简要提供课文有关人物的材料
1、时代背景
明朝万历年间，用政治暴力兼并民田的情况愈演愈烈，江南是全国首富之区，情况更加恶劣。明神宗朱翊钧连年发动对外战争，大事营建宫殿，为搜括财物，他大兴矿税，通都大邑，都设税监，税监又滥用群小，布满城乡，竭力榨取、掠夺。一时间农商交困，民怨鼎沸，因而爆发多次大规模群众性的抗税、反税、惩治税监的斗争。
当时江南地主阶级中一部分知识分子为了政治清明，减少社会矛盾，挽救江河日下的局面，常常在一起议论朝政。因为他们的领袖顾宪成等
在江苏无锡东林书院讲学，所以这些知识分子就被称为东林党。对于当时反矿税、反税监的斗争，他们不仅同情，而且积极支持并参加。（关于东林党：明神宗万历二十二年（1594）顾宪成革职还乡，于无锡东林书院讲学，议论朝政，得一部分士大夫支持，形成改革派的政治集团，世称“东林党”。）
天启元年（公元1621年），明熹宗朱由校即位，魏忠贤受命为司礼秉笔太监，执掌要职；后来他又兼掌特务机关东厂，加紧镇压人民和7官员中的反对派，实行阉党专政。熹宗初年，东林党人在朝任职的人还较多，他们一再上疏熹宗，反对魏忠贤，反对横征暴敛，反对专制统治，要求任用贤能，关心民生，允许知识分子公开讲学，议论朝政。这些主张是符合广大人民的愿望和要求的，但是由于熹宗的包庇，
东林党人的斗争都遭到失败。在朝的东林党主要人物，有的被革职、贬谪，有的被逮捕酷刑致死。
江南广大人民深受阉党之害，同情并支持东林党人。因此，当阉党在天启六年以莫须有的罪名，逮捕东林党人周顺昌时，一场广大人民群众反抗阉党的暴动就爆发了。
2、周顺昌简介
周顺昌（1584一1626），字景文，号蓼洲，苏州吴县人。万历四十一年中进士，任福州推官（掌管州中刑狱的官）。后来进入吏部，任文选司员外郎（掌管官吏任免、考核、升降、调动等事），他虽掌管人事大权，但仍极清廉正直。后来离京回南方时，只有“行李一肩，都门叹为稀有”。他为人正直、清廉，关注民间疾苦。像他这样的人，人民欢迎，阉党不容，被魏忠贤列名《东林点将录》（阉党捕人的黑名单）。
天启五年（公元1625年），被迫害的“六君子”之一魏大中被捕路过苏州，当时请假家居的周顺昌激于大义，竟与魏“周旋累日”，还把女儿许配魏的孙子。在谈话中，切齿痛骂阉党。这事被缇骑报告魏忠贤，周顺昌终于被革职。
周顺昌被罢官后，阉党仍不罢手，必欲置之死地而后快。原江苏巡抚周起元被罢官时，周顺昌曾为文送他，其中有赞美周起元，斥责阉党的话。魏忠贤获悉此事后，指使东厂特务罗织罪名，借机陷害。天启六年三月周顺昌被逮到北京，在狱中被拷打得体无完肤，仍痛骂魏忠贤如故。同年六月十七日被拷死狱中，年四十三岁。到崇侦元年才得
到昭雪，谥忠介。
3、五义士简介
周顺昌被捕时，群众万余人尾随。一向好打不平的商人子弟颜佩韦，高举着香火，沿途呼喊：“有愿替周吏部说话的，跟我来！”他情愿自己去代周顺昌吃官司。市民马杰也一路敲梆子，号召群众。当阉党爪牙缇骑威胁群众时，马杰破口大骂魏忠贤，杨念如、沈扬也上前仗义陈词，不许东厂缇骑逮捕周顺昌。缇骑恼羞成怒，拔出利剑，扬言要割掉马杰的舌头，聚观的市民鼓噪起来，堤骑更加凶横，首先举剑扑击沈扬、杨念如。这时周顺昌的轿夫周文元也怒不可遏，夺取了缇骑的武器，同堤骑扭打起来，结果额头受伤。聚观的市民一见缇骑动武伤人，就一起鼓噪围攻，吓得缇骑们东逃西窜，有的爬上树顶，有的躲到厕所里，有的逃上屋顶。其中两个缇骑被群众打死。
颜佩韦等五人过去互不相识，而且除周文元外，其他四人同周顺昌也毫无交往，完全是激于义愤才自发参加斗争的。
五人被捕后，对自己的作为，理直气壮，毫不隐讳。七月中，苏州城里布满警卫，戒备森严，就在阊门外吊桥上，五位壮士大骂魏忠贤及其亲信毛一鹭，从容就义。临刑时，几万市民含泪同五人诀别。
事后，为了抗议杀害五人，苏州市民曾倡议拒用天启钱达十个月之久。群众斗争的威力，惊得气焰嚣张的魏忠贤“逡巡畏义”，从此“不敢复有株治”。十一个月后，熹宗死了，魏忠贤失了靠山，畏罪自杀。苏州人民倡议公葬五位义士，一夜之间，把毛一鹭为向魏忠贤献媚而监造的魏忠贤生祠拆为平地，在它的废基上修建了五义士的墓。
4、作者简介
张溥（1602—1641）字天如，号西铭，明末太仓（现在江苏省太仓县）人。晚明政治活动家和文学家。张溥自幼勤学，所读书必手抄六七遍，因此他命名自己的书房为“七录斋”。溥青年时候正是魏忠贤阉党专政，东林党人受到残酷镇压的时代。他怀着救国救民的强烈愿望，以继承东林为己任，结纳社会上有节气，有操守，有学识的士大夫知识分子，重视发现和推举有操守的学者，组织了爱国社团复社，成为复社的领袖。
在文学上，针对当时士大夫空疏不学的弊病，他提出“兴复古学”的主张，同时强调“居今之世”，必须“为今之言”，“各为有用”。他写过不少抨击时政的文章，内容充实，风格朴质。曾编辑《汉魏六朝百三名家集》。著有《七录斋集》等。
张溥从小就热爱学习，他所读过的书一定用手亲自抄写，抄完朗读一遍，马上烧掉,再抄写，这样六七遍才停止。他右手握笔的地方，指掌上长满了老茧。冬天手指冻裂，每天要在热水里浸好几次，后来他把读书的房间命名为“七录”。张溥写诗作文敏捷，各方人士向他索取诗文，他不打草稿，当着客人的面挥笔就写，一会儿就完成了，因为这个原因在当时很有名气。
大阉湮没曒皦缇骑抶而仆之溷藩傫然詈逡巡投缳户牖乘其厉声以呵
三组对比。
§5中把“大阉之乱”时“缙绅而能不易其志者”之少与“激昂大义，蹈死不顾”的五人作对比，突出了五人不畏强暴的斗争精神。
§6中把“高爵显位”之人的“辱人贱行”与“有重于社稷”
的五人作对比，突出五人之死的重大意义；
§6中把假设“令五人者保其首领以老于户牖之下”与现在的“屈豪杰之流，扼腕墓道，发其志士之悲”作对比，突出五人荣于身后的显耀和产生的巨大影响。
作者站在反对阉党，支持群众抗暴斗争的政治立场上，通过这三组对比，热情讴歌了五位平民“激于义而死”的可贵精
神，也批判了官僚士大夫中不能仗义斗争，甚至甘心依附阉党
的那些人，显示了轻重大不相同的两种生死价值。
《五人墓碑记》知识点复习 一、通假字 1．其为时止十有一月耳。“有”同“又”，用于整数与零数之间。“止” 同“只”，不过 2．敛赀财以送其行，哭声震动天地。“赀”同“资”，资财，钱财 3．蹈死不顾，亦曷故哉？“曷”同“何” 4．独五人之皦皦，“ 皦皦”同“皎皎”，明亮的样子，这里指名声显赫 二、古今异义词： 1．吾社之行为士先者“行为”古：两个词——品行+成为 今：受思想支配而表现出来的活动 2．是时以大中丞抚吴者为魏之私人 “私人”古：自己人，此处可译为“党羽”、“爪牙” 今：个人 3．断头置城上，颜色不少变。“颜色”古：脸色今：的各种现象（例如红色、棕色、桃红色、灰色、绿色、蓝色和白色等），或使人们得以区分在大小、形状或结构等方面完全相同的物体的视觉或知觉现象 5．大阉亦逡巡畏义，非常之谋，难于猝发 “非常”古：异乎寻常今：副词，十分，很 7．令五人者保其首领以老于户牖之下 “首领”古：头颅今：借指某些集团的领导人 8．吴之民方痛心焉 “痛心”古：痛恨今：极度伤心 ⒒凡富贵之子，慷慨得志之徒 “慷慨” 古：胸怀大志或情绪激昂今：大方，不吝啬 三、实词解释 1.有贤士大夫发五十金(动词，拿出) 2.发其志士之悲哉(动词，抒发) 3.其辱人贱行(名词，行为) 4.视五人之死，轻重固何如哉（动词，比较副词本来，引申为“究竟”、“到底”） 5.斯固百世之遇也（副词，实在，真是） 6.公之逮所由使也（动词，主使） 7.慷慨得志之徒（名词，一类的人） 8.哀斯墓之徒有其石也，而为之记（形容词，空） 9.抶而仆之：笞打，鞭打 10.况草野之无闻者欤（名词，声名） 11.即今之傫然在墓者也：捆缚 12．呼中丞之名而詈之：斥骂 13.不敢复有诛治：株连惩治 14.逡巡畏义：欲进不进、迟疑不决的样子 15.待圣人之出而投缳道路：自缢；绳圈 16.户牖：门；窗 二、文言虚词 1．而 (1) 连词，表承接。 去今之墓而葬焉
教学目标： 1、体会文章气势恢弘、情理并茂，叙议结合，巧用对比来突出人物形象与精神的写法。 2、掌握和积累常见的文言实词、虚词及文言句式，巩固词类活用知识，提高学生阅读文言文的能力。 3、引导学生从五人“激昂大义、蹈死不顾”的义举中，领会“亦以明死生之大，匹夫之有重于社稷也”的道理，教育学生树立正确的生死价值观。 课时安排：三课时 第一课时 一、创设情境，导入新课 著名诗人臧克家在《有的人》一诗中写道：“有的人话着，他已经死了；有的人死了，他还活着。”为什么有的人虽生犹死，而有的人却虽死犹生？毛泽东曾说：“为人民利益而死，就是死得其所。” （用VCD放电影《谭嗣同》中谭嗣同就义的场面） 谭嗣同用自己的鲜血洗亮了人们的眼睛，告诉人们继续走变法图强的道路，“有心杀贼，无力回天，死得其所，快哉，快哉”的豪言壮语，仿佛仍在我们心中回荡，他虽死犹生。 明代张溥先生的《五人墓碑记》也同样记述了五义士就义的壮举，义士的悲壮故事对生与死的问题做出了响亮的回答。 今天，我们就来学习这篇课文，感受英雄的壮举、豪杰的正气。（板书课题） 二、播放课文朗读录音，整体感知课文 思考：课文记述了哪五个义士？他们为什么而死？作者为什么要记述他们的事迹？ 明确：五义士是颜佩韦、杨念如、马杰、沈扬、周文元。他们“激于义而死”，即为正义而献身。作者因为他们“激于义而死”，“而为之记，亦以明死生之大，匹夫之有重于社稷也。” 三、多媒体显示文章背景，加深对课文内容的理解 明末天启年间，宦官魏忠贤专权，许多正直人士被杀害。天启七年（1627年），魏阉假借圣旨逮捕了周顺昌，并趁机勒索，激起人民极大愤慨。于是趁毛一鹭等人逮捕周顺昌之机，群起反抗。他们毁官府，杀缇骑，毛一鹭躲进厕所才免一死。这次斗争被镇压后，朝廷在苏州大肆捕人，颜佩韦等五人挺身而出，对自己的所作所为毫不隐讳，慷慨就义。不到一年，崇祯皇帝即位，阉党失势，魏忠贤畏罪自杀。周顺昌冤案始得昭雪。苏州乡绅吴默等人收葬了
1半导体中的电子状态 1.2半导体中电子状态和能带 1.3半导体中电子的运动有效质量 1半导体中E与K的关系 2半导体中电子的平均速度 3半导体中电子的加速度 1.4半导体的导电机构空穴 1硅和锗的导带结构 对于硅，由公式讨论后可得： I.磁感应沿【1 1 1】方向，当改变B（磁感应强度）时，只能观察到一个吸收峰 II.磁感应沿【1 1 0】方向，有两个吸收峰 III.磁感应沿【1 0 0】方向，有两个吸收峰 IV磁感应沿任意方向时，有三个吸收峰 2硅和锗的价带结构 重空穴比轻空穴有较强的各向异性。 2半导体中杂质和缺陷能级 缺陷分为点缺陷，线缺陷，面缺陷(层错等 1.替位式杂质间隙式杂质
2.施主杂质：能级为E(D,被施主杂质束缚的电子的能量状态比导带底E(C低ΔE(D,施主能级位于离导带底近的禁带中。 3. 受主杂质：能级为E(A,被受主杂质束缚的电子的能量状态比价带E(V高ΔE(A,受主能级位于离价带顶近的禁带中。 4.杂质的补偿作用 5.深能级杂质： ⑴非3，5族杂质在硅，锗的禁带中产生的施主能级距离导带底较远，离价带顶也较远，称为深能级。 ⑵这些深能级杂质能产生多次电离。 6.点缺陷：弗仑克耳缺陷：间隙原子和空位成对出现。 肖特基缺陷：只在晶体内部形成空位而无间隙原子。 空位表现出受主作用，间隙原子表现出施主作用。 3半导体中载流子的分布统计 电子从价带跃迁到导带，称为本征激发。 一、状态密度 状态密度g(E是在能带中能量E附近每单位间隔内的量子态数。 首先要知道量子态，每个量子态智能容纳一个电子。 导带底附近单位能量间隔内的量子态数目，随电子的能量按抛物线关系增大，即电子能量越高，状态密度越大。 二、费米能级和载流子的统计分布
半导体基础知识（详细篇） 2.1.1概念 根据物体导电能力（电阻率）的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 1. 导体：容易导电的物体。如：铁、铜等 2. 绝缘体：几乎不导电的物体。如：橡胶等 3. 半导体：半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可 导电。 半导体的电阻率为10-3?109 cm 典型的半导体有硅 Si 和锗Ge 以 及砷化傢GaAs 等。 半导体特点： 1） 在外界能源的作用下，导电性能显著变化。光敏元件、热敏元件属于此 类。 2） 在纯净半导体内掺入杂质，导电性能显著增加。二极管、三极管属于此 类。 2.1.2本征半导体 1. 本征半导体一一化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度 要达到99.9999999%常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。电子 技术中用的最多的是硅和锗。 硅和锗都是4价元素，它们的外层电子都是4个。其简化原子结构模型如下 图： 外层电子受原子核的束缚力最 小， 成为价电子。物质的性质是由价 电子决 定的。 2. 本征半导体的共价键结构 本征晶体中各原子之间靠得很近， 相邻原子的吸引，分别与周围的四个原子 的价电子形成共价键。 外层电子受原子核的束缚力最小, 的。 使原分属于各原子的四个价电子同时受到 共价键中的价电
3.共价键 共价键上的两个电子是由相邻原子各用 一个电子组成的，这两个电子被成为束缚电子。 束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足 够的能量，不易脱离轨道。因此，在绝对温度 T=0° K （-273° C ）时，由于共价键中的电子 被束缚着，本征半导体中没有自由电子，不导 电。只有在激发下，本征半导体才能导电 4. 电子与空穴 当导体处于热力学温度0°K 时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到 光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电, 成为自由电子。这一现象称为本征激发，也称热激发。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位， 原子的电中 性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性 的这个空位为空穴。 电子与空穴的复合 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的， 称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去， 称为复合，如图所示。本征激发和复 合在一定温并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。如下图所 硅晶体的空间排列与共价键结构平面示意图 空A * 电 子为这些原子所共有,
1.1 半导体基础知识概念归纳 本征半导体定义：纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 电流形成过程：自由电子在外电场的作用下产生定向移动形成电流。 绝缘体原子结构：最外层电子受原子核束缚力很强，很难成为自由电子。 绝缘体导电性：极差。如惰性气体和橡胶。 半导体原子结构：半导体材料为四价元素，它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧。 半导体导电性能：介于半导体与绝缘体之间。 半导体的特点： ★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。 晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。 共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。 自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。 空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。 空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。 本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。 载流子：运载电荷的粒子称为载流子。 导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。 本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。 本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，
古诗五人墓碑记翻译赏析 《五人墓碑记》作者为唐朝文学家张溥。其古诗全文如下： 五人者，盖当蓼洲周公之被逮，激于义而死焉者也。至于今，郡之贤士大夫请于当道，即除魏阉废祠之址以葬之。且立石于其墓之门，以旌其所为。呜呼，亦盛矣哉！ 夫五人之死，去今之墓而葬焉，其为时止十有一月耳。夫十有一月之中，凡富贵之子，慷慨得志之徒，其疾病而死，死而湮没不足道者，亦已众矣；况草野之无闻者欤！独五人之皦皦，何也？ 予犹记周公之被逮，在丁卯三月之望。吾社之行为士先者，为之声义，赉以资财，以送其行，哭声震动天地。缇骑按剑而前，问：“谁为哀者？”众不能堪，抶而仆之。是时以大中丞抚吴者，为魏之私人，周公之逮所由使也，吴之民方痛心焉。于是乘其厉声以呵，则噪而相逐，中丞匿于溷藩以免。既而以吴民之乱请于朝，按诛五人，曰：颜佩韦、杨念如、马杰、沈扬、周文元，即今之傫然在墓者也。然五人之当刑也，意气扬扬，呼中丞之名而詈之，谈笑以死；断头置城上，颜色不少变。有贤士大夫发五十金，买五人之脰而函之，卒与尸合。故今之墓中，全乎为五人也。 嗟夫！大阉之乱，缙绅而能不易其志者，四海之大，有几人欤？而五人生于编伍之间，素不闻《诗》、《书》之训，激昂大义，蹈死不顾，亦曷故哉？且矫诏纷出，钩党之捕遍于天下，卒以吾郡之发愤一击，不敢复有株治；大阉亦逡巡畏义，非常之谋，难于猝发，待圣人
之出而投缳道路：不可谓非五人之力也！ 由是观之，则今之高爵显位，一旦抵罪，或脱身以逃，不能容于远近，而又有剪发杜门、佯狂不知所之者，其辱人贱行，视五人之死，轻重固何如哉？是以蓼洲周公忠义暴于朝廷，赠谥褒美，显荣于身后；而五人亦得以加其土封，列其姓名于大堤之上，凡四方之士，无有不过而拜且泣者，斯固百世之遇也！不然，令五人者保其首领以老于户牖之下，则尽其天年，人皆得以隶使之，安能屈豪杰之流，扼腕墓道，发其志士之悲哉！故予与同社诸君子哀斯墓之徒有其石也，而为之记，亦以明死生之大，匹夫之有重于社稷也。 贤士大夫者：冏卿因之吴公、太史文起文公、孟长姚公也。 【注释】 ⑴本文作于明崇祯元年（1628）。天启年间，宦官魏忠贤专权，网罗遍天下，以残暴手段镇压东林党人。天启六年（1626），派人到苏州逮捕曾任吏部主事、文选员外郎的周顺昌，激起苏州市民的义愤，爆发了反抗宦官统治的斗争。本文是为这次斗争中被阉党杀害的五位义士而写的碑文。文章议论随叙事而入，感慨淋漓，激昂尽致，题外有情，题外有旨，开人心胸。 ⑵蓼（iǎo）洲周公：周顺昌，字景文，号蓼洲，吴县（今苏州）人。万历年间进士，曾官福州推官、吏部主事、文选员外郎等职，因不满朝政，辞职归家。东林党人魏大中被逮，途经吴县时，周顺昌不避株连，曾招待过他。后周顺昌被捕遇害。崇祯年间，谥忠介。 ⑶郡：指吴郡，即今苏州市。当道：执Org掌政权的人。
半导体物理知识点总结 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。最后，介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。 在1.1节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。（重点掌握）在1.2节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。（重点掌握）在1.3节，引入有效质量的概念。讨论半导体中电子的平均速度和加速度。（重点掌握）在1.4节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。（重点掌握）在1.5节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。（理解即可）在1.6节，介绍Si、Ge的能带结构。（掌握能带结构特征）在1.7节，介绍Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs的能带结构。（掌握能带结构特征）本章重难点： 重点： 1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点； 三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。 2、熟悉晶体中电子、孤立原子的电子、自由电子的运动有何不同：孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中运动，自由电子是在恒定为零的势场中运动，而晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动（共有化运动），单电子近似认为，晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场以及其它大量电子的平均势场中运动，这个势场也是周期性变化的，而且它的周期与晶格周期相同。 3、晶体中电子的共有化运动导致分立的能级发生劈裂，是形成半导体能带的原因，半导体能带的特点： ①存在轨道杂化，失去能级与能带的对应关系。杂化后能带重新分开为上能带和下能带，上能带称为导带，下能带称为价带②低温下，价带填满电子，导带全空，高温下价带中的一部分电子跃迁到导带，使晶体呈现弱导电性。
基本概念题： 第一章半导体电子状态 1.1 半导体 通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。 1.2能带 晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。 1.2能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法。 答： 能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场分布，进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系，从而系统地建立起该理论。 单电子近似： 将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑，这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。 绝热近似： 近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换，而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。 1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法 答案： 克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型，如下图所示 利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式，进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到的能量分布在k空间上是周期函数，而且某些能量区间能级是准连续的（被称为允带），另一些区间没有电子能级（被称为禁带）。从而利用量子力学的方法解释了能带现象，因此该模型具有重要的物理意义。 1.2导带与价带 1.3有效质量 有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。其大小由晶体自身的E-k
五人墓碑记 张溥 一．古今词义 1吾社之行为 ．．士先者 古义：行，品行，名词；为，成为，动词。 今义：行动。 2令五人者保其首领 ．．。 古义：头颅。 今义：领导。 3凡富贵之子，慷慨 ．．得志之徒。 古义：胸怀大志，情绪激昂。 今义：大方。 4是时以大中丞抚吴者为魏之私人 ．．毛一鹭。 古义：，私党，亲信。 今义：指属于个人的。 5颜色 ．．不少变。 古义：脸色。 今义：色彩。 6非常 ．．之谋难于猝发。
古义：不同寻常。 今义：很，极。 二．词类活用 1去今之墓．而葬焉（名作动修墓） 2其疾病 ．．而死（名作动患病） 3缇骑按剑而前．（名作动走上前） 4买五人之头而函．之（名作动用木匣子装） 5安能屈．豪杰之流（使动用法使……屈使……折服） 6不能容于远近 ．．（形容词作名词近处和远处） 7人皆得以隶．使之（名词作状语，像奴隶那样） 三．实词虚词 以旌．其所为（表扬） 去．今之墓而葬焉（距离） 独五人之皦皦，何也（明亮的样子，这里指名声显赫） 以吴民之乱请．于朝，按诛．五人（申告）（查办）、 素．不闻诗书之训（向来） 之： 盖当蓼洲周公之被逮（取消句子独立性） 即除魏阉废祠之址以葬之（前一个“之”：的后一个“之”：代词）郡之贤士大夫请于当道（结构助词的） 吾社之行为士先者（结构助词的）
为之声义（代词） 佯狂不知所之者（到） 卒以吾郡之发愤一击（取消句子独立性） 以： 以旌其所为（连词，表目的，来） 即除魏阉废祠之址以葬之（连词，表目的，来） 是时以大中丞抚吴者（凭借……的身份） 于是乘其厉声以呵（相当于“而”，表修饰） 卒以吾郡之发愤一击（因为） 而： 缇骑按剑而前（表修饰） 抶而仆之（表承接） 买五人之头而函之（表承接） 缙绅而能不易其志者（表转折） 四．文言句式 1五人者，盖当蓼洲周公之被逮，激于义而死焉者也。（判断句） 2安能屈豪杰之流……发其志士之悲哉（“安……哉”古汉语中表示反问的常用句式） 3激于义而死焉者也。（被动句） 4即今傫然在墓者也。（判断句） 5斯固百世之遇也。（判断句）
我们知道，电子电路是由晶体管组成，而晶体管是由半导体制成的。所以我们在学习电子电路之前， 一定要了解半导体的一些基本知识。 这一章我们主要学习二极管和三极管的一些基本知识，它是本课程的基础，我们要掌握好在学习时我们把它的内容分为三节，它们分别是： 1、1 半导体的基础知识 1、2 PN结 1、3 半导体三极管 1、1 半导体的基础知识 我们这一章要了解的概念有：本征半导体、P型半导体、N型半导体及它们各自的特征。一:本征半导体 纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有：硅和锗。它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。 共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。我们用晶体结构示意图来描述一下；如图（1）所示：图中的虚线代表共价键。 在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流； 同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。 因此，在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。二：杂质半导体 在本征半导体中两种载流子的浓度很低，因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。 1.N型半导体 在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5各价电子，它与周围原子形成共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 2.P型半导体 在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴使多数载流子。 1、2 P—N结
半导体物理考点归纳 一· 1.金刚石 1) 结构特点： a. 由同类原子组成的复式晶格。其复式晶格是由两个面心立方的子晶格彼此沿其空间对角线位移1/4的长度形成 b. 属面心晶系，具立方对称性，共价键结合四面体。 c. 配位数为4，较低，较稳定。(配位数：最近邻原子数) d. 一个晶体学晶胞内有4+8*1/8+6*1/2=8个原子。 2) 代表性半导体：IV 族的C ，Si ，Ge 等元素半导体大多属于这种结构。 2.闪锌矿 1) 结构特点： a. 共价性占优势，立方对称性； b. 晶胞结构类似于金刚石结构，但为双原子复式晶格； c. 属共价键晶体，但有不同的离子性。 2) 代表性半导体：GaAs 等三五族元素化合物均属于此种结构。 3.电子共有化运动： 原子结合为晶体时，轨道交叠。外层轨道交叠程度较大，电子可从一个原子运动到另一原子中，因而电子可在整个晶体中运动，称为电子的共有化运动。 4.布洛赫波： 晶体中电子运动的基本方程为： ，K 为波矢，uk(x)为一个与晶格同周期的周期性函数， 5.布里渊区： 禁带出现在k=n/2a 处，即在布里渊区边界上； 允带出现在以下几个区： 第一布里渊区:－1/2a 半导体基础知识（详细篇） 概念 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 1. 导体：容易导电的物体。如：铁、铜等 2. 绝缘体：几乎不导电的物体。如：橡胶等 3. 半导体：半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可导电。半导体的电阻率为10-3～109 Ω·cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体特点： 1) 在外界能源的作用下，导电性能显着变化。光敏元件、热敏元件属于此类。 2) 在纯净半导体内掺入杂质，导电性能显着增加。二极管、三极管属于此类。 本征半导体 1.本征半导体——化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。电子技术中用的最多的是硅和锗。 硅和锗都是4价元素，它们的外层电子都是4个。其简化原子结构模型如下图： 外层电子受原子核的束缚力最小，成为价电子。物质的性质是由价电子决定的。 ? 外层电子受原子核的束缚力最 小，成为价电子。物质的性质是由价 电子决定的。 ? ? 2.本征半导体的共价键结构 本征晶体中各原子之间靠得很近，使原分属于各原子的四个价电子同时受到相邻原子的吸引，分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。如下图所示： 硅晶体的空间排列与共价键结构平面示意图 3.共价键 共价键上的两个电子是由相邻原子各用 一个电子组成的，这两个电子被成为束缚电 子。束缚电子同时受两个原子的约束，如果没 有足够的能量，不易脱离轨道。因此，在绝对 温度T=0°K（-273°C）时，由于共价键中的电 子被束缚着，本征半导体中没有自由电子，不 导电。只有在激发下，本征半导体才能导电 ? ? 4.电子与空穴 当导体处于热力学温度0°K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发，也称热激发。 《五人墓碑记》知识点 （墓中的）五个人，就是当周蓼洲先生被捕的时候，被正义所激励而死于这件事的。到了现在，本郡有声望的士大夫们向有关当局请求，就清理已被废除的魏忠贤生祠旧址来安葬他们；并且在他们的墓门之前竖立碑石，来表彰他们的事迹。啊，也真是盛大隆重的事情呀！这五人的死，距离现在建墓安葬，时间只不过十一个月罢了。在这十一个月当中，所有富贵人家的子弟，意气豪放、志得意满的人，他们因患病而死，死后埋没不值得称道的人，也太多了；何况乡间没有声名的人呢？唯独这五个人声名显赫，为什么呢？我还记得周公被捕，是在丙寅年三月十五日。我们社里那些道德品行可以作为读书人的榜样的人，替他伸张正义，募集钱财送他起程，哭声震天动地。差役们按着剑柄上前，问：“谁在为他悲痛？”大家不能再忍受了，把他们打倒在地。当时以大中丞职衔作应天府巡抚的是魏忠贤的党羽毛一鹭，周公被捕就是由他主使的；苏州的老百姓正在痛恨他，这时趁着他厉声呵骂的时候，就一齐喊叫着追赶他。这位大中丞藏在厕所里才得以逃脱。不久，他以苏州人民发动暴乱的罪名向朝廷请示，追究这件事，杀了五个人，他们是颜佩韦、杨念如、马杰、沈扬、周文元，就是现在一起埋葬在墓中的这五个人。然而，当五个人临刑的时候，神情慷慨自若，呼喊着中丞的名字斥骂他，谈笑着死去了。砍下的头放在城头上，脸上的神情一点也没改变。有位有名望的人拿出五十两银子，买下五个人的头并用棺材收起来，最终与尸体合到了一起。所以现在墓中是完完整整的五个人。唉！当魏忠贤作乱的时候，做官的人能够不改变自己志节的，中国之大，能有几个人呢？但这五个人生于民间，从来没受过《诗》《书》的教诲，却能被大义所激励，踏上死地也不回头，又是什么缘故呢？况且当时假托的皇帝的诏书纷纷传出，追捕同党的人遍于天下，终于因为我们苏州人民的发愤抗击，使阉党不敢再将我们株连治罪；魏忠贤也迟疑不决，畏惧正义，篡夺帝位的阴谋难于立刻发动，直到当今的皇上即位，（魏忠贤畏罪）吊死在路上，不能不说是这五个人的功劳呀。由此看来，那么如今这些高官显贵们，一旦犯罪受罚，有的人脱身逃走，不能被远近的百姓所容纳；也有的剪发毁容、闭门不出，或假装疯狂不知逃到何处的，他们那可耻的人格，卑贱的行为，比起这五个人的死来，轻重的差别到底怎么样呢？因此周蓼洲先生的忠义显露在朝廷，赠给他的谥号美好而光荣，在死后享受到荣耀；而这五个人也能够修建一座大坟墓，在大堤之上立碑刻名，所有四方的有志之士经过这里没有不跪拜流泪的，这实在是百代难得的机遇啊。不这样的话，假使让这五个人保全性命在家中一直生活到老，尽享天年，人人都能够像对待奴仆一样使唤他们，又怎么能让豪杰们屈身下拜，在墓道上扼腕惋惜，抒发他们有志之士的悲叹呢？所以我和我们同社的诸位先生，惋惜这墓前空有一块石碑，就为它作了这篇碑记，也用以说明死生意义的重大，（即使）一个普通老百姓对于国家也有重要的作用啊。几位有声望的士大夫是：太仆卿吴因之公，太史文起文公，姚孟长公。 通假字： 1．其为时止十有一月耳。“有”同“又”，用于整数与零数之间。“止” 同“只”，不过 2．夫十有一月之中，“有”同“又”，用于整数与零数之间 3．敛赀财以送其行，哭声震动天地。“赀”同“资”，资财，钱财 4．蹈死不顾，亦曷故哉？“曷”同“何” 5. 独五人之皦皦，“ 皦皦”同“皎皎”，明亮的样子，这里指名声显赫 6. 断头置城上，颜色不少变。“少”同“稍”，一点儿，稍稍 第一章半导体基础知识 〖本章主要内容〗 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。〖本章学时分配〗 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 一、主要内容 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。 《五人墓碑记》字词整理 一、通假字 1、其为时止十有．一月尔（同“又”，用于整数与零数之间） 2、独五人之皦皦 ．．（同“皎皎”，明亮的样子，这里指名声显赫） 3、敛赀．财以送其行（同“资”，钱财） 4、即今之傫．然在墓者也（同“累”，重叠堆积） 5、颜色不少．变（同“稍”） 二、常见实词 1、盖当．蓼洲周公之被逮（在……的时候） 郡之贤士大夫请于当．道（主持、执掌） 然五人之当．刑也（接受、承当） 2、即除．逆阉废祠之址以葬之（清理、整理） 3、以旌．其所为（表彰） 4、况草野之无闻．者欤！（声誉、名声） 素不闻．诗书之训（接受） 5、敛．赀财以送其行（募集） 6、谁为哀．者？（同情、怜悯） 7、公之逮所由使．也（主使、指使） 人皆得以隶使．之（役使、使唤） 8、既而以吴民之乱．请于朝（暴动、暴乱） 大阉之乱．（残暴无道） 9、按．诛五人（追究、查办） 10、呼中丞之名而詈．之（斥骂） 11、卒．与尸合（最后、终于） 12、且矫．诏纷出（矫，假托、诈称，可特指假托君命） 13、钩．党之捕遍于天下（牵连） 14、不敢复有株．治（株连、牵连） 15、而又有剪发杜．门（封闭） 16、视．五人之死（和……比较） 17、轻重固．何如哉？（究竟、到底） 斯固．百世之遇也（实在、确实） 18、是以蓼洲周公忠义暴．于朝廷（显露） 19、令．五人者保其首领（假如、如果） 20、慷慨得志之徒．（同类的人） 哀斯墓之徒．有其石也（空） 三、古今异义 1、至于 ．．今（古义：到；今义：①表示达到某种程度。② 表示另提一事。） 2、是时以大中丞抚吴者为魏之私人 ．．毛一鹭（古义：心腹、党羽；今义：①个人（就从事某种活动或拥有财产而言，区别于“公家”）。②指个人和个人之间。③因私交、私利而依附于自己的人） 3、吴之民方痛心 ．．焉（古义：痛恨；今义：极端伤心。） 4、意气 ．．扬扬（古义：神情、神色；今义：①意志和气概。 ②志趣和性格。③由于主观和偏激而产生的情绪。） 5、意气扬扬 ．．（古义：自若貌；今义：得意的样子。）6、颜色不少变（古义：脸色、神色；今义：①由物体发射、反射或透过的光波通过视觉所产生的印象。②指面貌；容貌。③指脸上的表情。④指显示给人看的厉害的脸色或行动。） 7、激昂 ．．大义（古义：激励；今义：（情绪、语调等）激动昂扬。） 8、卒以吾郡之发愤 ．．一击（古义：激于义愤；今义：决心努力。） 9、非常 ．．之谋难于猝发（古义：不同寻常；今义：①属性词。异乎寻常的；特殊的。②十分；极。） 10、令五人者保其首领 ．．（古义：头颅，借指性命；今义：①头和脖子。②借指某些集团的领导人。） 四、词类活用 1、去今之墓．而葬焉（筑墓、修墓，名作动） 2、其疾病 ．．而死（患病，名作动） 3、吾社之行为士先．者（表率、榜样，形作名） 4、按剑而前．（上前，名作动） 5、抶而仆．之（使……倒下，动词的使动用法） 6、是时以大中丞抚．吴者为魏之私人毛一鹭（担任巡抚，名作动） 7、买五人之头而函．之（用匣子装盛，名作动） 8、缙绅 ．．而能不易其志者（当官、做官，名作动） 9、不能容于远近 ．．（远方近处的人，形作名） 10、赠谥褒美．（美德，形作名） 11、人皆得以隶．使之（像对待奴仆那样，名作状） 12、安能屈．豪杰之流（使……屈身，动词的使动用法） 13、亦以明死生之大．（重大意义，形作名） 14、匹夫之有重．于社稷也（重大作用，形作名） 五、常见虚词 1、之 （1）助词，主谓间取独，不译 盖当蓼洲周公之被逮 夫五人之死 独五人之皦皦 予犹记周公之被逮 公之逮所由使也 待圣人之出而投缳道路 钩党之捕遍于天下 视五人之死 哀斯墓之徒有其石也 匹夫之有重于社稷也 （2）助词，主谓间取独，“……的时候” 然五人之当刑也 大阉之乱 （3）结构助词，的 郡之贤士大夫请于当道 即除魏阉废祠之．址以葬之 半导体物理知识整理 ————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期： 基础知识 1.导体,绝缘体和半导体的能带结构有什么不同?并以此说明半导体的导电机理（两种载流子参与导电）与金属有何不同？ 导体：能带中一定有不满带 半导体：T=0K，能带中只有满带和空带；T>0K,能带中有不满带 禁带宽度较小，一般小于2eV 绝缘体：能带中只有满带和空带 禁带宽度较大，一般大于2eV 在外场的作用下，满带电子不导电，不满带电子可以导电 总有不满带的晶体就是导体，总是没有不满带的晶体就是绝缘体 半导体不时最容易导电的物质，而是导电性最容易发生改变的物质，用很方便的方法，就可以显著调节半导体的导电特性 金属中的电子，只能在导带上传输，而半导体中的载流子：电子和空穴，却能在两个通道：价带和导带上分别传输信息 2.什么是空穴?它有哪些基本特征?以硅为例，对照能带结构和价键结构图理解空穴概念。 当满带附近有空状态k’时，整个能带中的电流，以及电流在外场作用下的变化，完全如同存在一个带正电荷e和具有正有效质量|m n* | 、速度为v(k’)的粒子的情况一样，这样假想的粒子称为空穴 3.半导体材料的一般特性。 电阻率介于导体与绝缘体之间 对温度、光照、电场、磁场、湿度等敏感（温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降；适当波长的光照可以改变半导体的导电能力） 性质与掺杂密切相关（微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力） 4.费米统计分布与玻耳兹曼统计分布的主要差别是什么？什么情况下费米分布函数可以转化为玻耳兹曼函数。为什么通常情况下，半导体中载流子分布都可以 半导体物理答案 一、选择 1.与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（比半导体的大）； 2.室温下，半导体Si 掺硼的浓度为1014cm -3，同时掺有浓度为1.1×1015cm -3的磷，则电子 浓度约为（1015cm -3 ），空穴浓度为（2.25×105cm -3 ），费米能级为（高于E i ）；将该半导 体由室温度升至570K ，则多子浓度约为（2×1017cm -3），少子浓度为（2×1017cm -3），费米 能级为（等于E i ）。 3.施主杂质电离后向半导体提供（电子），受主杂质电离后向半导体提供（空穴），本征 激发后向半导体提供（空穴、电子）； 4.对于一定的n 型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（E F ）靠近E i ； 5.表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（施主态）； 6.当施主能级E D 与费米能级E F 相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（1/3）倍； 重空穴是指（价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴） 7.硅的晶格结构和能带结构分别是（金刚石型和间接禁带型） 8.电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体（各元胞对应点出现的几率相同）。 9.本征半导体是指（不含杂质与缺陷）的半导体。 10.简并半导体是指（(E C -E F )或(E F -E V )≤0）的半导体 11.3个硅样品的掺杂情况如下： 甲．含镓1×1017cm -3；乙.含硼和磷各1×1017cm -3；丙.含铝1×1015cm -3 这三种样品在室温下的费米能级由低到高（以E V 为基准）的顺序是(甲丙乙) 12.以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn 与温度的（B 3/2次方成反比） 13.公式*/q m μτ=中的τ是载流子的（平均自由时间）。 14.欧姆接触是指（阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性）的金属－半导体接触。 15.在MIS 结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大 的正值的的过程中，如半导体为P 型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为（多数载 流子堆积状态，多数载流子耗尽状态，少数载流子反型状态）。 16.在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（曲 率小），对应的有效质量（大），称该能带中的空穴为(重空穴E )。 17.如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（两性杂质）。 18.在通常情况下，GaN 呈（纤锌矿型 ）型结构，具有（六方对称性），它是（直接带 隙）半导体材料。 19.同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr 是乙的3/4， m n */m 0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的 弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 ）。 20.一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（1/e 2）。 21.对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够 高、n i >> /N D -N A / 时，半导体具有 （本征） 半导体的导电特性。 22.在纯的半导体硅中掺入硼，在一定的温度下，当掺入的浓度增加时，费米能级向 （Ev ）移动；当掺杂浓度一定时，温度从室温逐步增加，费米能级向( Ei )移动。 23.把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（产生等电子 陷阱）。 24.对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（非平衡载流子 浓度成反比）。 GAS 系 统 基 础 知 识 概述 HOOK-UP专业认知 一、厂务系统HOOK UP定义 HOOK UP 乃是藉由连接以传输UTILITIES使机台达到预期的功能。HOOK UP是将厂务提供的UTILITIES ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之UTILITIES连接点( PORT OR STICK),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( SUBUNITS)。 机台使用这些UTILITIES,达成其所被付予的制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。HOOK UP 项目主要包括∶CAD，MOVE IN ，CORE DRILL，SEISMIC ，VACUU，GAS，CHEMICAL， D.I ,PCW,CW,EXHAUST,ELECTRIC, DRAIN. 二、GAS HOOK-UP专业知识的基本认识 在半导体厂，所谓气体管路的Hook-up（配管衔接）以Buck Gas （一般性气体如CDA、GN2、PN2、PO2、PHE、PAR、H2等）而言，自供气源之气体存贮槽出口点经主管线（Main Piping）至次主管线（Sub-Main Piping）之Take Off点称为一次配（SP1 Hook-up），自Take Off出口点至机台（Tool）或设备（Equipment）的入口点，谓之二次配（SP2 Hook-up）。以Specialty Gas（特殊性气体如：腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体）而言其供气源为气柜（Gas Cabinet）。自G/C出口点至VMB（Valve Mainfold Box.多功能阀箱）或VMP（Valve Mainfold Panel多功能阀盘）之一次测（Primary）入口点，称为一次配（SP1 Hook-up），由VMB或VMP Stick之二次侧（Secondary）出口点至机台入口点谓之二次配（SP2 Hook-up）。 《五人墓碑记》教学设计 【课题】五人墓碑记 【教材】苏教版必修三 【年级】高一下学期 【执教】山东省广饶县第一中学韩红敏 【教学目标】 1、复习巩固重点文言知识，尤其是词类活用、古今异义等特殊文言知识。 2、引导学生朗读分析五人之死，感受其“激昂大义，蹈死不顾”的精神品格，理解作者“匹夫之有重于社稷”的思想主旨，从而熏陶学生追求高尚的人格操守。【教学重点】 引导学生朗读分析五人之死，感受其“激昂大义，蹈死不顾”的精神品格。【教学难点】 引导学生理解作者“匹夫之有重于社稷”的思想主旨，并追求高尚的人格操守。【教学方法】多媒体朗读讨论 【课型设计】研读课 【课时安排】2课时 【教学过程与步骤】 课前预习：教师印发相关背景材料，学生自读课文，梳理文言知识，并结合材料理解文意。 【整体设计】整篇文章，计划用两课时。第一课时熟读文本，疏通文意，积累文言知识；第二课时在复习巩固重点文言知识的基础上，朗读分析五人之死，感受其“激昂大义，蹈死不顾”的精神品格，理解作者“匹夫之有重于社稷”的思想主旨。其中，第一课时是基础，重在学生的朗读与积累；第二课时是提高，重在学生的研读与思考。此“优课”即第二课时。 一、导入 鲁迅先生在《中国人失掉自信力了吗？》中说过：“我们自古以来，就有埋头苦干的人，有拼命硬干的人，有为民请命的人，有舍身求法的人……虽是等于为帝王将相作家谱的所谓‘正史’，也往往掩不住他们的光辉，这就是中国的脊梁。”（教师课件呈现，学生齐读理解）其中，“舍身求法”，原指佛教徒不惜牺牲自己寻求佛法；后来比喻为了追求真理而不惜牺牲自己。《五人墓碑记》中的“五人”就是舍身求法这类人的典型，今天我们就来学习这篇文章，一起感受他们不朽的精神与品格。 二、明确目标 1、复习巩固重点文言知识，尤其是词类活用、古今异义等特殊文言知识。 2、朗读分析五人之死，感受其“激昂大义，蹈死不顾”的精神品格，理解作者“匹夫之有重于社稷”的思想主旨。 三、巩固知识 1、读准字音。 重点：蓼．（liǎo）洲旌．（jīng）其所为湮．（yān）没皦皦 ．．（jiǎo）赀．（zī）财抶．（chì）而扑之溷．（hùn）藩傫．（lěi）然詈．（lì）之矫．（jiǎo）诏逡．（qūn）巡投缳．（huán）暴．（pù）于朝廷赠谥．（shì）褒．（bāo）美户牖．（yǒu）半导体基础知识
(完整版)《五人墓碑记》知识点最全整理
第一章半导体基础知识(精)
五人墓碑记字词整理
半导体物理知识
半导体物理答案知识讲解
半导体厂GAS系统基础知识
五人墓碑记(优课教学设计,公开课教案)
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