《模拟电子技术基础》期考试题
一、单项选择题
1．在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ ）。 A 、NPN 型硅管 B 、.NPN 型锗管 C 、.PNP 型硅管 D 、.PNP 型锗管
2．在某放大电路中，测的得NPN 型三极管三个电极的静态电位分别为u B =5.3 V ，u E =4.6V ，u C =4.9 V ，则这只三极管的工作状态处于（ ）。
A 、放大区
B 、截止区 Ｃ、饱和区 D 、以上都不是
3.某二级放大电路，第一级的电压增益是50 dB ，第二级的电压增益是30 dB ，则总电压增益是（ ）。 A 、50 dB B 、30 dB Ｃ、80 dB D 、1500 dB 4．理想差分放大器的共模放大倍数为（ ）。 A 、0
B 、等于一个单管的放大倍数 Ｃ、等于一个单管的放大倍数的两倍 D 、等于一个单管的放大倍数的一半。
5、图1所示电路中，二极管D 的作用是（ ）。 A 、整流 B 、稳压 Ｃ、滤波
D 、过电流保护 图1 6、图2所示电路中，起反馈作用的元件是（ ）。 A 、R 1 B 、R 2
Ｃ、R B
D 、R E
图2
7、图2所示反馈电路，其反馈类型属（ ）。 A 、电压串联负反馈 B 、电压并联负反馈 Ｃ、电流并联负反馈 D 、电流串联负反馈。
8、在生物医学放大器的输入级广泛采用场效应管是利用场效应管的（ ）特点。 A 、放大倍数高
＋
U U o
＋
－
C、输出阻抗低
D、输入阻抗高。
9、某整流电路输出电压波形如图3所示，则产生该波形对应的整流电路是下图中的（）。
A、图A
B、图B
C、图C
D、以上都不是。
图3
图
图B 图C
10、与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的静态工作点处于截止区，其主要优点是( )。
A．不用输出变压器B．不用输出端大电容C．效率高D．无交越失真。
11、甲乙类功放的静态工作点设置于甲类和乙类之间，使功放管处于微导通状态，其作用是：（）。
A．不用输出变压器 B．不用输出端大电容 C．效率高 D．消除交越失真。
12、P型半导体材料中参杂了少量的（）。
A．三价元素B．四价元素C．五价元素D．以上都不是。
13、当放大电路引入电压串联负反馈后，输入、输出电阻的变化是：（）。
A．输入、输出电阻都变大B．输入、输出电阻都变小
C．输入电阻变大、输出电阻变小D．输入电阻变小、输出电阻变大。
14、放大电路的耦合电容和旁路电容较大，晶体管的结电容较小，因此，决定放大电路带宽的是：（）
A．耦合电容和旁路电容决定下限频率、结电容决定上限频率
B．耦合电容和旁路电容决定上限频率、结电容决定下限频率
C．耦合电容决定下限频率，旁路电容上限频率，结电容可忽略不计
D．以上都不是。
15、结型场效应管与绝缘栅型场效应管的显著区别是：（）
A、结型场效应管的工作状态由电流控制，绝缘栅型场效应管的工作状态由电压控制
B、结型场效应管的工作状态由电压控制，绝缘栅型场效应管的工作状态由电流控制
C、结型场效应管的输入电阻远高于绝缘栅型场效应管的输入电阻
D．绝缘栅场效应管的输入电阻远高于结型场效应管的输入电阻。
1、电路如图4所示，请（1）指出该电路中的反馈元件，（2）判断反馈组态，（3）在深度反馈的情况下，写出Auf 的表示式。
2
、
电路如图5所示，（1）请给出该电路的名称，（2）判断电路能否产生正弦波振荡，（3）若不能，请加以改正，
若能，写出振荡频率的表达式。
3、电路如图6所示，（1）指出该电路的名称，（2）已知U REF =2V ，U Z =±6V ，R 1=R 2=5K Ω，则U T 为 。
三、计算题
根据给定的电路参数，求各电路的输出电压U o
1、 图7所示：R 1 =10k Ω，R f =30 k Ω ，U i =1V ，求 U o =？
图7
2、 图8所示：Ω==k 10R R 11‘
，Ω==k 30R R f f ‘，V 1u 1i =，V 3u i2=，求 U o =？
图8
图6
3、图9所示：Ω==k 20R R 21，Ω==k 30R R 3F ，Ω=k 10R 4，V 1u i =，求 U o =？
图9
4、图10所示，V I1=1V 、V I2=2V 。若R 1=R 2=10K Ω，R 4=5K Ω, R f =30 K Ω，求Vo =？ 。
图10
四、综合题
1、单管放大电路参数如图11所示，已知V CC =12V ，R b 1=20K
Ω，R b 2=10K Ω，R C =2K Ω，R L =6K Ω，R e =2K Ω, r be =1K
Ω ，β=50, R s =1K Ω,，电路中电容容量足够大，要求：
（1）．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ (设U BEQ =0.7V )； （2）．画出放大电路的交流通路；
（3）．求电压放大倍数A u ，源电压放大倍数A u s ， （4）.输入电阻R i ，输出电阻r o 。
图11
2、稳压电路如图12所示，（1）试分别指出取样电路、基准电压电路、比较放大器和调整环节各由哪些元件组成。（2）已知U I=15V，U W=5V, U be =0.7V，R1=R2=300Ω，R W=200Ω，求输出电压的最小值和最大值。
图12
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、
15-16学年第1学期模拟电子技术A期末试卷（B）一、判断题 1.直接耦合放大电路能够放大缓慢变化信号和直流信号，但是不能放大交流信号。 2.从能量控制和转换的角度看，功率放大器和电压放大器没有本质的区别。 3.只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。 4.在LC正弦波振荡电路中，不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。 5.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。 6.任何单管放大电路的输入电阻都与负载电阻无关。 7.若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。 8.当OCL电路的最大输出功率为1W时，功率管的集电极最大耗散功率应大于1W。 二、单项选择题 1.P型掺杂半导体的多数载流子是（） A.空穴 B.自由电子 C.正离子 D.负离子 2.场效应管本质上是一个（） A.电流控制电流源器件 B.电压控制电流源器件 C.电流控制电压源器件 D.电压控制电压源器件 3.测得某放大电路中某晶体管三个电极对地电位分别为-1.4V、-0.7V和 -6.7V，则该三极管的类型为（） A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 4.下列四图为NPN管共射基本放大电路输出电压u o波形，则截止失真的波形和消除失真的主要措施均正确的是（） A.增大V BB B.减小V BB C.减小V BB D.增大V BB 5.制作频率为2MHz～20MHz的接收机的本机振荡器，应采用（） A.LC正弦波振荡电路 B.RC正弦波振荡电路 C.石英晶体正弦波振荡电路 D.多谐振荡器 6.要求将电流信号转换成与之成稳定关系的电压信号，应引入（） A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 7.差分放大器中，若u I1=2.02V，u I2=l.98V，则u Id、u Ic分别为（） A.2V、0.02V B.2V、4V C.0.04V、2V D.0.02V、0.04V 8.设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级和第二级应分别采用（） A.共漏电路、共射电路 B.共源电路、共射电路 C.共基电路、共漏电路 D.共源电路、共集电路 9.反应场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B.输出电阻 C.击穿电压 D.跨导 10.互补输出级采用共集形式是为了使（） A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 D.交越失真小 11.为防止50Hz的电网电压干扰，可以在电路中加一个（） .. ..
实验指导书思考题及答案 实验2.6 电压比较器电压比较器、、波形发生电路 实验实验预习预习 1）理论计算图2-23电路中，上限门电压U T+= 0.73V ；下限门电压U T—= -0.73V 。答：112OH T RU U R R +=+, 112 OL T RU U R R ?=+，其中U OH =8V ，U OL = - 8V 2）计算 RC 正弦波发生器（图2-24）的输出振荡频率fo= 159Hz 。 答：12f RC π=，其中R=10K ，C=0.1μF 。 实验总结 1、总结电压比较器的工作原理。 答：比较器是一种用来比较输入信号ui 和参考信号U REF 的电路。这时运放处于开环状态，具有很高的开环电压增益，当ui 在参考电压U REF 附近有微小的变化时，运放输出电压将会从一个饱和值跳变到另一个饱和值。 2、将滞回比较器的门限电压理论值和实测值进行比较 ，并分析误差原因。 答：门限电压理论值为112OH T RU U R R += +，112 OL T RU U R R ?=+。稳压二极管稳压值不是正好±8V ，电阻R 1和R 2阻值的误差。 3、思考题：当滞回比较器输入交流信号U im 值小于门限电压U T 时，比较器输出会出现什么情况？ 答：比较器的输出不会发生跳变，输出为保持为-8V 或者+8V 。 表2-20 选定正确的操作方法（正确的在方框内画√，错误的在方框内画×） 项 目 操作方法 运算放大器使用 运算放大器使用时须提供直流电源（±12V 和地）（√） 运算放大器须检测好坏，方法是开环过零（√） 电压比较器仍须要调零（╳） 滞回比较器 利用滞回比较器将输入的正弦波转换为输出的矩型波，对输入信号幅值大小没有要求（╳）
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1 = 100 μV，u I 2 = 80 μV则差模输入电压u Id= 20μV；共模输入电压u Ic = 90μV。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可 选用 高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC =0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（A）。A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。 A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C)。 a．不用输出变压器b．不用输出端大电容c．效率高d．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C)，发光二极管发光时，其工作在( A)。 a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12 V，R S 10kΩ， R B1 120 kΩ，R B2 39 kΩ，R C 3.9 kΩ， R E 2.1 kΩ，R L 3.9 kΩ，r bb’ Ω，电流放大系 数 β 50，电路中电容容量足够大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ ( 设U BEQ 0.6 V )； u I u o R L
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.
路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;.
2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.
试题一 一、选择题（每小题2分，共24分）：（1）当晶体管工作在放大区时，发射 结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B.前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C.五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C.差动放大电路）。（4）高通滤波电路可以用于（ A 滤除高于某一频率的无用信号A. 滤除低于某一频率的无用信号 B. 让低于某一频率的有用信号通过C. 。（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ） A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好C.引入了电流串联型负反馈。） B 等于（（6）、电路如图所示，其输出电压u O u?u?uu uu?C.A.B. i2i1i1i2i2i1 （7）当信号频率等于放大电路的f或f时，放大倍数的值约下降到中频时的HL0.7倍,即增益下降（ A ）。 A.3dB B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A．同相比例B．微分 C．同相求和 （9）PN结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL功率放大电路如图所示，当u为正半周时，则( A )。i-111A
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u为如图所示的三角波， i则输出电压u的最大值为（ B ）。o A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分）
苏州大学模拟电路课程试卷（1 卷）共4页 一. 填空题：(20分) 1. PN 结伏安特性方程为I=_____________________。 2. 高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN 结存在___________ (A. 结电容 B. 反向击穿 C. 单向导电性)。 3. 温度升高时，二极管的正向导通压降将 。 (A. 增大 B. 减小 C. 不变) 4. 单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时，输出信号波形可能产生_______和_________失真（A 饱和 B 截止C 交越 D 频响）。 5. 放大器为了稳定放大倍数，可以引入______(A.交流 B.直流)。 6. 100μV ～10V 范围内的音频信号, 经过_____(A.对数 B.指数 C.乘法)运算电路处理后，可以用0V ～ 10V 范围的电压表反映。 7. 已知 则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。 8. ___________（A 简单 B 滞回 C 窗口 D 三态）比较器在输入电压足够高和足够低的时候，输出电 平是相同的。 9. 正弦波振荡器按照选频网络的元件类型可分为三类:_____________、_______________和 _________________。 10. 滤波电路的主要目的是____________________________________。 二．分析计算题： 1．(16分) 图示单管共射电路中，已知晶体管β=100， r bb'=200， （1）求I CQ ,U CEQ （2）求r be (3) 画出微变等效电路 (4) 求Au ，Ri ，Ro 2．(12分) 图示差动放大电路中，两个三极管的β=60，r bb'=200， (1)试求I CQ1 ,U C1 (2) 求Aud ，Rid ，Ro (3) 求Auc 1110 200)(++=f f Q j f f j f f Q j Aup Au
简要说明：本实验所有内容是经过^一年的使用并完善后的定稿；已经出版的较为成熟的内容，希望同学们主要参考本实验内容进行实验。 实验一常用电子仪器使用 为了正确地观察电子技术实验现象、测量实验数据，实验人员就必须学会常用电子仪器及设备的正确使用方法，掌握基本的电子测试技术，这也是电子技术实验课的重要任务之一。在电子技术实验中，所使用的主要电子仪器有：SS-7804型双踪示波器，EE-1641D函数信号发生器，直流稳压电源，DT89C型数字万用表和电子技术实验学习机。学习上述仪器的使用方法是本实验的主要内容，其中示波器的使用较难掌握，是我们学习的重点，要进行反复的操作练习，达到熟练掌握的目的。 一、实验目的 1. 学习双踪示波器、函数信号发生器、直流稳压电源的正 确使用方法。 2. 学习数字万用表的使用方法及用数字万用表测量元器 件、辩别二极管和三极管的管脚、类型。 3. 熟悉实验装置，学会识别装置上各种类型的元件。 二、实验内容
（一）、示波器的使用 1. 示波器的认识 示波器是一种测量、观察、记录电压信号的仪器，广泛应用于电子技术等领域。随着电子技术及数字处理技术的发展，示波器测量技术日趋完善。示波器主要可分为模拟示波器和数字存贮示波器两大种类。 模拟示波器又可分为：通用示波器、取样示波器、光电存储示波器、电视示波器、特种示波器等。数字存贮示波器也可按功能分类。 即便如此，它们各有各的优点。模拟示波器的优点是： ?可方便的观察未知波形，特别是周期性电压波形； ?显示速度快； ?无混叠效应； ?投资价格较低廉。 数字示波器的优点是： ?捕捉单次信号的能力强； ?具有很强的存储被测信号的功能。 示波器的主要技术指标： ①. 带宽：带宽是衡量示波器垂直系统的幅频特性，它 指的是输入信号的幅值不变而频率变化，使其显示波形的幅度 下降到3dB时对应的频率值。 ②. 输入信号范围： ③. 输入阻抗： ④. 误差： ⑤. 垂直灵敏度：指垂直输入系统的每格所显示的电压
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OA>V OB，由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA a、虚短 b、虚断 c、虚地 d、以上均否 8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（ A ） a、0V b、3V c、6V d、9V 9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V O为（ C ） a、9V b、6V c、0V d、3V 10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成（ D ） a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ） A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。 a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（ C ） a、电子和受主离子 b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷 低频电子线路实验思考题 实验一常用电子仪器的使用（P6） 1.什么是电压有效值？什么是电压峰值？常用交流电压表的电压测量值和示波器的电压直接测量值有什么不同？ 答：电压峰值是该波形中点到最高或最低之间的电压值；电压有效值等于它的瞬时值的平方在一个周期内职分的平均值再取平方根。 常用交流电压表的电压测量值一般都为有效值，而示波器的电压直接测量都为峰值。 2.用示波器测量交流信号的峰值和频率，如何尽可能提高测量精度？答：幅值的测量：Y轴灵敏度微调旋钮置于校准位置，Y轴灵敏度开关置于合适的位置即整个波形在显示屏的Y轴上尽可能大地显示，但不能超出显示屏指示线外。频率测量：扫描微调旋钮置于校准位置，扫描开关处于合适位置即使整个波形在X轴上所占的格数尽可能接近10格（但不能大于10格）。 实验二晶体管主要参数及特性曲线的测试（P11） 1.为什么不能用MF500HA型万用表的R×1Ω和R×10Ω档量程测量工作极限电流小的二极管的正向电阻值？ 答：根据MF500HA型万用表的内部工作原理，可知R×1Ω和R×10Ω档量程测量工作极限电流小的二极管的正向电阻值的等效电路分别为图1和图2所示，此时流过二极管的最大电流，，当I D1和I D2大于该二极管的工作极限电流时就会使二极管损坏。 图1 图2 2. 用MF500HA型万用表的不同量程测量同一只二极管的正向电阻值，其结果不同，为什么？ 提示：根据二极管的输入特性曲线和指针式万用表Ω档的等效电路，结合测试原理分析回答。 答：R×1Ω：r o=9.4Ω; R×10Ω: r o=100Ω; R×100Ω: r o=1073Ω; R×1kΩ: r o=32kΩ。因为二极管工作特性为正向导通、反向截至，尤其是正向导通的输入特性曲线为一条非线性曲线。用MF500HA型万用表 单选题 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用： 收藏 A. 共基极放大电路 B. 共射放大电路 C. 共集电极放大电路 回答错误!正确答案： B OCL互补对称功率放大电路，若电源电压为12V，则功放管的UCEO要： 收藏 A. 大于24V B. 等于24V C. 小于12V 回答错误!正确答案： A 即可以放大交流信号，也可以放大直流信号的放大电路，采用的耦合方式是：收藏 A. 直接耦合 B. 阻容耦合 C. 变压器耦合 回答错误!正确答案： A 理想情况下，差动放大电路双端输出时的共模电压放大倍数为： 收藏 A. 无穷大 B. C. 不知道 回答错误!正确答案： B “虚断”的概念源于运放的： 收藏 A. 差模输入电阻趋于无穷大 B. 输出电阻为0 C. 开环差模电压放大倍数Aud为无穷大 回答错误!正确答案： A 当负载发生变化时，欲使输出电流稳定，且提高输入电阻，放大电路应引入：收藏 A. 电流串联负反馈 B. 电流并联负反馈 C. 电压串联负反馈 D. 电压并联负反馈 回答错误!正确答案： A 正弦振荡电路的选频网络若由石英晶体构成，则称为： 收藏 A. 石英晶体振荡器 B. 电容三点式振荡器 C. RC振荡器 回答错误!正确答案： A 乙类功率放大的静态管耗为： 收藏 A. 无法计算 B. 1W C. 零 回答错误!正确答案： C 正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的： 收藏 A. 直流负反馈放大电路 B. 交流负反馈放大电路 C. 交流正反馈放大电路 D. 直流正反馈放大电路 回答错误!正确答案： C 低通滤波电路是： 收藏 A. 允许所有频率信号通过 B. 允许高频信号通过，将低频信号衰减 C. 允许低频信号通过，将高频信号衰减 回答错误!正确答案： C 允许某一频带范围内的信号通过，而将此频带之外的信号衰减的电路称为：收藏 A. 低通滤波器 B. 带阻滤波器 C. 带通滤波器 回答错误!正确答案： C 整流电路采用的是具有单向导电性能的整流元件： 收藏 A. 三极管 B. 二极管 C. 电容 回答错误!正确答案： B 积分电路可以用于波形变换，若输入为方波信号，则可得输出信号为： 收藏 A. 三角波 B. 正弦波 C. 《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从 P 区流向 N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益 第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案 实验指导书思考题及答案 实验2.4 电压比较器 四、实验总结报告分析提示 1、将迟滞比较器的门限电压理论值和实测值进行比较 ，并分析误差原因。 答：门限电压理论值为112OH T RU U R R += +，112OL T RU U R R ?=+。稳压二极管稳压值不是正好±8V ，电阻R1和R2阻值的误差。 五、预习要求 阅读本实验内容，了解由运算放大器组成电压比较器的工作原理。填写表2-4-1中的内容。 理论计算图2-4-2（a ）电路中，上限门电压U T+= 0.73V ；下限门电压U T—= -0.73V 。(112OH T RU U R R += +, 112OL T RU U R R ?=+，U OH =8V ，U OL = - 8V) 实验2.5 波形发生器 四、实验总结报告分析提示 1、整理实验数据，将波形周期的实测值和理论值进行比较，并分析误差原因。 答：正弦波频率为12f RC π=，主要是10K 电阻和0.1μF 电容不是标称值。 方波周期表达式为周期为122ln (12 )F R T R C R =+，可见R F 、C 、R 1和R 2的精度都影响周期。 2、RC 正弦波发生器图2-5-1中， 电位器R P 的作用是调节正弦波的频率吗？它的作用是什么？ 表2-4-1 选定正确的操作方法（正确的在方框内画√，错误的在方框内画×） 项 目 操作方法 运算放大器使用 运算放大器使用时须提供直流电源（±12V 和地）（√） 运算放大器须检测好坏，方法是开环过零（√） 电压比较器仍须要调零（╳） 迟滞比较器 利用迟滞比较器将输入的正弦波转换为输出的矩型波， 对输入信号幅值大小没有要求（╳） 《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子模拟电子技术基础实验思考题
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