课程：版式设计 系院：美术系 教师姓名： 授课班级：09级5班 时间：2010.11—2010.12
《版式设计Ⅰ》课程教学大纲 一、课程编码及课程名称 课程编码：301101612 课程名称：《版式设计Ⅰ》英文名称：Format designⅠ 二、学时、学分及适用专业 总学时数：64学时学分：3分适用专业：艺术设计专业（本科） 三、课程教学目标 版式设计Ⅰ课程是艺术设计专业的一门重要的课程，它的主要任务通过学习使学生掌握文字的韵律美感及书写规律；培养学生和训练学生快速设计和书写能力。使学生掌握设计的视觉要素、构成要素，版式设计表现内容与形式关系、设计要素及构成规律与方法，以及各种应用设计的形式特点，使学生能够进行具有感染力的版式设计，从而使作品的内容更清晰、更有条理的传达给读者。 四、课程的性质和任务： 本课程是艺术设计专业必修专业课。通过本课程的学习，使学生了解字体设计基本概念和字体的基本功能；了解字体的发展简史及字体的类型，掌握字体绘写的基本方法与要求及字体设计的方法与技巧。培养学生的专业素质，使学生充分认识字体设计在商业设计中的重要性，和字体设计未来发展的趋势。 五、课程教学的基本要求： 本课程应该结合实践知识，分阶段、针对性的进行版式设计的讲解，使学生从理论到实践，逐渐认识、掌握字体设计案例。因此在课程教学的方法上，授课教师应该多准备实例素材，通过幻灯、多媒体向学生展示讲解，并通过校外课堂示范教学，使学生更直观的学习版式设计步骤。从工艺与制作能力两个方面引导学生，从而真正达到提高学生应用能力的目的。 六、课程教学内容： 第一章文字的概述（共11学时） （一）本章教学基本要求 充分了文字的发展概况 （二）教学内容：1.1 由图画到字体的演变 1.2 东方文字的发展历史 1.3 西方文字的发展历史 教学重点：文字的演变 教学难点：中西方文字的演变 （三）小结： 通过对本章的学习能了解字体发展概况。 第二章文字创意的基本方法（共13学时） （一）本章教学基本要求 通过本章学习使学生了解汉字的基本造型结构，汉字书写的一般规律，掌握字体设计笔画结构变化的基本方法。 （二）教学内容：2.1 文字设计的目的和价值 2.2 文字创意设计的原则 2.3 中西文字的表征 2.4 文字创意设计的方法 教学重点：汉字的基本造型结构
集成电路设计基础 2010-11年第一学期试题 一、填空题（20分） 1、目前，国内已引进了12英寸0.09um 芯片生产线，由此工艺线生产出来的集成 电路特征尺寸是0.009um （大 小），指的是右图中的W （字 母）。 2、CMOS工艺可分为p阱、n阱、双阱 三种。 在CMOS工艺中，N阱里形成的晶体管是p （PMOS，NMOS）。 3、通常情况下，在IC中各晶体管之间是由场氧来隔离的；该区域的形成用到的制造工艺是氧化工艺。 4.集成电路制造过程中，把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道工序是指光 刻，包括晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干四个步骤； 其中曝光方式包括①接触式、②非接触式两种。 5、阈值电压V T是指将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压，根据阈值电压的不同，常把MOS区间分成耗尽型、增强型两种。降低V T 的措施包括：降低杂质浓度、增大Cox 两种。 二、名词解释（每词4分，共20分） ①多项目晶圆（MPW） ②摩尔定律 ③掩膜 ④光刻
⑤外延 三、说明（每题5分共10分） ①说明版图与电路图的关系。 ②说明设计规则与工艺制造的关系。 四、简答与分析题（10分） 1、数字集成电路设计划分为三个综合阶段，高级综合,逻辑综合,物理综合；解释这 三个综合阶段的任务是什么？ 2、分析MOSFET尺寸能够缩小的原因。 五、综合题（共4小题，40分） 1、在版图的几何设计规则中，主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距、各 层之间的最小交叠。把下图中描述的与多晶硅层描述的有关规则进行分类： （2）属于层与层之间的最小间距的是: （3）属于各层之间的最小交叠是： 2．请提取出下图所代表的电路原理图。画出用MOSFET构成的电路。
《模拟集成电路设计原理》期末考试 一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_ 较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来 表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输 出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制 沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。 二．名词解释（每题3分，共15分） 1、阱 解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS 第一章版式设计概念 https://www.doczj.com/doc/3f14726420.html,/sj/2008/bssj/show.aspx?id=480 [课程导入] 当我们面对设计主题，有了一个好的设计创意时，接下来就是如何把这一创意表现出来。设计创意的表现元素不外乎图形（或图片）、标题字、正文和色彩，这些，统称为版式设计的四大元素。 可以说，任何具体的设计，最后都会落实到对这四大元素的编排上来。 作为设计专业的学生，每进入到一门新的课程环节，要习惯于提出以下几个问题： 这门课程的学习目的是什么？ 这门课程将要解决什么问题？ 这门课程的构成要素是什么？ 这些要素有什么用？ 需要怎样结构才能使它们结合起来达到设计目的？ 请同学们带着问题进入我们的课程教学! 版式设计课程的教学目的是把版面上所需要的设计元素进行必要的编排组合，成为直观动人、简明易读、主次分明、概念清楚的美的构成，使其在传达信息的同时，也传达着设计者的艺术追求与文化理念；从而通过版式设计，给阅读者提供一个优美的阅读“空间”! 何谓版式设计？ 版式设计又称编排设计，是平面设计中的一个组成部分，为视觉传达设计的重要环节。版式设计当然要调动各类视觉元素进行形式上的组合排列，但更重要的是：版式上新颖的创意和个性化的表现。同时能够强化形式和内容的互动关系，以期全新的视觉效果。 版式设计的创意不完全等同于平面设计中作品主题思想的创意，既相对独立，又必须服务于其主题思想创意。优秀的版式设计，可以突出作品的主题思想，使之更加生动、更具有艺术感染力。 版式设计涉及到平面设计的各个方面，诸如广告、包装、报纸、杂志、书籍、宣传手册、CI、网页设计等（见图）。 电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期 集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川 一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释：(7分) 答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。 特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。 微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请 举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工 艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。 主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无 侵蚀；与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分) 答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高 版式设计学习心得 导读：我根据大家的需要整理了一份关于《版式设计学习心得》的内容，具体内容：学习了版式设计的课程后，怎样写好学习心得体会呢?下面我收集了体会的范文，希望对你有帮助篇一在没有学习版式设计之前，我完全不知道一本杂志，或者一张海报的设计有这么多讲...学习了版式设计的课程后，怎样写好学习心得体会呢?下面我收集了体会的范文，希望对你有帮助 篇一 在没有学习版式设计之前，我完全不知道一本杂志，或者一张海报的设计有这么多讲究，还以为只要把元素都摆上去看着舒服就行。我记忆最深的两个大的概念是一开始老师说的黑白灰层次和分栏线。版式设计和素描一样要分出黑白灰，同时不同等级的信息还要分成不同等级的灰，这样画面才会层次丰富。分栏线是相对理性的概念，在版式设计中至关重要，信息元素要按栏线排放才会井然有序，不会给人杂乱无章的感觉。这是我需要加强学习的方面。 在版式设计中有几大原则，一是整体性原则，二是简洁性原则，三是重复原则。任何版面都要注重整体，同时也不能忽略细节，细节体现品质。老师经常提到的一点很重要的是不能为了形式而形式，形式是服务于功能的，不要为了形式而忽略功能，要实现美观与功能的统一。 在学习中发现了很多问题，首先第一大问题就是软件操作不熟悉， 这点需要我们在以后的学习中加强。二是整体的观念不够强，容易出现杂或散的画面，这也要在以后的学习中多加注意，多分析好的作品。三是细节关注度不够，经常容易忽略细节，要多加注意。 设计的时候，如果设计者随意地进行处理而不考虑当中的原则方法及对象规律的话，那么很多时候都会出现一些不太好的结果。虽然感性是一种相当重要的因素，设计中一定要带有情感，但并不代表简单地依靠情感就能做出好的设计。相反，如果设计的时 候能够考虑到各方面的因素并运用恰当的方法的话，那么作品将更加得体和出色。在网页设计中，版式设计占的比重非常大，可以说版式的好坏直接决定页面的成败，也可以说它是网页视觉识别的基础。那么在具体视觉设计的时候，版式上有哪些原则及方法的? 为设计对象建立一个合适的网格。排版网格是由一些垂直和水平的线构成的结构，可以用来帮助内容结构化，它能够让对象产生秩序感。有些人说网格太过于呆板，影响设计创意，我个人觉得可以把网格当做一个整体大的框架，也可以作为设计师组织文字、图片的支架，它相当于是设计的基础，没有好的基础怎么能够谈得上出色的设计呢?所以网格不仅不影响创意的发挥，反而能使设计师思路得到理性地梳理。网格地使用，能较好地解决设计师关于页面中各元素定位的问题，在这基础之下可以做科学的精准的版式的规划。同时使用网格也是一个令您的设计变得高效的方法之一，在把草图转化为设计稿的过程中，在版式方面主要的难点是如何精确地安排各个元素，如果这时候呢够选择合适的网格进行设计，那么这个起点的意义是不可小看的。 集成电路设计练习题2009 1、说明一个半导体集成电路成本的组成。 2、简述CMOS工艺流程。简述CMOS集成电路制造的过程中需要重复进行的工艺步骤。 3、描述你对集成电路工艺的认识。列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？简述CMOS工艺技术的发展趋势。 4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？ 5、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx 其中，x为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为3~5v 假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。 6、请谈谈对一个系统设计的总体思路。针对这个思路，你觉得应该具备哪些方面的知识？ 7、描述你对集成电路设计流程的认识。 8、集成电路前端设计流程，后端设计流程，相关的工具。 9、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow，并列出其中各步使用的tool. 10、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。 11、简述半定制数字电路的设计流程。 12、简要说明并比较数字集成电路几种不同的实现方法。 13、什么是集成电路的设计规则。 14、同步电路和异步电路的区别是什么？ 15、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=AB+C(D+E) 16、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P管还是N 管，为什么？ 17、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？ 18、名词解释：VLSI, CMOS, EDA, VHDL, DRC, LVS, DFT, STA 19、画出CMOS与非门的电路，并画出波形图简述其功能。 《版式设计》课程标准课程编号：052045 使用专业：电脑艺术设计专业 课程类别：职业拓展领域 修课方式：必修 教学时数：44学时 教研室：电脑艺术设计工作室 编写日期：2012年5月 一、课程定位和课程设计 （一）课程性质与作用 课程的性质： 本课程注重设计前沿理论的研究和开发，是对学生艺术潜质、思维方式、创造能力等综合素质的全面开发和培养，帮助学生掌握科学的思维方法、搭建完备的设计理念构架、构建合理的设计知识体系，自觉地运用版式设计原理进行艺术设计。同时，本课程能有效地激发学生们的设计潜能，在艺术设计学习的过程中，不断地调整自己，从认识自我到超越自我，成为时代需求的艺术设计人才。本课程将积极组织并参与设计实践以及各种设计、创意大赛，使理论与实践结合，通过严格的基础训练和设计实践，使学生建立和掌握版式设计的概念和方法，并自如运用于艺术设计活动的各个领域。 课程的作用： 其前期必修课程是平面构成、色彩构成。与前续课程的联系（1）《手绘》培养学生具备一定的手绘能力、观察能力和审美能力。（2）《PhotoShop应用》培养学生具备一定的位图图形制作与处理的能力。（3）《Coreldraw应用》培养学生具备一定的矢量图形制作与处理的能力。（4）《标志与广告设计》培养学生具备一定的标志与广告设计的理念。为后续《书籍装帧设计》课程打下良好基础。 (二)课程基本理念 版式设计课程的教学目的是把版面上所需要的设计元素进行必要的编排组合，成为直观动人、简明易读、主次分明、概念清楚的美的构成，使其在传达信息的同时，也传达着设计者的艺术追求与文化理念；从而通过版式设计，给阅读者提供一个优美的阅读“空间”。何谓版式设计？版式设计又称编排设计，是平面设计中的一个组成部分，为 电科《集成电路原理》期末考试试卷 一、填空题 1.（1分） 年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。 2 ． （ 2 分 ） 摩 尔 定 律 是 指 。 3. 集 成 电 路 按 工 作 原 理 来 分 可 分 为 、 、 。 4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、 、 、 、 和去胶。 5.（4分）MOSFET 可以分为 增强型NMOS ，耗尽型NMOS ，增强型PMOS ，耗尽型PMOS___四种基本类型。 6.（3分）影响MOSFET 阈值电压的因素有： 、 以及 。 7.（2分）在CMOS 反相器中，V in ，V out 分别作为PMOS 和NMOS 的 栅极， 和 漏极 ； VDD ， 作为PMOS 的源极和体端， ，GND 作为NMOS 的源极和体端。 8．（2分）CMOS 逻辑电路的功耗可以分为 和 。 9.（3分）下图的传输门阵列中5DD V V =,各管的阈值电压1T V V =，电路中各节点的初始电压为0，如果不考虑衬偏效应，则各输出节点的输出电压Y 1= 4 V ，Y 2= 3 V ，Y 3= 3 V 。 DD 1 3 2 10.（6分）写出下列电路输出信号的逻辑表达式：Y 1= ；Y 2= ；Y 3= 。 A B Y 1 A B 2 3 二、画图题：（共12分） 1．（6分）画出由静态CMOS电路实现逻辑关系Y ABD CD =+的电路图，要求使用的MOS管最少。 2.（6分）用动态电路级联实现逻辑功能Y ABC =,画出其相应的电路图。 三、简答题：（每小题5分，共20分） 1.简单说明n阱CMOS的制作工艺流程，n阱的作用是什么？ 2.场区氧化的作用是什么，采用LOCOS工艺有什么缺点，更好的隔离方法是什么？ 3.简述静态CMOS电路的优点。 一、课程进度计划表 二、教案正文 第一章版式设计概念 1.教学目的：通过理论传授使学生了解版式设计是一种重要的视觉表达语言，是视觉传达设计专业重要的基础课程；掌握版式设计的基本概念及传统中国书的版式设计形式。 2.教学重、难点：（1）重点：版式设计概念的理解；（2）难点：传统中国书的版式。 3.教学方法、手段：教师讲授（√），启发式教学（√），课堂讨论（√），多媒体教学（√），当堂测验（√），提问式教学（√），实验（√）。 [课程导入] 当我们面对设计主题，有了一个好的设计创意时，接下来就是如何把这一创意表现出来。设计创意的表现元素不外乎图形（或图片）、标题字、正文和色彩，这些，统称为版式设计的四大元素。 可以说，任何具体的设计，最后都会落实到对这四大元素的编排上来。 作为设计专业的学生，每进入到一门新的课程环节，要习惯于提出以下几个问题： 这门课程的学习目的是什么？ 这门课程将要解决什么问题？ 这门课程的构成要素是什么？ 这些要素有什么用？ 需要怎样才能使它们结合起来达到设计目的？ 请同学们带着问题进入我们的课程教学! 版式设计课程的教学目的是把版面上所需要的设计元素进行必要的编排组合，成为直观动人、简明易读、主次分明、概念清楚的美的构成，使其在传达信息的同时，也传达着设计者的艺术追求与文化理念；从而通过版式设计，给阅读者提供一个优美的阅读“空间”! 第一节版式设计概念 一、什么是版式设计 版式设计又称编排设计，是平面设计中的一个组成部分，为艺术设计专业学习过程中的重要环节。版式设计当然要调动各类视觉元素进行形式上的组合排列，但更重要的是：版式上新颖的创意和个性化的表现。 集成电路设计方案习题答案章 CH1 1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？ 晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE 定律 2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计 3．多工程晶圆 的作用。P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点? SOI绝缘体上硅，能够经过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？ 肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子能够容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21 CH31．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。 意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长 2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,29 3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ X 射线 晶圆制备 1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。 2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。 3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。 4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是整型、定向、标识。 5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111）。 6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有确定晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。 7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时，并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。 8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。 9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。 10.晶片需要经过切片、磨片、抛光后，得到所需晶圆。 氧化 10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。 11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。 12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。 13．用于热氧化工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。 14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。 15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。 16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（蒸发）、退火和合金。 17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。 18．卧式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由平卧的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。淀积 19．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。 20．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。21．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。 22．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。 23．化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。 金属化 24．金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。 25．气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（）和（），则溅射区域选择在（）。 26．集成电路工艺中利用溅射现象主要用来（），还可以用来（）。 27．对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）、（平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。 28．在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铜），。 29．写出三种半导体制造业的金属和合金（Al ）、（Cu ）和（铝铜合金）。 30．阻挡层金属是一类具有（高熔点）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W ）和（W ）。 31．被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：（）、（）、（）和铜电镀。 32．溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过（），最后淀积在硅片上。 平坦化 33．缩略语PSG、BPSG的中文名称分别是（）、（）。 34．列举硅片制造中用到CMP的几个例子：（）、LI氧化硅抛光、（）、（）、钨塞抛光和双大马士革铜抛光。 35．终点检测是指（CMP设备）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（电机电流终点检测）和（光学终点检测）。 36．硅片平坦化的四种类型分别是（平滑）、部分平坦化、（局部平坦化）和（全局平坦化）。 37．传统的平坦化技术有（）、（）和（）。 版式设计总结 所谓的版式设计就是在有限的空间里，编排，安排，组织管理图片、图形、文字色彩及工艺，材料等设计要求，同样的要素通过不同的编排会产生不同的效果。编排组织，管理设计师版式设计的重点。 在上这门课前我从来没想到版式也可以这么多样化，也可以这么的自由化，第一次感觉这个专业的广泛性。在现代社会，编排设计早成为了世界不可缺乏的视觉性公共语言在学习过程中，我了解到原来编排也要有这么多的学问，要先放主体，再编排，格式要注意大字配小字、分栏、字距等，要根据“米”字格式来排放等规则，是以字体、图形、色彩搭配形成的编排版式。通过几周的学习，让我基本了解了版式设计的构成要素、形式的法则等。 版面的基本理论中构成要素包括文字，图形，图片等，图片又包括方形图片、去底图片、多边形图片，异形，曲线形等要素。图形的形式又分三种：出血图形、退底图形、形状图形。文字最注重字体、字号、字距、行距。版面的设计形式法则有位置、方向、紧空紧、比例与分割、对称与均衡、节奏与韵律的等。 版式设计的基本编排有很多种：骨格型，满版型，1/2版，2/3版，叠加与聚散型等多种编排。老实说，我不知道我达到的是什么境界，但我明白在制作自己想象中的版式无疑是一种享受，不管是什么形式的编排都有它独特的艺术感受，前提是要有它的节奏韵律。 版式设计主要强调创意的表现，分为两种创意，一是针对主题思想的创意，一种是版面编排的设计创意。另外还要有优越的审美观念，追求个性品味。审美观念是可以慢慢培养的，一个优秀的版式设计不只是字体，图形、色彩等视觉元素组合的载体，它是创意者的构思舞台。版式设计主要是以视觉来判断整体的构思效果，所以要利用表面的形式来感受其主题思想。 开学以来所有的课程里，我觉得版式设计我学习得最充实，了解到的最多，刚做完稿的时候老师都会针对我们每个人的错误进行提改，让我们了解自己的不足，也吸收别人的长处，让我们有很大的进步空间。当老师把学姐（长）他们的作品拿给我们看的时候，我感觉好震撼，就想那要多大的耐心才能完成这样的作品，消耗的时间也很快，弄得我们常常忘记放学，每次几乎每次都是老师提醒。也对，老师说过这作业其实不难就是麻烦。俗话说“世上无难事，只怕有心人”嘛！ 经过这几周的实践练习，我发现好像越做越简单，越做越顺似的，刚开始做的时候总是犹豫不绝，不知图片、字体该放哪里，慢慢的掌握了其基本理念，也就不那么难拿捏了，在这门课上真的学习到了不少东西。 眼看这个课程就要结束了，虽然为了这个版式严重睡眠不足，但一看到自己装订出来的版式，心里就都是满满的满足感。 竭诚为您提供优质文档/双击可除 版式设计的学习心得 篇一：版式设计心得 版式设计学习总结 班级：工业设计（工科）姓名：黄伟学号：1108031031 版式设计的学习使我基本掌握了版式设计的构成要素，版式设计的形式法则，版面设计的构成原理等。老师给我们欣赏了许多优秀的版式作品，并让我们进行版式设计，一边学习一边制作。 我们的版式设计老师把我们的课安排好了，前两周将一些版式的基本知识版面设计的构成要素，版面的设计中的具象要素是文字，图形，图片等，抽象要素则为点、线、面。无论是版面上内容多么复杂最终都可以归结到点线面上。版面设计的黑白灰是指在版面中不同明度的色彩与版面之间 色基本协调关系。版面设计的形式法则有位置、方向、空白、比例与分割、对称与均衡、渐变、重复变异、节奏与韵律等。版面设计构思与创意其内容与形式，局部与整体，以及其信息性，审美性，趣味性等基本的知识，我们老师又让我们动 手剪纸粘贴成自己觉得比较好的版面，在剪切的过程使我们对版式设计有更深的理解，也让我们更进一步的明白版式中的点线面和黑白灰还有版式法则。从版式设计的教学设计来说，每个上课时间都会有专门的理论课讲解时间、快速的评论优秀作品时间、以及自己动手练习的时间，时间的安排的很紧凑，但又很恰当、合理。这样的教学设计使我们的学习，有条不紊，效率比较高。 老实说，我暂时无法领会到这种境界，但一幅制作精良、设计优美的报纸版面无疑能给人一种玄妙的艺术享受。读一份版式精致典雅、清新优美、疏朗通透的报纸，赏心又悦目，实在是一种难能可贵的阅读享受。 从版式设计的教学内容来看，教学的各个章节都是由浅入深、循序渐进的，各小节都很有秩序、有条理，分别都有理论知识的讲解、优秀案例的分析、课后作业、以及作业点评、重点提示、阶段总结等等。教学的内容极其丰富，教学内容的安排很有自己的特色，这种讲学的步骤对于我们来说也是一种好的学习方法的引导，这样做设计或是学习的思路，我们在以后的学习过程中加以学习。在教学内容里，各个环节都是必不可少的，基础理论知识的讲解，简练概括，意蕴深厚；优秀案例分析，有代表性、内容丰富；课后作业，巩固所学知识；作业点评，分析问题到位；重点提示，内容精悍、用途很大；阶段总结，概括性强，但又不忽略重难点。 集成电路基础工艺和版图设计测试试卷 （考试时间：60分钟，总分100分） 第一部分、填空题（共30分。每空2分） 1、NMOS是利用电子来传输电信号的金属半导体；PMOS是利用空穴来传输电信号的金属半导体。 2、集成电路即“IC”，俗称芯片，按功能不同可分为数字集成电路和模拟集成电路，按导电类型不同可分为 双极型集成电路和单极型集成电路，前者频率特性好，但功耗较大，而且制作工艺复杂，不利于大规模集成；后者工作速度低，但是输入阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成。 3、金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管即MOS管，是一个四端有源器件，其四端分别是栅 极、源极、漏极、背栅。 4、集成电路设计分为全定制设计方法和半定制设计方法，其中全定制设计方法又分为基于门阵列和标准单元 的设计方法，芯片利用率最低的是基于门阵列的设计方法。 第二部分、不定项选择题（共45分。每题3分，多选，错选不得分，少选得1分） 1、在CMOS集成电路中，以下属于常用电容类型的有（ABCD） A、MOS电容 B、双层多晶硅电容 C、金属多晶硅电容 D、金属—金属电容 2、在CMOS集成电路中，以下属于常用电阻类型的有（ABCD） A、源漏扩散电阻 B、阱扩散电阻 C、沟道电阻 D、多晶硅电阻 3、以下属于无源器件的是（CD ） A、MOS晶体管 B、BJT晶体管 C、POL Y电阻 D、MIM电容 4、与芯片成本相关的是（ABC） A、晶圆上功能完好的芯片数 B、晶圆成本 C、芯片的成品率 D、以上都不是 5、通孔的作用是（AB ） A、连接相邻的不同金属层 B、使跳线成为可能 C、连接第一层金属和有源区 D、连接第一层金属和衬底 6、IC版图的可靠性设计主要体现在（ABC）等方面，避免器件出现毁灭性失效而影响良率。 A、天线效应 B、闩锁（Latch up） C、ESD(静电泄放)保护 D、工艺角（process corner）分析 7、减小晶体管尺寸可以有效提高数字集成电路的性能，其原因是（AB） A、寄生电容减小，增加开关速度 B、门延时和功耗乘积减小 C、高阶物理效应减少 D、门翻转电流减小 8、一般在版图设计中可能要对电源线等非常宽的金属线进行宽金属开槽，主要是抑制热效应对芯片的损害。下面哪些做法符合宽金属开槽的基本规则？（ABCD） A、开槽的拐角处呈45度角，减轻大电流密度导致的压力 B、把很宽的金属线分成几个宽度小于规则最小宽度的金属线 C、开槽的放置应该总是与电流的方向一致 D、在拐角、T型结构和电源PAD区域开槽之前要分析电流流向 9、以下版图的图层中与工艺制造中出现的外延层可能直接相接触的是（AB）。 A、AA（active area） B、NW（N-Well） C、POLY D、METAL1 1 《模拟集成电路设计原理》期末考试 一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容Cin为__ CF（1－A） __。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。 二．名词解释（每题3分，共15分） 11、1、阱 解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解：实际上，VGS=VTH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当VGS 集成电路设计基础 2010-11年第第一学期试题 1、填空题（20分） 1、目前，国内已引进了12英寸0.09um芯片生产线，由此工艺线生产出来的集成电路特征尺寸是0.009um （大小），指的是右图中的 W （字母）。 2、CMOS工艺可分为 p阱、 n阱、双阱三种。 在CMOS工艺中，N阱里形成的晶体管是 p （PMOS， NMOS）。 3、通常情况下，在IC 中各晶体管之间是由场氧来隔离的； 该区域的形成用到的制造工艺是氧化工艺。 4.集成电路制造过程中，把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道 工序是指光刻，包括晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干四 个步骤； 其中曝光方式包括①接触式、② 非接触式两种。 5、阈值电压V T是指将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的 电压，根据阈值电压的不同，常把MOS期间分成耗尽型、增强型 两种。降低V T的措施包括：降低杂质浓度、增大Cox 两种。 二、名词解释（每词4分，共20分） ①多项目晶圆（MPW） ②摩尔定律 ③掩膜 ④光刻 ⑤外延 三、说明（每题5分共10分） ① 说明版图与电路图的关系。 ② 说明设计规则与工艺制造的关系。 四、简答与分析题（10分） 1、数字集成电路设计划分为三个综合阶段，高级综合,逻辑综合,物理综合；解释这三个综合阶段的任务是什么？ 2、分析MOSFET尺寸能够缩小的原因。 五、综合题（共4小题，40分） 1、 在版图的几何设计规则中，主要包括各层的最小宽度、层与层 之间的最小间距、各层之间的最小交叠。把下图中描述的与多 晶硅层描述的有关规则进行分类： （1）属于最小宽度是： （2）属于层与层之间的最小间距的是: （3）属于各层之间的最小交叠是： 图1 版式设计论文摘录、读书笔记系列之四 创意版式设计的新特点 平面设计中的创意为两种，一是针对主题思想的创意；二是版面编排设计的创意。将主题思想的创意与编排技巧相结合的表现，以成为现代编排设计的发展趋势。在编排的创意表现中，文字的编排具有强大的表现力，它生动、直观、富于艺术的表现与传达。文字与图形的配置，已不是简单的，平淡的组合关系，而是更具有积极的参与性和创意表现性，与图形达成最佳配置关系来共同表现思想及情感。这种手法，给设计注入了更深的内涵和情趣，是编排形式的深化，是形式与内容完美的体现。 创意版式设计的重要特点是其实验性，体现在书籍版面设计上是无边界性。设计的形式与内容关系可以是形式表现内容，也可以是形式的自我表达。如果说，印刷术的发明改写了图书的历史，那么创意版式设计的出现则带来了根本的设计改革：版面设计形成了自身的设计语言，图书设计师们不得不面对着新媒介迅速转型，这种转型具体说来有如下特色： 1.字体设计的不断进步是创意版式设计的特色之一。电脑字体是从工业革命以来标准化的逆转，呈现非标准化、民主化的趋向，是字体设计上的重大转变。字体设计者从原先的手工雕刻金属字体的劳作中解脱出来，他们的精力可以更多的关注设计表现问题。 2.图文混排是其特色之二。在创意版式中，版面中的每一个字体、符号、图片都是画面中的有机元素，可以将图形做虚与实的对比处理，文字与图片之间互相穿插、混杂、融合，整个版式设计被当做一幅画来“绘”成；字体与图形的运动方向、速度感相配合两者的叠加、重合增加了版面的层次感。一般来说，创意版式设计手法有线性方法、空间压缩方法、平行文本、多层、矩阵以及形成网络层次等。 3.“图像化”是特点之三。在创意版式设计中，图片是图像，文字也是图像，版面中文字经过配合图形的形象化处理，可以当做图形来阅读，设计者可以对版面上的图像进行拼贴、消退、淡出、加轮廓线、重叠、增减透明度、强化符号形象等的处理，真正做到了“只有想不到，没有做不到”。 4.色彩运用是创意版式设计的特色之四。当今的图书印刷逐渐突破了以单色为主的局限，用双色、彩色成为主流，主要原因是读者渴望彩色的图书。在版式设计上，全书的色调，明度都要仔细推敲，这也是图书一个很好的卖点，色彩可以有丰富的层次，满足读者的视觉需要。 半导体芯片制造高级工考试试题 ?一、填空题 ? 1.禁带宽度的大小决定着（电子从价带跳到导带）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。 ? 2.硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用( 硫酸)系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。 ? 3. 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（氧化物），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。 ? 4. 在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（组装）。? 5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（导电胶粘接）、( 银浆烧结)等。 ? 6. 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般( 大于)同类电极系统的楔刀焊接。 ?7. 芯片焊接质量通常进行镜检和( 剪切强度)两项试验。 ?8. 如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0 倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合( 不合格)。 ?9. 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内( 湿度)控制。 ?10 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而( 可靠性)设计也包含在这三部分中间。?11. 厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，( 氧化铍陶瓷)，氮化铝(A1N)陶瓷。?12.微波混合集成电路是指工作频率从300 ～100 的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和( 集总参数)微波混合集成电路两类。 ?13.外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（不够）；反应室漏气；外延层的晶体（质量差）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。?14.离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（平均投影射程）和（平均投影标准差）。 ?15、二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（氧化）、（气相）淀积、淀积。 ?16、半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（结介质）（结隔离）（结介质混合）隔离等三种基本方法. 集成电路设计期末考试试题（ A ）卷参考答案 一、填空题（每空一分，共20分） 1. 2 1 2. Q=CV GE 3. 衬底掺杂浓度 4. 体效应 5. 沟道中载流子的迁移率阈值电压V T随温度的变化 6. MOS管的栅宽偏置电流 7. 1/A2 1/A2 8. 温度垂直电场水平电场9. 互连线电阻电容电感传输线 10. CXXXXXXX N+ N- V ALUE＜IC=INCOND＞ 二、简答题（每题10分，共60分） 1.答：A当沟道长度L减小时阈值电压降低，而沟道宽度W变窄时引起阈值电压提高； B随着Vds的增加，在漏区的耗尽层宽度会有所增加，导致阈值电压提高。 C 实际栅长有一部分覆盖在氧化层上，氧化层下面会引起耗尽电荷，栅电压要加的 较大才能使沟道反型。 D 栅电压增加时，表面迁移率会下降 E 当Vds增大时，MOS管的漏端沟道被夹断并进入饱和区，Vds进一步增大，使沟 道的有效长度减小 2. 答：A源漏扩散电阻，在金属栅与硅栅技术的CMOS 工艺中，与漏源区同时制成，，方块电阻为20-100欧，不宜制作大电阻，误差为±20%，不能制作精密电阻。 B P/N阱扩散电阻，该结构电阻值较大，为1000-5000欧，面积也大，误差为±40%。 C 注入电阻。由于离子注入精度可以控制掺杂浓度和注入深度，且横向扩散小，方块电阻为50-1000欧，可以制作大电阻而不占用大面积 D 多晶硅电阻。方块电阻为30-200欧，，难以制作精密电阻 E薄膜电阻，该电阻的线性度好。 3. 答： 4答：SPICE软件包含三个内建MOS场效应管模型： ①1级模型通过电流—电压的平方律特性描述,考虑了衬底调制效应和沟道长度调制 效应。 ②2级模型是一个详尽解析的MOSFET模型。考虑了沟道电压的影响，对基本方程版式设计概念
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