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金属膜电阻

金属膜电阻
金属膜电阻

金属膜电阻 - 金属膜电阻器特点及参数

温度系数:±100PPM/℃

功率负荷大、电流噪声小

稳定性能,高频性能好

工作温度范围:-55℃~+155℃

精度:0.25[%],0.5[%],1[%],5[%]

阻值范围:1Ω~10MΩ

标称阻值:E-96

包装方式有带装、散装金属膜电阻 - 金属膜电阻的单位标称值

附:精度为1%的金属膜电阻,以欧姆为单位的标称值:

10 33 100 332 1K 3.32K 10.5K 34K 107K 357K

10.2 33.2 102 340 1.02K 3.4K 10.7K 34.8K 110K 360K

10.5 34 105 348 1.05K 3.48K 11K 35.7K 113K 365K

10.7 34.8 107 350 1.07K 3.57K 11.3K 36K 115K 374K

11 35.7 110 357 1.1K 3.6K 11.5K 36.5K 118K 383K

11.3 36 113 360 1.13K 3.65K 11.8K 37.4K 120K 390K

11.5 36.5 115 365 1.15K 3.74K 12K 38.3K 121K 392K

11.8 37.4 118 374 1.18K 3.83K 12.1K 39K 124K 402K

12 38.3 120 383 1.2K 3.9K 12.4K 39.2K 127K 412K

12.1 39 121 390 1.21K 3.92K 12.7K 40.2K 130K 422K

12.4 39.2 124 392 1.24K 4.02K 13K 41.2K 133K 430K

12.7 40.2 127 402 1.27K 4.12K 13.3K 42.2K 137K 432K

13 41.2 130 412 1.3K 4.22K 13.7K 43K 140K 442K

13.3 42.2 133 422 1.33K 4.32K 14K 43.2K 143K 453K

13.7 43 137 430 1.37K 4.42K 14.3K 44.2K 147K 464K

14 43.2 140 432 1.4K 4.53K 14.7K 45.3K 150K 470K

14.3 44.2 143 442 1.43K 4.64K 15K 46.4K 154K 475K

14.7 45.3 147 453 1.47K 4.7K 15.4K 47K 158K 487K

15 46.4 150 464 1.5K 4.75K 15.8K 47.5K 160K 499K

15.4 47 154 470 1.54K 4.87K 16K 48.7K 162K 511K

15.8 47.5 158 475 1.58K 4.99K 16.2K 49.9K 165K 523K

16 48.7 160 487 1.6K 5.1K 16.5K 51K 169K 536K

16.2 49.9 162 499 1.62K 5.11K 16.9K 51.1K 174K 549K

16.5 51 165 510 1.65K 5.23K 17.4K 52.3K 178K 560K

16.9 51.1 169 511 1.69K 5.36K 17.8K 53.6K 180K 562K

17.4 52.3 174 523 1.74K 5.49K 18K 54.9K 182K 576K

17.8 53.6 178 536 1.78K 5.6K 18.2K 56K 187K 590K

18 54.9 180 549 1.8K 5.62K 18.7K 56.2K 191K 604K

18.2 56 182 560 1.82K 5.76K 19.1K 57.6K 196K 619K

18.7 56.2 187 562 1.87K 5.9K 19.6K 59K 200K 620K

19.1 57.6 191 565 1.91K 6.04K 20K 60.4K 205K 634K

19.6 59 196 578 1.96K 6.19K 20.5K 61.9K 210K 649K

20 60.4 200 590 2K 6.2K 21K 62K 215K 665K

20.5 61.9 205 604 2.05K 6.34K 21.5K 63.4K 220K 680K

21 62 210 619 2.1K 6.49K 22K 64.9K 221K 681K

21.5 63.4 215 620 2.15K 6.65K 22.1K 66.5K 226K 698K

22 64.9 220 634 2.2K 6.8K 22.6K 68K 232K 715K

22.1 66.5 221 649 2.21K 6.81K 23.2K 68.1K 237K 732K

22.6 68 226 665 2.26K 6.98K 23.7K 69.8K 240K 750K

23.2 68.1 232 680 2.32K 7.15K 24K 71.5K 243K 768K

23.7 69.8 237 681 2.37 7.32K 24.3K 73.2K 249K 787K

24 71.5 240 698 2.4K 7.5K 24.9K 75K 255K 806K

24.3 73.2 243 715 2.43K 7.68K 25.5K 76.8K 261K 820K 24.7 75 249 732 2.49K 7.87K 26.1K 78.7K 267K 825K

24.9 75.5 255 750 2.55K 8.06K 26.7K 80.6K 270K 845K

25.5 76.8 261 768 2.61K 8.2K 27K 82K 274K 866K

26.1 78.7 267 787 2.67K 8.25K 27.4K 82.5K 280K 887K

26.7 80.6 270 806 2.7K 8.45K 28K 84.5K 287K 909K

27 82 274 820 2.74K 8.66K 28.7K 86.6K 294K 910K

27.4 82.5 280 825 2.8K 8.8K 29.4K 88.7K 300K 931K

28 84.5 287 845 2.87K 8.87K 30K 90.9K 301K 953K

28.7 86.6 294 866 2.94K 9.09K 30.1K 91K 309K 976K

29.4 88.7 300 887 3.0K 9.1K 30.9K 93.1K 316K 1.0M

30 90.9 301 909 3.01K 9.31K 31.6K 95.3K 324K 1.5M 30.1 91 309 910 3.09K 9.53K 32.4K 97.6K 330K 2.2M

30.9 93.1 316 931 3.16K 9.76K 33K 100K 332K

31.6 95.3 324 953 3.24K 10K 33.2K 102K 340K

32.4 97.6 330 976 3.3K 10.2K 33.6K 105K 348K

薄膜电容规格书模板

美的制冷家用空调国内事业部 电子元器件规格书 供方名称:厦门法拉电子股份有限公司 器件名称:薄膜电容 型号规格:参见第六项表格 物料编码:参见第六项表格 厂家型号:MKP62-275VAC-104TSSKP15 MKP62-275VAC-274TSSMP22.5 MKP62-275VAC-105TSSMP22.5 MKP62-275VAC-224KP15 MKP62-275VAC-474MP22.5 MKP62-275VAC-105MP22.5 MKP62-275VAC-335KP27.5 MKP62-275VAC-155MP22.5 编制: 审核: 供方会签: 日期: 版本:V1.0 注意事项: 1、本规格书双方签字后正式生效,本规格书连封面合共6页; 2、本规格书一式两份,版本由使用方与供方共同维护;任何对内容的改动必须经双方同意,并以书面文件的形式发布。

规格书更新纪录: 一厂家品牌中英文:

厦门法拉电子股份有限公司(鹭岛牌) Xiamen Faratronic Co.,Ltd.,() 二产地(国内的写工厂地址): 中国厦门市金桥路101号 三厂家型号及型号含义: F15B3.7 :F15表示电容器引线成型(弯脚)15mm,B3.7表示电容器引线成型(弯脚)15mm后,剪短引线长度为3.7mm。 3. 引线形状及间距图: Note: W±0.4 H±0.4 T±0.4 五安全认证说明:

● 六 外观尺寸及关键参数对照表: P=7.5 or 10.0mm P ≥15.0mm and C R ≤1.0μF 符号说明Marking Introduction :

薄膜电阻和厚膜电阻的区别

薄膜电阻和厚膜电阻的区别 (捷比信)薄膜电阻器是用类真空蒸发、磁控溅射的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成一种电阻器。是现在主流的贴片精密电阻器。 捷比信薄膜电阻和厚膜电阻的最大区别是: 一、膜厚的区别,厚膜电路的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多处于小于1μm; 二、制造工艺的区别,厚膜电路一般采用丝网印刷工艺,捷比信薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。 厚膜电阻和捷比信薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻一般精度较差,10%,5%,1%是常见精度,而捷比信薄膜电阻则可以做到0.01%万分之一精度,0.1%千分之一精度等。同时厚膜电阻的温度系数上很难控制,一般较大,同样的,捷比信薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数,如5PPM/℃,10 PPM/℃这样电阻阻值随温度变化非常小,阻值稳定可靠。所以捷比信薄膜电阻常用于各类仪器仪表,医疗器械,电源,电力设备,电子数码产品等。 以下是其他相关电阻器:

1.碳膜电阻器 将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低。性能稳定。阻值范围宽。温度系数和电压系数低,是目前应用最广泛的电阻器。 2.金属膜电阻器。 用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高,稳定性好,噪声,温度系数校在仪器仪表及通讯设备中大量采用。 3.金属氧化膜电阻器 在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物,所以高温下稳定,耐热冲击,负载能力强。 大品牌有保证---捷比信精密电阻!欢迎来电来函索取资料,样品及查货等。 业德薄膜电阻器是用类真空蒸发、磁控溅射的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成一种电阻器。是现在主流的贴片精密电阻器。 业德薄膜电阻和厚膜电阻的最大区别是: 一、膜厚的区别,厚膜电路的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多处于小于1μm; 二、制造工艺的区别,厚膜电路一般采用丝网印刷工艺,业德薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。 厚膜电阻和业德薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻一般精度较差,10%,5%,1%是常见精度,而薄膜电阻则可以做到0.01%万分之一精度,0.1%千分之一精度等。同时厚膜电阻的温度系数上很难控制,一般较大,同样的,薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数,如 5PPM/℃,10 PPM/℃这样电阻阻值随温度变化非常小,阻值稳定可靠。所以薄膜电阻常用于各类仪器仪表,医疗器械,电源,电力设备,电子数码产品等。 以下是其他相关电阻器: 1.碳膜电阻器

电阻选型:厚膜、薄膜电阻特性优缺点比较

电阻选型:厚膜、薄膜电阻特性优缺点比较 薄膜电阻由陶瓷基片上厚度为50 ? 至250 ? 的金属沉积层组成(采用真空或溅射工艺)。薄膜电阻单位面积阻值高于线绕电阻或Bulk Metal? 金属箔电阻,而且更为便宜。在需要高阻值而精度要求为中等水平时,薄膜电阻更为经济并节省空间。 它们具有最佳温度敏感沉积层厚度,但最佳薄膜厚度产生的电阻值严重限制了可能的电阻值范围。因此,采用各种沉积层厚度可以实现不同的电阻值范围。薄膜电阻的稳定性受温度上升的影响。薄膜电阻稳定性的老化过程因实现不同电阻值所需的薄膜厚度而不同,因此在整个电阻范围内是可变的。这种化学/机械老化还包括电阻合金的高温氧化。此外,改变最佳薄膜厚度还会严重影响 TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化,因此高阻值薄膜电阻退化率非常高。

由于金属量少,薄膜电阻在潮湿的条件下极易自蚀。浸入封装过程中,水蒸汽会带入杂质,产生的化学腐蚀会在低压直流应用几小时内造成薄膜电阻开路。改变最佳薄膜厚度会严重影响 TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化,因此高阻值薄膜电阻退化率非常高。 如前所述,受尺寸、体积和重量的影响,线绕电阻不可能采用晶片型。尽管精度低于线绕电阻,但由于具有更高的电阻密度(高阻值/小尺寸)且成本更低,厚膜电阻得到广泛使用。与薄膜电阻和金属箔电阻一样,厚膜电阻频响速度快,但在目前使用的电阻技术中,其噪声最高。虽然精度低于其他技术,但我们之所以在此讨论厚膜电阻技术,是由于其广泛应用于几乎每一种电路,包括高精密电路中精度要求不高的部分。 厚膜电阻依靠玻璃基体中粒子间的接触形成电阻。这些触点构成完整电阻,但工作中的热应变会中断接触。由于大部分情况下并联,厚膜电阻不会开路,但阻值会随着时间和温度持续增加。因此,与其他电阻技术相比,厚膜电阻稳定性差(时间、温度和功率)。 由于结构中成串的电荷运动,粒状结构还会使厚膜电阻产生很高的噪声。给定尺寸下,电阻值越高,金属成份越少,噪声越高,稳定性越差。厚膜电阻结构中的玻璃成分在电阻加工过程中形成玻璃相保护层,因此厚膜电阻的抗湿性高于薄膜电阻。 金属箔电阻 将具有已知和可控特性的特种金属箔片敷在特殊陶瓷基片上,形成热机平衡力对于电阻成型是十分重要的。然后,采用超精密工艺光刻电阻电路。这种工艺将低、长期稳定性、无感抗、无感应、低电容、快速热稳定性和低噪声等重要特性结合在一种电阻技术中。

MEF 系列无引线精密金属膜电阻

产品规格: o技术特点:降功率曲线: o无引线圆柱状外形、涂覆封装、色环标志、高精密、 o低温度系数. 适用于有高精度要求的表面贴装(SMD) o电子线路。 o工作温度范围: -65℃~ +155℃。 o尺寸(mm): o型号 o0204 o0207 o0208 o额定功率(70℃)(W) o0.25 o0.50 o0.75 o最大工作电压(V) o200 o250 o250 o尺寸(mm) o L +/- 0.3 o 3.50 o 5.60 o8.50 o D +/- 0.4 o 1.35 o 2.15 o 3.00 o C +/- 0.1 o 1.00 o 1.40 o 1.90 o标称阻值范围( Ω )及相应标称阻值误差,标称阻值范围( Ω )及相应温度系数: o0204 o0207/0208 o TOL o0204 o0207/0208 o TCR o100~600K o20 ~ 1M21 o A5 ( +/- 0.05%) o50~ 600K o50 ~ 1M

o C7( +/- 5PPM/℃) o50 ~600K o20 ~ 1M21 o B( +/- 0.10%) o50~ 600K o50 ~ 1M o C6( +/- 10PPM/℃) o50 ~ 1M o20 ~ 3M o C( +/- 0.25%) o30~ 600K o30 ~ 3M o C5( +/- 15PPM/℃) o 1 ~ 1M o 1 ~ 5M o D( +/- 0.50%) o10~ 600K o10 ~ 3M o C3( +/- 25PPM/℃) o 1 ~ 1M o 1 ~ 10M o F( +/- 1.00%) o1~ 1M o 1 ~ 4M5 o C2( +/- 50PPM/℃) o 1 ~ 1M o0.1 ~ 10M o G( +/- 2.00%) o注:超过以上标准范围的,可协商订货。 o主要质量一致性检验项目: o项目 o方法 o要求 o寿命 o GJB244A-2001 4.8.18额定功率,70℃,2000h o GJB244A-2001 3.24 oΔR/R 0.50%+0.01 Ω) o耐湿 o GJB244A-2001 4.8.15 -10℃~+65℃, RH > 90%,额定功率,循环240h. o GJB244A-2001 3.21 oΔR/R o温度冲击 o GJB244A-2001 4.8.2 -65℃~ 150℃每个温度点各0.5h,循环5次 o GJB244A-2001 3.8

四探针测量金属薄膜电阻率

实验三(I)探针测量半导体或金属薄膜电阻率 一.实验目的 1.熟悉四探针测量半导体或金属薄膜电阻率的原理 2.掌握四探针测量材料电阻率的方法 二.实验原理 薄膜材料是支持现代高新技术不断发展的重要材料之一,已经被广泛地应用在微电子器件、微驱动器/ 微执行器、微型传感器中。金属薄膜的电阻率是金属薄膜材料的一个重要的物理特性,是科研开发和实际生产中经常要测量的物理特性,对金属薄膜电阻率的测量也是四端法测量低电阻材料电阻率的一个实际的应用,它比传统的四端子法测量金属丝电阻率的实验更贴近现代高新技术的发展。 直流四探针法也称为四电极法,主要用于半导体材料或超导体等的低电阻率的测量。使用的仪器以及与样品的接线如图3-1所示。由图可见,测试时四根金属探针与样品表面接触,外侧两根1、4为通电流探针,内侧两根2、3为测电压探针。由电流源输入小电流使样品内部产生压降,同时用高阻抗的静电计、电子毫伏计或数字电压表测出其他二根探针的电压即V23(伏)。 (a)仪器接线(b)点电流源(c)四探针排列 图3-1 四探针法测试原理示意图 若一块电阻率为ρ的均匀半导体样品,其几何尺寸相对于探针间距来说可以看作半无限大。当探针引入的点电流源的电流为I,由于均匀导体内恒定电场的等位面为球面,则在半径为r处等位面的面积为2πr2,电流密度为 j=I/2πr2(3-1)

根据电导率与电流密度的关系可得 E =2222r I r I j πρσπσ== (3-2) 则距点电荷r 处的电势为 r I V πρ2= (3-3) 半导体内各点的电势应为四个探针在该点形成电势的矢量和。通过数学推导可得四探针法测量电阻率的公式为: I V C r r r r I V 2313413241223)1111(2=+--?=-πρ (3-4) 式中,134 132412)1111(2-+--=r r r r C π为探针系数,单位为cm ;r 12、r 24、r 13、r 34分别为相应探针间的距离,见图3-1c 。若四探针在同一平面的同一直线上,其间距分别为S 1、S 2、S 3,且S 1=S 2=S 3=S 时,则 S I V S S S S S S I V ππρ2)1111(223133221123=++-+-?=- (3-5) 这就是常见的直流等间距四探针法测电阻率的公式。 为了减小测量区域,以观察电阻率的不均匀性,四根探针不—定都排成—直线,而可排成正方形或矩形,此时,只需改变计算电阻率公式中的探针系数C 。 四探针法的优点是探针与半导体样品之间不要求制备合金结电极,这给测量带来了方便。四探针法可以测量样品沿径向分布的断面电阻率,从而可以观察电阻率的不均匀情况。由于这种方法可迅速、方便、无破坏地测量任意形状的样品且精度较高,适合于大批生产中使用。但由于该方法受针距的限制,很难发现小于0.5mm 两点电阻的变化。 根据样品在不同电流(I )下的电压值(V )计算出该样品的电阻值及电阻率,例如某一种薄膜样品,在薄膜的面积为无限大或远大于四探针中相邻探针间距的时候,金属薄膜的电阻率ρ可以由以下式算出。

物理实验金属薄膜电阻率的测量

银薄膜电阻率测量数据记录表 膜厚:44.4nm 电流I/mA 正向电压U+/Mv 反向电压U-/mV 平均电压U/mV 0.151 0.162 0.163 0.163 0.172 0.186 0.185 0.186 0.193 0.207 0.208 0.208 0.223 0.241 0.240 0.241 0.281 0.301 0.302 0.302 0.316 0.340 0.339 0.340 0.356 0.383 0.384 0.384 0.402 0.433 0.434 0.434 0.448 0.482 0.483 0.483 电阻率为216.879(Ω/nm) 膜厚:88.8nm 电流I/mA 正向电压U+/Mv 反向电压U-/mV 平均电压U/mV 0.532 0.121 0.126 0.124 1.743 0.404 0.409 0.407 3.264 0.759 0.764 0.762 4.744 1.105 1.110 1.108 5.642 1.314 1.320 1.317 7.539 1.758 1.763 1.761 9.163 2.138 2.143 2.141 10.679 2.492 2.497 2.495 12.221 2.854 2.859 2.857 电阻率为94.11(Ω/nm) 膜厚:133.2nm 电流I/mA 正向电压U+/Mv 反向电压U-/mV 平均电压U/mV 0.794 0.107 0.112 0.110 2.372 0.327 0.332 0.330 3.988 0.553 0.558 0.556 5.235 0.727 0.732 0.730 6.904 0.960 0.965 0.963 8.488 1.181 1.187 1.184 9.785 1.362 1.368 1.365 13.193 1.839 1.844 1.842 14.871 2.073 2.079 2.076 电阻率为84.35(Ω/nm) 膜厚:222nm 电流I/mA 正向电压U+/Mv 反向电压U-/mV 平均电压U/mV 3.970 0.376 0.382 0.379 10.090 0.962 0.967 0.965 14.480 1.382 1.387 1.385

各种精密电阻特性和内部结构

精密电阻分类特性 精密电阻分类特性 精密电阻分类特性 首先,这里所谓精密电阻,系指单个电阻元件。不包含由多个电阻串并联后组成的复合电阻,也不包括标准电阻等成品。 首先,什么是精密电阻? 其实,对于不是搞计量的不需要分的那么清楚,可以大体上认为高精密、高准确、低误差等是一个意思。这样,对于精度不太高的电阻,我们可以不分具体指标,笼统的说某电阻精度是多少。比如0.1%精度的电阻,就是一个综合误差,实际上是说,在常温下(比如10℃-35℃)、1年之内,包括所有的误差,应该仍然能保证电阻在0.1%之内。 但是,当我们要更进一步考察一个电阻的时候,尤其是对于要求较高的地方,必须对指标进行详细的分析。对于“精度”一词,可以分解成分解成三个要素: 1、温度系数:温度变化是电阻的大敌,温度系数一般用ppm/℃表示,即温度变化1度对应电阻变化百万分之几。100ppm/℃就是0.01%/℃。电阻对温度变化的反应, 一般是可重复的、可逆的,只要温度不是很极端。例如20度的时候是10.001k,那么当温度变化了再变化回20度,电阻仍然是10.001k。 2、老化:也就是长期稳定性,即不加电在正常环境下保存时电阻的变化情况,Vishay叫Shell life(货架寿命)。一般用ppm/年来表示, 也有用%/年来表示的。出厂再怎么准确的电阻,如果老化大,那么很快阻值就变了,也就失去高准确的意义了。老化是不可逆的、不重复的。电阻老化后, 一般不会回到原来的数值上了,而且是在不知不觉的过程中就变化了。有温度系数并不可怕,可以创造恒温环境,或者等温度恢复后再测量。 但老化就象青春一样,失去不再复得,我们没法让时间不改变。因此对于一般计量来讲,老化指标比温度系数指标更重要。 3、初始调整误差:就是阻值距离标称值相差多少。这 个其实不太重要,知道了偏差是多少,只要不变就没关系,测量时可以修正。因此,在本文里没做进一步讨论。 这样,电阻最重要的两个参数,就是老化和温度系数。本文就将把常见的高精度电阻器按照温度系数和老化两个指标做一分类描述。

MF金属皮膜固定电阻器

MF 金屬皮膜固定電阻器 MF 金屬皮膜電阻器 於高真空中在瓷棒上覆以特殊金屬皮膜,瓷棒兩端鍍著貴金屬以確保低雜音、低溫度係數。溫度係數分: ±25 PPM/°C, ±50 PPM/℃, ±100 PPM/℃±,150PPM/°C 等四種;電阻值有±0.1% ,±0.25%, ±0.5%, ±1%之容許誤差,廣泛應用於高級音響、電算機、電腦、測試儀器、儀表、自動控制、國防及太空設備等方向。 POWER DERATING CURVE APPEARANCE. DIMENSIONS For resistor operated in ambient temperatures above 70°C, power rating must be under in accordance with the curve follow. 其電阻在週圍操作溫度超過70°C 時,其定格電 力必須依據下列曲線下降。 Coating Color :Blue 塗裝色:藍色 DIMENSIONS 寸 法 (m/m) 型 號 STYLE MIL STYLE POWER RATING L max D max d H±3 MF-12 1/8W 4.2 2.0 0.45 28 RN50 MF-25 1/4W 6.5 2.3 0.56 28 MF25S RN55 1/4W 4.2 2.0 0.45 28 MF-50 1/2W 9.5 3.2 0.65 28 MF-50S RN60 1/2W 6.8 2.5 0.56 28 MF-100 1W 12.0 4.5 0.8 35 MF-100S RN65 1W 9.5 3.2 0.65 28 MF-100 2W 16.0 5.0 0.8 35 MF-200S RN70 2W 12.0 4.5 0.8 35 GENERAL SPECIFICATION 特殊規格Special Order 型 號 Style 定額功率 Power Rating Max Working V. ( At 70 °c ) Max Overload V. (At 70 °c ) Resistance Tolerance 溫度係數 T.C.R Resistance Range (Ω) Resistance Tolerance T.C.R Resistance Range (Ω) ±5% ±200 ppm/℃ ±0.25% 51.1Ω--200K Ω ±2% ±100 ppm/℃ ±0.5% 5.11Ω-511L Ω MF-12 0.125W 200V 400V ±1% ±50 ppm/℃ 10Ω~1M Ω 10Ω~1M Ω 10Ω~-1M Ω ±15PPM ±25 PPM ±50 PPM ±5% ±200 ppm/℃ ±0.1% 100Ω-100K Ω ±2% ±100 ppm/℃ ±0.25% 51.1Ω-330K Ω MF-25 MF-25S 0.25W 250V 500V ±1% ±50 ppm/℃ 10Ω~1M Ω 2.2Ω~1M Ω 10Ω~1M Ω ±0.5% ±15 PPM ±25 PPM ±50 PPM 10Ω-1 M Ω ±5% ±200 ppm/℃ ±0.1% 100Ω-330K Ω ±2% ±100 ppm/℃ ±0.25% 51.1Ω-511K Ω MF-50 MF-50S 0.5W 350V 700V ±1% ±50 ppm/℃ 10Ω~1M Ω 2.2Ω~1M Ω 51.1Ω~1M Ω ±0.5% ±15 PPM ±25 PPM ±50 PPM 5.11Ω-1M Ω ±5% ±200 ppm/℃ ±0.1% 100Ω-300K Ω ±2% ±100 ppm/℃ ±0.25% 51.1Ω-511Ω MF-100 MF-100S 1W 500V 1000V ±1% ±50 ppm/℃ 10Ω~1M Ω 51.1Ω~1M Ω 51.1~1M Ω ±0.5% ±15 PPM ±25 PPM ±50 PPM 10Ω-1M Ω ±5% ±200 ppm/℃ ±0.1% 100Ω-300K Ω ±2% ±100 ppm/℃ ±0.25% 51Ω-511K Ω MF-100 MF-200S 2W 500V 1000V ±1% ±50 ppm/℃ 10Ω~1M Ω 51.1Ω~1M Ω 51.1Ω~1M Ω ±0.5% ±15 PPM ±25 PPM ±50 PPM 10Ω-1M Ω REMARKS : STANDARD RESISTANCE IS 10Ω~1M Ω.OUTSIDE THIS RANGE ON SPECIAL REQUEST. 標準阻值範圍10Ω~1M Ω,其餘阻值另議。 W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W .100Y .C O M .T W W W W 100Y .C O M .T W W W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O .T W W W W .100Y .C W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M .T W W W W .100Y .C O M

常见金属电阻率

常见金属的电阻率,都来看看哦 很多人对镀金,镀银有误解,或者是不清楚镀金的作用,现在来澄清下。。。 1。镀金并不是为了减小电阻,而是因为金的化学性质非常稳定,不容易氧化,接头上镀金是为了防止接触不良(不是因为金的导电能力比铜好)。 2。众所周知,银的电阻率最小,在所有金属中,它的导电能力是最好的。 3。不要以为镀金或镀银的板子就好,良好的电路设计和PCB的设计,比镀金或镀银对电路性能的影响更大。 4。导电能力银好于铜,铜好于金! 现在贴上常见金属的电阻率及其温度系数: 物质温度t/℃电阻率电阻温度系数aR/℃-1 银20 1.586 0.0038(20℃) 铜20 1.678 0.00393(20℃) 金20 2.40 0.00324(20℃) 铝20 2.65480.00429(20℃) 钙0 3.91 0.00416(0℃) 铍20 4.00.025(20℃) 镁20 4.45 0.0165(20℃) 钼 0 5.2

铱20 5.3 0.003925(0℃~100℃) 钨27 5.65 锌20 5.196 0.00419(0℃~100℃) 钴20 6.64 0.00604(0℃~100℃) 镍20 6.84 0.0069(0℃~100℃) 镉0 6.83 0.0042(0℃~100℃) 铟208.37 铁209.71 0.00651(20℃) 铂20 10.6 0.00374(0℃~60℃) 锡0 11.0 0.0047(0℃~100℃) 铷20 12.5 铬0 12.9 0.003(0℃~100℃) 镓20 17.4 铊0 18.0 铯20 20.0 铅20 20.684 0.00376 (20℃~40℃) 锑0 39.0

金属膜电阻规格书

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1、目的 确保本公司所生产的金属膜电阻都有一个统一的标准 2、范围 本规格仅适用于本厂所生产之金属膜固定电阻器成品规格。 3、定义 3.1 型号(type):具有相似的设计和制造工艺,在鉴定批准或质量一致性检验中可以将它们组合在一起的 一组电子元件 3.2 额定温度:在该温度的耐久性试验条件下,可连续施加额定功耗的最高环境温度,本规范指70℃。 3.3 额定功耗:在70℃环境温度下进行70℃耐久试验,而且阻值变化不超过该试验的允许值时所允许的 最大功耗。 3.4 额定电压:用标称阻值和额定功耗乘积的平方根计算出的直流电压或交流电压有效值。 3.5元件极限电压:可经连续施加在电阻器两个引出端上的最大直流电压或交流电压有效值。即本规范所 指的最高使用电压。 3.6 绝缘电压:在连续工作条件下,在电阻器的各个引出端与任何导电安装面之间可以施加的最大峰值电 压。 3.7 电阻温度系数:两个规定温度之间的阻值相对变化除以产生这个变化的温度之差。 4、职责 本规格书执行标准GB/T 5729—2003/IEC 60115-1:2001 5、程序内容 5.1 类型命名:类型依种类、 功率、标称电阻值及阻值容许差等,如下列符号之排列构成 种类 功率 标称电阻值 电阻值容许差 RN 1/4W 150KΩ F 5.2符号之意义 5.2.1种类:以大写英文字母RN表示为金属膜固定电阻器(或以商用通称MF代表,或以RJ来表示)。 5.2.2功率:以W代表额定电功率,如加一英文字母“S”即表示小型化,例1/4WS,即表示额定功率为 1/4W之小型化Size。 5.2.3 标称电阻值:标称电阻值之单位为欧姆,以符号Ω表示,其电阻值以Ω、KΩ(103Ω)、MΩ(106 Ω)、mΩ(10-3Ω)表示之。 5.2.4电阻值容许差:电阻值容许差符号如F(±1%)、G(±2%)、J(±5%)、D(±0.5%)、C(±0.25%) 及B(±0.1%)等表示之 5.2.5形状:大写英文母表示“P”表示外形构造(其外形如图四),或者加工成型如PU、PUG、PF等到, (如图五) 5.3涂装要求 5.3.1电阻器1/8W为焊点不涂漆,≧1/4W均为焊点涂漆(除非客户特殊要求)。 5.3.2 正常尺寸以蓝色漆表示,小型化尺寸以淡蓝色漆表示

Resistor.Today-CSFR系列取样电阻规格书

CSFR 长边电极低阻采样电阻 独特的长边电极以及倒装结构,功率最高可达10W ,温度系数低至50ppm/℃最高工作温度+1 75°C ,优异的散热表现,良好的功率系数,极低的电感 极小的热电势(EMF ),电极使用一流焊锡,机械性能优异 散热性能很重要 低热电势对于直流的应用非常重要 为什么要选择功率系数小的电阻? *非标准尺寸及非标准阻值请与我们联系; *需要短边电极产品请参考CSER 系列,需要四脚开尔文结构产品请参考CSKR 系列。 电阻的阻值漂移以及失效主要原因是受到热应力的影响。电阻严重的发热会导致长期稳定性变差,阻值漂移增大,寿命缩短,容易产生安全隐患。发热也会影响电路中其他元器件的性能。CSFR 系列基板采用高导热氧化铝材质,配合下边电极以及倒装结构,热量可以有效地从上方的氧化铝基板散掉。下边电极与PCB 板紧密连接,热量借助PCB 板进一步扩散。 在直流下,电流从电阻的一端流入另一端流出,电极与电阻层之间会形成一个温度差,根据塞贝克效应,这个温度差将使电阻产生一个寄生的电势差。对于阻值通常低至几个毫欧的电流检测电阻来说,这个电势差将会显著影响最终的输出电压,是不可忽略的。 CSFR 系列电极与电阻层采用导热系数非常接近的材料,利用长边电极的特点增大接触面积,电极与电阻层导热良好,可以最大程度降低热电势的影响。 在直流下,电流从电阻的一端流入另一端流出,电极与电阻层之间会形成一个温度差,根据塞贝克效应,这个温度差将使电阻产生一个寄生的电势差。对于阻值通常低至几个毫欧的电流检测电阻来说,这个电势差将会显著影响最终的输出电压,是不可忽略的。 CSFR 系列电极与电阻层采用导热系数非常接近的材料,利用长边电极的特点增大接触面积,电极与电阻层导热良好,可以最大程度降低热电势的影响。

碳膜、金属膜、金属氧化膜电阻区别

碳膜、金属膜、金属氧化膜电阻 碳膜电阻 碳膜电阻(碳薄膜电阻)为最早期也最普遍使用的电阻器,利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜,再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状,依照螺旋纹的多寡来定其电阻值,螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。最后在外层涂上环氧树脂密封保护而成。其阻值误差虽然较金属皮膜电阻高,但由于价钱便宜。碳膜电阻器仍广泛应用在各类产品上,是目前电子,电器,设备,资讯产品之最基本零组件。 金属膜电阻 金属膜电阻(金属拍摄电阻)同样利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂,只是将炭膜换成金属膜(如镍铬),并在金属膜车上螺旋纹做出不同阻值,并且于瓷棒两端度上贵金属。虽然它较碳膜电阻器贵,但低杂音,稳定,受温度影响小,精确度高成了它的优势。因此被广泛应用于高级音响器材,电脑,仪表,国防及太空设备等方面。

金属氧化膜电阻 某些仪器或装置需要长期在高温的环境下操作,使用一般的电阻会未能保持其安定性。在这种情况下可使用金属氧化膜电阻(金属氧化物薄膜电阻器),它是利用高温燃烧技术于高热传导的瓷棒上面烧附一层金属氧化薄膜(如氧化锌),并在金属氧化薄膜车上螺旋纹做出不同阻值,然后于外层喷涂不燃性涂料。它能够在高温下仍保持其安定性,电阻皮膜负载之电力亦较高。它还兼备低杂音,稳定,高频特性好的优点。 方形线绕电阻 方形线绕电阻(钢丝缠绕电阻)又俗称为水泥电组,采用镍,铬,铁等电阻较大的合金电阻线绕在无碱性耐热瓷件上,外面加上耐热,耐湿,无腐蚀之材料保护而成,再把绕线电阻体放入瓷器框内,用特殊不燃性耐热水泥充填密封而成。而不燃性涂装线绕电阻的差别只是外层涂装改由矽利康树脂或不燃性涂料。它们的优点是阻值精确,低杂音,有良好散热及可以承受甚大的功率消耗,大多使用于放大器功率级部份。缺点是阻值不大,成本较高,亦因存在电感不适宜在高频的电路中使用。 碳质电阻 碳质电阻(碳电阻器)是利用石墨,碳等较大电阻系数的物质加上胶合剂加压,加热成棒状,并在制造时植入导线。电阻值的大小是根据碳粉的比例及碳棒的粗细长短而定。其制造成本最为低廉,但稳定性较差及误差大。

金属膜电阻规格

1.適用范圍 本規格僅適用於本廠所生產之P型金屬皮膜固定電阻器成品規格。 2.類型 2.1類型命名:類型依種類、功率、形狀、特性、標稱電阻值及電阻值容許差 等,如下列符號之排列構成之。 種類功率形狀特性標稱電阻值電阻值容許差 RN 1/4W P Y 20MΩ F 2.2符號之意義 2.2.1種類:以大寫英文字母RN兩個字表示為金屬皮膜固定電阻器,(或 以商用通稱MF代表或RN以表示)。 2.2.2功率:以W代表額定電功率,如加一英文字母“S”即表示小型化。 例1/4WS。即表示額定功率為1/4W之小型化Sixe。 1/4W以色藍表示,1/4S以淡藍色漆表示。 2.2.3形狀:以一個大寫英文母表示“P”表示外形構造(其外形如圖二)。 2.2.4特性:特性符號系指依電氣特性而規定之特性D(如表一之規定)。 2.2.5標稱電阻值:標稱電阻值之單位為歐姆,以符號Ω表示,其電阻值 以Ω、KΩ(103)、MΩ(106)表示之。 2.2.6電阻值容許差:電阻值容許差符號如F(±1%)、G(±2%)、J(± 5%)、D(±0.5%)、C(±0.25%)及B(±0.1%)等表示之 2.2.7 電阻器1/8W為焊點不塗漆,≧1/4W均為焊點塗漆。

表一 額 定 電 功 率 (%) 155 周 圍 溫 度 (℃)

3.額定表 3.1 額定電功率 額定電功率是在周圍溫度70℃以下連續使用所適用電功率的最大值,但 周圍溫度超過上述溫度時之額定電功率,依圖一之減輕曲線而遞減之。 3.2 額定電壓 額定電壓系指對應於額定電功率的直流或交流(商用頻率之有效值)之電 壓,由下式求得。但所求得之額定電壓超過表一所示之最高使用電壓時則 以最高使用電壓為額定電壓。 E:額定電壓(V) E=√P X R P:額定電功率(W) R:標稱電阻值(Ω) 4.構造及尺寸 4.1構造 (圖二)

精密电阻的知识word版

什么是精密电阻? 其实,对于不是搞计量的不需要分的那么清楚,可以大体上认为高精密、高准确、低误差等是一个意思。但是,对于“精度”一词,可以分解成分解成三个要素: 1、温度系数。温度变化是电阻的大敌,温度系数一般用ppm/℃表示,即温度变化1度对应电阻变化百万分之几。100ppm/℃就是0.01%/℃。 2、老化。也就是长期稳定性,一般用ppm/年来表示,也有用%/年来表示的。出厂再怎么准确的电阻,如果老化大,那么很快就变了,也就失去高准确的意义了。 3、初始调整误差,这个其实不太重要,知道偏差是多少,只要不变就没关系,测量时可以修正。因此,在本文里没做进一不讨论。 对于精度不太高的电阻,我们可以不分,笼统的说某电阻精度是多少。比如0.1%精度的电阻,就是一个综合误差,实际上是说,在常温下(比如10℃-35℃)、1年之内,包括所有的误差,应该仍然能保证电阻在0.1%之内。 但是,对于要求高的地方,电阻的具体特性将被测试,这样才好选用。本文就将把常见的高精度电阻器按照温度系数和老化两个指标做一描述。 常见的精密电阻有三类:金属膜电阻、线绕电阻和块电阻。 金属膜电阻是最常见的,但好一些的为精密金属膜电阻,特点是温度系数不大,阻值比较稳定。但由于膜比较薄因此相对脆弱一些,螺旋切割和压接部分容易出问题。 线绕电阻也是很常用的,甚至一度是高准确设备的主打电阻。采用的电阻丝材料现在有三种: --康铜,比较古老,耐热但温度系数不太好,与铜的热电动势较高。 --锰铜,有精密锰铜,尽管热但温度不太高但温度系数很小,与铜的热电动势小,是广泛采用的线绕电阻材料。 --Evanohm,被翻译成埃佛诺姆,是一种镍铬铝铜合金,也可以简称镍铬电阻合金,温度系数最小,材料比较硬,焊接性能不太好。 块电阻,又叫金属箔电阻,国外厂家以Vishay为代表,是在陶瓷基片粘上合金电阻层然后无感光刻,不仅采用了镍铬电阻合金材料,而且陶瓷衬底做进一步温度补偿,使得温度系数非常小,很多能做到<1ppm/℃。国产的型号为RJ711,性能差一些。 以下为精密电阻分类特性图,基础数据是基于自己多年的收集、积累、测试整理而成。横轴为温度系数,纵轴为老化率,因此,任何一个电阻都可以在这图有一个位置,越靠近左下角表明电阻越好。 (原文件名:1.gif) 引用图片

金属膜电阻与碳膜电阻

金属膜电阻与碳膜电阻 金属膜电阻 在电阻器的外表面涂有蓝色或红色或绿色保护漆。 特点 ①耐热性好,额定工作温度为70℃,最高工作温度可达155℃。 ②电压稳定性好,温度系数小。 ③工作频率范围宽,噪声电动势很小,可在高频电路中使用。 ④在相同的功率条件下,它比碳膜电阻器体积小很多,约为碳膜电阻器的一半。 ⑤它可以通过切割螺纹方法进行精密阻值调节,精度可达±0.5%、±0.05%。 ⑥阻值范围很宽。金属膜电阻器提供广泛的阻值范围,有着精密阻值,公差范围小的特性。可制成1Ω-10OOMΩ的电阻器。 ⑧脉冲负荷稳定性较差,不如碳膜电阻器。

碳膜电阻 碳膜电阻是目前电子、电器、资讯产品使用量最大,价格最便宜。在其表面涂上环氧树脂密封。它的电性能和稳定性较差。但由于它容易制成高阻值的膜,所以主要用作高阻高压电阻器。 二者的对比: 金属膜电阻,稳定,温度系数小,误差小,精度高,体积小。 碳膜电阻,稳定性差,误差大,相同功率体积比金属膜大。 区分: 金属膜的为四环或五个色环(1%),碳膜的为四环(5%)。 金属膜的为底漆一般蓝色或绿色,碳膜的为土黄色或是其他的颜色。(过去的国标是按颜色区别,金属膜电阻用红色,碳膜电阻用绿色。) 内部区别(破坏性检查)用刀片刮开保护漆,露出的膜的颜色为黑色为碳膜电阻;膜的颜色为亮白的则为金属膜电阻。 由于金属膜电阻的温度系数比碳膜电阻小得多,所以可以用万用表测电阻的阻值,然后用烧热的电铬铁靠近电阻,假如阻值变化很大,则为碳膜电阻,反之则为金属膜电阻。 金属膜电阻“△电阻的/△温度”系数是正值,金属膜电阻的值随电阻温度的升高而增大;碳膜电阻“△电阻的/△温度”系数是负值,碳电阻的值随电阻温度的升 高而减小。

金属电阻应变片的种类、材料及粘贴

1.金属电阻应变片的种类金属电阻应变片种类繁多,形式多样,但常见的基本结构有金属丝式应变片、金属箔式应变片和薄膜式应变片。其中金属丝式应变片使用最早、最多,因其制作简单、性能稳定、价格低廉、易于粘贴而被广泛使用。 2.电阻应变片的结构金属丝式电阻应变片由敏感栅、基底、盖层、黏合层和引线等组成。图2-2为金属丝式应变片的典型结构图。其中敏感栅是应变片内实现应变——.电阻转换的最重要的传感元件,一般采用的栅丝直径为0. 015~ mm。敏感栅的纵向轴线称为应变片轴线,L为栅长,n为基宽。根据不同用途,栅长可为~200 mm。基底用以保持敏感栅及引线的几何形状和相对位置,并将被测件上的应变迅速、准确地传递到敏感栅上,因此基底做得很薄,一般为0. 02~ mm。盖层起防潮、防腐、防损的作用,用以保护敏感栅。用专门的薄纸制成的基底和盖层称为纸基,用各种黏合剂和有机树脂薄膜制成的称为胶基,现多采月后者。黏合剂将敏感栅、基底及盖层黏合在一起。在使用应变片时也采用黏合剂将应变片与被测件黏牢。引线常用直径为~ mm的镀锡铜线,并与敏感栅两输出端焊接。 金属箔式应变片的基本结构如图2-3所示,其敏感栅是由很薄的金属箔片制成的,厚度只有0. 01~ mm,用光刻、腐蚀等技术制作。箔式应变片的横向部分特别粗,可大大减少横向效应,且敏感栅的粘贴面积大,能更好地随同试件变形。此外与金属丝式应变片相比,金属箔式应变片还具有散热性能好、允许电流大、灵敏度高、寿命长、可制成任意形状、易加工、生产效率高等优点,所以其使用范围日益扩大,已逐渐取代丝式应变片而占主要的地位。 但需要注意,制造箔式应变片的电阻值的分散性要比丝式的大,有的能相差几十欧姆,故需要作阻值的调整。对金属电阻应变片敏感栅材料的基本要求如下。 ①灵敏系数K。值大,并且在较大应变范围内保持常数。 ②电阻温度系数小。 ③电阻率大。 ④机械强度高,且易于拉丝或辗薄。 ⑤与铜丝的焊接性好,与其他金属的接触热电势小。

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