摘要的写法和关键词的选择-系统工程与电子技术

《系统工程与电子技术》编辑部

2007年10月11日

注：摘要和关键词的质量很大程度上决定您的文章能否被EI 引用，摘要和关键词的写法请参考如下附件：

摘要的写法

文章的摘要应简明，它的详简程度取决于文章的内容。

编写摘要时应注意：（1）摘要要具有独立性和自明性，并拥有与正文同等量的主要信息，即不阅读全文，就能获得必要的信息；（2）排除在本学科领域方面已经成为常识的内容；（3）写明研究的目的、方法、结果和结论，即研究工作的主要对象和范围，采用的手段和方法，得出的结果和重要的结论。（4）要用第三人称，不要使用“本人”、“作者”、“我们”等作为摘要陈述的主语；（5）不要使用图、表或数学公式，以及相邻专业的读者尚难于清楚理解的缩略语、简称、代号，如果确有必要，在摘要中首次出现时必须加以说明；（6）不得使用一次文献中列出的章节号、图号、公式号以及参考文献号等。

一般而言，英文摘要应是中文摘要的转译，所以只要简洁、准确地逐段将文章译出即可，时态常用一般现在时间、一般过去时，少用或不用现在完成时、过去完成时、进行时态和其他复合时态。尽量使用短句，但也要避免单调和重复。摘要的开头尽量采用更简洁的被动语态或原形动词，如“To describe…”，“To study…”，“To investigate…”，“To assess…”，“To determine…”。

以下是一篇写作质量较好的摘要范例，可供参考。

摘要：针对采用调频连续波（FMCW）体制的天波超视距雷达的应用场合，提出了一种电离层扰动（慢相径变化）补偿改进算法。该算法利用雷达回波谱中海浪在空间上的独立性来获取统计样本，因而在无需对雷达系统作任何改进的情况下，可获得对电离层扰动瞬时频率变化的统计估计。通过相位补偿有效地抑制了电离层扰动造成的多谱勒谱展宽和频率漂移。给出了应用该方法的具体步骤，通过仿真实验证明该算法的有效性。

关键词的标引

我们在编辑加工稿件的过程中，经常发现作者标引关键词不够准确，为了帮助作者正确标引关键词，现将基本的标引方法介绍如下。

关键词是科技论文的文献检索标识，是表达文献主题概念的自然语言词汇。科技论文的

关键词是从其题名、层次标题和正文中选出来的，能反映论文主题概念的词或词组。关键词选用是否合适，关系到该文献被检索的概率和该成果的利用率。

关键词：必须在摘要后列出不少于4个，不多于8个关键词。关键词按以下顺序选择：第1个关键词应列出论文的主要工作或内容所属二级学科名称。学科体系采用国家技术监督局分布的学科分类与代码（GB/T13745-92）；

第2个关键词应列出论文研究成果名称或文内若干成果的总类别名称；

第3个关键词列出论文在得到上述成果或结论时采用的科学研究方法的具体名称。对于综述和评论性文章，此位置分别写“综述”或“评论”等。对科学研究方法的研究论文，此处不写被研究的方法名称，而写所应用的方法名称。前者出现于第二个关键词的位置。

第4个关键词列出在前3个关键词中没有出现的，但被论文作为主要研究对象的事或物质的名称；或者在题目中出现的作者认为重要的名词。

如有必要，第5、6个关键词等列出作者认为有利于检索和文献利用的其他关键词。

系统科学与思维科学交叉发展的硕果――大成智慧工程

2002年5月系统工程理论与实践第5期　文章编号:100026788(2002)0520008204 系统科学与思维科学交叉发展的硕果——大成智慧工程 戴汝为 (中国科学院自动化研究所,北京100080) 摘要:　扼要地介绍钱学森院士倡导的思维科学与系统科学的一些观点;并从系统的角度阐述了思 维科学与系统科学的交叉发展以及大成智慧工程(m etasynthetic engineering)的形成Λ 关键词:　形象思维;从定性到定量的综合集成法;综合集成研讨厅体系;大成智慧工程 中图分类号:　N94 文献标识码:　A α A R esu lt of System Sciences and N oetic Sciences C ro ss D evelopm en t-M etasyn thetic Engineering DA I R u2w ei (In stitu te of A u tom ati on,Ch inese A cadem y of Sciences,Beijing100080,Ch ina) Abstract:　Several view s of system sciences and noetic sciences given by academ ician qian are b riefly in troduced.Besides,from the po in t of view of system,the fo rm ati on of m etasyn thetic engineering by system sciences and noetic science cro ss developm en t is also described in th is article. Key words:　th ink ing in i m agery;m etasyn thesis from qualitative to quan titative;hall fo r w o rk shop of m etasyn thetic engineering;m etasyn thetic engineering 我国著名科学家钱学森近20多年来,对不同学科的交叉与整合,作出了重要的贡献Λ钱学森对应用力学,火箭技术以及“两弹一星”等方面贡献是众所周知的,但他近些年来在现代科学方面的贡献了解的人可能并不多Λ他曾经担任过中国自动化学会第一届、第二届的理事长,历时20年之久Λ他对系统科学与思维科学都有大量开创性的工作,对系统科学与思维科学交叉发展与整合所做出的贡献,形成了大成智慧工程(m etasyn thetic engineering). 在国务院、中央军委于1991年10月授予钱学森同志“国家杰出贡献科学家”荣誉称号的大会上,他讲过一段话:“我认为今天的科学技术不仅仅是自然科学工程技术,而且是人认识客观世界、改造客观世界整个的知识体系,这个体系的最高概括是马克思主义哲学Λ我们完全可以建立起一个科学体系,而且运用这个科学体系去解决我们社会主义建设中的问题”Λ并讲:“我在今后的余生中就想促进这件事情”Λ实际上,钱学森所说建立一个科学体系的工作他早在20世纪70年代末就开始了Λ钱学森于80年代在中央党校讲课时,首次把原来人们心目中的“自然科学”和“社会科学”两大部门,扩展到八大部门Λ加上数学科学、系统科学、思维科学、人体科学、军事科学和文艺理论,形成了一个体系Λ过了几年又加上地理科学、行为科学Λ1996年6月又提出建筑科学的设想,在这个过程中曾与建筑专家及城市规划专家谈过Λ总 α收稿日期:2002204204 资助项目:国家自然科学基金(79990581) 作者简介:戴汝为,男,中科院院士,中国自动化学会理事长,从事模式识别,人工智能,复杂系统的研究.

电子技术选择题

电子技术选择题 1.基本RS 触发器，当D 1S =，D 0R =时，输出Q 为( ) C.不变 D.不定 2.主从J-K 触发器，置0的条件是( ) =0、K =0 =0、K =1 =1、K =0 =1、K =1 3 .题图中的单相半波整流电路，当输入电压()i u t 的平均值为10V 时，输出电压()0u t 的平均值是( ) 4 题图电路，F 与A 、B 的关系是( ) A.F A B =+ B.F A B =+ C.F AB = D.F AB = 5 .只能用于测量直流电量的仪表是( ) A.磁电式仪表 B.电磁式仪表 C.电动式仪表 D.万用式仪表 6 .引入电 压负反馈后,放 大电路的放大倍数和输出电阻的变化是( ) A.增大、增大 B.增大、减小 C.减小、减小 D.减小、增大 7．三极管各极对地电位如图所示，则处于饱和状态的硅三极管是( ) 8 ．图示稳压电路，稳压管V 1的稳压值为6V ，稳压管V 2的稳压值为8V ，正向压降均为0．7V ，则输出电压U 0为( ) A ．2V B ．

C ． D ．14V 9 ．图示放大电路静态U CE =10V ，当输入u i 幅值增大时， 首先出现的失真是( ) A ．双向失真 B ．截止失真 C ．饱和失真 D ．不能确定 10．三端固定式稳压器W7812，其输出电压为( ) A ．-12V B ．-2V C ．2V D ．12V 11．理想运算放大器的主要条件是( ) A ．开环放大倍数0→，差模输入电阻0→ B ．开环放大倍数0→，差模输入电阻→∞ C ．开环放大倍数→∞，差模输入电阻0→ D ．开环放大倍数→∞，差模输入电阻→∞ 12 ．下述文字中正确的表述是（ ） A ．触发器是时序逻辑电路 B ．触发器的输出状态与原状态无关 C ．触发器是组合逻辑电路 D ．触发器只能由与非门组成 13．图示门电路输出端F 的逻辑表达式为( ) A ．AB C + B ．AB C + C ．()A B C + D ．() A B C + 14．设图示触发器当前的状态为Q n ，则时钟脉冲到来后，触发器的状态Q n+1( ) A ．一定为0 B ．一定为1 C ．保持 D ．翻转 15．射极输出器的输出电压与输入电压的相位差为（ ） A ．0° B ．90° C ．120° D ．180° 16．图示运算放大器电路的输出电压u 0为（ ） A ．-1V B ．0V C ．1V

《电子技术应用》期中考试试卷

一、 选择题（本题共5小题，每小题2分，共10分） 1、下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 A B C D 2、硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.3V C 0.5V D 0.7V 3、在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。 A. C B E I I I += B. B C I I β= C. B E I I )1(β+= D. B E I I β= 4、当三极管的发射结和集电结都正偏时，工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 5、NPN 型三极管要实现放大作用，c 、b 、e 三个电极的电位必须符合：（ ） A. E B C U U U >> B. B E C U U U >> C. E B U U > D. B C U U > 二、填空题（（本题共5小题，每空2分，共20分） 1、在本征半导体中掺入 元素得N 型半导体，掺入 元素则得 P 型半导体。 2、二极管P 区接电源 极，N 区接电源 极，称正向偏置，二极 管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。 3、三极管电流放大作用的条件是：发射结加 电压，集电结 加 电压。 4、三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 5、工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安 时，集电极电流从1毫安变为2.2毫安，则该三极管的β约为 。 三、计算题（本题共5小题，共70分） 1、二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电 路的输出电压AB U 。（设二极管为硅管，导通压降为0.7V ） （15分） 2、已知三极管的发射极电流mA I E 24.3=，基极电流A I B μ40=，求集电极电流C I 的数值。 （10分）

模拟电子技术习题

一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

系统科学与工程练习题要点

《系统科学与工程》课程期末练习试卷 姓名：学号：所属院系： _ 一、单项选择题（共10题，每题1分，满分10分） 1.钱学森教授提出，系统工程是一门（ B ）。 A.经济控制的技术 B.组织管理的技术 C.现代工程技术 D.控制分析和设计的技术 2.霍尔的三维结构包括（ C ）。 A.时间维、逻辑维、空间维 B.时间维、空间维、知识维 C.时间维、逻辑维、知识维 D.空间维、逻辑维、知识维 3.关于综合集成工程方法学说法错误的是( B ) A 它是从定性到定量的综合集成法 B 采用人机结合以机器为主的思维方法和研究方式 C 综合集成研讨厅体系本身是开放的、动态的体系 D 由机器体系、专家体系和知识体系组成 4.邻接矩阵中，若某列(第j列)的元素全为（ A ），则Pi为系统的源 点，是系统的输入要素。 A.0 B.1 C.2 D.3 5.在决策树中，从状态节点引出的分枝叫（ B）分枝。 A.方案 B.状态 C.概率 D.决策 6.对于一些―亦此亦彼‖的现象及不确切概念事物，如―好天气‖、―容貌突出‖等 问题，你认为采用下来哪种评价方法比较合适？（ A） A、层次分析法 B、冲突分析方法 C、模糊综合评判法 D、A.古林法 7.如果决策环境不确定，甚至连发生的概率也一无所知，只能靠决策者的经 验、直觉进行主观决策，则这种决策称为（ B）。 A.确定型决策 B.不确定型决策 C.风险型决策 D.战术决策

8. 下图是一个有向连接图，它的邻接矩阵是（ A ）。 A 、????????????????011000000100011 0010000000B 、??? ???????? ?? ???1110001001 00111 0011000001 C 、????????????????01111 010******* 0010100000 D 、??? ???? ???? ?? ???11111 01001 00111 0011100001 9. 某投资模用AHP 方法进行系统评 价，得到如下表所示判断矩阵， 对于计算结果下列哪项为正确的？（ B ） 10. 相传英国有个名叫霍布森的商人，他在卖马的时候一直说，允许顾客任意挑选马匹，但需要符合一个条件，即只能挑选最靠近门边的那一匹。在此例中，顾客拥有的决策权限：( B ) A ．很大，因为他可以任意挑选马匹。 B ．很小，因为他的决策前提受到了严格控制。 C ．无大小之别，因为这里顾客只是在买马，而不是在作决策。 D ．无法判断，因为决策权限大小取决于所作决策的类型与重要程度。 二、填空题（共10题，每题1分，满分10分） 1. 系统是指由 两个 以上相互作用、相互影响的元素组成的具有特定 功能的有机整体。 2. 常用的系统工程方法有霍尔的 三维 结构系统工程方法论和切克兰 特的软系统工程方法论等。 3. 所谓结构模型，就是应用 有向连接图 来描述系统各要素之间关系， 以表示一个作为要素集合体的系统的模型。 A 、C.R=0.176，满足一致性要求 B 、C.R=0.176，不满足一致性要求 C 、C.R=0.096，满足一致性要求 C 、C.R=0.096，不满足一致性要求

《电子技术基础》练习题库

《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.

(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管

B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

电子技术考题大全及答案(完整版)

习题 【2-1】填空、选择正确答案 1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； √B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C．将输入交流信号加到晶体管的基极。 2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中： A．只有直流； B．只有交流； √ C．既有直流，又有交流。 3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ） 4．下列说法哪个正确： A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； √B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a） (2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。 （c；b） (5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c） 6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好） 7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区） 8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加） 9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A．放大倍数变大，输出电阻变大 B．放大倍数变大，输出电阻不变 C．放大倍数变小，输出电阻变大 D．放大倍数变小，输出电阻变小 11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载

电子技术试题及答案(

资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。 一、填空题： 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在 输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分）

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题： 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

系统工程的概念和特征

1.2.2 系统工程的定义与特征 1.系统工程的定义 系统工程作为一门新兴学科，与其他学科相互渗透、互相影响、不同专业领域的人对他的理解不尽相同。因此，要给出一个统一的定义比较困难。下面列举国内外学术和工程界对系统工程的一些比较有代表性的定义。 1967年，美国著名学者切纳斯（H.Chesthut）指出：“系统工程是按照各个目标进行权衡，全面求得最优解（或满意解）的方法，并使整体的各组成部分能够最大限度的互相适应。” 1967年，日本工业标准JIS定义：“系统工程是为了更好地达到系统目标，而对系统的构成要素、组织机构、信息流动和控制机构进行分析与设计的技术。” 1978年，我国著名科学家钱学森院士指出：“系统工程是组织管理系统的规划、研究、设计、制造、试验和使用的科学方法，是一种对所有系统都具有普遍意义的科学方法。” 1993年出版的《中国大百科全书·自动控制与系统工程卷》指出：“系统工程是从整体出发，合理开发、设计、实施和运用系统的工程技术。它是系统科学中直接改造世界的工程技术。” 本书采用我国汪应洛院士主编的《系统工程》一书中给出的宏观定义：系统工程是从总体出发，合理开发、运行和革新的一个大规模复杂系统所需的思想、理论、方法论、方法和技术的总称，属于一门综合性的工程技术。它把自然科学和社会科学中的某些思想、理论、方法策略和手段等根据总体协调的需要有机地联系起来，把人们的生产、科研或经济活动有效的组织起来，应用定量分析和定性分析相结合的方法和电子计算机等工具，对系统的构成要素、组织结构、信息交换和反馈控制等功能进行分析、设计、制造和服务，从而达到最优设计、最优控制和最优管理的目标，一遍最充分的发挥人力、物力和潜力。并通过各种组织管理技术，是局部和整体之间的关系协调配合，以实现系统的综合最优化。 2.系统工程的特点 1）系统性 系统性是系统工程最基本的特点。系统工程把所研究对象看成一个整体系统，这个整体系统又是由若干部分（要素与子系统）有机结合形成的。在分析和解决复杂实际系统问题时，需要从整体出发，从整体与部分之间相互依赖、相互制约的关系中去揭示系统的特征和规律，从整体最优化出发去实现系统各组成部分的有效运转。系统工程的系统性强调系统总体最优及平衡协调，强调综合应用各种方法与技术、问题导向和反馈控制等系统观念及技术方法。 2）交叉性和综合性 首先，系统工程的交叉性体现在其理论基础上，它是在一般系统理论、大系统理论、经济控制论、运筹学、管理科学等学科相互渗透、交叉发展的基础上产生的，并在自然科学、社会科学、数学之间架设了一座沟通的桥梁。其次，系统工程以大型复杂的人工系统和复合系统为研究对象，这些系统涉及的因素很多，涉及的学科领域也非常广泛。最后，参与系统工程项目的成员来自多学科，从各学科的专业角度对系统进行协作研究。因此，系统工程是综合研究各种因素，综合运用各学科和技术领域的成就，从整体目标出发使各学科、各种技术有机的配合、综合运用，已达到整体最优化的交叉性与综合性学科。 3）实践性 系统工程既有广泛而厚实的理论和方法论基础，又具有很强的实践性。系统工程强调针对实际问题进行系统分，所提出的问题解决方案必须接受实践检验，不能脱离实际，只有这样，系统工程才能服务于并造福于现实社会。 4）系统工程的专业特点 系统工程作为新兴的一大类工程技术，与其他工程技术具有共性，即直接与改造世界社会实践相联系。但与各类专门的工程技术相比，系统工程在内容和方法上表现出以下明显的

电子技术复习题

一、填空题（每空1分，共22分） 1、二极管具有最显著的特点是单向导电性。 2、三极管处于放大状态时，发射结正偏，集电结反偏。 3、在直接耦合放大电路中，抑制零点漂移最有效的电路结构是差分放大电路。 4、场效应管只有一种极性的载流子参与导电，固又称为单极型晶体管。 5、互补对称功率放大电路主要是要求输出大功率。 6、集成运算放大器的电路，可分为输入级、中间级、输出级和偏置电路四个基本组成部 分。 7、放大电路中负反馈的四种类型为：串联电压负反馈、并联电压负反馈、 串联电流负反馈、和并联电流负反馈。 8、逻辑函数的基本运算有与运算、或运算和非运算。 9、时序逻辑电路由门电路和触发器两部分组成。 10、用二进制代码表示有限对象（信号）的过程称为编码。 11、共阴LED数码管应与输出高电平有效的译码器匹配。 12、计数器按计数增减趋势分，有加法、减法和可逆计数器。 13、能将数字量转换为模拟量的装置称为 D/A转换器。 14、二进制数101011转换为十进制数为 43 。 二、选择题（每小题2分，共18分） 1、在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为10V,,,则这三 个极分别为：（C）。 A． C, B, A B． E, C, B C． C, E, B D．不确定 2、在下图所示的电路中，U 为（ B ）。

3、射极输出器（ A ）。 A．有电流放大作用，没有电压放大作用。 B．有电流放大作用，也有电压放大作用。 C．没有电流放大作用，也没有电压放大作用。 D．没有电流放大作用，有电压放大作用。 4、集成运算放大器实现信号运算关系时，其电路的特点是：（ A ） A．电路引入负反馈 B．电路引入正反馈C．电路可以引入正反馈，也可以引入负反馈 D．不需要引入反馈 5、在下图所示的稳压电路中，已知U Z =6V，则U O 为（ D ）。 6、下图所示电路中，Y恒为0的图是（ B ）。

中等职业技术学校：电子技术基础试题库

中等职业技术学校电子技术应用专业参考试题3 一、选择题 1. 硅二极管的导通电压为（）。 A.0.2V B.0.3V C.0.5V D.0.7V 2.二极管的内部是由（）所构成的。 A.两块P型半导体 B.两块N型半导体 C.一个PN结 D.两个PN结 3.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管（）的关系曲线。 A.V D—I D B.V D—R D C.I D—R D D.f—I D 4.二极管的正极电位是－10V，负极电位是－5V，则该二极管处于（）。 A.导通 B.截止 C.击穿 D.热击穿 5.下列二极管可用于稳压的是（）。 A.2AU6 B. 2BW9 C.2CZ8 D.2DP5 6.若把二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管( ) A.击穿 B.电流为零 C.电流过大而损坏 D.正向电压偏低而截止 1．用万用表测得PNP三极管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A. 放大 B.截止 C.饱和 D.损坏 2．在三极管的输出特性曲线中，当I B减小时，它对应的输出特性曲

线

（） A.向下平移 B.向上平移面 C. 向左平移 D. 向右平移 3.工作在放大区的某三极管，如果当I B从10μA增大到30μA时，I C 从2mA变为3mA，那么它的β约为( ) A.50 B. 20 C. 100 D.10 4.工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（） A.V C > V B > V E B.V C < V B < V E C.V B > V C > V E D.V C > V E > V B 5.三极管的主要特性是具有（）作用。 A.电压放大 B.单向导电 C.电流放大 D.电流与电压放大 6.一个正常放大的三极管，测得它的三个电极c、b、e的电位分别为6V、3.7V、3.0V，则该管是（）管。 A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 7.三极管各极对地电位如图1-3-1所示，则处于放大状态的硅三极管是( ) 8.当三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

系统科学与系统工程

系统科学与系统工程 系统科学是以系统为研究和应用对象的一门科学，而系统思维是一种逻辑抽象能力。前者是以系统为研究对象的基础理论和应用开发的学科组成的学科群，它着重考察各类系统的关系和属性，揭示其活动规律，探讨有关系统的各种理论和方法，而后者正是在系统科学的探索中必不可少要运用的思维行进方式，两者的相互运用开拓出了系统领域的神奇世界，给我们以看待问题的新视角与新观点。 系统科学的发展和成熟对人类的思维观念和思想方法产生了根本性的影响，使之发生了根本性的变革。系统科学的理论和方法已经广泛地渗透到自然科学和社会科学的各个领域。说到思维观念，我们自然想到对系统科学影响最深远的便是系统思维。系统思维，简单来说就是对事情全面思考，不只就事论事。是把想要达到的结果、实现该结果的过程、过程优化以及对未来的影响等一系列问题作为一个整体系统进行研究。它是指以系统论为思维基本模式的思维形态，它不同于创造思维或形象思维等本能思维形态。系统思维能极大地简化人们对事物的认知，给我们带来整体观。 从历史发展来看，可以把系统思维方式的演变区分为四个不同的发展阶段：古代整体系统思维方式——近代机械系统思维方式——辩证系统思维方式——现代复杂系统思维

方式。从中可以看出系统思维的发展也是经过了漫长的时期的，到了现代的系统思维方式，主要以整体性、结构性、立体性、动态性、综合性等特点见长，而这些恰是其非常重要的。相应的，系统思维的方法主要有整体法，结构法，要素法，功能法等。 系统科学的研究内容是一般系统所具有的概念，系统所具有的共同性质和系统演化的一般规律，具体内容有：（1）一般系统的概念 系统的定义、元素与结构、物性与系统性，实现与层次、系统与环境、行为与功能、存在与演化、状态与过程、系统与信息、系统分类、模型方法与系统描述等。 （2）简单系统理论： 线性系统理论、信息论、控制论、大系统理论、运筹学、灰色系统理论、黑箱方法等。 （3）开放系统理论： 开放与封闭的概念，可逆与不可逆，有序与无序，熵及其应用、平衡无序、平衡有序、非平衡有序、生命系统理论等。 （4）非线性系统理论（一） 连续动力学模型、轨道、初态与终态、暂态与空态、运动稳定性、结构稳定性、吸引子、系统相图、分叉与多样性、突变与奇异性、连续混沌、瞬态特性与过程。