各类电容简介

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。

主要参数的意义：

标称容量以及允许偏差：目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。

标准化，系列化在现代电容器的生产中具有不可忽视的意义。

电容的频率特性：随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。

电容的额定电压：在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流或交流电压有效值.

电容器的击穿电压：电容器正常漏导的稳定状态被破坏的电压。

电容器的试验电压:该电压用于测试判断那些因缺陷击穿强度明显下降的产品。

电容的型号命名方法：（依据ＧＢ２４７０－８1）

第一部分：用字母表示产品的名称C

第二部分：用字母表示产品的介质材料：

A钽电解B聚丙乙烯等非极性薄膜C高频陶瓷D铝电解E其他材料电解G合金电解H纸膜复合I玻璃铀J金属化纸介L聚酯等极性有机薄膜N铌电解O玻璃膜Q 漆膜S,T低频陶瓷V,X云母纸Y云母Z 纸

注：用B表示除聚苯乙烯外其他电容时，在B后再加一字母以分别具体材料。用L表示聚酯以外其他薄膜电容时，方法通上。

电容器的绝缘电阻：直流电压加在电容上，并产生漏导电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能。

电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。

电容的损耗因素：电容在电场作用下因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。

瓷介电容云母电容有机电容电解电容

1 圆形非密封非密封箔式

2 管形非密封非密封箔式

3 叠片密封密封烧结粉非固体

4 独石密封密封烧结粉，固体

5 穿心

6 支柱等

7 无极性

8 高压高压高压

9 特殊特殊

以上为第三部分，用数字表示产品分类。

第四部分:用数字表示序号，以区别产品的外形尺寸和性能指标

瓷介电容器：

瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型

（CT型）。

I型（CC型）特点是体积小，损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。

CC1型圆片高频瓷介电容

适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：

10000mohm 试验电压：200v

允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温

度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%

CT1型圆形瓷片低频电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%）472-403（+80-- -20%）

CC01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）

温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM

56—180P –750(+-250)PPM

180—390P –1300(+-250)PPM

430—820P –3300(+-500)PPM

CT01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm

允差：+80 -20%容量：1000-47000p

工作电压：63v 试验电压：200v

独石瓷介电容器：

CC4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v

CT4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%

CC2,CT2管形瓷介电容器

与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。

CT2 损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v

使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98%

CC10 超高频瓷介电容

可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g

允差：k容量：1-47p工作电压：500v

CC11,CT11园片无引线瓷片电容

该电容特为高频头设计，频率特性好。

CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015 绝缘》10000mohm

CT11直流电压：160V标称容量：240—1500 绝缘》2500mohm

CT82,CC82高压高功率瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压： 2.5—8kv允差：K,M

CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器

CC3损耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V

CCTD损耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V

CCTF损耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V

CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容

该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。

CC52E-1C容量：2-33P工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015

CC53-2C容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm损耗《0.035

CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P 工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm

CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA最大电流：25A 最大重量：1.3KG

可变电容

玻璃铀电容器：

玻璃铀电容的介质是由铀粉（钠钙硅）用一定比例压制而成，具有较好的电性能，他的制造工艺与瓷介独石电容相似，稳定性比云母电容稍差，

但优于一般的瓷介电容，特别是独石玻璃铀电容在潮湿的环境中稳定性很高。

CI2小型玻璃铀电容容量在10-3300P之间，使用于晶体管电路及小型电子仪器交流直流脉动电路。

CI3高介陶瓷玻璃铀电容器：使用于一般容量稳定性损耗要求不高的场合。

CI3 损耗《0.055绝缘电阻<1000mohm 容量：4700-3.9UF

允差：+50-20%工作电压：63V, 40V

CI4高频陶瓷玻璃铀电容器：使用于一般高频电路做震荡，耦合，旁路用。

CI4 损耗《15*10（-4）绝缘电阻<1000mohm 容量：10-10000P

允差：J,K,M工作电压：100V

可变电容器常用的又分空气介质与固体介质两种类型，根据容量变化规律可以分为以下几种形式：1，直线电容式 2 直线波长式 3 直线频率式 4 对数式

空气可变电容参数：CB-2-365-1（用于电子管收音机）

损耗：《20*10（-4）(测试频率10mhz测试容量50pf)

绝缘电阻：100mohm 试验电压：100v

电容量：max365+-9.3pf min 《12pf 耐压：250v

转动力矩：100-400g/cm 寿命：10000次

电容变化特性：近似直线频率式

环境温度：-25—55C 相对湿度：+40C时达98%

大气压力：650-800mmhg

电解电容器

概述：电解电容的介质是一层极薄的金属氧化膜，氧化膜的金属基体是电容的阳极，液体，半导体，或固体电解液是电容的阴极。电解电容的结构特点决定了电解电容的比率电容大。电解电容的氧化膜具有单向导电性，在接入电路时必须认清正，负极。电解电容用于直流或者脉动电路中。

无极电解可以应用于极性变化的电路中，他是两个电容的负极对接而成的。

电解电容的损耗较大，温度，频率特性较差，因此限制了电解在交流电路的应用。

采用液体电解质的电容容易产生漏液，干涸，老化，甚至爆炸的现象，电解电容的绝缘性能差，高压大容量的电解电容漏电可在1ma以上。

他在动片和静片之间加上云母或塑料薄膜做介质，这种电容器因为动片与静片的距离近，因而体积小。

CBM-223/203P

损耗：《7*10（-3）绝缘电阻：100mohm 试验电压：100v

电容量：max141.6pf min 《5pf 耐压：100v

转动力矩：50-400g/cm 寿命：5000次

微调电容器：常见微调电容有空气介质微调，薄膜介质微调，瓷介微调，

玻璃介质微调等。

CWB62 6.8-22

损耗：《0.002绝缘电阻：10000mohm

电容量：max22pf min《1pf

薄膜电容

碳酸酯薄膜电容：

此电容性能比聚酯电容好，耐热与聚酯电容相同，可替代聚酯，纸介电容，

广泛应用于直流交流，脉动电路中。

型号：CQ10容量：0.1-0.68uf 额定工作电压：40V绝缘性能：500mohm./uf

损耗角正切：（正常气候条件下）<0.015 试验电压：60V

复合薄膜电容器：此电容选择了两种不同的薄膜（或纸与薄膜）复合做介质。例如聚苯乙烯薄膜与聚丙烯薄膜复合制作的电容器，这种电容比聚苯乙烯电容提高了抗电强度和温度，减小了体积，但是电容的温度系数和损耗稍差。

聚丙烯薄膜电容器

此电容性能和聚苯乙烯电容相似，但体积小，工作温度上限可达85-100C损耗为0.01-0.001 温度系数为-100*(10负6) ---- -400*(10负6)容量稳定性比聚丙乙烯电容稍差。可用于交流，激光，耦合，等电路。

型号：CBB121容量：0.001-0.47uf 额定工作电压：63—400v

绝缘性能：引出头之间：100000mohm 引出头与外壳之间：10000S

损耗角正切：（正常气候条件下）<0.01 试验电压：2uw

容量允差:J,K,M

型号：CBB12容量：0.001-0.39uf 额定工作电压：100—1600v

绝缘性能：引出头之间：3000mohm.UF 引出头与外壳之间：10000S损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压： 2.5uw容量允差:J,K,

塑料薄膜电容器

目前大量生产的塑料薄膜电容器有聚苯乙烯，聚乙烯，聚丙烯，聚四氟乙烯，聚酯（涤纶），聚碳酸酯，复合膜等。

聚酯薄膜（涤纶）电容器：

聚酯膜介电常数较大，耐热性好，可在120—130C之间工作，缺点是损耗较大，且随频率变化较大，这种电容可替代纸介电容器，一般工作在直流和脉动电路，不适于在高频下工作。

型号：CJ1-1容量：470-0.1uf 额定工作电压：63—400v

绝缘性能：引出头之间：20000mohm 引出头与外壳之间：5000MOHM 损耗角正切：（正常气候条件下）<0.01 试验电压：2uw

容量允差:J,K,M

聚苯乙烯薄膜电容器：

主要特点是绝缘电阻高，损耗小，容量精度高，电参数随频率温度变化小，缺点是体积大，工作温度不高（上限为70C）该电容主要应用于滤波，高频调谐器，均衡器中。

型号：CB40容量：0.015-2uf 额定工作电压：250-1000v

绝缘性能：引出头之间：50000mohm 引出头与外壳之间：10000S损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压：2uw容量允差:J,K,F,G

型号：CB14容量：10P-0.16uf 额定工作电压：100—1600v

绝缘性能：引出头之间：20000mohm. 容量允差:D,F,J,G

损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压：2uw

聚四氟乙烯电容器：

此电容损耗小，耐热性好，工作温度可达-150---200C 电参数的温度频率特性稳定，耐化学腐蚀好，缺点是耐电晕性差，成本高，主要应用于高温高绝缘，高频的场合。

型号：CBF10容量：0.5-5.1PF额定工作电压：160

绝缘性能：引出头之间：30000mohm. 容量允差:D,F,C

损耗角正切：（正常气候条件下）<0.001 试验电压：2Uw

聚酰亚氨薄膜电容器：

此电容的电性能与聚脂电容相近，而耐热性，耐寒性与聚四氟乙烯电容相近，并且耐辐射，耐燃烧，可以在恶劣环境下工作。

云母电容

云母电容：

CY-OA标称容量：10-43P 额定直流电压：200V 最大无功功率：5（Var）电容温度系数：+-200*10（-6）/C 电容温度稳定性：0.5%

CY-0标称容量：47-750P 额定直流电压：100V 最大无功功率：5（Var）电容温度系数：+-100*10（-6）/C 电容温度稳定性：0.5%

CY-RX-1标称容量：10-1000P 额定直流电压：100V 最大无功功率：2（Var）电容温度系数：+-200*10（-6）/C 电容温度稳定性：0.8%

CY-31标称容量：0.02-0.1UF 额定直流电压：500V 最大功功率：100（Var）电容温度系数：+-100*10（-6）/C 电容温度稳定性：0.2%

CY-7标称容量：100-100000P 额定直流电压：500V

电容温度系数：+-50*10（-6）/C 电容稳定性：+-5*10(-5)年

金属化纸介电容器：

他的电极是利用真空蒸发的方法在电容器纸上沉积一层金属薄膜做成，因而体积较纸介电容小得多。他的主要特点是具有自愈作用，当介质发生局部击穿后，其电性能可立即恢复到击穿前的状态。金属化纸介电容虽克服了纸介电容的一些缺点，但是仍然不能离开纸，他们的化学稳定性差，并且随着频率的上升损耗急剧增加，因此不适于高频电路。

型号：CJ10容量：0.01—1uf 额定工作电压：160—400v

绝缘性能：引出头之间：200S 引出头与外壳之间：5000MOHM损耗角正切：（正常气候条件下）<0.015 试验电压：2uw

CH42电风扇用复合纸介电容：容量：1--4uf 额定工作电压：400v（AC）绝缘性能：引出头之间：1000S 引出头与外壳之间：5000MOHM损耗角正切：（正常气候条件下）<0.015 试验电压： 1.5uw

云母电容器：

云母电容是性能优良的高频电容之一，广泛应用于对电容的稳定性和可靠性要求高的场合。云母电容的型号名称与结构形式的说明：

ＣＹ－ＯＡ云母电容酚醛塑粉热压，小型化结构，温度范围：-55—70C损耗：20—70*10（负4）

ＣＹ云母电容酚醛塑粉热压，温度范围-55—70C损耗：10—70*10（负4）

ＣＹRX耐热,环氧树脂，温度范围：-55—100C损耗：10—70*10（-4）

ＣＹ－7高精度高稳定金属密封, 温度范围：-10—55C损耗：5*10（负4）

ＣＹ－32密封云母瓷外壳密封，温度范围：-55—85C损耗：10*10（负4）

Ｃ10浸封云母环氧树脂，温度范围：-55—125C损耗：10*10（负4）

C11片状云母贴片无引线结构，温度范围：-55—125C损耗：10*10（负4）

纸介电容器：纸介电容因其比率电容大，电容范围宽，工作电压高，成本低而广泛使用，缺点是稳定性差，损耗大，只能应用于低频或直流电路，目前已被合成膜电容取代，但在高压纸介电容中还有一席之地。

性能规格：

型号：CZ52容量：0.1—0.25uf 额定工作电压：110—250v

绝缘性能：0.1uf为10000monh 0.25uf 为8000mohm

损耗角正切：（正常气候条件下）<0.01 容量允差：k,m

试验电压：3uw

电容比较

YUN LI 电解与红宝石电解测试比较： （2001/2/2）

在以下测试中均以401ALCR 测试仪100HZ/SER 档测得， 漏电流测试取额定电压充电时间30S ，DT9204万用表200UA 档所得值。

样品来源：YUN LI 电解为即日供应商送样。 红宝石电解为2001年1月12 日永晶代理.

该次测试分别取样品四种，即10u/50v,100u/50v,100u/100v,470u/50v 每种取样5个，分别测试其损耗，容量。和额定电压下30秒的漏电流。 从测试结果可以看出，YUN LI 电容与红宝石电容的差距仍旧较大， 大约在其60-80%处。

470U/50V C uf D ISua 100/100v C uf D

IS ua

1 478.1 0.073 51.9 1 100.

2 0.075 19.1 2 481.5 0.06

3 53.3 2 105.3 0.071 20.0 3 488.7 0.075 3 100.9 0.07

4 4 493.7 0.074 4 101.4 0.071

5 国产电容

488.9 0.072 5

101.0 0.071

10U/50V C uf D ISua 100/50V C uf D

IS ua

1 9.63

2 0.082 2.8 1 104.8 0.049 9.8 2 9.836 0.08

3 4.43 2

104.5 0.052 10.9 3 9.925 0.084 3 104.6 0.044 4 9.856 0.084 4 105.5 0.039 5

9.905 0.083

5

106.4 0.043

红宝石电解电容：

10U/50V C uf D ISua100/50V C uf D IS

ua 19.6420.0460.79193.520.054 5.68 210.030.0410.64294.060.050 5.19 39.7550.047394.360.052

49.9510.047493.140.051

59.8430.051593.230.052

红宝石电解电容：

470U/50V C uf D ISua100/100v C uf D ISua 1430.30.04234.5193.620.02063 2433.60.04035.5296.390.02163.8 3428.40.043393.200.020 4430.20.044491.370.028 5429.70.040596.670.021

钽电容

钽电解电容器：

钽电解电容主要应用于替补铝电解电容性能参数难以满足要求的电路中，

如要求电容体积小，温度范围宽，频率特性和阻抗特性要求高，产品稳定和可靠性要求高的军用，民用整机电路。各种民用机也开始部分采用钽电容，以提高产品质量。

铌电容在60，70年代曾经出现过工业化生产的局面，但由于其氧化膜热稳定性和化学稳定性不好，80年代后，随着钽电容工艺的成熟，钽粉比容迅速提高，每支钽电容的用粉量大幅度下降，测试日期：2000/12/22 数据：容量，损耗LCR401A SER 100HZ 钽电容实测值（漏流测试以测试仪测的）

9.1080.03447.010.015

9.1670.03548.270.014 SMT 106/16V

墨西哥漏电：

1UA

9.2220.038

47U/25V

漏电：

0.49UA44.530.017

1.0470.01733.40.039

1.0510.01733.50.038 SMT105/35V

松下漏电：

1UA

1.0390.016

33U/16V

35.160.038

4.6110.096

4.8010.102

4.7U/25V

4.5820.096

因此原来铌电容比钽电容价格低的优势逐渐消失，铌电解电容的生产也趋于停止。

型号用

途通

用

小

型

无

极

低

漏

音

质

漏电流(带或取

大)、

损耗(不大

于)F=100HZ)

允差

CA42 直

流

和

O O <0.04CR或 1.5ua 0.08 20% +50-20%, 10%

CA40 直

流

和O O O <0.04CR或 1.5ua 0.08-0.15 +100-10%, 20%，

10%

CA411 极

性

反O O O <0.04CR或 1.5ua 0.08-0.15 +100-10%, 20%，

10%

CA70 极

性

反

O <0.08CR或 1.5ua 0.1-0.2 20% +50-20%, 10%

CA72 极

性

反

O <0.08CR或 1.5ua 0.1-0.15 20% +50-20%, 10%

转

电

路

CA 直

流

和

脉

动

电

路

O <0.04CR或 1.5ua 0.08-0.15 20% +50-20%, 10%

CA30 直

流

和

脉

动

电

路O <2CR*10(-8)或

1.0ua

0.1-0.35 20% +50-20%, 10%

CA1 直

流

和

脉

动

电

路

O O <0.0005-0.0002CR 0.06-0.3 20% +50-20%

CAP 直

流

和

脉

动

电

路

O O <0.04CR或 1.5ua 0.08-0.15 20% +50-20%

铝电容

型号 用途 通用 高压 小型 低阻 无极 低漏 长寿 音

质

漏电流(带或取大) 损耗(不大于) 允差

CD03

直流和脉动电路

O

O 6.3-63V<0.02CU+5 100-160V .06CU+10

0.08-0.22

20%+50-20% +75-10% CD03LL 直流电路 O

O <0.002CU 或1UA 0.1-0.22

20%+50-20% +75-10%

CD03BP

极性反转电路

O O <0.06CU+4

或10UA

0.2-0.25 M

CD03HU

直流和脉动电路

O <0.06CU+10

0.18 +30 –10%

CD03HS

场扫描和反馈

O <0.01CU+3

或10UA

0.1 M

CD03SS 微型机 O <0.01CU

或3UA

0.1-0.24 M

CD11 直流和脉动电路 O O <0.03CU+20 0.1-0.5 J +50 –10% CD26 直流和脉动电路 O <0.03CU 0.15-0.3 +50-10% CDDS2 直流和脉动电路 O <0.07CU 0.1-0.2 +50-20% CDT-S

S 矫正

O O O 50UA(f=15625

I<2.5-10A)

0.05

M

CD94 音频 O O <0.06CU+10

<0.04CU+30(大)

0.06(1-20KHZ) M

CD22 高温 O O <0.002CU

或2UA

0.1-0.2 M

CD25 直流和脉动电路 O <0.03CU

0.15-0.3 +50-20% CD10

直流和脉动电路

O O <0.06CU <100UF

<0.1CU >100UF

0.2-0.3

+100-10%

CD95 音频 O O <0.06CU+10

<0.04CU+30(大)

0.06(1-20KHZ) M

CD100 O <0.03CU 0.25-0.35 +50-20% 铝电解电容特性型号参数表

CDZ

直流和脉动电路

O

0.15-0.2

+100-10%

CD12,13,14,15

O <0.03CU+20 0.2-0.8 +50-20% M

CD28 开关耦合 O

O

CD29H

电容的实测数据！！

测试日期：2000/5/9 数据：容量，损耗 LCR401A PAR 1KHZ

上海向日亚CBB 实测值 河南华星聚酯实测值 4330 0.000 344.1 0.003 4379 0.000 347.4 0.003 472/2KV 4295 0.000 334/63V

350.8 0.003 3291 0.001 209.2 0.003

3304 0.001 208.7 0.003 332/2KV 3238 0.001 224/100V 215.8 0.003 2147 0.001 9.926 0.003

2091 0.001

9.840 0.003 222/2KV 2162 0.001

103/100V 9.960 0.003

测试日期：2000/5/9 数据：容量，损耗 LCR401A PAR 1KHZ 河南华星聚酯实测值

河南华星CBB 实测值

4921 0.003 439.8 0.001

4765 0.003 437.2 0.001 472/100V 4687 0.003 472/250V 430.7 0.001 2.312 0.003 2.251 0.002

2.254 0.003 2.177 0.002 222/100V 2.226 0.003 222/630V 2.285 0.002 1.006 0.002 2.094 0.001

999.3 0.002 2.314 0.001 102/100V 1.028 0.002

222/2KV 2.041 0.001

测试日期：2000/5/29 数据：容量，损耗 LCR401A SER1KHZ 深圳科耐瓷片实测值

20.7

0.001 2.078 0.011 20.8 0.000 2.096 0.011 20P/50V 21.0 0.001

SMT 独石 2.2U/16V

2.011 0.011 104.8 0.002 42.35 0.009 104.1 0.002 42.54 0.009 101/50V 105.1 0.002

三星贴

片

47n

43.07 0.009

93.8 0.023 101.2 0.024

104/50V 106.2 0.027

测试日期：2000/12/26 数据：容量，损耗 LCR401A SER1KHZ

深圳延新高压瓷片实测值

8.493 0.010 4.069 0.009 8.800 0.013

3.850 0.007

103/3KV +80-20%

8.976 0.011 472/2KV +80-20% 3.922 0.006 100.5 0.000 2.166 0.004 105.5 0.001

2.046 0.003 100P/IKV 10% 100.4 0.000 2N2/2KV 20% 1.992 0.003 1031 0.001 22.2 0.008

1029 0.001 22.5 0.008 102/1KV 10%

978.2 0.002 22P/2KV 10%

23.4 0.007

测试日期：1999/12/15 数据：容量，损耗 LCR401A SER 100HZ 红宝石电解电容实测值（漏流测试以额定电压充电30秒万用表测） 897.2 0.061 20.25 0.037 905.3 0.060 19.87 0.039 25V/1000UF 914.7 0.070

22UF/400V

20.21 0.041 98.25 0.088 93.96 0.056 99.30 0.084

94.12 0.054 25V100UF

漏流： 3.16 2.91

99.07 0.086 50V/100UF 漏流： 6.01 6.08

95.30 0.050

88.59 0.036 875.9 0.034

87.83 0.041

877.3 0.035 100V100UF 88.30 0.036

63V/1000UF 874.3 0.034

测试日期：1999/12/15 数据：容量，损耗 LCR401A SER 100HZ 红宝石电解电容实测值（漏流测试以额定电压充电30秒万用表测） 2930 0.062 2.320 0.024 2928 0.061

2.174 0.027

50V/3300UF 2970 0.063 50V/2.2UF

漏流：0.86 0.76

2.242 0.039

45.83 0.070 9.430 0.051 45.35 0.075

9.575 0.049

25V/47UF 漏流：1.84 2.19

46.47 0.074 50V/10UF

漏流：0.67 0.84

9.411 0.052 33.30 0.085 159.7 0.037

32.46 0.091

154.8 0.035

50V330UF 31.90 0.086 100V/180U 漏流：530， 580，602

160.4 0.036

测试日期：2000/12/28 数据：容量，损耗 LCR401A SER 100HZ 红宝石电解电容实测值（漏流测试以额定电压充电30秒万用表

测） 4124 0.080 46.80 0.045 4141 0.081

47.10 0.046 35V/4700UF

漏流：220, 217,242

4245 0.077 47UF/50V 漏流： 2.7

3.1

47.58 0.040

573.1 0.049 443.2 0.053 564.4 0.051

451.2 0.061

200V/680UF 漏流：222.5, 222,6

470UF/16V 漏流： 6.9 6.7

445.5 0.057

134.3 0.040 326.2 0.046

132.5 0.051

327.8 0.046

400V/150UF 漏流：228,

177

330UF/50V 漏流：9.05 11.2

322.5 0.043

测试日期：2000/7/24 数据：容量，损耗 LCR401A SER 100HZ SAMNHA 电解电容实测值（漏流测试以测试仪测的） 430.8 0.065 9472 0.122 433.8 0.054

9420 0.133 400V/470UF

漏流：331 314，272

435.2 0.061 10V/10000UF 漏流：97，

128，130

9499 0.129

2063 0.037 132.2 0.031 2065 0.037

133.8 0.033

50V/2200UF 漏流：122，129，141

2059 0.039 400V/150UF

漏流：369， 479，455

133.9 0.033

2988 0.047 306.1 0.042 3065 0.049

305.9 0.043 35V/3300UF 漏流：134，136，133

3066 0.053 250V/330UF

漏流：93，

118，101

308.6 0.043

安规 电容介绍(X电容,Y电容作用)

1、安规电容介绍 安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全。安規電容通常只用于抗干擾電路中的濾波作用。 安规电容的放电和普通电容不一样，普通电容在外部电源断开后电荷会保留很长时间，如果用手触摸就会被电到，而安规电容则没这个问题。处于安全考虑和EMC考虑，一般在电源入口建议加上安规电容。 在交流电源输入端,一般需要增加3个安全电容来抑制EMI传导干扰。它们用在电源滤波器里，起到电源滤波作用，分别对共模，差模工扰起滤波作用。 Y电容： 在火线和地线之间以及在零线和地线之间并接的电容,一般统称为Y电容。这两个Y电容连接的位置比较关键,必须需要符合相关安全标准, 以防引起电子设备漏电或机壳带电,容易危及人身安全及生命。它们都属于安全电容,从而要求电容值不能偏大,而耐压必须较高。一般情况下,工作在亚热带的机器,要求对地漏电电流不能超过0.7mA;工作在温带机器,要求对地漏电电流不能超过 0.35mA。因此,Y电容的总容量一般都不能超过4700PF（472）。 Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电

容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义。 特别指出：作为安全电容的Y电容,要求必须取得安全检测机构的认证。Y电容外观多为橙色或蓝色,一般都标有安全认证标志（如UL、CSA等标识）和耐压AC250V或AC275V字样。然而,其真正的直流耐压高达5000V以上。必须强调,Y电容不得随意使用标称耐压AC250V或者DC400V之类的普通电容来代用。 X电容： 在火线和零线抑制之间并联的电容,一般称之为X电容。由于这个电容连接的位置也比较关键,同样需要符合相关安全标准。X电容同样也属于安全电容之一。根据实际需要,X电容的容值允许比Y电容的容值大,但此时必须在X电容的两端并联一个安全电阻,用于防止电源线拔插时,由于该电容的充放电过程而致电源线插头长时间带电。安全标准规定,当正在工作之中的机器电源线被拔掉时,在两秒钟内,电源线插头两端带电的电压(或对地电位)必须小于原来额定工作电压的30%。 作为安全电容之一的X电容,也要求必须取得安全检测机构的认证。X电容一般都标有安全认证标志和耐压AC250V或AC275V字样,但其真正的直流耐压高达2000V以上,使用的时候不要随意使用标称耐压AC250V或者DC400V 之类的的普通电容来代用。 通常,X电容多选用纹波电流比较大的聚脂薄膜类电容。这种类型的电容,体积较大,但其允许瞬间充放电的电流也很大,而其内阻相应较小。普通电容纹波电流的指标都很低,动态内阻较高。用普通电容代替X电容,除了电容耐压无法满足标准之外,纹波电流指标也难以符合要求。 2、安规电容分类 安规电容分为x型和y型。交流电源输入分为3个端子：火线L/零线N/地线G，(L=Line, N=Neutral, G=Ground)。跨于“L-N”之间，即“火线-零线”之间的是X电容；跨于“L-G/N-G”之间，即“火线-地线或零线-地线”之间的是Y电容。火线与零线之间接个电容就像是“X”,而火线与地线之间接个电容像个“Y”，这些都不是按什么材质来分的。

瓷片电容器简介

瓷片电容器简介 一电容器的分类 电容器（Electric capacity）,是由两个金属极，中间夹有绝缘材料（绝缘介质）构成。 由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同： 按照结构可分为：固定电容器、可变电容器、微调电容器。 按照材质可分为：电解电容器、薄膜电容器、陶瓷电容器、云母电容器、纸介电容器等等。按照极性分为：有极性电容器和无极性电容器。我们最常见到的就是铝电解电容器和瓷片电容器。 二电容器的作用 电容器在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。 三电容器的符号 电容器的基本单位是法（F）,由于电容F的容量非常大，所以我们看到的一般都是微法（UF）、纳法(NF)、皮法(PF),而不是法(F)的单位，他们之间的具体换算如下： 1F=1000000UF 1UF=1000NF=1000000PF 四瓷片电容器 上面讲到市场常见的一般有铝电解电容器和瓷片电容器，下面主要介绍下瓷片电容器. 瓷片电容器主要性能参数表现在：使用温度范围、等级、工作电压、电气性能。 1-1使用温度范围：指能使电容器持续使用而无不良效应发生之周围温度范围而言。 1-2等级：指基于某条件下之变化，对电容器性能之保证程度区分而言。 1-3工作电压：指规定之温度范围条件内能持续加于电容器而不产生任何异常现象之最高电压。 1-4电气性能：电容器电气性能之种类依赖温度特性、使用温度范围、工作电压、公称静电容量及静电容量许差而分。 2-1 第1类（温度补偿用）之特性 是以静电容量温度系数之公称值及此公称值之容许差来标识。 文字记号公称值 ×10-6/℃文字记号公称值 ×10-6/℃ A +100 U -750 B +30 V -100 C ±0 W -1500 H -30 X -2200 L -80 Y -3300 P -150 Z -4700 R -220 S -330 SL +350—-100 T -470 YN -500—-5000 表—1 静电容量温度系数之公称值

电解电容的类型

一、电容的简介 电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。英文名称：capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。 电容与电容器不同。电容为基本物理量，符号C，单位为F（法拉）。通用公式C=Q/U平行板电容器专用公式：板间电场强度E=U/d ，电容器电容决定式 C=εS/4πkd 二、电容的物理定义 在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是： 1法拉(F)= 1000毫法(mF)＝1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 相关公式： 一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容

器的电容就是1法，即：C=Q/U 但电容的大小不是由Q或U决定的，即：C=εS/4πkd 。其中，ε是一个常数，S为电容极板的面积，d为电容极板的距离， k则是静电力常量。 电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2 三、电容的分类 根据分析统计，电解电容封装类型主要分为以下10类： 1．按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。2．按电解质分类：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器、电热电容器和空气介质电容器等。 3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。 4．按制造材料的不同可以分为：瓷介电容、涤纶电容、电解电容、钽电容，还有先进的聚丙烯电容等等 5．高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。 6．低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。 7、滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。

日本ELNA音频电容介绍

日本ELNA音频电容介绍 日本ELNA电容开发音频电容已有30年的历史，可以说是日式音频电容的老大。ELNA的音频专用电解电容在很多中、高档器材上都可以觅见她的影踪。在很多中、高档器材上都可以觅见他的影踪。特别是在高档日产器材上，几乎是ELNA音响电容的天下，例如DENON的旗舰CD、顶班功放，SONY的顶级SACD、CD、功放，MARANTZ、金嗓子的顶班器材，欧洲的“音乐之旅”功放等等不一例举。 其补品电容有几种品种，是国内的发烧友赋予一系列的爱称：SILMIC(II)棕神、CERAFINE(红袍)、DUOREX(紫袍)。 Cerafine(红袍)和DUOREX(紫袍)音质表现：音色通透、速度均属中等 FOR AUDIO的音质表现：音质表现像青春少女一样、音色甜美 LongLife和SILMIC(棕神)的音质表现：快速有力，适合表现现代音乐 ★ELNA电容系列繁杂下面做个简单的介绍： RFS High Grade (SilmicII) Brown or Black：顶级音频电容（三次谐波失真<-120db）SILMIC的改进版，天然

丝介质，棕壳金字SILMIC II。 ROS High Grade (Silmic) Brown：顶级音频电容（三次谐波失真<-120db）天然丝介质，棕壳金字SILMIC。ROA High Grade (Cerafine) Red：高级音频电容渗陶瓷微粒（三次谐波失真<-120db），酒红壳金字Cerafine。ROB TONEREX Black：即原来的for audio和for HI FI系列，为ELNA的音频标准系列。 ★小体积高等级系列： R3A 5mm height Red：小型化高5mm标准音频电容（三次谐波失真<-120db），酒红壳。 R2A 7mm height Red：小型化高7mm标准音频电容（三次谐波失真<-120db），酒红壳。 R2O Miniaturized Standard Purple：小型化标准音频电容，紫壳白字，即旧版的DUOREXII系列。 ROB TONEREX Black：即原来的for audio系列，为ELNA的音频标准系列。 RA2：入门级的音频电解，棕身白字for audio，铜包铁脚。 ★环保化系列： RFO：改进型，铜包铁脚，PURECAP系列。 RA2：入门级的音频电解，棕身白字for audio，铜包铁脚。

各类电容简介

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。 主要参数的意义： 标称容量以及允许偏差：目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。 标准化，系列化在现代电容器的生产中具有不可忽视的意义。 电容的频率特性：随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。 电容的额定电压：在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流或交流电压有效值. 电容器的击穿电压：电容器正常漏导的稳定状态被破坏的电压。 电容器的试验电压:该电压用于测试判断那些因缺陷击穿强度明显下降的产品。 电容的型号命名方法：（依据ＧＢ２４７０－８1） 第一部分：用字母表示产品的名称C 第二部分：用字母表示产品的介质材料： A钽电解B聚丙乙烯等非极性薄膜C高频陶瓷D铝电解E其他材料电解G合金电解H纸膜复合I玻璃铀J金属化纸介L聚酯等极性有机薄膜N铌电解O玻璃膜Q 漆膜S,T低频陶瓷V,X云母纸Y云母Z 纸 注：用B表示除聚苯乙烯外其他电容时，在B后再加一字母以分别具体材料。用L表示聚酯以外其他薄膜电容时，方法通上。 电容器的绝缘电阻：直流电压加在电容上，并产生漏导电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能。 电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。

电容的损耗因素：电容在电场作用下因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。 在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。 瓷介电容云母电容有机电容电解电容 1 圆形非密封非密封箔式 2 管形非密封非密封箔式 3 叠片密封密封烧结粉非固体 4 独石密封密封烧结粉，固体 5 穿心 6 支柱等 7 无极性 8 高压高压高压 9 特殊特殊 以上为第三部分，用数字表示产品分类。 第四部分:用数字表示序号，以区别产品的外形尺寸和性能指标 瓷介电容器： 瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型 （CT型）。 I型（CC型）特点是体积小，损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。 CC1型圆片高频瓷介电容 适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻： 10000mohm 试验电压：200v 允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温 度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%

超级电容器的结构及其特点

超级电容器结构及特点 超级电容器( supercapacitor，ultracapacitor)，又名电化学电容器(Electrochemical Capaci-tors)、黄金电容、法拉电容，超级电容器通过极化电解质来储能。它是一种电化学元件，但在其储能的过程并不发生化学反应，其储能过程是可逆的，可以反复充放电数十万次。超级电容器是20世纪七八十年代发展起来的一种新型的储能装置。它是一种介于传统电容器与蓄电池之间、具有特殊性能的电源，主要依靠双电层和氧化还原原理储存电能，因而不同于传统的化学电源。 超级电容器其容量可达法拉级甚至数千法拉，它兼有常规电容器功率密度大，比普通蓄电池能量密度高的优点，并且具有充放电时间短，循环性能好，使用寿命长，使用温度范围宽，对环境无污染等特点。因此，从某种意义上讲，超级电容器有着传统电容器和蓄电池的双重功能，弥补了两个传统技术间的空白，因此具有很大的发展潜力。 超级电容器的准确名称是化学或双电屡电容器（具体名称取决于制造商），简称EDLC。超级电容器的表现与传统电容器（包括多层陶瓷电容器、钽电容器、电解电容器等）相似，但能量密度更高。这是由具有极大的电荷存储表面积的多孔炭电极与专门的电解质提供的极薄的板分离层相结合而形成的。 超级电容器属于双电层电容器，它是世界上已投入量产的双电层电容器中容量最大的一种，其基本原理和其他种类的双电层电容器一样，都是利用活性炭多孔电极和电解质组成的双电层结构获得超大的容量。 超级电容器可以被视为悬浮在电解质中的两个无反应活性的多孔电极板，在极板上加电，正极板吸引电解质中的负离子，负极板吸引正离子，实际上形成两个容性存储层，被分离开的正离子在负极板附近，负离子在正极板附近，如图3-6所示。 超级电容器的能量储存在双电层和电极内部，当用直流电源为超级电容器单体充电时，电解质中的正、负离子取向聚集到固体电极表面，形成电极／溶液双电层，用以贮存电荷。 虽然，目前全球已有许多家超级电容器生产商，可以提供许多种类的超级电容器产品，但大部分产品都是基于一种相似的双电层结构，超级电容器在结构上与电解电容器非常相似，它们的主要区别在于电极材料。

常见电容的读数简介

电容的基本单位是F（法），其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。由于单位F 的容量太大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位。换算关系：1F＝1000000μF，1μF=1000nF=1000000pF。 电容的标注方法分为：直标法、色标法和数标法。对于体积比较大的电容，多采用直标法。如果是0.005，表示0.005uF=5nF。如果是5n，那就表示的是5nF。 数标法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是10的多少次方。如：102表示10x10x10 PF=1000PF，203表示20x10x10x10 PF。 如：“473”即47000pF=0.047μF “103”即10000pF=0.01μF等等， 一、认识电容 1F＝1，000，000uF 1uF=1,000nF 1nF=1000pF 1F=103mF=106uF=109nF=1012pF 1、在各种电子设备中，调谐、耦合、滤波、去耦、隔断直流电、旁路交流电等，都需要用到电容器。电容器通常叫做电容。电容的种类很多，按结构形式来分，有固定电容、半可变电容、可变电容。常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容、铝电解电容、钽、铌电解电容等。 2、在电路图中电容单位的标注规则。通常在容量小于10000pF的时候，用pF做单位，大于10000pF的时候，用uF做单位。为了简便起见，大于100pF而小于1uF的电容常常不注单位。没有小数点的，它的单位是pF，有小数点的，它的单位是uF。例如，3300就是3300pF，0.1就是0.1uF等。 3、电容使用常识。电容在电路中实际要承受的电压不能超过它的耐压值。在滤波电路中，电容的耐压值不要小于交流有效值的1.42倍。使用电解电容的时候，还要注意正负极不要接反。 不同电路应该选用不同种类的电容。揩振回路可以选用云母、高频陶瓷电容，隔直流可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容，滤波可以选用电解电容，旁路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。 电容在装入电路前要检查它有没有短路、断路和漏电等现象，并且核对它的电容值。安装的时候，要使电容的类别、容量、耐压等符号容易看到，以便核实 二、电容容量的表示方法

安规电容介绍(X电容,Y电容作用)_电路图

安规电容介绍（X电容，Y电容作用）_电路图 1、安规电容介绍 安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全。安規電容通常只用于抗干擾電路中的濾波作用。 安规电容的放电和普通电容不一样，普通电容在外部电源断开后电荷会保留很长时间，如果用手触摸就会被电到，而安规电容则没这个问题。处于安全考虑和EMC考虑，一般在电源入口建议加上安规电容。 在交流电源输入端,一般需要增加3个安全电容来抑制EMI传导干扰。它们用在电源滤波器里，起到电源滤波作用，分别对共模，差模工扰起滤波作用。 Y电容： 在火线和地线之间以及在零线和地线之间并接的电容,一般统称为Y电容。这两个Y电容连接的位置比较关键,必须需要符合相关安全标准, 以防引起电子设备漏电或机壳带电,容易危及人身安全及生命。它们都属于安全电容,从而要求电容值不能偏大,而耐压必须较高。一般情况下,工作在亚热带的机器,要求对地漏电电流不能超过0.7mA;工作在温带机器,要求对地漏电电流不能超过0.35mA。因此,Y电容的总容量一般都不能超过4700PF（472）。 Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义。 特别指出：作为安全电容的Y电容,要求必须取得安全检测机构的认证。Y电容外观多为橙色或蓝色,一般都标有安全认证标志（如UL、CSA等标识）和耐压AC250V或AC275V字样。然而,其真正的直流耐压高达5000V以上。必须强调,Y 电容不得随意使用标称耐压AC250V或者DC400V之类的普通电容来代用。 X电容： 在火线和零线抑制之间并联的电容,一般称之为X电容。由于这个电容连接的位置也比较关键,同样需要符合相关安全标准。X电容同样也属于安全电容之一。根据实际需要,X电容的容值允许比Y电容的容值大,但此时必须在X电容的两端

电容知识介绍

电容知识介绍 一、电容的基础知识： 电容是一种最基本的电子元器件，基本上所有的电子设备都要用到。小小一颗电容却是一个国家工业技术能力的完全体现，世界上最先进的电容设计和生产国是美国和日本，我国自主力量还很薄弱，并且生产的产品也都以低档为主。 电容的基本单位为法拉（F），常用微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）（皮法又称微微法）等，它们的关系是： 1法拉（F）= 106微法（μF） 1微法（μF）= 103纳法（nF）= 106皮法（pF） 1pF = 10-12F 1nF = 10-9F= 103 ×10-12F= 102pF 1uF = 10-6F= 106 ×10-12F= 105pF 104表示0.1uF，105表示1 uF， 106表示10uF，226表示22 uF。 电容的误差等级一般分为3级：I级±5%（J），II级±10%（K），III级±20%（M）0402封装：1.0mm长×0.5mm宽 0603封装：1.6mm长×0.8mm宽（60mil×0.0254=1.524mm，30mil=0.762mm）0805封装：2.0mm长×1.25mm宽（80mil×0.0254=2.032mm，50mil=1.27mm）1206封装：3.2mm长×1.6mm宽 1210封装：3.2mm长×2.5mm 宽 1812封装：4.5mm长×3.2mm宽 2010封装：5.0mm长×2.5mm 宽 2225封装：5.6mm长×6.5mm宽 2512封装：6.5mm长×3.2mm宽 A型钽电容：3.2mm长×1.6mm宽×1.6mm高 B型钽电容：3.5mm长×2.8mm宽×1.9mm高 C型钽电容：6.0mm长×3.2mm宽×2.5mm高 D型钽电容：7.3mm长×4.3mm宽×2.8mm高 E型钽电容：7.3mm长×4.3mm宽×4.0mm高

电解电容的电参数介绍

电解电容的电参数介绍 这里的电解电容器主要指铝电解电容器，其基本的电参数包括下列五点： 1、电容值 电解电容器的容值，取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值，也就是交流电容值，随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。在标准JISC5102规定：铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为120Hz，最大交流电压为0.5Vrms，DC bias电压为1.5～2.0V的条件下进行。可以断言，铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。 2、损耗角正切值Tanδ 在电容器的等效电路中，串联等效电阻ESR同容抗1/ωC之比称之为Tanδ，这里的ESR是在120Hz下计算获得的值。显然，Tanδ随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大。 3、阻抗Z 在特定的频率下，阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗（Z）。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切相关，且与ESR也有关系。 Z=√[ESR2+(XL-XC)2] 式中，XC=1/ωC=1/2πfC XL=ωL=2πfL

电容的容抗（XC）在低频率范围内随着频率的增加逐步减小，频率继续增加达到中频范围时电抗（XL）降至ESR的值。当频率达到高频范围时感抗（XL）变为主导，所以阻抗是随着频率的增加而增加。 4、漏电流 电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。 5、纹波电流和纹波电压 在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”，其实就是ripplecurrent，ripple voltage。含义即为电容器所能耐受纹波电流/电压值。它们和ESR之间的关系密切，可以用下面的式子表示： Urms=Irms×R 式中，Vrms表示纹波电压 Irms表示纹波电流 R表示电容的ESR 由上可见，当纹波电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高。换言之，当纹波电压增大时，纹波电流也随之增大，这也是要求电容具备更低ESR值的原因。叠加入纹波电流后，由于电容内部的等效串连电阻（ESR）引起发热，从而影响到电容器的使用寿命。一般的，纹波电流与频率成正比，因此低频时纹波电流也比较低。

各种电容特性及应用

jq1000110的博文 各种电容的特性及其应用(2007-08-25 15:23) 分类： 名称:聚酯(涤纶)电容(CL) 符号: 电容量:40p--4u 额定电压:63--630V 主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差 应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路 名称:聚苯乙烯电容(CB) 符号: 电容量:10p--1u 额定电压:100V--30KV 主要特点:稳定,低损耗,体积较大 应用:对稳定性和损耗要求较高的电路 名称:聚丙烯电容(CBB) 符号: 电容量:1000p--10u 额定电压:63--2000V 主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差 应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路

名称:云母电容(CY) 符号: 电容量:10p--0.1u 额定电压:100V--7kV 主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路 名称:高频瓷介电容(CC) 符号: 电容量:1--6800p 额定电压:63--500V 主要特点:高频损耗小,稳定性好 应用:高频电路 名称:低频瓷介电容(CT) 符号: 电容量:10p--4.7u 额定电压:50V--100V 主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差应用:要求不高的低频电路

名称:玻璃釉电容(CI) 符号: 电容量:10p--0.1u 额定电压:63--400V 主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度) 应用:脉冲、耦合、旁路等电路 名称:铝电解电容 符号: 电容量:0.47--10000u 额定电压:6.3--450V 主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大 应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等 名称:但电解电容(CA)铌电解电容(CN) 符号: 电容量:0.1--1000u 额定电压:6.3--125V 主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容 应用:在要求高的电路中代替铝电解电容 名称:空气介质可变电容器

铝电解电容器材料介绍

铝电解电容器材料介绍.doc 东莞市创慧电子厂0 正极箔：由纯铝经腐蚀、化成两道工艺而成，它是电容器的正极。铝纯度通常≥99.9%。当≥99.90%时铝纯度为3N，当≥99.99%时铝纯度为4N。 1、正极箔的TV值： TV值即其在85℃下测得的氧化膜耐压值，应≥箱标的VF值。 TV值决定了电容器的耐压值及其工作电压的高低。 一般情况下，普通85℃产品的正箔耐压、充电电压、工作电压之间的关系为TV=1.15AV=1.3WV。2、正极箔的TR值 正极箔的TR值即其在规定的电流密度及温度下电压升至0.9VF所需的时间。升压时间TR与耐压TV关系如下图。TR值与老化冷充时间密切相关。 3、正极箔的比容及其离散率 铝箔的比容即其单位面积（通常取1cm2 ）的容量，比容的单位为μF/cm2。 比容离散率即其最大值与最小值之差与其平均值的比值，它直接影响到电容器容量的一致性。铝箔比容的高低在一般情况下，与其厚度成正比，与电压成反比，它对电容器的损耗值影响很大。所以在选用高比容的正箔做缩体品时，唯有在耐压上做出牺牲。 4、正极箔的耐水合性 正极箔的耐水合性即其在90℃的条件下恒温水煮60分钟后重新测得的TV、TR以及比容的变化情况。正极箔的耐水合性的好坏直接影响到电容器储存后的容量衰减及其他电性能的变化，换句话说也就是耐水合性的好坏直接影响到电容器的储存性能。 5、正极箔的机械强度 正极箔的机械强度包括抗弯强度及抗拉强度，抗弯强度的单位是次，抗弯强度的单位是N/cm 。一般正极箔的机械强度与其厚度、电压有密切的关系。 二、负极箔：负极箔是电容器的引出负极，由纯铝经过腐蚀而成，通常铝纯度为＞98%。一般根据电容器正箔比容选取负箔比容，根据工作电压选取负箔厚度。 1、化成负箔的TV及TR 当电容器使用在高纹波电路时，可根据实际情况考虑是否选用化成负箔。 化成负箔的TV值要求≥箱标的VF值，升压时间TR要求≤5S。 2、负极箔的比容及离散率 负极箔的比容及离散率表示方法同正极箔，它也直接影响电容器容量的一致性。 负极箔的比容跟它的厚度与腐蚀深度有关，通常厚度越厚，比容越高，而对于化成负箔来讲，同等厚度的负箔电压越高，比容越低。 电容器的损耗与负箔比容成正比。

电容器的定义以及相关的公式介绍

[知识学堂] 电容器的定义以及相关的公式介绍 定义 电容（或称电容量）是表征电容器容纳电荷本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。电容器从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质（就像一只水桶一样，你可以把电荷充存进去，在没有放电回路的情况下，刨除介质漏电自放电效应/电解电容比较明显，可能电荷会永久存在，这是它的特征），它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。 电容的符号是C。 C=εS/d=εS/4πkd(真空)=Q/U 在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是： 1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 电容与电池容量的关系： 1伏安时=25法拉=3600焦耳 1法拉=144焦耳 相关公式 一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电

容器的电容就是1法，即：C=Q/U 但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即：C=εS/4πkd 。其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器,电容为C=εS/d.（ε为极板间介质的介电常数，S 为极板面积，d为极板间的距离。） 定义式C=Q/U 电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C 多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 三电容器串联C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3)

常用电容知识与种类_大全

一：电解电容： 1．铝电解电容：电容量：0.47--10000u / 额定电压：6.3--450V / 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 / 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 2．钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）：电容量：0.1--1000u / 额定电压：6.3--125V / 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 / 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容 二：无极电容： 1．瓷片电容： A．低频瓷介电容（CT）: 电容量：10p--4.7u / 电压：50V--100V / 特点：体积小，价廉，损耗大， 稳定性差/ 应用：要求不高的低频电路。 B: 高频瓷介电容（CC）: 电容量：1--6800p / 额定电压：63--500V / 主要特点：高频损耗小，稳定 性好/ 应用：高频电路。 2．独石电容：容量范围：0.5PF--1UF 耐压：二倍额定电压主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小 型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。 独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，I型性能挺好，但容量小，一般小于0.2U，另一种 叫II型，容量大，但性能一般 3．CY-云母电容：电容量：10p--0。1u 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 4．CI-玻璃釉电容：电容量：10p--0.1u 额定电压：63--400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）。应用：脉冲、耦合、旁路等电路 5．空气介质可变电容器：可变电容量：100--1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备薄膜介质可变 电容器可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用： 通讯，广播接收机等。 6．薄膜介质微调电容器：可变电容量：1--29p 主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿陶瓷介质微调电容器可变电容量：0。3--22p 主要特点：损耗较小， 体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路。 7．CL-聚酯涤纶电容（常见绿皮封装CL11）：电容量：40p--4u 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差。应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路。 CL21：金属化聚脂膜电容，红皮环氧树脂封装/或黄皮塑壳封装（外观类似CBB电容）。 CL21X/CL23/CL233X：超小型金属化聚脂膜电容，红皮、环氧树脂封装/或多色塑壳封装。8．CB/PS-聚苯乙烯电容（常见水晶封装）：电容量：10p--1u 额定电压：100V--30KV 主要特点：稳定，

金属氧化物超级电容器简介

金属氧化物超级电容器简介 超级电容器，是一种介于普通静电电容器与二次电池之间的新型储能元件。由于它具有比功率高、比容量大、成本低、循环寿命长、无记忆、充放电效率高，不需要维护和保养等优点，因此在移动通讯、信息技术、电动汽车、航空航天和国防科技等方面具有广阔的应用前景。世界各国都给予了高度重视，并将其作为重点开发项目和战略研究进行研发。 超级电容器储能机理超级电容器按原理可分为双电层电容器和赝电容电容器。作为第一类导体的电极与第二类导体的电解质溶液接触时，充电时则在电极 / 溶液界面发生电子和离子或偶极子的定向排列，形成双电层电容。双电层电容器的电极通常为具有高比表面积的多孔炭材料，目前常用的炭材料有 :活性炭粉末、活性炭纤维、炭黑、碳气凝胶、碳纳米管、玻璃碳、网络结构炭以及某些有机物的炭化产物。 赝电容，也称法拉第准电容，是在电极表面或体相中的二维或准二维空间上，电活性物质进行欠电位沉积，发生高度可逆的化学吸附，脱附或氧化，还原反应，产生和电极充电电位有关的电容。赝电容不仅在电极表面，而且可在整个电极内部产生，因而可获得比双电层电容更高的电容量和能量密度。在相同电极面 积的情况下，贋电容可以是双电层电容量的10?100倍

金属氧化物超电容电极材料最新进展 对电极材料研究主要集中在各种活性炭材料、金属氧化物材料、导电聚合物材料等。其中活性炭电极材料以产生的双电层为主，金属氧化物材料与导电聚合物材料以产生的贋电容为主，下面就介绍贋电容电极材料的研究进展情况。由于RuO2等活性物 质在电极/溶液界面法拉第反应所产生的 "准电容"要远大于活性炭材料表面的双层电容，有着广阔的研究前景，已经引起了不少研究者的重视。 1、超细微RuO2电极活性物质的制备与研究 超细微RuO 2电极活性物质以其优异的催化活性已经在卤碱工业中得到了广泛的应用，但利用其不同寻常的比容量作为电化学电容的活性物质仅仅是近几年的事情。T.R.JOW对这一活性 物质进行了系统的研究，他们使用溶胶凝胶方法制备了超细微 RuO 2颗粒，在175 C加热若干时间，然后制备成为电极进行测试，此种RuO 2电极活性物质具有优异的大电流充放电性能，其单电极比容量高达760F/g。JOW 认为制备含水的无定型的 RuO 2氧化物是加大材料电容量的关键，反应仅仅发生在氧化物电极表层。活性材料中加入大面积导电性碳黑后使材料的大电流放电性能有所改善，功率密度达到 100KW/Kg 。JOW制备的活性电极可在一52 C ?73 C的范围之内连续充放电 60 , 000次以上。JOW 等人给出的解释是 RuO 2 ?xH 2O由于是无定型态，电解液容易进入电极材料，由它

电容的规格和品种介绍

电容的种类 电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。下表是各种电容的优缺点： 各种电容的优缺点 极性名称制作优点缺点 无无感CBB电容2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。无感，高频特性好，体积较小不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。无CBB电容2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。有感，其他同上。 无瓷片电容薄瓷片两面渡金属膜银而成。体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）易碎！容量低 无云母电容云母片上镀两层金属薄膜容易生产，技术含量低。体积大，容量小，（几乎没有用了） 无独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感 有电解电容两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸泡在电解液（含酸性的合成溶液）中。容量大。高频特性不好。 有钽电容用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。稳定性好，容量大，高频特性好。造价高。（一般用于关键地方） ）名称：聚酯（涤纶）电容（CL） 符号： 电容量：40p--4u 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差 应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路 2）名称：聚苯乙烯电容（CB） 符号： 电容量：10p--1u 额定电压：100V--30KV 主要特点：稳定，低损耗，体积较大 应用：对稳定性和损耗要求较高的电路

3）名称：聚丙烯电容（CBB） 符号： 电容量：1000p--10u 额定电压：63--2000V 主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差 应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路 4）名称：云母电容（CY） 符号： 电容量：10p--0。1u 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小 应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 5）名称：高频瓷介电容（CC） 符号： 电容量：1--6800p 额定电压：63--500V 主要特点：高频损耗小，稳定性好 应用：高频电路 6）名称：低频瓷介电容（CT） 符号： 电容量：10p--4。7u 额定电压：50V--100V 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差

电容规格的详细介绍

电容器规格详细介绍 电容器种类: 依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别. 1. 电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型 (>11mm 高度), 迷你型 (7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型 (7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等. 2. 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片 (105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等. 3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜, 及交流用金属化聚丙烯薄膜等. 4. 陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型, Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型等. 5. 陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 0805, 1206等较具普遍性. 电容器主要电气规格: 1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF, 测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF. 2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-20%, 塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF (10pF以下时), 或D即 +/-0.5pF (10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即 +80/-20%三种. 3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000. (Q值相当于D值的倒数) ) 4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm, UJ即为 -750+/-120ppm, SL即为 +350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为

超级电容器原理介绍及实验分析

五、结果与分析 1、实验过程总结与知识点查阅 ○1超级电容器的结构：[1] 超级电容器主要由三部分组成：电极、电解液和隔膜，其中电极由集流体和电极材料组成。本实验中，集流体为泡沫镍，集流体起到降低电极内阻的作用，活性物质为三维石墨烯-Co3O4复合材料。 ○2超级电容器的分类及原理 分为双电层电容器和赝电容器 双电层电容器：充电时，电解液中的带电粒子被吸附在电极表面，形成双电层结构，从而将能量储存起来。在双电层电容器工作的过程中，电解液中的粒子只发生电迁移、扩散、传质，完全是物理过程，不会和电极发生氧化还原反应。在充电时，接正极的电极集流体和活性物质带正电，活性物质吸附电解液中的负离子从而形成双电层结构。同样的，接负极的活性物质带负电，吸引电解液中的阳离子形成双电层结构。整个超级电容器相当于两个电容器串联。循环性能好，比电容较低。 赝电容器：由于电解液中粒子与电极材料发生高度可逆的氧化还原反应，形成不稳定的产物，将能量储存起来。在充电时，活性物质与电解液中的粒子在电极表面或者电极表面及内部发生高度可逆的化学吸附；在放电时则进行解吸附的过程。循环性能差，比电容高。 ○3超级电容器的电极材料[2]： （1）炭材料：活性炭、碳纳米管、石墨烯等。主要用于双电层电容器，比容量较低，而且能量密度与功率密度也较低。 ( 2 )过渡金属氧化物和导电聚合物，主要用于赝电容器，比容量与能量密度较高，导电性能和循环稳定性相对活性炭较差。 （3）改进材料：制备碳材料与金属氧化物或导电聚合物的复合材料，同时拥有比电容高和循环性能好的优点，如本实验中的三维石墨烯-Co3O4复合材料。 ○4循环伏安法测试及其原理 循环伏安法是指在工作电极和参比电极之间施加三角波扫描电压，记录工作电极上响应电流与施加电位之间的关系曲线，即循环伏安图。从伏安图的波形、氧化还原电流的数值及