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Ag棒上ZnO纳米棒阵列的光电催化活性

Ag棒上ZnO纳米棒阵列的光电催化活性

屈文偲1,王真真2,田永涛1,韩帅1,吴子见1

【摘要】摘要:采用简单的化学溶液生长法,在Ag棒表面包覆生长一层ZnO 纳米棒阵列.利用该结构光电催化降解罗丹明B,其效率远高于电降解和自降解,约为光催化降解的2倍,表明外加电压能有效提高催化剂的光催化效率.研究了不同工作电极间距对催化效率的影响,结果表明,最佳电极间距约为1.0 cm.【期刊名称】郑州大学学报(理学版)

【年(卷),期】2016(048)004

【总页数】4

【关键词】化学溶液法; ZnO纳米棒阵列;光电催化

0 引言

光电催化降解有机污染物的原理,是在光催化基础上通过施加外加电压抑制光生电子和空穴的复合,从而提高了催化效率[1].文献[2]利用电化学阳极氧化法制备TiO2纳米管,其3 h内光电催化降解甲基橙的效率高达100%,而光催化效率仅为10%.文献[3]利用同样的方法制备TiO2纳米管,并在表面修饰Au 颗粒,其光催化效率为3%,而光电催化效率高达54%.文献[4]在TiO2纳米管上复合ZnO纳米棒形成异质结构,其光催化效率为36%,而光电催化效率为99.5%.由于在光电催化过程中,催化剂需生长在导电衬底上,因此,透明导电玻璃也是构成光电催化体系的良好衬底.文献[5]在ITO玻璃上制备WO3/TiO2异质结构,其光电催化效率为51%,约为光催化效率的2倍.文献[6]在FTO玻璃上制备ZnO薄膜,光电催化纺织废水的效率为93%.为提高电极导电性,金属衬底也被用来作为构成光电催化体系的电极,文献[7]在钛片上生成ZnO纳