NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BPY 62
1)Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPY 62Q60215-Y62BPY 62-2Q60215-Y1111BPY 62-3Q60215-Y1112BPY 62-4Q60215-Y1113BPY 62-51)
Q62702-P1113
Ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
f m o f 6019
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearit?t
q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)mit Basisanschlu β, geeignet bis 125°C q Gruppiert lieferbar Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik
q “Messen/Steuern/Regeln”Features
q Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm q High linearity
q Hermetically sealed metal package (TO-18)with base connection suitable up to 125°C q Available in groups Applications
q Photointerrupters q Industrial electronics
q For control and drive circuits
Grenzwerte
Maximum Ratings Bezeichnung Description
Symbol Symbol
Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range T op ;T stg – 55...+ 125°C L?ttemperatur bei Tauchl?tung L?tstelle ≥ 2 mm vom Geh?use,L?tzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s T S
260
°C
L?ttemperatur bei Kolbenl?tung L?tstelle ≥ 2 mm vom Geh?use,L?tzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s T S
300°C
Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage V CE 50V Kollektorstrom Collector current
I C 100mA Kollektorspitzenstrom,τ <10 μs Collector surge current I CS 200mA Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage V EB 7V Verlustleistung,T A = 25°C Total power dissipation P tot 200mW W?rmewiderstand Thermal resistance
R thJA
500
K/W
Kennwerte (T A = 25°C,λ = 950 nm)Characteristics Bezeichnung Description
Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenl?nge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity
λS max 850nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von S max
Spectral range of sensitivity S = 10 % of S max
λ
420 (1130)
nm
Bestrahlungsempfindliche Fl?che Radiant sensitive area A 0.12mm 2Abmessung der Chipfl?che Dimensions of chip area
L ×B L ×W 0.5×0.5mm × mm Abstand Chipoberfl?che zu Geh?useober-fl?che
Distance chip front to case surface H
2.4...
3.0
mm
Halbwinkel Half angle
?±8
Grad deg.
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode E e = 0.5 mW/cm 2,V CB = 5 V
E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,V CB = 5 V
I PCB I PCB
4.517μA μA
Kapazit?t Capacitance
V CE = 0 V,f = 1 MHz,E = 0V CB = 0 V,f = 1 MHz,E = 0V EB = 0 V,f = 1 MHz,E = 0C CE C CB C EB 81119pF pF pF Dunkelstrom Dark current
V CE = 35 V,E = 0
I CEO
5 (≤100)
nA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures.1)I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe 1)
I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung Description
Symbol Symbol
Wert Value
Einheit Unit
-2
-3
-4
-5
Fotostrom,λ =950 nm Photocurrent
E e = 0.5 mW/cm 2,V CE = 5 V
E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V CE = 5 V
I PCE I PCE
0.5...1.03.00.8...1.64.6 1.25...2.57.2≥2.011.4mA mA
Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time
I C = 1 mA,V CC = 5 V,R L = 1 k ?
t r , t f
57912μs
Kollektor-Emitter-S?ttigungsspannung Collector-emitter saturation voltage I C =I PCEmin 1)× 0.3,E e = 0.5 mW/cm 2
V CEsat
150150160180mV
Stromverst?rkung Current gain
E e = 0.5 mW/cm 2,V CE = 5 V
I PCE I PCB
170270420670
Relative spectral sensitivity S rel =f (λ)Output characteristics I C =f (V CE ),I B = Parameter Photocurrent
I PCE /I PCE25o =f (T A ),V CE
= 5 V Photocurrent
I PCE =f (E e ),V CE = 5 V Output characteristics I C =f (V CE ),I B = Parameter Dark current
I CEO /I CEO25o =f (T A ), V CE = 25 V, E
= 0Total power dissipation P tot =f (T A )
Dark current
I CEO =f (V CE ), E = 0
Collector-emitter capacitance C CE =f (V CE ),f = 1 MHz,E
= 0
Collector-base capacitance C CB=f (V CB),f= 1 MHz,E = 0Emitter-base capacitance
C EB=f (V EB),f= 1 MHz,E = 0
Directional characteristics S rel=f (?)