由于热损耗引起的温升增高，发光二极管亮度将不再继续随着电流成比例提高，即显示出热饱和现象。另外，随着结温的上升，发光的峰值波长也将向长波方向漂移，约0.2-0.3nm/℃，这对于通过由蓝光芯片涂覆YAG 荧光粉混合得到的白色LED来说，蓝光波长的漂移，会引起与荧光粉激发波长的失配，从而降低白光LED的整体发光效率，并导致白光色温的改变。
对于封装和应用来说，如何降低产品的热阻，使PN结产生的热量能尽快的散发出去，不仅可提高产品的饱和电流，提高产品的发光效率，同时也提高了产品的可靠性和寿命。为了降低产品的热阻，首先封装材料的选择显得尤为重要，包括热沉、粘结胶等，各材料的热阻要低，即要求导热性能良好。其次结构设计要合理，各材料间的导热性能连续匹配，材料之间的导热连接良好，避免在导热通道中产生散热瓶颈，确保热量从内到外层层散发。同时，要从工艺上确保，热量按照预先设计的散热通道及时的散发出去。
LED封装胶水特性介绍和反应机理 圭寸装胶种类： 1、环氧树脂EPOXy ReSin 2、硅胶Silico ne 3、胶饼Moldi ng Compou nd 4、硅树脂Hybrid 根据分子结构，环氧树脂大体上可分为五大类： 1、缩水甘油醚类环氧树脂 2、缩水甘油酯类环氧树脂 3、缩水甘油胺类环氧树脂 4、线型脂肪族类环氧树脂 5、脂环族类环氧树脂 环氧树脂特性介绍： A胶： 环氧树脂是泛指分子中含有两个或两个以上环氧基团的有机高分子化合物, 一般为bisphenol A type 环氧树脂（DGEB）A B胶: 常见的为酸酐类有机化合物，如：MHHPA
E?ιet Bond Srteiigih 90KCiil ∏ιαl Ether Bond 为EPOXy 封装树脂中较弱之键，易导致黄变光衰， A 剂比例偏 高导致Ether Bond 偏多，易黄化。SiliCOn 树脂则以Si-O 键取代之。 LED 对环氧树脂之要求： 1、 高信赖性（LIFE ） 2、 高透光性。 3、 低粘度，易脱泡。 4、 硬化反应热小。 5、 低热膨胀系数、低应力。 6对热的安定性高。 7、 低吸湿性。 8、 对金属、玻璃、陶瓷、塑胶等材质接着性优良。 9、 耐机械之冲击性。 10、 低弹性率（一般） R l 0
一、因硬化不良而引起胶裂 现象：胶体中有裂化发生。 原因：硬化速度过快，或者烘烤度温度不均，导致胶体本身或其与金属材料间蓄积过大之内应力。 处理方法： 1、测定Tg 是否有硬化不良之现象。 2、确认烤箱内部之实际温度。 3、确认烤箱内部之温度是否均匀。 4、降低初烤温度，延长初烤时间。 二、因搅拌不良而引起异常发生 现象：同一支架上之胶体有部分着色现象或所测得之Tg, 胶化时间有差异。 原因：搅拌时，未将搅拌容器之壁面及底部死角部分均匀搅拌。 处理方法： 1、再次搅拌。 2、升高A 胶预热温度，藉以降低混合粘度。 三、真空脱泡气泡残留 现象：真空脱泡时，气泡持续产生。 原因： 1、树脂及硬化剂预热过高，导致抽泡过程中硬化剂持续挥发。 2、增粘后进入注型物中之气泡难以脱泡。 处理方法： 1、降低树脂预热温度至50~80C ,抽泡维持50 C . 2、硬化剂不预热。
LED 封装材料基础知识 LED 封装材料主要有环氧树脂，聚碳酸脂，聚甲基丙烯酸甲脂，玻璃，有机硅材料等高透明材料。其中聚碳酸脂，聚甲基丙烯酸甲脂，玻璃等用作外层透镜材料；环氧树脂，改性环氧树脂，有机硅材料等，主要作为封装材料，亦可作为透镜材料。而高性能有机硅材料将成为高端LED 封装材料的封装方向之一。下面将主要介绍有机硅封装材料。 提高LED 封装材料折射率可有效减少折射率物理屏障带来的光子损失，提高光量子效率，封装材料的折射率是一个重要指标，越高越好。提高折射率可采用向封装材料中引入硫元素，引入形式多为硫醚键、硫脂键等，以环硫形式将硫元素引入聚合物单体，并以环硫基团为反应基团进行聚合则是一种较新的方法。最新的研发动态，也有将纳米无机材料与聚合物体系复合制备封装材料，还有将金属络合物引入到封装材料，折射率可以达到1.6-1.8，甚至2.0，这样不仅可以提高折射率和耐紫外辐射性，还可提高封装材料的综合性能。 一、胶水基础特性 1.1有机硅化合物--聚硅氧烷简介 有机硅封装材料主要成分是有机硅化合物。有机硅化合物是指含有Si-O 键、且至少有一个有机基是直接与硅原子相连的化合物，习惯上也常把那些通过氧、硫、氮等使有机基与硅原子相连接的化合物也当作有机硅化合物。其中，以硅氧键（-Si-0-Si-）为骨架组成的聚硅氧烷，是有机硅化合物中为数最多，研究最深、应用最广的一类，约占总用量的90%以上。 1.1.1结构 其结构是一类以重复的Si-O 键为主链，硅原子上直接连接有机基团的聚合物，其通式为R ’---（Si R R ’ ---O）n --- R ”，其中，R 、R ’、R ”代表基团，如甲基，苯基，羟基，H ，乙烯基等；n
HIGH POWER LED 封装工艺 一.封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。 二.封装形式 LED封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策和出光效果。LED按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。 三．封装工艺说明 1.芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill）,芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求,电极图案是否完等。 2.扩晶 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点底胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 4.固晶 固晶分为自动固晶和手工固晶两种模式。 自动固晶其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先在LED支架上点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。 自动固晶在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤，特别是兰、绿色芯片必须用电木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。
LED封装环氧胶水使用常见不良及解决方法以下是在LED封装过程中经常出现的一些胶体不良现象，现对这些现象进行汇总并做相应的解决方案。 一、LED气泡问题。 原因：1.碗内气泡：支架蘸胶不良。 2.支架气泡：固化温度太高，环氧固化过于激烈。 3.裂胶、爆顶：固化时间短，环氧树脂固化不完全或不均匀。AB胶超出可使用时间。 4.灯头表面气泡:环氧胶存在脱泡困难或用户使用真空度不够，配胶时间过长。 解决：根据使用情况，改善工艺或与环氧供应商联系。 二、LED黄变。 原因：1、烘烤温度太高或时间过长; 2、配胶比例不对，A胶多容易黄。 解决：1、HY-7001A/B在120-140度/30分钟内固化脱模，150度以上长时间烘烤易黄变。 2、HY-7001-1A/B在120-130度/30-40分钟固化脱模，超过150度或长时间烘烤会黄变。 3、做大型灯头?8、?10时，要降低固化温度。 三、LED支架爬胶。 原因：1、支架表面凹凸不平產生毛細現象。2、AB胶中含有易挥发材料。 解决：请与供应商联系。 四、LED封装短烤离模后长烤变色。 原因：1、烘箱内堆放太密集，通风不良。 2、烘箱局部温度过高。 3、烘箱中存在其他色污染物质。 解决：改善通风。去除色污，确认烘箱内实际温度。
五、不易脱模。 原因：AB胶问题或胶未达固化硬度。 解决：与供应商联系，确认固化温度和时间。 六、同一排支架上的灯，部分有着色现象或胶化时间不一，品质不均。 原因：搅拌不充分。 解决：充分搅拌均匀，尤其是容器的边角处要注意。 七、加同一批次同一剂量的色剂，但做出的产品颜色不一样。 原因：色剂浓度不均；或色剂沉淀。 解决：色剂加温，搅拌均匀后再使用。 八、红墨水失效 原因：AB胶固化不完全，密封性不良。 解决：1、加强AB胶混合搅拌，并正确控制固化及老化温度，使AB胶固化完全。 2、与供应商联系，探讨对策。
L E D封装所使用环氧树脂胶的组成材料
LED封装所使用环氧树脂胶的组成材料一般使用的封装胶粉中除了环氧树脂之外，还含有硬化剂、促进剂、抗燃剂、偶合剂、脱模剂、填充料、颜料、润滑剂等成分，现分别介绍如下： 1 环氧树脂(EPOXY RESIN) 使用在封装塑粉中的环氧树脂种类有双酚A系(BISPHENOL-A)、NOVOLAC EPOXY、环状脂肪族环氧树脂(CYCLICALIPHATIC EPOXY)、环氧化的丁二烯等。封装塑粉所选用的环氧树脂必须含有较低的离子含量，以降低对半导体芯片表面铝条的腐蚀，同时要具有高的热变形温度，良好的耐热及耐化学性，以及对硬化剂具有良好的反应性。可选用单一树脂，也可以二种以上的树脂混合使用。 2 硬化剂(HARDENER) 在封装塑粉中用来与环氧树脂起交联(CROSSLINKING)作用的硬化剂可大致分成两类: (1)酸酐类(ANHYDRIDES); (2)酚树脂(PHENOLICNOVOLAC)。 以酚树脂硬化和酸酐硬化的环氧树脂系统有如下的特性比较：●弗以酚树脂硬化的系统的溢胶量少，脱模较易，抗湿性及稳定性均较酸酐硬化者为佳；●以酸酐硬化者需要较长的硬化时间及较高温度的后硬化(POSTCURE)；●弗以酸酐硬化者对表面漏电流敏感的元件具有较佳的相容性；●费以酚树脂硬化者在150-175~C之间有较佳的热稳定性，但温度高于175~(2则以酸酐硬化者为佳。
硬化剂的选择除了电气性质之外，尚要考虑作业性、耐湿性、保存性、价格、对人体安全性等因素。 3 促进剂(ACCELERATO OR CATALYST) 环氧树脂封装塑粉的硬化周期(CURING CYCLE)约在90-180秒之间，必须能够在短时间内硬化，因此在塑粉中添加促进剂以缩短硬化时间是必要的。 现在大量使用的环氧树脂塑粉，由于内含硬化剂、促进剂，在混合加工(COMPOUNDING)后已成为部分交联的B-STAGE树脂。在封装使用完毕之前塑粉本身会不断的进行交联硬化反应，因此必须将塑粉贮存于5℃以下的冰柜中，以抑制塑粉的硬化速率，并且塑粉也有保存的期限。如果想制得不用低温保存，且具有长的保存期限(LNOG SHELFLIFE)的塑粉，则一定要选用潜在性促进剂(LATENT CATALYST)，这种促进剂在室温中不会加速硬化反应，只有在高温时才会产牛促进硬化反应的效果。目前日本已有生产不必低温贮存的环氧树脂胶粉，其关键乃在潜在性促进剂的选用。 4 抗燃剂(FLAME RETARDANT) 环氧树脂胶粉中的抗燃剂可分成有机与无机两种。有机系为溴化的环氧树脂或四溴化双酚A(TETRABROMOBISPHENOL A)。无机系则为三氧化二锑(Sb203)的粉末。二者可分开单独使用，也可合并使用，而以合并使用的抗燃剂效果为佳。 5 填充料(LILLER) 在封装塑粉中，填充料所占的比例最多，约在70％左右，因此填充料在封装朔粉中扮演着十分重要的角色。
研究生课程小论文 课程名称:新型电子器件封装 论文题目 : 功率型 LED 封装技术论文评语 : 成绩 : 任课教师 : 评阅日期 : 目录 摘要 (1) Abstract . ................................................................................................................ 1 1 绪论 ................................................................................................................... 2 1.1 LED 芯片结构 . ....................................................................................... 2 1.1.1 水平结 构 ....................................................................................... 2 1.1.2 垂直结 构 ....................................................................................... 3 1.1.3 倒装结 构 ....................................................................................... 3 1.2 LED 的封装材 料 . ................................................................................... 3 1.2.1 基板材 料 ....................................................................................... 3 1.2.2 粘接材 料 (4) 1.2.3 封装胶 (4) 2 LED封装方式和工艺 (5) 2.1 LED 封装方式 . ....................................................................................... 5 2.1.1 引脚式封装 ................................................................................... 5 2.1.2 表面贴装式 ( SMT . ...................................................................... 5 2.1.3 板上芯片直装式 ( COB . .............................................................. 5 2.1.4 系统封装式 ( SiP (6) 2.2 LED 封装工艺 . (6)
LED封装胶水特性介绍和反应机理 封装胶种类： 1、环氧树脂 Epoxy Resin 2、硅胶 Silicone 3、胶饼 Molding Compound 4、硅树脂 Hybrid 根据分子结构，环氧树脂大体上可分为五大类： 1、缩水甘油醚类环氧树脂 2、缩水甘油酯类环氧树脂 3、缩水甘油胺类环氧树脂 4、线型脂肪族类环氧树脂 5、脂环族类环氧树脂 环氧树脂特性介绍： A 胶： 环氧树脂是泛指分子中含有两个或两个以上环氧基团的有机高分子化合物，一般为bisphenol A type环氧树脂（DGEBA） B 胶： 常见的为酸酐类有机化合物，如：MHHPA
EPOXY: Ether Bond 为Epoxy 封装树脂中较弱之键，易导致黄变光衰，A 剂比例偏高导致Ether Bond 偏多，易黄化。Silicon 树脂则以Si-O 键取代之。 LED对环氧树脂之要求： 1、高信赖性（LIFE） 2、高透光性。 3、低粘度，易脱泡。 4、硬化反应热小。 5、低热膨胀系数、低应力。 6、对热的安定性高。 7、低吸湿性。 8、对金属、玻璃、陶瓷、塑胶等材质接着性优良。 9、耐机械之冲击性。 10、低弹性率（一般）。
一、因硬化不良而引起胶裂 现象：胶体中有裂化发生。 原因：硬化速度过快，或者烘烤度温度不均，导致胶体本身或其与金属材料间蓄积过大之内应力。 处理方法： 1、测定Tg 是否有硬化不良之现象。 2、确认烤箱内部之实际温度。 3、确认烤箱内部之温度是否均匀。 4、降低初烤温度，延长初烤时间。 二、因搅拌不良而引起异常发生 现象：同一支架上之胶体有部分着色现象或所测得之Tg,胶化时间有差异。 原因：搅拌时，未将搅拌容器之壁面及底部死角部分均匀搅拌。 处理方法： 1、再次搅拌。 2、升高A胶预热温度，藉以降低混合粘度。 三、真空脱泡气泡残留 现象：真空脱泡时，气泡持续产生。 原因： 1、树脂及硬化剂预热过高，导致抽泡过程中硬化剂持续挥发。 2、增粘后进入注型物中之气泡难以脱泡。 处理方法： 1、降低树脂预热温度至50~80℃，抽泡维持50 ℃ . 2、硬化剂不预热。
大功率LED封装技术 关键词： 从实际应用的角度来看,安装使用简单、体积相对较小的大功率LED器件在大部分的照明应用中必将取代传统的小功率LED器件。由小功率LED组成的照明灯具为了满足照明的需要,必须集中许多个LED的光能才能达到设计要求,但带来的缺点是线路异常复杂、散热不畅,为了平衡各个LED之间的电流、电压关系,必须设计复杂的供电电路。相比之下,大功率单体LED的功率远大于若干个小功率LED的功率总和,供电线路相对简单,散热结构完善,物理特性稳定。所以说,大功率LED器件的封装方法和封装材料并不能简单地套用传统的小功率LED器件的封装方法与封装材料。大的耗散功率、大的发热量以及高的出光效率,给LED封装工艺、封装设备和封装材料提出了新的更高的要求。 1、大功率LED芯片 要想得到大功率LED器件,就必须制备合适的大功率LED芯片。国际上通常的制造大功率LED芯片的方法有如下几种： ①加大尺寸法。通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸,促使流经TCL层的电流均匀分布,以达到预期的光通量。但是,简单地增大发光面积无法解决散热问题和出光问题,并不能达到预期的光通量和实际应用效果。 ②硅底板倒装法。首先制备出适合共晶焊接的大尺寸LED芯片,同时制备出相应尺寸的硅底板,并在硅底板上制作出供共晶焊接用的金导电层及引出导电层(超声金丝球焊点),再利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理,既考虑了出光问题又考虑到了散热问题,这是目前主流的大功率LED的生产方式。 美国Lumileds公司于2001年研制出了AlGaInN功率型倒装芯片(FCLED)结构,其制造流程是：首先在外延片顶部的P型GaN上淀积厚度大于500A的NiAu层,用于欧姆接触和背反射;再采用掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层,露出N型层;经淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层,芯片尺寸为1mm1mm,P型欧姆接触为正方形,N型欧姆接触以梳状插入其中,这样可缩短电流扩展距离,把扩展电阻降至最小;然后将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(ESD)的硅载体上。 ③陶瓷底板倒装法。先利用LED晶片通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板,并在陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层,然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的结构既考虑了出光问题也考虑到了散热问题,并且采用的陶瓷底板为高导热陶瓷板,散热效果非常理想,价格又相对较低,所以为目前较为适宜的底板材料,并可为将来的集成电路一体化封装预留空间。 ④蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN结后,将蓝宝石衬底切除,再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。
大功率 LED 封装技术 关键词: 从实际应用的角度来看 , 安装使用简单、体积相对较小的大功率 LED 器件在大部分的照明应用中必将取代传统的小功率 LED 器件。由小功率 LED 组成的照明灯具为了满足照明的需要 , 必须集中许多个 LED 的光能才能达到设计要求 , 但带来的缺点是线路异常复杂、散热不畅 , 为了平衡各个 LED 之间的电流、电压关系 , 必须设计复杂的供电电路。相比之下 , 大功率单体 LED 的功率远大于若干个小功率 LED 的功率总和 , 供电线路相对简单 , 散热结构完善 , 物理特性稳定。所以说 , 大功率 LED 器件的封装方法和封装材料并不能简单地套用传统的小功率 LED 器件的封装方法与封装材料。大的耗散功率、大的发热量以及高的出光效率 , 给 LED 封装工艺、封装设备和封装材料提出了新的更高的要求。 1、大功率 LED 芯片 要想得到大功率 LED 器件 , 就必须制备合适的大功率 LED 芯片。国际上通常的制造大功率 LED 芯片的方法有如下几种: ①加大尺寸法。通过增大单体 LED 的有效发光面积和尺寸 , 促使流经 TCL 层的电流均匀分布 , 以达到预期的光通量。但是 , 简单地增大发光面积无法解决散热问题和出光问题 , 并不能达到预期的光通量和实际应用效果。 ②硅底板倒装法。首先制备出适合共晶焊接的大尺寸 LED 芯片 , 同时制备出相应尺寸的硅底板 , 并在硅底板上制作出供共晶焊接用的金导电层及引出导电层(超声金丝球焊点 , 再利用共晶焊接设备将大尺寸 LED 芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理 , 既考虑了出光问题又考虑到了散热问题 , 这是目前主流的大功率 LED 的生产方式。 美国 Lumileds 公司于 2001年研制出了 AlGaInN 功率型倒装芯片 (FCLED结 构 , 其制造流程是:首先在外延片顶部的 P 型 GaN 上淀积厚度大于 500A 的 NiAu 层 , 用于欧姆接触和背反射 ; 再采用掩模选择刻蚀掉 P 型层和多量子阱有源层 , 露
大功率照明级LED封装技术 大功率LED器件的封装方法和封装材料并不能简单地套用传统的小功率LED器件的封装方法与封装材料。大的耗散功率、大的发热量以及高的出光效率，给LED封装工艺、封装设备和封装材料提出了新的更高的要求。 从实际应用的角度来看，安装使用简单、体积相对较小的大功率LED器件在大部分的照明应用中必将取代传统的小功率LED器件。由小功率LED组成的照明灯具为了满足照明的需要，必须集中许多个LED的光能才能达到设计要求，但带来的缺点是线路异常复杂、散热不畅，为了平衡各个LED之间的电流、电压关系，必须设计复杂的供电电路。相比之下，大功率单体LED的功率远大于若干个小功率LED的功率总和，供电线路相对简单，散热结构完善，物理特性稳定。所以说，大功率LED器件的封装方法和封装材料并不能简单地套用传统的小功率LED器件的封装方法与封装材料。大的耗散功率、大的发热量以及高的出光效率，给LED封装工艺、封装设备和封装材料提出了新的更高的要求。 1、大功率LED芯片 要想得到大功率LED器件，就必须制备合适的大功率LED芯片。国际上通常的制造大功率LED芯片的方法有如下几种：
①加大尺寸法。通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸，促使流经TCL 层的电流均匀分布，以达到预期的光通量。但是，简单地增大发光面积无法解决散热问题和出光问题，并不能达到预期的光通量和实际应用效果。 ②硅底板倒装法。首先制备出适合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同时制备出相应尺寸的硅底板，并在硅底板上制作出供共晶焊接用的金导电层及引出导电层（超声金丝球焊点），再利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理，既考虑了出光问题又考虑到了散热问题，这是目前主流的大功率LED的生产方式。 美国Lumileds公司于2001年研制出了AlGaInN功率型倒装芯片（FCLED）结构，其制造流程是：首先在外延片顶部的P型GaN上淀积厚度大于500A的NiAu层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，露出N型层；经淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1mm×1mm，P型欧姆接触为正方形，N型欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；然后将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管（ESD）的硅载体上。 ③陶瓷底板倒装法。先利用LED晶片通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层，然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的结构既考虑了出光问题也考虑到了散热问题，并且采用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热效果非常理想，价格又相对较低，所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路一体化封装预留空间。
Led封装专用胶水大PK 产品名：ABLEBOND 826-1DS（导电性银胶） 功能：主要用于(Led发光二极管点胶和背胶),芯片可小至或 8x8 mils；也适用于半导体的贴片工艺等 填充剂：银粉 粘度 19,000cps 5 rpm 工作寿命: 24小时 建议固化方式： 30分钟*150℃ (可密封的高温烤箱) 氯离子: 175ppm 钠离子: 200ppm 钾离子: 2ppm 固化重量损失: % * 300°C 热膨胀系数: Below Tg: 50ppm℃ ; Above Tg: 170ppm℃ 体积电阻率: ohm-cm 热传导性: W/m°K 121°C 剪切力：25°C: 17 kgf/die (2x2mm Si-die on Ag/Cu LF) 储存期限: 1年 -40℃ 产品名：ABLEBOND 826-2（导电性银胶） 功能：主要用于(LED)发光二极管点胶和背胶,芯片可小至或 8x8 mils 填充剂：银粉 粘度：@25°C: 12,000cps @ 5 rpm 工作寿命: 72小时 *25℃ 建议固化方式： 30分钟*175℃ (可密封的高温烤箱) 氯离子: <30ppm 钠离子: <30ppm 钾离子: <30ppm 固化重量损失: % * 250°C 热膨胀系数: Below Tg: 60ppm℃ ; Above Tg 160ppm℃ 体积电阻率: ohm-cm 传导性: W/m°K *121°C
切力@25°C: kgf/die Si-die on Ag/Cu LF) 储存期限: 1年 * -40℃ 产品名称：Eccobond DX-10C （LED用绝缘胶） 黏度： 3 PaS 亮度：亮度高，Iv可提升5~15%；亮度衰减小；.减少色差（中间不会太蓝） 剪切强度： - Mpa 工作时间： 4 min 保质期： 6 个月 固化条件： 140℃*60min 主要应用：蓝/白光LED ，双电极红光 产品名称：emerson&cuming eccobond DX-20C 黏度pas：12 pas 亮度：亮度高，不需加荧粉，iv可提升5～15％；亮度衰减小；减少色差（中间不会太蓝）工作时间:7200 min 化学成份 epoxy 外观透明浅蓝 比重 25oc 玻璃化温度tg 108c 保质期:6 month(-20℃) 固化条件: 170℃*60min 应用: 适用于白光和蓝光led芯片的绝缘粘接。 产品名称：Ablebond 84-1LMISR4 导电银胶 成份：含银环氧树脂 外观-银浆
LED荧光粉配胶的过程 准备工作： 1、开启并检查所有的LED生产使用设备（烤箱、精密电子称、真空箱） 2、用丙酮清洗配胶所用的小烧杯。 3、准备所需的量产规格书或相应的联络单，及相应型号胶水等并确认其都在有效的使用期内。 开始配胶： 1、配胶顺序说明：增亮剂+A胶按比例混合（可以按订单一次性配好），最后再加入荧光粉+ B胶按比例混合物体（须搅拌均匀）。在后再抽真空。 2、根据《量产规格书》或工程通知单中荧光粉配比和生产数量，计算出各种物料所需的重量。 3、调整精密电子称四个底座使电子称呈水平状态。 4、将干净的小烧杯放置于精密的电子磅秤上，归零后，根据量产规格书中荧光粉的配比，分别称取所需重量的荧光粉和A、B胶。 5、将配好的荧光粉手动搅拌20分钟至30分钟不等，直到荧光粉分布均匀为止。 6、把配好的荧光胶抽真空至看不见气泡的状态，取出后，放在室温下用干净的玻璃盖上使用，使用前需按同一方向缓慢搅拌2分钟到3分钟，搅拌速度每转2秒至3秒。 LED喷射式点胶製程的优点 [来源：LED显示屏专家][作者：LED显示屏][日期：10-01-18][热度：71] 目前，针筒式点胶正被喷射式点胶所替代。所谓的喷射(jetting)，属於新技术，它採用喷嘴式替代针筒，解决了许多难题。Jetting喷嘴可在需要进行底部填充的器件上方进行点胶，无需到达其顶面以下的位置。Jetting 喷嘴在整个电路板上方沿x、y方向运动，而无需垂直运动。
与点胶针筒不同，喷嘴并不是形成连续的底充胶液流，而代之以每秒鐘喷射200点以上经过精确测量的胶点。随著喷嘴的水準移动，胶点可形成各种需要的线型与图案，如实线、虚线等以及其他各种不同图形。每次喷射都经精确控制，一次喷射所形成的胶点直径最小可达0.33mm，这对於涂敷贴片胶等需要对面积进地精确控制的场合非常重要。 喷射技术是把胶水以很快的速度从喷嘴喷出，依靠胶水的动量使胶水脱离喷嘴。每次喷射都会喷射出一定数量的胶水。目前普遍的喷射频率是100赫兹到200赫兹，但是很快就会达到1000hz。喷射点胶与针头点胶有几处区别。当胶水从喷嘴喷出时，接触基板之前胶水已和喷嘴分离。每一个胶点喷射到基板可以形成点、线和图形。在点胶位置的移动过程中，点胶头没有Z轴方向的运动，这样节约了相当多的时间。针头在点胶时，机械手在X、Y、Z轴运动，胶水从针头流出来接触基板，靠重力及基板表面张力把胶水从针头分离。在每个点胶完成之后，沿Z轴有一个明显的运动，然后移动到下个点胶位置。 LED 市场同样从喷胶技术中受益。喷胶工艺可以喷涂包括硅胶、UV 固化的掺磷导电胶等范围宽广的光学材料，能够在高速点胶中进行位置精确的点胶和胶量控制。喷胶的精确度可以改善价值很高的大功率LED 器件的成品率。应用于白光的製作，萤光粉及混合胶水的点胶，使其一致性得到良好的改善。 中国LED封装技术与国外的差异 [来源：LED显示屏专家][作者：LED显示屏][日期：10-03-12][热度：31] LED产业链总体分为上、中、下游，分别是LED外延芯片、LED封装及LED应用。作为LED产业链中承上启下的LED封装，在整个产业链中起着无可比拟的重要作用。基于LED器件的各类应用产品大量使用LED器件，如大型LED显示屏、液晶显示器的LED背光源、LED照明灯具、LED交通灯和汽车灯等，LED器件在应用产品总成本上占了40%至70%，且LED应用产品的各项性能往往70%以上由LED器件的性能决定。
1.厦门三安光电 (主流全色系超高亮度LED 芯片,各项性能指标领先,蓝、绿光ITO(氧化铟锡)芯片的性能指标已接近国际最高指标,在同行内具有较强竞争力)厦门三安电子有限公司是目前国内最大、国际一流的超高亮度发光二极管外延及芯片产业化基地，占地5万多平方米。公司目前的产品主要有全色系LED外延片、芯片、光通讯核心元件等，产品技术指标属世界先进水平。公司被国家科技部列入国家半导体照明工程龙头企业。 2.大连路美(路美拥有上百个早期国际国内核心专利,,范围横跨外延、芯片、封装、灯具、发光粉等。)连路美芯片科技有限公司是由美国路美光电公司与大连路明科技集团公司共同投资设立的中外合资企业，公司总投资1.5亿美元，占地面积10.8万平米，总建筑面积63515平米，专业从事高品质LED半导体发光芯片和LD激光芯片的研发、生产与制造。美国路美光电公司的前身为美国纳斯达克上市公司AXT的光电公司，技术水平处于世界前四名。 3.杭州士兰明芯(其技术优势在于芯片制造工艺,同时受益母公司强大的集成电路和分立器件生产线经验。公司LED显示屏芯片的市场占有率超过50%,09年作为唯一的国产芯片厂商中标广场LED显示屏。)杭州士兰明芯科技有限公司是一家设计、制造高亮度全彩LED芯片的光电半导体器件公司。公司位于杭州经济技术开发区，为杭州士兰微电子股份有限公司与杭州士兰集成电路有限公司合资创办。公司注册资本金为1.5亿元人民币，占地75亩，拥有进口生产设备一百二十多台套。公司产品包括蓝、绿光氮化物半导体材料外延片和芯片两大部分，生产工艺技术已经达到国际水平。 4.武汉迪源光电(武汉迪源目前的产品主要以0.5W和1W LED芯片为主,月产能为10-15KK,主要生产45、50和60mil的大功率LED芯片,同时迪源已拥有1项美国专利和4项中国专利。) 5.广州晶科电子(是珠三角唯一一家大功率、高亮度、高稳定性蓝光LED芯片制造企业。晶科核心产品优势是功率型氮化镓蓝LED芯片和超大功率模组芯片(5W、10W、15W、30W等)。同时在美国和中国拥8项发明专利,并以每年申请2项发明专利的速度进行持续的技术创新,拥有晶片级倒装焊技术倒装大功率芯片制造技术及多芯片集成技术。) 6.上海蓝宝光电(以中科院物理所为技术支撑,拥有成熟的大功率倒装焊、RGB三基色集成、ITO镀膜、抗静电保护等核心技术。) 7.方大国科光电(母公司方大集团是国内第一家批量生产半导体照明用外延片和芯片企业。) 8.厦门晶宇光电(为全世界产量最大、产品最完善的LED外延片及芯片专业公司。) 晶宇光电成立于1996年，专业从事研发、生产超高亮度发光二极管（LED），为全世界产量最大、产品最完善的LED外延片及芯片专业公司。本公司重视自身技术的创新与发展，已获得的超过1,000件的国内外专利数量，关注产品及服务品质的提升，全力配合客户的发展需求。晶元光电将携手晶宇光电创造中国LED 产业在全世界发光发亮的愿景！
文章由LED灯管https://www.doczj.com/doc/325335368.html,整理。 封装胶种类： 1.环氧树脂Epoxy Resin 2.硅胶Silicone 3.胶饼Molding Compound 4.硅树脂Hybrid 根据分子结构，环氧树脂大体上可分为五大类： 1、缩水甘油醚类环氧树脂 2、缩水甘油酯类环氧树脂 3、缩水甘油胺类环氧树脂 4、线型脂肪族类环氧树脂 5、脂环族类环氧树脂 环氧树脂特性介紹： A 胶： 环氧树脂是泛指分子中含有兩个或兩个以上环氧基团的有机高分子化合物，一般为bisphenol A type环氧树脂(DGEBA) B 胶： 常见的为酸酐类有机化合物，如：MHHPA EPOXY： Ether Bond 为Epoxy 封裝树脂中较弱之键，易导致黄变光衰，A 剂比例偏高导致Ether Bond 偏多，易黄化。Silicon 树脂則以Si-O 键取代之。 led 对环氧树脂之要求： 1.高信赖性(LIFE) 2.高透光性。 3. 低粘度，易脱泡。 4.硬化反应热小。 5.低热膨胀系数、低应力。 6. 对热的安定性高。 7.低吸湿性。 8.对金属、玻璃、陶瓷、塑胶等材质接着性优良。 9.耐机械之冲击性。 10. 低弹性率(一般)。 一、因硬化不良而引起胶裂 现象：胶体中有裂化发生。 原因：硬化速度过快，或者烘烤度溫度不均，导致胶体本身或其与金属材料间蓄积过大之內应力。 处理方法： 1.测定Tg 是否有硬化不良之现象。 2.确认烤箱內部之实际温度。 3.确认烤箱內部之温度是否均匀。 4.降低初烤温度，延长初烤时间。 二、因搅拌不良而引起异常发生 现象：同一支架上之胶体有部分着色现象或所测得之Tg，胶化时间有差异。 原因：搅拌时，未将搅拌容器之壁面及底部死角部分均匀搅拌。
LED封装基本知识 LED（发光二极管）封装是指发光芯片的封装，相比集成电路封装有较大不同。LED的封装不仅要求能够保护灯芯，而且还要能够透光，所以LED的封装对封装材料有特殊的要求。 封装简介 LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于LED。 自上世纪九十年代以来，LED芯片及材料制作技术的研发取得多项突破，透明衬底梯形结构、纹理表面结构、芯片倒装结构，商品化的超高亮度（1cd以上）红、橙、黄、绿、蓝的LED产品相继问市，2000年开始在低、中光通量的特殊照明中获得应用。LED的上、中游产业受到前所未有的重视，进一步推动下游的封装技术及产业发展，采用不同封装结构形式与尺寸，不同发光颜色的管芯及其双色、或三色组合方式，可生产出多种系列，品种、规格的产品。 技术原理 大功率LED封装由于结构和工艺复杂，并直接影响到LED的使用性能和寿命，特别是大功率白光LED封装更是研究热点中的热点。
LED封装的功能主要包括：1.机械保护，以提高可靠性；2.加强散热，以降低芯片结温，提高LED性能；3.光学控制，提高出光效率，优化光束分布；4.供电管理，包括交流/直流转变，以及电源控制等。 LED封装方法、材料、结构和工艺的选择主要由芯片结构、光电/机械特性、具体应用和成本等因素决定。经过40多年的发展，LED 封装先后经历了支架式（Lamp LED）、贴片式（SMD LED）、功率型LED（Power LED）等发展阶段。随着芯片功率的增大，特别是固态照明技术发展的需求，对LED封装的光学、热学、电学和机械结构等提出了新的、更高的要求。为了有效地降低封装热阻，提高出光效率，必须采用全新的技术思路来进行封装设计。 关于LED封装结构说明 LED的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高LED的内、外部量子效率。常规Φ5mm型LED封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。反射杯的作用是收集管芯侧面、界面发出的光，向期望的方向角内发射。顶部包封的环氧树脂做成一定形状，有这样几种作
阐述LED 产品封装工艺流程 03、点胶 在LED 支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs 、SiC 导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED 芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 06、自动装架 自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先在LED 支架上点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED 芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。 自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED 芯片表面的损伤，特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。 07、烧结 烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小时。根据实际情况可以调整到170℃，1小时。 绝缘胶一般150℃，1小时。 银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时（或1小时）打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其它用途，防止污染。 08、压焊 压焊的目的将电极引到LED 芯片上，完成产品内外引线的连接工作。 LED 的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程，先在LED 芯片电
极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球，其余过程类似。 压焊是LED 封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控的是压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。 对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金（铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀（钢嘴）选用、劈刀（钢嘴）运动轨迹等等。（下图是同等条件下，两种不同的劈刀压出的焊点微观照片，两者在微观结构上存在差别，从而影响着产品质量。）我们在这里不再累述。 09、点胶封装 LED 的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型，选用结合良好的环氧和支架。（一般的LED 无法通过气密性试验）如右图所示的TOP-LED 和Side-LED 适用点胶封装。手动点胶封装对操作水平要求很高（特别是白光LED ），主要难点是对点胶量的控制，因为环氧在使用过程中会变稠。白光LED 的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。 10、灌胶封装 Lamp-LED 的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在LED 成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的LED 支架，放入烘箱让环氧固化后，将LED 从模腔中脱出即成型。 11、模压封装 将压焊好的LED 支架放入模具中，将上下两副模具用液压机合模并抽真空，将固态环氧放入注胶道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中，环氧顺着胶道进入各个LED 成型槽中并固化。 12、固化与后固化
LED封装的一些介绍如下: 一导电胶、导电银胶 导电胶是IED生产封装中不可或缺的一种胶水, 其对导电银浆要求导电、导热性能要好,剪切强度一定要大,且粘结力要强。 二LED封装工艺 1. LED的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上,同时保护好LED芯片, 并且起到提高光输出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。 2. LED封装形式 LED封装形式可以说是五花八门,主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸, LED按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED 等。 三LED封装工艺流程 1LED芯片检验? 镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求,电极图案是否完整等等 2扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm,不利于后工序的操作。
我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,是LED芯片的间距拉伸到约 0.6mm。 也可以采用手工扩张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于GaAs、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、 黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、 绿光LED芯片,采用绝缘胶来固定芯片。 工艺难点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。? 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求, 银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 4备胶 和点胶相反,备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上, 然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。 备胶的效率远高于点胶,但不是所有产品均适用备胶工艺。 5手工刺片 将扩张后LED芯片(备胶或未备胶安置在刺片台的夹具上,LED支架放在夹具底下, 在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比
大功率LED封装工艺系列之焊线篇 大功率LED封装工艺系列之焊线篇 一、基础知识 1. 目的 在压力、热量和超声波能量的共同作用下，使金丝在芯片电极和外引线 键合区之间形成 良好的欧姆接触，完成内外引线的连接。 2. 技术要求 2.1 金丝与芯片电极、引线框架键合区间的连接牢固 2.2 金丝拉力：25μm金丝F最小>5CN,F平均>6CN: 32μm金丝F最 小>8CN,F平均>10CN。 2.3 焊点要求 2.3.1金丝键合后第一、第二焊点如图（1）、图（2） 2.3.2 金球及契形大小说明
金球直径A: ф25um金丝：60-75um，即为Ф的2.4-3.0倍； 球型厚度H：ф25um金丝：15-20um，即为Ф的0.6-0.8倍； 契形长度D: ф25um金丝：70-85um，即为Ф的2.8-3.4倍； 2.3.3 金球根部不能有明显的损伤或变细的现象，契形处不能有明显的 裂纹 2.4 焊线要求 2.4.1 各条金丝键合拱丝高度合适，无塌丝、倒丝，无多余焊丝 2.5 金丝拉力 2.5.1第一焊点金丝拉力以焊丝最高点测试，从焊丝的最高点垂直引线
框架表面在显微镜观察下向上拉，测试拉力。如图所示： 键合拉力及断点位置要求： 3.工艺条件 由于不同机台的参数设置都不同，所以没有办法统一。我在这里就简单 的说一下主要要设置的地方： 键合温度、第一第二焊点的焊接时间、焊接压力、焊接功率、拱丝高度、 烧球电流、尾丝长度等等。
4．注意事项 4．1 不得用手直接接触支架上的芯片以及键合区域。 4．2 操作人员需佩带防静电手环，穿防静电工作服，避免静电对芯片 造成伤害。 4．3 材料在搬运中须小心轻放,避免静电产生及碰撞，需防倒丝、塌丝、 断线及沾附杂物。 4．4 键合机台故障时，应及时将在键合的在制品退出加热板，避免材料在加热块上烘烤过久而造成银胶龟裂及支架变色。 二、键合设备