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一、选择题:

1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )

(A): 掺入杂质的浓度、(B): 材料、(C): 温度

2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A): 放大状态、(B): 饱和状态、(C): 截止状态

3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍、(B): 约为原来的2倍、(C): 基本不变

4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( )

(A): 输入信号过大、(B):晶体管输入特性的非线性、(C):电路中有电容

5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( )

(A): 提高差模电压增益、(B):提高共模输入电压范围、

(C): 提高共模抑制比

6.若A+B=A+C,则()

(A) B=C;(B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C

7.同步计数器中的同步是指()

(A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变;

(C)各触发器受同一时钟脉冲的控制

8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是()

(A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真

9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是()

(A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子

10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量()

(A)增加(B)减少(C)不变

11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( ) A 、输入电阻高 B 、输出电阻低 C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( )

13.将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为( ) A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14.N 个变量的逻辑函数应该有最小项( ) A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15.函数F=B A +AB 转换成或非-或非式为( )

A 、

B A B A +++ B 、B A B A +++

C 、B A B A +

D 、B A B A +++ 16.图示触发器电路的特征方程Qn+1 =( )

A.T n

Q +n Q T

B.Q T +TQn

C.n

Q D.T

17.多谐振荡器有()

A、两个稳定状态

B、一个稳定状态,一个暂稳态

C、两个暂稳态

D、记忆二进制数的功能

18.本征半导体电子浓度______空穴浓度,N型半导体的电子浓度______空穴浓度,P型半导体的电子浓度______空穴浓度()

A、等于、大于、小于

B、小于、等于、大于

C、等于、小于、大于

19.稳压管构成的稳压电路,其接法是()

A、稳压二极管与负载电阻串联

B、稳压二极管与负载电阻并联。

C、限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联

20.输入失调电压UIO 是()

A、两个输入端电压之差

B、输入端都为零时的输出电压

C、

输出端为零时输入端的等效补偿电压。

21.抑制温漂(零漂)最常用的方法是采用()电路

A、差放

B、正弦

C、数字

22.下列逻辑电路中为时序逻辑电路的是()

A、变量译码器

B、加法器

C、数码寄存器

23.下列关于异或运算的式子中不正确的是()

A、A⊕A =0

B、A⊕A=1

C、A⊕0=A

24.下列门电路属于双极性的是()

A、OC门

B、PMOC

C、CMOC

25.对于钟控RS触发器,若要求其输出“0”状态不变,则输入的RS信号()

A、RS=X0

B、RS=0X

C、RS=X1

二、填空题:

1.N型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______。

2.PN结具有_________特性。

3.三极管具有放大作用的外部条件是________、_________。

4.集成运放的输入级一般采用__________放大电路。

5.正弦波振荡的相位平衡条件是_____________幅度平衡条件是_________。

6.电压串联负反馈可以稳定输出_______并能使输入电阻________。

7.串联型稳压电源由基准、取样、________、_______ 四部分组成。

8.F=A⊕B用与或式表示为____________。

9.CMOS门电路中不用的输入端不允许______通过大电阻接地的输入端相当于_______。10.二进制数1100转换成十进制是_________,十六进制是__________。

11.JK触发器具有清0、置1、_______,_______四种功能。

12.描述触发器逻辑功能的方法有____________、______________、驱动表、状态转换图。13.设计一位BCD码计数器,至少用________个触发器。

14.将数字信号转换成模拟信号,应采用_______转换。

15.模/数转换过程为取样、______、量化与_______。

16.利用半导体材料的某种敏感特性,如_______ 特性和_______ 特性,可以制成热敏电阻和光敏元件。

17.双极型三极管的电流放大作用是较小的_______电流控制较大的_______电流,所以双极型三极管是一种_______控制元件。

18.画放大器直流通路时,_______视为开路,画交流通路时,藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。

19.多级放大器的极间耦合方式有_______________,_______________,______________。20.理想运放的输出电阻是________,输入电阻是________。

21.功率管工作在甲乙类状态的目的是__________________。

22.在常温下,硅二极管的开启电压是__________V,导通后在较大电流下时正向压降约_________V。

23.RC桥式振荡电路中,ω0=1/RC时,Fu=________。

24.石英晶体有____个谐振频率,当电路的工作频率大于fs而小于fp时,晶体呈_______。

25.如果对键盘上108个符号进行二进制编码,则至少要______位二进制数码。

26.在TTL 门电路的一个输入端与地之间接一个10K Ω电阻,则相当于在该输入端输入 ______电平;在CMOS 门电路的输入端与电源之间接一个1K Ω电阻,相当于在该输入端输入______ 电平。

27.TTL 电路的电源电压为______ V , CMOS 电路的电源电压为______V 。

28.74LS138是3线—8线译码器,译码为输出低电平有效,若输入为A2A1A0=110时,输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为______ 。

29.将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM , 该ROM 有______根地址线。

30.能够实现“线与”的TTL 门电路叫______ 。

31.差分放大电路,若两个输入信号uI1=uI2,则输出电压,uO= 0 ; 若 u I1=100μV ,u I2=80μV 则差模输入电压uId= 20μV ;共模输入电压uIc= 90 μV 。 32.逻辑电路按其输出信号对输入信号响应的不同,可以分为_________,_________两大类。

33.二极管的最主要特性是_________,它的两个主要参数是反映正向特性的_________和反映反向特性的_________。

34.并联反馈的反馈量以_________形式馈入输入回路,和输入_________相比较而产生净输入量。

35.电源电压为+18V 的555定时器,接成施密特触发器,则该触发器的正向阀值电位V+为________,负向阀值电位V -为________。 三、判断(每题1分,共10分)

1.稳压二极管稳压电路中,限流电阻可以取消。 ( ) 2.半导体中多数载流子的浓度是由掺杂浓度决定的 ( ) 3.反馈具有稳定输出量的作用。

( )

4.在运算放大器的运用电路中,若存在反馈则运放工作在线性状态。( )

5.某放大器不带负载时的输出电压为1.5V ,带上RL=5K Ω的负载后,测得输出电压下降

为1V ,则放大器的输出电阻RO=2.5K Ω。( )

6.差动放大电路中,恒流源的作用是提高共模抑制比( )

7.在基本放大器的图解分析中,若负载断开时,则交流负载线和直流负载线重合。( ) 8.放大电路的A<0,说明接入的一定是负反馈。( ) 9.最小项是构成逻辑函数的最小单元。( ) 10.TTL 与非门多余的输入端不容许接地。( ) 11.硅稳压管稳压是利用二极管的反向截止区。( ) 12.负反馈电路是不可能产生自激振荡的。 ( ) 13.双、单极型三级管都是电流控制元件。 ( ) 14.三级管只要工作在线性放大区就有Vc>Vb>Ve ( ) 15.三级管放大电路中,加入Re 一定可稳定输出电流。( ) 16.正弦波振荡电路的起振条件是|.

A .

F |=1。 ( ) 17.TTL 或门电路不使用的输入端可以接地。 ( ) 18.CMOS 逻辑与门电路,多余的输入端可以悬空。 ( ) 19.CMOS 传输门,具有双向传输特性。 ( )

20.在基本放大器的图解分析中,若负载断开时,则交流负载线和直流负载线重合( ) 四、简答题

1.已知三极管工作在线性放大区,各极对地电位如图所示:(6分)

1)试在图中补全三极管的符号,并标出b,c,e 极;

2)三极管的材料为___________(硅管还是锗管);

3)三极管的管型为___________(NPN 还是PNP )。 2.已知下图中,二极管为理想器件,判断两个二极管是导通还是截止,并求U AO 。(5分)

O

A

3.判断反馈类型(正负反馈、串并联反馈、电压电流反馈、交直流反馈) (1)判断下图中反馈元件Rf 的反馈类型(8分)

(2)判断下图中R 的反馈类型(6分)

4.用基本公式和定理证明下列等式成立

(1)________

____________________B A B A B A AB +++=)(B A B A ABC B A +++ (2)? A ?B ?

C+ ABC=

(3)AB+BC+CA=(A+B)*(B+C)*(C+A) (4)A C C B B A A C C B B A ++=++ 5.求下列函数的对偶式Y ’及反函数?Y (1)Y=A (B+C ) (2)CD B A Y +=

(3)Y=A ?B+B ?C+C (?A+D )

(a)

(b)

(a)

6.用公式法将下列函数化简成最简与或表达式 (1)Y= ?A ?BC+ ?ABC+ ABC + AB ?C (2)Y= ?A ?B ?C+ AC +B+C (3)Y=(A+B )*(?A +?B )+A (4)Y=ABC+?BC+ACD

7.用卡诺图法化简下列函数式为最简与或式

(1)C A C B A C B A Y ++==C B A BC A C B A C B A +++=A (2)C B A +++=C B A C B B A Y =A (3)Y=AD C B C A B A +++=?A+?C+BD (4)C B AC B A Y ++=

8.正确连接多余端,实现Y=A+B 的逻辑关系。(4分)

9.如图所示电路为数据比较器,试写出函数F 的简化表达式。(4分

)

10.写出下图电路的状态方程并画时序图(触发器初始状态为0)。(4分)

B Y

B Y

(a)

(b)

(a )

(b )

11.指出下列555电路完成的功能。(4分)

12.写出由ROM 所实现逻辑函数的表达式。 (8分)

13.分析用集成十进制同步可逆计数器CT74LS192组成的下列计数器分别是几进制计数器。CT74LS192的CR 为异步清零端(高电平有效),LD 为异步置数控制端(低电平有效),CPU 、CPD 为加、减计数脉冲输入端(不用端接高电平),CO 和BO 分别为进位和借位输出端。(7分)

Y 1

Y 2

五、综合分析计算设计题

1.如图所示的限幅电路中,已知输入信号为t V i ωsin 9=V ,V E 6=,二极管为理想器件。试画出电压O V 的波形。(8分)

2.画出下列电路的直流通路、交流通路、H 参数微变等效电路,并计算静态工作点、输入、输出电阻及电压增益。(16分)

3.放大电路分析如图示电路,已知Ucc=12V ,R B =300K , R C =R L =Rs=3K ,β=50 试求:

1)求静态工作点“Q ”

2)R L 接入情况下电路的电压放大倍数; 3)输入电阻Ri 和输出电阻Ro ;(12分) 4.图所示晶体管放大电路,设晶体管参数为β、r be ,U BE ≈0,要求列出下列各值的计算式。(8分) (1)静态工作点I B ,I C ,U CE ; (2)电压放大倍数Au 。

5.已知如图V CC=12V ,R B =100K Ω,R W =400K Ω,R C =4K Ω,β=37.5,

当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 (设U BE = 0 )。 (10分)

6.已知电路如图所示,

Ω=k R g 3001,Ω=k R g 1002,Ω=M R g 23,

=k R d 10Ω=K R 21,

Ω=K R 102,V V DD 20=,ms g m 1=,d r >>d R 。求:(1)画出小信号模型等效电路(2)

U O i A r r 和电压增益、输出电阻输入电阻。(9分)

7.写出下图输出与输入的关系表达式:(6分)

8.在图所示运放电路中,设各运放为理想运放,试求: (1)u 01与1i u 、2i u 之间的关系式;

(2)u 0与1i u 、2i u 、3i u 之间的关系式。(8分)

9.设计三人表决电路并画出电路图。(少数服从多数)。(9分)

o

10.分析下列时序逻辑电路,写出状态方程、列状态转换真值表、画状态转换图。(10分)

11.试画出用3线—8线译码器74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数的逻辑图。

12.试用74161设计计数长度为8的计数器,可采用几种方式?画相应的电路图与状态转换图。 13.画出74290构成的五十进制计数器的连线图。

14.试分析图示时序逻辑电路,写出驱动方程、状态方程和输出方程。画出当X=l 时的状态图。并说明此时该电路的功能。设触发器的初态为00。(8分

)

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

模拟电子技术期中考试题及答案

2013-2014学年第(2)学期期中考试答案 课程代码0471003/3122200 课程名称模拟电子技术A/模拟电子技术 教师签字 一、选择及填空题:(共52分,每空2分) 1.在某放大电路中,测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为-1.2mA、-0.03mA、1.23mA。 由此可判断电极①是 C ,电极②是__B __,电极③是_A ___(A.发射极,B.基极,C.集电极); 该晶体管的类型是_ A ___(A.PNP型,B.NPN型);该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___(A.40 , B.100,C.400)。 2.写出图示各电路的输出电压值(设二极管导通电压V U D 7.0 =),= 1 O U 1.3V ,= 2 O U 0v 。 3.已知下面图(a)所示电路的幅频响应特性如图(b)所示。影响f L大小的因素是 C ,影响f H大小 的因素是 A 。(A.晶体管极间电容,B.晶体管的非线性特性,C.耦合电容) H L O C R b R c +V CC u i ( a )( b ) . A u 20lg u o 题号一 (52分) 二.1 (18分) 二.2 (14分) 二.3 (16分) 总成绩 得分 班 级 学 号 姓 名

R b +V CC C 2 R L C 1 u i u o 12 23 6u C E V 60μA 40μA 50μA 30μA 514 4 8 =10μA I B 20μA 2 6 10 VT R c Q i C mA 当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 B (A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9) 倍。当f = f L 时,o U 与i U 相位关系是 C (A. 45? B. -90? C. -135?)。 4.有一放大电路对一电压信号进行放大,当输出端开路时输出电压是5V ;接入2k 负载后,输出电压降为 4V ,这说明放大电路的输出电阻为 0.5K 。 5.为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。 (1).电压放大倍数u A >10,并具有较大的电流放大能力的电路是 A 。 (2).电压放大倍数u A >10,并且输出电压与输入电压同相的电路是 C 。 (3).电压放大倍数u A ≈1,输入电阻i R >100k Ω的电路是 B 。 C 2 C 1 R b1 R b2L R e C 3 R c ( a )C 2 C 1 R b1 R b2L R e C 3 R c ( b )C 2 C 1 R b1 R b2 L R e R c ( c ) +12V +12V +12V C 3 u i u i u i u o u o u o 6.放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示,直流负载线和Q 点也标在图上(设U BEQ =0.7V )。 (1)电源电压V CC= 12 V ,c R = 2 Ωk ,b R = 377 Ωk ;最大不失真输出电压幅值=om U 4.5 V ;; 为获得更大的不失真输出电压,b R 应 减小(增大、减小) (2)若Ω=K R 6L ,画出交流负载线,要标出关键点的数值;(2分) 7. 欲将方波电压转换成三角波电压,应选用哪种运算电路 B 。 A.比例运算电路 B.积分运算电路

《模拟电子技术》模拟试题与答案解析

《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断(10分) 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。() 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。() 3、PN结具有单向导电特性。() 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。() 5、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。() 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。() 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。() 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。() 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。() 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。() 二、选择(10分) 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下,可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通,反偏截止 B、正偏截止,反偏导通 C、正偏导通,反偏导通 D、正偏截止,反偏截止 4、既能放大电压,也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大,表明电路()。 A、放大倍数越稳定; B、交流放大倍数越大; C、抑制温漂能力越强; D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入()反馈,为稳定输出电压应引入()反馈,为稳定输出电流应引入()反馈,为减小输出电阻,应引入()反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是()。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中,已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形,设二极管为理想二极管。(每题10分,共20分)

(完整版)电子技术复习题(答案)

电子技术复习题 一、填空 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.当电源电压升高时,电抗原件将能量存储起来,而当电源电压降低时,又将能量释放出来,从而使输出电压比较平滑,这就是滤波 3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。 4.晶体管是有三个电极的电流放大器,任选其中一个电极为公共电极时,可组成三种不同的四端网络,分别成为共基极、共发射极、共集电极。 5.构成放大电路的条件有两个:一是发射结正偏,集电结反偏;二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。 6、当温度升高时,会引起放大电路的静态工作点向上偏移,造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。 8.半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。 9.硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V 10.二极管的反向电压在一定范围时,电流基本上是 恒定(或不变) 的。 11.稳压管工作在 反向击穿 区。 12.NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。 13.PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。 14.非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。 15.为不产生非线性失真,放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ,输入信号的幅值不能太大。 16.在外部因素(如温度变化、三极管老化、电源电压波动等)的影响下,会引起放大电路 静态工作点 的偏移。 17.外部因素中,对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。 18.三极管级间耦合的方式主要有:阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。 19.三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。 20.三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。 21.三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。 22.场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。 23.场效应管有两种类型:结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。 24.最常用的绝缘栅场效应管为 金属—氧化物—半导体(或MOS ) 场效应管 25.绝缘栅场效应管按工作状态可分为增强型和 耗尽 型两类。 26.在多级直接耦合放大电路中,即使把输入端短路,在输出端也会出现电压波动,使输出电压偏离零值,这种现象称为 零点漂移(或零漂) 。 27. 温度 对晶体管参数的影响是产生零漂的主要因素。 28.差动放大电路有两个输入端,在有信号输入时,其输入类型有:共模输入、差模输入和 两个任意信号 的输入。 29.通常采用 共模抑制 比来描述差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 30.集成运算放大电路通常由输入级、中间级和 输出级 三部分组成。 31.理想运放的两个重要特性为: 输入电流为零 和两个输入端子间的电压为零。 32.带负反馈的放大电路的输入电阻取决于反馈网络与基本放大电路输入端的 连接方式 ,与取样对象无关。 33.自激振荡的起振时应满足 AF>1 33.交流电源变换成直流电源的电路一般由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。 34.晶体管作为开关使用,是指它的工作状态处于饱和导通状态和截止状态。 35.TTL 逻辑门电路的典型高电平值是3.6V ,典型低电平值是0.3V 。 36.逻辑代数中的基本运算关系是与、或、非 37.十进制数513对应的二进制数1000000001,对应的十六进制数是201。 38.CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空,对于与门应当接到高电平,对于或门应当接到低电平。 39.JK 触发器的特性方程为n n n Q K Q J Q +=+1 40.根据用途分,存储器分为两大类。一类是RAM 另一类是ROM 。

数字电子技术期末试题库

【数字电子技术】【试题库】 一、填空题 1.电子电路中的信号可分为两大类,即模拟信号和。 2.数字信号是时间上和上都不连续的信号。 3.十进制数176转换成二进制数为。 4.二进制数11010011转换成十进制数为。 5.所谓二-十进制编码,就是用若干位二进制码元按一定的规律排列起来表示十进制数的过程,也称为码。 6.目前,国际最通用的处理字母、专用符号和文字的二进制代码就是美国标准信息交换码,即码。 ?+?=。 7.二进制数的逻辑运算0111 8. 二进制数的逻辑运算11=。 ⊕=。 9. 二进制数的逻辑运算11 +?=。 10.利用逻辑代数公式,对右式进行化简,A A B ++?=。 11.利用逻辑代数公式,对右式进行化简,A B A B 12.逻辑代数的三条重要规则分别是代入规则、反演规则和。 13.由n个逻辑变量组成的不同最小项个数为个。 14.由n个变量组成的“与或”逻辑表达式,若其中每一项均是关于n个逻辑变量的最小项,则称这一表达式为。 15.利用卡诺图求解最简逻辑表达式时,需要画方格圈,其中有三条要求:将2n个值为1的方格划为一个方格圈,方格圈的数量应(越少/越多)越好,方格圈所含的方格数应(越少/越多)越好。 16.三极管作为开关元件,通常工作在截止区和。 17.集成门电路主要有TTL门电路和。 18.三态门电路的输出有高电平、低电平和共3种状态。 19.TTL集成门电路是由半导体构成的,由于它工作速度快,带负载和抗干扰能力强,因而在数字电路中应该广泛。 20.根据逻辑功能的不同特点,数字逻辑电路可以分为两大类:组合逻辑电路和。 21.在组合逻辑电路中,当输入信号改变状态时,输出端可能出现干扰脉冲,从而导致逻辑电路产生错误输出的现象,称为。 22.触发器有两种稳定状态,即0状态和。 23.RS触发器由两个门电路首尾相连构成。 24.为了避免基本RS触发器输出存在不确定的情况,对其输入端设置了相应的约束条件是。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件, V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置, 工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式,负反馈电路有4种组合形式,即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制(0BF)转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器,其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时,输出的数字量为00H 和FFH,可求得当输入2V电压时,电路输出的数字量为: 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位,则它应设置地址线 8 条,输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM,扩展容量为1024字×8位RAM,则需要 8 片 1、在常温下,锗二极管的门槛电压约为 0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置,集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向,移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平,输出低电平和输出高阻态。 6、(101111)(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间,具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的,不连续的信号,称为(B ) A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中,不属于组合逻辑部件的是( D )。 A.译码器B.编码器 C.全加器D.寄存器

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为,UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ , 2__,续流二极管承受的最大反向电压为2_(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2;带 阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出 现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为2_,随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_,通常设计时,应取RC ≥_1.5-2.5_T ,此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值,T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。

《模拟电子技术》大学期末考试题及答案(七)

《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题(每空2分,共34分) 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是() A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是(),该管是()。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了()而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有()()() A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时,在两条分析依据()()。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有()()()。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由()而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题(每空1分,共32分) 1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。 2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。 3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是()控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β

电子技术试题及答案(

资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。 一、填空题: 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极:反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12讥增大到22讥时,I c从1mA变为2mA,那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置,集电结正向偏置,贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、0TL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在 输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)知识分享

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1 =100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压u Ic =90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的β1 = 30,V 2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a .不用输出变压器 b .不用输出端大电容 c .效率高 d .无交越失真 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

电子技术复习题

一、填空题(每空1分,共22分) 1、二极管具有最显著的特点是单向导电性。 2、三极管处于放大状态时,发射结正偏,集电结反偏。 3、在直接耦合放大电路中,抑制零点漂移最有效的电路结构是差分放大电路。 4、场效应管只有一种极性的载流子参与导电,固又称为单极型晶体管。 5、互补对称功率放大电路主要是要求输出大功率。 6、集成运算放大器的电路,可分为输入级、中间级、输出级和偏置电路四个基本组成部 分。 7、放大电路中负反馈的四种类型为:串联电压负反馈、并联电压负反馈、 串联电流负反馈、和并联电流负反馈。 8、逻辑函数的基本运算有与运算、或运算和非运算。 9、时序逻辑电路由门电路和触发器两部分组成。 10、用二进制代码表示有限对象(信号)的过程称为编码。 11、共阴LED数码管应与输出高电平有效的译码器匹配。 12、计数器按计数增减趋势分,有加法、减法和可逆计数器。 13、能将数字量转换为模拟量的装置称为 D/A转换器。 14、二进制数101011转换为十进制数为 43 。 二、选择题(每小题2分,共18分) 1、在放大电路中,若测得某晶体管三个电极的电位分别为10V,,,则这三 个极分别为:(C)。 A. C, B, A B. E, C, B C. C, E, B D.不确定 2、在下图所示的电路中,U 为( B )。

3、射极输出器( A )。 A.有电流放大作用,没有电压放大作用。 B.有电流放大作用,也有电压放大作用。 C.没有电流放大作用,也没有电压放大作用。 D.没有电流放大作用,有电压放大作用。 4、集成运算放大器实现信号运算关系时,其电路的特点是:( A ) A.电路引入负反馈 B.电路引入正反馈C.电路可以引入正反馈,也可以引入负反馈 D.不需要引入反馈 5、在下图所示的稳压电路中,已知U Z =6V,则U O 为( D )。 6、下图所示电路中,Y恒为0的图是( B )。

电工电子技术期末考试试题及答案

专业班级____________ 考生姓名:____________ 学号_______ 一.选择(20分、2分/题) 1.变压器降压使用时,能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2.三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的 ________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角 3.电气控制线路原理图中,触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态 B、通电状态 C、根据情况确定状 态 4.为保证机床操作者的安全,机床照明灯的电压应选 ____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5.关于提高功率因数的说法,正确的是( c ) A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数

B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数 C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6.乙类互补对称式功放电路,其输出波形的交越失真是指( c )。 A.频率失真 B、相位失真 C、波形过零时出现的失真 D、幅度失真 7.稳压管的动态电阻( b )稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8.运算放大器电路如图所示,该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 -+∞ + u O u i 9.单稳态触发器的输出状态有( a) A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10.一个8选1多路选择器,输入地址有 c 。 A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题(70分) 1.已知图5所示电路中U S1=24V,U S2 =6V,R 1 =12Ω,R 2 =6 Ω,R 3=2Ω,试用戴维宁定理求流过电阻R 3 中的电流I 3 。(10分) a I

模拟电子技术复习试题+答案

《模拟电子期末练习题》 填空题: 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷 大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增加),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共射极)、(共基极)、(共集电极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(电流) 负反馈。 9、负反馈放大电路的放大倍数A F=(A/(1+AF)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=(1/F)。 10、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极 性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 14、共集电极电路电压放大倍数(小于近似等于1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输 出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 17、为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用(直流)负反馈,为了减小输出电阻采用(电压)负反 馈。 18、共模信号是大小(相等),极性(相同)的两个信号。 19、乙类互补功放存在(交越)失真,可以利用(甲乙)类互补功放来克服。 20、要保证振荡电路满足相位平衡条件,必须具有(正反馈)网络。 21、杂质半导体有(N)型和(P)型之分。 22、PN结最重要的特性是(单向导电性),它是一切半导体器件的基础。 23、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了(反向)电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN结 加的是(正向)电压。 24、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是(为发射结提供正向偏置,同时提供一个静态基极电流I B)。 ——调节基极偏流I B 25、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位(相同),有奇数级组成的多级放 大电路中,输入和输出电压的相位(相反)。 26、电压负反馈稳定的输出量是(电压),使输出电阻(减小),电流负反馈稳定的输出量是(电流), 使输出电阻(增大)。 27、稳压二极管是利用二极管的(反向击穿)特性工作的。 28、甲类功放的最大缺点是(效率较低); 29、多级放大电路的耦合方式有(直接耦合)、(阻容耦合)、(变压器耦合)。 30、如果想要改善电路的性能,使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小,应该在电路中引入(电 压串联负)反馈。 31、有源滤波器的功能是(用于小信号处理),按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、(带通滤波)、

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