模拟电子技术
胡宴如(第３版)自测题
第1章半导体二极管及其基本应用
1.1 填空题
1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
２．本征半导体中,若掺入微量的五价元素，则形成Ｎ型半导体，其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3.PＮ结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。
４.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。
５．整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 ｍA,正向压降为0.65 Ｖ,该二极管的直流电阻等于６50 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2单选题
1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(C )。
A.温度Ｂ.掺杂工艺Ｃ．掺杂浓度 D.晶格缺陷
２．PN结形成后,空间电荷区由(Ｄ）构成。
Ａ．价电子B．自由电子C．空穴Ｄ．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而（B）。
A.减小B．基本不变C．增大
4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小
5．变容二极管在电路中主要用作(D )。、
Ａ.整流B．稳压 C.发光D．可变电容器
1.3 是非题
1.在Ｎ型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为Ｐ型半导体。（√）
2．因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×）
3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。(×)
4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×)
1.4 分析计算题
1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压UＤ(oｎ)＝0.７V,试写出各电路的输出电压Uo值。
解：（ａ)二极管正向导通,所以输出电压Ｕ0=(６—０.7）V＝５.3V。
（b)令二极管断开,可得U P＝6 V、UＮ＝10 Ｖ,ＵP＜ＵＮ,所以二极管反向偏压而截止，Ｕ0＝１0V。
(ｃ)令V1、V２均断开，U N1＝0V、ＵN2＝6V、U P=1０V,U P—U N１>Up—U N2,故V1优先导通后，Ｖ２截止，所以输出电压Ｕ0＝0.7V。
2.电路如图T１.２所示,二极管具有理想特性,已知ｕi=(sinωt）V，试对应画出u i、u0、i D的波形。
解:输入电压u i为正半周时,二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u0＝0，而流过二极管的电流iＤ=u i/R，为半波正弦波，其最大值I Dm＝10 V/１kΩ＝10 mA;当u i为负半周时,二极管反偏截止,iＤ=0，ｕ0＝u i为半波正弦波。因此可画出电压ｕ0电流i D的波形如图（b）所示。
3.稳压二极管电路如图T1.３所示,已知ＵZ =5 V ，I Z =５ mA,电压表中流过的电流忽略不计。试求当开关s 断开和闭合时,电压表错误!和电流表错误!、错误!读数分别为多大？
解：当开关S 断开,R 2支路不通，I A2＝0,此时R 1与稳压二极管Ｖ相串联,因此由图可得
Z A I mA K V R U U I >=Ω-=-=5.62)518(1211
可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为５ V 。
当开关Ｓ闭合，令稳压二极管开路，可求得Ｒ2两端压降为
Z R U U R R R U <=?+=+=6.3185.025.012122
故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态,因此，R 1、R 2构成串联电路，电流表A 1、Ａ２的读数相同,即
mA K V R R U I I A A 2.75.021821121=Ω+=+==）（
而电压表的读数，即R 2两端压降为3.6 V 。
第2章 半导体三极管及其基本应用
２.1 填空题
1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NP Ｎ 两种类型，它工作时有
2 种载流子参与导电。
２.晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。
3.晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。
4．当温度升高时，晶体管的参数β 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压U BE 减小 。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA 变化到20μＡ时，集电极电流从1mA 变为1.９9 ｍA,则交流电流放大系数β约为 ９９ 。
6.某晶体管的极限参数I CM =20mA 、P CM =100ｍW 、Ｕ(BR ）CEO ＝30V ，因此，当工作电压ＵCE ＝10V 时，工作电流I C 不得超过 １0 mA ；当工作电压ＵCE ＝1V 时，I C 不得超过 2０ mA ；当工作电流ＩＣ=２ mA 时，U C Ｅ不得超过 30 V 。
7.场效应管从结构上可分为两大类: 结型 、 MOS ;根据导电沟道的不同又可分为 N 沟道 、 P 沟道 两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。
8．ＵGS （o ｆf ）
表示 夹断 电压，I DSS 表示 饱和漏极 电流,它们是 耗尽 型场效应管的参数。
2.2 单选题
１.某NPN型管电路中，测得U BE=0 Ｖ,ＵＢC=—5 Ｖ,则可知管子工作于(C)状态。
A．放大B．饱和 C.截止D．不能确定
２．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DＧ6为（B)。
A.NＰN型低频小功率硅晶体管Ｂ．NPＮ型高频小功率硅晶体管
C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管
３.输入（Ｃ)时，可利用Ｈ参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A．正弦小信号 B.低频大信号 C.低频小信号 D.高频小信号4．(Ｄ）具有不同的低频小信号电路模型。
A.ＮPN型管和PＮP型管
B.增强型场效应管和耗尽型场效应管
C．Ｎ沟道场效应管和P沟道场效应管 D.晶体管和场效应管5．当ＵGS=0时，( B）管不可能工作在恒流区。
A.ＪFＥT B．增强型MOＳ管C．耗尽型MOＳ管 D.NMＯS 管
6.下列场效应管中,无原始导电沟道的为( B)。
A．Ｎ沟道JＦEＴ B.增强～ＡI PMOＳ管
C.耗尽型ＮMOS管Ｄ．耗尽型ＰMＯS管
2.3 是非题
1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。（×）
2．ＭOＳFＥT具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。( √) ３．ＥＭOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。（×)
4.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的ＰＮ结反偏。( √)
5．场效应管用于放大电路时,应工作于饱和区。（√)
2．4 分析计算题
１.图T2.1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
?解:（a)U BE=ＵB—UＥ=0.７—0＝0.7V，发射结正偏;
U BC=U B—ＵC＝0.7—3=—2.3 V,集电结反偏
因此晶体管工作在放大状态。
(b）U BE＝U B—ＵE=2—3=—１V,发射结反偏；
U BＣ=U B—U C＝2—5＝—3 V，集电结反偏
因此晶体管工作在截止状态。
(c ） U B Ｅ＝ＵB —U E =3—2.3＝０.７Ｖ，发射结正偏；
ＵBC =U B —U C ＝3—２.6＝０.4Ｖ，集电结正偏
因此晶体管工作在饱和状态。
(d)该管为P ＮＰ型晶体管
ＵEB =U E —U B =（—2)—（—2.7)=0.７V ,发射结正偏;
U CB =U C —U B ＝(—5)—（—2.7)＝—2.３V ，集电结反偏
因此晶体管工作在放大状态。
2.图T2.2所示电路中,晶体管均为硅管，β=１０0,试判断各晶体管工作状态,并求各管的I B 、ＩC 、U ＣＥ。
解:(a)方法一:
mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω
-= 设晶体管工作在放大状态，则有 I C ＝βＩB ＝100×０.０５3＝5.3ｍA
U ＣＥ＝12—5.3×3=—３.9 V<０
说明上述假设不成立,晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降U CE(Ｓａt)=0．3 V ,则集电极电流为
mA R U V I C sat CE CC CS 9.31
3.012)
(=-=-= 因此可得晶体管的I Ｂ＝０.0５3 mA 、I C ＝I CS =3.９ ｍA 、U CE =U CE(Sat ）＝０.3 V
方法二:
mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω
-= mA R U V I C
sat CE CC CS 9.313.012)
(=-=-= mA I I CS BS 039.0100
9.3===β
因为I B ＞ＩBS ，所以晶体管处于饱和状态，因而有
I B ＝０.053 m Ａ、I C ＝I ＣＳ=3．9 mA 、ＵＣＥ＝U ＣＥ(Ｓat)＝0.３ V
(b) A mA K V I B μ4.80084.0510)7.06(==Ω
-=
设晶体管工作在放大状态，则有
I Ｃ=10０×0．008 4 mA ＝0.84 mA
U CE ＝5 V —0．84×3=2.48 Ｖ> ＵＣE （Sat)
说明晶体管工作在放大状态,故上述假设成立,计算结果正确。
(c)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止,则I Ｂ＝０,I C =0,U CE ＝5 V
3.放大电路如图T2．3所示,试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解:(a)将Ｃ1、C 2断开,即得直流通路如下图(a)所示;将C 1、C 2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b ）所示;将晶体管用小信号电路模型代人,即得放大电路小信号等效电路如下图(c ）所示。
(ｂ)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图 (a)、(b ）、(c)所示。
４.场效应管的符号如图T2．4所示，试指出各场效应管的类型,并定性画出各管的转移特性曲线。
解:（a)为Ｐ沟道耗尽型MOS管,它的转移特性曲线如下图(ａ)所示，其特点是ｕGS=0时,i D=—I DSS
(ｂ)为N沟道增强型MOS管,它的转移特性曲线如下图(b）所示，其特点是u
=０时, ｉD=０
ＧＳ
(c）为Ｎ沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点是ｕ
=0时,i D＝ＩDＳＳ，且u G S≤0
ＧS
第3章放大电路基础
3.1 填空题
1．放大电路的输入电压Ｕi=１0 mＶ，输出电压U０＝1 Ｖ，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dＢ。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，
输入电压也就越大;输出电阻越小,负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
３．共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相,电压放大倍数近似为１，输入电阻大，输出电阻小。
＝1 V，U i2=0.98V，则它的差模输入电４．差分放大电路的输入电压U
ｉ1
＝０.０2V,共模输入电压U iＣ=０.９9V。
压Ｕ
ｉd
5.差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用,对共模输入信号具有很强的抑制作用,差分放大电路的零点漂移很小。
6．乙类互补对称功放由NＰＮ和PNＰ两种类型晶体管构成,其主要优点是效率高。
7.两级放大电路,第一级电压增益为40dB,第二级电压放大倍数为10倍,则两级总电压放大倍数为1000倍,总电压增益为６０dB。
８.集成运算放大器输入级一般采用差分放大电路，其作用是用来减小零点漂移。
9．理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为虚短；输入电流近似为０，称为虚断。
10.集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入端和反相输入端,前者的极性与输出端反相，后者的极性与输出端同相。
3.2 单选题
1．测量某放大电路负载开路时输出电压为3 V,接入2 kΩ的负载后,测得输出电压为１V,则该放大电路的输出电阻为(D)kΩ。
Ａ．0．５ B.1.0 C.２．０Ｄ.4
2.为了获得反相电压放大,则应选用( A)放大电路。
A．共发射极B．共集电极Ｃ.共基极D．共栅极3．为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合,可以在信号源与负载之间接入( Ｂ)放大电路。
A.共发射极B．共集电极C．共基极 D.共源极
4．放大电路如图T３.1所示，已知R S=R D,且电容器容量足够大,则该放大电路两输出电压u0l与ｕ０２之间的大小关系为(B)。
Ａ. ｕ０l=u02 B.u0l＝－u0２ C. u0l＞u０2Ｄ．u0l＜u02
5.选用差分电路的原因是( A）。
A.减小温漂B．提高输入电阻 C.减小失真Ｄ．稳定放大倍数
6.差分放大电路中适当增大公共发射极电阻，将会使电路的（Ｄ)增大。
A．差模电压增益D．共模电压增益Ｃ.差模输入电阻D.共模抑制比７.功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高(B）。
A．输出功率 B.放大器效率Ｃ.放大倍数D．负载能力8．由两管组成的复合管电路如图Ｔ3．2所示,其中等效为ＰNP型的复合管是（A)。
9.OTL电路负载电阻R L＝１0Ω，电源电压V CC=１0 V,略去晶体管的饱和压降,其最大不失真输出功率为( B)W。
A.10 B,5 C.2.5D．1.25
１0．集成运算放大器构成的放大电路如图Ｔ3.3所示，已知集成运算放大器最大输出电压Uｏm＝±1０V，uｉ＝5 V,则该放大电路的输出电压为（C）V。
A.-5
B.0Ｃ．5 D.10
３．3是非题
１.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关,而与输入信号源内阻无关。（×)
２.共发射极放大电路由于输出电压与输人电压反相，输入电阻不是很大而且输出电阻又较大,故很少应用。,( ×)
3.单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。( √)
4．乙类互补对称功率放大电路输出功率越大,功率管的损耗也越大，所以放大器效率也越小。（×）
5.OCL电路中输入信号越大,交越失真也越大。（×)
6.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。（√）
3.４ 分析计算题
１．放大电路如图T3．4所示,已知晶体管的U BEQ ＝０.7 V ,β＝9９,ｒb ｂ′＝2０0Ω,各电容在工作频率上的容抗可略去。
试：(１)求静态工作点I CQ 、U CEQ ；
(2）画出放大电路的交流通路和微变等效电路,求出r be ；
(3)求电压放大倍数Ａｕ＝u o ／u i 及输入电阻R i 、输出电阻R 0。
解:(1)求I CQ 、U C ＥQ 、I BQ
电路构成分压式电流负反馈偏置电路,所以
V V V R R R U CC B B B BQ 79.212331010212=?+=+≈ mA R U U I I E BEQ
BQ EQ CQ 12
7.079.2≈-=-=≈ V R R I V U E C CQ CC CEQ 3.5)27.1(112)(=+?-=+-≈
A mA mA I I CQ
BQ μβ1001.099
1=≈== (２)画出放大电路的交流通路和微变等效电路,分别如图（a)、(ｂ）所示。
Ω=++=++='K I mV r r EQ b b be 8.21
26)991(20026)1(β (3)求A u ,R i 、R 0
由图 (b)可得
878
.21.5//7.499//0-=?-=-==be L C i u r R R u u A β Ω≈==K r R R R be B B i 28.2//10//33////21
Ω=≈K R R C 7.40
２.差分放大电路如图T3．5所示，已知Ｉ0＝2 m Ａ。
试:(1)求放大电路的静态工作点I CQ ２、U CQ2;
(2)当u ｉ =１0 ｍV 时，i Ｃ1=１.２ mA ，求V 2管集电极电位u c2、输出电压ｕ0以及电压放大倍数Au =u o /ｕ i 。
解:(１)求ＩCQ2和U CQ2
由图３.42可知：mA I I CQ 12
2202=== V R I V U C CQ CC CQ 331622=?-=-=
(2)求u C2、u 0及Au
根据差分放大电路的传输特性可知
当ｉC1＝1．2mA 时,i C2=Ｉ0一i C1＝2—1．2=０.8 mA
所以Ｖ2管集电极电位为
u Ｃ2=Ｖc ｃ一i C2 R ｃ=6 V 一0.8×3=3.6 V
放大电路的输出电压ｕ0为
u 0＝u C ２一U ＣＱ2=3.6—３＝0.6 V
所以，电压放大倍数为 60106.00===mV
V u u A i u 3.放大电路如图T3.６所示。
试:(1)说明二极管V 3、V 4的作用；
(2)说明晶体管V 1、V 2工作在什么状态?
(3)当U im ＝4 V 时，求出输出功率P 0的大小。
解:(1)V 3、V 4正向导通,其压降提供给功率管V 1、V 2作为发射结小正向偏置电压,用以克服交越失真。
(２)因V 1、V ２管发射结加有小正向偏置电压,所以它们工作在甲乙类状态。
(3)因U ｏｍ≈U im =4 Ｖ，所以输出功率为
W R U P L om Om 08.0100
)24()2(22=== 4．集成运算放大器构成的反相和同相放大电路如图T3.７所示,试分别求出它们的电压放大倍数Au =u ｏ／u i 及输入电阻R i 。
解：图(a)为反相放大电路,所以
230
60-=-=u A Ｒi =30K Ω 图(b ）为同相放大电路,所以 V u u u u u u A P i P i u 2)20
401(40204000=+?+=?== Ｒi =2０+40＝60 K Ω
第4章 负反馈放大电路
４.1 填空题
1,将反馈引入放大电路后，若使净输入减小，则引人的是负反馈，若使净输入增加，则引入的是正反馈。
2．反馈信号只含有直流量的，称为直流反馈，反馈信号只含有交流量的,称为交流反馈。
３.反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则说明电路引入的是
电压反馈，若反馈信号取自输出电流，则是电流反馈；在输入端,反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则是串联反馈，反馈信号与输入信号以电流方式进行比较,则是并联反馈。
４．负反馈虽然使放大电路的增益减小，但能使增益的稳定提高,通频带展宽，非线性失真减小。
5.电压负反馈能稳定输出电压，使输出电阻减小；电流负反馈能稳定输出电流,使输出电阻增大。
６．放大电路中为了提高输入电阻应引入串联反馈,为了降低输入电阻应引入并联反馈。
7．负反馈放大电路中,其开环电压放大倍数Aｕ=90，电压反馈系数Fｕ＝0．1，则反馈深度为1０，闭环放大倍数为9。
8.深度负反馈放大电路有:x i≈x f ，即x id≈0。
4.2单选题
1．放大电路中有反馈的含义是(Ｃ）。
A．输出与输入之间有信号通路B．输出与输入信号成非线性关系
C．电路中存在反向传输的信号通路D.除放大电路以外还有信号通路
2.直流负反馈在放大电路中的主要作用是( D)。
A．提高输入电阻 B.降低输人电阻
C.提高增益D．稳定静态工作点
3.并联负反馈能使放大电路的( B)。
A.输人电阻增大
B.输入电阻减小
C.输入电阻不变D．输出电阻减小
4．在放大电路中,如果希望输出电压受负载影响很小,同时对信号源的影响也要小,则需引入负反馈的类型为(A)。
A.电压串联B．电压并联C．电流串联Ｄ.电流并联
5.负反馈放大电路中,A为开环放大倍数，F为反馈系数，则在深度负反馈条件下，放大电路的闭环放大倍数且,近似为（Ｂ)。
Ａ.F B．1/F C．A Ｄ.１+AF
4．3 是非题
1.直流负反馈只存在于直接耦合电路中，交流负反馈只存在于阻容耦合电路中。(×）
2.若放大电路的A>0，则接入的反馈一定是正反馈,若A＜0,则接入的反馈一定是负反馈。( ×）
3.共集电极放大电路，由于且A u≤1，故该电路没有负反馈。（×）
４．当输入信号是一个失真的正弦波,加人负反馈后能使失真减小。（×)
5.负反馈只能改善反馈环路以内电路的放大性能，对反馈环路之外电路无效。（√)
6.在深度负反馈放大电路中，只有尽可能地增大开环放大倍数,才能有效地提
高闭环放大倍数。( × )
4．４分析计算题
1．反馈放大电路如图T4．1所示,试指出电路的反馈类型，判断其反馈极性。
解:（ａ）在图T4．１(a)中标出反馈信号u f ,如下图（a)所示,可见u f ＝u 0,反馈信号取样于输出电压u 0,故输出端为电压反馈。由图(ａ)可见,ｕi 、u id 、ｕf 三者串联，形成电压比较关系u id =ｕｉ—ｕf ，故输入端为串联反馈。令
u i 为 ，则得输出电压u 0 ，u f 为 ，如图（a)所示,反馈电压u f 使净输入u i 减小,故为负反馈。所以图T4．1 (a)所示电路为电压串联负反馈放大电路。
（b)由图T ４．1 (b)可见，负载R L 、反馈网络、基本放大电路（即集成运放)三者为串联，故输出端为电流反馈。输入端输入信号与反馈信号都由集成运放的反相端加入，故为并联反馈，因此可在图中标出反馈电流i ｆ如下图 (ｂ)所示。令输入电压u i 为 ，如下图（b)所示,此时集成运放输出端对地电位为 ，因此电压u Ｒ３为 ,i f 由输入端流向输出端,如下图（ｂ)所示，可见札ｉid ＝i i —i ｆ，反馈使净输入i id 减小,故为负反馈。因此，图Ｔ4.１ (ｂ）所示电路为电流并联负反馈放大电路。
（c)由图T4．1 （c)可见,放大电路的输出端R L 、基本放大器、反馈网络三者并联，故为电压反馈。输入端信号源、反馈网络、基本放大器三者并联，故为并联反馈。令输入信号u ｉ为 ,根据共发射极放大电路特性，可知u ０为 ，反馈信号i ｆ由输入端流向输出端，由下图（ｃ)可得i ｉd ＝ｉi —ｉf ，反馈使净输入i i ｄ减小，故为负反馈。因此,图Ｔ4．1 (c)所示电路为电压并联负反馈放大电路。
２．深度负反馈放大电路如图T4.2所示,在图中标出反馈信号x ｆ，指出反馈类型,求出闭环电压放大倍数A uf =u o /ｕ i 。
+ + － +
+ －
+
－
解:(ａ)为电压并联负反馈,反馈信号为i ｆ ,标于下图 (ａ)中。在深度电压并联负反馈电路中有i i ≈i f ，而ｉｉ＝（u i —ｕN )/Ｒ1≈ｕｉ／R １，ｉf =（ｕＮ—ｕ0)/Ｒ1≈-u 0/R 2，因此可得
12120R R R i R i u u A i f i u -=-== (b)为电流串联负反馈，反馈信号为u ｆ，标于下图(b ）中。在深度电流串联负反馈电路中有:u i ≈u f 。又由图下（b)可得:ｕ0=i 0R L ，u f ＝i 0R 2。所以可得 2
00R R u u u u A L f i u -=≈= （c ）为电压串联负反馈，反馈信号为u f ,标于下图(c)中。在深度电压串联负反馈放大电路中有：u i ≈u f 。现由下图(c)可知u f ≈u 0,所以可得
100=≈=f
i u u u u u A
第5章 集成运算放大器的应用电路
５．1 填空题
1.运算电路中的集成运算放大器应工作在 线性 区，为此运算电路中必须引入 深度负 反馈。
２．反相比例运算电路的主要特点是输入电阻 较小 ,运算放大器共模输入信号为 零 ;同相比例运算电路的主要特点是输入电阻 很大 ,运算放大器共模输入信号 较大 。
3.简单ＲＣ低通电路在截止频率处输出电压是输入电压的 0.70７ 倍,即
衰减3dＢ，相移为-45°。
4．晶体管有三个频率参数fβ称为共射截止频率，fα称为共基截止频率,f T称为特征频率。
5．集成运算放大器开环差模电压增益值比直流增益下降3 ｄB所对应的信号频率称为开环带宽,开环差模电压增益值下降到0dB所对应的信号频率称为单位增益带宽。
6．集成运算放大器交流放大电路采用单电源供电时,运算放大器两个输入端的静态电位不能为零,运算放大器输出端必须接有输出电容。
5．２单选题
1.图T５．1所示比例运算电路中，设Ａ为理想运算放大器,已知运算放大器最大输出电压Ｕ0M=±12 V,当ｕＩ=１V时,则输出电压u0为( Ｃ)V。
A.24 B．21 C.12 D、－１2
2.若实现函数u0＝ｕＩ1+4u I2-４u I３，应选用(B）运算电路。
A．比例 B.加减C．积分 D.微分
3.欲将方波电压转换成三角波电压,应选用(B)运算电路。
Ａ.微分 B.积分C．乘法Ｄ．除法4．集成运算放大器开环电压增益为106,开环带宽ＢW=5Hｚ,若用它构成闭环增益为５0倍的同相放大电路，则其闭环带宽ＢW f为( B）Hz。
A.5×10５B．105 C.250 D.5
5．3 是非题
1.凡是集成运算放大器构成的电路,都可用“虚短”和“虚断”概念加以分析。(×)
2．放大电路低频段没有转折频率,则说明该电路采用了直接耦合方式。(√) ３．某集成运算放大器开环带宽为５Hz，由于其非常低，所以该运算放大器只能用于构成直流放大电路。(×)
４.与无源滤波器相比较,有源滤波器具有可提供通带内增益,负载对滤波特性影响小等优点。(√)
５.4分析计算题
1.电路如图T5.２所示，试写出各电路输出电压与输入电压的函数关系式并指出电路名称。
解:（a)11I F F P N u R R
R u u +=≈ F
N N I R u u R u u 012-≈- 经整理可得)(2110I I F u u R R u -=
，为减法运算电路 （b ）?-=t
I F dt u C R u 0101
,为积分运算电路 (c)210I I u Ku u =,为乘法运算电路
(ｄ)H i j U U ωω+=?
?10,为一阶有源低通滤波器
2.运算电路如图T ５.３所示,试求各电路输出电压的大小。
解:（a ） 采用叠加定理，则得
V V K K V K K u 8.0)]2(20206.01020[
0=-?+?-= (b ) 采用叠加定理，则得 V V K K K K K V K K K K K u P 1)3()
15//15(15)15//15(6)15//15(15)15//15(=-?++?+= V u K
K u P 2)10101(0=+= ３．电路如图Ｔ5．4所示,试用比例运算关系求出输出电压。
解：(a)采用叠加定理,将u Ｉ分别从反相端和同相端输入，使之构成反相比例运算电路和同相比例运算电路，则得
V u R R R R R R u R R u I I 022)//1(0=+++-= (b ）采用叠加定理，将u I 分别从反相端和同相端输入，则得
I I I u u R
R u R R u =++-
=)1(0 第6章 信号产生电路
6.1 填空题
１.正弦波振荡电路主要由 放大电路 、 正反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节 四部分组成。
２．设放大电路的放大倍数为?u A 反馈网络的反馈系数为?
u F 则正弦波振荡电
路的振幅平衡条件是 1=??u u F A ，相位平衡条件是 )3,2,1,0(2???==+n n F A π?? 。
３．RC 桥式振荡电路输出电压为正弦波时，其反馈系数?
u F ＝ １/3 ,
放大电路的电压放大倍数?
u A = 3 ；若RC 串并联网络中的电阻均为R ，电容均为Ｃ,则振荡频率f 0＝ 1/（2πRC ） 。
4．RC 桥式正弦波振荡电路中，负反馈电路必须采用 非线性 元件构成，其主要目的是为了 稳幅 。
5．用晶体管构成的三点式L Ｃ振荡电路中,谐振回路必须由 三个 个电抗元件组成，在交流通路中接于发射极的两个电抗元件必须 同 性质,不与发射极相接的电抗元件必须与之 异 性质,方能满足振荡的相位条件。
6．石英晶体在并联型晶体振荡电路中起 电感 元件作用，在串联型晶体振荡器中起 短路 元件作用,石英晶体振荡器的优点是 频率稳定度高 。
7．电压比较器输出只有 高电平 和 低电平 两种状态,由集成运算放大器构成的电压比较器运算放大器工作在 非线性 状态。
8．迟滞比较器中引人中引入了 正 反馈，它有两个门限电压。
9.三角波产生电路由 迟滞比较器 和 线性RC 积分电路 组成。
6.2 单选题
1．信号产生电路的作用是在( B )情况下，产生一定频率和幅度的正弦或非正弦信号。
A.外加输入信号 B ．没有输入信号
C ．没有直流电源电压 D.没有反馈信号
2.正弦波振荡电路的振幅起振条件是( D )。
Ａ．1u ??u F A
3．正弦波振荡电路中振荡频率主要由( D )决定。
A.放大倍数
B.反馈网络参数
C.稳幅电路参数 D ．选频网络参数
4．常用正弦波振荡电路中,频率稳定度最高的是( D )振荡电路。
A.RC 桥式
B.电感三点式
C.改进型电容三点式 D ．石英晶体
5．电路如图T6.1所示，它是( C )正弦波振荡电路。
A.电容三点式 B ．电感三点式
Ｃ.并联型晶体 Ｄ．串联型晶体
６．电路如图Ｔ6,2所示,它称为( C )。
A ．RC 振荡电路 B.单限电压比较器
C ．迟滞比较器 Ｄ.方波产生电路
６.3 是非题
1.信号产生电路用于产生一定频率和幅度的信号,所以信号产生电路工作时不需要接入直流电源。( × ）
2.电路存在反馈，且满足1u >?
?u F A ，就会产生正弦波振荡。 ( × )
3.RC 桥式振荡电路中，RC 串并联网络既是选频网络又是正反馈网络。
( √ )
4．选频网络采用LC 回路的振荡电路,称为LC 振荡电路。( √ ） ５．电压比较器输出只有高电平和低电平两种状态，输入高电平时，输出为高电平；输入低电平时输出为低电平。( × ）
6.非正弦波产生电路中没有选频网络,其状态的翻转依靠电路中定时电容的能量变化来实现。( √ )
６．４ 分析题
l ．振荡电路如图T6．3所示，试回答下列问题:
（１）指出电路名称;
（2）反馈信号u ｆ取自哪个元件的电压？
(３)画出电路的交流通路，判断电路是否构成正反馈。若电路满足振荡条件,求出振荡频率。
解:(1）画出交流通路如图 （b ）所示,由图可见,反馈信号u ｆ取自反馈电容
C 2两端电压。设基极输入电压?i U 瞬时极性为 (对参考点地电位)，在回路谐振频率上放大电路输出电压?0U 的瞬时极性为 ，所以,反馈电压?f U 的瞬时极性为 ，可见?f U 与?i U 同相，电路构成正反馈。
(2)为电容三点式LC 振荡电路,其振荡频率f 0等于
MHz P P P P H C C C C L LC f 85.130020030020062212121
212
10=+??=+=
=μπππ
+ － +
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。
模拟电子技术基础 一．计算分析题 1．已知放大电路如图8所示，三极管的β=50，U BE =。回答下列问题：（1） 求I CQ =？U CEQ =？（2）画微变等效电路 （3）求？==i o u U U A ？ ==s o usm U U A （4）R i =？R o =？ 图8 (1) I CQ ≈I EQ = (mA) +V R C e R R R C C + _ _ R e U U o R U 20k Ω 2 10kΩ 2kΩ4k 30μF 30100μ F (+12V) 1+ ++ _ _ ) (410 2012 102b1CC 2BQ V R R V R U b b =+?=+= )mA (65.12 7 .04e BE BQ EQ =-= -= R U U I
U CEQ = V CC ―I CQ ( R c +R e )= ×4 = (V) (2) (3) (4)R i ≈r be =(k Ω) R o = R c = 2 (k Ω 2．已知电路如图9所示，β1=β2=60，U BE1=U BE2=，ΔU I1=1V ，ΔU I2=。 求：①双端输出时的ΔU o=？②从T 1单端输出时的ΔU O1=？ )k (1.165 .126 6130026) 1(EQ bb'be Ω≈?+=++=I r r β微变等效电路 U 6 .601.1)4//2(50'be L i o u -=?-=-==r R U U A β 5.311.11)4//2(50'be s L i s i u s o us -=+?-=+-≈+==r R R R R R A U U A β R R R R r R R + _ + _ U I U s β I I R
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管 https://www.doczj.com/doc/421460467.html, ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础I 试 卷（作业考核 线下） B 卷（共 4 页） 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab 。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波，试画出u o 的波形。（设二极管D 1，D 2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。 (15分) 电路如图4所示，已知V CC =12V ，R bl =40k Ω，R b2=20k Ω，R c =R L =2k Ω，U BE =0.7V ，β=50，R e =2k Ω， U CES ≈0V 。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真? (3)计算i u A R ， 和o R 。 四、功率放大电路的分析与计算。 (15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L =8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V ，输入u i 为正弦波。求：(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率？(2)此时的效率和管耗各是多少？ 五、填空题：（每空1分 共30分） 1、PN 结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN 结具有（ ）导电性。 2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加 电压（ ）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结 电阻为（ ），等效成断开； 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic （ ），发射结压降（ ）。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、（ ）、（ ）放大电路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采 用（ ）负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ ）信号，而加上 大小相等、极性相反的两个信号，称为（ ）信号。 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。 8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础 I 试 卷（作业考核 线下） B 卷（共 4 页） 总分 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 得分 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab 。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波，试画出u o 的波形。（设二极管D 1，D 2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。 (15分) 电路如图4所示，已知V CC =12V ，R bl =40kΩ，R b2=20kΩ，R c =R L =2kΩ，U BE =，β=50，R e =2kΩ， U CES ≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真 (3)计算i u A R ， 和o R 。 四、功率放大电路的分析与计算。 (15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L =8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V ，输入u i 为正弦波。求：(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率(2)此时的效率和管耗各是多少 五、填空题：（每空1分 共30分） 1、PN 结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN 结具有（ ）导电性。 2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与 外加电压（ ）。 图4阻容耦合放大 图5 功率放大电路 u u o +V CC T 1 T 2 R L CC + +_ _ (+12V (-12V 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。 模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.doczj.com/doc/421460467.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.doczj.com/doc/421460467.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.doczj.com/doc/421460467.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.doczj.com/doc/421460467.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一 个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.doczj.com/doc/421460467.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。 “模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。 （3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 （一）课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础，以集成电路为主体，通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用；通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解，掌握基本电路的设计与调试方法，便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析和解决问题的能力。（二）基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求： 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点： 放大电路的模型，放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点： 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容： 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍，引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解，待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求： 了解集成运放的主要结构，掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路，包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件－PSPICE。 教学重点： 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点： 对理想放大器的理解，“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容： (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下，放大器的电路参数及其物理意义。 东北大学继续教育学院 模拟电子技术基础IX试卷（作业考核线上2）A 卷（共6 页） 总分题号一二三四五六七八九十得分 一、(40分) 单项选择题（选一个正确答案填入括号里，每题2分） 型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。（ C ） A、电子 B、空穴 C、三价元素 D、五价元素 2.稳压管的稳压区是其工作在（ C ）。 A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 3.二极管电路如图1所示，设二极管均为理想的，则电压Uab为（ A ）。 图1 A、-12V B、-6V C、0V D、+6V 4.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为-9V、和-6V，则这只三极管属于（ C ）。 AC、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型 5. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ A ）。 A、减小温漂 B、增大放大倍数 C、提高输入电阻 6.差动式放大电路的差模输入信号是指两个输入端的输入信号的（ A ）， A、差 B、和 C、平均值 7. 差动式放大电路的共模输入信号是指两个输入端的输入信号的（B ）。 A、差 B、和 C、平均值 8. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。 要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用（ A ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 9. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第二级应采用（ A ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 10. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。 要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用（ B ）。 A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路 11. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。 要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第二级应采用（ A ）。 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1 学习中心： 院校学号： 姓名 课程名称: 模拟电子技术基础X 1 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础X 试 卷（作业考核 线上2） A 卷（共 8 页） 1.N 型半导体是在本征半导体中加入（ D ）后形成的。 A 、电子 B 、空穴 C 、三价元素 D 、五价元素 2.其它条件不变，若放大器输入端电阻减小应引入 （ D ） A 、电压负反馈 B 、电流负反馈 C 、串联负反馈 D 、并联负反馈 3.正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 （ B ） A 、 B 、 C 、 4．在OCL 功率放大电路中输入信号为正弦电压，输出波形如图1所示， 说明电路中出现的失真是( C ) 失真。 A 、饱和 B 、截止 C 、交越 5．在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入（ A ）。 A 、直流负反馈 B 、交流负反馈 C 、交流正反馈 D 、直流正反馈 6．当PN 结加正向电压时，其空间电荷区 （ B ）。 A 、变宽 B 、变窄 C 、基本不变 7．对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是（ A ）。 A 、输出电压与输入电压相位相同 B 、输入电阻，输出电阻适中 C 、电压放大倍数大于1 D 、电流放大倍数大于1 8．在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ，则这只三极管属于（ B ）。 A 、硅PNP 型 B 、硅NPN 型 C 、锗PNP 型 D 、锗NPN 型 9. 场效应管与双极型晶体管相比，具有（ A ）。 A 、更大的输入电阻 B 、更小的输入电阻 C 、相同的输入电阻 10．二极管电路如图2所示，设二极管均为理想的，则电压U o 为 （ C ）。 A 、-10V B 、-5V C 、0V D 、+5V 1=F A 1 -=F A 1|1|>>+F A 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( ) (6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( ) (7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。 (4)×。． (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。 二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。， 【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a) 例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。 自测题分析与解答 一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R大的特点。( ) GS u大于零，则其输入电阻会明显变小。( ) (6)若耗尽型N沟道MOS管的 GS 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，． (2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达 集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬 底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。 二、选择正确答案填人空内。 (1)PN结加正向电压时，空间电荷区将。． A．变窄 B．基本不变 C．变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在。 A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A．前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏模拟电子技术基础考试试题复习资料
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