《电子技术基础》课程设计
总结报告
篮球比赛计时器
指导教师：万星
设计人员：张馨月
学号：10240305
班级：电气3班
日期：2012-6-25
目录
⑴设计任务与基本要求
①设计任务
篮球比赛计时器是一种体育比赛计时装置，经过改造可满足多种要求和场合。利用中小规模集成电路设计一个数字显示的简易篮球比赛计时器。
②基本要求
●篮球比赛上下半场四节制，每节12 min，要求能随时暂停，启动后继续计时，一节比赛结束后应可清零。
●按篮球比赛规则，进攻方有24 s为倒计时。要求进攻方得到发球权后，必须在24 s内完成一次进攻，否则将球权判给对方，因此需要一个具有24 s的倒计时功能。
●“分”、“秒”显示用LED数码管，应配用相应译码器。
●用扭子开关控制计时器的启动／暂停。
●24s计时时间到、每节结束和全场结束能自动音响提示。
（2）设计框图及整体概述
篮球比赛计时器实际上是一种多功能倒计时装置，它包括12 min、24 s倒计时，按键启停功能和自动音响提示等，其组成原理框图如上图所示。该电路主要由秒信号发生电路、启停电路、声响电路、门控电路、显示电路和计数电路等组成。一旦发球，启停电路启动，计时器开始工作，即12 min、24 s倒计时同时工作。当发球权交给对方时，24 s倒计重新开始计时，而12 min倒计时继续工作。当启停电路暂停时，12 min、24 s倒计器保持原来的数据不变，等到重新启动开始工作。
（3）设计思路
篮球比赛计时器的主要功能包括：12分钟倒计时，进攻方24秒倒计时暂停，重新开启和结束提示。该计时系统由以下四个电路模块组成：
1秒时集产生器：这部分利用32.768KHz需要通过分频器，最终产生1Hz的电信号，驱动整个电路的运作。这一模块主要是利用CD4060分频功能和74LS73D触发器来实现。
12分钟倒计时：这部分电路完成12分钟倒计时的功能，比赛准备开始时，屏幕显示12：00，然后利用74LS192的减计数的功能，从12：00变化到00:00.
攻方24秒倒计时：这部分电路与12分钟倒计时功能类似，当比赛开始时，屏幕上显示24秒字样，当比赛开始后，倒计时从24逐秒倒数到00.这一模块也是利用双向计数器74LS192来实现。
节数计次：四个LED分别表示四场节次，根据比赛场次的转变，用适当的方法使这四个LED依次自动指示四场节次。
音响控制电路：用TTL的功率门或OC门可以直接驱动小功率喇叭发声。CP是周期1S的矩形波，则会产生响一下停一下，响停共一秒的声音。
总体电路说明：倒计时功能主要是利用192计数芯片来实现，同时利用反馈和置数实现进制的转换，以适合分和秒的不同
需要。又要该系统特殊的需要，到计时器到零时，通过停止控制电路是计时器停止计数并用音响控制电路发出声音。
（4）.各单元电路的设计方案及原理说明 1秒时集产生器：
利用555芯片得到1HZ 的脉冲信号。
R 4D C
7Q 3GND
1VCC 8T R 2T H 6C V 5
U7
555
R310M
R2
50M
C2
0.01uF C1
0.01uF 12分钟倒计时：
1、计数器件
74LS192是双时钟方式的十进制可逆计数器。下面介绍74LS 192的引脚图和74LS192的功能表。
◆ CPU为加计数时钟输入端，CPD为减计数时钟输入端。
◆ LD(PL)为预置输入控制端，异步预置。
◆ CR(MR)为复位输入端，高电平有效，异步清除。
◆ CO（TCU)为进位输出：1001状态后负脉冲输出，
◆ BO(TCD)为借位输出：0000状态后负脉冲输出。
74LS192引脚图
可以根据74LS192的引脚图来实现硬件连接，图2中P0、P1、P2、P3分别为D0、D1、D2、D3，可以通过LD=0，给这四个引脚接高电平或低电平来实现置数，Q0、Q1、Q2、Q3为74LS192的输出端，可以直接接七段数码显示译码器。
CR LD CPU CPD D3 D2 D1 D0 Q3 Q2 Q1 Q0 CR LD CPU CPD D3 D2 D1 D0 Q3 Q2 Q1 Q0 1 ×××××××0 0 0 0
0 0 ×× D C B A D C B A O 1 ↑ 1 ××××加计数
0 1 1 ↑××××减计数
74LS192功能表
根据74LS192的功能表，当LD=1，CR=0，CPD=1时，如果有时钟脉冲加到CPU端，则计数器在预置数的基础上进行加法计数，当计到9（1001）时，CO端输出进位下降沿跳变脉冲；当LD=1，CR=0，CPU=1时，如果有时钟脉冲加到CPD端，则计数器在预置数的基础上进行减法计数，当计到0（0000）时，BO端输出借位下降沿跳变脉冲。
2、置数实现器件
74LS192是6非门(反相器)他的工作电压5V，他的内部含有6个coms反相器，74LS192的作用就是反相把1变成0，把0变成1。下面是芯片的管脚图
74LS192管脚图
由两块MSI计数器构成，低位是十进制，高位可为一个任意进制，再利用置。
分计数器:
初始值“12”来实现十二进制。
分计数的置数
(其中UP对应引脚CPU加计数时钟输人端，DOWN对应引脚CPD减计数时钟输入端，LOAD对应引脚PL预置数输入端，CLR对应引脚CR复位输入端，异步清0。）
由74LS192D的功能表知，要完成减计数功能需要将UP置为1，LOAD置为1，CLR置为0，给DOWN一个脉冲，在脉冲上
升沿时，芯片完成减数功能。
用74LS192的LD完成分计数的置数和减计数功能，给U14的数据输入为1（0001），U12的数据输入为2（0010）。按空格开关闭合，此时是接地，为低电平，LD=0，实现置数功能，显示12分。
按空格开关打开后，此时为高电平，LD=1，当脉冲来时，做减计数。
秒计数器：
秒信号经秒、分计数器后分别得到“秒”个位、十位，“分”个位、十位的计时输出信号，然后输出到译码显示电路。“秒”计数器应为60进制，而“分”计数器可为大于等于12的任意进制。
（1）秒计数器：六十进制计数器
可以由两块MSI计数器构成，一块十进制，一块六进制，组合起来就构成六十进制计数器。74LS192是十进制同步加法/减法计数器，具有直接清零、异步置数功能。
由篮球比赛的特点，计时器可以设计成距离比赛结束的时间，因此这种方案需用减法计数器，而对每一节的计数实现的又是加法计数器，而74LS192既可以实现加法计数，也可以实现减法计数。
74LS192本身就是十进制，所以图3中U4直接利用借位输出端BO，一旦有借位则BO给U3一个上升沿，U3就开始减计数，从而秒的个位实现十进制。
图4 十进制电路图
要想实现六十进制，则一开始要将U3置成六，必须使LD=0，才能置数；但要实现减计数，又必须使LD=1。所以我使用了CR的清零功能，总开关闭合时，CR=1，此时显示为0，总开
关断开时，CR=0，减计数开始，U4上BO输出借位为0，LD 接BO=0，给U3置数，下一瞬间，BO=1，LD=1，则U3从六开始递减。U4有借位输出，U3则减1，如此递减，直到U3、U4全减为0，U12的LD和U3的BO相连，U12减1，U3置为六。一直循环形成六十进制。
六十进制计数器
节计数器：四进制加法计数器
由一块74LS192构成，使数据输入为“0001”，当低电平有效信号控制其置数端时，便实现置1。同理，按空格键开关闭合，LD=0，U15置数为1，开始节计数，如图；开关断开后（即使LD=1），CPD=1,当分十位有借位输出时，便给CPU一个脉冲，U15便开始加1，实现节计数。
节计数的置数
节计数的加法
控制电路由两片74LS192组成，用74LS192来控制计数器12分00秒的递减计时，在控制电路中用A和空格分别来控制电路的启动、暂停/连续或是停止工作。在这当中CR的作用也是不同的，当A和空格为“1”时，CR经非门为0，LD为1，电路开始计时，当A为“0”时，CR=1，有清零功能，LD=0，有置数功能，电路不工作并置数，显示器就为“1”“2”“0”“0”。当空格置为“0”时，计时器暂停工作，则CR停止工作。当空格为“1”时，CR 继续工作。
显示器
直接用仿真和硬件上的七段数码显示译码器。
置数和计数的开关控制
刚开始按下开关，要求计时器显示12分00秒，再按开关后，计时器开始计时。置数时，要求LD全部为0，计数时，要求LD为1，但74LS192是十进制，秒计时要求是六十进制，即要求在显示六十秒时，置为00，LD在计数和置数上矛盾，所以我用总的开关来控制六进制的清零端CR，同时控制其余的LD端，使其可以用一个开关来控制置数和计时。实现时，CR=1清零，LD=0开始置数，所以可以用一个非门来同时实现。
其开关的设置如下页所示，开关闭合时，为低电平，LD 实现置数，CR经反相器为高电平，开始清零；开关断开，为高电平，LD=1，CR=0，开始计时。
开关闭合断开时会出现抖动，即会有高低电平不稳的状况，这就需要有防抖动开关来使其稳定。防抖动开关和节结束开关的实现是由我的同组者来设计。
图10 开关控制计数
五、总体设计电路图
图11 总体设计电路图
在总电路图中，当开关A接右时，经防抖动开关输出为低电平，经过与门，仍为低电平，则LD=0，实现置数；开关A接左时，输出为高电平，从左往右，第二片74LS192上没有借位输出，BO=1，经与门后，输出为高电平，经过脉冲，则实现减计数。
暂停/连续开关由空格键控制，当接右时，经防抖动开关输出为1，BO无借位时输出为1，有脉冲时为1，经三输入的与非门为0，再经与非门为1，所以能正常工作；当开关接左时，经防抖动开关后为0，经两个与非门仍为0，实现暂停计时。
24S进攻倒计时
由裁判按下，喇叭响，表示进攻开始。然后计数器从24S 减到00S时，裁判又按下开关，喇叭响，表示进攻结束。其原理和12min倒计时相同，先对两块芯片进行置数，即“2”“4”，开关断开后，192芯片开始进行减数。倒计时装置的秒脉冲发生器是由555芯片和两个电阻，两个电容组成。其中调节电阻阻值可改变脉冲发生器的频率，从而改变从24S变到00S的时间，所以电阻参数的设定非常重要。
下图为利用ISIS仿真24S倒计时的截图：
D015
Q03D11
Q12D2
10
Q26D3
9Q37UP
5TCU 12DN
4TCD 13PL
11MR
14
U1
74LS192D015Q03D11Q12D210Q26D39Q37UP 5TCU 12DN 4TCD 13PL 11MR 14U274LS192R110k SW1
SW-SPST VCC VCC
R 4D C
7Q
3GND
1VCC 8T R 2T H 6C V 5U7555
R310M R2
50M
C2
0.01uF
C10.01uF VCC LS1
SPEAKER R4
10k
实验结果及分析
（一）实验结果
1、 将五片74LS192中的 LD 置为低电平，将第四片CR 信号接为高电平，实现了置数“12分00秒”。后将A 断开，LD=1，CR=0，计时器开始工作，实现倒计时，同时在显示器上按脉冲来递减显示。
2、 用基本的RS 触发器连接成防抖动开关，用空格键来控制与非门的输出来控制暂停和连续。
3、将两片74LS192接成24S 倒计时时，用555芯片来实现秒脉冲输入，较由CD4060芯片简单，容易实现，且参数可调。
（二）结果分析
1、拨动开关，当A=0时重新置数，当A=1时开始计数。当按空格键输出为0时暂停，当按空格键输出为1时继续。
2、当计时器从12分00秒递减到00分00秒时，数码显示器不灭灯，同时发光二极管发光报警。
3、手动控制K1和K2实现暂停和连续功能。
4、手动控制24S的开关，每次按下开关后开始倒计时，再按下开关后，计时器自动恢复为24S。
（三）在ISIS中进行仿真
1、在执行仿真命令时，不能进行其他操作。如果元件有误，系统会自动报错。
2、各个芯片需要在P库中去寻找，而电源、接地只需要按鼠标右键，选择终端POWER或GROUND。
心得体会
本次课程设计让我收获颇多。首先我学会了把大问题分解为一个一个的小问题，再逐个解决。记得开始我看到这个题目的时候，觉得完全超出了我的能力范围，不过后面经过仔细的思考再结合老师给出的方框图，一个方框一个方框的做就把问题简单化了。接下来，我开始收集资料，上网百度各个元件的引脚图，功能表。再结合这些材料进行连线，布局。最后，用ISIS进行仿真。之前我从未接触
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
《电子技术基础》节后思考与问题解答 第1章节后思考与问题解析 1.1 思考与问题解答： 1、什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？ 答：由于温度升高、光照作用等原因，使本征半导体中的价电子挣脱共价键的束缚游离到晶体中成为自由电子的现象称为本征激发，同样原因使价电子跳进相邻空穴的填补运动称为复合。在本征半导体中掺入五价杂质元素后，自由电子数量浓度大大于空穴载流子数量而成为多了；掺入三价杂质元素后，空穴载流子浓度大大于自由电子载流子数量而成为多子。 2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别？ 答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中有自由电子和空穴两种载流子同时参与导电，这是它们导电机理上的本质区别。 3、什么是本征半导体？什么是N型半导体？什么是P型半导体？ 答：经过提纯工艺后，使半导体材料成为具有共价键结构的单晶体，称为本征半导体。在本征半导体中掺入五价杂质元素后可得到N型半导体，N型半导体中多子是自由电子，少子是空穴，定域的离子带正电；本征半导体中掺入三价杂质元素后可得到P型半导体，P型半导体中多子是空穴，少子是自由电子，定域的离子带负电。 4、由于Ｎ型半导体中多数载流子是电子，因此说这种半导体是带负电的。这种说法正确吗？为什么？ 答：无论多子是自由电子或是空穴，只是载流子的数量不同，对于失电子的原子来讲，成为正离子，对于得电子的原子来讲，成为负离子。但是，整块半导体晶体中的正、负电荷数并没有发生变化，所以半导体本身呈电中性。 5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。这两种击穿能否造成PN结的永久损坏？ 答：雪崩击穿是碰撞式的击穿，通常在强电场下发生；齐纳击穿是场效应式的击穿，这两种击穿都属于电击穿，电击穿可逆，通常不会造成PN结的永久损坏。 6、何谓扩散电流？何谓漂移电流？何谓PN结的正向偏置和反向偏置？PＮ结具有哪种显著特性？ 答：PN结正向偏置时通过的多子形成的电流称为扩散电流，PN结反向偏置时出现的少子形成的电流叫做漂移电流。P区加电源正极、N区接电源负极为正向偏置，反之为反向偏置。PN结的显著特性是单向导电性。 1.2 思考与问题 1、何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？
四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案
教学过程 [引入新课] [新课教案] 一、什么是半导体？ 物质的导电能力介于导体和半导体之间。常见的半导体材料如硅、锗等。 二、半导体的基本特性 半导体的导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化。 1、掺杂性：在纯净的半导体中掺入及其微量的杂质元素，则它的导电能力将大大增强。 2、热敏性：温度升高，将使半导体的导电能力大大增强。 3、光敏性：对半导体施加光线照射时，光照越强，导电能力越强。 三、半导体的分类 分为本征半导体和杂质半导体。 1、本征半导体：不含其他杂质的纯净半导体。 【载流子：本征半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，但由于其载流子数量太少，且受温度影响太明显，因此本征半导体不能直接用来制造晶体二极管。】 2、杂质半导体 N型半导体：在本征半导体中掺入少量五价元素磷或砷，称为N型半导体。其多数载流子为电子，少数载流子为空穴，主要靠 自由电子导电。 P型半导体：在本征半导体中参入少量三家 元素铟或硼，称为P型半导体。其多数载流子 为空穴，少数载流子为电子，主要靠空穴导电。 [课后练习] 1、半导体与金属相比较有什么特点？ 答：（1）半导体的导电能力较弱 （2）金属靠自由电子导电，半导体靠自由电子和空穴导电。 2、半导体具有哪些特性？答：三个特性 3、什么是P型半导体？什么是N型半导体？ 答：主要靠空穴导电的是P型半导体，主要靠自由电子导电的是N型半导体。 4、N型半导体本身是带负电的还是中性的？为什么？
四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案
内容 教学 程序 引入——新课——小结 学情 分析 在元器件课程中学生了解一些基本知识。教学 方法 讲授 教学 重点 二极管的特性及特性曲线 教学 手段 多媒体教学视频 教学 难点 二极管的特性曲线及测量方法 板 书 设 计 晶体二极管 一、二极管的构成和符号二、二极管的导电特性三、例题 （一）构成（一）实验一四、二极管的检测 （二）符号（二）实验二 （三）分类 教 学 过 [引入新课] 以前在元器件当中我们学习过二极管的符号、作用、分类和实训测量方法，以前学的是外表上面的，本书所讲的是从外到内的。 [新课教案] 一、二极管的结构和符号 （一）结构 在本征半导体上利用特殊工艺分别渗入硼元素和磷元素加工出一半是P型半导体、一半是N型半导体，在P型和N型半导体的结合部位形成一个特殊的结构，即PN结， PN结是构成各种半导体器件的基础。 在P区和N区两侧各接上电极引线，并将其封装在密封的壳体中，即构成半导体二极管，如图。接在P区的引线称为阳极（正极）用a表示，接在N区的引线称为阴 极或负极，用k表示。 二极管的核心即是一个PN结。 （二）符号
数字电子技术基础 模拟卷1 一、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是： （D ） A 、（56）10= （0011 1000）8421BCD B 、（56）10= （0011 1001）8421BCD C 、（56）10= （0101 1000）8421BCD D 、（56）10= （0101 0110）8421BCD 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是： （C ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时，输出才为1，否则输出为0，这种逻辑关系叫做： （A ） A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、在功能表中×的含义是： （ D ） A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、高低电平都不可以 D 、高低电平都可以 5、下列4个电路中能实现AB L 逻辑关系的是： （ C ） A A ≥1 & B B B A L 1 L =1 B A =1 A B C D 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为： （ B ） A 、0V B 、0.3V C 、1.4V D 、1.8V 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是： （B ） A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 D 、计数器 8、下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是： （ A ） A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 D 、RS 触发器 9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是： （A ） A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态，存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路
第一章数字电路基础 第一部分基础知识 一、选择题 1．以下代码中为无权码的为。 A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 2．以下代码中为恒权码的为。 A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。 A.１ B.２ C.４ D. 16 4．十进制数25用8421BCD码表示为。 A.10 101 B.0010 0101 C. D.10101 5．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。 A.（256）10 B.（127）10 C.（FF）16 D.（255）10 6．与十进制数（53.5）10等值的数或代码为。 A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(.1)2 D.(65.4)8 7．矩形脉冲信号的参数有。 A.周期 B.占空比 C.脉宽 D.扫描期 8．与八进制数(47.3)8等值的数为： A. (.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (.11)2 9.常用的B C D码有。 A.奇偶校验码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码 10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。 A.容易设计 B.通用性强 C.保密性好 D.抗干扰能力强 二、判断题（正确打√，错误的打×） 1. 方波的占空比为0.5。（） 2. 8421码1001比0001大。（） 3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。（） 4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。（） 5．八进制数（18）8比十进制数（18）10小。（） 6．当传送十进制数5时，在8421奇校验码的校验位上值应为1。（）
电子技术基础
电子技术基础 电阻： 1:作用：用于降压限流。 2:符号: 它一般用“ R”表示。单位为欧姆（） 3:串并联. 串联：R=R1+R2+ …Rn 1=11=12= …Rn U=U1+U2+ …Un 并联：R\仁R1\1+R2\1+ … Rn\1 1=11+12+ …In U=U1=U2= ?…Un 分压公式：R2\R仁U2\U1分流公式：R2\R1=I1\I2 4:电阻的分类。 1:固定电阻（不可调的电阻） 按结构分｛2 :可变电阻（可调的电阻） 1:碳膜电阻（RT） 按材料分｛2:金属膜电阻（RJ） 3:线绕电阻（RX 5 :电阻的参数。 8\1W 色4\1W 勺标 2\1W1W 5W10W 颜色第一色第二色第三色第四色环环环环 黑10 棕 1 1 10 红 2 2 10 橙 3 3 10 黄 4 4 10 绿 5 5 10 蓝 6 6 10 紫7 7 10 灰8 8 10 白9 9 10
10 ± 5% 10 士 10% ± 20% 标停他第?位仆效Bt 字 标称（ff 第二位右毀做字 ； 标《MH 刊迪敷后o 的亍他 6:热敏电阻 —~C 符号： 热敏电阻的温度系数。 正温度系数：温度升高阻值变大，温度下降阻值变小。 负温度系数：温度升高组织变小，温度下降组织变大。 7:压敏电阻。 压敏电阻在没有超过它的额定电压时， 它的阻值很大，对电路没有影响。当外界电压超过 它 的额定电压时，压敏电阻被击穿 220V 短路造成保险丝熔断。 二.电容器 金 银 本色
1■符号: 它一般用“ C ”表示。 2■组成。 它是由两块平行的半导体中间隔着绝缘介质构成。 3.特性。 1■通交流隔直流（通高频阻低频）。2■充电放电特性。 4■什么叫电容放电？ 当电容两端电压高于外电路电压时电容器就开始放电，放电时间长短与电阻和电容的容量有关，电阻越大容量越大放电越慢，要想让电容器快速放电只需将电容两端直接短路就可以直接放电（只适用于容量小的电容）。 5■电容的基本单位： 法拉（F） 毫法拉（Mf）微法拉（uF）纳法拉（nf）皮法拉（pF） 凡是用整数表示电容大小，而且没有标单位的，通常表示pF （电解电容除外） 凡是用小数表示电容大小，而且没有标单位的，通常表示uF。 6■电容的容抗。 电容器虽然具有通交流，但对交流电也有阻碍作用，通常称这种阻碍作用为容抗（Xc） 公式：Xc=1/2 Fc X c—容抗（）F—频率（HZ） C —容量（F） 从式中可以看出当“C” 一定时，容抗与交流电的频率成反比频率越高容抗越小阻碍作用越小，因此电容具有通高频阻低频。当“ F” 一定时容抗与电容量的大小也成反比容量越大容抗越小，因此容量大的电容一般用于低频电路中，容量小的电容用于高频电路中。 7.电容的串并联： ①电容的串联：1/C总=1/C1+1/C2+ ?…+1/Cn U总=U1+U2十…Un 电容串联容量变小，耐压值变高。 ②电容的并联：C总=C1+C2+ ? ? +Cn U总=U仁U2= ? ? =Un 电容并联电容的容量增大，它的耐压值以最小值为算。 K —静电力恒量S—正对面积d—正对距离一介电常数—正比与9 x 109牛顿米/库伦 从公式可以看出电容器的大小和它的正对面积成正比与它的正对距离成反比，要想改变电容的大小要改变面积或距离，在实际的运用当中两个极板的距离是一定的，通过改变面积来实现电容容量的大小改变。 8.电容器的分类： 固定电容瓷片电容 按结构分可变电容按材料分｛涤棱电容 云母电容 9.电容器的参数： ①电容量②耐压值 10.电容器的好坏判别: ①C v O.OluF以下的电容。用R X 10K档测量，表针几乎不动是好的。若表针回到表盘中间某个位置，说明电容漏电，若表针回到零点说明被击穿。 ②O.OlUf 、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是: 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是: 系叫做: 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为: 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是: &下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是: A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是: A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 数字电子技术基础 模拟卷1 A 、(56) 10= ( 0011 1000 8421BCD B 、 (56) 10= ( 0011 1001) 8421BCD C 、(56) 10= ( 0101 1000) 8421BCD D 、 (56) 10= ( 0101 0110) 8421BCD A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时, 输出才为 1,否则输出为0,这种逻辑关 A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、 在功能表中刈勺含义是: A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、咼低电平都不可以 D 、咼低电平都可以 5、 下列4个电路中能实现L AB 逻辑关系的是: >1 =1 >1 =1 D- A 、0V B 、0.3V C 、1.4V D 、1.8V A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 计数器 RS 触发器 B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态， 存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路 10、已知静态RAM2114的存储容量为1K X 4位，若要扩展存储容量为 需要几片2114 D 、16 片 12、5G7520为10位集成数模转换器，设参考电压 V REF =10V ，R F =R , 、多项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出至少两个正确答案，并将其 2、描述触发器逻辑功能的方法有: 3、比较下列几个数的大小，正确的结果是: D 、(2A ) 16 >( 101101) 2 4、在下式中选出正确的逻辑代数公式: 4KX8 位, 11、已知逻辑函数 L A B D ，则其反函数F 为: A 、A BCD B 、A BCD C 、A BCD D 、 A BCD 当输入全 1时，输出电压的绝对值为： 10V C 10V ——255 B 、—— 1 256 1024 B 、 C 、 10V ——1023 1024 D 、 10V —— 1 256 号码分别填在题干的括号内。多选、少选、 错选均无分。) 1、逻辑函数L (AB AB)C 中，变量A 、 B 、C 取哪些值时, L 的值为1。 A 、ABC 取 011 B 、AB C 取 101 C 、ABC 取 000 ABC 取 111 A 、功能表 B 、特征方程 C 、状态转换图 D 、驱动表 A 、(46) 8>( 39) 10 B 、(2A ) 16>( 39) 10 C 、(101101) 2>( 39) 10 学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。 一、单选题（共 30 道试题，共 60 分。） 1. 图示电路，在参数设计合理，电路能正常工作的条件下，输出电压u o的波形是( ) A. 正弦波 B. 方波 C. 三角波 D. 锯齿波 正确答案：B 满分：2 分 2. 逻辑函数可化简为（） A. A B. B C. C D. D 正确答案：A 满分：2 分 3. 某10位A/D转换器的参考电压为10V，则该A/D转换器能分辨出的输入模 拟电压的最小变换量为( ) A. 4.88mV B. 9.76mV C. 19.53mV D. 39.06mV 正确答案：B 满分：2 分 4. 运放组成的放大电路如图所示，R F引入的级间反馈类型为（） A. 串联电压负反馈 B. 串联电流负反馈 C. 并联电压负反馈 D. 并联电流负反馈 正确答案：D 满分：2 分 5. 直流电源电路如图所示，变压器电压为220V/18V，稳压管稳定电压为6V，三极管U BE= 0.6V，电阻R3 = R4 = 510Ω，R P = 390Ω，输出电压u O的调节范围( ) A. A B. B C. C D. D 正确答案：B 满分：2 分6. 电路如图所示，设二极管D 1、D 2 为理想元件，则输出电压U O为( ) A. 0V B. -15V C. -15V D. 25V 正确答案：A 满分：2 分 7. 某D/A转换器的参考电压为10V，如要求其最小输出电压不大于9.766mV，则该D/A转换器的位数至少应为( ) A. 8位 B. 9位 C. 10位 D. 11位 正确答案：C 满分：2 分 8. 图示RC正弦波振荡电路的振荡频率为( ) 第一章数字逻辑基础 第一节重点与难点 一、重点： 1.数制 2.编码 (1) 二—十进制码（BCD码） 在这种编码中，用四位二进制数表示十进制数中的0~9十个数码。常用的编码有8421BCD码、5421BCD码和余3码。 8421BCD码是由四位二进制数0000到1111十六种组合中前十种组合，即0000~1001来代表十进制数0~9十个数码，每位二进制码具有固定的权值8、4、2、1，称有权码。 余3码是由8421BCD码加3（0011）得来，是一种无权码。 (2)格雷码 格雷码是一种常见的无权码。这种码的特点是相邻的两个码组之间仅有一位不同，因而其可靠性较高，广泛应用于计数和数字系统的输入、输出等场合。 3.逻辑代数基础 (1)逻辑代数的基本公式与基本规则 逻辑代数的基本公式反映了二值逻辑的基本思想，是逻辑运算的重要工具，也是学习数字电路的必备基础。 逻辑代数有三个基本规则，利用代入规则、反演规则和对偶规则使逻辑函数的公式数目倍增。 (2)逻辑问题的描述 逻辑问题的描述可用真值表、函数式、逻辑图、卡诺图和时序图，它们各具特点又相互关联，可按需选用。 (3)图形法化简逻辑函数 图形法比较适合于具有三、四变量的逻辑函数的简化。 二、难点： 1.给定逻辑函数，将逻辑函数化为最简 用代数法化简逻辑函数，要求熟练掌握逻辑代数的基本公式和规则，熟练运用四个基本方法—并项法、消项法、消元法及配项法对逻辑函数进行化简。 用图形法化简逻辑函数时，一定要注意卡诺图的循环邻接的特点，画包围圈时应把每个包围圈尽可能画大。 2.卡诺图的灵活应用 卡诺图除用于简化函数外，还可以用来检验化简结果是否最简、判断函数间的关系、求函数的反函数和逻辑运算等。 3.电路的设计 在工程实际中，往往给出逻辑命题，如何正确分析命题，设计出逻辑电路呢？通常的步骤如下： 1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电 压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。 《电子技术基础》课程习题集 西南科技大学成人、网络教育学院所有 习题 【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。 一、单选题 1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处 在（）状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2.二极管的主要特性是（）。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在N型半导体中（）。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时， I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。 A.50 B.80 C.100 D. 6.稳压管的稳压是其工作在（）。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为 （）。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管 处于（）状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿 10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.大于或等于 11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。 A.自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.磷元素 12.三极管工作在放大区的条件是（）。 A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结正偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结反偏 13.下列关于半导体的说确的是（）。 A.P型半导体带正电，N型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态 C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D.以上说法都是错误的 14. PN结加正向电压时，空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D.不确定 15.当温度升高时，二极管反向饱和电流将( ) A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 16.以下电路中，可用作电压跟随器的是（）。 A．差分放大电路B．共基放大电路C．共射放大电路D．共集放大电路17.共模抑制比K 是（）。 CMRR A. 差模输入信号与共模输入信号之比 B. 输入量中差模成份与共模成份之比 C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比 D. 交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比 18.下列哪种失真不属于非线性失真（）。 《电子技术基础》课程设计 总结报告 篮球比赛计时器 指导教师：万星 设计人员：张馨月 学号：10240305 班级：电气3班 日期：2012-6-25 目录 ⑴设计任务与基本要求 ①设计任务 篮球比赛计时器是一种体育比赛计时装置，经过改造可满足多种要求和场合。利用中小规模集成电路设计一个数字显示的简易篮球比赛计时器。 ②基本要求 ●篮球比赛上下半场四节制，每节12 min，要求能随时暂停，启动后继续计时，一节比赛结束后应可清零。 ●按篮球比赛规则，进攻方有24 s为倒计时。要求进攻方得到发球权后，必须在24 s内完成一次进攻，否则将球权判给对方，因此需要一个具有24 s的倒计时功能。 ●“分”、“秒”显示用LED数码管，应配用相应译码器。 ●用扭子开关控制计时器的启动／暂停。 ●24s计时时间到、每节结束和全场结束能自动音响提示。 （2）设计框图及整体概述 篮球比赛计时器实际上是一种多功能倒计时装置，它包括12 min、24 s倒计时，按键启停功能和自动音响提示等，其组成原理框图如上图所示。该电路主要由秒信号发生电路、启停电路、声响电路、门控电路、显示电路和计数电路等组成。一旦发球，启停电路启动，计时器开始工作，即12 min、24 s倒计时同时工作。当发球权交给对方时，24 s倒计重新开始计时，而12 min倒计时继续工作。当启停电路暂停时，12 min、24 s倒计器保持原来的数据不变，等到重新启动开始工作。 （3）设计思路 篮球比赛计时器的主要功能包括：12分钟倒计时，进攻方24秒倒计时暂停，重新开启和结束提示。该计时系统由以下四个电路模块组成： 1秒时集产生器：这部分利用32.768KHz需要通过分频器，最终产生1Hz的电信号，驱动整个电路的运作。这一模块主要是利用CD4060分频功能和74LS73D触发器来实现。 12分钟倒计时：这部分电路完成12分钟倒计时的功能，比赛准备开始时，屏幕显示12：00，然后利用74LS192的减计数的功能，从12：00变化到00:00. 攻方24秒倒计时：这部分电路与12分钟倒计时功能类似，当比赛开始时，屏幕上显示24秒字样，当比赛开始后，倒计时从24逐秒倒数到00.这一模块也是利用双向计数器74LS192来实现。 节数计次：四个LED分别表示四场节次，根据比赛场次的转变，用适当的方法使这四个LED依次自动指示四场节次。 音响控制电路：用TTL的功率门或OC门可以直接驱动小功率喇叭发声。CP是周期1S的矩形波，则会产生响一下停一下，响停共一秒的声音。 总体电路说明：倒计时功能主要是利用192计数芯片来实现，同时利用反馈和置数实现进制的转换，以适合分和秒的不同 电子技术基础习题答案文档编制序号：[KK8UY-LL9IO69-TTO6M3-MTOL89-FTT688] 第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电 极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对） 数字电子技术基础 模拟卷1 一、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是： （ ） A 、（56）10= （0011 1000）8421BCD B 、（56）10= （0011 1001）8421BCD C 、（56）10= （0101 1000）8421BCD D 、（56）10= （0101 0110）8421BCD 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是： （ ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时，输出才为1，否则输出为0，这种逻辑关系叫做： （ ） A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、在功能表中×的含义是： （ ） [ A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、高低电平都不可以 D 、高低电平都可以 5、下列4个电路中能实现AB L 逻辑关系的是： （ ） L A A ≥1 & B B B A L 1 L =1 B A =1 A B C D 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为： （ ） A 、0V B 、 C 、 D 、 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是： （ ） A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 D 、计数器 8、下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是： （ ） A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 D 、RS 触发器 … 9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是： （ ） A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态，存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路 10、已知静态RAM2114的存储容量为1K×4位，若要扩展存储容量为4K ×8位，需要几片2114 （ ） A 、4片 B 、2片 C 、8片 D 、16片 11、已知逻辑函数D C B A L ++?=，则其反函数F 为： （ ） A 、D C B A ??+ B 、D C B A ??+ C 、 D C B A ??+ D 、D C B A ??+ 12、5G7520为10位集成数模转换器，设参考电压V REF =10V ，R F =R ，当输入全1时，输出电压的绝对值为： （ ） { A 、25525610V ? B 、1102410V ? C 、1023102410V ? D 、1256 10V ? 二、多项选择题（在每小题的四个备选答案中，选出至少两个正确答案，并将其号码分别填在题干的括号内。多选、少选、错选均无分。） 1、逻辑函数C B A B A L )(+=中，变量A 、B 、C 取哪些值时，L 的值为1。 （ ） （ ） （ ） （ ） A 、ABC 取011 B 、AB C 取101 C 、ABC 取000 D 、ABC 取111 2、描述触发器逻辑功能的方法有： （ ） （ ） （ ） （ ） A 、功能表 B 、特征方程 C 、状态转换图 D 、驱动表 3、比较下列几个数的大小，正确的结果是： " 第1章电路的基本定律与分析方法 【思1.1.1】(a) 图U ab＝IR＝5×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 (b) 图U ab＝－IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (c) 图U ab＝IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (d) 图U ab＝－IR＝－(－5)×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 【思1.1.2】根据KCL定律可得 (1) I2＝－I1＝－1A。 (2) I2＝0，所以此时U CD＝0，但V A和V B不一定相等，所以U AB不一定等于零。 【思1.1.3】这是一个参考方向问题，三个电流中必有一个或两个的数值为负，即必有一条或两条支路电流的实际方向是流出封闭面内电路的。 【思1.1.4】(a) 图U AB＝U1＋U2＝－2V，各点的电位高低为V C＞V B＞V A。 (b) 图U AB＝U1－U2＝－10V，各点的电位高低为V B＞V C＞V A。 (c) 图U AB＝8－12－4×(－1)＝0，各点的电位高低为V D＞V B(V A＝V B)＞V C。 【思1.1.5】电路的电源及电位参考点如图1-1所示。当电位器R W的滑动触点C处于中间位置时，电位V C＝0；若将其滑动触点C右移，则V C降低。 【思1.1.6】(a) 当S闭合时，V B＝V C＝0，I＝0。 当S断开时，I＝ 12 33 +＝2mA，V B＝V C＝2×3＝6V。 (b) 当S闭合时，I＝－6 3 ＝－2A，V B＝－ 3 21 + ×2＝－2V。 当S断开时，I＝0，V B＝6－ 3 21 + ×2＝4V。 【思1.1.7】根据电路中元件电压和电流的实际方向可确定该元件是电源还是负载。当电路元件上电压与电流的实际方向一致时，表示该元件吸收功率，为负载；当其电压与电流的实际方向相反时，表示该元件发出功率，为电源。 可以根据元件电压与电流的正方向和功率的正、负来判别该元件是发出还是吸收功率。例如某元件A电压、电流的正方向按关联正方向约定，即将其先视为“负载模型”，如图1-2(a)所示，元件功率P＝UI。设U＝10V(电压实际方向与其正方向一致)，I＝2A(电流实际方向与其正方向一致)，U、I实际方向一致，P＝UI＝10×2＝20W＞0(P值为正)，可判断A元件吸收功率，为负载。设U＝10V(电压实际方向与其正方向一致)，I＝－2A(电流实际方向与其正方向相反)，U、I实际方向相反，P＝UI＝10×(－2)＝－20W＜0(P值为负)，可判断A元件发出功率，为电源。 电子技术基础模拟题1 一 、填空题（每空2分，合计60分） 1． N 型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 ， P 型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 。 答案：自由电子、空穴、空穴、自由电子 2. 二级管的伏安特性可分为 、 和 三部分来说明。 答案：正向特性、反向特性、反向击穿特性 3. 稳定静态工作点的方法有 和 。 答案：针对温度影响，采取温度补偿的方法、在电路上采取措施，自 动稳定工作点——分压式工作点稳定电路 4. 多级放大电路的常用耦合方式有 、 和 。 答案：阻容耦合、直接耦合、变压器耦合 5. 放大电路有 、 和 三种工作状态 答案：甲类工作状态、甲乙类工作状态、乙类工作状态 6. 理想运算放大器工作在线性区时满足“虚短”和“虚断”，“虚短”是 指 ，用公式表达为 ，“虚断”是指 用公式表达为 。 答案：理想运放的差模输入电压等于零、 、 理想运放的输入 电流等于零、 。 7. 按输入电压允许的极性分类，乘法运算电路可分为 、 和 。 答案：四象限乘法电路、二象限乘法电路、单象限乘法电路 8. 正弦波振荡电路是指电路本身能自动产生特定 、 和 的正弦波信号。 答案：频率、振幅、稳定度 9. n 个变量的逻辑函数最多可有 个最小项。 -+=u u 0 ==-+i i 答案： 10.与非门的电压传输特性可分为 、 、 和 四个区段。 答案：截止区、线性区、转折区、饱和区 二、简答题（每题10分 合计40分） 1. 解释何谓零点漂移现象，并简单解释基本差动放大电路为什么能够抑制 零点漂移？ 答案：把一个多级直接耦合放大电路的输入端短路，测其输出电压，就 会观察到它并不保持恒值，而在缓慢地、无规则地变化着的现象 称之为零点漂移。 抑制零点漂移的原理： 静态时，即P75页图3.2中两输入端短路，因电路的对称性，两 边的集电极电流相等，集电极电位也相等，即 故输出端电压 温度升高时，两管集电极电流都增大，集电极电位都下降，且两 边的变化量相等，即 虽然每个管都产生了零点漂移，但是由于两个集电极电位变化大 小相等，方向相反，互相抵消，故输出电压依然为零，即 2. 请分别写出JK 触发器、D 触发器、T 触发器和T’触发器的特性方程。 答案： 、 、 、 n 22 121C C C C U U I I ==0 21=-=C C o U U U 2 121C C C C U U I I ?=??=?0 21=?-?=C C o U U U 1n n n Q JQ KQ +=+1n Q D +=1n n n Q TQ TQ +=+1n n Q Q +=完整版数字电子技术基础1
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