4月1日2003年这些操作包括微机,逻辑,模拟
和分立器件,和存储器芯片比DRAM（快闪存储器,静态存储器等）其他
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注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司投入最大精力投入到提高产品的质量
和更可靠的,但总是有故障可能与它们发生的可能性.麻烦半导体可能导致人身伤害,火灾或财产损失.
记得让你的电路设计时,充分考虑到安全性给予,用适当的措施,例如（i）安置替代,辅助电路,（二）使用
不可燃材料,或（iii）预防针对任何故障或事故.
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其中所载.
2SK3378
硅N沟道MOS FET
高速开关
ADE-208-805（Z）
1st.Edition.
1999年6月特征
?低导通电阻
R DS=2.7?（典型值）. （V
= 10 V , I D= 50 mA）
GS
= 4 V , I D= 20 mA）
R DS= 4.7?（典型值）. （V
GS
? 4 10V栅极驱动装置.
?小型封装（CMPAK）
概要
CMPAK
3
1
D
2
G 1.源
2.门
3.排放
S
2SK3378
绝对最大额定值（TA = 25°C）
Item
漏极至源极电压
门源电压
漏极电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流频道耗散
通道温度
储存温度
Note:符
V DS S
V
GS S
I D
I D(puls e)Note1
I
DR
Pch Note 2
Tch
Tstg
评级
30
±20
100
400
100
300
150
-55到+150
Unit
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
1. PW≤10μs,占空比≤1%
2.值在氧化铝陶瓷板（12.5×20×0.7毫米）
电气特性（TA = 25°C）
Item
漏源击穿
电压
门源击穿
电压
门源漏电流零门v oltege漏当前符
V(B R)DS S
V(B R)GS S
I GS S
I
DS S
Min
30
±20
—
—
1.3
—
—
55
—
—
—
—
—
—
—
Typ
—
—
—
—
—
2.7
4.7
85
1.6
7
0.5
100
330
1150
940
Max
—
—
±5
1
2.3
3.5
7.0
—
—
—
—
—
—
—
—
Unit
V
V
μA
μA
V
?
?
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
测试条件
I D= 100μA,V GS= 0
I G=±100 μA,V DS= 0
V GS=±16V, V DS= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
I
D
= 10μA, V
DS
= 5 V
I D=50毫安,V GS= 10V Note 3
I D能力= 20 mA,V
GS= 4 V
Note 3
I D=50毫安,V DS=10 V Note 3
门源截止电压V GS(off)静态漏源状态R DS(on)
抵抗性
远期转移导纳输入电容
输出电容R DS(on)
|y
fs
|
Ciss
Coss
V DS= 10 V
V GS= 0
F = 1兆赫
I D=50毫安,V GS= 10V
R L= 200?
反向传输电容的Crss
导通延迟时间上升时间
关断延迟时间下降时间Note:t d(on) t r t
d(off) t f
3.脉冲测试
4.标示为EN
见2SK3288的特性曲线
2SK3378
主要特点
功率与温度降额
400
521.00.50.20.10.050.02
0.01
0.005
Operation in this area is limited by RDS(on)
最大安全作业区
* P 沟道（
M W ）30010 μs
100 μs 1毫秒
频道耗散漏电流I
D
(A )200
DC
Op er PW = 10毫秒
（1次射门）
at ion
100
50
100
150TA （°C ）
2000.002
0.001Ta=25 °C 0.0005
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0
2510 2050
环境温度
漏源极电压
V DS (V )
*Value on the alumina ceramic boad.(12.5x20x0.7mm)Value on the alumina ceramic boad. (12.5x20x0.7mm)