C8051F35X单片机内部Flash存储器的擦写方法
作者：陈富安， 张莹
作者单位：河南工业大学电气工程学院,河南,郑州,450001
刊名：
电子设计工程
英文刊名：ELECTRONIC DESIGN ENGINEERING
年，卷(期)：2010,18(2)
参考文献(6条)
1.杨勇涛Flash存储器在DSP系统中的应用[期刊论文]-电子技术 2006(361)
2.赵海舰嵌入式系统的nash编程技术研究[期刊论文]-计算机工程与设计 2005(26)
3.朱恩亮Flash Memory程序存储器实验的设计 2006(19)
4.蔡晓雯基于C8051F020的外部存储器扩展[期刊论文]-测控技术 2008(27)
5.潘琢金C8051F350混合信号ISP Flash为控制器数据手册 2005
6.傅务谨Flash存储器在嵌入式系统设计中的应用[期刊论文]-福建电脑 2008(22)本文链接：https://www.doczj.com/doc/2313508489.html,/Periodical_dzsjgc201002039.aspx
实验一存储器实验 1.FPGA中LPM_ROM定制与读出实验 一.实验目的 1、掌握FPGA中lpm_ROM的设置,作为只读存储器ROM的工作特性与配置方法。 2、用文本编辑器编辑mif文件配置ROM,学习将程序代码以mif格式文件加载于 lpm_ROM中; 3、在初始化存储器编辑窗口编辑mif文件配置ROM; 4、验证FPGA中mega_lpm_ROM的功能。 二.实验原理 ALTERA的FPGA中有许多可调用的LPM (Library Parameterized Modules)参数化的模块库,可构成如lpm_rom、lpm_ram_io、lpm_fifo、lpm_ram_dq的存储器结构。CPU 中的重要部件,如RAM、ROM可直接调用她们构成,因此在FPGA中利用嵌入式阵列块EAB 可以构成各种结构的存储器,lpm_ROM就是其中的一种。lpm_ROM有5组信号:地址信号address[ ]、数据信号q[ ]、时钟信号inclock、outclock、允许信号memenable,其参数都就是可以设定的。由于ROM就是只读存储器,所以它的数据口就是单向的输出端口,ROM中的数据就是在对FPGA现场配置时,通过配置文件一起写入存储单元的。图3-1-1中的lpm_ROM有3组信号:inclk——输入时钟脉冲;q[23、、0]——lpm_ROM的24位数据输出端;a[5、、0]——lpm_ROM的6位读出地址。 实验中主要应掌握以下三方面的内容: ⑴ lpm_ROM的参数设置; ⑵ lpm_ROM中数据的写入,即LPM_FILE初始化文件的编写; ⑶lpm_ROM的实际应用,在GW48_CP+实验台上的调试方法。 三.实验步骤 (1)用图形编辑,进入mega_lpm元件库,调用lpm_rom元件,设置地址总线宽度address[] 与数据总线宽度q[],分别为6位与24位,并添加输入输出引脚,如图3-1-1设置与连接。 (2)设置图3-1-1为工程。 (3)在设置lpm_rom数据参数选择项lpm_file的对应窗口中(图3-1-2),用键盘输入 lpm_ROM配置文件的路径(rom_a、mif),然后设置在系统ROM/RAM读写允许,以便能
基于March C-算法的单片机存储器测试 作者：于文考高成张栋 来源：《现代电子技术》2010年第06期 摘要:为了保证单片机系统的可靠性,对单片机内嵌存储器的测试显得尤为重要。根据MCS-51系列单片机系统内嵌存储器的结构特点和故障模型,研究了测试算法的选择、数据背景的产生等问题,首次提出将March C-算法用于单片机内嵌存储器的用户级测试程序编写。该测试程序对SAF,TF,AF,CF的故障覆盖率可达到100%,并且能够检测部分NPSF故障,具有较高的故障覆盖率,适合于对用户级MCS-51系列单片机存储器的测试。 关键词:单片机;March C-算法;存储器测试;故障覆盖率 中图分类号:TP333文献标识码:B 文章编号:1004-373X(2010)06-019-03 Test of Single Chip Microcomputer′s Memory Based on March C- Algorithm YU Wenkao,GAO Cheng,ZHANG Dong (Beihang University,Beijing,100191,China) Abstract:In order to ensure thereliability of single chip microcomputer system,test of the single chip microcomputer embedded memory is particularly important.In accordance with characteristics and fault model of MCS-51 embedded memory,selection of the test algorithm and the data background are researched,and the test program which based on March C- algorithm for MCS-51 single chip microcomputer embedded memory for the first time in user-level is presented.The test program can reach all of the SAF,TF,AF,CF failure and some of NPSF failure,has a high fault coverage,suitable for test of MCS-51 single chip microcomputer embedded memory in user-level. Keywords:single chip microcomputer;March C- algorithm;memory test;fault coverage 0 引言 存储器是单片机系统中的重要组成部分,其功能的正确性直接影响到单片机的可靠性。因此,为了保证单片机系统的可靠性,对单片机内嵌存储器的功能测试尤为重要。针对单片机内嵌存储器的结构特点,在详细分析嵌入式存储器故障模型的基础上,合理选择测试算法和数据背景,采用面向位与面向字节相结合的March C-算法,实现了基于March C-算法的单片机内嵌存储器测试。 1 存储器的故障模型
一.51的存储器结构 笼统来说单片机片内存储器分为CODE区和data区，cpu从code区读取指令，对data区的数据进行运算处理。前者在程序运行中为只读，一般为FLASH，用来放置程序代码和一些只读的数据（如字模表之类），后者可以随机读写，用来存放程序运行中的临时数据，如局部变量或全局变量，全局变量一直占用着RAM内存，而局部变量在使用完后会自动清除RAM空间。当然在片外，可以外扩FLASH和RAM（此时称为XRAM，因为寻址方式不一样），外扩的大小与单片机寻址能力有关。有的单片机将外扩RAM封装在片内，如AT89C51,所以有了所谓的片内XRAM。 二.变量的存储模式 变量是一种在程序执行过程中能不断变化的量。它有数据类型、存储类型、存储器模式和有效范围四种属性。C语言规定每个变量必须有一个标识符作为变量名，在使用一个变量前，必须先对变量进行定义，指出其数据类型和存储模式。以便编译系统为其分配存储单元。在C51中对变量进行定义的格式如下： [存储类型] 数据类型 [存储器类型] 变量名表,如auto char data i; 存储类型指明变量的存储区域，而变量的存储类型和变量在程序中说明的位置决定了它的作用范围。存储类型含义与C语言相同。存储类型有四种：auto型、extern型、static型、register型，缺省为auto型（看来我一直都是凹凸型啊）。其区别如下： auto:自动变量。存储在内存的堆栈区，属于临时性存储变量，并不长期占用内存，可以被多次覆盖。 register：寄存器变量。register与auto一样属于自动类别。区别在于register 的值保存在CPU的寄存器中。计算机中只有寄存器中的数据才能直接参与运算，而一般变量是放在内存中的，变量参加运算是，需要先把变量从内存中取到寄存器中，然后计算。所以一般把使用最频繁的变量定义成register变量。register变量只能在函数中定义，并只能是int和char型。 static:静态变量。声明静态变量的,也就是C语言中的私有成员.如果在一个函数中声明一个静态变量,静态变量的空间不在栈里面,而是存储在静态空间里,这个函数结束后,静态变量的值依旧存在,内存不会收会此变量占用的内存空间,而是等整个程序都结果后才收回静态变量空间。 extern:外部类型。extern用来声明外部变量,可以用于此程序外的程序中（可在两个C 文件间交叉使用）,类型要一致。变量在数据运行时被分配了一定的内存空间，该空间在整个运行程序中，只要程序存在，自始自终都被该变量使用，即其值始终不变。 数据类型就不用多说了，bit，byte，char什么的。 存储器类型与单片机的寻址方式有关，影响程序的执行效率。下表是传统C51的存储器类型，不同单片机类型有所差别。
创作编号： GB8878185555334563BT9125XW 创作者：凤呜大王* 单片机程序程序存储空间（ROM）和数据存储空间(RAM)详解 问题：STC89C52RC单片机:8K字节程序存储空间,512字节数据存储空间,内带2K 字节EEPROM存储空间;它们分别存的是什么？ 8K的程序存储空间是存储代码，也就是你写的程序生成的HEX文件的，相当于电脑系统的C盘。 512字节相当于内存，存储空间存储变量，像u8 x,y,z,u32 a之类的临时变量掉电后数据丢失。 2K eeprom相当于电脑系统的硬盘，数据写入后掉电不丢失。主要是单片机在运行的过程中写入数据或者读取数据。像设置的闹铃值，设置好了就不用每次都去设置了，保存在单片机里面，即使掉电了，设置的数据也不会丢失，只需单片机上电再读取就好了。 单片机原理及系统结构 在此先详细分析51单片的存储器结构和寻址方法，再分析片外存储器的扩展，最后给出设计原理并分析系统结构。
图一：存储空间分布 51单片机存储器结构分析 8051单片机的存储器在物理结构上分为程序存储器空间和数据存储器空间，共有4个存储空间：片内程序存储器、片外程序存储器以及片内数据存储器、片外数据存储器空间。 这种程序存储和数据存储分开的结构形式被称为哈佛结构。MCS-51使用哈弗结构，它的程序空间和数据空间是分开编址的，即各自有各自的地址空间，互不重叠。所以即使地址一样，但因为分开编址，所以依然要说哪一个空间内的某地址。而ARM （甚至是x86）这种冯诺依曼结构的MCU/CPU，它的地址空间是统一并且连续的，代码存储器/RAM/CPU寄存器，甚至PC机的显存，都是统一编址的，只是不同功能的存储器占据不同的地址块，各自为政。 MCS-51单片机存储器的配置特点 ①内部集成了4K的程序存储器ROM； ②内部具有256B的数据存储器RAM（用户空间+SFR空间）； ③可以外接64K的程序存储器ROM和数据存储器RAM。 从物理结构的角度讲，51单片机的存储系统可以分为四个存储空间：既片内ROM，RAM和片外ROM、RAM。 从逻辑结构上看（既编程的角度），可以分为三个不同的空间： （1）片内、片外统一编址的64KB的程序存储器地址空间：0000H~FFFFH(用16位地址);，其中0000H~0FFFH为片内4KB的ROM地址空间，1000H~FFFFH为
本技术公开了一种存储器测试方法，包括以下步骤：激活操作系统，令系统进入存储器测试的保护模式；在存储器中创建一地址转换页表；判断待测存储器的物理地址空间是否超过 4GB；若是，激活地址转换页表，将系统给定的32位线性地址转换为与存储器的实际物理地址相对应，并在系统中央处理器的控制下，依照地址转换页表查询和访问存储器的实际物理地址，且执行存储器检测算法进行存储器测试；若不是，则在系统中央处理器的控制下，直接访问与系统的32位线性地址相对应的存储器的实际物理地址，并执行存储器检测算法进行存储器测试。采用本技术可以访问和测试4GB以上存储器地址空间的问题及缺陷，从而在提 高了存储器测试范围的同时节约了测试成本。
技术要求 1、一种存储器测试方法，应用于使用英特尔中央处理器的计算机服务器 系统或个人微电脑系统中的存储器检测过程，其特征在于，该方法包括以下步骤： 激活操作系统，并令系统进入存储器测试的保护模式； 在存储器中创建一地址转换页表结构，用以在后续步骤中将系统给定的 32位线性地址转换成具有4GB以上物理地址空间的存储器的物理地址； 判断所测试的存储器的物理地址空间是否超过4GB； 如超过4GB，则激活所述地址转换页表结构，将系统给定的32位线性地 址转换为与所述存储器的实际物理地址相对应，并在系统中央处理器的控制下，依据该地址转换页表查询和访问所述存储器的实际物理地址，且执行存储器检测算法对该存储器进行测试，并且在完成对所述存储器的实际物理地址的访问及存储器测试后，关闭该地址转换页表结构；以及 如未超过4GB，则不激活所述地址转换页表结构，而在所述系统中央处理 器的控制下，直接访问与系统给定的32位线性地址相对应的所述存储器的实际物理地址，并执行存储器检测算法对该存储器进行测试。 2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述地址转换页表结构是 基于Intel公司提供的物理地址扩展/页扩展技术而构建的。 3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括如下步骤： 在存储器的控制缓存器CR3中装载一具有两级页表结构的页映像表； 在存储器的控制缓存器CR4中设定所述线性地址第5位支持所述物理地址 扩展功能，并设定该线性地址第4位的偏移大小；以及
详细分析MCS-51单片机内部数据存储器RAM 8051单片机的内部RAM共有256个单元，通常把这256个单元按其功能划分为两部分：低128单元(单元地址00H～7FH)和高128单元(单元地址80H～FFH)。如图所示为低128单元的配置图。 寄存器区 8051共有4组寄存器，每组8个寄存单元(各为8)，各组都以R0～R7作寄存单元编号。寄存器常用于存放操作数中间结果等。由于它们的功能及使用不作预先规定，因此称之为通用寄存器，有时也叫工作寄存器。4组通用寄存器占据内部RAM的00H～1FH单元地址。 在任一时刻，CPU只能使用其中的一组寄存器，并且把正在使用的那组寄存器称之为当前寄存器组。到底是哪一组，由程序状态字寄存器PSW中RS1、RS0位的状态组合来决定。通用寄存器为CPU提供了就近存储数据的便利，有利于提高单片机的运算速度。此外，使用通用寄存器还能提高程序编制的灵活性，因此，在单片机的应用编程中应充分利用这些寄存器，以简化程序设计，提高程序运行速度。 位寻址区 内部RAM的20H～2FH单元，既可作为一般RAM单元使用，进行字节操作，也可以对单元中每一位进行位操作，因此把该区称之为位寻址区。位寻址区共有16个RAM单元，计128位，地址为00H～7FH。MCS-51具有布尔处理机功能，这个位寻址区可以构成布尔处理机的存储空间。这种位寻址能力是MCS-51的一个重要特点。 用户RAM区 在内部RAM低128单元中，通用寄存器占去32个单元，位寻址区占去16个单元，剩下80个单元，这就是供用户使用的一般RAM区，其单元地址为30H～7FH。对用户RAM 区的使用没有任何规定或限制，但在一般应用中常把堆栈开辟在此区中。 内部数据存储器高128单元
实验一存储器实验 1．FPGA中LPM_ROM定制与读出实验 一．实验目的 1、掌握FPGA中lpm_ROM的设置，作为只读存储器ROM的工作特性和配置方法。 2、用文本编辑器编辑mif文件配置ROM，学习将程序代码以mif格式文件加载于 lpm_ROM中； 3、在初始化存储器编辑窗口编辑mif文件配置ROM； 4、验证FPGA中mega_lpm_ROM的功能。 二．实验原理 ALTERA的FPGA中有许多可调用的LPM (Library Parameterized Modules)参数化的模块库，可构成如lpm_rom、lpm_ram_io、lpm_fifo、lpm_ram_dq的存储器结构。CPU中的重要部件，如RAM、ROM可直接调用他们构成，因此在FPGA中利用嵌入式阵列块EAB可以构成各种结构的存储器，lpm_ROM是其中的一种。 lpm_ROM有5组信号：地址信号address[ ]、数据信号q[ ]、时钟信号inclock、outclock、允许信号memenable，其参数都是可以设定的。由于ROM是只读存储器，所以它的数据口是单向的输出端口，ROM中的数据是在对FPGA现场配置时，通过配置文件一起写入存储单元的。图3-1-1中的lpm_ROM有3组信号：inclk——输入时钟脉冲；q[23..0]——lpm_ROM的24位数据输出端；a[5..0]——lpm_ROM的6位读出地址。 实验中主要应掌握以下三方面的内容： ⑴lpm_ROM的参数设置； ⑵lpm_ROM中数据的写入，即LPM_FILE初始化文件的编写；
⑶lpm_ROM的实际应用，在GW48_CP+实验台上的调试方法。 三．实验步骤 （1）用图形编辑，进入mega_lpm元件库，调用lpm_rom元件，设置地址总线宽度address[]和数据总线宽度q[]，分别为6位和24位,并添加输入输出引脚，如图3-1-1设置和连接。 （2）设置图3-1-1为工程。 （3）在设置lpm_rom数据参数选择项lpm_file的对应窗口中（图3-1-2），用键盘输入lpm_ROM配置文件的路径（rom_a.mif），然后设置在系统ROM/RAM读写允许，以便能对FPGA中的ROM在系统读写。 (4) 用初始化存储器编辑窗口编辑lpm_ROM配置文件（文件名.mif）。这里预先给出后 面将要用到的微程序文件：rom_a.mif 。rom_a.mif中的数据是微指令码（图3-1-3）。 （5）全程编译。 （6）下载SOF文件至FPGA，改变lpm_ROM的地址a[5..0]，外加读脉冲，通过实验台上的数码管比较读出的数据是否与初始化数据(rom_a.mif中的数据)一致。 注：下载sof示例文件至实验台上的FPGA，选择实验电路模式仍为NO.0，24位数据输出由数码8至数码3显示，6位地址由键2、键1输入，键1负责低4位，地址锁存时钟CLK由键8控制，每一次上升沿，将地址锁入，数码管8/7/6/5/4/3将显示ROM 中输出的数据。发光管8至1显示输入的6位地址值。
龙源期刊网 https://www.doczj.com/doc/2313508489.html, 存储器测试算法及诊断覆盖率研究 作者：陈金鸿谢亚莲 来源：《企业技术开发·下旬刊》2014年第04期 摘要：随着微电子技术的快速进步，半导体集成电路高速发展，新的存储器测试技术也 不断更新。文章描述了存储器的经典测试算法运算过程，并分析了其原理。在研究经典测试算法的基础上，吸收经典算法的思想，比较各种不同算法的优缺点，改进测试算法，以便在实际检测中能够减少测试所需要的时间，提高故障诊断覆盖率，达到比较满意的测试效果。 关键词：存储器；测试算法；诊断覆盖率 中图分类号：TP333.8 文献标识码：A 文章编号：1006-8937（2014）12-0009-02 存储器测试技术是一直不断更新的技术，随着存储器在市场上的需求日益增加，每一种新存储器技术的出现都会引起广泛的关注，往往新技术的出现都对实际测试工作造成巨大的改变。而面对越来越大的存储器市场，生产商对于存储器功能安全越来越重视，寻找高效的测试算法一直是存储器测试过程中需要解决的问题。 1 存储器测试算法 对于存储器的测试，目前有许多种测试算法，有使用时间长久的经典算法，也有近些年运用广泛的新型算法，它们都各有特点。 现主要的算法有MSCAN算法（全“0”全“1”算法）、Checkerboard算法（棋盘法）、Gallop算法（奔跳法）、March算法等。一种实用有效的测试算法，能够花费较少的时间和操作程序，更全面的检测出存储器故障。 1.1 MSCAN算法（全“0”全“1”算法） 对所有单元写“1”，再读取所有单元，进行对比。对所有单元写“0”，再读取所有单元，进行对比。算法表达式：{■（w0）；■（r0）；■（w1）；■（r1）}。算法的执行方式可以如下： ①从检测起始点，沿着地址递增的方向将所有存储单元写“0”；②从检测起始点，沿着地址递增的方向读出所有存储单元的值“0”；③从检测起始点，沿着地址递增的方向将所有存储单元写“1”；④从检测起始点，按照地址递增的方向读出所有储存单元的值“1”。 可编程为： For I=1 to n；Do
1、bit是在内部数据存储空间中20H .. 2FH 区域中一个位的地址，这在DATA的20H以后以字节形式出现，可互相参照。另外加上8051 可寻址的SFR，但刚刚试过，只是00H--7FH 起作用，也就是说当数据有变化时颜色变红，以后的从80H到--FFH就不是位寻址区了，是位寻址的特殊寄存器，如涉及到了可位寻址的那11个当然会有反应。 复位后，程序计数器PC的内容为0000H，内部RAM各单元的值不确定。各功能寄存器的复位值如下：堆栈指针SP的复位值为07H，累加器ACC、寄存器B的复位值为00H，数据指针DPTR的复位值为0000H，而p0、p1、p2、p3四个口的复位值为0FFH。其他SFR如PSW、TCON、TMOD、TL0、TH0、TL1、TH1的复位值也为00H。 2、wave中是低128字节和高128字节（0-7FH），低128字节是片内RAM区，高128字节（80-FFH）是SFR（特殊功能寄存器）bit则是位于低128字节的20H .. 2FH 区域，即data 的20H .. 2FH 区域 3、code是在0000H .. 0FFFFH 之间的一个代码地址。 例如： ORG 5000H TAB: DB 22H,3BH,43H,66H,5H,6DH,88H后， CODE从5000H开始以后变成DB各位 4、data是在0 到127 之间的一个数据存储器地址，或者加128 .. 255 范围内的一个特殊功能寄存器（SFR）地址。两者访问的方式不同。实际上由于PSW的复位设置PSW.3=RS0和PSW.4=RS1皆为0，所以通用工作寄存器区就是第0区，所以data的00--07H部分是与REG栏中的R0--R7对应的。以后的则仅代表低128字节的内部RAM。 5、idata是0 to 255 范围内的一个idata 存储器地址。idata与data重合低128字节，有的地方只有DATA表示256字节的片内RAM，xdata 是0 to 65535 范围内的一个xdata 存储器地址。 指针类型和存储区的关系详解 一、存储类型与存储区关系 data ---> 可寻址片内ram bdata ---> 可位寻址的片内ram idata ---> 可寻址片内ram，允许访问全部内部ram pdata ---> 分页寻址片外ram (MOVX @R0) (256 BYTE/页) xdata ---> 可寻址片外ram (64k 地址范围FFFFH) code ---> 程序存储区(64k 地址范围),对应MOVC @DPTR 二、指针类型和存储区的关系 对变量进行声明时可以指定变量的存储类型如: uchar data x和data uchar x相等价都是在内ram区分配一个字节的变量。 同样对于指针变量的声明，因涉及到指针变量本身的存储位置和指针所指向的存储区
Vol.45No.4 740 计算机与数字工程 Computer /Digital Engineering总第330期 2017年第4期存储器测试图形算法概述$ 罗晶杨士宁石雪梅 (航天科工防御技术研究试验中心北京100854) 摘要存储器的高集成度化、高速化，为存储器测试带来了极大挑战。论文介绍了存储器测试图形的原理和发展，基于传统的存储器测试图形，综合描述了目前国内外几种较为新颖的且可用于实际工业生产的存储器测试图形改进算法。 关键词存储器测试；测试图形&改进的齐步算法 中图分类号TP391 DO# 10.3969/j.issn1672-9722. 2017. 04.031 Summary of Test Pattern Algorithm for Memory LUO Jing YANG Shining SHI Xuemei (Institute201 of the Second Academy of China Aerospace Science/Industry Corp,Beijing100854) Abstract tt brings big challenge to the testing of semiconductor memory with the development of its high integration and speed.The principle and development of test pattern for memory are introduced.Ameliorated test pattern for memory used in industry manufacture based on traditional test pattern for memory is described synthetically at present. Key Words memory test，test pattern，improved march pattern algorithm Class Number TP391 1引言 随着集成电路制造工艺的不断进步，半导体芯 片的发展趋于高密度、高速度、高复杂度，给测试带 来了极大的挑战[1]。存储器是集成电路产品中的 一个主要门类，主要用来存放数据、指令、程序等信 息。存储器的测试一方面可用于判断产品质量是 否合格，另一方面通过测试获得一些数据用于改进 工艺[2]。 目前存储器的基本测试方法已经比较成熟，主 要有存储器直接存取测试、存储器的宏测试、存储 器内建自测试三种，各有利弊。存储器直接存取测 试是利用自动测试设备来进行测试，自动测试设备 的性能和测试成本使得直接存取测试方式对大容 量的存储器并不合适。存储器的宏测试将存储器 作为一个宏模块，利用电路内部的扫描路径生成宏 模块的测试向量，再通过自动测试设备在电路外部施加测试矢量，对于较大的存储器，宏测试向量的 数据量较大，测试需要较长时间。存储器内建自测 试是在存储器外围产生一整套控制电路，实现芯片 内置存储器测试模式的自动产生及测试结果的自 动判别，这种方法增加芯片的面积，但是具有自动化程度 、量 、、等优势(]。 对于存储器来说，最主要的测试是读写逻辑功 能测试，以检测存储单元的故障，包括由于坏的金 属连接、坏的元件、芯片逻辑错误等原因引起的功 能故障。这些故障通常被简化为几个较为成熟的 故障模型，通过不同的测试图形算法来检测故障。 本文以存储器的测试图形为切入点，先简单介 绍存储器简化的故障模型，然后介绍常用的存储器 测试图形算法以及一些新近提出的改进存储器测 试图形算法，对其进行比较，并对将来存储器测试 图形的发展进行预期。 收稿日期：2016年10月8日，修回日期：2016年11月25日 作者简介:罗晶，女，硕士，助理工程师，研究方向：元器件测试。杨士宁，男，硕士，工程师，研究方向：元器件测试。石雪梅，女，硕士,工程师，研究方向:元器件测试。
网络存储测试方案 一．目前主流网络存储设备厂商及其主要产品的特点及主要性能指标主流厂商: EMC，IBM，HDS，Netapp等。 EMC 目前EMC产品存储方面主要涵盖：NAS、SAN、云计算等方面。主要产品有： EMC Atmos 集全球规模的存储能力与云体系结构的优势于一身，提供能够满足企业和服务提供商需求的解决方案。 EMC isilon 针对大数据的强大横向扩展NAS 解决方案，不管规模如何，其安装、管理和扩展都很简单。 EMC Symmetrix 10K/20K/40K 这系列三个产品从经济性到高性能均覆盖到，其中 10K：最经济划算的多控制器阵列，专门针对高性能和高效率而设计，适合在虚拟环境中整合应用程序。 20K：专门针对高要求虚拟数据中心环境的性能、整合和自动化需求而打造。 40K：专为混合云环境打造，提供了业界最高级别的整合、性能和可扩展性。 EMC VNX 高性能统一存储，具有无与伦比的简洁性和高效性，针对虚拟应用程序而优化。 IBM IBM TotalStorage DS8870 提供高达 3 倍的性能提升，以实现更快的事务处理速度和实时分析 凭借与IBM 企业级服务器集成的完全硬件冗余的先进业务持续性解决方案，提供卓越的系统可用性 凭借 5 代IBM? System Storage? Easy Tier? 功能和其他先进的自我调整功能，优化性能和成本目标 扩展至高达 1 TB 的系统缓存和高达 2 PB 的容量 通过出色的可扩展性、自我优化、驱动器分层和对广泛工作负载的支持实现整合 IBM XIV 存储系统 针对极致的易用性和运营敏捷性设计的久经考验的创新性高端磁盘存储系统热点、始终如一的高性能，以及通过网格架构实现的大规模并行处理 适用于优化的云与虚拟环境的虚拟化存储资源 通过完全冗余、自我修复和无与伦比的重建速度实现的极高可靠性与可用性
MCS-51单片机在物理结构上有四个存储空间： 1、片内程序存储器 2、片外程序存储器 3、片内数据存储器 4、片外数据存储器 但在逻辑上，即从用户的角度上，8051单片机有三个存储空间： 1、片内外统一编址的64K的程序存储器地址空间（MOVC） 2、256B的片内数据存储器的地址空间（MOV） 3、以及64K片外数据存储器的地址空间（MOVX） 在访问三个不同的逻辑空间时，应采用不同形式的指令（具体我们在后面的指令系统学习时将会讲解），以产生不同的存储器空间的选通信号。 程序内存ROM 寻址范围：0000H ~ FFFFH 容量64KB EA = 1，寻址内部ROM；EA = 0，寻址外部ROM 地址长度：16位 作用：存放程序及程序运行时所需的常数。 七个具有特殊含义的单元是： 0000H ——系统复位，PC指向此处； 0003H ——外部中断0入口 000BH —— T0溢出中断入口
0013H ——外中断1入口 001BH —— T1溢出中断入口 0023H ——串口中断入口 002BH —— T2溢出中断入口 内部数据存储器RAM 物理上分为两大区：00H ~ 7FH即128B内RAM 和SFR区。 作用：作数据缓冲器用。 下图是8051单片机存储器的空间结构图 程序存储器 一个微处理器能够聪明地执行某种任务，除了它们强大的硬件外，还需要它们运行的软件，其实微处理器并不聪明，它们只是完全按照人们预先编写的程序而执行之。那么设
计人员编写的程序就存放在微处理器的程序存储器中，俗称只读程序存储器（ROM）。程序相当于给微处理器处理问题的一系列命令。其实程序和数据一样，都是由机器码组成的代码串。只是程序代码则存放于程序存储器中。 MCS-51具有64kB程序存储器寻址空间，它是用于存放用户程序、数据和表格等信息。对于内部无ROM的8031单片机，它的程序存储器必须外接，空间地址为64kB，此时单片机的端必须接地。强制CPU从外部程序存储器读取程序。对于内部有ROM的8051等单片机，正常运行时，则需接高电平，使CPU先从内部的程序存储中读取程序，当PC值超过内部ROM的容量时，才会转向外部的程序存储器读取程序。 当=1时，程序从片内ROM开始执行，当PC值超过片内ROM容量时会自动转向外部ROM空间。 当=0时，程序从外部存储器开始执行，例如前面提到的片内无ROM的8031单片机，在实际应用中就要把8031的引脚接为低电平。 8051片内有4kB的程序存储单元，其地址为0000H—0FFFH，单片机启动复位后，程序计数器的内容为0000H，所以系统将从0000H单元开始执行程序。但在程序存储中有些特殊的单元，这在使用中应加以注意： 其中一组特殊是0000H—0002H单元，系统复位后，PC为0000H，单片机从0000H 单元开始执行程序，如果程序不是从0000H单元开始，则应在这三个单元中存放一条无条件转移指令，让CPU直接去执行用户指定的程序。 另一组特殊单元是0003H—002AH，这40个单元各有用途，它们被均匀地分为五段，它们的定义如下： 0003H—000AH 外部中断0中断地址区。 000BH—0012H 定时/计数器0中断地址区。
主流DS P存储器测试方法 本文选自电子发烧友网5月《智能工业特刊》特别聚焦栏目，转载请注明出处 存储器相关的问题是DSP 应用中非常普遍的问题。本文介绍KeyStone I 系列DSP 上一些存储器测试的方法。 KeyStone DSP 存储器系统简介 KeyStone DSP 存储器架构如图1 所示。 对不同的DSP，存储器的大小可能不同，DSP 核和EDMA 传输控制器的个数也可能不同。表1比较了KeyStone I 系列中常用的3颗
DSP。 表1 KeyStone I 存储器系统比较 本文介绍几种存储器测试算法，并讨论这几种算法的用途。 数据测试 下面是数据测试的伪代码： for(memory range under test) fill the memory with a value; for(memory range under test) read back the memory and compare the readback value to the written value 通常，这个测试会被执行几次，每次填充的值不一样。常用的填充值包括 0x55555555, 0xAAAAAAAA, 0x33333333, 0xCCCCCCCC, 0x0F0F0F0F , 0xF0F0F0F0, 0x00FF00FF , 0xFF00FF00FF00, 0xFFFFFFFF , 0。 这个测试可以用来检测数据比特粘连(bit -stuck)问题，例如，如果，
written value = 0, readback value = 0x8, 表示bit 3 粘连到1. 如果 written value = 0xFFFFFFFF , readback value = 0xFFFFFFFE, 表示bit 0 粘连到0. 如果能正确的写入并读出0x55555555（或0xAAAAAAAA），说明相邻的两个比特没有粘连；如果能正 确写入并读出0x33333333（或0xCCCCCCCC），说明相邻的4 个比特没有粘连；如果能正确写入并读出 0x0F0F0F0F（或0xF0F0F0F0），说明相邻的8 个比特没有粘连… 这个算法既可以用来测试数据总线连接，也可以用于测试存储器单元。当用于测试存储器单元时则每一 个存储单元都需要写读所有的值，这将是比较耗时的测试；而用于测试数据总线连接时，只需要把所有的值都 写读一遍就可以了（地址不限）。 地址测试 地址测试的伪代码如下: for(memory range under test) fill each memory unit with its address value; for(memory range under test) read back the memory and compare the readback value to the written value
单片机存储器类型详解 分为两大类RAM和ROM，每一类下面又有很多子类： RAM：SRAM SSRAM DRAM SDRAM ROM：MASK ROM OTP ROM PROM EPROM EEPROM FLASH Memory RAM：Random Access Memory随机访问存储器 存储单元的内容可按需随意取出或存入，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。它的特点就是是易挥发性（volatile），即掉电失忆。我们常说的电脑内存就是RAM的。 ROM：Read Only Memory只读存储器 ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与RAM相反。 RAM和ROM的分析对比： 1、我们通常可以这样认为，RAM是单片机的数据存储器，这里的数据包括内部数据存储器（用户RAM区，可位寻址区和工作组寄存器）和特殊功能寄存器SFR，或是电脑的内存和缓存，它们掉电后数据就消失了（非易失性存储器除外，比如某些数字电位器就是非易失性的）。 ROM是单片机的程序存储器，有些单片机可能还包括数据存储器，这里的数据指的是要保存下来的数据，即单片机掉电后仍然存在的数据，比如采集到的最终信号数据等。而RAM 这个数据存储器只是在单片机运行时，起一个暂存数据的作用，比如对采集的数据做一些处理运算，这样就产生中间量，然后通过RAM暂时存取中间量，最终的结果要放到ROM的数据存储器中。如下图所示：
2、ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速的随时修改或重新写入数据。它的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失。缺点是只适用于存储那些固定数据的场合。 RAM与ROM的根本区别是RAM在正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读取数据。 SRAM：Static RAM静态随机访问存储器 它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。 优点:速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 缺点:集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 DRAM：Dynamic RAM动态随机访问存储器 DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，那么它是怎么工作的呢？ 我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，
郑州航空工业管理学院 《单片机原理与应用》 课程设计说明书 10 级自动化专业 1006112 班级 题目51单片机大容量数据存储器的系统扩展姓名杨向龙学号100611234 指导教师王义琴职称讲师 二О一三年六月十日
目录 一、51单片机大容量数据存储器的系统扩展的基本原理 (4) 二、设计方案 (4) 三、硬件的设计 (5) 3.1 系统的硬件构成及功能 (5) 3.2硬件的系统组成 (5) 3.2.1、W241024A (5) 3.2.2、CPLD的功能实现 (5) 3.2.3、AT89C52简介 (6) 3.2.4、SRAM的功能及其实现 (9) 3.3、基本单片机系统大容量数据存储器系统扩展 (9) 五、结论 (13) 六、参考资料 (13)
51单片机大容量数据存储器的系统扩展 摘要：在单片机构成的实际测控系统中，仅靠单片机内部资源是不行的，单片 机的最小系统也常常不能满足要求，因此，在单片机应用系统硬件设计中首先要解决系统扩展问题。51单片机有很强的外部扩功能, 传统的用IO口线直接控制大容量数据存储器的片选信号的扩展系统存在运行C51编译的程序时容易死机的缺点。文中介绍了一种改进的基于CPLD的51系列单片机大容量数据存储器的扩展方法，包括硬件组成和软件处理方法。 关键字：W241024A、CPLD、AT89C52、SRAM 一、51单片机大容量数据存储器的系统扩展的基本原理 MCS-51 单片机系统扩展时，一般使用P0 口作为地址低8位（与数据口分时复用），而P2口作为地址高8位，它共有16根地址总线，最大寻址空间为64KB。但在实际应用中，有一些特殊场合，例如，基于单片机的图像采集传输系统，程控交换机话单的存储等，需要有大于64KB 的数据存储器。 二、设计方案 在以往的扩展大容量数据存储器的设计中，一般是用单片机的IO口直接控制大容量数据存储器的片选信号来实现，但是这种设计在运行以C51编写的程序（以LARGE 方式编译）时往往会出现系统程序跑飞的问题，尤其是在程序访问大容量数据存储器（如FLASH）的同时系统产生异常（如中断），由于此时由IO 口控制的片选使FLASH 被选中而SRAM 无法被选中，堆栈处理和函数参数的传递无法实现从而导致程序跑飞的现象。文章介绍一种基于CPLD 的大容量数据存储器的扩展系统，避免了上述问题的产生，提高了扩展大容量数据存储器系统的可靠性。该系统MCU 采用89C52，译码逻辑的实现使用了一片EPM7128 CPLD 芯片，系统扩展了一片128K 的SRAM，一片4M 字节的NOR FLASH，以上芯片均为5V 供电。
简述存储器测试图形算法 1 介绍 随着集成电路制造工艺的不断进步，半导体芯片的发展趋于高密度、高速度、高复杂度，给测试带来了极大的挑战。存储器是集成电路产品中的一个主要门类，主要用来存放数据、指令、程序等信息。存储器的测试一方面可用于判断产品质量是否合格，另一方面通过测试获得一些数据用于改进工艺。 目前存储器的基本测试方法已经比较成熟，主要有存储器直接存取测试、存储器的宏测试、存储器内建自测试三种，各有利弊。存储器直接存取测试是利用自动测试设备来进行测试，自动测试设备的性能和测试成本使得直接存取测试方式对大容量的存储器并不合适。存储器的宏测试将存储器作为一个宏模块，利用电路内部的扫描路径生成宏模块的测试向量，再通过自动测试设备在电路外部施加测试矢量，对于较大的存储器，宏测试向量的数据量较大，测试需要较长时间。存储器内建自测试是在存储器外围产生一整套控制电路，实现芯片内置存储器测试模式的自动产生及测试结果的自动判别，这种方法增加芯片的面积，但是具有自动化程度高、测试质量高、测试成本低、测试时间短等优势。 对于存储器来说，最主要的测试是读写逻辑功能测试，以检测存储单元的故障，包括由于坏的金属连接、坏的元件、芯片逻辑错误等原因引起的功能故障。这些故障通常被简化为几个较为成熟的故障模型，通过不同的测试图形算法来检测故障。本文以存储器的测试图形为切入点，先简单介绍存储器简化的故障模型，然后介绍常用的存储器测试图形算法以及一些新近提出的改进存储器测试图形算法，对其进行比较，并对将来存储器测试图形的发展进行预期。 2 常用的存储器测试图形算法 对于存储器的功能测试，算法有很多种，分别针对不同的存储器故障模型，包括固定故障、转换故障、耦合故障、图形敏感故障、寻址故障、数据保留故障等。一个高效率的测试算法，需要用尽可能少的测试图形和尽可能短的测试时间检测到尽可能多的故障。从理论上说，存在覆盖所有故障的测试算法，但是实际上由于时间复杂度的原因无法实现。假设用N 表示一个存储器的地址数，那么测试图形的复杂度可以用N来表示。 对于较大容量的存储器来说，N3/2图形和N2图形的测试时间在实际测试中是无法承受的。在实际测试中最常用的算法主要有全0/全1图形，奇偶校验板图形和齐步1/0图形。这三种图形均为N图形。 1、全0/全1图形 将全部存储单元按顺序写0、读0、写1、读1，测试图形序列长度为4 N，可用于检测存储器的固定故障。 2、奇偶校验板图形