第三章 三极管放大电路基础习题解答
3．1 对于典型的晶体管，其β值范围一般为150~50，试求其对应的α值范围。 解：因为β
β
α+=
1，当β值范围为150~50，α值的范围为0.98~0.993。
3．2 如果两个晶体管的参数α分别为0.99和0.98，则两个晶体管的β分别为多少？若其集电极的电流为mA 10，则对应的基极电流分别为多少？ 解：因为α
α
β-=
1，C B I I β
1
=
。当99.0=α时，100=β，mA I B 1.0=；当98
.0=α时，50=β，mA I B 2.0=。
3．3 对于一个晶体管，若其基极电流为A μ5.7，集电极电流为A μ940，试问晶体管的β和α分别为多少？ 解：33.1255.7940===
B C I I β， 992.033
.125133
.1251=+=+=ββα 3．4 对于一个PNP 型晶体管，当集电极电流为mA 1，其发射结电压V v EB 8.0=。试问，当集电极电流分别为mA 10、A 5时，对应的发射结电压EB v 分别为多少？ 解：因为T
BE
V V S C e
I I =，则有???? ??=S C T BE I I V V ln ，因此有???
?
??=S C T BE I I V V 11ln 。所以有???
?
??=-C C T BE BE I I V V V 11ln
若令
mA I C 101=时，V I I V V V C C T BE BE 06.0110ln 26ln 11=???
???=?
??
? ??=-，则
V V V BE BE 86.006.08.006.01=+=+=
若令
A I C 51=时，V I I V V V C C T BE BE 22.015000ln 26ln 11=???
???=???
? ??=-，则
V V V BE BE 02.122.08.022.01=+=+=。
3．5 在图P3.5所示的电路中，假设晶体管工作在放大模式，并且晶体管的β为无限大，试确定各图中所对应标注的电压、电流值。
(a)
(b)
(c)
6
(d)
V 2
-8V
图P3.5
解：因为晶体管的β为无限大，则有0=B I ，E C I I =。 (a) mA I 110
7
.07.101=-=
,
(b) ()mA I I E C 51
105=---=
=,V I V E 28.2122-=?-=
(c) ()mA I I I E C 12
1083=---=
==,V
V 14=
(d) mA V V I EE CC 965.020
7
.010*******.05=-+=+
--=
,V I V 35.0101056=?-=
3．6 晶体管电路如图P3.6所示，试确定各晶体管的β值。
(a) +9V
(b)
(c)
图P3.6
解：（a ） A K V I B μ104303.4==
，mA K
V
I C 122==，100101===A mA I I B C μβ。 （b ） mA K I B 1.0203.23.4=-=
，mA V
I E 10230
3.2==，mA I I I B E C 9.91.010=-=-=，
991.09.9===
mA
mA I I B C β。 （c ） mA K
I E 119
10=-=
，V K I V E C 11=?=，mA K V I C B 0487.01503.8=-=
， mA I I I B E C 913.0=-=，53.190487.09513.0===
mA
mA
I I B C β。
3．7 假设晶体管的厄尔利电压为V V A 200=。当晶体管的集电极电流分别为mA 1、A μ100时，则晶体管的输出电阻o r 分别为多少？ 解：因为C
A o I V r =
，当mA I C 1=时，Ω=K r o 200；当A I C μ100=时，Ω=M r o 2
3．8 对于一个晶体管，当集电极电流为A μ10时，对应的输出电阻o r 为ΩM 10，则其厄尔利电压为多少？如果集电极电流变为mA 10时，此时晶体管的输出电阻为多少？
解：V r I V o C A 100101010106
6=???==-，当集电极电流变为mA 10时，晶体管的输出
电阻变为Ω==
=
K mA
I V r C
A o 1010100
。
3．9 在图P3.9所示的电路中，假设晶体管的β无限大，且V V BE 7.0=。当B V 分别等于V 3、
V 1、V 0时，试求对应的E V 和C V 电压。
C
E
图P3.9
解：当V V B 3=时，假设晶体管工作在放大状态，则有V V V V BE B E 3.27.03=-=-=，
mA K
V I I E
E C 3.21==
=，V K I V C C 7.619=?-=，
()V V V V V V sat CE E C CE 3.04.4=>=-=，假设正确。
当V V B 1=时，假设晶体管工作在放大状态，则有V V V V BE B E 3.07.01=-=-=，
mA K
V I I E
E C 3.01==
=，V K I V C C 7.819=?-=， ()V V V V V V sat CE E C CE 3.04.8=>=-=，假设正确
当V V B 0=时，因其小于V V BE 7.0=，晶体管工作在截止状态，则有，0===B E C I I I ，
V K I V C C 919=?-=，V V E 0=
3．10 在图P3.9所示的电路中，假设晶体管的β无限大。试求晶体管仍然工作在放大模式时的最大值B V 。
解：BE B E V V V -=，K
V I I E
E C 1=
=，BE E C C V V K I V +-=?-=919。为了保证晶体管仍然工作在放大模式时，要求B C V V ≥，则有V V B 85.4≤，其最大值为4.85V 。 3．11在图P3.11所示的电路中，假设晶体管的β无限大，且V V BE 7.0=。试确定各图中标注的电压、电流值。
2
(a)
(b)
(c)
Ω
+10V
8
(d)
V 3
5
7
1
9
V 10
图P3.11
解：因为晶体管的β无限大，且V V BE 7.0=，则0=B I
(a)V V B 0=，V V V V BE B 7.07.001-=-=-=，V V 4.323.3102=?-= (b)V V V BE E 7.02-=-=，()mA K V I E 98.17
.43
.97.41024==--=
，
V V 47.398.13.3103=?-=
(c)
V
V 06=，
V
V V V EB 7.07.0067=+=+=，
mA V I E 98.17
.4107
3=-=
，V K I V E 47.3103.335-=-?=
(d)()V V 5.210300
180180
1030018030010=-?++?+=
，V V V V EB 2.37.05.2108=+=+=
mA K
V I E 18.6108
4=-=
，V K I V E 0101049=-?=
3.12 一个PNP 型的晶体管电路如图P3.12所示。晶体管的50=β，V V C 5=，试确定电阻C
R 的值。此时当晶体管的β变化为100=β时，试问电路的工作情况发生了什么变化？
解：V
V V EB B 3.97.01010=-=-=A K
V I B
B μ93100== ，
mA I I I B B C 65.450===β，Ω===
K mA
I V R C C C 075.165.45
当β变化为100=β时，mA I I I B B C 3.9100===β，
V R I V C C C 10==。此时()V V V V V V sat CE C E EC 3.001010=<=-=-=，因此晶体管工
作在饱和状态了。
3.13 在图P3.13所示的电路中，当晶体管的β为如下情况时，试确定51~V V 的电压值。
（a ）∞=β，(b) 100=β
解：当∞=β时，021==B B I I ，则有V V 01=，V V V V EB 7.07.0012=+=+=，
mA K
V I E 022.11.9102
1=-=
，
V K I V E 7.0101.913-=-?=，
V V V V BE 4.134-=-=，
()mA K
V I E 23.41042=--=
， V K I V E 2.01.51025-=?-=
K 100 C
V 5
V 4
当100=β时，mA K K V I EB E 922.011001.9101=++
-=
β
，mA I I E C 912.0111=+=
ββ
，忽略晶体管T2的基极电流，则有V K I K I V E B 913.010011001
11=?+=
?=β
， V K I V C 7.1101.913-=-?=，V V V V BE 4.234-=-=，()mA K
V I E 767.13.41042=--=，
V K I V E 99.01.51025=?-=
又因为mA I I E B 017.012
2=+=
β
，其值小小于1C I ，因此忽略晶体管T2的基极电流是合理的。 3.14 某晶体管的120=β，并且工作在放大模式，试求晶体管的集电极电流分别为mA 5.1和
A μ150时的晶体管交流小信号模型参数e be m r r g 、、的值。
解：当mA I C 5.1=时，mS mV mA V I g T C m 69.57265.1===
，()Ω=+==2.171m
m e g g r ββα，()Ω=+=K r r e be 08.21β。
当A I C μ150=时，mS mV A V I g T C m 769.526150===
μ，()Ω=+==1721m
m e g g r ββα，()Ω=+=K r r e be 8.201β。
3.15 为了设计一个晶体管放大器，要求晶体管的跨导mS g m 100=，晶体管的基极输入阻抗不小于ΩK 1，则发射极的偏置电流应如何选择，晶体管的最小β要求为多少？ 解：因T C m V I g =
，则mA mV mS V g I T m C 6.226100=?==，又()m
e be g r r β
β=+=1，则1001100=Ω?==K mS r g be m β。mA I I I C C E 626.211
=+=
=
β
β
α
。
因此发射极的偏置电流应选择2.626mA ，晶体管的最小β要求为100。
3.16 在图3-7-1所示的电路中， V V CC 10=，Ω=K R C 2。若调节BEQ V 的电压，使得
V V CEQ 2=。此时输入交流信号()V t v be ωsin 004.0=时，请写出()t i C 、()t v C 、()t i B 的总瞬
时量，并求该放大器的电压增益为多少？假设晶体管的100=β。
解：在直流情况下，V V V CEQ CQ 2==，mA R V V I C
CEQ
CC CQ 4=-=
，
A mA I I CQ
BQ μβ
4004.0===
。mS V I g T
CQ m 85.153==
，
则放大器的电压增益为7.307-=-C m R g
()mA t v g i be m c ωsin 6154.0==，()A t
i i c
b
μωβ
sin 154.6==
，
()V t
R i v C c c ωsin 2308.1-=-=
则()()mA t
i I t i c CQ C ωsin 6154.04+=+= ()()V t v V t v c CQ C ωsin 2308.12-=+= ()()A t
i I t i b BQ B μωsin 154.640+=+=
3.17 利用电流源偏置的晶体管放大器电流如图P3.17所示，假设晶体管的β为无限大，试求集电极的直流电压C V 和晶体管的跨导m g 。代入晶体管的混合π模型，确定放大器的电压增益i c v v 。
i
v c
C v +C
v
图P3.17
解：集电极的直流电压V IR V V C CC C 3215=?-=-=，mS V I
V I g T
T
CQ m 5.38==
=
； i be v v -=，K v g K v g v i m be m c 22?=?-=，电压增益i c v v 为92.762=K g m 。
3.18 对于某个晶体管，它的104=β。若基极电流为A μ6.7，则对应的e r 、be r 、m g 分别为
多少？ 解：Ω===
K A mV I V r B T be 42.36.726μ，Ω=+=+=6.321
10442
.31βbe e r r ，mS r g be m 41.30==β 3.19 对于某个PNP 型晶体管，它的99.0=α，当发射极电流为mA 80.0时，则对应的e r 、be r 、
m g 分别为多少？
解：
Ω===5.328.026mA mV I V r E T e ，()Ω=-=+=K r r r e e be 25.311α
β，mS r g e m 46.30==α 3.20 在图3-8-4所示的电路中，晶体管的100=β。当V V BB 2=时，试求放大器的电压增益。 解：A K R V V I BB BE BB B μ131007
.02=-=-=
，mS V I V I g T B T C m 50===β，
电压增益为
150-=-=C m i
o
R g v v 。 3.21 对于一个实际的晶体管，若将其集电极与基极直接短接，则晶体管仍然工作在放大模式，因为晶体管的集电结仍然工作在反偏状态，这就是晶体管的二极管接法。试利用混合π型模型求解其两端的交流电阻。
解：其等效电路如下图所示，在不计o r 时有
be ce v v v ==，e be be be m be
be m be be be m c r v
v r v r r g v r g r v v g i i =+=+=???? ?
?+=+
==β111 则其两端的等效电阻为e o e r r r i v
R ≈==
//
b
R
e
c i
3.22 晶体管放大器电路如图P3.22所示，假设晶体管的β为无限大，试求晶体管的集电极电流CQ I 。利用晶体管的小信号模型分析可得
e E E
i o r R R v v +=1，e
E C i o r R R v v +-=α2
试求出它们的增益，假设1=α。
R Ω
V
15=2
o v Ω
R 1
i
v
图P3.22
解：因为晶体管的β为无限大，则有V V R R R V CC B B B B 5.72
12
=+=
，
mA K R V V I I E BE B CQ EQ 18.67.05.7=-=-=
=，mS V I g T
CQ m 5.38==，Ω==26m e g r α
。在忽略o r 时，则对于输出为1o v 来说，它是一个射极跟随器电路，其等效电路如下左图所示。
()e
o i o i be m be be be m o r v v v v r g r v v g i 111-=-???? ??+=+=，()11o i e E E o o v v r R R i v -==，则有 i e E
e E o v r R r R v =???? ?
?+11，即e E E i o r R R v v +=1
1
o o
i v 2
o v b
i
对于输出为2o v 来说，它是一个改进型的共发放大器电路，其等效电路如上右图所示。
be e E be E be be E be be m E be m be be be i v r R v R r v R r r g R v g r v v v ???? ?
?+=???? ??++=???? ??++=???? ??++=11111β
C be m o R v g v -=2，则放大器的增益为
e
E C
e E C m i o r R R r R R g v v +-=+-=α12 996.0268.68.61=+=+=K K r R R v v e E E i o ，5.026
8.63.42-=+-=+-=K K r R R v v e E C i o α
3.23设计单电源供电的一个分压式直流偏置电路，如图3-10-1(a)所示，假设晶体管的β为无限大。电源电压V V CC 9=，要求电阻C R ，E R 上的压降均为3CC V ，发射极的电流
mA I E 5.0=，通过分压电阻21B B R R 、上的电流为E I 2.0。若实际晶体管的100=β，试求晶
体管发射极的实际电流E I 为多少？ 解：当晶体管的β为无限大时，Ω===
K I V R E E E 65.03，Ω==-=K I I V V R E
C C CC C 63
Ω=?==
+K I V R R E CC B B 905.02.09
2.021，V V V V R R R V BE E CC B B B B 7.32
12=+=+=，则
Ω=K R B 372Ω=K R B 531
若实际晶体管的100=β时，Ω==K R R R B B BB 79.21//21， V V R R R V CC B B B B 7.32
12
=+=
则实际的发射极电流为
mA R R V V I BB E BE BB E 483.0100179
.2167
.07.31=++-=++
-=
β
3.24 共发放大器电路如图P3.24所示，晶体管的100=β，电流源mA I 1.00=。试求放大器的输入阻抗i R 、输出阻抗o R 和电压增益s o v v 。当放大器连接上负载Ω=K R L 10时（图中的虚线表示），此时放大器的电压增益为多少？
s
v CC
V
解：
mA
I I E 1.00==，
Ω==
260E
T
e I V r ，
()Ω
=+=K r r e be 26.261β，
mS r g e
m 81.3==
α
，其交流等效电路如上右图所示。则输入阻抗Ω==K r R be i 26.26、输
出阻抗Ω==K R R C o 47，电压增益
24.37-=+-=S
i i
C m s o R R R R g v v
当放大器连接上负载Ω=K R L 10时，电压增益为
()53.6//-=+-=S
i i
L C m s o R R R R R g v v 3.25 在图P3.25所示的共发放大器电路中，V V CC 9=，Ω=K R B 271，Ω=K R B 152，
Ω=K R E 2.1，Ω=K R C 2.2，Ω=K R L 2，Ω=K R s 10。假设晶体管的100=β，
V V A 100=。要求
（a ） 画出晶体管的直流通路，计算发射极的直流电流E I ； （b ） 画出放大器的交流通路，计算输入阻抗i R 、输出阻抗o R ； （c ） 计算放大器的电压增益
s o v v 和电流增益i
o i i
。
v
1
B R 2
B R 解：(a) 晶体管的直流通路如上图的中图，Ω==K R R R B B BB 64.9//21，
V V R R R V CC B B B BB 21.32
12=+=
，mA R R V V I BB
E BE
BB E 94.11=++-=β
。
(b) 放大器的交流通路如上图的右图所示，Ω==
4.13E
T
e I V r ，()Ω=+=K r r e be 35.11β，mS r g e
m 88.73==
α
，Ω==
=
K I V I V r E
A
C
A o 52α，输入阻抗Ω==K R r R B
B be i 18.1//、
输出阻抗Ω==K r R R o C o 11.2// (c)电压增益()01.8//-=+-==
S
i i
L o m s o V R R R R R g v v A 电流增益()78.44-=+=+==
L
S i V S i s L o i o i R R R A R R v R v i i A
3.26 在图P3.26所示的电路中，晶体管的100=β，s v 为交流小信号。试问： （a ） 若要求发射极的直流电流为1mA ，则发射极中的电阻E R 为多少？ （b ） 若要求集电极的直流电压为5V ，则集电极中的电阻C R 为多少？
（c ） 若晶体管的输出电阻Ω=K r o 100，负载电阻Ω=K R L 5，画出交流小信号等效电路，
并求电压增益
s
o
v v 。
s
v
R
解：（a ）β
++
--=
1S E BE
EE E R R V V I ，Ω=+---=
K R I V V R S E BE EE E 28.141β (b)Ω=-=-=
K I V V I V V R E
C
CC C C CC C 1.10α
(c) 交流小信号等效电路如上右图，其中 Ω==
26E
T
e I V r ，()Ω=+=K r r e be 63.21β， mS r g e
m 1.38==
α
，输入阻抗Ω==K r R be i 63.2。
电压增益为()21.63////-=+-==
S
i i
L o C m s o V R R R R r R g v v A 。 3.27在图P3.27所示的改进型共发放大器电路中，V V CC 9=，Ω=K R B 301，Ω=K R B 202，
Ω=100E R ，Ω=K R E 1.11，Ω=K R C 2，Ω=K R L 2，Ω=K R s 10。假设晶体管的100=β。
要求
（a ） 画出晶体管的直流通路，计算发射极的直流电流E I ； （b ） 画出放大器的交流通路，计算输入阻抗i R 、输出阻抗o R ；
（c ） 计算放大器的电压增益s o v v 和电流增益i
o i i 。
v
1
B R
2
B R
解：解：(a) 晶体管的直流通路如上图的中图，Ω==K R R R B B BB 12//21，
V V R R R V CC B B B BB 6.32
12
=+=
，mA R R R V V I BB
E E BE
BB E 20.211=++
+-=
β
。 (b) 放大器的交流通路如上图的右图所示，Ω==
82.11E
T
e I V r ，()Ω=+=K r r e be 20.11β，mS r g e
m 75.83==
α
，输入阻抗()[]Ω=++=K R R r R BB E be i 2//1β、输出阻抗
Ω==K R R C o 2
(c)电压增益41.1//-=+?+-==
S
i i
e E L C s o V R R R r R R R v v A 电流增益()46.8-=+=+==
L
S i V S i s L o i o i R R R A R R v R v i i A 3.28在图P3.28所示的电路中，晶体管的50=β，mA I 2.00=，s v 为交流小信号。试求放大器的输入阻抗i R 和电压增益
s
o
v v 。如果晶体管的输入交流电压be v 的最大值幅度为5mV ，则对应的最大输入s v 为多少，此时对应输出o v 的最大值为多少？
s
v s
R
解：mA I I E 2.00==Ω==
130E T e I V r ，()Ω=+=K r r e be 63.61β，mS r g e
m 54.7==α
，输入阻抗()[]Ω=++=K R r R E be i 131β。 电压增益08.11//-=+?+-==
S
i i
e E L C s o V R R R r R R R v v A 若晶体管的输入交流电压be v 的最大值幅度为5mV ，
be
be
i r v i =
，()i e i i β+=1，则有 ()mV v r R r R R i v R i v be
be E be
S E e be S i s 35.1711=???
???+++=++=β
输出电压的最大值为mV v A v s V o 24.19=?=
3.29在图P3.29所示的电路中，晶体管的100=β。试求： （a ） 晶体管集电极的直流电压和直流电流；
（b ） 利用晶体管的小信号模型求解该放大器的电压增益
s
o
v v 。
s
v o
v
解：(a)mA I I E 10==，V R I V E E E 175.0==，mA I I E
B 01.01=+=
β
，
mA I I E C 99.0==α。V V V R I V E BE B B C 875.1=++=，Ω==
26E
T
e I V r (b) be e E be E m be E be m be be be s v r R v R g r R v g r v v v ??????+=?????????? ??++=???? ??++=111， S e E e be v r R r v +=
，B
o
S Rb R v v i -=，
()L S e E e
m B o S L be m B o S L be m Rb o R v r R r g R v v R v g R v v R v g i v ???? ??+--=???? ??--=-= L e E S
B o S R r R v R v v ???
?
?
?+--=α 则有???
? ??+-=????
??+e
E B S B L o r R R v R R v α111 因此电压放大倍数为55.45111-=++-
=L
B e
E B s
o R R r R R v v α
3.30在图P3.30所示的共基放大器电路中，假设晶体管的β无限大，电路Ω==K R R L C 10，
Ω=50s R ，V V CC 10=。试问：
（a ） 当电流源0I 取何值时使得放大器的输入阻抗Ω=50i R ； （b ） 试求放大器的电压增益
s
o
v v 。
v 图
i
解：（a ）0I V r R T e i =
=，mA mV R V I i T 52.050260===
，mS r r g e
e m 201
===α
()
50//=+=S
i i
L C m V R R R R R g A
3.31 在图P3.31所示的共基放大器电路中，假设晶体管的β无限大。试求放大器的输入阻抗
和电压增益
s
o
v v 。
o
C
Ω
=L v R
解：mA I I E 5.00==，Ω===
525.026mA
mV
I V r E T e ，其交流等效电路如上右图所示。 输入阻抗为Ω==52e i r R ，因为()()()L B e L B e L B c o R R i R R i R R i v //////-=-=-=α
i s s e R R v i +-
=，则电压增益为
()71.952
501//100//=+=+=K
K R R R R v v i s L B s o 图P3.32
3.32在图P3.32所示的共集放大器电路中，晶体管的β值在20~200范围内变化。当β分别等于20 和200 时，试求：
（a ） 基极直流电压B V ，发射极的直流电压E V 和直流电流E I ； （b ） 放大器的输入阻抗i R ； （c ） 放大器的电压增益
s
o
v v 。
o s
v =
V
V CC 9=s
v
解：（a ）当20=β时，mA R R V V I B E BE CC E 44.1201100
17
.091=++-=++
-=
β
，V R I V E E E 44.1==，V V V V BE E B 14.27.044.1=+=+=.
当200=β时，mA R R V V I B E BE CC E 55.02001100
17
.091=++-=++
-=
β
，V R I V E E E 55.0==，V V V V BE E B 25.17.055.0=+=+=
(b) 其交流等效电路如上图右图所示。
()()[]()()[]L E e B L E be B i R R r R R R r R R //1////1//++=++=ββ
当20=β时，Ω==
06.18E
T
e I V r ，()()[]Ω=++=K R R r R R L E e B i 81.9//1//β 当200=β时，Ω==
27.47E
T
e I V r ，()()[]Ω=++=K R R r R R L E e B i 38.52//1//β （c ）因为
s
i i E L e E
L s o R R R R R r R R v v +?+=//// 当20=β时，
48.01081.981.91//106.181//1////=+?+=+?+=K K K K R R R R R r R R v v s i i E L e E L s o 当20=β时，
77.010
38.5238.521//127.471//1////=+?+=+?+=K K K K R R R R R r R R v v s i i E L e E L s o 3.33在图P3.33所示的射极跟随器电路中，假设晶体管的120=β，忽略晶体管的输出电阻o r ，其中s v 为交流小信号。试求：
(a) 发射极的直流电流E I ；
(b) 射极跟随器的输入阻抗i R 和输出阻抗o R ；
(c) 射极跟随器的电压增益s o v v 和电流增益i
o
i i 。
s
v
s
v
解：（a ）发射极电流为mA R R V V I S E EB CC E 04.112011003.37
.051=++-=++
-=
β
， Ω==25E
T e I V r （b ）输入阻抗()()[]()()[]Ω=++=++=K R R r R R r R L E e L E be i 89.95//1//1ββ
输出阻抗Ω=???
?
??++=???? ??++=677
1//1//e S
E be S E o r R R r R R R ββ (c)电压增益为
474.0100
89.9589
.953.3//1253.3//1////=+?+=+?+=K K K K R R R R R r R R v v s i i E L e E L s o 电流增益为
()85.921
89.95100474.0=+?=+?=+=L i S s o i S S L o i o R R R v v R R v R v i i
3.34 在图P3.34所示的射极跟随器电路中，当Ω=K R s 10时，输出开路时（即∞=L R 时）电压增益
s
o
v v 为0.99，输出阻抗o R 为200Ω。当Ω=K R s 20时，输出阻抗o R 为300Ω。试问当Ω=K R s 30，并且负载电阻Ω=K R L 1时，射极跟随器的电压增益
s
o
v v 为多少？
o s
v
s
v
解：o S
e o r R r R //1???
? ??++=β，()()e o L i r r R R ++=//1β，S i i e o L o L s o R R R
r r R r R v v +?+=////
当Ω=K R s 10时，输出开路时（即∞=L R 时）电压增益
s
o
v v 为0.99，输出阻抗o R 为200Ω。
则有：200//110=???
? ?
?++
o e r K
r β
， ()()()()99.0111////=+++=+++++?+=+?+=o e S o
e o S e o e o o S i i e o L o L s o r r R r r r R r r r r r R R R r r R r R v v β
ββ
可以求得Ω=K r o 20，99.0200110=???
? ?
?++
β
K
r e 当Ω=K R s 20时，输出阻抗o R 为300Ω。则有300//120=???
? ?
?++
o e r K r β
， 可以求得1971061204?=???
? ?
?++β
K r e ，则有Ω=5.99e r ，515.96=β
当Ω=K R s 30，并且负载电阻Ω=K R L 1时
()()()
7
.05.9920//1515
.96130
20//1//1//////=+++=+++=
+?+=K K K
K r r R R R r R R R r r R r R v v e o L S L o S
i i
e o L o L s o β
第二章工程材料+热处理（16/18） ×1. 低碳钢为了达到硬而耐磨，可采用淬火热处理工艺。 2. 在碳素钢中，为提高其性能，加入一种或多种合金元素，即成为合金钢。（正确） 3. 热处理工艺中淬硬性和淬透性的含义是一样的。（错） 4. 正火比退火过冷度大（冷却速度较快），获得的组织较细，因此正火的强度和硬度比退火高。（错误） 5. 焊接后为消除焊接应力，可采用退火工艺。（正确） 6. 造成热处理变形的主要原因，是淬火冷却时工件内部产生的内应力所致。（正确） 7. 为了获得优良的淬火质量，细而长的轴类零件、薄而平的零件，应垂直淬入冷却液中。（错误） 8. 金属材料的塑性，随温度的升高而降低。（错误） 9. 淬火加高温回火的工艺称为调质处理。（正确） 10. W18Cr4V是（）。A、工具钢 B、弹簧钢 C、不锈钢 D、耐热钢 11.调质的目的是（）。 A、提高硬度 B、降低硬度 C、改善切削性能D、获得良好综合力学性能 12.钳工实习时做的小锤头，热处理应采用（）。A、淬火+低温回火 B、正火 C、退火 D、淬火+高温回火 13.以下哪些不属于金属材料及热处理实践所需的仪器或设备 A、箱式电炉 B、邵氏硬度计 C、洛氏硬度计 D、维氏硬度计 14.铸造机床床身一般采用的材料是（） A、铸钢 B、可锻铸铁C、灰铸铁 D、球墨铸铁 15.制造轴、齿轮、连杆、曲轴等机械零件，一般应选用。 A、耐磨钢 B、低碳钢C、中碳钢 D、高碳钢 16.以下硬度值标示中，哪一项的写法是正确的。 A、HBS240 B、HRA80 C、55HRC D、HV800 17.选择材料时，应考虑哪些原则（）。 A、力学性能B、使用性能和工艺性能 C、化学性能 18.用碳素工具钢制造的刀具能否用于高速切削为什么 A、能，因硬度高 B、不能，因硬度低 C、能，因红硬性好 D、不能，因红硬性差 19.淬火后零件立即进行回火处理的目的是（）。 A、提高硬度 B、提高强度C、降低脆性，提高韧性 第三章铸造（/20） 1. 在造型时，舂砂太松（紧），则会产生气孔。（错误） 2. 分模造型适用于最大截面不在端部的铸件。（正确） 3. 整模造型与分模造型相比，最大的特点是不会产生错箱缺陷。（正确） 4. 形状复杂的结构件可采用铸造方法来满足铸件的使用性能。（正确） 5. 大量生产中，为提高生产率，便于操作，常常用单一砂（指原砂）。（正确） 6. 错箱是指浇注期间金属溢出造成的缺陷。（错误）（合箱时上下砂箱未对准、未夹紧） 7. 零件、模样、铸件三者的尺寸与形状应该是一致的。（错误） 8. 型砂是制造砂型的主要成型材料。（正确） 9. 冒口也是将金属液引入的通道。（错误）（外浇口、直浇道、横浇道、内浇道） 10. 飞边和错箱属于铸件的表面缺陷。（错误） 11. 下列零件毛坯中，适宜采用铸造方法生产的是（） A、机床主轴B、机床床身 C、机床丝杠 D、机床齿轮 12. 分型面应选择在（）。 A、铸件受力面上 B、铸件加工面上C、铸件最大截面处 D、铸件的中间▲13. 为提高合金的流动性，常采用的方法是（）。 A、适当提高浇注温度 B、加大出气口 C、降低出铁温度 D、延长浇注时间 14. 以下哪项不是砂型铸造的翻砂工具。（） A、砂箱、舂砂锤、底板、模样、砂刀 B、冒口、浇注系统、通气针 C、起模针、砂勾、圆勺 D、水罐、筛子、铁锹、敲棒 ▲15. 型砂透气性差，主要易于产生以下（）缺陷。A、气孔 B、粘砂、硬皮 C、应力、变形 D、裂纹 16. 起模前，在模样周围刷水是为了 A、提高型砂的耐火性 B、增加型砂的湿强度和可塑性 C、提高型砂的流动性 D、提高型砂的退让性 17. 铸件中的重要加工面或支撑面如机床导轨面，在造型时其位置应设置 A、朝上 B、首选朝下，次选侧面 C、侧面 D、朝下 ▲18. 当合金的浇注温度过高时，铸件易产生的缺陷是（）。A、粘砂 B、溢料 C、气孔 D、砂眼 19. 金属型在浇注前，必须在型腔内喷刷涂料，它的作用主要是（）。 A、防止金属型开裂 B、保护金属型的工作表面和改善铸件表面质量 C、使金属液容易注入型腔
诚信应考 考出水平 考出风格 浙大城市学院期末试卷 课程名称：《模拟电子技术基础》 开课单位：信电分院 ；考试形式：闭卷；考试时间： 年 月 日；所需时间：120分钟 题 序 第1题 第2题 第3题 第4题 第5题 第6题 第7题 第8题 得分 总得分 参考答案及评分标准 评阅人签名 **************************************************************************** 得分 一．填空题（本大题共 5 题，每题 4 分，共 20 分） 1． 半导体器件中有二种载流子，分别是 自由电子 和 空穴 ； 掺杂半导体可分为P 型和N 型两种，其中对于N 型半导体中的多数载流子是 自由电子 ，它由本征半导体掺入 五 价元素形成。 2． 双极型晶体管是由两个PN 结紧密排列组成的，它可以分为两种类型， 即 NPN 和 PNP 。双极型晶体管的工作模式可分为放大模式、饱和模式与截止模式，它由晶体管的PN 结偏置决定。当晶体管工作在放大模式时，要求晶体管的发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。 3． 场效应晶体管的转移特性曲线()GS D v i ~如图1-3所示。试问①号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 N 沟道耗尽型MOSFET ，它对应的开启（阈值）电压()th G S V = -1V 。②号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 P 沟道结型场效应管 ，它对应的电流DSS I = 2mA 。（注：DSS I 为()off G S G D G S V V V ==且0时的漏极电流） 。 4． 图1-4为某多级放大电路，其中各级放大器的增益、输入阻抗、输出 阻抗如图中所示，则多级放大器的总增益i o V v v A = = A V1A V2A V3 ，输入阻抗i R = R i1 ，输出阻抗o R = R o3 。多级放大电路 年级：_____________ 专业：_____________________ 班级：_________________ 学号：_______________ 姓名：__________________ …………………………………………………………..装………………….订…………………..线……………………………………………………… 0 1 1 -1 ① 2 2 3 D / 图 1-3 mA i D /V v GS /②
第二章工程材料 +热处理（ 16/18） × 1.低碳钢为了达到硬而耐磨，可采用淬火热处理工艺。 2.在碳素钢中，为提高其性能，加入一种或多种合金元素，即成为合金钢。（正确） 3.热处理工艺中淬硬性和淬透性的含义是一样的。（错） 4.正火比退火过冷度大（冷却速度较快），获得的组织较细，因此正火的强度和硬度比退火高。（错误） 5.焊接后为消除焊接应力，可采用退火工艺。（正确） 6.造成热处理变形的主要原因，是淬火冷却时工件内部产生的内应力所致。（正确） 7.为了获得优良的淬火质量，细而长的轴类零件、薄而平的零件，应垂直淬入冷却液中。（错误） 8.金属材料的塑性，随温度的升高而降低。（错误） 9.淬火加高温回火的工艺称为调质处理。（正确） 10. W18Cr4V 是（）。A、工具钢 B、弹簧钢C、不锈钢 D 、耐热钢 11.调质的目的是（）。 A 、提高硬度 B 、降低硬度 C 、改善切削性能D、获得良好综合力学性能 12.钳工实习时做的小锤头，热处理应采用（）。A、淬火 +低温回火 B、正火 C 、退火 D 、淬火 +高温回火 13.以下哪些不属于金属材料及热处理实践所需的仪器或设备 A、箱式电炉 B、邵氏硬度计 C 、洛氏硬度计 D 、维氏硬度计 14.铸造机床床身一般采用的材料是（） A、铸钢 B 、可锻铸铁C、灰铸铁 D 、球墨铸铁 15.制造轴、齿轮、连杆、曲轴等机械零件，一般应选用。 A 、耐磨钢 B 、低碳钢C、中碳钢 D、高碳钢 16.以下硬度值标示中，哪一项的写法是正确的。 A 、 HBS240 B 、 HRA80 C 、 55HRC D、 HV800 17.选择材料时，应考虑哪些原则（）。 A、力学性能B、使用性能和工艺性能C、化学性能 18.用碳素工具钢制造的刀具能否用于高速切削为什么 A 、能，因硬度高B、不能，因硬度低C、能，因红硬性好D、不能，因红硬性差 19. 淬火后零件立即进行回火处理的目的是（）。A、提高硬度 B 、提高强度C、降低脆性，提高韧性 第三章铸造（/20） 1.在造型时，舂砂太松（紧），则会产生气孔。（错误） 2.分模造型适用于最大截面不在端部的铸件。（正确） 3.整模造型与分模造型相比，最大的特点是不会产生错箱缺陷。（正确） 4.形状复杂的结构件可采用铸造方法来满足铸件的使用性能。（正确） 5.大量生产中，为提高生产率，便于操作，常常用单一砂（指原砂）。（正确） 6.错箱是指浇注期间金属溢出造成的缺陷。（错误）（合箱时上下砂箱未对准、未夹紧） 7.零件、模样、铸件三者的尺寸与形状应该是一致的。（错误） 8.型砂是制造砂型的主要成型材料。（正确） 9.冒口也是将金属液引入的通道。（错误）（外浇口、直浇道、横浇道、内浇道） 10.飞边和错箱属于铸件的表面缺陷。（错误） 11.下列零件毛坯中，适宜采用铸造方法生产的是（） A 、机床主轴B、机床床身 C 、机床丝杠 D 、机床齿轮 12.分型面应选择在（）。 A 、铸件受力面上 B 、铸件加工面上C、铸件最大截面处D、铸件的中间▲ 13.为提高合金的流动性，常采用的方法是（）。 A、适当提高浇注温度 B 、加大出气口C、降低出铁温度 D 、延长浇注时间 14.以下哪项不是砂型铸造的翻砂工具。（） A、砂箱、舂砂锤、底板、模样、砂刀 B 、冒口、浇注系统、通气针 C、起模针、砂勾、圆勺 D、水罐、筛子、铁锹、敲棒 ▲ 15.型砂透气性差，主要易于产生以下（）缺陷。A、气孔 B、粘砂、硬皮 C 、应力、变形 D 、裂纹 16.起模前，在模样周围刷水是为了 A、提高型砂的耐火性 B、增加型砂的湿强度和可塑性 C 、提高型砂的流动性 D 、提高型砂的退让性 17.铸件中的重要加工面或支撑面如机床导轨面，在造型时其位置应设置 A 、朝上B、首选朝下，次选侧面C、侧面D、朝下 ▲ 18.当合金的浇注温度过高时，铸件易产生的缺陷是（）。A、粘砂 B 、溢料 C 、气孔 D 、砂眼 19.金属型在浇注前，必须在型腔内喷刷涂料，它的作用主要是（）。 A 、防止金属型开裂B、保护金属型的工作表面和改善铸件表面质量C、使金属液容易注入型腔
电火花线切割（WEDM）答案（共20 分） 判断题（10）每题1 分共10 分 1. 特种加工是直接利用各种能量对材料进行加工，其加工机理与金属切割加工相同。正确答 案:错 2. 在电火花加工中，工具材料的硬度可低于工件材料的硬度。正确答案:对 3. 线切割加工时，脉冲电源电参数是影响加工表面粗糙度的最主要因素。正确答案:对 4. 电火花线切割可以加工淬火钢、不锈钢和硬质合金、陶瓷、金刚石等。正确答案:错 5. 特种加工是直接利用电能、光能、声能、热能、化学能、电化学能及特殊机械能等多种形式的能量实现去除材料来完成对零件的加工成型的工艺方法正确答案:对 6. 电火花成形加工的主要工艺指标有加工速度、加工深度、表面粗糙度、电极损耗等。正确 答案:对 7. 脉冲电源波形及三个重要参数峰值电流、脉冲宽度、脉冲间隔。正确答案:对 8. 在线切割加工中，当电压表、电流表的表针稳定不动，此时进给速度均匀、平稳，是线切割加工速度和表面粗糙度的最佳状态。 正确答案:对 9. 电火花线切割加工过程中，电极丝与工件间火花放电是比较理想的状态。正确答案:对 10. 线切割机床加工路径生成的时候需要考虑刀具半径补偿。正确答案:对 单选题（10）每题1 分共10 分 1. 电火花加工、电子束加工、等离子弧加工是利用（）能量加工材料的。 A. 电、热能 B.电、机械能 C.电、化学能 D.电、声能 正确答案:A 2. 加工<0.025mm 精密小孔，可采用（）。 A. 电解加工 B.超声加工 C.激光加工 D.磨料喷射加工正确答案:C 3. 电火花加工主要用于高效加工（）。 A. 难切削材料 B.碳素钢 C.精密细小及复杂形状的金属件 D.A+C 正确答案:D 4. 以下哪一项不属于特种加工设备范畴（）。A.电火花线切割、电火花成型机床B.多工位深小孔钻床 C.激光加工机床 D.超声波加工机床 正确答案:B 5. 特种加工可以采用的能量包括 A.电能、热能、光能 B.电化学能、化学能 C.声能及特殊机械能 D.以上均可以 正确答案:D 6. 以下不属于特种加工的是 D. A.等离子弧加工 B.精密雕铣 C.激光加工 正确答案:B 7. 电火花线切割加工称为 A.EDMB B.ECM C. EBM D. WEDM 正确答案:D
第5章习题 5-1常用的电流源有哪几种？各有什么特点？试举例说出几个电流源应用的实例。 5-2描述差分放大器的电路组成结构、工作原理，说明其对巩膜信号的抑制及对差模信号放大作用？ 5-3长尾式差分放大器的拖尾电阻有何作用？如改变其大小，则差分放大器的性能如何变化？ 5-4带有理想电流源的差分放大电路中的电流源有何作用？ 5-5 对比差分放大器和单管共射极放大器的放大倍数，可以得到哪些异共同点？ 5-6 常用哪些指标来表征差分放大器的性能？试推导其表达式。 5-7 多级放大器之间有几种常用的偶合方式？各有什么特点？ 5-8 多级放大器分析计算的一般步骤？多级放大器有哪描述其特点的指标？ 5-9 通常模拟集成运算放大器内部由几部分组成？各有什么特点？ 5-10判断题 (1)阻容耦合多级放大电路各级Q 点相互独立，它只能放大交流信号。 (2)共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。 (3)对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，发射极电阻Re 一概可视为短路。 (4)在长尾式差分放大电路单端输入情况时，只要发射极电阻Re 足够大，则Re 可视为开路。 (5)带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。 (6)一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。5-11填空题1 (1)放大电路产生零点漂移的主要原因是。 (2)在相同的条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电路。这是由于。 (3)差动放大电路是为了而设置的，它主要通过 来实现。 (4)在长尾式差动电路中，R e的主要作用是。
工程训练（金工实习） 浙江大学金工教研室 2004.07.14 第二章工程材料 1.材料：金属材料，非金属材料； 2.金属材料：黑色金属，有色金属； 3.材料性能：使用性能（力学性能、物理性能和化学性能等）和工艺性能（铸造性能、焊接性能、压力加工性能、切削性能和热处理性能）； 掌握常用碳素钢（碳素结构钢Q235、优质碳素结构钢45、碳素工具钢T8、T12）、合金钢（在碳素钢的基础上加入合金元素，使得材料的性能提高或具有特殊的性能）和铸铁（HT200、KTH330－08）的分类、牌号、性能、应用。 钢的热处理 热处理是将工件加热到一定的温度，经保温后以一定的冷却速度冷却。通过热处理可使钢的组织和性能发生改变，可提高工件的力学性能，改善工艺性能，达到充分发挥金属材料的潜力，提高产品质量，延长使用性能，提高经济效益。 钢的热处理基本工艺有：退火、正火、淬火和回火。 1.退火——加热到一定温度，经保温后随炉冷却。 2.正火——加热到一定温度，经保温后在空气中冷却。 3.淬火——加热到临界温度以上的某一温度，经保温后以快速冷却（即大于临界冷却速度）。碳素钢一般在水里淬火。 4.回火——将淬火后的工件重新加热到临界点以下的某一温度，经长时期保温后缓慢冷却。可分为： ①低温回火（150～250℃）目的是消除和降低淬火钢的内应力及脆性，提高韧性，使零件具有较高的硬度（58～64HRC）。 主要用于各种工、量、模具及滚动轴承等，如用T12钢制造的锯条、锉刀等，一般都采用淬火后低温回火。 ②中温回火（350～500℃）中温回火后工件的硬度有所降低，但可使钢获得较高的弹性极限和强度（35～45HRC）。主要用于各种弹簧的热处理。 ③高温回火（500～650℃）通常将钢件淬火后加高温回火，称为调质处理。经调质处理后的零件，既具有一定的强度、硬度，又具有一定的塑性和韧性，即综合力学性能较好（25～35HRC）。主要用于轴、齿轮、连杆等重要结构零件。如各类轴、齿轮、连杆等采用中碳钢制造，经淬火+高温回火后，即可达到使用性能的要求。一般随着回火温度的升高，钢的强度和硬度下降，而塑性韧性上升。 第三章铸造 铸造是熔炼金属，制造铸型并将熔融金属浇入与零件形状相适应的铸型，凝固后获得一定形状和性能的铸件的成型方法。 铸件一般是尺寸精度不高，表面粗糙的毛坯，必须经切削加工后才能成为零件。若对零件表面要求不高，也可直接使用。 一、铸造的特点及应用 1.特点 1）铸造可以制成形状和内腔十分复杂的铸件，特别是具有内腔的毛坯，如各种箱体、气缸体、气缸盖等。 2)铸造的适应性强，可用于各种材料，如有色金属，黑色金属、铸铁和铸钢等，但以黑色金属为主；可生产不同的尺寸及质量的铸件，如壁厚可做到小于1mm、铸件的质量可以轻到几克、重达几百吨的铸件等。 3）铸件生产成本低，设备投资较少，原材料价格低，来源广等。因此铸造在机械制造中获得广泛的应用，但铸造生产工艺过程难以精确控制；铸件的化学成分和组织不十分均匀、晶粒粗大、组织疏松，常有气孔、夹渣、砂眼等缺陷存在，使得力学性能不如锻件高的缺点。但随着新工艺、新材料的不断发展，铸件的质量也在不断提高。 2.应用 主要应用在各种箱体和非承受载荷的低速齿轮等。如机床床身、齿轮箱、变速箱、手轮、内燃机气缸体、气缸盖、火车轮、皮带轮、台虎钳钳座等。 铸造生产方法很多，主要分为两大类：①砂型铸造；②特种铸造。 二、型（芯）砂——芯砂的性能要求比普通型砂的综合性能要高。型砂中的粘土、原砂和水分的含量适合，混制得当，型砂便具有湿压强度高，透气性好。型芯中应该设置通气道与型砂通气道相连。
本科实验报告 课程名称：姓名：系：专业：学号：指导教师： 物理光学实验郭天翱 光电信息工程学系信息工程（光电系） 3100101228 蒋凌颖 2012年1 月7日 实验报告 实验名称：夫琅和弗衍射光强分布记录实验类型：_________ 课程名称：__物理光学实验_指导老师：_蒋凌颖__成绩： 一、实验目的和要求（必填）二、实验内容和原理（必填）三、主要仪器设备（必填）四、操作方法和实验步骤五、实验数据记录和处理六、实验结果与分析（必填）七、讨论、心得 一、实验目的和要求 1．掌握单缝和多缝的夫琅和费衍射光路的布置和光强分布特点。 2．掌握一种测量单缝宽度的方法。 3．了解光强分布自动记录的方法。 二、实验内容 一束单色平面光波垂直入射到单狭缝平面上，在其后透镜焦平面上得到单狭缝的夫琅禾费衍射花样，其光强分布为： i?i0( 装 式中 sin? ? ) 2 （1） 订 ?? 线 ??sin?? （2） ?为单缝宽度，?为入射光波长，?为考察点相应的衍射角。i0为衍射场中心点（??0处）的光强。如图一所示。 由（1）式可见，随着?的增大，i有一系列极大值和极小值。极小值条件 asin??n?(n?1,n?2) （3） 是： 如果测得某一级极值的位置，即可求得单缝的宽度。 如果将上述单缝换成若干宽度相等，等距平行排列的单缝组合——多缝，则透镜焦面上得到的多缝夫琅禾费衍射花样，其光强分布： n? sin?2 )2 i?i0()( ?
2 （4） sin 式中 ?? sin??2???dsin? ? ?? （5） ?为单缝宽度，d为相邻单缝间的间距，n为被照明的单缝数，?为考察点相应的衍射角；i0为衍射中心点（??0处）的光强。 n? )2 (sin?2() 2称?为单缝衍射因子，为多缝干涉因子。前者决定了衍射花 sin （干涉）极大的条件是dsin??m?(m?0,?1,?2......)。 dsin??(m? m )?(m?0,?1,?2......;m?1,2,.......,n?1)n 样主极大的相对强度，后者决定了主极大的位置。 （干涉）极小的条件是 当某一考虑点的衍射角满足干涉主极大条件而同时又满足单缝衍射极小值条件，该点的光强度实际为0/，主极大并不出现，称该机主极大缺级。显然当d/??m/n为整数时，相应的m 级主极大为缺级。 不难理解，在每个相邻干涉主极大之间有n-1个干涉极小；两个相邻干涉极小之间有一个干涉次级大，而两个相邻干涉主级之间共有n-2个次级大。 三、主要仪器设备 激光器、扩束镜、准直镜、衍射屏、会聚镜、光电接收扫描器、自动平衡记录仪。 四、操作方法和实验步骤 1．调整实验系统 （1）按上图所示安排系统。 （2）开启激光器电源，调整光学元件等高同轴，光斑均匀，亮度合适。（3）选择衍射板中的任一图形，使产生衍射花样，在白屏上清晰显示。 （4）将ccd的输出视频电缆接入电脑主机视频输出端，将白屏更换为焦距为100mm的透镜。 （5）调整透镜位置，使衍射光强能完全进入ccd。 （6）开启电脑电源，点击“光强分布测定仪分析系统”便进入本软件的主界面，进入系统的主界面后，点击“视频卡”下的“连接视频卡”项，打开一个实时采集窗口，调整透镜与ccd的距离，使电脑显示屏能清晰显示衍射图样，并调整起偏/检偏器件组，使光强达到适当的强度，将采集的图像保存为bmp、jpg两种格式的图片。 2．测量单缝夫琅和费衍射的光强分布（1）选定一条单狭缝作为衍射元件（2）运用光强分布智能分析软件在屏幕上显示衍射图像，并绘制出光强分布曲线。 （3）对实验曲线进行测量，计算狭缝的宽度。 3．观察衍射图样 将衍射板上的图形一次移入光路，观察光强分布的水平、垂直坐标图或三维图形。
实验报告 课程名称：电路与模拟电子技术实验指导老师：楼珍丽成绩： 实验名称：三极管共射放大电路实验实验类型：同组学生姓名： 输入、输出电阻测量原理图： Rb120.642k Rb212k Rc 1k Re 750 RL 1k C122u C222u Ce 100u v 1 15Vdc out V2 FREQ = 1k VAMPL = 10mv VOFF = 0AC = 1v Q1 Q2N3904 in Vdc Vdc
四、实验须知： 五、实验步骤：
1. 静态工作点的测量和调整 （理论估算时β=100~200，r bb'=200Ω，K1：）： V CC =15V 2. 测量放大电路的电压放大倍数A v ： 在下面的坐标系中画出相应的波形： （CH1-Vs ；CH2-Vo ） V BQ (V) V BEQ (V) V CEQ (V) I CQ (mA) 理论估算值 5.24 0.713 4.473 6 测量值 5.12 0.59 4.47 6 测试条件 实测值(有效值) 理论值 V s （mV ） V i （mV ） V o （V ） A v A v R L =∞ 9.89 10 1.87 187 149 R L =1k Ω 9.78 10 0.955 95.5 76.5
3.测量输入电阻R i (R L=1 kΩ)： 输入电阻（实测值）理论值 V s (mV) V i(mV) R i(kΩ) R i(kΩ) 50 9.2 1.15 0.975 4.测量输出电阻R o： 输出电阻（实测值）理论值 V o’(V) V o(V) R o(kΩ) R o(kΩ) 1.87 0.955 0.958 0.948 5.测量上限频率和下限频率 (R L=∞)：
第二篇 第3章习题 题2.3.1 某集成运放的一个偏置电路如图题2.3.1所示，设T 1、T 2管的参数完全相同。问： (1) T 1、T 2和R REF 组成什么电路？ (2) I C2与I REF 有什么关系？写出I C2的表达式。 图题2.3.1 解：(1) T 1、T 2和R 2组成基本镜像电流源电路。 (2) I C2与参考电流I REF 相同，REF BE CC REF C R V V I I -= =2 题2.3.2 在图题2.3.2所示的差分放大电路中，已知晶体管的β =80，r be =2 k Ω。 (1) 求输入电阻R i 和输出电阻R o ； (2) 求差模电压放大倍数vd A 。 图题 2.3.2 解：(1) 该电路是双端输入双端输出电路，所以差模输入电阻：
1.4)05.02(2)(2=+?=+=e be i R r R k Ω 差模输出电阻为：R o =2R c =10 k Ω (2) 差模电压放大倍数为：66 05 .0812580)1(-=?+?- =β++β-=e be c vd R r R A 题2.3.3 在图题2.3.3所示的差动放大电路中，设T 1、T 2管特性对称，β1=β2=100，V BE =0.7V ，且r bb ′=200Ω，其余参数如图中所示。 (1) 计算T 1、T 2管的静态电流I CQ 和静态电压V CEQ ，若将R c1短路，其它参数不变，则T 1、T 2管的静态电流和电压如何变化？ (2) 计算差模输入电阻R id 。当从单端（c 2）输出时的差模电压放大倍数2d A =?； (3) 当两输入端加入共模信号时，求共模电压放大倍数2 c A 和共模抑制比K CMR ； (4) 当v I1=105 mV ，v I2=95 mV 时，问v C2相对于静态值变化了多少？e 点电位v E 变化了多少？ 图题2.3.3 解：(1) 求静态工作点： mA 56.010 2101/107122)1/(1=?+-= +β+-= e b BE EE CQ R R V V I V 7.07.010100 56.01-≈-?- =--=BE b BQ E V R I V V 1.77.01056.012=+?-=--=E c CQ CC CEQ V R I V V 若将R c1短路，则 mA 56.021==Q C Q C I I （不变） V 7.127.0121=+=-=E CC Q CE V V V
质点力学例题 1．一质点沿x 轴方向运动，其加速度随时间的变化关系为 a = 3 + 2t (SI)，如果初始时质点的速度为5 m/s ，则当 t = 3 s 时，质点的速度v = __________ m/s 。 )m/s (23)3(5d )23(53 023 =++=++=?t t t t v 2．质量为0.25 kg 的质点，受力F = t i （SI ）的作用，式中t 为时间，t = 0 s 时该质点以v 0 = 2j m/s 的速度通过坐标原点，则该质点任意时刻的位置矢量是__________。 i F a t m 4== j i 222+=t v j i r t t 23 2 3+= 3．已知一质点的运动方程为 r = 2 t i +（2 - t 2）j （SI ），则t = 2 s 时质点的位置矢量为__________，2秒末的速度为__________。 j i r 24-= j i 42-=v 4．一个具有单位质量的质点在力场 F = ( t 2 - 4t ) i + ( 12t - 6 ) j （SI ）中运动，设该质点在t = 0时位于原点，且速度为零。则t 时刻该质点的位置矢量r = ____________。 j i r )32()3 2121( 233 4t t t t -+-= 5．一质点从静止出发沿半径 R = 1 ( m )的圆周运动，其角加速度随时间t 的变化规律是 α = 12t 2 - 6t (SI)。则质点的角速度ω =_________，法向加速度a n =_________，切向加速度a τ =_________。 230 2 34d )612(t t t t t t -=-= ?ω t t R a 6122-==ατ 2232)34(t t R a n -==ω 6．一质点在水平面内以顺时针方向沿半径为2 m 的圆形轨道运动，质点的角速度与时间的关系为ω = kt 2（其中k 为常数），已知质点在第二秒末的线速度为32 m/s ，则在t = 0.5 s 时，该质点的切向加速度a τ = _______；法向加速度a n = _______。 2rkt r ==ωv 22232?=k 4=k 24t =ω t 8=α )m/s (85.0822=??==ατr a )m/s (25.0422422=??==ωr a n 7．已知质点的运动方程为 r = R sin ωt i +R cos ωt j ，则其速度v = __________，切向加速度a τ = __________，法向加速度a n = __________。 j i t R t R ωωωωsin cos -=v R ω=v 0d d ==t a v τ R R a n 22 ω==v
第二篇第4章习题 题2.4.1怎样分析电路中是否存在反馈？如何判断正、负反馈；动态、静态反馈（交、直流反馈）；电压、电流反馈；串、并联反馈？ 解：根据电路中输出回路和输入回路之间是否存在信号通路，可判断是否存在反馈。 利用瞬时极性法，可以判断正、负反馈：若反馈信号的引入使放大器的净输入量增大，则为正反馈；反之为负反馈。 在静态条件下(v i=0)将电路画成直流通路，假设因外界条件(如环境温度)变化引起静态输出量变化，若净输入量也随之而变化，则表示放大器中存在静态反馈。当v i加入后，将电路画成交流通路，假定因电路参数等因素的变化而引起输出量变化，若净输入也随之而变化，则表示放大器中存在动态反馈。 利用反证法可判断电压、电流反馈。假设负载短路后，使输出电压为零，若此时反馈量也随之为零，则是电压反馈；若反馈量依然存在(不为零)，则为电流反馈。 在大多数电路中(不讨论个别例外)，若输入信号和反馈信号分别加到放大电路的二个输入端上，则为串联反馈，此时输入量（电压信号）和反馈量（电压信号）是串联连接的；反馈电量（电流量）和输入电量（电流量）若加到同一输入端上，则为并联反馈。 题2.4.2电压反馈与电流反馈在什么条件下其效果相同，什么条件下效果不同？ 解：在负载不变的条件下，电压反馈与电流反馈效果相同；当负载发生变化时，则二者效果不同，如电压负反馈将使输出电压恒定，但此时电流将发生更大的变化。 题2.4.3在图题2.4.3所示的各种放大电路中，试按动态反馈分析： （1）各电路分别属于哪种反馈类型？（正/负反馈；电压/电流反馈；串联/并联反馈）。 （2）各个反馈电路的效果是稳定电路中的哪个输出量？（说明是电流，还是电压）。 （3）若要求将图（f）改接为电压并联负反馈，试画出电路图（不增减元件）。 (a)(b)(c)
第三章 三极管放大电路基础习题解答 3．1 对于典型的晶体管，其β值范围一般为150~50，试求其对应的α值范围。 解：因为β β α+= 1，当β值范围为150~50，α值的范围为0.98~0.993。 3．2 如果两个晶体管的参数α分别为0.99和0.98，则两个晶体管的β分别为多少？若其集电极的电流为mA 10，则对应的基极电流分别为多少？ 解：因为α α β-= 1，C B I I β 1 = 。当99.0=α时，100=β，mA I B 1.0=；当98 .0=α时，50=β，mA I B 2.0=。 3．3 对于一个晶体管，若其基极电流为A μ5.7，集电极电流为A μ940，试问晶体管的β和α分别为多少？ 解：33.1255.7940=== B C I I β， 992.033 .125133 .1251=+=+=ββα 3．4 对于一个PNP 型晶体管，当集电极电流为mA 1，其发射结电压V v EB 8.0=。试问，当集电极电流分别为mA 10、A 5时，对应的发射结电压EB v 分别为多少？ 解：因为T BE V V S C e I I =，则有???? ??=S C T BE I I V V ln ，因此有??? ? ??=S C T BE I I V V 11ln 。所以有??? ? ??=-C C T BE BE I I V V V 11ln 若令 mA I C 101=时，V I I V V V C C T BE BE 06.0110ln 26ln 11=??? ???=? ?? ? ??=-，则 V V V BE BE 86.006.08.006.01=+=+= 若令 A I C 51=时，V I I V V V C C T BE BE 22.015000ln 26ln 11=??? ???=??? ? ??=-，则 V V V BE BE 02.122.08.022.01=+=+=。 3．5 在图P3.5所示的电路中，假设晶体管工作在放大模式，并且晶体管的β为无限大，试确定各图中所对应标注的电压、电流值。
浙江工业大学 学校 204 条目的4类题型式样及交稿式样 热力学第一定律、典型的热力学过程 一. 选择题 题号：20412001 分值：3分 难度系数等级：2 1 如图所示，一定量理想气体从体积V 1，膨胀到体积V 2分别经历的 过程是：A →B 等压过程，A →C 等温过程；A →D 绝热过程，其中吸热 量最多的过程 (A) 是A →B. (B) 是A →C. (C) 是A →D. (D) 既是A →B 也是A →C , 两过程吸热一样多。 [ ] 答案：A 题号：20412002 分值：3分 难度系数等级：2 2 质量一定的理想气体，从相同状态出发，分别经历等温过程、等压过程和绝热过程，使其体积增加一倍．那么气体温度的改变(绝对值)在 (A) 绝热过程中最大，等压过程中最小． (B) 绝热过程中最大，等温过程中最小． (C) 等压过程中最大，绝热过程中最小． (D) 等压过程中最大，等温过程中最小． ［ ］ 答案：D 题号：20412003 分值：3分 难度系数等级：2 V
3 一定量的理想气体，从a 态出发经过①或②过程到达b 态，acb 为等温线(如图)，则①、②两过程中外界对系统传递的热量Q 1、Q 2是 (A) Q 1>0，Q 2>0． (B) Q 1<0，Q 2<0． (C) Q 1>0，Q 2<0． (D) Q 1<0，Q 2>0． ［ ］ 答案：A 题号：20413004 分值：3分 难度系数等级：3 4 一定量的理想气体分别由初态a 经①过程ab 和由初态a ′经②过程a ′cb 到达相同的终态b ，如p －T 图所示，则两个过程中 气体从外界吸收的热量 Q 1，Q 2的关系为： (A) Q 1<0，Q 1> Q 2． (B) Q 1>0，Q 1> Q 2． (C) Q 1<0，Q 1< Q 2． (D) Q 1>0，Q 1< Q 2． ［ ］ 答案：B 题号：20412005 分值：3分 难度系数等级：2 5. 理想气体向真空作绝热膨胀． (A) 膨胀后，温度不变，压强减小． (B) 膨胀后，温度降低，压强减小． (C) 膨胀后，温度升高，压强减小． (D) 膨胀后，温度不变，压强不变． ［ ］ 答案：A 题号：20412006 分值：3分 难度系数等级：2 6. 一定量的理想气体，从p －V 图上初态a 经历(1)或(2)过程到达末态b ，已知a 、b 两 态处于同一条绝热线上(图中虚线是绝热线)，则气体在 (A) (1)过程中吸热，(2) 过程中放热． (B) (1)过程中放热，(2) 过程中吸热． (C) 两种过程中都吸热． (D) 两种过程中都放热． ［ ］ 答案：B 题号：20412007 分值：3分 p V
第四章 习题解答 4-1 如题4-1图所示MOSFET 转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？ 答：（a ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 2-= （b ）P-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或统称为开启电压()V V th GS 2)= （c ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 4-= （d ）N-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或也称为开启电压()V V th G S 4)-= 4-2 4个FET 的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所示。设漏极电流i D 的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET ？分别指出i D 的实际方向是流进还是流出？ 答：（a ）P-JFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。 （b ）N-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。 （c ）P-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。 （d ）N-EMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。 4-3 已知N 沟道EMOSFET 的μn C ox =100μA/V 2，V GS(th)=0.8V ，W/L=10，求下列情况下的漏极电流： （a ）V GS =5V ，V DS =1V ； （b ）V GS =2V ，V DS =1.2V ； （c ）V GS =5V ，V DS =0.2V ； （d ）V GS =V DS =5V 。 解：已知N-EMOSFET 的()108.0, /1002 ===L W th G S ox n V V V A C μμ （a ）当V V V V D S G S 1,5==时，MOSFET 处于非饱和状态()() th G S G S D S V V V -< ()()[]()[] mA V V V V I V mA th GS GS W C D D S D S x o n 7.3118.052101.022122=-?-??=--= μ （b ）当V V V V D S G S 2.1,2==时，()D S th G S G S V V V V ==-2.1，MOSFET 处于临界饱和 ()()()()mA V V C I V mA th GS GS W ox n D 72.08.02101.02212 1=-???=-?=μ （c ）当V V V V DS GS 2.0,5==时，()D S th G S G S V V V V >=-2.4，MOSFET 处于非饱和状态 ()()( )[]()[] mA V V V V C I V m A D S D S th G S G S L W ox n D 82.02.02.08.052101.022212212=-?-??=--=μ
浙江大学实验室管理 摘要 实验室作为实践教学中的重要手段，在学习的教学中扮演了重要的角色。正式认识到了实验室教学的重要性，各个学校的实验室也是鳞次栉比的落成。加强实验室的管理，提高实验室使用效率是推进教学改革、发挥学校技术服务和教学功能的基础保障。实验室的仪器、耗材、低值品等的需求也越来越大，古老的登记管理方式已经渐渐显得力不从心。面对日益增多的实验教学需求，古老的人工管理方式和人工预约方式受到了强烈的冲击，更加简便、清晰、规范的实验室管理系统也应运而生。 加强实验室管理有利于提高实验室的使用效率。实验室管理井然有序，可以提高实验完好率，保证实验课的开出率，从而有效地完成教学目标和任务。实验室教学资源是实验室建设的重要组成部分，影响着实验室的使用和效果。因此，要在实验指导书、培训教材建设、技能鉴定训练册、网络资源等方面制订计划，按时完成建设任务，为发挥实验室作用做好准备，切实把实验室资源管理放在重要位置。本文浙江大学实验室管理现状及存在的问题，提出相应的改进办法。 关键词：实践教学；实验室管理系统；教学需求
摘要 (1) 一、浙江大学实验室管理现状及存在的问题 (3) 二、改进办法 (4) （一）实施开放式实验教学和引进实验室管理系统 (4) （二）实验室管理人员整体管理培训制度 (4) （三）加强实验教师队伍建设 (5) （四）营造实验室的企业文化氛围 (5) （五）以制度落实为手段，提高实验室使用效率 (6) 参考文献 (7)
浙江大学已建成覆盖整个校园的计算机网络系统，使用计算机网络来进行实验室管理成为了必然，特别是实验室开放选课给传统的实验室管理提出新的挑战。北京邮电大学和北京润尼尔网络科技有限公司在国家科技攻关项目的基础上提出了开放式实验教学与实验室管理一体化的解决方案，建立网络化实验教学和实验室管理信息平台，提供丰富的网络实验教学资源，实现网上辅助教学和网络化、智能化管理，减轻实验室管理人员的工作负担，提供工作效率和服务水平，加强实验室主管部门对设备和材料的计划、采购、维修和使用的宏观控制和管理，以节约成本，提高利用，强化管理，并为本科教学评估、实验室评估、实验教学示范中心建设提供原始资料和翔实数据，有效推动学校的评建工作。浙江大学目前也迫切需要用计算机来进行辅助管理，以简化实验室主管部门的工作。 一、浙江大学实验室管理现状及存在的问题 随着浙江大学管理变革的逐步推进，实验室建设的进一步规范化、复杂化，学校实验室管理工作也变得更加繁重和复杂，实验室建设和管理的问题也渐渐暴露出来： 随着高校实验课“学分制”改革的深入，实验课不再以课程作业方式的安排，而是将实验课从理论课中剥离出来，单独开设课程，并给予相应学分，传统的实验手工排课方式就变得异常艰难。实验模式也不再局限于传统实物的实验方式，虚拟实验方式越来越受到了青睐，同时，由于受空间、人力、时间等限制，实验设备、实验工作、实验并没有得充分的利用，实验室资源浪费比较严重。 实验设备、仪器、低值耐用品等没有较好地建立信息库，以供查询其基本信息及使用状态，不利于对这些实验设备的维护；对仪器设备的领用、借用、修理、报废的处理仍处于手工处理阶段，处理过程繁琐，容易出现纰漏，造成设备流失；实验耗材的管理也带有较大的主观随意性，容易造成耗材浪费。仪器设备信息统计过程复杂，占用大量工作时间，耗材消耗情况不能够得到很好统计。实验室教学管理工作处于手工处理阶段。实验教学计划、课程大纲、实验安排完全手工操作给实验教学管理带来繁重的工作负担；对教学过程和成绩评定没有建立详细的信息管理和记录，从而无法充分保证教学效果，积累教学经验；实验室主管部门和实验室之间没有方便快捷的协作通道，教师和学生之间也缺少很好的
浙江大学 机械制造工艺学课程设计任务书 题目：车床主轴的零件机械加工工艺规程设计内容： 1、车床主轴的零件图 1 张 2、机械加工工艺过程综合卡片 2 张 3、机械加工工序卡25 张 4、课程设计说明书 1 份 班级：060316 班 姓名：吴微萍 指导教师：姚坤弟
序言 机械制造工艺及设备毕业设计是我们完成本专业教学计划的一个极为重要的实践性教学环节，是使我们综合运用所学过的基本课程，基本知识与基本技能去解决专业范围内的工程技术问题而进行的一次基本训练。 我们在完成课程设计的同时，也培养了我们正确使用技术资料，国家标准，有关手册，图册等工具书，进行设计计算，数据处理，编写技术文件等方面的工作能力，也为我们以后的工作打下坚实的基础，所以我们要认真对待这次综合能力运用的机会！ 其主要目的是： 1.培养学生综合分析和解决本专业的一般工程问题的独立能力，拓宽和深化所学的知识。 2. 培养学生树立正确的设计思想，设计思维，掌握工程设计的一般程序，规范和方法。 3.培养学生正确的使用技术知识，国家标准，有关手册，图册等工具书，进行设计计算，数据处理，编写技术文件等方面的工作能力和技巧。 4. 培养学生进行调整研究，面向实际，面向生产，向工人和工程技术人员学习的基本工作态度，工作作风和工作方法。
第一章课题介绍 1.1、课题 车床主轴是车床的主要零件，它的头端装有夹具、工件或刀具，工作时要承受扭曲和弯矩，所以要求有足够的刚性、耐磨性和抗振性，并要求很高的回转精度。所以主轴的加工质量对机床的工作精度和使用寿命有很大的影响。 其原始资料如下： 零件材料： 45钢 技术要求： 1、莫氏锥度及1：12锥面用涂色法检查，接触率为大于等于70% 。 2、莫氏6号锥孔对主轴端面的位移为+2 。 3、用环规紧贴C面，环规端面与D端面的间隙为0.05～0.1 。 4、花键不等分积累误差和键对定心直径中心的偏移为0.02 。 生产批量：中等批量 零件数据：（见零件图）