光敏二极管和光敏三极管
光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优。
一、光敏二极管
1．结构特点与符号
光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件，但在结构上有
其特殊的地方。
光敏二极管在电路中的符号如图Z0129 所示。光敏二极管使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。
2．光电转换原理
根据PN结反向特性可知，在一定反向电压范围内，反向电流很小且处于饱和状态。此时，如果无光照射PN结，则因本征激发产生的电子-空穴对数量有限，反向饱和电流保持不变，在光敏二极管中称为暗电流。当有光照射PN结时，结内将产生附加的大量电子空穴对（称之为光生载流子），使流过PN结的电流随着光照强度的增加而剧增，此时的反向电流称为光电流。
不同波长的光（兰光、红光、红外光）在光敏二极管的不同区域被吸收形成光电流。被表面P型扩散层所吸收的主要是波长较短的兰光，在这一区域，因光照产生的光生载流子（电子），一旦漂移到耗尽层界面，就会在结电场作用下，被拉向N区，形成部分光电流；彼长较长的红光，将透过P型层在耗尽层激发出电子一空穴对，这些新生的电子和空穴载流子也会在结电场作用下，分别到达N区和P区，形成光电流。波长更长的红外光，将透过P型层和耗尽层，直接被N区吸收。在N区内因光照产生的光生载流子（空穴）一旦漂移到耗尽区界面，就会在结电场作用下被拉向P区，形成光电流。因此，光照射时，流过P N结的光电流应是三部分光电流之和。
二、光敏三极管
光敏三极管和普通三极管的结构相类似。不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏二极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通二极管。其结构及符号如图Z0130所示。
当人射光子在基区及集电区被吸收而产生电子一空穴对时，便形成光生电压。由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了β倍的信号电流。因此，光敏三极管是一种相当干将基极、集电极光敏二极管的电流加以放大的普通晶体管放大。
1、判断光敏三极管C、E极性，方法是用万用表20M电阻测试档，测得管阻小的时候红表棒端触脚为C极，黑表棒为E极。
2、暗电流测试：
按图（11）接线，稳压电源用±12V，调整负载电阻RL阻值，使光敏器件模板被遮光罩盖住时微安表显示有电流，这即是光敏三极管的暗电流，或是测得负载电阻RL上的压降V暗，暗电流LCEO=V暗/RL。（如是硅光敏三极管，则暗电流可能要小于10-9A，一般不易测出。
3、光电流测试：
缓慢地取开遮光罩，观察随光照度变化测得的光电流I光的变化情况，并将所测数据填入下表：
通过实验比较可以看出，光敏三极管与光敏二极管相比能把光电流放大（1+HFE）倍，具有更高的灵敏度。
1、伏安特征测试：
光敏三极管在给定的光照强度与工作电压下，将所测得的工作电压Vce与工作电流记录，工作电压可从±4V~±12V变换，并作出一组V/I曲线。
2、光谱特性测试：
对于一定材料和工艺制成的光敏管，必须对应一定波长的入射光才有响应。按图（11）接好光敏三极管测试电路，参照光敏二极管的光谱特性测试方法，用各种光源照射光敏三极管，测得光电流，并做出定性的结论。
3、光电特性测试：
图（12）光敏三极管的温度特性图（13）光敏三极管的光电特性曲线
在外加工作电压恒定的情况下，照射光通量与光电流的关系见图（13），用各种光源照射光敏三极管，记录光电流的变化。
4、温度特性测试：
光敏三极管的温度特性曲线如图（12）所示
实用文案 二极管图 三极管工作原理 三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基 本原理。 穂压二郴皆 表亍拆号.込6口 ZD,D 齐于特是-□ . “ 光硕二概苛葩光电接収二巒炭:?t_很首 駅亍咼号：U.VT 車示帝号 ：Q,vr ■J'L hL H九世总 NPMSl三极普 表示持号：Q.VT 亵示符冒o 福压二Hi育 靑示時耳一口 艇谭二松苛隨谨二機営 净恃至二娜苗 潮看得■ : LED 翼台SflJ世 光嗽三慨営电接收三世 斫將号:LED
一、电流放大 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流 lb ;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流lc。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的B倍，即电流变化被放大了B倍，所以我们把B叫做三极管的放大倍数（B一般远大于1,例如几十，几百）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流lb 的变化，lb 的变化被放大后，导致了lc 很大的变化。如果集电极电流lc 是流过一个电阻R 的，那么根据电压计算公式U=R*l 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 二、偏置电路三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V ）。当基极与发射极之间的电压小于0.7V 时，基极电流就可以认为是0 。但实际中要放大的信号往往远比0.7V 要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变（因
常用电阻、二极管、三极管参数资料 1．固定电阻器的主要参数 固定电阻器的主要参数是标称阻值、允许误差和额定功率。 （1）标称阻值和允许误差 电阻器上标志的阻值叫标称值，而实际值与标称值的偏差，除以标称值所得的百分数叫电阻的误差，它反映了电阻器的精度。不同的精度有一个相应的误差，表1列出了常用电阻器的允许误差等级（精度等级）。 表1 常用电阻器允许误差的等级 目前固定电阻器大都为I级或II级普通电阻，而且III级很少，能满足一般应用的要求，02、01、005级的精密电阻器，一般用于测量仪器，仪表及特殊设备电路中。 国家有关部门规定了阻值系列作产品的标准，表2是普通电阻器系列表。表中的标称值可以乘以10n，例如，4．7这个标称值，就有0．47Ω、4．7Ω、47Ω、470Ω、4．7KΩ……。选择阻值时必须在相应等级的系列表中进行。 表2 电阻器系列及允许误差 （2）电阻器的额定功率 电阻器长时间工作允许所加的最大功率叫额定功率。电阻器的额定功率，通常有1/8、1／4、1／2、1、2、3、5、10瓦等。表示电阻器额定功率的通用符号见图1。大于1W的则用阿拉伯数字表示。 2．固定电阻器的主要参数的标志方法 （1）电阻器的额定功率、阻值及允许误差一般都标在电阻器上。额定功率较大的电阻器，一般都将额定功率直接印在电阻器上。额定功率较小的电阻器，可以从它的几何尺寸和表面面积上看出，一般0.125 w、0.25w电阻器的直径约2．5毫米，长约7-8毫米；0．5W电阻器的直径约4．5毫米，长约10-12毫米。 （2）电阻值及允许误差有三种表示法，即直标法、文字符号法和色标法。直标法是阻值和允许误差直接标明，如2KΩ±5％；文字符号法是阻值用数字与符号组合在一起表示，组合规律如下：文字符号Ω、K、M前面的数字表示整数阻值，文字符号Ω、K、M后面的数字表示小数点后面的小数阻值。允许误差用符号、J＝±5％、K＝±10％、M＝±20％。例如5Ω1J表示5．1Ω±5％。这种表示法可避免因小数点脱
第一章二极管及其应用 二极管 1、自然界中的物质，按照导电能力的不同，可分为_______、_______和______。 2、半导体的导电性能：_______________，常用的半导体材料有_____、_____。 3、半导体的导电性能：________、_______、________。 4、本征半导体：_____________半导体。 本征半导体硅或锗---__价磷元素----N型半导体（多数载流子为带__电的______） ---__价硼元素----P型半导体（多数载流子为带__电的_____） 5、二极管的材料和极性： 举例：2CZ______________________ 2AP______________________ 2BU______________________ 2DW_____________________ 6、二极管：将P型半导体和N型半导体结合在一起，在结合处形成一个特殊的薄层，即_______，一个_______可以制作一只二极管。 7、二极管的图形符号和文字符号：________________（标出正负极）。 8、二极管的重要特性：_____________ 即：_______________________________________。 9、二极管的伏安特性：表示二极管两端的____和流过二极管的____之间的关系。 伏安特性曲线：表示二极管两端的电压和流过二极管的电流变化的关系曲线。 二极管的伏安特性包括：__________和_________。 （2）正向特性：二极管加正向电压（正极接____电位，负极接____电位），超过________时，二极管开始_________。
模拟电子技术部分习题及答案 ——直流稳压电源项目 一、二极管与三极管的基础知识 二极管习题 一、熟悉概念与规律 1．半导体 2．P型半导体 3．N型半导体 4．PN结 5．单向导电性 6．整流二极管 7．稳压二极管 8．发光二极管 9．开关特性 10．三极管 11．三极管的饱合特性 12．三极管的截止特性 13．三极管的放大特性 二、理解与计算题 1．当温度升高时，二极管的正向压降_ 变小，反向击穿电压变小。 2．硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是（C——调压限流）。 A、提供偏流 B、仅限流电流 C、兼有限流和调压两个作用 3. 有两个2CW15 稳压管，一个稳压值是8V，另一个稳压值是7.5V，若把两管的正极 并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是（B—— 7.5V）。 8V；B、7.5V；C、15.5V 4．稳压管DW稳压值为5.3V，二极管VD正向压降0.7V，当VI 为12V时，DW和VD 是否导通，V0 为多少？R电阻的作用。
答：DW和VD 不导通，V0 为5.3V，R电阻的作用是分压限流。 5．下图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？（） 6．在图所示的电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将_____。 A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA 7．图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo 的波形应为图示_______图。 8．图所示的电路中，Dz1 和Dz2 为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V 和7V，且具有理想的特性。由此可知输出电压Uo 为_______。 9．二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的 ____________和反映反向特性的____________。 10．图所示是一个输出6V 正电压的稳压电路，试指出图中有哪些错误，并在图上加以改正。
二极管与三极管讲解 有些人在学习电子技术的时候对PN结、二极管、三极管不太了解，看书吧，讲的太深奥，不太明白，我用通俗的语言给大家讲一讲，希望能帮助大家，也许我讲的不怎么正确，但是我感觉基本思路是正确的，等你学的透彻以后再根据自己的见解纠正我的错误。 一、PN结 N型半导体：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。 P型半导体：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。（空穴可以移动）二、扩散运动 PN结中间相接触的部分，P带负电，N带空穴（正点），相互结合，PN结中间部分中和成不带电，但是P为负离子，N为正离子，所以形成了内部电场，方向由N指向P促使漂移运动产生。 三、漂移运动 在内部电场的作用下，N型半导体与P型半导体不接触部分的空穴（N和P都不是绝对的只有空穴和电子，而是相对来说的。空穴可以移动，带正电）在电场作用下向P运动，相反，P中的电子向N运
动，这就是漂移，因为N中的空穴很少，P中的电子很少，所以漂移运动不是很明显。 四、二极管 如果在PN结外部接一个正向电压，负极接N，正极接P，那么就加强了扩散运动，所以通过PN结的电流更容易，反之就为漂移运动，所以电流不能顺利通过，（反向截止），这样就产生了二极管。 五、二极管压降 压降的意思是：电压的损失，也就是通过二极管的时候，有电压损失，也就是正向偏置的时候，二极管可以看成一个小电阻。在这个小电阻的两端就是二极管的压降。 六、三极管 ；；；；；；；； 至于三极管、放大电路、整流、滤波、二极管的伏安特性曲线，三极管输入输出曲线等等，如果你感觉以上写的对你有帮助，就请加我QQ（912853255），我把你想要的部分用通俗的语言写出来。然后发给你。
9月28日 常用二极管参数 整流二极管主要参数 50V 100V 200V 300V 400V 500V 600V 800V 1000V 1A 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1.5A 1N5391 1N5392 1N5393 1N5394 1N5395 1N5396 1N5397 1N5398 1N5399 2A PS200 PS201 PS202 PS204 PS206 PS208 PS209 3A 1N5400 1N5401 1N5402 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408 1N5409 稳压二极管主要参数 型号最大功耗(mW) 稳定电压(V) 电流(mA) 代换型号 国产稳压管日立稳压管 最小值最大值新型号旧型号 HZ4B2 500 3.8 4 5 2CW102 2CW21 4B2 HZ4C1 500 4 4.2 5 2CW102 2CW21 4C1 HZ6 500 5.5 5.8 5 2CW103 2CW21A 6B1 HZ6A 500 5.2 5.7 5 2CW103 2CW21A HZ6C3 500 6 6.4 5 2CW104 2CW21B 6C3 HZ7 500 6.9 7.2 5 2CW105 2CW21C HZ7A 500 6.3 6.9 5 2CW105 2CW21C HZ7B 500 6.7 7.3 5 2CW105 2CW21C HZ9A 500 7.7 8.5 5 2CW106 2CW21D HZ9CTA 500 8.9 9.7 5 2CW107 2CW21E HZ11 500 9.5 11.9 5 2CW109 2CW21G HZ12 500 11.6 14.3 5 2CW111 2CW21H HZ12B 500 12.4 13.4 5 2CW111 2CW21H HZ12B2 500 12.6 13.1 5 2CW111 2CW21H 12B2 HZ18Y 500 16.5 18.5 5 2CW113 2CW21J HZ20-1 500 18.86 19.44 2 2CW114 2CW21K HZ27 500 27.2 28.6 2 2CW117 2CW21L 27-3 HZT33-02 400 31 33.5 5 2CW119 2CW21M RD2.0E(B) 500 1.88 2.12 20 2CW100 2CW21P 2B1 RD2.7E 400 2.5 2.93 20 2CW101 2CW21S RD3.9EL1 500 3.7 4 20 2CW102 2CW21 4B2 RD5.6EN1 500 5.2 5.5 20 2CW103 2CW21A 6A1 RD5.6EN3 500 5.6 5.9 20 2CW104 2CW21B 6B2 RD5.6EL2 500 5.5 5.7 20 2CW103 2CW21A 6B1 RD6.2E(B) 500 5.88 6.6 20 2CW104 2CW21B RD7.5E(B) 500 7 7.9 20 2CW105 2CW21C RD10EN3 500 9.7 10 20 2CW108 2CW21F 11A2 RD11E(B) 500 10.1 11.8 15 2CW109 2CW21G RD12E 500 11.74 12.35 10 2CW110 2CW21H 12A1 RD12F 1000 11.19 11.77 20 2CW109 2CW21G RD13EN1 500 12 12.7 10 2CW110 2CW21H 12A3 RD15EL2 500 13.8 14.6 15 2CW112 2CW21J 12C3
第一节 三极管的结构与基本性能 一、理想二极管的正向导通特性 二极管对电流具有单向导通的特性，硅材料二极管的正向导通电流与正向电压之间的关系曲线如图1.1.1所示。 图1.1.1 理想二极管的正向导通特性 (一)导通电压与导通通电流之间的对应关系 二极管在正向电压为0.4V 左右时微弱导通，0.7V 左右时明显导通。导通电压与导通电流之间的变化关系是，导通电压每变化9mV ，导通电流会变化倍。 (二)二极管正向导通电压与导通电流之间的对应关系 )9(002 mV U U n n I I -?= (1.1.1) 或)18(002mV U U n n I I -?= (1.1.2) 或)(log 290 20I I mV U U n n ?+= (1.1.3) U 0为二极管正向导通时的某静态电压，U n 为二极管在U 0的基础上变化后的电压。 I 0为二极管加上正向导通电压U 0时的正向导通电流，I n 为二极管与U n 相对应的正向导通电流。 例如：某二极管的在导通电压U 0=0.700V 时，导通电流为I 0=1mA ，求导通电压分别变化到U n1=0.682V 、U n2=0.691V 、U n3=0.709V 、U n4=0.718V 时的导通电流I n1、I n2、I n3、I n4。 解：根据)9(002mV U U n n I I -?= mA mA I mV V V n 5.021)97.0682.0(1=?=-
mA mA I mV V V n 707.021)97.0691.0(2=?=- mA mA I mV V V n 414.121)97.0709.0(3=?=- mA mA I mV V V n 221)97.0718.0( 4=?=- 由此可见，只要知道二极管的某个导通电压和相对应的导通电流，就可以计算出二极管的正向导通曲线上任何一点的参数。 (三)二极管的正向导通时的动态电阻 1、动态电阻的概念 动态电阻r d 的概念指的是电压的变化量与对相应的电流变化量之比。 I U r d ??= (1.1.4) 二极管正向导通之后，既有导通电压的参数，又有相应的导通电流的参数，但正向导通电阻却不能简单地等于导通电压与导通电流之比。 例如：假设二极管的正向导通电压U 0=0.7V 、静态电流I 0=1mA ，如果认为二极管正向导通电阻就等于导通电压与导通电流之比的话，此时的电阻应当为U 0/I 0=0.7V/1mA=700Ω。照此推论，当导通电压U n =1.4V 时，相应的导通电流应当是I n =2mA 。而实际的结果是，当正向导通电压U n 达到0.718V 时(增加18mV)，电流I n 就已经增加到2mA 了。 由此可见，二极管正向导通后有两种电阻： 一是直流电阻，就是正向导通电压与相对应的正向导通电流之比。 二是动态电阻，就是二极管正向导通曲线中某一点的电压微变量与相应的电流微变量之比，即该点斜率的倒数，见图1.1.1中各Q 点的不同斜率。 2、二极管正向导通后的动态电阻的粗略计算 已知Q 0点U 0=0.7V 、I 0=1mA ，Q 4点U 4=0.718V 、I 4=2mA ， 则Q 0点的动态电阻：Ω≈--≈??=46.25707.0414.1691.0709.000 0mA mA V V I U r Q Q dQ Q 4点的动态电阻：Ω≈--≈??=73.12414.1828.2709.0727.044 4mA mA V V I U r Q Q dQ 3、二极管正向导通后的动态电阻的微分计算 由于二极管导通电压与电流变化是非线性关系，所以上述计算不够精确，若对)18(002mV U U n n I I -?=进行微分，可以求得n I 的导数： 根据动态电阻的定义，可知二极管动态电阻)(Ωd r 为'n I 的倒数，故有： )18(0' 02182ln mV U U n n mV I I -??= (1.1.5) )18(0'02182ln 11)(mV U U n d n mV I I r -??==Ω
第十四章半导体二极管和三极管 物体按导电性分为： 导体，绝缘体，半导体 半导体：导电性介于导体和半导体之间。半导体材料的原子结构比较特殊。其外层电子不象导体那样容易挣脱。也不象绝缘体束缚很紧，这就决定了它的导电性介于导体和半导体之间。 14-1半导体的导电特性 常见的半导体材料有硅、锗、硒及许多金属的氧化物和硫化物等。半导体材料多以晶体的形式存在。半导体材料的特性： 1.纯净半导体的导电能力很差； 2.温度升高一一导电能力增强； 3.光照增强一一导电能力增强； 4.掺入少量杂质一一导电能力增强。） 一、本征半导体（纯净半导体） 最常用的半导体为硅（Si）和锗（Ge）。它们的共同特征是四价元素，每个原子最外层电子数为4。 提纯的硅材料可形成单晶------ 单晶硅相邻原子由外层电子形成共价键 在共价键结构中，原子最外层虽然具有8个电子而处于较为稳定的状态，但是共价键 中的电子还不象绝缘体中的价电子被束缚的那样紧，在获得一定能量后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子。这里的能量可以是热能或光能，因此半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别。利用这种特性可做成各种热敏元件或光敏元件。 价电子受到激发，形成自由电子并留下空穴。自由电子和空穴同时产生，半导体中的 自由电子和空穴都能参与导电——半导体具有两种载流子。 载流子： 自由电子：电子挣脱共价键的束缚成为自由电子。空穴：共价键中留下的空位。
'lifr 在外电场作用下，半导体内电流形成过程： 有空穴的原子（带正电），可以吸引相邻原子中的价电子，填补这个空穴。好象空穴在运动，而空穴运动的方向与价电子运动的方向相反，因此空穴运动相当于正电荷的运动， 因此在外电场（外加电压）作用下，半导体中出现两部分电流： 电子电流：自由电子定向运动形成的。 空穴电流：价电子递补空穴形成的。 电子--空穴对产生与复合的动态过程： 由于物质总是在不停地运动着，一方面不断有价电子挣脱束缚成为自由电子。同时出现相同数量的空穴，另一方面自由电子在运动中又会和空穴复合，成为价电子，在一定条件下，这种运动会达到相对平衡，即电子--空穴对的产生与复合的过程仍在不断进行，但 电子--空穴对的数目基本不变。 二、杂质半导体（N型半导体和P型半导体） 由于掺入杂质元素的不同，掺杂半导体可分为两大类一N型半导体和P型半导体。 1.N型半导体杂质：磷P五价元素，原子最外层有五个价电子。磷原子与周围的四个硅原子形成共价键后，磷原子的外层电子数将是9，比稳定结构多一个价电子。多出的一个电子受原子核 的束缚很小，因此很容易成为自由电子。 在N型半导体中：多数载流子：自由电子少数载流子：空穴 N型半导体主要靠电子导电，所以又称为电子半导体，简称N型半导体。 2.p型半导体 杂质：硼B三价元素，原子最外层有三个价电子。 硼原子与周围的四个硅原子形成共价键时，因缺少一个电子而形成一个空穴。在P型半导体中：多数载流子：空穴。少数载流子：自由电子 P型半导体主要靠空穴导电，所以又称为空穴半导体，简称P型半导体。
模拟电子技术部分习题及答案 直流稳压电源项目 、二极管与三极管的基础知识 二极管习题 、熟悉概念与规律 1 ?半导体 2.p型半导体 3.N型半导体 4.PN 结 5.单向导电性 6.整流二极管 7.稳压二极管 &发光二极管 9.开关特性 10.三极管 11.三极管的饱合特性 12.三极管的截止特性 13.三极管的放大特性 、理解与计算题 1.___________________________________ 当温度升高时，二极管的正向压降 _____ 变小___________________________________________ ，反向击穿电压_____________________ 变小______ 。 2.硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是(C――调压限流 )。 A、提供偏流 B、仅限流电流 C、兼有限流和调压两个作用 3.有两个2CW15稳压管，一个稳压值是8V，另一个稳压值是7.5V，若把两管的正极 并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是( B――7.5V )。 8V; B、7.5V ; C、15.5V 4.稳压管DW稳压值为 5.3V，二极管VD正向压降0.7V，当VI为12V时，DW和VD是否导通，V0为多少？R电阻的作用。
答： DW 和 VD 不导通，V0为5.3V , R电阻的作用是分压限流。 5.下图中D1-D3为理想二极管，A, B, C灯都相同，试问哪个灯最亮？( ) A B C 6?在图所示的电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V， 则电流的大小将______ 。 A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA 7.图所示电路，设Ui=sin 3 t(V) , V=2V ,二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示 _______ 图。 &图所示的电路中，Dz1和Dz2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为 且具有理想的特性。由此可知输出电压Uo为____________ 。 lkQ Ul=20￥ Uo 0 — 9. ______________________________ 二极管最主要的特性是，它的两个主要参数是反映正向特性的 ____________ 和反映反向特性的_____________ 。 10.图所示是一个 ZjDl 正弦交流电鶴 kJ c 4 Uo（￥） 0 1 6V 和7V , Dzl
二极管图 三极管工作原理 三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP 两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。
一、电流放大 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 二、偏置电路 三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V）。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比 0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变（因为小于0.7V时，基极电流都是0）。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流（叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻），那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，
课题1.1 半导体二极管 课型 新课 授课班级授课时数 2 教学目标1．熟识二极管的外形和符号。 2．掌握二极管的单向导电性。 3．理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数。 教学重点 二极管的单向导电性。教学难点 二极管的反向特性。学情分析 教学效果 教后记
新课 A．引入 自然界中的物质，按导电能力的不同，可分为导体和绝缘体。人们又发现还有一类物质，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，那就是 半导体。 B．新授课 1.1半导体二极管 1.1.1什么是半导体 1．半导体：导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化，人们把这一类物质称为半导体。 2．载流子：半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”。 （1）自由电子：带负电荷。 （2）空穴：带正电荷。 特性：在外电场的作用下，两种载流子都可以做定向移动，形成电流。 3．N型半导体：主要靠电子导电的半导体。 即：电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 4．P型半导体：主要靠空穴导电的半导体。 即：空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 1.1.2PN结 1．PN结：经过特殊的工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界面就会出现一个特殊的接触面，称为PN结。 2．实验演示 （1）实验电路 （2）现象 所加电压的方向不同，电流表指针偏转幅度不同。 （3）结论 PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止，这种特性称为PN结的单向导电性。 3．反向击穿：PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为PN结的反向击穿。 4．热击穿：若反向电流增大并超过允许值，会使PN结烧坏，称为热击穿。 5．结电容（讲解） （引入实验电路，观察现象）
常用电阻二极管三极管参数资料
常用电阻、二极管、三极管参数资料 1．固定电阻器的主要参数 固定电阻器的主要参数是标称阻值、允许误差和额定功率。 （1）标称阻值和允许误差 电阻器上标志的阻值叫标称值，而实际值与标称值的偏差，除以标称值所得的百分数叫电阻的误差，它反映了电阻器的精度。不同的精度有一个相应的误差，表1列出了常用电阻器的允许误差等级（精度等级）。 表1 常用电阻器允许误差的等级 目前固定电阻器大都为I级或II级普通电阻，而且III级很少，能满足一般应用的要求，02、01、005级的精密电阻器，一般用于测量仪器，仪表及特殊设备电路中。 国家有关部门规定了阻值系列作产品的标准，表2是普通电阻器系列表。表中的标称值可以乘以10 n，例如，4．7这个标称值，就有0．47Ω、4．7Ω、47Ω、470Ω、4．7KΩ……。选择阻值时必须在相应等级的系列表中进行。 表2 电阻器系列及允许误差 （2）电阻器的额定功率 电阻器长时间工作允许所加的最大功率叫额定功率。电阻器的额定功率，通常有1/8、1／4、1／2、1、2、3、5、10瓦等。表示电阻器额定功率的通用符号见图1。大于1W的则用阿拉伯数字表示。 2．固定电阻器的主要参数的标志方法 （1）电阻器的额定功率、阻值及允许误差一般都标在电阻器上。额定功率较大的电阻器，一般都将额定功率直接印在电阻器上。额定功率较小的电阻器，可以从它的几何尺寸和表面面积上看出，一般0.1 25w、0.25w电阻器的直径约2．5毫米，长约7-8毫米；0．5W电阻器的直径约4．5毫米，长约10-12毫米。 （2）电阻值及允许误差有三种表示法，即直标法、文字符号法和色标法。直标法是阻值和允许误差直接标明，如2KΩ±5％；文字符号法是阻值用数字与符号组合在一起表示，组合规律如下：文字符号Ω、K、M前面的数字表示整数阻值，文字符号Ω、K、M后面的数字表示小数点后面的小数阻值。允许误差用符号、J＝±5％、K＝±10％、M＝±20％。例如5Ω1J表示5．1Ω±5％。这种表示法可避免因小数点脱掉而误识标记。目前小型化的电阻器都采用色标法，用标在电阻体上不同颜色的色环作为标称值和允许误差的标记。色标法具有颜色醒目、标志清晰、无方向性的优点，它给生产过程中的安装、调试与检修带来方便。误差为±5％、±10％的普通色环电阻用四色环表示，左端部为第一色环，顺次向右为第二、第三、第四色环。各色环所代表的意义为：第一、第二色环相应代表阻值的第一、第二位有效数字，第三色环表示后面加“0’’的个数，第四环代表允许误差，各色环颜色一数值对照表3。精密电阻用五色环（或六色环）表示阻值和允许误差，见表4。
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Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Coe---共发射极输出电容 Co---零偏压电容 Co---输出电容 Cp---并联电容（外电路参数） Cre---共发射极反馈电容 Cs---管壳电容或封装电容 CTC---电容温度系数 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 Ct---总电容 Cvn---标称电容 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 D---占空比 ESB---二次击穿能量 fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率 fT---特征频率 f---频率 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hFE---共发射极静态电流放大系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 IAGC---正向自动控制电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
三极管基本知识大全 半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。 三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观如图，大的很大，小的很小。三极管的电路符号有两种：有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。 电子制作中常用的三极管有9 0××系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31 （低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则，电子爱好者最好还是了解一下： 第一部分的3表示为三极管。第二部分表示器件的材料和结构，A： PNP型锗材料 B： NPN型锗材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料第三部分表竟δ埽琔：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。另外，3DJ 型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。 三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。 三极管还可以作电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器。 半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外，还能够做成一些可独立使用的两端或三端器件 1. 扩流。 把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其最大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图 1 。图 2 为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点，但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安，因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图 3 可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展，稳定性能可得到较大的改善。 2. 代换。 图 4 中的两只三极管串联可直接代换调光台灯中的双向触发二极管；图 5 中的三极管可代用 8V 左右的稳压管。图 6 中的三极管可代用 30V 左右的稳压管。上述应用时，三极管的基极均不使用。 3. 模拟。 用三极管够成的电路还可以模拟其它元器件。大功率可变电阻价贵难觅，用图 7 电路可作模拟品，调节 510 电阻的阻值，即可调节三极管 C 、 E 两极之间的阻抗，此阻抗变化即可代替可变电阻使用。图 8 为用三极管模拟的稳压管。其稳压原理是：当加到 A 、
电子元器件的基本知识——三极管 晶体三极管的结构和类型 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管的封装形式和管脚识别 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，如图对于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。 目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 晶体三极管的三种工作状态 截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。 根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。 使用多用电表检测三极管 三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红
晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。 3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。 晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。 1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。 电话机中常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号。 2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。 名称共发射极电路共集电极电路（射极输出器）共基极电路 输入阻抗中（几百欧～几千欧）大（几十千欧以上）小（几欧～几十欧） 输出阻抗中（几千欧～几十千欧）小（几欧～几十欧）大（几十千欧～几百千欧） 电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大 电流放大倍数大（几十）大（几十）小（小于1并接近于1） 功率放大倍数大（约30～40分贝）小（约10分贝）中（约15～20分贝） 频率特性高频差好好 应用: 多级放大器中间级，低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路 二极管的应用 1、整流二极管利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。
大学时，老师就告诉模电重要，确实重要，可是如何学好模电那，我觉得三极管很重要，三极管学会了，再不深究的情况下，mos管我们也能运用自如。 我们不要想着去学，要想着去用，为什么要学三极管，是因为我们设计电路时要去用三极管我一直在想一个软件工程师和一个硬件工程师对电路的理解差别是什么。那就是软件工程师只在意电压，我们会经常发现嵌入式软件工程师会总说多少伏多少伏的。而一个硬件工程师我们要理解功率，也就是要多出了一个电流的概念。因为涉及电路就要涉及功率了，也就是电压和电流的综合考虑！打个比方用一个极其细的导向去导通大功率的电流。此时导线发热设置烧焦，这时我们硬件工程师就该明白功率过大，导线不行。 下面我把网上找的以及个人的总结对三极管的理解发上来。 大家在看时发现哪里有纰漏要及时告诉我，以免误人子弟！ 下面是我个人总结： 三极管理论知识不是很容易理解，在大学里学习的时候总是不理解，等到工作后实际应用到了三极管还是不理解，于是重新翻开模拟电子线路这本书又上网搜索了很多相关知识，终于有了一点理解，在这里与大家分享。 首先，需要看几遍模电书，大致上要了解些二极管，三极管的知识。 1、三极管的形象解释：（来自网上） 对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。 但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流去控制大电流。 放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。 假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。 所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。 如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。 在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。 如果某一天，天气很旱，江水没有了，也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门，尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门，并使之开启，但因为没有水流的存在，所以，并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。 饱和区是一样的，因为此时江水达到了很大很大的程度，管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管二极管的击穿。 在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。 而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候，阀门是完全关闭的，没有功耗。 2.三极管知识的讲解-新解：（来自网上） 随着科学技的发展，电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件，其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。三极管原理的关键是要说明以下三点: 1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性