Simultaneous Addition of B4C + SiC to MgB2 Wires and Consequences for J c and B irr René Flükiger1,2,*, Paola Lezza1, Marco Cesaretti3, Carmine Senatore1 and Roman Gladyshevski4 1 Group of Applied Physics, University of Geneva, 20, rue de l’Ecole de Médecine – CH-1211 Geneva 4, Switzerland
2 Department of Physics of Condensed Matter (DPMC) and MANEP (NCCR), University of Geneva, 24, quai Ernest Ansermet – CH-1211 Geneva 4, Switzerland
3 Dipartimento di Matematica Fisica, Univ. Cattolica del Sacro Cuore, Brescia
4 Department of Inorganic Chemistry, University of Lviv, Ukraine
Abstract
The simultaneous addition of various Carbon based additives (in the present case B4C + SiC) to Mg and B powders has been introduced as a new concept in view of enhancing the superconducting parameters B c2, B irr and J c values of in situ Fe/MgB2 wires. A series of Fe sheathed monofilamentary wires of 1.1 mm diameter with a MgB2 core of 600 μm diameter was prepared with various B4C:SiC ratios, the relation being 2.5:7.5, 5:5, 7.5:2.5 and 7.5:7.5 (values in wt. %). After reaction of 1 hour at 760°C, the wire containing 7.5 wt.% B4C and 2.5 wt.% SiC powders exhibited a J c value of 1x104 A/cm2 at 11.3 T and 4.2 K. Although only 2.5 wt.% SiC were added, these values are considerably above those of ternary wires with B4C additions, where the same J c value is obtained at 10T. The slope J c vs. B for the B4C + SiC wires is steeper than for SiC additives, the J c values at 4.2 K being superior at fields below 9 T. The lattice parameters a of the B4C + SiC added wires exhibit lower values than ternary wires with the same nominal C content, suggesting a higher C content in the MgB2 phase. The “disorder” in the MgB2 structure has been characterized as a partial substitution of B by Carbon. A reduction of the domain sizes in the c direction as well as in-plane to 250 ? and 124 ? has been determined from the FWHM and the breath values of the (110) and (002)
peaks. With the simultaneous introduction of B4C + SiC, a strong improvement of J c and B irr has been obtained with respect to B4C additions.
A further enhancement of J c is expected when using different combinations of additives with and without Carbon, aiming for a further raise of J c in wires with multiple additives, as a result of the combination of different mechanisms.
Keywords: Superconducting filaments and wires, magnesium boride, nanopowders, B4C additives
* Corresponding author; e-mail address: rene.flukiger@physics.unige.ch; tel.: +41 22 3796240
Introduction
With the progress of the superconducting current carrying capability of MgB2 wires since its discovery in 2001 [1], the question arises whether this compound can in some particular cases be considered as a possible substitute for NbTi or Nb3Sn. The positive arguments for MgB2 are its high transition temperature and its weak-link free character, the low material costs and the small anisotropy. MgB2appears as a promising candidate for engineering applications, e.g. MRI magnets at 20 K and intermediate field inserts for NMR magnets. However, the superconducting parameters B c2, B irr and J c need to be further increased. The present paper is centered on the in situ technique, which allows the addition of a great variety of elements and compounds, in view of the optimization of the critical current density by the combination of different mechanisms.
The additives to MgB2
An impressing amount of works has been published about the effect of additives on the critical parameters of MgB2 wires and tapes. The most efficient additive found so far is SiC [2-6], for which a J c(4.2K) value of 1x104A/cm2has been reported [2] for fields slightly above 12 T at 4.2 K. Other known additives are C (as nanotubes or diamond powder) [7,8], WB [9], WSi2, ZrSi2 [3,10], Ti [11], Si3N4 [12,13], Na2CO3 [14], aromatic hydrocarbons [15], hydrides [5] and B4C [16,17,20]. Most of these very different additives lead to an enhancement of J c, suggesting that more than one mechanism must affect the critical parameters of MgB2 wires.
As possible mechanism one can imagine the following ones: the partial substitution of Boron by Carbon or of Mg by other elements, a higher densification of the MgB2 filaments during
reaction, the reduction of the MgB2 domains (i.e. of cristallinity) and the effect of secondary phases on the conditions at the grain boundaries. The correct attribution of the mechanism responsible for the J c enhancement is not easy, due to the superposition of various mechanisms. So far, a main source for the enhancement of B c2 and B irr has been identified as the enhancement of the normal resistivity, due to the partial substitution of Boron by Carbon in the MgB2 structure.
In contrast to bulk samples, no gases should be released during the reaction in long, sheathed MgB2wires. This excludes hydrides, hydrocarbons or nitrides as potential additives. In addition, the in situ reaction temperature of the powder mixture with the additive should be as low as possible, to prevent a reaction with the sheath materials, but also to prevent a too important grain growth. It is known that the reaction temperature for optimized J c values after Carbon additives is well above 900°C [18,19]. Yamamoto et al. [16] have shown that the reaction with B4C occurs at lower temperatures: they reacted bulk samples at 850°C and obtained at 4.2 K the value of J c = 1 x 104 A/cm2 above 8 T. It was recently shown in our laboratory (Lezza et al. [17]) that this field could be raised to 9 T after reaction temperatures as low as 800°C. In addition to the partial substitution of B by C,a correlation between the cristallinity and B irr was proposed by Yamamoto et al. [20] and Kumakura et al [21] for both, SiC and B4C additives to MgB2, on the basis of the FWHM values of the (110) peaks in X-ray patterns.
The present work is a first attempt to introduce simultaneously various Carbon containing additives, following the goal of an enhanced presence of Carbon on the Boron sites, hoping for a further optimization of the superconducting parameters. Since the slope of J c vs. B for B4C added in situ wires is higher than for SiC additions [17], it was hoped that slightly different mechanisms could have a positive influence on the superconducting properties of the quaternary wire.
Experimental
Monofilamentary wires were prepared by the in situ technique, using Mg (99.8% pure, ~325 mesh) and amorphous B (1.02 % oxygen, submicrometric particle size) at the stoichiometric ratio, adding various amounts of B4C powders (particle size: 500 nm) or both B4C and SiC at the ratios listed in Table 1. The precursor powders were mixed and then inserted in Fe tubes of ?out and ?in of 8 and 5 mm, respectively. The diameter of the tubes was reduced applying a combination of swaging and drawing to final diameters of 1.11 and 0.657 mm, respectively. The wires were then heat treated under Ar flow at various temperatures up to 800°C for 1 hour. For comparison, undoped wires were fabricated with the same procedure up to diameters of 1.11 mm diameter and annealed both at 670 °C, 2 min or 800°C, 1 hour [17]. The critical currents were measured by the standard 4-point method at fields up to 15 T, both at 4.2 K and 20 K. X ray diffraction measurements were performed after extracting the powder from the filaments, using Cu Kα1radiation with a Si standard for a precise determination of the lattice parameter changes. T c was measured with a SQUID magnetometer in a background field of 12.3 Oe, ramping from 20 to 40 K.
Results
The wires studied in the present work are characterized in Table I. Wire A consists of binary MgB2, while B, C and D are ternary wires with 5, 10 and 12.5 wt.% B4C. The quaternary wires E,F,G and H contain simultaneously B4C and SiC additives, their respective amounts being 7.5 and 2.5 wt.%, 5 and 5 wt.%, 2.5 and 7.5 wt.%, and 7.5 and 7.5 wt.% with respect to MgB2. The lattice parameters of the samples studied in the present work are listed in Table II. The parameters a and c are plotted in Fig. 1 as a function of the nominal Carbon: Boron ratio,
confirming that c is little affected by the Carbon content, in contrast to a, which shows a gradual decrease.
The decrease of the lattice parameter a had already been reported by several authors for SiC additions, while Yamamoto et al. [16,20], and more recently Lezza et al. [17] reported a decrease for B4C additions to MgB2. The stars in Fig. 1 represent the values for the B4C additives, while the circles represent the data for simultaneous B4C + SiC addition.
Fig. 2 shows the transport critical current densities for the binary wire A and for the B4C added wires, B, C and D at 4.2 K vs. the applied field, after reaction at 800°C for 1 hour. The present wires had a MgB2 core of 600 μm diameter, and contained neither a Nb barrier nor a Cu stabilizer, which considerably limited the measuring field range. The present data are thus incomplete, but allow a good comparison among the different additions, at least at fields around 10 T and 4.2 K.
After reaction at 800°C, the binary MgB2 wire shows strongly enhanced values with respect to the optimized temperature, 670°C. For the B4C added wires, a maximum of J c was found at 10 wt.% B4C: the J c value of 1x104 A/cm2 is reached at 96 T [17]. After reaction at 760°C for 1 hour (not shown in Fig. 2), this value was raised to 10.0 T, the corresponding value at 20 K being 4.5 T.
The variation of J c vs. B for the quaternary, B4C + SiC added wires E, F, G and H is shown in Fig. 3 after 1 hour at 800 °C. The maximum values are reached for wire E with 7.5 wt.% B4C and 2.5 wt.% SiC, for which the value of 1x104 A/cm2 at 4.2 K is reached at 11.1 T. The data on wire E (7.5 wt.% B4C + 2.5 wt.% SiC) at 4.2 and 20K are plotted in Fig. 4, together with the data of Soltanian et al. [4]. A further improvement was obtained after 1 hour at 760°C, where 1x104 A/cm2 at 4.2 K was reached at 11.3 T. It was shown by Lezza et al [17] that the slope at 4.2 K of J c vs. B for B4C added wires is considerably steeper than for SiC added wires. This tendency is also present in the B4C + SiC added wire E after 1 hour at 800°C and
is even slightly enhanced after reaction at 760°C. It follows that J c of the SiC added wire is still higher at higher fields, but that there is a cross over in the region of 9 T.
From the resistive transitions, values of B c2 and B irr have been extracted up to a field of 10 T (Fig 5). For all measured wires, an increase in the magnetic field caused a shift toward lower temperatures (Fig. 5). B c2and B irr values were defined using the criteria of 90% and 10%, respectively, of the normal state resistive curves. As shown in Fig.5, the values of B c2 and Birr at 20 K are 8 and 10 T, respectively. From a comparison with literature data, the extrapolation to lower temperatures yields roughly 27 and 23 T, respectively.
The T c values of the analyzed wires vary monotonously with the lattice parameter a (Fig. 6). Yamamoto et al. [20] and Kumakura et al. [21] reported that the addition of B4C and SiC, respectively, to MgB2 leads to an increase of the FWHM values of the (110) and (200) peaks, thus reflecting a lower cristallinity. A correlation between the FWHM value and B irr was found, in particular for the (110) reflections.
The present data were analyzed by means of the DIFPATAN software, which takes into account the FWHM values as well as the integral breath β = A/I(0), where A is the peak area and I(0) the peak height. Wire E with the highest J c values exhibited FWHM values for the (002) and (110) reflections of 0.41 and 0.62°, respectively, the corresponding values for the breath βbeing 0.56 and 0.94. The calculation yielded domain sizes of 248 ? for the (002) peak and 124 ? for the (110) peak, which is considerably smaller than the corresponding values for the MgB2 wire without additives.
The tendency of increasing FWHM values with increasing amount of additives confirms the results of Refs. [4,16] and [20]. The situation in doped MgB2wires can be described as follows. After reaction at 800°C: the grains, of a size of 300 – 500 nm [20] consist of domains having an average extension of 248 ? in the c direction, the in-plane size being 124 ?. There is an appreciable uncertainty in these values, due to the inhomogeneities of the Carbon
substitution, which are difficult to evaluate. A systematical study will lead to a better characterization.
Conclusions
The simultaneous addition of various Carbon based additives (in the present case B4C + SiC) to Mg and B powders has been introduced as a new concept in view of enhancing the superconducting parameters B c2, B irr and J c values of in situ Fe/MgB2 wires. A series of Fe sheathed monofilamentary wires of 1.1 mm diameter with a MgB2 core of 600 μm diameter was prepared with various B4C:SiC ratios, the relation being 2.5:7.5, 5:5, 7.5:2.5 and 7.5:7.5 (values in wt. %). The highest value of J c was obtained for the wire containing 7.5 wt.% B4C and 2.5 wt.% SiC powders, reacted 1 hour at 760°C. A J c value of 1x104 A/cm2 was measured at 11.3 T and 4.2 K.
Although only 2.5 wt.% SiC were added, these values are considerably above those of ternary wires with B4C additions, where this J c value is obtained at 10T. The lattice parameters a of the wires with quaternary additions (B4C + SiC) exhibit lower values than B4C added wires with the same nominal C content, suggesting a higher C content in the MgB2 phase. With the simultaneous introduction of B4C + SiC, a strong improvement of J c and B irr has been obtained over binary in situ wires. The slope of J c vs. B for the B4C + SiC added is steeper than for wires with SiC additives, resulting in higher J c(4.2K) values for magnetic fields below 9 T.
The “disorder” in the MgB2 structure has been characterized as a partial substitution of B by Carbon and by the reduction of the domain sizes in the c direction as well as in-plane, to values well below 250 ?, as determined from the FWHM and the breath values of the (110) and (002) peaks.
An enhancement of the present data is expected for Cu stabilized wires with higher reduction ratios and a Nb barrier [22] to minimize the reaction with the Fe sheath. A further enhancement of J c is expected when using different combinations of additives with and without Carbon, aiming for a further raise of J c in wires with multiple additives, as a result of the combination of different mechanisms.
Acknowledgements
The authors would like to thank Drs. W. Goldacker and Sonja Schlachter of the ITP at the Forschungszentrum Karlsruhe for many discussions about the in situ technique.
This work is supported by the EU FP 6 project NMP-3-CT2004-505724 and by MANEP (NCCR), Switzerland.
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Table Captions
Table 1: Relative percentage of additive and nominal Carbon content with respect to the total Boron content.
Table 2: Nominal Carbon/Boron ratios and lattice parameters of the wires annealed at 800°C for 1 hour.
Sample wt.% B4C wt.% SiC Nominal C / B ratio
A 0 0 0
B 5 0 0.019
C 10 0 0.036
D 12.5 0 0.043
E 7.5 2.5 0.040
F 5 5 0.046
G 2.5 7.5 0.051
H 7.5 7.5 0.066
Sample Nominal C / B ratio a (?) c (?)
A 0 3.0854(8) 3.5239(10)
B 0.019 3.0815(2) 3.5275(3)
C 0.036 3.0797(5) 3.5275(6)
D 0.043 3.0795(4) 3.5283(5)
E 0.040 3.0751(5) 3.5273(9)
F 0.046 3.0736(7) 3.5261(8)
G 0.051 3.0737(6) 3.5265(7)
H 0.066 3.0711(7) 3.5263(9)
Figure Captions
Fig. 1. Lattice parameters vs. nominal C/B ratio for the wires with B4C additives (stars) and with B4C+SiC additives (circles).
Fig. 2.J c vs. B for Fe/MgB2 wires containing 0, 5, 10 and 12.5 wt.% B4C additions, reacted 1 hour at 800°C.
Fig. 3.J c vs. B for Fe/MgB2 wires containing the additives B4C and SiC in the proportions 7.5/2.5, 5/5, 2.5/7.5 and 7.5/7.5, respectively (all numbers are wt.% with respect to MgB2). Fig. 4.J c vs. B for wire E with 7.5 wt.% B4C + 2.5 wt.% SiC additions at 4.2 and 20 K. The data of Soltanian et al. [4] have been added for comparison.
Fig. 5. Resistive transitions vs. B (inset) and the corresponding values of B c2 and B irr up to 10T.
Fig. 6.T c of MgB2 wires (measured by means of SQUID) with ternary (B4C) and quaternary (B4C + SiC) additions as a function of the lattice parameter a.
肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称：10A15 ?主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装：TO-220F ?脚位长度：6-12mm ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名：FCH20A15 ?型号简称：20A15 ?主要参数：20A 150V ?产品封装：TO-220F ?可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：
肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6
0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45
西安电子科技大学高等职业技术学院 “高等数学”教学大纲 一、教材内容的范围及教学时数 根据教育部高职高专规划教材之高等数学，其内容的范围包括：一元函数微积分学及其应用, 一元函数积分学及其应用，向量代数与空间解析几何，多元函数积分学，无穷级数，常微分方程。 教学时数：144学时课程类别：必修学分：9 学期：第一、二学期使用范围：工科所有专业及电子商务专业 二、教学的目的及要求 要求学生全面的掌握高等数学所涉及的基本概念，基本理论和基本运算能力的技巧，具有大专学习所必需的抽象思维能力、逻辑推理能力、空间想象能力以及综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。具体要求可分为较高要求和一般要求两个层次: 较高要求需要学生深入理解、巩固掌握、熟练应用，其中概念、理论用“理解”一词表述；方法、运算用“掌握”一词表述；一般要求也是不可缺少的，只是在要求上低于前者，其中概念、理论用“了解”一词表述；方法、运算用“会”或“了解”一词表述。 1．函数、极限、连续及具体要求 （1）理解函数的概念，掌握函数的表示方法 （2）了解函数的有界性、单调性、奇偶性和周期性 （3）理解复合函数概念，了解反函数和隐函数的概念 （4）掌握基本初等函数的性质及图像 （5）会建立简单应用问题的函数关系式 （6）理解数列极限和函数极限的概念，理解函数的左右极限的概念以及极限存在与左右极限之间的关系 （7）掌握极限的性质与四则运算法则 （8）掌握极限存在的两个重要准则，并会利用其求极限 （9）掌握两个重要极限的方法 （10）理解无穷小、无穷大的阶的概念 （11）理解函数连续性的概念，会判断间断点的类型 （12）了解初等函数连续性的闭区间上的连续性质（最大值、最小值和解介值定理）会解答相关的应用问题 2．一元函数微分学及具体要求 （1）理解导数的概念及其几何意义，会求平面曲线的切线与法线方程 （2）了解导数的物理意义，会用导数描述一些物理量 （3）理解函数的可导性与连续性之间的关系 （4）掌握导数的四则运算法则和复合函数的求导法则，会求反函数的导数 （5）掌握基本初等函数的求导公式，了解初等函数的可导性
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分： 一．肖特基二极管简介 二．我所肖特基二极管生产状况 三．我所肖特基二极管种类 四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五．介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用
下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释 肖特基二极管的命名： 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的， 完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR）， 也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。 肖特基：Schottky 整流：Rectifier SR：即为肖特基整流二极管 Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT...... 肖特基：Schottky 势垒：Barrier SB：即为肖特基势垒二极管 肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、 SL....、BL.... Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT...... Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。 因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 关于肖特基MBR系列 为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？ 因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号 M：是以最早MOTOROLA的命名，取M B：Bridge 桥；Barrier：势垒 R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件 例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写M B：Barrier缩写B R：Rectifier 缩写R 10：电流10A 200：电压200V C：表示TO-220AB封装，常指半塑封。 T：表示管装 MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装 元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如： MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装 MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装 MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220全塑封 TO-252，也就是贴片DPAK封装；TO-263，也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT，型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。 MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。
电子信息科学与技术专业培养方案 一、培养目标及规格 电子信息科学与技术专业旨在培养爱国进取、创新思辨、具有扎实的数理、计算机及外语基础，具备电子信息方面的基本知识和技能，具有较强的无线电物理与微波、毫米波技术相结合的能力，具有较好的科学素养及一定的研究、开发和管理能力，具有创业和竞争意识，具有国际视野和团队精神，能适应技术进步和社会需求变化的行业骨干和引领者。 电子信息科学与技术专业针对不同发展要求的学生，确定专业学术型、工程实践型、就业创业型三种人才培养规格。 1.“专业学术型”：在学习的奠基阶段，强调打好数理、计算机及外语基础；在积累成长阶段针对专业学术型的学生进行电子信息基本知识和技能，无线电物理与微波、毫米波技术等方面初步培养；在能力强化阶段进一步加强技术创新和综合设计能力训练并对在该学科方向开展科学研究做好准备。毕业生可报电磁场与微波技术、无线电物理、无线通信等专业的研究生继续深造。 2.“工程技术型”：培养具有良好的数理基础和专业基础知识的技术创新与综合设计人才。掌握熟练的专业技能，具有工程素质，动手能力强，毕业生可从事工程技术应用与开发设计工作。 3.“就业创业型”：培养不但具有良好的数理基础和专业基础知识而且具备良好的外语沟通能力，知识更新能力，技术创新能力以及管理能力的人才。掌握较好的专业技能及工程素养，动手能力强。毕业生可以从事工程技术应用和管理工作。 二、基本要求 （一）知识结构要求 本专业按照4年制进行课程设置及学分分配。知识结构要求如下： 一、二年级主要学习公共基础课程，主要掌握高等数学、大学物理、外语和电路分析基础等基础知识。三、四年级主要学习专业基础课和专业课，主要包括电磁场与电磁波、微波技术、和微波遥感专业基础知识。使学生通过学习掌握扎实的数理基础和电子信息科学与技术专业方面的专门知识。 1. 公共基础知识：具有扎实的高等数学、大学物理、英语、计算机、人文社会科学基础知识。 2. 学科基础知识：掌握电路分析基础、信号与系统、模拟电子技术基础、数字电路与逻辑设计、微机原理与系统设计、数学物理方程、数值计算方法的相关专业知识。 3. 专业知识：掌握天线原理、量子力学、电磁场理论、电波传播概论、通信原理、微波技术基础的专业知识。 4. 实践类知识：具有电波测量实验、电子电磁技术实验、专业特色实验（微波应用）等的专业知识。 5. 能力素质知识：了解电波传播相关专业的最新动态，微波、毫米波天线技术方面的
4/13/2013深圳市强元芯电子有限公司https://www.doczj.com/doc/3514058142.html, 肖特基与普通二极管比较 肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。 肖特基二极体的导通电压非常低。一般的二极管在电流流过时，会产生约0.7-1.7 伏特的电压降，不过肖特基二极管的电压降只有0.15-0.45 伏特，因此可以提升系统的效率。 肖特基二极管和一般二极管最大的差异在于反向恢复时间，也就是二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间。一般二极管的反向恢复时间大约是数百 nS，若是高速二极管则会低于一百 nS，肖特基二极管没有反向恢复时间，因此小信号的肖特基二极管切换时间约为数十 pS，特殊的大容量肖特基二极管切换时间也才数十 pS。由于一般二极管在反向恢复时间内会因反向电流而造成EMI噪声。肖特基二极管可以立即切换，没有反向恢复时间及反相电流的问题。 上表列出了肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见，除了上面提到的的性能之外肖特基二极管整流电流比效高，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。 因此总结为：肖特基二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 2013-04-13深圳市强元芯电子有限公司https://www.doczj.com/doc/3514058142.html,
肖特基二极管简介 肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 Schottky diode (SBD) is the Schottky barrier diode , is the inventor of the Schottky named semiconductor device. Schottky barrier diode is a low power, high current, super high speed semiconductor devices, instead of using P type semiconductor and the n-type semiconductor contact formation PN junction theory to make, but the use of metal semiconductor contact formation of metal semiconductor junction with the principle of making the. Therefore, SBD is also known as a metal semiconductor (contact) diode or a surface barrier diode, which is a hot carrier diode. 肖特基二极管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。 SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
二极管是电子电路中常用的元件之一，其在电子电路中可以作为整流、检波、钳位保护等用途。本文介绍一下电子爱好者搞电子制作时经常用到的一些二极管的主要电参数及封装丝印。 1、常用的整流二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 1N4001整流二极管 1N4001整流二极管是1N40xx系列中常用的管子，其耐压值为50V，整流电流为1A，在一些低压稳压电源中很常见。对于直插的1N4001二极管，带有白色色环的那一端为负极（其它型号的直插二极管亦然）。贴片封装的1N4001的丝印为M1，其参数与直插的1N4001的参数一样。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 贴片1N4001二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N4007整流二极管 1N4007二极管可以说是1N40xx系列中最常用的二极管，该管耐压值为1000V，整流电流为1A，其广泛用于电子镇流器、LED驱动器中作为低频高压整流。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 贴片1N4007二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N5408整流二极管
1N40xx系列二极管的整流电流为1A，若需要大电流整流，可以选用整流电流为3A的1N54xx 的整流二极管。其中1N5408是该系列中最常用的二极管。该管的耐压值可达1000V。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 6A10整流二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 10A10整流二极管 若需要更大电流的整流二极管，可以选用6A10及10A10，它们的耐压值皆为1000V，整流电流分别为6A和10A。 2、常用的肖特基二极管 肖特基二极管高频性能良好，正向压降小，多用于开关电源及逆变器中作高频整流。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 ▲ 1N5819肖特基二极管 1N5819肖特基二极管高频性能良好，正向压降低（在左右），在一些输出电流1A以下的锂电池充电器中很常见。1N5819的耐压值为40V，整流电流为1A。 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 贴片封装的1N5819肖特基二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 1N5822肖特基二极管 电子制作中常用二极管的主要参数及封装丝印 贴片封装的1N5822肖特基二极管
西安电子科技大学卓越工程师教育培养计划校内课程大纲 《工程优化方法》 课程名称：工程优化方法/Engineering Optimization Methods 课程代码：0721005 课程类型：必修 总学时数：46学时 学分：3分 开课单位：理学院数学科学系 适用专业：适用于理、工等专业的卓越工程师硕士 课程的性质与目标 最优化方法是一门新兴的应用数学，是运筹学的核心部分，在工程科技、经济金融、管理决策和国防军事等众多领域具有广泛的应用。工程优化方法基于最优化的原理，着重介绍实用性、有效性强的各种实用优化算法。通过本课程的课堂学习和一定的上机实践使学生对工程优化方法的基本原理、算法的基本步骤、应用要点等有一个基本认识和初步掌握，培养和提高用优化方法解决某些实际问题的初步技能，为应用优化软件包解决实际工程问题奠定基础。 ?能够掌握最优化的基本原理、基本方法和应用技能 ?能够用工程优化方法解决简单的实际问题 ?能够熟练应用优化软件包进行计算 学时安排 课堂教学：学时：40 研讨课：学时：6 实践课：学时：10 总学时数：学时:46+10 教学方法 以课堂教学为主，采用板书与多媒体相结合的教学方式，讲授工程优化方法课程的基本原理和方法，既保证讲授内容的清晰，又兼顾师生的交流与互动。在对具体原理和基本方法的推导和证明时，采用板书讲解方式，以便学生能一步步跟上教师的思路。通过课后作业和上机实验加深学生对工程优化方法的理解，培养学生的应用能力，通过动手实践让学生理解从书本理论到分析问题、解决实际问题的过程，从而培养学生解决实际问题的能力。
先修课程 高等数学、线性代数、C语言程序设计、Matlab语言 课程综合记分方法 各部分的比重分别为： 平时成绩 20 % 实验成绩 30 % 期末考试 50 % 总计 100% 教科书 陈宝林. 最优化理论与算法.北京：清华大学出版社，2005. 推荐参考书 1.唐焕文，秦学志编著. 实用最优化方法(第三版).大连：大连理工大学出版社，2004. 2.袁亚湘，孙文瑜. 最优化理论与方法. 北京：科技出版社，2001. 3.J. Nocedal & S. J. Wright, Numerical Optimization（影印版）,北京：科学出版社，2006. * *本表注：对于表中第二列所列技能应对照附录A 理解。目标栏内以A, B, C, D 来表示对此条能力要求达到的程度，A 为最高要求，无要求则留空。接触指在教、学活动中有所提及但没有训练和测试要求；训练指有明确要求并有测试项目；应用指在教、学中有所应用而不论是否曾给与相关训练或考核。
肖特基（Schottky）二极管 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。 肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小； 而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常 把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如 1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用 一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。 3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极 管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好 相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下： 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压（V） 50 100 200 400 600 800 1000 电流（A）均为1 四、稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。 1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电 压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中， 前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表： 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、
西安电子科技大学网络教育 2010学年上学期期末考试模拟题2 课程名称： _机械工程材料_ 考试形式：闭卷 学习中心：_________ 考试时间： 90分钟 姓名：_____________ 学号： 一、填充题（共30分，每空一分） 1.弹性模量E值表征材料＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。弹性模量的大小主要取决 于材料的＿＿＿＿＿＿。它除随温度升高而逐渐降低外，其他强化材料的手段 如热处理、冷热加工、合金化等对弹性模量的影响＿＿＿＿＿。 2. 常将铸铁分为如下五大类：＿＿＿＿＿，＿＿＿＿＿，＿＿＿＿＿，＿＿＿＿ ＿，＿＿＿＿＿。 3.高聚物性能的一个主要缺点是＿＿＿＿＿。 4. 复合材料的增强体材料常用＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿以及它们的粒子和片状物； 而常用的基体材料有＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿等。 5. 材料的工艺性能是指材料加工成零件的＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。 6. 从形态来看纳米材料可分为＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿三种。 7.珠光体是＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿组成的两相机械混合物，常用符号＿＿＿＿ 表示。 8.常见的冷加工工艺有：＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿。 常见的热加工工艺有：＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿。 二、问答题（共70分） 1. （8分）简述枝晶偏析现象，如何消除枝晶偏析。 2. （5分）合金的相结构有哪几种？ 3. （5分）冷塑性变形对金属性能的影响表现在哪些方面？ 4. （5分）金属的冷热塑性加工的区别是什么？Fe 的冷热塑性加工的区别点是多 高？ 5. （8分）说明钢热处理时影响奥氏体形成的因素有哪些? 6. （5分）退火的目的有哪些？ 7. （8分）解释淬火并说明其目的。 8. （8分）解释冷处理并说明其目的。 9. （4分）根据钢与可控气氛间发生的化学反应情况可控气氛热处理的可控气氛有 哪几种？
肖特基二极管 简介 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度
高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS 体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。 结构 新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N 型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N＋衬底上外延一高阻N－薄层。其结构示图如图1（a），图形符号和等效电路分别如图1（b）和图1（c）所示。在图1（c）中，CP是管壳
课程教学大纲 课程编号：G00TE1204 课程名称：凸优化及其在信号处理中的应用 课程英文名称：Convex Optimization and Its Applications in Signal Processing 开课单位：通信工程学院 教学大纲撰写人：苏文藻 课程学分：2学分 课内学时：32学时 课程类别：硕士/博士/专业学位 课程性质：任选 授课方式：讲课 考核方式：作业，考试 适用专业：通信与信息系统、信号与信息处理 先修课程： 教学目标： 同学应： 1.掌握建立基本优化模型技巧 2.掌握基本凸分析理论 3.掌握凸优化问题的最优条件及对偶理论 4.认识凸优化在信号处理的一些应用 英文简介： In this course we will develop the basic machineries for formulating and analyzing various optimization problems. Topics include convex analysis, linear and conic linear programming, nonlinear programming, optimality conditions, Lagrangian duality theory, and basics of optimization algorithms. Applications from signal processing will be used to complement the theoretical developments. No prior optimization background is required for this class. However, students should have workable knowledge in multivariable calculus, real analysis, linear algebra and matrix theory.
肖特基二极管 肖特基势垒二极管SBD（SchottkyBarrierDiode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的
接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 二、肖特基二极管的结构 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。
常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060
30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045
MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050
常用肖特基二极管参数 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00
30 0.39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.5 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0. 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57
SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.75 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0.51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IR SMC 3.00 15 0.35 30BQ040 IR SMC 3.00 40 0.51 30BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 4
★☆蜂蜜水——>酒后头痛 喝点蜂蜜水能有效减轻酒后头痛症状。美国国家头痛研究基金会的研究人员指出，这是因为蜂蜜中含有一种特殊的果糖，可以促进酒精的分解吸收，减轻头痛症状，尤其是红酒引起的头痛。另外蜂蜜还有催眠作用，能使人很快入睡，并且第二天起床后也不头痛。 ★☆西红柿汁——>酒后头晕 西红柿汁也是富含特殊果糖，能帮助促进酒精分解吸收的有效饮品，一次饮用300ml以上，能使酒后头晕感逐渐消失。实验证实，喝西红柿汁比生吃西红柿的解酒效果更好。饮用前若加入少量食盐，还有助于稳定情绪。
★☆新鲜葡萄——>酒后反胃、恶心 新鲜葡萄中含有丰富的酒石酸，能与酒中乙醇相互作用形成酯类物质，降低体内乙醇浓度，达到解酒目的。同时，其酸酸的口味也能有效缓解酒后反胃、恶心的症状。如果在饮酒前吃葡萄，还能有效预防醉酒。 ★☆西瓜汁——>酒后全身发热 西瓜汁是天生的白虎汤（中医经典名方），一方面能加速酒精从尿液排出，避免其被机体吸收而引起全身发热；另一方面，西瓜汁本身也具有清热去火功效，能帮助全身降温。饮用时加入少量食盐，还有助于稳定情绪。 ★☆柚子——>酒后口气
李时珍在《本草纲目》中早就记载了柚子能够解酒。实验发现，将柚肉切丁，沾白糖吃更是对消除酒后口腔中的酒气和臭气有奇效。 ★☆芹菜汁——>酒后胃肠不适、颜面发红 酒后胃肠不适时，喝些芹菜汁能明显缓解，这是因为芹菜中含有丰富的分解酒精所需的B族维生素。如果胃肠功能较弱，则最好在饮酒前先喝芹菜汁以做预防。此外，喝芹菜汁还能有效消除酒后颜面发红症状。
★☆酸奶——>酒后烦躁 蒙古人多豪饮，酸奶正是他们的解酒秘方，一旦酒喝多了，便喝酸奶，酸奶能保护胃黏膜，延缓酒精吸收。由于酸奶中钙含量丰富，因此对缓解酒后烦躁症状尤其有效。 ★☆香蕉——>酒后心悸、胸闷 饮酒后感到心悸、胸闷时，立即吃1～3根香蕉，能增加血糖浓度，使酒精在血
SS32 ...... SS310 表面安装肖特基二极管 反向电压 20 ---100 V 正向电流 3.0 A 极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。 Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage 20 to 100 V Forward Current 3.0 A ·正向压降低。Low Forward Voltage Drop ·大电流承受能力。High Current Capability ·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:250℃/10 秒, 0.375" (9.5mm)引线长度。 250℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,·引线可承受5 磅 (2.3kg) 拉力。 5 lbs. (2.3kg) tension 机械数据 Mechanical Data ·端子: 镀锡轴向引线 Terminals: Plated axial leads ·极性: 色环端为负极 Polarity: Color band denotes cathode end ·安装位置: 任意 Mounting Position: Any 特征 Features SS32 3.0 1000.57520140.55 0.85 60 V V ℃ A V A mA ℃//W pF 单位 Unit V V R(RMS)最大正向平均整流电流 最大峰值反向电压 最大反向有效值电压 -50 --- +150 V RRM I FM 最大正向电压降 @IF =3.0A V F 正向峰值浪涌电流 8.3mS单一正弦半波 I FSM 最大反向漏电流 IR 典型热阻工作温度和存储温度 R θJA Tj, T STG 典型结电容 VR = 4.0V f = 1.0MHz Cj @TA = 25℃ Maximum repetitive peak reverse voltage Maximum RMS voltage 最大直流阻断电压 Maximum DC blocking voltage Maximum average forward rectified current Maximum forward voltage Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave Maximum reverse current Typical thermal resistance Operating junction and storage temperature range Type junction capacitance 符号 Symbols V DC 20 SS33SS34SS35SS36SS38SS310 302130 402840 503550604260 805680 10070100 0.7 https://www.doczj.com/doc/3514058142.html,