一、填空题：（要求）
1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；
型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出
保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。
11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于
电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。
12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( );
Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。
13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( )
14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压V o=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。
二、选择题：
1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。
2、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？
3、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图中电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V。
4、图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示_______图。
5、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。设二极管正向压降为0.7V。
6、二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。（注：本题为往年考题）
7、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。
8、测得某NPN管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在_______区。
9、为保证BJT共发射极放大器不产生削波失真，并要求在2K得负载上有不小于2V得信号电压幅度，在选择静态工作点时，就应保证|ＩCQ|≥_______，|ＶCEQ|≥_______。
（注：以上两题为2000年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题）
10、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是____。
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.频率失真
11、如下电路能否实现正常放大？
12、在如图所示的基本放大电路中，输出端接有负载电阻R L，输入端加有正弦信号电压。若输出电压波形出现底部削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小R L的值，将出现什么现象？
A.可能使失真消失
B.失真更加严重
C. 可能出现波形两头都削平的失真。
13、为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入什么电路？
A.共射电路
B.共基电路
C.共集电路
14、在如图所示的放大电路中，设Vcc=10V，Rb1=4KΩ,Rb2=6KΩ,Rc=2KΩ,Re=3.3KΩ,Rl=2KΩ。电容C1，C2和Ce都足够大。若更换晶体管使β由50改为100，ｒbb'约为0)，则此放大电路的电压放大倍数____。
A.约为原来的2倍
B.约为原来的0.5倍
C.基本不变
D.约为原来的4倍
15、对于如图所示电路，问关于放大倍数的计算，以下式子哪个正确？
A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]
B.-β[(Rc||RL)/rbe]
C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)]
16、集成运算放大器是一种采用______耦合方式的放大电路，最常见的问题是__________，限于集成工艺的限制，在内部组成上，对高阻值电阻通常采用由三极管或场效应管组成的________来替代，或是采用
________的方法来解决。
17、在差动放大电路中，若Vs1=18mV，Vs2=10mV，则输入差模电压Vsd =______mV，共模输入电压
Vsc=______mV；若差模电压增益Avd= - 10，共模电压增益Avc= - 0.2，则差动放大电路输出电压
Vo=______mV。
18、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_______作用和对共模信号的_______作用。（注：本题为1998年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题）
（答案）
19、在不考虑反馈网络的附加移相作用时，负反馈转化为正反馈需
A：一级放大 B：二级放大 C：三级放大
20、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大
电路的输出电阻为：
A：10KΩ B：2KΩ C：4KΩ D：3KΩ
（答案与提示）
21. 在考虑放大电路的频率失真时。若Ui为正弦波，则Uo（）
Ａ有可能产生相位失真
Ｂ有可能产生幅度失真和相位失真
Ｃ一定会产生非线性失真
Ｄ不会产生线性失真
22 某电路有用信号频率为2KHz，可选用（）
A 低通滤波器
B 高通滤波器
C带通滤波器 D 带阻滤波器
23工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）A 开环或正反馈状态 B 深度负反馈状态
C 放大状态
D 线形工作状态
24与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）
A 不用输出变压器
B 不用输出端大电容
C 效率高
D 无交越失真
三、计算题
1、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
2、电路如图所示，V CC＝15V，β＝100，U BE＝0.7V。试问：
（1）R b＝50kΩ时，u O＝？
（2）若T临界饱和，则R b≈？
3、 电路如图所示，晶体管导通时U BE ＝0.7V ，β=50。试分析V BB 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。
4、 电路如图所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
5、电路如下图所示，晶体管的 ＝60，'bb r =100Ω。
（1）求解Q 点、u
A 、R i 和R o ； （2）设s U ＝10mV （有效值），问i U ＝？o U ＝？若C 3开路，则i U ＝？o U ＝？
6、电路如图下所示共集电极电路，晶体管的β＝80，r b e=1kΩ。
（1）求出Q点；
A 和R i；
（2）分别求出R L＝∞和R L＝3kΩ时电路的
u
（3）求出R o。
r=100Ω。
7、电路如图P2.13所示，晶体管的β＝100，'
bb
A 、R i和R o；
（1）求电路的Q点、
u
（2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
图P2.13
8、电路如下图所示，判断反馈类型，并求出输出与输入的表达式。
I
f o f I f o I f f o f u R
R R u uI uo R R R
b u R
R u u R R R u R R R
U a +==+-==+++=
-2211;)(;0)（叠加定理解：利用虚断及虚短和
9、 比例运放电路如下图所示，试求其输出电压Vo 与输入Vi1、Vi2的关系表达式。
10、试分别判断比较器类型，并求出图(a)、（b ）所示各电路的电压传输特性。
++
__20K 10K
40K V O1
V O
Vi1Vi2
160K
A1
A2
＋－∞
＋
(a ) 同相滞回比较器R 1
R 2
R 3u I
U R u O
＋－∞＋
(b ) 反相滞回比较器
R 1
R 2
R 3U R
u I u O
11、下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'bb r =100Ω，U B E Q
≈0.7。试计算R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流I E Q ，以及动态参数A d 和R i 。
12、判断图（a ）所示电路的反馈类型，并估算图(a)所示负反馈放大器的闭环电压增益
A uf =U o /U i 。
13、定性分析图所示电路，说明T1、T2在电路中的作用。
U i
－＋C 1
＋＋C 2R f
＋U o
V 2C 3
＋
＋
C F ＋－＋－
R f
＋U o
－
(a ) 电路(b ) 反馈网络
U C C
＋＋U f V 1
1R c 1
R b 2R c 2R e
2C e 1
C e 22R b 21R b 1
R e
1e
R ′1
R e
14:判断如图电路的反馈类型
15、判断如图电路的反馈类型
16、倍压整流电路如图所示，求输出电压ＶL2的值。
17、电路如图所示，设半导体三极管的β=80，试分析当开关K分别接通A、B、C三位置时，三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。
18、已知某共射放大电路的中频电压放大倍数为A um =-1000，f L =10Hz f H =1MHz ， 请画出该放大电路的对数幅频特性曲线图。 19、在下图所示运算放大电路中，已知v1=10mV ，v2=30mV ，推导输入输出表达式，并求vo=?
20、理想比例运放电路如下图所示，试指出反馈的类型，并求其电压放大倍数
1、 21、指出下列电路图的输入、输出接法，两个电路的电压放大倍数有何关系？
U1
U2
U3
R151k
R224.9k
R3
10.0k
R420k
R55.1k
Rf151k
Rf240.2k
1
3
5
6
2
7
4
+vo _
+
v1_
+v2_
8
9
+
-R F R 1
R 2
u i
u-u +
A u o
四、问答题
1、PN结是如何形成的？
2、二极管正、负极性的判断方法？
3、举例说明二极管的主要应用？
4、在三极管的输出特性曲线上三极管有哪三个区？各区的特点？
5、放大电路的组成及各元件的作用？
6、放大电路有哪三种基本分析方法？举例说明。
复习题答案
说明：将鼠标放在答案两字位置即有显示
一、填空题：（要求）
1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。
半导体中中存在两种载流子：电子和空穴。纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：N型半导体——多数载流子是电子；P型半导体——多数载流子是空穴。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截止区、放大区区和饱和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在放大区内。当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个PN结加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在反向击穿区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是一种电压控制器件。场效应管分为结型型和绝缘栅型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加入 5 价元素可形成N型半导体，加入 3 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数提高；负反馈使放大倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是稳定静态工作点，交流负反馈能够改善放大电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因而减小了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出电流保持稳定，因而增大了输出电阻。串联负反馈增大了放大电路的输入电阻；并联负反馈则减小了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：电压串联式、电压并联式、电流串联式和电流并联式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路串联联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电
路与一个RC高通电路并联联在一起，可以组成带阻滤波器。
11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的交流成分，同时，尽量保留其中的直流成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于小负载电流，而电感滤波适用于大负载电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低脉动成分。
12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( );
Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。
（答案）
13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( )
（答案）
14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压V o=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。
（答案）
二、选择题：
1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。
（答案与提示）
2、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？
（答案与提示）
3、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图中电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V。
（答案与提示）
4、图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示_______图。
（答案与提示）
5、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。设二极管正向压降为0.7V。
（答案与提示）
6、二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。（注：本题为往年考题）
（答案）
7、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。
（答案与提示）
8、测得某NPN管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在_______区。
9、为保证BJT共发射极放大器不产生削波失真，并要求在2K得负载上有不小于2V得信号电压幅度，在选择静态工作点时，就应保证|ＩCQ|≥_______，|ＶCEQ|≥_______。
（注：以上两题为2000年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题）
（答案）
10、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是____。
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.频率失真
（答案与提示）
11、如下电路能否实现正常放大？
（答案与提示）
12、在如图所示的基本放大电路中，输出端接有负载电阻R L，输入端加有正弦信号电压。若输出电压波形出现底部削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小R L的值，将出现什么现象？
A.可能使失真消失
B.失真更加严重
C. 可能出现波形两头都削平的失真。
（答案与提示）
13、为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入什么电路？
A.共射电路
B.共基电路
C.共集电路
（答案与提示）
14、在如图所示的放大电路中，设Vcc=10V，Rb1=4KΩ,Rb2=6KΩ,Rc=2KΩ,Re=3.3KΩ,Rl=2KΩ。电容C1，C2和Ce都足够大。若更换晶体管使β由50改为100，ｒbb'约为0)，则此放大电路的电压放大倍数____。
A.约为原来的2倍
B.约为原来的0.5倍
C.基本不变
D.约为原来的4倍
（答案与提示）
15、对于如图所示电路，问关于放大倍数的计算，以下式子哪个正确？
A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]
B.-β[(Rc||RL)/rbe]
C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)]
（答案与提示）
16、集成运算放大器是一种采用______耦合方式的放大电路，最常见的问题是__________，限于集成工艺的限制，在内部组成上，对高阻值电阻通常采用由三极管或场效应管组成的________来替代，或是采用
________的方法来解决。
（答案）
17、在差动放大电路中，若Vs1=18mV，Vs2=10mV，则输入差模电压Vsd =______mV，共模输入电压
Vsc=______mV；若差模电压增益Avd= - 10，共模电压增益Avc= - 0.2，则差动放大电路输出电压
Vo=______mV。
（答案）
18、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_______作用和对共模信号的_______作用。（注：本题为1998年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题）
（答案）
20、在不考虑反馈网络的附加移相作用时，负反馈转化为正反馈需
A：一级放大 B：二级放大 C：三级放大
（答案与提示）
20、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为：
A：10KΩ B：2KΩ C：4KΩ D：3KΩ
（答案与提示）
21. 在考虑放大电路的频率失真时。若Ui为正弦波，则Uo（）
Ａ有可能产生相位失真
Ｂ有可能产生幅度失真和相位失真
Ｃ一定会产生非线性失真
Ｄ不会产生线性失真
(答案)
22 某电路有用信号频率为2KHz，可选用（）
A 低通滤波器
B 高通滤波器
C带通滤波器 D 带阻滤波器
(答案)
23工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）A 开环或正反馈状态 B 深度负反馈状态
C 放大状态
D 线形工作状态
(答案)
24与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）
A 不用输出变压器
B 不用输出端大电容
C 效率高
D 无交越失真
(答案与提示)
25 某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（）
A 电流串联负反馈
B 电压并联负反馈
C 电流并联负反馈
D 电压串联负反馈
（答案）
26有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）
A 输入电阻大B输入电阻小
C 输出电阻大
D 输出电阻小
（答案）
三、计算题
1、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
解：U O1≈1.3V ，U O2＝0，U O3≈－1.3V ，U O4≈2V ，U O5≈1.3V ， U O6≈－2V 。
2、电路如图所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝0.7V 。试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？ （2）若T 临界饱和，则R b ≈？ 解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为
26b
BE
BB B =-=R U V I μA
V
256.215mA
6.2 C C CC CE B C =?-=-===R I V U I I β
所以输出电压U O ＝U CE ＝2V 。 （2）设临界饱和时管压降：U CES ＝0.3V ，所以
Ω≈-=-=
==
=-=-=
k 2.440294
.07
.02A
4.29mA 94.253
.015B BE BB b c CES CC S CS
BS CS I U V R I I R U V I μβ
临界饱和基极电流：临界饱和集电极电流：
3、 电路如图所示，晶体管导通时U BE ＝0.7V ，β=50。
试分析V BB 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。 解：（1）当V BB ＝0时，T 截止，u O ＝12V 。
（2）当V BB ＝1V 时，因为 60b
BEQ
BB BQ =-=
R U V I μA
V
9mA 3 C CQ CC O BQ CQ =-===R I V u I I β
所以T 处于放大状态。 （3）当V BB ＝3V 时，因为 160b
B E Q
BB BQ =-=
R U V I μA
BE
C CQ O BQ CQ mA 8 U R I V u I I CC ＜-===β
所以T 处于饱和状态。
4、 电路如图所示，试问β大于多少时晶体管饱和？ 解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则
C
b C BE
CC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-?
所以，100C
b
=≥
R R β时，管子饱和。
5、电路如下图所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
（1）求解Q 点、u
A 、R i 和R o ；
（2）设s U ＝10mV （有效值），问i U ＝？o U ＝？若C 3开路，则i U ＝？o U ＝？
解：（1）Q 点：
V
56.4)(mA
86.1 A
μ 31)1(e c EQ CC CEQ BQ CQ e
b BEQ CC BQ =+-≈≈=
≈++-=
R R I V U I I R R U V I ββ
u
A 、R i 和R o 的分析：
Ω
==-≈-=Ω≈=Ω≈++=k 3 95
)
( 952 952mV
26)
1( c o be
L c be b i EQ
bb'be R R r R R A r R R I r r u
∥∥ββ
（2）设s U ＝10mV （有效值），则
mV 304 mV
2.3 i
o s i s i
i ≈=≈?+=
U A U U R R R U u 若C 3开路，则
1、根据实际的输入信号和所需的输出信号时电压或电流，放大电路可 分为四种类型，即： 电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。 2、当温度升高时，三极管的参数变化趋势为：电流放大系数β升高 ，I B不变时，发射结正向电压V BE 降低。 3、串联负反馈只有在信号源内阻小时，其反馈效果才显著，并 联负反馈只有在信号源内阻大时，其反馈效果才显著。 4、FET是电压控制电流器件，只依靠一种载流子导电，属于 单极型器件。 5、 二阶低通滤波电路，当Q = 和ω/ωc = 时，20lg|A(jω)/A o| = ?3dB。 6、根据实际的输入信号和所需的输出信号时电压或电流，放大电 路可分为四种类型，即： 电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。 7、当温度升高时，BJT共射级连接时的输入特性曲线向左移 动，输出特性曲线向上移动。 8、引入串联负反馈可以提高输入电阻，而引入电流 负反馈则可以提高输出电阻。 9、BJT是电流控制电流器件，有两种载流子参与导电， 属于双极型器件。 欲使振荡电流能自行建立振荡，必须满足的条件。RC振荡电路 一般用来产生范围内信号。 1、半导体二极管按所用材料不同可分为 管和 管。 2、要使三极管处于放大状态，发射结必须 ，集电结必须 。 放大电路存在两种状态即未输入信号时的 态和输入信号时的 态。放大电路的电压放大倍数在高频区下降的主要原因是三极管的 电容和 电容的影响。三极管具有电流放大作用的实质是 电流实现 对 电流的控制。 3、能使输出电阻降低的是 负反馈，能使输入电阻提高的是 负反馈。 4、差分放大器能有效地抑制 信号，放大 信号。 5、负反馈有四种基本组态： 、 、 、和 。
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等 效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相 反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输 入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为 （）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz 才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（） 型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。
《模拟电子技术》复习试题一 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式， T接成共基 1 组态， T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏 2 置。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ， 相位条件是()πω?±=T 。 二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极 1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601.06===B C I I β， 985.01≈+=β βα （各1分，共2分）
2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R应如何接入？（在图中连接） f 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示：
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
应用电子技术模拟试题（3） 姓名班级学号 题号一二三四五六总分 得分 1、S7－200系列提供的定时器的精度分为 1ms 、 10ms 与 100ms 。 2、取整指令的梯形图指令的操作码是TRUNC、LN 。 3、PLC的程序结构分为集中输入、集中输出与周期性循环扫描。 4、字节寻址的格式由存储器标识符、数据大小、、起始字节地址组成。 5、PLC的输出接口类型有晶体管输出型、双向二极晶闸管输出型与继电器输出型。 6、顺序控制段开始指令的操作码是SCRT。 二、分析和设计（30分） 1、将梯形图程序转换为语句表程序。 答案： LDN A LD AN T16
OLD LDN C24 ON ALD O = 2、在如图所示的输入信号作用下，画出梯形图的输出信号 I0.0 I0.1 输入信号 答： 梯形图 3、简述S7-200系统的基本构成。 答:结构包括CPU模块、输入模块、输出模块、编程装置、电源模块 三、综合应用题（40分） 1、某一控制系统选用CPU 224（最大扩展电流为660mA），系统所需的输入输出点数各为：数字量输入24点、数字量输出20点、模拟量输入6点、模拟
量输出2点。试从下表所选择适合的元件中进行扩展。 要求：1）画出扩展后系统的硬件组态图 2）写出各扩展模块对应的地址范围 3）对扩展后的系统进行验证 扩展模块型号模块消耗电流（mA） EM 221 DI8×DC24V 30 EM 222 DO8×DC24V 50 EM 223 DI4/DO4×DC24V 40 EM 231AI4×12位20 EM 232 AQ2×12位20 EM 235 AI4/AQ1×12 30 答（1） （2）扩展模块选择： EM 221 DI8×DC24V 1个 EM 222 DO8×DC24V 1个 EM 223 DI4/DO4×DC24V 1个 EM 231AI4×12位2个 EM 232 AQ2×12位1个 数字量输入26点、数字量输出22点、模拟量输入8点、模拟量输出2点。 各模块对应的地址范围：在S7-200中，输入/输出点的地址只与其在系统中的物理位置有关。各种类型的I/O按照各自的种类，如数字量输入（I）、数字量输出（Q）、模拟量输入（AI）、模拟量输出（AQ）信号，分别排列地址。 （3）S7-200扩展模块上的I/O地址按照离CPU的距离递增排列。离CPU越近，地址号越小。扩展模块的实际I/O地址分配。就以CPU224为例，本体数字量它是14入10出，无集成模拟量的。对于数字量，凡是不足八位的，没有用到的位数不延续到下一个模块象本体，输入是从，对于扩展模块则从开始分配；其输出是从那么对于扩展模块则从开始分配.对于模拟量模块，因为都是字寻址的，不存在剩余位的问题，记住地址是以偶数增加就可以了，象上面例子，扩展模拟量模块就是AIW0 AIW4 AIW8，依次往后顺延就是。（扩展模拟量模块以4字节递增的方式来分配地址） 2、简述PLC的循环扫描过程 答案：PLC的工作方式采用不断循环的顺序扫描工作方式。每一次扫描所用的时间称为扫描周期或工作周期。CPU从第一条指令执行开始，按顺序逐条地执行用户程序直到用户程序结束，然后返回第一条指令开始新的一轮扫描。 PLC就是这样周而复始地重复上述循环扫描的。分析上述扫描过程，如果对远程I/O、特殊模块和其他通讯服务暂不考虑，这样扫描过程就只剩下“输入采样”、“程序执行”和“输出刷新”三个阶段了。下面就对这三个阶段进行详细的分析。
模拟电子技术复习题 (含答案)
模拟电子技术复习题 一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。） 第二章 （×）1. 运算电路中一般引入正反馈。 （√）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 第三章 （×）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （×）2. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。 （×）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。 （√）4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （×）5.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。 （√）6. PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。 （×）7. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 第四章 （√）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 （√）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。 （×）3. 晶体管的参数不随温度变化。 （√）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。 （×）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。 （√）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。（×）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （×）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。 （×）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。 （×）10.只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。 （×）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。 （√）12. 射极输出器的输入电流是B i，输出电流是E i，因此具有较高的电流放大倍数。 第五章 （×）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。
《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则与 该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 I O
11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 k Ω B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 C ．既有电流放大作用，也有电压放大作用 6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ ）。 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B
《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β
数字电子技术模拟试题及 答案 Prepared on 24 November 2020
《数字电子技术》模拟试题 一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为 （1） 。 2、“至少有一个输入为0时，输出为 （2） ”描述的是与运算的规则。 3、 （3） 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4） 、 （5） 和 （6） 运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 （7） 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 （8） 电平。 7、RAM 的三组信号线包括： （9） 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 （10） 位。 二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中 （11） 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 （12） 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码 器
5、有S1，S2两个状态，条件（15）可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同 三、简答题（共10分） 1、证明：B A+ = +（4分） A A B 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分） 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分） Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝；CP0＝。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝；K1＝；J0＝；K0＝。 3）列出其输出方程：（1分） Z＝
. 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
. 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 + + +++ +------Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V B=50 Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 ++++++ ------D2R Rb1Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Uo Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5 图3-1
《模拟电子技术》模拟题1及答案 一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（） 二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路 三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分）
《模拟电子技术》复习 一、选择题： 1.用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、 2.7V，则该BJT三个电极分别是C。 （A）B、C、E（B）.C、B、E（C）E、C、B 2.用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是B。（A）B、C、E（B）.C、E、B（C）E、C、B 3.测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=0.7V，V E=0V，则该管子工作在 A。 （A）放大区（B）截止区（C）饱和区 4.测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=4V，V E=3.6V，则该管子工作在 B。 （A）放大区（B）截止区（C）饱和区 5.稳压管的稳压区是其工作在C。 （A）正向导通（B）反向截止（C）反向击穿 6.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A。 （A）增大（B）减小（C）不变 7.工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β值约为C。（A）83（B）91（C）100 8.三极管放大电路的三种组态中，B组态的电压放大倍数总是略小于1。 （A）共射（B）共集（C）共基 9.共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为B。 （A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真 10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为A。 （A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真 11.差分式放大电路是为了C而设置的。 （A）稳定电压增益（B）放大信号（C）抑制零点漂移 12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路A能力。 （A）放大差模抑制共模（B）输入电阻高（C）输出电阻低 13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的B。 （A）差模电压增益增大（B）抑制共模信号的能力增强 （C）差模输入电阻增大 14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的C。 （Ａ）差值（Ｂ）和值（Ｃ）平均值 15.将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成双端输入-双端输出时，其差模放大倍数 将A。 （A）不变（B）增大一倍（C）减小一半 16.将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成单端输入-单端输出时，其差模放大倍数将 C。 （A）不变（B）增大一倍（C）减小一半 17.为了放大变化缓慢的小信号，放大电路应采用____A耦合方式。 （A）直接（B）阻容（C）变压器 18.为了抑制共模信号，输入级应采用____C_。 （A）共射放大电路（B）共集放大电路（C）差分放大电路
模拟电子技术复习题2 5.1．场效应管是电压控制元件，而双极型管是电流控制元件。在放大电路中，场效应管工作在饱和区，双极型管工作在放大区。 5.2电路如右图所示，其中 (a) (b) 图(a)是__C __组态。 A.共源-共射 B.共漏-共射 C.共漏-共集 D.共源-共集 图(b)是_ _D__组态。 A.共源-共射 B.共漏-共射 C.共漏-共集 D.共源-共集 5.3在右图所示放大电路中，耗尽型MOS管的g =1ms,r d趋于无穷大，各电容对交流信号可视为短路。 m 该电路的=_A___。 A. -3 B. 3 C. -5 D. 5 该电路的R i =___C_ 。 A. ∞ B. 3kΩ C. 5MΩ D. 5kΩ 该电路的R o =__D__。 A. ∞ B. 3kΩ C. 5MΩ D. 5kΩ 若C3开路，R 、R d 和R L不变，则的大小_A___。 A. 减小 B. 增大 C. 不变
6.1电流源电路的特点是：__D____。 A. 一个双口网络 B. 端口电流恒定，交流等效电阻小 C. 端口电压恒定，交流等效电阻大 D. 端口电流恒定，交流等效电阻大 6.2三极管电流源电路正常工作时，三极管处于____ _B____工作状态。 A. 截止 B. 放大 C. 饱和 D. 不确定 6.3电流源常用于放大电路，其作用是：___B ______。 A. 提高放大倍数的稳定性 B. 提供静态偏置，提高放大倍数 C. 作为放大电路的输入信号 D. 用来放大信号 6.4 4个电流源电路如图所示。其中哪个电路不能正常工作？___C _____。 6.5放大电路产生零点漂移的主要原因是：__ B______。 A. 电压增益太大 B. 环境温度变化 C. 采用直接耦合方式 D. 采用阻容耦合方式 6.6多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是____A____工作状态。 A. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 增益最高的一级
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 变宽 D. 无法确定 。 反向击穿 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 B. 前者正偏、后者反偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 13、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导 g m将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管 17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。 A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零 18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。 A.可变电阻（欧姆）区 B. 截止区 C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。D.电压控制电流 21 、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 22、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是 B 。 ① 0V 5.7V 图1 ① 9V 2.3V 图2
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用 （一）二极管的符号及伏安特性曲线： （二）二极管的特性：单向导电性 （三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型
（四）典型习题 1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。 （a）（b）（c） 2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。 （a）（b） 3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。 （a）（b）（c） 4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。 （a）（b）
二. 三极管及场效应管的应用 （一）三极管的符号及伏安特性曲线： i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const 此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线 （二）三极管的电流控制作用：B C i i β= （三）三极管放大电路的直流通路和交流通路： （四）三极管的交流等效电路： （五）三极管放大电路的组态
（六）放大电路的分析方法 交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。 图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。 （七）放大电路的非线性失真 饱和失真：工作点位于饱和区 截止失真：工作点位于截止区 注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。 （八）放大电路静态工作点稳定问题 Q 点不合适， 的波形要失真； ，A u 与I B 有关。 在电路中引入直流负反馈。 be L c u r R //R A ）（?- =β o u