模拟电子技术基础复习大纲
书中有关符号的约定
·大写字母、大写下标表示直流量。如，VCE、IC等。
·小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如，vCE、iB等。
上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如，vce、Ib等。第一章半导体器件基础
1、理解半导体中有两种载流子
电子空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴。
2、理解本征半导体和本征激发
本征半导体——化学成分纯净的半导体
本征激发的特点——
两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p）
外电场作用下产生电流，电流大小与载流子数目有关
导电能力随温度增加显著增加
3、理解杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力）（重点）
少数载流子是由电子—空穴对（本征激发）产生而来，
多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
4、熟练掌握PN结
形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空
间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运
动，达到动态平衡。
单向导电性——（重点）
不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0
加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD
加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的
漂移运动形成反向电流
特性方程：iD=IS（eVo/VT-1）
特性曲线：
正向导通：死区、导通区
反向截止：截止区、击穿区
5、理解二极管
单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同
主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、极间电容、最高工作频率
分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型
导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。
6、特殊二极管——稳压管（工作在反向击穿区）
反向偏置且VI＞VZ
稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，使输出电压稳定
???
????+==+==ββαααβ11E C B C I I I I 参数：VZ 、IZ 、PZM 、rZ
7、理解半导体三极管
①类型：结构、材料
硅管（VBE=0.7V ）、锗管（VBE=0.2V ）
②电流控制器件
iC=βiB （重点）iE=(1+β)iB
iB+iC =iE
③三个工作区（重点）
特性曲线输入：输出：饱和区：发射结、集电结均正偏，
VBE=0.7V,VCES=0.3V
放大区:发一正,集一反,
VBE=0.7遵循iC=βiB
截止区:发射结、集电结均反偏
VBE ＜0.5V 时已进入截止区④放大条件
发射极正偏,集电极反偏
发射区杂质浓度大，集电区杂质浓度低，基区窄，杂质浓度低。
c、e不能互换；根据各电极对地电位和各电极电流判断管子类型（重点）
⑤参数
集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功耗PCM、反向击穿电压V（BR）CEO、
-
8、理解场效应管
双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。
能够根据转移特性判别场效应管的类型（P40表1.4.1）
结型场效应管
N型：VGS＜0VDS＞0夹断电压VP＜0
P型：VGS＞0VGS＜0夹断电压VP＞0
增强型MOS管
N型：VGS＞0VDS＞0开启电压VT＞0
P型：VGS＜0VGS＜0开启电压VT＜0
耗尽型MOS管（VGS可正、可负、可0）
N型VP＜0VDS＞0
P型VP＞0VDS＜0
第二章放大电路基础
一、三极管放大电路
1、直流通路：Q点—图解法、近似估算法放大条件、交流参数
交流通路：Av、Ri、Ro、最大输出电压幅度—图解法、模型法了解图解法
求Q点直流负载线交流负载线
分析非线性失真饱和失真静态点过高（NPN，底）
截止失真静态点过低（NPN，顶）
信号过大增益过大引起的失真
确定最大输出电压幅度VOm(交流负载线)
2、小信号模型（对交流信号）
rbe是动态电阻，但与静态电流IE有关。
其中
③三种组态及特点（重点）
共射极——射极为输入输出的公共端
共基极——基极为输入输出的公共端
共集电极——集电极为输入输出的公共端
重点：掌握单管共射放大电路(包括分压式和射极偏置)
电路的组成和工作原理，以及电路参数的计算
①静态工作点的计算
②微变等效电路的画法
③放大倍数，输入，输出电阻的计算
注意有Re时的计算
二、场效应放大电路的分析
与三极管的分析相似,三极管表征放大能力用β，而场效应表征其放大能力用跨导gm
①直流偏置电路自偏压电路（耗尽型）、
分压式自偏压电路（耗尽型、增强型）
②小信号模型
③多级放大电路的计算
第四章集成运算放大器
1、电流源电路
特点：直流电阻小，交流电阻大
(1)电流源电路在模拟集成放大器中用以稳定静态工作点。
(2)用电流源做有源负载，获得增益高、大动态范围。
2、熟练掌握差分式放大电路
①差模信号与共模信号的概念
差模信号是指在两个输入端加上幅度相等，极性相反的信号；
共模信号是指在两个输入端加上幅度相等，极性相同的信号。
差分放大电路放大差模信号抑制共模信号。
零漂：
输入短路时，输出仍有缓慢变化的电压产生。主要由温度变化引起，
在多级放大电路中，影响最严重的是输入级。
②差分式放大电路的工作原理（对称性）；
抑制零漂的原理；
对四种组态（双入一双出，双入一单出，
单入一双出，单入一单出）的主要技术指标的计算（含直流工作点，差模放大信数，共模放大信数、共模抑制比、输入、输出电阻的计算）。对差分放大器，人为只加差模信号（放大），所谓共模输入实际上是外界的干扰信号，应抑制。
3、了解差动放大电路的相位关系
4、熟练掌握“虚断”、“虚短”（“虚地”）的概念（他们是同时存在的）第6章集成运放的应用
加法运算电路，减法运算电路及积分，微分电路。（重点）
电压串联负反馈
同相比例运算电路
AVF=1+(Rf/R1)
2、了解有源滤波电路的功能，种类:
高通、低通、带通、带阻滤波电路
3、掌握单限比较器，滞回比较器的工作原理及应用，会计算滞回比较器的阈值电压，会画输出波形。（重点）
4、非正弦波发生电路：方波、三角波发生电路的构成及工作原理
第五章放大电路的反馈
1、要求正确理解什么是反馈：把输出回路的电量（电压或电
流）馈送到输入回路的过程。
电压、电流反馈——将放大电路的输出端短路，如果这时反馈信
号为0，则是电压反馈，反之，如果反馈信号依然存在，则为电流反馈。（重点）
串、并联反馈——
串联反馈：反馈信号与输入信号加在放大电路输入回路的两个电极，此时反馈信号与输入信号是电压相加减的关系；
并联反馈：反馈信号与输入信号加在放大电路输入回路的同一个极，此时反馈信号与输入信号是电流相加减的关系；（重点）
3、反馈的一般表示法
4、了解负反馈对电路性能的影响
提高增益的稳定性减小非线性失真，抑制干扰噪声，扩展通频带增大或减小输入、输出电阻（重点）
对输入电阻串联负反馈：使输入电阻增加并联负反馈：使输入电阻减小
对输出电阻电压负反馈：使输出电阻减小电流负反馈：使输出电阻增加
其增加、减小的值均与反馈深度（1+AF ）有关
能根据改善放大电路性能的要求，在电路中引入适当的反馈，（若电路中已存在某种反馈，怎样根据新的要求进行修改，达到要求后还应验证是否为负反馈）。
5、熟练掌握在深度负反馈条件下闭环增益的计算
F A f &&1≈第七章功率放大电路
1、了解放大器的三种工作状态
甲类：在整个周期IC ≥0导通角3600η高=50%
乙类：在半个周期IC ≥0导通角1800η高=78.5%
甲乙类:在大半个周期IC ≥0导通角1800＜θ＜3600
分析功率放大电路常采用图解法
信号幅度大---》特性曲线---》图解法分析
2、掌握乙类双电源对称放大电路
乙类较甲类的优点甲乙类较乙类的优点
组成:乙类推挽形式
计算:
输出功率
直流供电功率效率
功效管的选择
PT1m=0.2Pom 管耗最大时Vom=0.6Vcc V(BR)CEO ＞2Vcc IcM ＞Vcc/RL
3、掌握甲乙类对称功率放大电路（为克服交越失真）
克服交越失真的措施利用二极管利用VBE 扩大电路偏置单电源互补电路（OTL ）组成：必须有电容C
计算：将上述公式中的VCC 用VCC/2代替
静态点为Vcc/2
双电源互补电路（OCL ）组成：无电容C 第八章2直流稳压电源
1、了解直流电源电路的组成及各部分的工作原理(重点）
2、理解单相桥式整流电路的组成，工作原理，主要参数
（输出电压平均值Vl=0.9V ，每个整流管的电流平均值1/2IL ，及所承受的最大反向电压值2V2）整流管开路、短路的故障情况
3、掌握单相桥式电容滤波电路的工作原理和输出电压的估算VL=（1.1—1.2）V2空载时2
2V V C =4、掌握稳压电路的工作原理
稳压管稳压注意限流电阻的选择（重点）
5、了解整流，滤波（电容滤波）的输出电压波形
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?= 习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。 100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区 习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+== 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。 《模拟电子技术基础》课程教学大纲 课程编号: 课程名称：《模拟电子电路基础》 参考学时: 80 实验或上机学时: 20 先修课及后续课：本课程开设在高等数学、大学物理、电路原理课程之后,是电路与系统类课程的基础课程。 一、说明部分 1.课程性质 《模拟电子技术基础》是电类专业本科生在电子技术方面入门性质的技术基础课，具有自身的体系和很强的实践性。本课程通过对常用电子器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习,使学生获得模拟电子技术方面的基本知识、基本理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。 2.教学目标及意义 通过本课程的学习,使学生具备应用电子技术的能力,为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。 3．教学内容及教学要求 主要内容有：电子系统与信号的基本概念和组成、半导体二极管、三极管和场效应管及放大电路、功率放大电路、集成运算放大电路、反馈放大电路、信号的运算与处理电路、信号产生电路、直流稳压电源。 教学要求：本课程在完成上述内容的同时，需完成２0学时的实验教学。在课程结束后，需完成二周的电子技术基础课程设计。所涉及的实验见《模拟电子技术基础》实验教学大纲;课程设计见《电子技术基础课程设计》课程设计教学大纲。 4.教学重点、难点 本课程的重点为教学要求中重点掌握的内容,难点为第二章、第三章。 5.教学方法及教学手段 本课程为技术基础理论课程,课程总学时数8０，其中课堂讲授６0，实验２0,课程设计二周，采用以课堂教学为主。课外教学可引导学生参加系、院电子设计竞赛。 6．教材及主要参考书 [1] 康华光主编. 《电子技术基础》模拟部分第四版. 北京高教出版社. １998 [2] 童诗白主编. 《模拟电子技术基础》第三版．北京高等出版社. 1998 ７.其它 ＥＤA工具应用： 1）了解电子器件的模型及其参数和获得模型参数的途径。 ２)掌握ＥWB软件的使用方法，并能熟练的用EＷB软件进行系统的仿真。 开课对象: 电子信息工程、自动化 第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管 《模拟电子技术基础》教学大纲 Foundamentals of Analog Electronic Technology 、课程基本信息 二、课程教学目标 模拟电子技术是电类各专业的一门实践性较强的专业基础课。主要研究对象是半导体器件及其组成的各种基本单元电路和由基本单元电路组成的电子装置。单元电路包括分立元件单元电路和集成单元电路。 本课程的基本任务是使学生掌握模拟电子电路的基本工作原理、基本分析方法和基本应用技能使学生能够对各种由集成电路或（和）分立元件构成的基本电路单元进行分析和设计，并能够根据实际要求应用这些单元电路构成模拟电子系统的能力，为后续专业课程的学习奠定坚实的基础。课程内容先进，及时反映了本学科领域的最新科技成果。在课程教学中学生的能力培养始终将贯穿在整个教学过程中，通过学习该门课程使学生逐步提高获取知识的能力，逐步学会和掌握解决工程问题的思维 方法和研究方法。 三、教学基本要求 1器件方面： ①掌握常用的半导体器件的基本工作原理、特性和主要参数，并能合理选择和正确使用； ②了解模拟集成电路的电路结构和工作原理，掌握其主要性能和使用方法。 2、电路方面： ①掌握共射与共集放大器、差动放大器、基本运算放大器等电路结构、工作原理和性能； ②熟悉功率放大器、振荡器、整流器、稳压器以及由集成运算放大器组成的某些功能电路的组成、工作原理、性能和应用； ③熟悉放大器中的负反馈，振荡电路中的正反馈，掌握负反馈的基本形式及其对放大器性能的影响； ④了解阻容耦合放大器的频率响应。 3、分析方法方面 ①掌握放大电路的图解分析法，能确定放大电路的工作点，掌握微变等效电路分析法，能求放大 倍数、输入和输出电阻； ②能对放大电路单元进行近似估算。 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。 8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。 武汉理工大学《模拟电子技术基础》考试大纲 第一部分关于考核的有关说明 一、考核要求 重点考核模拟电路所涉及到的有关概念、基本分析、计算方法。考核分三个层次要求： ◆掌握：要求学习者能够熟练运用的基本理论和基本分析方法。 ◆理解：要求学习者能够明确认识的基本概念和基本理论。 ◆了解：定性知道的一些概念。 二、试题题型 ◆判断题：主要涉及本课程的一些基本概念、特点、重要定义、结论等。 ◆填空题：论述所学的基本内容。 ◆计算题：运用基本理论通过计算求解的综合题。 ◆作图题：通过运用基本理论分析，画出电路图或波形图。 三、参考教材 ◆采用清华大学出版社出版武汉理工大学电子技术课程组主编的《模拟电子技术基础》； 第二部分考核内容和要求 第一章半导体基础知识 1、了解半导体的导电特性。 2、理解本征半导体（N型和P型）的特性，理解杂质半导体（N型和P型）的特性， 3、正确理解和掌握PN结的单向导电性。 第二章半导体二极管及其电路 1、掌握普通二极管的理想模型、恒压降模型、特性和应用，掌握波形绘制。 2、掌握稳压二极管的特性和应用，掌握波形绘制。 3、掌握发光二极管的特性和应用。 第三章双极型三极管及其放大电路 1、掌握双极型三极管的输入和输出特性、电流分配关系，理解双极型三极管的工作原理。 2、掌握放大的概念与本质，放大的条件。 3、熟练掌握四种典型三极管放大电路静态工作点的估算方法和用简化的h参数等效电路分析放大电路的电压放大倍数A v、输入电阻Ri、输出电阻Ro的方法，掌握r be的近似估算公式。 4、正确理解利用图解法分析放大电路的静态工作点和动态工作波形绘制情况。 5、正确理解温度变化对三极管参数的影响，掌握射极偏置工作点稳定电路的工作原理。 7、掌握多级放大电路的工作原理、特点和电压放大倍数的计算方法。一般了解各种耦合方式(直接耦合、阻容耦合、变压器耦合)的特点。 8、理解和掌握频率响应的概念，了解含有一个时间常数的单管共射放大电路频率响应。 9、正确理解上限频率fH、下限频率fL、通频带BW、频率失真、波特图的意义和掌握波特图的画法。 第四章单极型场效应管及其放大电路 1、了解JFET和MOSFET内部的工作原理；掌握场效应管的转移特性和输出特性； 2、正确理解场效应管与三极管各自特点； 3、理解场效应管基本放大电路的组成、工作原理及性能特点； 4、理解场效应放大电路的基本分析方法和性能指标计算，无大题计算。 第五章功率放大电路 1、理解功率放大电路的主要特点； 模拟电子技术基础考试大纲 一、课程目标 掌握模拟电路的基本理论知识和基本分析计算方法，为以后的专业课学习打好基础。 二、基本要求 其基本要求是通过学习常用半导体器件的特性和模拟电子电路的分析和设计方法，使学生获得模拟电子技术的基本理论、基本方法和基本技能。了解模拟电子技术发展的概况，初步掌握模拟电子电路的分析、设计方法。 三、考试要求 第一章半导体器件 1、掌握PN结的形成及其单向导电作用，熟练掌握二极管、稳压管的外特性和主要参数。 2、掌握半导体三极管的工作原理，熟练掌握外特性和主要参数。 3、掌握结型和绝缘栅场效应管的工作原理，掌握外特性和主要参数、使用注意事项。 第二章基本放大电路 1、掌握放大的基本概念，放大电路的主要指标，掌握放大电路的组成特点。 2、掌握利用放大电路的图解法来确定静态工作点，分析动态过程和波形失真的方法。 3、熟练掌握放大电路的等效电路法，会计算静态工作点，能用h参数微变等效电路计算放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻。 4、了解共源、共漏放大电路的工作原理和分析万法。 5、了解复合管及组合放大电路。 第三章多级放大电路 1、熟练掌握直接耦合多级放大电路的工作原理、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的计算，掌握阻容藕合放大电路的工作原理和电压放大倍数的计算。 2、掌握直接耦合放大电路中零点漂移现象及其抑制措施。掌握差动放大电路的工作原理、输入和输出方式以及各项指标的计算。 第四章集成运算放大器 1、对集成运算放大器的内部电路仅作一般了解，熟练掌握理想集成运放的特点和实际运放的主要参数。 2、了解集成运放的种类，掌握选择和使用。 第五章放大电路的频率响应 1、熟练掌握放大电路频率响应的基本概念、隔直电容、旁路电容对低频响应的影响，结电容、杂散电容对高频响应的影响。 2、掌握含有一个时间常数的单级放大电路fl、f h的计算，掌握波特图的画法，掌握频率失真、增益带宽积和多级放大电路的频率响应。 第六章反馈 1、熟练掌握反馈的基本概念和分类，会判断反馈放大电路的组态类型，熟练掌握负反馈对放大电路性能的影响、在深度负反馈下放大倍数的计算。 2、熟练掌握虚短、虚断的概念、闭环放大倍数的表达式。 3、掌握负反馈放大电路的自激振荡条件，了解消振措施。 第七章信号的运算和处理 1、掌握线性应用和非线性应用的特性以及线性应用的分析方法。 2、熟练掌握由集成运放组成的比例、求和、减法、积分运算电路的工作原理以及输入和输出的关系，对微分、对数、指数、模拟乘法器等运算电路的工作原理以及输入和输出关系仅作一般了解，了解模拟乘法器的应用。 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 “模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。 （3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 《模拟电子技术》课程教学大纲 英文名称：Analog Electronics 课程编号：12314020 适用专业：应用电子技术 总学时数：80 学分：4 一、课程的性质、目的与任务： 《模拟电子技术基础》是电子类专业在电子技术方面入门性质的技术基础课。它具有自身的体系，是实践性很强的课程。通过教学使学生掌握模拟电路中的基本概念、基本原理和基本实验技能，掌握基本的分析方法和基本的测试手段，培养分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术某些领域中的容，以及为电子技术在专业中应用奠定基础。 二、课程教学容及要求 第一章半导体器件 1、教学容 1.1半导体基础知识 1.2半导体二极管 1.3半导体三极管 1.4场效应三极管 2、本章的重点和难点 重点：三极管的电流放大原理及其伏安特性、PN结及其单向导电性、半导体二极管伏安特性 难点：三极管的电流放大原理 3、教学基本要求 掌握：三极管的电流放大原理及其伏安特性。 理解：PN结及其单向导电性、半导体二极管伏安特性。 了解：场效应管基本知识。 第二章放大电路基础 1、教学容 2.1 放大电路的基础知识 2.2 放大电路工作状态的分析 2.3 放大电路的偏置电路 2.4 放大电路性能指标的估算 2.5 放大电路的三种基本组态 2.6 场效应管放大电路 2.7多级放大电路 2.8放大电路的频率特性 2、本章的重点和难点 重点：放大电路工作状态分析、放大电路的偏置电路、放大电路性能指标的估算 难点：放大电路性能指标的估算 3、教学基本要求 掌握：放大电路工作状态分析、放大电路的偏置电路、放大电路性能指标的估算。 理解：放大电路的三种基本组态。 了解：场效应管放大电路、多级放大电路、放大电路的频率特性。 第三章集成运算放大器 学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。 《模拟电子技术基础》教学大纲 第一部分大纲说明 课程编码：13010040 一、课程的性质、目的与任务 《模拟电子技术基础》是电子信息工程和自动化专业必修的一门专业基础课。通过本课程的学习，使学生掌握半导体基本器件的原理、特性及其选用，了解和掌握常用模拟集成器件的外特性及其应用，掌握基本单元电路的组成、工作原理及其重要性能指标的估算，具有一定的读图能力和初步设计电路的能力，具有一定的动手实践能力和解决问题的能力，为后续课程的学习打下良好的基础。 二、与其它课程的联系 学习本课程应具备《高等数学》，《大学物理》和《电路分析》理论方面的基础。后续课程为《数字电子技术基础》，《高频电路》，《电子测量仪器》、《电视原理》和《电器控制技术》等课程。 三、课程的特点 1．对基本概念、基本分析方法的要求并重； 2．本课程理论性和实践性都较强； 3．实验课程是重要的学习与实践环节，课程设计是重要的补充。 四、教学总体要求 1．理解半导体基本器件的原理，特性、主要参数及其选用； 2．掌握信号放大基本单元电路的组成、工作原理及分析计算方法； 3．掌握信号的运算和处理基本单元电路的组成、工作原理及其分析计算方法； 4．掌握信号的发生和转换单元电路的组成、基本原理及其重要技术指标的计算； 5．通过实验课，理解信号的产生、放大、运算等各种不同处理方法及其采用相应不同的单元电路增强实践能力，掌握必要的测试技能和整理实验数据的能力。 五、本课程的学时分配表 六、教材及教学参考资料 教材：《模拟电子技术基础》 主编：童诗白 参考资料：《电子技术基础》 主编：康华光 第二部分教学内容和教学要求 常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4 《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 （一）课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础，以集成电路为主体，通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用；通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解，掌握基本电路的设计与调试方法，便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析和解决问题的能力。（二）基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求： 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点： 放大电路的模型，放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点： 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容： 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍，引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解，待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求： 了解集成运放的主要结构，掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路，包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件－PSPICE。 教学重点： 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点： 对理想放大器的理解，“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容： (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下，放大器的电路参数及其物理意义。 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
模拟电子技术基础课程教学大纲
模拟电子技术基础考试试题复习资料
《模拟电子技术基础》教学大纲#
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
模拟电子技术基础试题汇总
模拟电子技术基础考试试题答案
模拟电子技术基础 考试大纲2011年
模拟电子技术基础考试大纲
模拟电子技术基础全套教案
“模拟电子技术基础”课程教学大纲
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术大纲
学习《电子技术基础》的一些心得体会
模拟电子技术基础教学大纲
模拟电子技术基础知识讲解
《模拟电子技术基础》教学大纲
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
相关主题
文本预览