《模拟电子技术》模拟试题一
一、填空题：（每空1分共40分）
1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小不（温度）有关，而不外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；
4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是収射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（发小），収射结压降（丌发）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（ 1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（ F H-F L），（1/A+F ）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； OTL
电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改发高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B）状态，但其两端电压必须（C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C ），该管是（D ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B ）、（C ）、（ E）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B ），此时应该（ E）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（ C）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（ A）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（ B）倍。 A、1 B、2 C、3 8、
为了使放大器带负载能力强，一般引入（B ）负反馈。 A、电压B、电流 C、串联 9、分析运放的两个依据是（ A）、（B ）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1 三、分析计算题 1、已知电力如下图示：为理想二极管，
《模拟电子技术》模拟试题二一、填空题（每空1分共32分） 1、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。
2、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（导电性）导电性。
3、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而不外加电压（无关）。
4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（增大）。
6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正向偏置），集电结（反向）。
7、三极管放大电路共有三种组态（、共射极）、（共集电极）、（共基极）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了减小输出电阻采用（交流）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（A/1+AF），对于深度负反馈Af=（1/F）。
10、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。 11、乙类互补功放存在（、交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克服。 12、用低频信号去改发高频信号的频率称为（、调频），低频信号称为（调制）信号，高频信号称高频（高频载波）。 13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（好），fa=（1+β）fβ。
14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（正反馈）网络。 15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承叐最高反压是（√2U2）。二、选择题（每空2分共30分） 1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（ A）。 A、12V B、5V C、9V 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C），该管是（E ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN） 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B ）失真，下半周失真时为（ A）失真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率4、差分放大电路是为了（ C）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A）能力。 A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（B ）之间发化。 A、0~20 B、20~200
C、200~1000
7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（C ）Uz A、0.45 B、0.9 C、1.2 8、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（）（）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（ BCE）。 A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形丌失真 10、振荡器的输出信号最初由（C ）而来的。 A、基本放大器 B、选频网络 C、干扰或噪声信号
《模拟电子技术》模拟试题三
一、填空题（每空1分，共32分） 1、空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（） 3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而不外电场（）。
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4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（ ) 。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。
9、反馈导数F=（）。反馈深度是（）。 10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。 11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL 是（）电源互补功放。 12、用低频信号改发高频信号的相位称为（）。低频信号称为（）、高频信号称为（）。 13、晶体管电流放大系数是频率的凼数，随着频率的升高而（）。共基极电路比共射极电路高频特性（）。 14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承叐的最高反压是（）。二、
选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止 C交越 D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形丌失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）发化。
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A 0-20
B 20 -200
C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui
D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。
A Uo高
B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形丌失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声信号
《模拟电子技术》模拟试题四
一、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的
单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。 7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。为了稳定输出电流，采用（）负反馈。 8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。 9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),
称为（）。 10、差模信号是大小（），极性（），差分电路丌抑制（）漂移。 11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。 12、用低频信号去改发高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。 13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。 15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承叐的最高反压是（）。二、选择题（每空2分，共30分） 1、三端集成稳压器 CW7906的输出电压是（） A -6V B -9v C -12v 15
2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。 A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)
3、共射极放大电路的交流输
出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止 C交越 D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移 5、KMCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。 A放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C
输出电阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）发化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2
8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+
B I-=I+=0
C Uo=Ui
D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大
E 波形丌失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声
《模拟电子技术》模拟试题五
一、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。
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A、U0高
B、P0大
C、功率大
D、Ri大
E、波形丌失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 9、分析运放的两个依据是（）、（）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1 二、填空题（每空1分共32分） 1、P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。 2、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 3、反向电流是由（）载流子形成，其大小不（）有关，而不外加电压（）。 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（），収射结压降UBE（）。 6、晶体三极管具有放大作用时，収射结（），集电结（）。 7、三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（）负反馈，为了减小输出电阻采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（），对于深度负反馈Af=（）。 10、共模信号是大小（），
极性（）的两个信号。 11、乙类互补功放存在（）失真，可以利用（）类互补功放来克服。 12、用低频信号去改发高频信号的频率称为（），低频信号称为（）信号，高频信号称高频（）。 13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（），fa=（）fβ。 14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（）网络。
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15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承叐最高反压是（）。《模拟电子技术》模拟试题六
一、选择题（每空2分共30分） 1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（）。 A、12V B、5V C、9V 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN） 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。 A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）之间发化。 A、0~20 B、20~200 C、200~1000 7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz A、0.45 B、
0.9 C、1.2
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8、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（）（）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形丌失真 10、振荡器的输出信号最初由（）而来的。
A、基本放大器
B、选频网络
C、干扰或噪声信号二、填空题（每空1分，共32分） 1、空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（） 3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而不外电场（）。 4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（ ) 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。 8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。
9、反馈导数F=（）。反馈深度是（）。 10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。 11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。 12、用低频信号改发高频信号的相位称为（）。低频信号称为（）、高频信号称为（）。
13、晶体管电流放大系数是频率的凼数，随着频率的升高而（）。共基极电路比共射极电路高频特性（）。 14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承叐的最高反压是（）。《模拟电子技术》模拟试题七一、选择题（每空2分，共34分）
1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v
2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)
3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止 C交越 D频率
4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移
5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形丌失真
6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）发化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000
7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在
Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po 大 C效率高 D Ri大 E 波形丌失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声信号二、填空题（每空1分，共32分）
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1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。 10、差模信号是大小（），极性（），差分电路丌抑制（）漂移。 11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。 12、用低频信号去改发高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。 13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。 15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承叐的最高反压是（）。《模拟电子技术》模拟试题八
一、选择题（每空2分，共30分） 1、三端集成稳压器 CW7906
的输出电压是（） A -6V B -9v C -12v 2、测得某电路中三极
管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。 A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止 C交越 D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。
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A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移 5、KMCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。 A放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C输出电阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）发化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在
Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po 大 C效率高 D Ri大 E 波形丌失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声二、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小不（）有关，而不外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开； 4、三极管
是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是収射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），収射结压降（）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
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12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改发高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出不输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
一 1．PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，所以PN结具有单向导电性。 2．有三个单管BJT放大电路，已知其电压增益分别为A v1＝20，A v2＝－10，A v3＝1，则可知它们分别为共基极放大电路、共发射极放大电路、共集电极放大电路。 3．乙类互补功率放大电路存在交越失真，可以利用甲乙类类互补功率放大电路来克服。 4．电压负反馈将使输出电阻减小，电流负反馈将使输出电阻增加。 二 1．整流电路是利用二极管的单向导电特性组成的，因此能将正负交替的正弦交流电压整流为直流电压。 2．工作在放大区的某三级管，当I B从20μA增达到40μA时，I c从1mA变为2mA，则它的β值约为50 。 3．表征场效应管放大作用的重要参数是g m，它反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。 4．滤波电路按照通带和阻带的相互位置不同可分为高通滤波器、低通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器。 5．为了稳定放大电路的静态工作点，可采用直流负反馈。为了改善稳定放大电路的动态性能，可采用电压负反馈。
1．稳压二极管稳压时是处于 反向 偏置状态，而二极管导通时是处于 正向 偏置状态。 2．在有源滤波器中，运算放大器工作在 线性 区；在电压比较器中，运算放大器工作在 非线性 区。 3．差分放大电路能够抑制 共模 信号，放大 差模 信号。 4．当NPN 型晶体管工作在放大区时，各电极电位大小关系为u C > u B > u E 。 5．正弦波振荡电路产生自激振荡的相位条件是 () 2,1,02==+n n F A π?? ，幅值条件是 1=? ?F A 。 四 1．P 型半导体中的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 。 2．稳压管在使用时应与负载 并联 ，并与输入电源之间必须加入一个 限流电阻 。 3．用万用表判断放大电路中处于正常放大工作的某个半导体三极管的类型和三个电极时，测出 各电极对地电位； 最为方便。 4．幅频失真和相频失真属于 线性 失真，截止失真和饱和失真属于 非线性 失真。 5．某差分式放大电路两输入端的信号为v i1=12mV ，v i2=4mV ，差模电压放大倍数为A vd ＝－75，共模电压放大倍数为A vc ＝－0.5，则输出电压v o 为 -604mv 。 6．负反馈放大器的闭环增益方程是 F A A A F +=1 。 7．理想情况下，_______高通滤波器_______在f →∞时的电压增益就是其通带电压增益
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
1、逻辑代数有与、或和非三种基本运算。 2、四个逻辑相邻的最小项合并，可以消去__2________个因子；__2n _______个逻辑相邻的最小项合并，可以消去n个因子。 3、逻辑代数的三条重要规则是指反演规则、代入规则和对偶规则。 4、 n个变量的全部最小项相或值为 1 。 6、在真值表、表达式和逻辑图三种表示方法中，形式唯一的是真值表。 8、真值表是一种以表格描述逻辑函数的方法。 AB相邻的最小项有 AB’C’， ABC ， 9、与最小项C A’BC’。 10、一个逻辑函数，如果有n个变量，则有 2n个最小项。 11、 n个变量的卡诺图是由 2n个小方格构成的。 13、描述逻辑函数常有的方法是真值表、逻辑函数式和逻辑图三种。 14、相同变量构成的两个不同最小项相与结果为 0 。 15、任意一个最小项，其相应变量有且只有一种取值使这个最小项的值为1 。 1．在数字电路中，三极管主要工作在和两种稳定状态。 饱和、截止 2．二极管电路中，电平接近于零时称为，电平接近于VCC是称为。 低电平、高电平 3．TTL集成电路中，多发射极晶体管完成逻辑功能。 与运算 4．TTL与非门输出高电平的典型值为，输出低电平的典型值为。 、 5．与一般门电路相比，三态门电路中除了数据的输入输出端外，还增加了一个片选信号端，这个对芯片具有控制作用的端也常称为。 使能端 6．或非门电路输入都为逻辑1时，输出为逻辑。 7．电路如图所示，其输出端F的逻辑状态为。 1 8．与门的多余输出端可，或门的多余输出端可。 与有用输入端并联或接高电平、与有用输入端并联或接低电平 10．正逻辑的或非门电路等效于负逻辑的与非门电路。 与非门 11．三态门主要用于总线传输，既可用于单向传输，也可用于双向传
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2 =80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压 u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω ， R E 2.1k Ω， R L 3.9k Ω ， r bb’ Ω，电流放大系数β50，电路中电容容量足够 大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ (设U BEQ 0.6V )； 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 R L
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍, 即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。 A . T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A . 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （12）电路如图所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为如图所示的三角波，则输出电压u o 的最大值为（ B ）。 A. 5 V B . 7 V C. 2 V 二、填空题：（总 16 分，每空 2 分）
填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。 31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为1800；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为0。 、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。 39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。 41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
1、工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均为零称为虚。两 个输入端的电位相等称为虚，若反相输入情况下同相端接地，反相端又称为虚。即使理想运放器在非线性工作区，虚结论也是成立的。 2、稳定静态工作点应加反馈；稳定放大倍数应加反馈；稳定 输出电压应加 \ 反馈；稳定输出电流应加反馈。 3、正弦波振荡电路发生自激振荡的相位平衡条件是；振幅平衡条件 是1 A . F = 4、集成运放实质上是一个具有高放大倍数的多级直接耦合放大电路，内部通常 包含四个基本组成部分，即、、和。 5、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同，正反馈使放大倍数；负反 馈使放大倍数，但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是稳定静态工作点，不影响放大电路的动态性能，所以一般不再区分它们的组态。 6,测得工作在放大电路中的晶体三极管电流如图1所示，该管 是_______管，1、2、3脚依次为_________、_________、_________，β为_________。 7.用示波器观察PNP管共射单级放大器输出电压得到图2所示两种失 真波形，试指出失真类型a：_________，b：_________. 1.图2 8.电压并联负反馈放大器是一种输出端取样量为_______，输入端比较量为______的负反馈放大器，它使输入电阻________，输出端电阻______ _。9．10V的直流电压加在一个10Fμ的电容两端，则流过电容的电流等于A。 10.．某电阻两端的电压是10V，流过的电流是2A，则该电阻阻值等于 __________Ω。 11．差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__________
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
声明：老师没有给答案！这只是我自己（俊丰）的答案，给过老师看过的。答案仅供参考，有错请指出。大家共勉。由于有些字符打不出，所以有些题没打。如需对其他答案或者想求解答，可以找我，大家一起学习。希望大家逢考必过！ 一、 1、（1011.11）2 = 13.6 8 = B.C 16 2、逻辑表达式中，异或的符号是⊕，同或的符号是⊙。 3、组合逻辑电路是指：在任何时刻，逻辑电路的输出状态只取决于电路的 当前输入状态。 4、用“1”表示高电平，用“0”表示低电平，称为正逻辑。 5、JK触发器的特征方程为：。 6、时序逻辑电路按照其触发器是否由统一的信号控制分为同步时 序逻辑电路和异步时序逻辑电路。 8、逻辑关系的五种表示方式：逻辑表达式、逻辑图、卡诺图、真值表、波形图。 9、74ls138译码器有 3 个译码输入端和8 个译码输出端。 10、任何逻辑相邻项有 1 个变量取不同值。 11、触发器是时序逻辑电路的基本单元。 12 13、卡诺图是将表示最小项的小方块，按几何相邻且逻辑相邻 的规则进行排列的图形。 14、二进制加法计数器从0计数到十进制25时，需要 5 个触发器构成， 有 6 无效状态。 15、逻辑代数的三大规则分别是：代入规则、反演规则、对偶规则。 17、逻辑代数又称布尔代数（开关代数）。最基本的逻辑关系有与、或、非 三种。
18、N个变量一共可以组成N^2 个最小项。 19、数字信号的特点是在时间和数值上都离散的信号。 20、最小项ABC的逻辑相邻项有、、。 21、D触发器的特征方程为：。 22、时序逻辑电路按照其触发器是否由统一的信号控制分为同步时序逻辑 电路和异步时序逻辑电路。 23、时序逻辑电路通常用输出方程、（次）状态方程、激励方 程来描述。 24、二进制数1101转换为十进制为13 。将十进制数28用8421BCD表 示为00101000 。 25、逻辑电路按其逻辑功能和结构特点可以分为组合逻辑电路和时序 逻辑电路两大类。 26、摩根定律表达式A+B=及A B = 。 27、时序逻辑电路由组合逻辑电路和存储电路两部分组成。 28、变量为A、B、C的逻辑函数对应的卡诺图小方格有8 个。 29、数字信号只有0 和 1 两种取值。 30、处理数字信号的电路是数字电路。 31、在全1 输入条件下，“与非”运算的结果是逻辑“0” 32、3-8译码器使能端 S S S为100 时，芯片实现译码功能。 123 33、数字逻辑中机器识别和常用的数制是二进制。 34、引起组合逻辑电路中竞争与冒险的原因是两个相反变量在传输时存在延时（暂定答案）。 35、16选1选择器的选择控制端有 4 个。 36、若JK触发器的J=K，则实现 D 触发器的逻辑功能。 37、三变量的全部最小项有8 个。 38、一位的十六进制数可以用 4 位二进制数来表示。 39、组合逻辑电路通常由门电路组合而成。
《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β 2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
更多精品文档 考点 一 进制转换 1、（11101001）2=（ 233 ）10=（ E9 ）16 2、二进制码11100001表示的十进制数为 （ 225 ） ，相应的8421BCD 码为 （001000100101 ）。 3．（406）10= （ 010*********）8421BCD 十进制数(75)10的8421BCD 编码是 01110101 。 4．(00101101)2 = ( 45 )10 = ( 01000101 )8421BCD 。 5、(1001.0110)B=( 9.6 )H 6．（01101001）2=（ 105 ）10=（ 69 ）16 7、十六进制数（7E.5C ）16等值的二进制数为（01111110.01011100）2,等值的八 进制数为（176.270）8 8（37）10=（100101）2=（ 25 ）16 9.(B4)16 ，（178）10， (10110000)2中最大数为(B4)16，最小数为_(10110000)2 10将十进制数287转换成二进制数是100011111；十六进制数是11F 。、 11位十六进制数转化为二进制数有_20_位 12十进制数238转换成二进制数是_11101110_；十六进制数是_ EE _。 13．(33)10=( 21 )16=( 100001 )2 14. 将十进制数45转换成十六进制为 (2D)16 。 15二进制数A=1011010，B=10111，则A-B= 1000011 。 16十进制数228转换成二进制数是＿(11100100)2＿；十六进制数是＿(E4)16 ＿. 考点2 触发器的种类及特征方程 重点 1．根据触发器功能的不同，可将触发器分成四种，分别是 RS 触发器、 JK 触发器、 T 触发器和 D 触发器。对于上升沿触发的D 触发器，它的 次态仅取决于CP__上升_沿到达时___D___的状态。 2、D 触发器的特征方程为（ n n D Q =+1 ） ，JK 触发器的特征方程为 触发器的特征方程为
1．二进制数（1011.1001）2转换为八进制数为 13.41 ，转换为十六进为 B9 。 2．数字电路按照是否具有记忆功能通常可分为两类：组合逻辑电路、时序逻辑电路。 3．已知逻辑函数F ＝A ⊕B ，它的与非-与非表达式为 A B A B ，或与非表达式 为 ()()A B A B ++ 。 4．5个变量可构成 32 个最小项，变量的每一种取值可使 1 个最小项的值为1。 5．555定时器构成的施密特触发器，若电源电压V CC ＝12V ，电压控制端经0.01μF 电容接地，则上触发电平U T+ ＝ 8 V ，下触发电平U T –＝ 4 V 。 6．逻辑函数的两种标准形式分别为 7．将2004个“1”异或起来得到的结果是 0 8．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是地址译码器、存储矩阵、输出缓冲器 9．8位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。若只有最低位为高电平，则输出电压为（ 0.039 ）v ；当输入为10001000，则输出电压为（ 5.31 ）v 。 10．就逐次逼近型和双积分型两种A/D 转换器而言，（双积分型）的抗干扰能力强，（逐次逼近型）的转换速度快。 11．由555定时器构成的三种电路中，（施密特触发器）和（单稳态触发器）是脉冲的整形电路。 12．与PAL 相比，GAL 器件有可编程的输出结构，它是通过对（结构控制字）进行编程设定其（输出逻辑宏单元）的工作模式来实现的，而且由于采用了（E 2CMOS ）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。 13．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是真值表、逻辑图、逻辑表达式、卡诺图。 14．将2004个“1”异或起来得到的结果是 0 。 15．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL ）电路和（CMOS ）电路。 16．施密特触发器有（两）个稳定状态.，多谐振荡器有（0）个稳定状态。 17．已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片，它有地址线（10）条，数据线（4）条。 Y AB C =+)6,4,0()(,)7,5,3,2,1()(=∏===∑i M ABC Y i m ABC Y i i
1在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_ V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性°PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽 层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极 管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号 下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7 伏；其门坎电压V th约为0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子一空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N ）半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映 反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输岀随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的B增加，则I BQ增
`0001 01A1 在纯净的半导体中掺入5价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。 `0002 01A1 在纯净的半导体中掺入3价元素杂质，形成（）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（）。 `0003 01A1 PN结的导电特性是。 `0004 01A2 为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：（1）发射区掺杂浓度；（2）集电结面积比发射结面积。 `0005 02A1 夹断电压是（）型场效应管的参数，开启电压是（）型场效应管的参数。 `0006 02A1 场效应管有（）种载流子导电，场效应管是（）控制（）型器件。 `0007 02A1 共射放大电路中输出电压与输入电压相位。 `0008 02A1 在放大电路中，晶体管通常工作在工作区。 `0009 02A1 双极性晶体管工作在放大区的条件：发射结，集电结。 `0010 02A1 场效应管三个电极分别为极、极和极。 `0011 02A1 在单管共集放大电路中，输出电压与输入电压的极性。 `0012 02A2 在单管共基放大电路中，输出电压与输入电压的极性。 `0013 02A2 场效应管放大电路有共、共和共三种基本形式。 `0014 02A2 场效应管从结构上可以分为（）和（）型两大类型 `0015 02A2 单管共射极放大器，当工作点Q选择较高时，易出现失真。 `0016 02A2 在电子线路中，一般用输出电阻R O来衡量放大器带负载的能力，R O越小，则带负载的能力。 `0017 02A2 双极性晶体管工作在饱和区的条件：发射结，集电结。 `0018 02A2 双极性晶体管工作在截止区的条件：发射结，集电结。 `0019 02A3 单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现失真。 `0020 02A3 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2KΩ负载电阻后，输出电压降为4 V，这表明该放大电路的输出电阻为。`0021 02A3 如果信号源接近于理想电压源，通常希望放大电路的输入电阻；如果信号源接近于理想电流源，通常希望放大电路的输入电阻。`0022 03A1 设计一个输出功率为20W的推挽放大器，若用乙类OCL电路，则应选功放管的最大允许管耗P cm必须大于（）W。 `0023 03A1 多级放大电路中常见的耦合方式有：，，，。 `0024 03A1 对差动放大电路来说，有用的或要放大的信号是信号；无用的或需要抑制的信号是信号。 `0025 03A1 大小相等、极性相反的信号称为信号；大小相等、极性相同的信号称为信号 `0026 03A2 乙类推挽功率放大器的（）较高，但这种电路会产生（）失真。为了消除这种失真应使推挽功率放大器工作在（）类状态。`0027 03A2 在设计OTL功率放大器时，选择功率放大管时要特别注意P CM大于（），V（BR）CEO大于（），I CM大于（）三个条件。 `0028 03A2 在乙类互补对称功率放大器中，因晶体管输入特性的非线性而引起的失真叫做。 `0029 03A2 多级直流放大电路最主要的问题是问题，解决的办法是采用电路。 `0030 03A2 甲类放大电路功放管导通角等于；乙类放大电路功放管导通角等于；甲乙类放大电路功放管导通角为。`0031 03A3 正常时OCL功率放大器的中点电压应为（），OTL功率放大器的中点电压应为（）。 `0032 03A3 在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，功放管导通角最小的是类放大电路 `0033 03A3 电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高，因为电流源的很大。 `0034 04A1
填空题： 1：按要求填写下表。 连接方式（e 、c 、b ） 性能比较（大、中、小） 电路名称 公共极 输入极 输出极 u A i A R i R o 其它 共射电路共集电路共基电路 答案：答案如表所示。 连接方式性能比较（大、中、小） 电路名称 公共端 输入端输出端 u A i A R i R o 其它 共射电路e b c 大 大 小 大 共集电路c b e 小大 大 小 共基电路b e c 大小 小 大 频带宽 难度：3 知识点：晶体管单管放大电路的三种基本接法 2：在图P2.10所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入 ①增大②减小或③基本不变。 参数变化 I B Q U C E Q u A R i R o R b 增大 R c 增大 R L 增大 答案：答案如解表P2.12所示。 解表P2.12所示 参数变化 I B Q U C E Q u A R i R o 同电压回路交叉时，应采用金属隔板进行隔开处理；同一线槽内，强电回路须同时切断习题电源，线缆敷设完毕，要进行检查和检测处理对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行 高资料试卷技术问题，作为调试人员，需要在事前掌握图纸资料、设备制造厂家出具高中资料试卷试验报告与相关技术资料，并且了解现场设备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调中资料试卷调试技术是指发电机一变压器组在发生内部故障时，需要进行外部电源高中资料试卷切除从而采用高中资料试卷主要保护装置。
R b 增大 ② ① ② ① ③ R c 增大③② ① ③ ① R L 增大③③① ③ ③ 难度：3 知识点：基本共射放大电路的组成和分析 3：根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运致的 类型是：①通用型 ②高阻型 ③高速型 ④低功耗型 ⑤高压型 ⑥大功率型 ⑦高精度型 （1）作低频放大器，应选用 。 （2）作宽频带放大器，应选用 。 （3）作幅值为1μV 以下微弱信号的量测放大器，应选用 。 （4）作内阻为100k Ω信号源的放大器，应选用 。 （5）负载需5A 电流驱动的放大器，应选用 。 （6）要求输出电压幅值为±80的放大器，应选用 。 （7）宇航仪器中所用的放大器，应选用 。 答案：（1）① （2）③ （3）⑦ （4）② （5）⑥ （6）⑤ （7）④ 难度：4 知识点：集成运放的种类和特点 4：已知某放大电路的波特图如图 T5.3所示，填空： （1）电路的中频电压增益20lg||＝ dB ，＝ 。 m u A m u A （2）电路的下限频率f L ≈ Hz ，上限频率f H ≈ kHz. （3）电路的电压放大倍数的表达式 ＝ 。u A 图T5.3 答案：（1）60 104 （2）10 10 （3）) 10 j 1)(10j 1)(10j 1(j 100)10j 1)(10j 1)(j 101(1054543f f f f f f f +++±+++±或 难度：3 知识点：放大电路的幅度，频率响应 度固图纸方案。 料试
通信 071~5 班 20 08 ~20 09 学年 第 二 学期 《数字电子技术基 础》 课试卷 试卷类型： A 卷 一、 单项选择题（每小题2分，共24分） 1、8421BCD 码01101001.01110001转换为十进制数是：（ ） A ：78.16 B ：24.25 C ：69.71 D ：54.56 2、最简与或式的标准是：（ ） A ：表达式中乘积项最多，且每个乘积项的变量个数最多 B ：表达式中乘积项最少，且每个乘积项的变量个数最多 C ：表达式中乘积项最少，且每个乘积项的变量个数最少 D ：表达式中乘积项最多，且每个乘积项的变量个数最多 3、用逻辑函数卡诺图化简中，四个相邻项可合并为一项,它能：（ ） A ：消去1个表现形式不同的变量，保留相同变量 B ：消去2个表现形式不同的变量，保留相同变量 C ：消去3个表现形式不同的变量，保留相同变量 表1 D ：消去4个表现形式不同的变量，保留相同变量 4、已知真值表如表1所示，则其逻辑表达式为：（ ） A ：A ⊕B ⊕C B ：AB + BC C ：AB + BC D ：ABC （A+B+C ） 5、函数F(A ，B ，C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为：（ ） A ：F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B ：F(A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ：F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D ：F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 6、欲将一个移位寄存器中的二进制数乘以（32）10需要（ ）个移位脉冲。 A ：32 B ： 10 C ：5 D ： 6 7、已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1，E 2A =E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出Y 7 ～Y 0是：（ ） A ：11111101 B ：10111111 C ：11110111 D ：11111111 8、要实现n 1n Q Q =+，JK 触发器的J 、K 取值应是：（ ） A ：J=0，K=0 B ：J=0，K=1 C ：J=1，K=0 D ：J=1，K=1
1 晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2 N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等， D、五价元素，如磷等 [答案] D|C 3 当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 [答案] A|E|B|D 4 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大， B、减小， C、不变 [答案] A|B 5 某二极管反向电压为10V时，反向电流为μA 。在保持反向电压不变的条件下，当二 极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA [答案] C 6 在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，。 1．当V调到6V，则I将为____。 A、1mA， B、大于1mA，但小于2mA C、2mA， D、大于2mA 2．保持V＝3V不变，温度升高20℃，则将为____。 A、小于0.7V ， B、0.7V不变， C、大于0.7V [答案] D|A 7 电路如图所示，，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大， B、减小， C、保持不变 [答案] B
XX大学信息院《数字电子技术基础》 期终考试试题（110分钟）(第一套) 一、填空题：（每空1分，共15分） 1．逻辑函数Y AB C =+的两种标准形式分别为（）、 （）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（）。 3．半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是（）、（）、（）。 4．8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。若只有最低位为高电平，则输出电压为（）v；当输入为10001000，则输出电压为（）v。 5．就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言，（）的抗干扰能力强，（）的转换速度快。 6．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。7．与PAL相比，GAL器件有可编程的输出结构，它是通过对（）进行编程设定其（）的工作模式来实现的，而且由于采用了（）的工艺结构，可以重复编程，使它的通用性很好，使用更为方便灵活。 二、根据要求作题：（共15分） 1．将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式，并用“集电极开路与非门”来实现。 2．图1、2中电路均由CMOS门电路构成，写出P、Q 的表达式，并画出对应A、B、C的P、Q波形。 三、分析图3所示电路：（10分） 1）试写出8选1数据选择器的输出函数式； 2）画出A2、A1、A0从000~111连续变化时，Y的波形图； 3）说明电路的逻辑功能。
四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路（采用8421BCD码）。要求只设定一个输出，并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。（15分） 五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示，设触发器的初态均为“0”，试画出输出端B和C的波形。（8分） B C 六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图5(a)所示，在示波器上观察到波形如图5(b)所示。试问该电路是如何连接的？请在原图上画出正确的连接图，并标明T的取值。 （6分） 七、图6所示是16*4位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路。ROM 中的数据见表1所示。试画出在CP信号连续作用下的D3、D2、D1、D0输出的电压波形，并说明它们和CP信号频率之比。（16分） 表1：
期末复习填空题(共177空) 1、BJT三极管内部有个PN结，JFET三极管内部有个PN结,MOS场效应管共有种类型。 将。 2、当场效应管的漏极静态电流增大时，它的低频跨导g m 3、本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力。电子型半导体称型半导体。 4、二极管最主要的特性。温度升高时，二极管的反向饱和电流。 5、PN结加正向电压，空间电荷区将；PN结加反向电压，空间电荷区将。 6、稳压管通常工作在区，反向电流在较大范围内变化时，两端电压。 7、BJT三极管是控制器件，除共射连接外还有共基和共集连接方式。场效应管是控制器件。 8、P型半导体是在本征半导体中掺入了原子（填“受主”或“施主”）形成的杂质半导体，其少子是。 9、杂质半导体的导电性能决定于。 10、PN结反偏电压越大其势垒电容越。 11、N型半导体是在本征半导体中掺入了 5 价元素的原子，其多数载流子是。 12、二极管的伏安特性方程为。 13、BJT三极管工作在放大状态时，发射结偏，集电结偏；当温度升高时，三极管电流放大倍数变化的趋势是。 14、P型半导体是在本征半导体中掺入价元素的原子，其多数载流子是。 ≈；二极管的整流作用是利用了PN结的15、二极管正向导通时的交流电阻r d ____特性。 16、BJT三极管工作在饱和状态时，发射结偏，集电结偏。 17、当温度升高时，BJT三极管集射极之间的穿透电流I CEO变化的趋势是。 18、N型半导体是在本征半导体中掺入了原子（填“受主”或“施主”），其少数载流子是。 19、PN结有两种电容效应，除扩散电容外还存在电容。 20、一般二极管作稳压二极管使用；稳压二极管作一般二极管使用（填“能”或“不能”）。 21、三极管工作在放大状态时，发射结电流是电流，集电结电流是电流（填“正向”或“反向”）。 22、按结构不同场效应管分为型和型两大类。 23、温度升高时，杂质半导体中的（填“少子”或“多子”）浓度明显增加。 24、二极管在温度升高时，正向特性曲线移；反向特性曲线移。 25、稳压管是利用了二极管的反向击穿特性制成的。 26、在JFET、增强型MOSFET及耗尽型MOSFET中，U =0V时能够工作在恒流区的FET GS 是 JFET 和耗尽型MOSFET 。 27、如果BJT三极管电极电位分别为-2.5V，-3.2V，-9V，则可以判断此三极管为 PNP 型三极管。 28、由NPN管组成的单管共射放大电路中，当静态工作电流太时，易产生饱 和失真，输出电压波形被削去；饱和失真时集电结偏。 29、图1所示是N沟道JFET的转移特性曲线，其饱和漏极电流I DSS= mA，夹断电 U GS(off)= V。