且后者也涵盖了前者。因此，为了简化，我把它们列成了一个表,供一般电脑爱好者使用已足够用。
模组的容量可以用数宽×模深÷8或用颗粒数×颗粒密度的方法得到。例如对于第1行的编号为“HYMP532U64CP6-Y5”的模组来说，容量是64b×32M÷8b/B=256MB。或用512Mb/颗×4颗÷8b/B=256MB。后缀为“Y5”，说明这个模组是容量为256MB的DDR2-667内存。
35.海力士DDR3内存模组是怎样编号的？
答：2007年发布了一个以“HYMT”为前缀的编号方法，2008年又改为以“HMT”为前缀的编号方法。二者的差别不大。为了简化，我把它们归结为一个表表示。见下表：
36.现代以“GM”搞和“GMM”为前缀的内存是怎样编号的？
答：以GM开头内存内存原是LGS公司（乐金）生产的内存，由于Hyundai（现代）公司收购了LG的内存制造部门，并继续以这个牌子生产了一段时间，所以，也可以认为以“GM”为前缀的内存也是现代内存。又因为现代公司的内存生产厂是Hynix（海力士），因此也可以说这种内存是海力士内存的早期产品。
一.以“GM”为前缀的颗粒编号方法见下表：
其中：
密度：颗粒密度和刷新速度，有16(16M,4K);17(16M,2K)；28（128M，4K）；64（64M，16K）；65(64M，18K)；66（64M，14K）；
位宽：4(×4)；8（×8）；16（×16）；32（×32）；
BANK：有1、2、4、8，分别代表1、2、4、8个BANK；
接口：有“1”，代表LVTTL；
版本：空白代表原始版；“A”、“B”和“C”依次为修订第1、第2和第3版；
功耗：空白则为普通的；“L”表示是低功耗；
封装：有“T”、“R”、“I”和“S”；
速度；有6（166MHz）；65（153MHz）；7（143MHz）；75（133MHz）；8（125MHz）；7K （PC100，2-2-2）；7J（PC100，3-3-3）；10K（PC66）;10J(PC66)；12（83MHz）；15（66MHz）。
二.以“GMM”
其中：
公司（HYNIXC-Site）：符号“GMM”代表海力士公司；
厂名（MANUFACTURE）：是指该内存的具体生产工厂，有LGS工厂，符号是空白；SMART 用“S”表示；Tanisys用“T”表示；
家族（FAMIL Y）：表示颗粒的类型，“7”或“2”表示SDRAM；
位宽（ORGANIZATION）：是表示模组的位宽（ORGANIZATION）:8:x8；9:x9；32:x32；33:x32(2CAS)；34:x32(2WE)；36:x36；64:x64；65:x64(2CAS)；66:x64(2WE)；67:x64(4CAS)；72:x72；73:x72,ECC；14:x144。
深度（DEPTH）：是模组的数据深度。有1:1M；2:2M；4:4M;8:8M；16:16M；32:32M;64:64M; 刷新（REFRESH）：有0:1KRefresh；1:2KRefresh；2:4KRefresh；3:8KRefresh；
模式（ACCESS/VOLTAGEMODE）：是存储/电压模式。有:5FastPageMode,5V；6:EDOMode,5V；7:FastPageMode,3.3V；8:EDOMode,3.3V
构件（COMPOSITIONCOMPONENT）：有0:168pinBufferedSIMM/DIMM；1:200pinBufferedDIMM；3:168pinUnbufferedDIMM；7:144pinUnbufferedSODIMM；
芯版（ICREVISIONNO.）：是指颗粒的版本。有:空白：原始版（Original）；A：第1版；B：第二版；C:第3版等；
模版（MDLREVISIONNO.）模组的版本。空白是原始版；N是第1版；M是第二版等；
封装（PACKAGE&TERMINAL）是封装和端子:S是:SOJSOLDER；SG是SOJGold;是T是TSOP,Solder；I是BLP,Solder;TG是TSOP,Gold；
速度（Speed）：5:50ns；6:60ns；7:70ns.
37.美光内存的颗粒是怎样编号的？
答：Micron(美光)是著名的美国的内存生产厂，在西安有生产厂。美光在我国被译成多种名称，如镁光、麦康、麦克龙等。
美光内存的编号方法不像三星和海力士那样复杂多变。各种UDIMM（也作UBDIMM）内存的颗粒编号规则见下表。遗憾的是美光颗粒的编号虽然简化明确，但是，它经常不是把这个编号嵌刻在颗粒上。
美光内存海有一个Crucial品牌，是很出名的，但是，也不是按规定编号的。例如前几年被炒得沸沸扬扬的美光D9颗粒，由于五位编号全以“D9”为起始，所以也被称为“D9”颗粒。
38.美光内存的模组是怎样编号的？
答：参照美光官方网站的说明，经过我归纳，举例及解释见下表：
操作系统内存管理
操作系统内存管理 1. 内存管理方法 内存管理主要包括虚地址、地址变换、内存分配和回收、内存扩充、内存共享和保护等功能。 2. 连续分配存储管理方式 连续分配是指为一个用户程序分配连续的内存空间。连续分配有单一连续存储管理和分区式储管理两种方式。 2.1 单一连续存储管理 在这种管理方式中，内存被分为两个区域：系统区和用户区。应用程序装入到用户区，可使用用户区全部空间。其特点是，最简单，适用于单用户、单任务的操作系统。CP／M和 DOS 2．0以下就是采用此种方式。这种方式的最大优点就是易于管理。但也存在着一些问题和不足之处，例如对要求内
存空间少的程序，造成内存浪费；程序全部装入，使得很少使用的程序部分也占用—定数量的内存。 2.2 分区式存储管理 为了支持多道程序系统和分时系统，支持多个程序并发执行，引入了分区式存储管理。分区式存储管理是把内存分为一些大小相等或不等的分区，操作系统占用其中一个分区，其余的分区由应用程序使用，每个应用程序占用一个或几个分区。分区式存储管理虽然可以支持并发，但难以进行内存分区的共享。 分区式存储管理引人了两个新的问题：内碎片和外碎片。 内碎片是占用分区内未被利用的空间，外碎片是占用分区之间难以利用的空闲分区(通常是小空闲分区)。 为实现分区式存储管理，操作系统应维护的数据结构为分区表或分区链表。表中各表项一般包括每个分区的起始地址、大小及状态(是否已分配)。
分区式存储管理常采用的一项技术就是内存紧缩(compaction)。 2.2.1 固定分区(nxedpartitioning)。 固定式分区的特点是把内存划分为若干个固定大小的连续分区。分区大小可以相等：这种作法只适合于多个相同程序的并发执行(处理多个类型相同的对象)。分区大小也可以不等：有多个小分区、适量的中等分区以及少量的大分区。根据程序的大小，分配当前空闲的、适当大小的分区。 优点：易于实现，开销小。 缺点主要有两个：内碎片造成浪费；分区总数固定，限制了并发执行的程序数目。 2.2.2动态分区(dynamic partitioning)。 动态分区的特点是动态创建分区：在装入程序时按其初始要求分配，或在其执行过程中通过系统调用进行分配或改变分区大小。与固定分区相比较其优点是：没有内碎
为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。 为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。 局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似 FBD、XDR、XDR2内存概述 来自(https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,/) 2009-07-14 1．FBD内存 FBD即Fully-buffer DIMM（全缓存模组技术），它是一种串行传输技术，可以提升内存的容量和传输带宽.是Intel在DDR2、DDR3的基础上发展出来的一种新型内存模组与互联架构，既可以搭配现在的DDR2内存芯片，也可以搭配未来的DDR3内存芯片。FB-DIMM可以极大地提升系统内存带宽并且极大地增加内存最大容量。 FB-DIMM与XDR相比较，虽然性能不及全新架构的XDR，但成本却比XDR要低廉得多。与现有的普通DDR2内存相比，FB-DIMM技术具有极大的优势:在内存频率相同的情况下目前能提供四倍于普通内存的带宽，并且能支持的最大内存容量也达到了普通内存的24倍，系统最大能支持192GB内存。FB-DIMM最大的特点就是采用已有的DDR2内存芯片(以后还将采用DDR3内存芯片)，但它借助内存PCB上的一个缓冲芯片AMB(Advanced Memory Buffer，高级内存缓冲)将并行数据转换为串行数据流，并经由类似PCI Express 的点对点高速串行总线将数据传输给处理器。 与普通的DIMM模块技术相比，FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统设计的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。在这种新型架构中，每个DIMM上的缓冲区是互相串联的，之间是点对点的连接方式，数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区，这样，第一个缓冲区和内存控制器之间的连接阻抗就能始终保持稳定，从而有助于容量与频率的提升。 2．XDR内存 XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写，这是Rambus的黄石的最终名称。XDR将Rambus之前公布了一系列新技术集中到了一起，新技术不仅带来了新的内存控制器设计和DRAM模块设计，同时可以工作在相当高的频率，带来让人难以置信的带宽。 XDR内存比较有意思，这次架构同目前实际使用的DDR、DDR II并没有太大的差别，但XDR却依旧拥有自己的知识产权。XDR在今年年内会有样品出现，明年中后期正式推广，同原来一样三星依旧是RAMBUS
Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，
实验三：内存管理 班级： 学号：
姓名： 一、实验目的 1.通过编写和调试存储管理的模拟程序以加深对存储管理方案的理解； 2.熟悉虚存管理的页面淘汰算法； 3.通过编写和调试地址转换过程的模拟程序以加强对地址转换过程的了解。 二、实验要求 1.设计一个请求页式存储管理方案（自己指定页面大小），并予以程序实现。 并产生一个需要访问的指令地址流。它是一系列需要访问的指令的地址。为不失一般性，你可以适当地（用人工指定地方法或用随机数产生器）生成这个序列。 2.页面淘汰算法采用FIFO页面淘汰算法，并且在淘汰一页时，只将该页在页 表中抹去。而不再判断它是否被改写过，也不将它写回到辅存。 3.系统运行既可以在Windows，也可以在Linux。 三、实验流程图
图1 页式存储管理程序参考流程 四、实验环境 硬件设备：个人计算机。 系统软件：windows操作系统，Visual C++6.0编译环境。 五、实验结果
说明：模拟产生35个指令地址，随机产生20个指令地址进行排队，假设主存中共有10个工作集页帧。将前9个指令调入内存，因为前9个指令中，页号为13的指令有两个，所以调入内存中共有8页。此时主存中还有两个空闲帧。此时按刚才随机顺序进行访问指令工作。前9页因都在主存中可直接调用。第10个随机地址为页号为5的指令，也在主存中，也可直接调用。页号为24,3因不在主存中，需要调用进主存。此时主存已满。然后主存需要进行调用页号为27号的指令，因主存已满，需要执行FIFO算法，将最先进入主存的页号为30的指令调出，将27号放入第1000000帧。以后需要调用的页面按照存在就无需调用，否则按FIFO原则进行调页工作。 六、实验感想 七、实验代码 #include
1.标准链接库提供四个函数实现动态内存管理： （1）分配新的内存区域： void * malloc(size_t size); void *calloc(size_t count , size_t size); （2）调整以前分配的内存区域： void *realloc(void *ptr , size_t size); （3）释放以前分配的内存区域： void free(void *ptr); 2.void * malloc(size_t size); 该函数分配连续的内存空间，空间大小不小于size 个字节。但分配的空间中的内容是未知的。该函数空间分配失败则返回NULL。 3.void *calloc(size_t count , size_t size); 该函数也可以分配连续的内存空间，分配不少于count*size个字节的内存空间。即可以为一个数组分配空间，该数组有count个元素，每个元素占size个字节。而且该函数会将分配来的内存空间中的内容全部初始化为0 。该函数空间分配失败则返回NULL。 4. 以上两个分配内存空间的函数都返回void * （空类型指针或无类型指针）返回的指针值是“分配的内存区域中”第一个字节的地址。当存取分配的内存位置时，你所使用的指针类型决定如何翻译该位置的数据。以上两种分配内存空间的方法相比较，calloc()函数的效果更好。原因是它将分配得来的内存空间按位全部置0 。 5. 若使用上述两种分配内存的函数分配一个空间大小为0 的内存，函数会返回一个空指针或返回一个没有定义的不寻常指针。因此绝不可以使用“指向0 字节区域”的指针。 6. void *realloc(void *ptr , size_t size); 该函数释放ptr所指向的内存区域，并分配一个大小为size字节的内存区域，并返回该区域的地址。新的内存区域可以和旧的内存区域一样，开始于相同的地址。且此函数也会保留原始内存内容。如果新的内存区域没有从原始区域的地址开始，那么此函数会将原始的内容复制到新的内存区域。如果新的内存区域比较大，那么多出来部分的值是没有意义的。 7. 可以把空指针传给realloc()函数，这样的话此函数类似于malloc()函数，并得到一块内存空间。如果内存空间不足以满足内存区域分配的请求，那么realloc()函数返回一个空指针，这种情况下，不会释放原始的内存区域，也不会改变它的内容。 8. void free(void *ptr); 该函数释放动态分配的内存区域，开始地址是ptr，ptr的值可以是空指针。若在调用此函数时传入空指针，则此函数不起任何作用。 9. 传入free() 和realloc()函数的指针（若不为空指针时）必须是“尚未被释放的动态分配内存区域的起始地址”。否则函数的行为未定义。Realloc()函数也可以释放内存空间，例如：Char *Ptr = (char *)malloc(20); 如只需要10个字节的内存空间，且保留前十个字节的内容，则可以使用realloc()函数。 Ptr = Realloc(ptr,10); // 后十个字节的内存空间便被释放
实训四内存、硬盘的参数认知任务目标 掌握内存、硬盘的性能参数； 了解内存的功能和分类； 了解硬盘的分类及结构； 任务准备 计算机一台； 能连接互联网； 任务操作 （1）、知识阅读（资料文件夹下的CPU和主板） 1、内存的工作原理； 2、内存； 3、内存简介； 4、如何识别内存条； 5、内存条的发展； 6、DDR； 7、从外观区别DDR和DDR2，DDR3； 8、怎么识别内存型号。 9、常见的三大硬盘“形态”；
10、揭秘泰国洪水如何成为硬盘涨价替罪羊； 11、硬盘厂商情何以堪创见2TB U盘研发成功； 12、MHDD使用方法图解； 13、固态硬盘； 14、再吹就成SSD 厂家最爱4大硬盘关键词； 15、蓝光光驱； （2）、习题 内存部分 1、在计算机中, Cache 又称为:( D )。 A：存储器B：高速存储器C：高速缓冲存储器D：缓冲存储器 2、关机后,其中的程序和数据都不会丢失的内存是( D )。 A：硬盘B：软盘C：RAM D：ROM 3、下列设备中，响应CPU访问速度最快的是：( C )。 A：硬盘B：软盘C：内存储器D：光盘 4、内存存取时间的单位是（C） A：毫秒B：秒C：纳秒D：分 5、DDRIII内存的工作电压为：（ D ） A：3.3v B：2.5v C：2.3v D：1.5v 6、我们一般所说的内存是指ROM（ B ） A：对B：错 7、双通道内存技术是与主板芯片组有关的技术与内存本身无关
的技术。( B ) A：对B：错 8、ROM是随机存储器,RAM是只读存储器?( B 说反了) A：对B：错 9、内存主要是指随机存取存储器，断电后数据将会丢失。( A) A：对B：错 多选题： 10、内存的性能指标有（DC ） A：接口类型B：内存条的大小C：内存的容量D：内存颗粒的速度 11、随机存储器RAM可分为哪两种类型的存储器：（AB） A：SRAM B：DRAM C：DDRAM D：SDRAM 简答： 12、内存条的主要技术指标有哪些？ SRAM RAM SDRAM同步动态、随机储存器，3.3V/168引脚DRAM DDRAM 2.5V/184线， DDRⅡ 1.8V 240线 DDRⅢ 1.5V 240线 13、简述内存条选购要点？ 品牌，
我们关注哪些厂商 在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号， 最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有 相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新 换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新 产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。 这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位 的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正 的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自 己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再 自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可 能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术 人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。 那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面 这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。 从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中 国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、 冲电气（Oki，日本）。
第八章内存管理 1.地址捆绑 输入队列：在磁盘上等待调入内存以便执行的进程形成了输入队列 捆绑是从一个地址到另一个地址的映射。 编译时：如果在编译时就知道进程将在内存中的驻留地址，那么就可生成绝对代码 加载时：如果在编译时并不知到进程将驻留在何处，那么编译器就必须生成可重定位代码执行时：如果进程在执行时可以从一个内存段转移到另一个内存段，那么捆绑必须延迟到执行时才进行 2.逻辑地址（相对地址，虚拟地址）：CPU所生成的地址or 用户程序中使用的地址 物理地址（内存地址，绝对地址）：内存单元所看到的地址 编译时和加载时的地址捆绑生成相同的逻辑地址和物理地址运行时不同 重定位寄存器（relocation register）即基址寄存器（base register） 内存管理单元（MMU）：运行时实现从虚拟地址到物理地址的映射（map）的硬件设备 3.动态加载 ①所有的子程序只有在调用时才被加载 ②提高内存空间使用率，不用的子程序绝不会被装入内存 ③如果大多数代码需要处理异常情况时是非常有用的。 ④不需要操作系统的特别支持，通过程序设计实现。操作系统可能会为程序员提供实现动态装入的库函数。 4.动态链接库 ①动态链接直到执行时才进行链接。 ②利用动态链接，在映象中为每个库函数引用（library-routine reference）包含一个占位程序（stub）。占位程序是一小段代码，它指明了怎样定位驻留在内存中的库函数或函数不在内存中时怎样装入库。占位程序执行时，它检查所需的函数（routine）是否已经在内存中。如果没有，就把函数装入内存。或者以另外一种方式，占位程序用函数地址取代自身并执行这个函数。这样，下一次到达这段代码时，可以直接执行库函数（library routine）而无需动态
关于内存条 2008-10-10 09:09 金士顿内存条的行货的辨别方法 第一：拿到新的内存条后首先要确认你的内存条上必须有以下两个标签（一个是金士顿的老人头标签，一个是总代理的标签。中国总代共有五个：（弼信恒盈AVNET 联强骏禾）第二：当着卖内存条的商人的面去 https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,/china/verify验证内存上的产品ID和序列号，如果邮件反馈该内存条被反复验证，切忌千万不能要。要求更换！一定要没有被反复验证的，因为新的内存条上的ID和序列号只能验证一次！ 第三：一定要有上面五个总代的标签，不要轻易相信什么800等一些的刮开密码的确认电话，那是忽悠人的东西。现在个人都可以申请800电话，总之只相信总代理的标签！ 由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现，被一些不法之徒看中，假货由此也就混入市场。不过，除了假货之外，因Kingston合法代理商不同，所以贴的标也就不同，所以也有些商家为了竞争只说自己的标才是真货。 两种代理商防伪标签 1目测方法： 购买时对内存防伪标的鉴别，金士顿内存的产品铭牌同时就是防伪标。当视线与防伪标表面垂直时，看到的防伪标上Kingston的LOGO头像是玫瑰红色，而当视线与标签形成一个夹角以后，标签就变成了橄榄绿色。这种方法是最简便直接的防伪办法，消费者在购买时就可以立即检验产品真伪，及时发现假货。 铭牌同时就是防伪标 2一分钟网上辨别： 请点选与您的内存模组上完全相同的变彩防伪标或白色标签: 防伪标图样 另外，打800电话或全球网络查询网站 https://www.doczj.com/doc/4417556697.html,/china/verifynew/真假识别，你只需向该网站提交相关的内存产品信息，该网站就将会在极短的时间内帮您识别出您所购买的金士顿内存是否假冒。 先卖个关子，再次重申鉴别金士顿所有产品相对来说最安全、最快捷的方法。如照片所示，通过800防伪电话查询。但是，对眼我要提醒大家，并不是简简单单的按照您所购买产品上面的800电话联系。而是要记住本站提供的正确的800电话：800-8571992。这年头什么东西没有假的，造一个假电话防伪标签太正常
两种常见的内存管理方法：堆和内存池 本文导读 在程序运行过程中，可能产生一些数据，例如，串口接收的数据，ADC采集的数据。若需将数据存储在内存中，以便进一步运算、处理，则应为其分配合适的内存空间，数据处理完毕后，再释放相应的内存空间。为了便于内存的分配和释放，AWorks提供了两种内存管理工具：堆和内存池。 本文为《面向AWorks框架和接口的编程（上）》第三部分软件篇——第9章内存管理——第1~2小节：堆管理器和内存池。 本章导读 在计算机系统中，数据一般存放在内存中，只有当数据需要参与运算时，才从内存中取出，交由CPU运算，运算结束再将结果存回内存中。这就需要系统为各类数据分配合适的内存空间。 一些数据需要的内存大小在编译前可以确定。主要有两类：一类是全局变量或静态变量，这部分数据在程序的整个生命周期均有效，在编译时就为这些数据分配了固定的内存空间，后续直接使用即可，无需额外的管理；一类是局部变量，这部分数据仅在当前作用域中有效（如函数中），它们需要的内存自动从栈中分配，也无需额外的管理，但需要注意的是，由于这一部分数据的内存从栈中分配，因此，需要确保应用程序有足够的栈空间，尽量避免定义内存占用较大的局部变量（比如：一个占用数K内存的数组），以避免栈溢出，栈溢出可能破坏系统关键数据，极有可能造成系统崩溃。 一些数据需要的内存大小需要在程序运行过程中根据实际情况确定，并不能在编译前确定。例如，可能临时需要1K内存空间用于存储远端通过串口发过来的数据。这就要求系统具有对内存空间进行动态管理的能力，在用户需要一段内存空间时，向系统申请，系统选择一段合适的内存空间分配给用户，用户使用完毕后，再释放回系统，以便系统将该段内存空间回收再利用。在AWorks中，提供了两种常见的内存管理方法：堆和内存池。9.1 堆管理器
现代(Hynix)内存编号示含义 (2010-01-21 17:04:43) 转载▼ 标签： 分类：电脑知识 电脑 ddr400 hynix ddr内存 it HY5DU56822AT-H 现代内存编号示意图 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。 B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二
所示D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V 来分别代表不同的工作电压 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR 内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K 刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit 第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank 第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18 第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这部分的字母在26个字母中的位置越*后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，“A”表示第二版，依次类推，到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好 第9部分代表的是功耗，如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了“L”字母，则代表该内存颗粒为低功耗 第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP 封装，“Q”代表LOFP封装，“F”代表FBGA封装，“FC”代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封装 第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。空白代表普通；S代表
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格 消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。 一、DDR SDRAM： 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
学生学号 实验课成绩 武汉理工大学 学生实验报告书 实验课程名称 计算机操作系统 开 课 学 院 计算机科学与技术学院 指导老师姓名 学 生 姓 名 学生专业班级 2016 — 2017 学年第一学期
实验三 内存管理 一、设计目的、功能与要求 1、实验目的 掌握内存管理的相关内容，对内存的分配和回收有深入的理解。 2、实现功能 模拟实现内存管理机制 3、具体要求 任选一种计算机高级语言编程实现 选择一种内存管理方案：动态分区式、请求页式、段式、段页式等 能够输入给定的内存大小，进程的个数，每个进程所需内存空间的大小等 能够选择分配、回收操作 内购显示进程在内存的储存地址、大小等 显示每次完成内存分配或回收后内存空间的使用情况 二、问题描述 所谓分区，是把内存分为一些大小相等或不等的分区，除操作系统占用一个分区外，其余分区用来存放进程的程序和数据。本次实验中才用动态分区法，也就是在作业的处理过程中划分内存的区域，根据需要确定大小。 动态分区的分配算法：首先从可用表/自由链中找到一个足以容纳该作业的可用空白区，如果这个空白区比需求大，则将它分为两个部分，一部分成为已分配区，剩下部分仍为空白区。最后修改可用表或自由链，并回送一个所分配区的序号或该分区的起始地址。 最先适应法：按分区的起始地址的递增次序，从头查找，找到符合要求的第一个分区。
最佳适应法：按照分区大小的递增次序，查找，找到符合要求的第一个分区。 最坏适应法：按分区大小的递减次序，从头查找，找到符合要求的第一个分区。 三、数据结构及功能设计 1、数据结构 定义空闲分区结构体，用来保存内存中空闲分区的情况。其中size属性表示空闲分区的大小，start_addr表示空闲分区首地址，next指针指向下一个空闲分区。 //空闲分区 typedef struct Free_Block { int size; int start_addr; struct Free_Block *next; } Free_Block; Free_Block *free_block; 定义已分配的内存空间的结构体，用来保存已经被进程占用了内存空间的情况。其中pid作为该被分配分区的编号，用于在释放该内存空间时便于查找。size表示分区的大小，start_addr表示分区的起始地址，process_name存放进程名称，next指针指向下一个分区。 //已分配分区的结构体 typedef struct Allocate_Block { int pid; int size; int start_addr; char process_name[PROCESS_NAME_LEN]; struct Allocate_Block *next; } Allocate_Block; 2、模块说明 2.1 初始化模块 对内存空间进行初始化，初始情况内存空间为空，但是要设置内存的最大容量，该内存空间的首地址，以便之后新建进程的过程中使用。当空闲分区初始化
第7章内存管理 复习题： 7.1.内存管理需要满足哪些需求？ 答：重定位、保护、共享、逻辑组织和物理组织。 7.2.为什么需要重定位进程的能力？ 答：通常情况下，并不能事先知道在某个程序执行期间会有哪个程序驻留在主存中。 此外还希望通过提供一个巨大的就绪进程池，能够把活动进程换入和换出主存，以便使处理器的利用率最大化。在这两种情况下，进程在主存中的确切位置是不可预知的。 7.3.为什么不可能在编译时实施内存保护？ 答：由于程序在主存中的位置是不可预测的，因而在编译时不可能检查绝对地址来确保保护。并且，大多数程序设计语言允许在运行时进行地址的动态计算（例如，通过计算数组下标或数据结构中的指针）。因此，必须在运行时检查进程产生的所有存储器访问，以便确保它们只访问了分配给该进程的存储空间。 7.4.允许两个或多个进程访问进程的某一特定区域的原因是什么？ 答：如果许多进程正在执行同一程序，则允许每个进程访问该程序的同一个副本要比让每个进程有自己单独的副本更有优势。同样，合作完成同一任务的进程可能需要共享访问同一个数据结构。 7.5.在固定分区方案中，使用大小不等的分区有什么好处？ 答：通过使用大小不等的固定分区：1.可以在提供很多分区的同时提供一到两个非常大的分区。大的分区允许将很大的进程全部载入主存中。2.由于小的进程可以被放入小的分区中，从而减少了内部碎片。 7.6.内部碎片和外部碎片有什么区别？ 答：内部碎片是指由于被装入的数据块小于分区大小而导致的分区内部所浪费的空间。外部碎片是与动态分区相关的一种现象，它是指在所有分区外的存储空间会变成越来越多的碎片的。 7.7.逻辑地址、相对地址和物理地址间有什么区别？ 答：逻辑地址是指与当前数据在内存中的物理分配地址无关的访问地址，在执行对内存的访问之前必须把它转化成物理地址。相对地址是逻辑地址的一个特例，是相对于某些已知点（通常是程序的开始处）的存储单元。物理地址或绝对地址是数据在主存中的实际位置。 7.8.页和帧之间有什么区别？ 答：在分页系统中，进程和磁盘上存储的数据被分成大小固定相等的小块，叫做页。 而主存被分成了同样大小的小块，叫做帧。一页恰好可以被装入一帧中。 7.9.页和段之间有什么区别？ 答：分段是细分用户程序的另一种可选方案。采用分段技术，程序和相关的数据被划分成一组段。尽管有一个最大段长度，但并不需要所有的程序的所有段的长度都相等。习题： 7.1. 2.3节中列出了内存管理的5个目标，7.1节中列出了5中需求。请说明它们是一致 的。 答: 重定位≈支持模块化程序设计; 保护≈保护和访问控制以及进程隔离; 共享≈保护和访问控制; 逻辑组织≈支持模块化程序设计; 物理组织≈长期存储及自动分配和管理.
笔记本内存知识大全----买本必看（二） 笔记本内存是笔记本电脑中的主要部件，它是相对于其他存储器而言的。我们平常使用的程序，如操作系统、、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。内存是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用！ 一:什么是SDRAM、DDR、DDR2、DDR3内存 在介绍DDR之前我们先明白什么是SDRAM，SDRAM是 Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写,中文叫同步动态随机存取存储器。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代 DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM后面将做详细介绍 DDR叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，就是双倍速率同步动态随机存储器的意思。 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM ,即简称DDR2。DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在于，DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。 DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ 限制。 外形，封装
二、内存（RAM） 1、什么是内存呢？在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路，内存只用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程序和数据就会丢失。既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，那么它是怎么工作的呢？我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。从一有计算机开始，就有内存。内存发展到今天也经历了很多次的技术改进，从最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM、RDRAM、DDRAM、DDRII RAM等，内存的速度一直在提高且容量也在不断的增加。 2、如何理解内存、硬盘、CPU之间的关系呢？我们可以这样去理解----CPU把硬盘当中的数据读取到内存当中来执行，并把执行完的结果写到硬盘当中去。如果执行期间发生断电的情况那么由于CPU来不及把结果写回到硬盘之上，数据就丢失了。也就是说并不是CPU速度越快，计算机的运行速度就越快，计算机的运行速度也和内存容量的大小及内存的速度有关。 3、如何识别内存型号内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看： samsung内存例：samsungk4h280838b-tcb0 第1位——芯片功能k，代表是
内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存
第二代DDR内存 DDR2 是DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片 SPD(Serial Presence Detect): SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器）, 容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。 启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。上述情况实现的前提条件是在BIOS设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。 从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作不稳定，甚至死机。因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发挥。更有甚者，一些不法厂商通过专门的读