2011年清华大学研究生入学考试
半导体物理、器件及集成电路试题
一、图示比较BJT 和MOSFET 饱和区，解释其产生物理机制
二、（15分）列举MOSFET 由于尺寸缩小引起的四种非理想效应，
简要说明其产生的物理机制及对晶体管电学特性的影响
三、（10分）考虑一个npn 硅双极性晶体管，T=300K ，参数如下：
3-18E cm 10N =，3-16B cm 10N =，s /cm 10D 2E =，s /cm 25D 2B =，s 107-0E 0B ==ττ，m μ1x E =,m μ7.0x B =。已知复合系数为1，求共基极电流增益α、共发射极电流增益β。
四、（15分）n+多晶硅P 型MOSFET ，空穴浓度3-16A cm 103N ×=，
氧化层电荷2-1101=Qss'cm ，氧化层厚度为m μ05.0tox =，相对介电常数为，9.3ox =κ7.11s =κ，cm /F 1085.814-0×=κ，室温下310i /105.1cm n ×=，V 0259.0q
T k V 0t ==。求以下三种情况的阈值电压：（a ）V 0V BS =；（b ）V 2V BS =；（c ）V
2-V BS =第 1 页，共 25 页