模电第1单元自测题解答分析

第1章习题

一、填空题：

1. N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素构成。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。

2. 双极型三极管内部分有基区、发射区和集电区三个区，发射结和集电结两个PN结，从三个区向外引出三个铝电极。

3. PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，电阻很小，多子扩散形成较大的正向电流，PN结导通；PN结反向偏置时，其内、外电场方向相同，电阻很大，少子漂移形成很小的反向电流，PN结几乎截止。PN结的这种特性称为单向导电性。

4. 二极管的伏安特性曲线划分为四个区，分别是死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。

5. 用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都极小时，说明该二极管已经老化不通。

6. BJT中，由于集电极大电流i c受基极小电流i b控制，属于电流控制型器件；FET 中，由于漏极大电流i D受栅源电压u Gs控制，属于电压控制型器件。

7. 温度升高时，PN结内电场增强，造成二极管正向电压减小，反向电压增大。

8. 稳压管正常工作时应在反向击穿区；发光二极管正常工作时应在正向导通区；光电二极管正常工作应在反向截止区。

9. 晶闸管有阳极、阴极和门控极三个电极。

10. 晶闸管既有单向导电的整流作用，又有可以控制导通时间的作用。晶闸管正向导通的条件是阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压，关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。

二. 判断下列说法的正确与错误：

1. 半导体中自由电子是带负电的离子，空穴是带正电的离子。（错）

2. 晶体管和场效应管都是由两种载流子同时参与导电。（错）

3. 用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10k档位。（错）

4. 温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。（对）

5. 无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）

6. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（对）

7. 二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。（错）

8. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可改变成P型半导体。（对）

9. 场效应管若出厂前衬底与源极相连，则漏极和源极就不能互换使用。（对）

10. 双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错）

11. 只要晶闸管门极上加正向触发电压，晶闸管就会导通。（错）

12. 晶闸管触发脉冲与主电路不需要同步。（错）

三．单项选择题：

1. 单极型半导体器件是（C）。

A、二极管

B、双极型三极管

C、场效应管

D、稳压管

2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A、三价

B、四价

C、五价

D、六价

3. 特殊二极管中，正常工作时是在反向击穿区的是（A）。

A、稳压二极管

B、发光二极管

C、光电二极管

D、变容二极管

4. 用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1kΩ，说明该二极管（C）。

A、已经击穿

B、完好状态

C、内部老化不通

D、无法判断

5. PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。

A、多子扩散

B、少子扩散

C、少子漂移

D、多子漂移

6. 测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。

A、放大区

B、饱和区

C、截止区

D、反向击穿区

7. 绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。

A、较大

B、较小

C、为零

D、无法判断

8. 正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。

A、矩形方波

B、等腰三角波

C、正弦半波

D、仍为正弦波

9. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于（B）；少子的浓度则受（A）的影响很大。

A、温度

B、掺杂浓度

C、掺杂工艺

D、晶体缺陷

10. 若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（B）

A、发射结正偏、集电结正偏

B、发射结反偏、集电结反偏

C、发射结正偏、集电结反偏

D、发射结反偏、集电结正偏

四．简答题：

1. N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了

电子，从而获得了N 型半导体或P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。

2. 某人用测电位的方法测出放大电路中晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V 、管脚②3V 、管脚③

3.7V ，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

答：管脚③和管脚②电压相差0.7V ，显然一个硅管，其中管脚③电位高于管脚②，管脚①电位最高，符合NPN 管的放大电路中集电极电位最高，发射极电位最低的原则，因此判断该管是NPN 型硅管。其中管脚③是基极，管脚②是发射极，管脚①是集电极。

3. 齐纳击穿和雪崩击穿能否造成二极管的永久损坏？为什么？

答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆，只要控制使其不发生质变引起热击穿，一般不会造成二极管的永久损坏。

4. 图1.44所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断时电阻R =∞），试画出u o 的波形。

答：分析：根据电路可知，当u i >E 时，二极管VD 导通，u o =u i ，当u i

5.

PN 结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？

答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，根据三极管的内部结构条件，基区很薄，只能是几个微米，若将两个二极管背靠背连接在一起，其基区太厚，即使是发射区能向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续扩散到集电区，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。

6. 如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？

答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。

7. 有A 、B 、C 三个二极管，测得它们的反向电流分别是2μA 、0.5μA 和5μA ，在外加相同的电压时，电流分别是10mA 、30mA 和15mA 。比较而言，哪个二极管的性能最好？

答：二极管在外加相同的正向电压下电流越大，其正向电阻越小；反向电流越小，其单向导电性能越好，所以综合来看，B 管的性能最好。

8. 晶闸管与普通二极管、普通三极管的导通和截止的条件有什么不同？

答：普通二极管正向偏置时导通，反向偏置时截止；普通三极管只要发射结正向偏置

t

图1.44

VD

就会导通，发射结反向偏置或正向电压小于死区电压时均可截止；晶闸管加正向电压且门极有同步触发时导通，当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到小于维持电流I H 时，晶闸管也会自动关断。

9. 晶闸管可控整流电路中采用何种触发方式？为什么？

答：实际应用的晶闸管触发电路是可控“触发”。只有当触发脉冲与主电路电压同步时，在晶闸管承受的正半周电压范围内，门控极才能获得一个时刻相同的正向触发脉冲，晶闸管也才可能“触发”起到可控导通作用。因此，晶闸管可控整流电路中必须采用同步触发，否则由于每个正半周的控制角不同，输出电压就会忽大忽小发生波动，从而产生失控现象。

五. 计算分析题：

1. 在图1.45所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断时电阻R =∞），试对应u i 画出各输出电压u o 的波形。

解：（a ）图：当u i >-E 时，VD 导通，u o =u i +E ；当u i <-E 时，VD 截止，u o =0。 图（b ）：当u i E 时，VD 截止，u o =E 。 图（c ）：当u i <-E 时，VD 导通，u o =-E ；当u i >-E 时，VD 截止，u o =u i 。

2.

U 及电流I 的大小。

图1.45

（a ）

（b ）

o

（c ）

（a ）图 （b ）图

解：（a ）图中，VD 导通，U 钳位在-5V ，I =[5-（-5）]/10=1mA ； （b ）图中，VD 截止，U 钳位在5V ，I =0；

（c ）图中，VD 导通，U 钳位在5V ，I =[5-（-5）]/10=1mA ； （d ）图中，VD 截止，U 钳位在-5V ，I =0。

3. 同理想二极管构成的电路如图1.47所示，求图中电压U 及电流I 的大小。

解：图（a ）中，输入端+3V 与电源-5V 之间电位差大首先使VD 2导通，U 被钳位在3V ，使VD 1反偏截止，I =[3-(-5)]/1=8mA ；

图（b ）中，+5V 电源与+1V 输入端之间电位差大首先使VD 1导通，U 被钳位在1V ，使VD 2反偏截止，I =(5-1)/1=4mA.

4在图1.48所示的电路图中，已知U S ＝5V ，t u ωsin 10=V ，其中VD 为理想二极管，试在输入波形的基础上画出u R 和u D 的波形图。

解：当u >U S 时，VD 导通，u R =u -U S ；u D =0 当u

5. 稳压管的稳压电路如图1.49所示。已知稳压管的稳定电压U Z =6V ，最小稳定电流

图1.46

（a ）

U

（b ）

U

（c ）

U

（d ）

U

图1.47

（a ）

（b ）

＋＋R

图1.48

I Zmin =5mA ，最大功耗P ZM =150mW ，试求电路中的限流电阻R 的取值范围。

解：由题可计算出稳压管的最大稳定电流

流过稳压管的电流应满足zmax z zmin I I I <<，又因

R 的取值范围：Ω<< 1.8k R k Ω36.0 6. 测得某电路中晶体三极管的三个电极对地电位分别是：V 1＝4V ，V 2＝3.4V ，V 3＝9.4V ，判断该管的类型及三个电极。如果测得另一管子的三个管脚对地电位分别是V 1＝－2.8V ，V 2＝－8V ，V 3＝－3V ，判断此管的类型及三个电极。

解：对地电位分别是：V 1＝4V ，V 2＝3.4V ，V 3＝9.4V 时，比较三个电极的电位可知管子是NPN 型硅管，其中引脚1是基极、引脚2是发射极，引脚3是集电极。

对地电位分别是：V 1＝－2.8V ，V 2＝－8V ，V 3＝－3V 时，比较三个电极的电位可知管子是PNP 型锗管，其中引脚1是发射极，引脚2是基极，引脚3是集电极。

7. 测得电路中三极管的各极电位如图1.50所示，试判断各管的工作状态（截止、放大或饱和）。

解：（a ）图：NPN 管，发射结反偏，截止状态；（b ）图：NPN 管，发射结正偏，集电结反偏，放大状态；（c ）图：NPN 管，发射结正偏，集电结反偏，放大状态；（d ）图：PNP 管，发射结正偏，集电结反偏，放大状态；（e ）图：PNP 管，发射结反偏，截止状态；（f ）图：PNP 管，发射结正偏，集电结正偏，饱和状态。

8. 图1.51所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。

（1）U CE =3V ，I B =60μA ，I C =？ （2）I C =4mA ，U CE =4V ，I B =？

（3）U CE =3V ，I B 由40~60μA 时，β=？ 解：A 区是饱和区，B 区是放大区，C 区是截

I C (m A) U CE (V)

图1.51

图1.49

O

（c ） （

a ）

（b ）

（f ）

（d ） （e ）

－

－图1.50

止区。

（1）观察图1.51，对应I B =60μA 、U CE =3V 处，集电极电流I C 约为3.5mA ； （2）观察图1.51，对应I C =4mA 、U CE =4V 处，I B 约小于80μA 和大于70μA ； （3）对应ΔI B =20μA 、U CE =3V 处，ΔI C ≈1mA ，所以β≈1000/20≈50。 9. 已知NPN 型三极管的输入—输出特性曲线如图1.52所示，当 （1）U BE =0.7V ，U CE =6V ，I C =？ （2）I B =50μA ，U CE =5V ，I C =？

（3）U CE =6V ，U BE 从0.7V 变到0.75V 时，求I B 和I C 的变化量，此时的？=β

解：（1）由（a ）所示输入特性曲线查得U BE =0.7V 时，对应I B =30μA ，由(b)输出特性曲线查得I C ≈3.6mA ；

（2）由（b ）输出特性曲线可查得此时I C ≈5mA ；

（3）由输入特性曲线可知，U BE 从0.7V 变到0.75V 的过程中，ΔI B ≈30μA ，由输出特性曲线可知，ΔI C ≈2.4mA ，所以β≈2400/30≈80。

图1.52

I C (m A) U CE (V)

（b ）输出特性曲线

（a ）输入特性曲线

I BE (V)

古今名言

敏而好学，不耻下问——孔子

业精于勤，荒于嬉；行成于思，毁于随——韩愈

兴于《诗》，立于礼，成于乐——孔子

己所不欲，勿施于人——孔子

读书破万卷，下笔如有神——杜甫

读书有三到，谓心到，眼到，口到——朱熹

立身以立学为先，立学以读书为本——欧阳修

读万卷书，行万里路——刘彝

黑发不知勤学早，白首方悔读书迟——颜真卿

书卷多情似故人，晨昏忧乐每相亲——于谦

书犹药也，善读之可以医愚——刘向

莫等闲，白了少年头，空悲切——岳飞

发奋识遍天下字，立志读尽人间书——苏轼

鸟欲高飞先振翅，人求上进先读书——李苦禅

立志宜思真品格，读书须尽苦功夫——阮元

非淡泊无以明志，非宁静无以致远——诸葛亮

熟读唐诗三百首，不会作诗也会吟——孙洙《唐诗三百首序》书到用时方恨少，事非经过不知难——陆游

问渠那得清如许，为有源头活水来——朱熹

旧书不厌百回读，熟读精思子自知——苏轼

书痴者文必工，艺痴者技必良——蒲松龄

声明

访问者可将本资料提供的内容用于个人学习、研究或欣赏，以及其他非商业性或非盈利性用途，但同时应遵守著作权法及其他相关法律的规定，不得侵犯本文档及相关权利人的合法权利。谢谢合作！

模电复习题和答案

《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；

初三物理电功电功率典型例题解析免费

电功电功率典例精析 电功和电功率基础知识 1. 电功(W)：电流对用电器做的功（电能转化成其他形式能的多少）叫电功。 ①电功的国际单位：焦耳（J）。常用：度(千瓦时)KW.h，1度=1千瓦时=3.6×106焦耳。 ②测量电功的工具：电能表（电度表） ③电功公式：W=Pt=UIt(式中单位W→焦(J)；U→伏(V)；I→安(A)；t→秒)。 ④利用W=UIt计算时注意：①式中的W、U、I、t必须对于同一导体（同一段电路）的同一过程，才能代入公式计算，即要满足“同一性”；②计算时单位要统一;③已知任意的三个量都可以求出第四个量； ⑤其他计算公式：W=I2Rt（多用于串联电路），W=U2t/R（多用于并联电路） 2. 电功率(P)：表示电流做功的快慢。国际单位：瓦特(W)。常用单位：千瓦（KW） ①计算公式：P=W/t=UI（式中单位P→瓦(w)；W→焦（J）；t→秒(s)；U→伏(V)；I→安(A)） ②利用公式计算时单位要统一： a.如果W用焦（J），t用秒(s)，则P的单位是瓦(w)； b.如果W用千瓦时（KW.h），t用小时（h），则P的单位是千瓦（KW）。 c.公式中各物理量必须满足“同一性”才能代入公式计算。 ③其他计算公式：P=I2R （多用于串联电路），P=U2/R（多用于并联电路） ④额定电压(U额)：用电器正常工作的电压。另有：额定电流 ⑤额定功率(P额)：用电器在额定电压下的功率。 ⑥实际电压(U实)：实际加在用电器两端的电压。另有：实际电流 ⑦实际功率(P实)：用电器在实际电压下的功率。 ⑧用电器消耗的实际功率随加在它两端的实际电压而改变。实际电压升高，实际功率增大；反之则减小。 a.当U 实> U额时，则P 实> P额；（灯很亮,将缩短灯泡寿命，且易烧坏）。 b.当U实< U额时，则P实< P额；（灯很暗）。 c.当U实= U额时，则P实= P额；（正常发光）。 ⑨同一个电阻,接在不同的电压下使用，则有，如：当实际电压是额定电压的一半时，则实际功率就是额定功率的1/4。（即同一用电器消耗的实际功率跟它两端的实际电压的平方成正比，P1/P2=U12/U22）

模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析

1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电

压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。

模电测试题

模电测试题A 班别：姓名：学号： 一、填空题（每空1分，共24分） 1、晶体管放大电路常采用分压式电流负反馈偏置电路,因为它具有稳定静态工作点的作用。 2、射极输出器的特性归纳为:电压放大倍数__为1____,电压跟随性好,输入阻抗__高__,输出阻抗__低___, 3、三种不同耦合方式的放大电路分别为:___直接耦合__、___阻容耦合__和__变压器耦合__，其中__直接耦合__能够放大缓慢变化的信号。 4、三端集成稳压器CW7912的输出电压为____-12____ V，而CW7809的输出电压则为 5、如图所示是一个共射单管放大器的输出电压波形,假定晶体管是PNP 型,则该信号的削波属于____饱和_______失真,将偏流电阻Rb调__大 ______可以消除失真。 6、图中二极管为理想器件，V1工作在_截止_ 状态； V2工作在____导通_______ 状态；UA为____-3_______ V。 7、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为40dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为_60__d B，总的电压放大倍数为_____1000_______。 8、在典型的差动放大电路是,Re对_共模信号呈现很强的负反馈作用,而对__差模___信号则无负反馈作用. 9、差动放大电路，若两个输入信号u I1 = u I2，则输出电压，u O = 0；若u I1 = 80 μV，u I 2 = 20 μV则差摸电压u Id =30μV；共摸电压u Ic = 50μV。 10、有一负反馈放大器，在闭环时，当输入电压为0.1V时，输出电压为2V，而在开环时，对于0.1V的输入电压其输出电 压则有4V。该反馈的深度等于__2_____，反馈系数等于____0.025____。 二、选择题（把正确答案的序号填入下表内，每题2分,共36分） 1、二极管两端加上正向电压时( )。 A．一定导通 B．超过 0.3V 才导通C．超过死区电压才导通 D．超过 0.7V 才导通 2、若要提高放大器带负载能力，并对信号源的影响小，可采用的反馈组态为（）。 A. 电压串联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 电压并联负反馈 D. 电流并联负反馈 3、集成运放的输入级采用差分电路是因为可以( )。 A.增大放大倍数 B．减小温漂 C．提高输入电阻 D.提高稳定性 4、在单相桥式整流电路中，设变压器副边电压有效值为 U 2 =100V ，则负载两端的平均电压是（）。 A.100V B.90V C.45V D.141V 5、工作在反向击穿状态的二极管是( )。 A．一般二极管 B．稳压二极管 C．发光二极管 D 光敏二极管 6、放大电路采用负反馈后，下列说法不正确的是( )。 7、如图所示电路中集成运算最大输出电压为±10V，则输出电压Uo=（）。 A.0V； B.5V； C.+10V； D. -10V 8、理想集成运放工作在线性区时有（）。 A. U + = U ? B. U + > U ? C. U + < U ? D. 无法确定 9、已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器 10、测得三极管IB=30uA时IC=2.4mA,而IB=40uA时,Ic=3mA,则该管的交流电流放大系数为_____ A. 80 B. 60 C. 75 D. 100 11、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）。 A.增加一倍 B.为双端输入时的一半 C.不变 D.不确定 12、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，10V，9.3V，则这只三极管是( )。

初三物理电功电功率典型例题解析

例1一盏灯标有“36V40W”字样，将这盏灯接到某电路中，通过它的电流是1A，此时，这盏灯的电功率是________W． 例2 某导体接到6V电压下，它消耗的功率是6W；将改接到3V的电压下，这个导体的功率是________W． 例3电能表是测量________的仪表．1 kWh的电能可供标有“220V40W”的灯泡正常工作________h． 例4一个“12V6W”的小灯泡，如果接在36V电源上，为使其正常发光，需串联一个________Ω的电阻，该电阻消耗的功率是________W． 例5电阻R和灯泡L串联接到电压为10V的电路中，R＝10Ω，电路接通后，100s内电阻R 上电流做的功为10J，已知灯L的额定功率为10W，灯的电阻不变．求：灯的额定电压．例6有两个灯泡，L1标有“6V 3W”字样，L2没有标记，测得L2的电阻为6Ω，把它们串联起来接入某一电路，两个灯泡均能正常发光，那么该电路两端的电压和L2的电功率分别是（）A．12 V3W B．12 V 1.5W C．9 V 3W D．9 V 1.5W 例7有一盏小灯泡，当它与5Ω电阻串联后接15V电源上，灯恰好正常发光，这时灯的功率是10W．求：小灯泡正常发光时的电阻和小灯泡的额定电压的可能值． 例8将分别标有“6V9W”和“6 V3W”的两个灯泡L1、L2串联接在12 V电源上，则（）A．两灯都能正常发光B．灯L2可能被烧毁 C．两灯都比正常发光时暗D．灯L1比灯L2亮 例9 家庭电路中正在使用的两白炽灯，若甲灯比乙灯亮，则（） A．甲灯灯丝电阻一定比乙灯的大B．甲灯两端的电压一定比乙灯的大 C．通过甲灯的电量一定比乙灯的多D．甲灯的实际功率一定比乙灯的大 例10如图2—3—5，电源电压和电灯L的电阻均保持不变．当开关S闭合后，在变阻器的滑片

模电(第四版)习题解答

第 1 章常用半导体器件 自测题 、判断下列说法是否正确，用“× ”和“√”表示判断结果填入空内。 (1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2) 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3) PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 (6) 若耗尽型N 沟道MOS 管的大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 、选择正确 答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、 C 。 A. 结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 四、 伏。 、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D= 0.7V。 图T1.3 解：U O1= 1.3V, U O2= 0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5= 1.3V, U O6= -2V。已知稳压管的稳压值U Z= 6V，稳 定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4 所示电路中U O1 和U O2各为多少 (a) (b) T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态， 右图中稳压管没有击穿，故 故U O2= 5V。 U O1= 6V。 五、电路如图T1.5 所示，V CC=15 V，试问： (1)R b=50k 时，Uo=? (2)若T 临界饱和，则R b=? 解：(1) = 100，U BE=0.7V。 大的特点。( √ )

九年级物理电功率试题经典及解析

九年级物理电功率试题经典及解析 一、电功率选择题 1．下列说法中正确的是（） A. 折射角一定小于入射角 B. 电能表是测量电功的仪表 C. 导体的横截面积越大，电阻越大 D. 声音不能传递能量 【答案】 B 【解析】【解答】解：A、题中没有说光在哪两种介质中传播，所以折射角和入射角的大小不能比较，A不符合题意。 B、电能表是测量电功的仪表，B符合题意。 C、在材料、长度和温度一定时，横截面积越大，电阻越小；没有前提条件，不能说导体电阻和横截面积的关系，C不符合题意。 D、声音可以传递能量，也可以传递信息，D不符合题意。 故答案为：B。 【分析】光从空气斜射入水或其他介质时，折射角小于入射角. 电能表是测量电功的仪表. 决定电阻大小的因素：导体的电阻是导体本身的一种性质，它的大小决定于导体的材料、长度、横截面积和温度.（电阻与加在导体两端的电压和通过的电流无关） 声音可以传递能量，也可以传递信息. 2．现有一个电压不变的电源，两个定值电R1、R2．先将这两个电阻以某种形式连接到电源上，R1消耗功率为P0；再将它们以另一种形式连接到该电源上，R1消耗功率为9P0．两种连接形式中均有电流通过R2，则先后两种连接形式中（） A. 两端的电压比为1：2 B. 两端的电压比为1：3 C. 消耗的功率比为1：9 D. 消耗的功率比为2：9 【答案】 B 【解析】【解答】（1）将这两个电阻以某种形式连接到电源上，R1消耗功率为：P0= --------------① 另一种形式连接到该电源上R1消耗功率为：9P0= --------------② 由①②可得： =9× ， 解得R1两端的电压比为： U1：U1′=1：3，A不符合题意、B符合题意； ⑵因为R1、R2接到同一电源上，且第2次R1两端的电压更大，所以，第一种以串联方式连接；第2次以并联方式连接，如下图：

第一章自测题(含答案)

第一章补充习题 一、判断题： 、现实世界中存在着多种多样的信息处理系统，图书馆就是一种以收藏、管理和检索信息为主要目的的信息处理系统。 、信息在光纤中传输时，每隔一定距离需要加入中继器，将信号放大后再继续传输。 、集成电路根据它所包含的晶体管数目可以分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路，现在机中使用的微处理器属于大规模集成电路。 、集成电路的工作速度与芯片的尺寸有关。芯片越大，其工作速度就越快。 、在通信系统中，信道的带宽就是信道的容量。 、信息在光纤中传输时，每隔一定距离需要加入中继器，将信号放大后再继续传输。 、广播是一种特殊的、面向公众的单向通信，而通常所说的通信是指双向通信。 、电信网主要由终端设备、传输设备、交换设备等组成，利用它可以实现远程通信。 、是个人移动电话系统中采用的一种信道复用技术的简称。 、在蜂窝移动通信系统中，每个移动台始终只能与一个固定的基站通过无线电传输信息。 、所有的十进制数都可精确转换为二进制数。 二、单选题： 、下面关于个人移动通信的叙述中，错误的是。 、第代个人移动通信采用的是模拟通信技术。 、目前广泛使用的手机采用了数字通信技术，属于第代移动通信系统。 、移动通信系统中，移动电话交换中心直接接收手机（移动台）的无线信号，并负责向手机发送信号。 、第代移动通信系统将实现高质量的多媒体通信，包括语音通信、数据通信和高分辨率的图像通信等。 、数据通信中数据传输速率是最重要的性能指标之一，它指单位时间内传送的二进制位数目，计量单位的正确含义是。、每秒兆位、每秒千兆位、每秒百兆位、每秒百万位 、下面关于比特的叙述中，错误的是。 、比特是组成数字信息的最小单位 、比特只有和两个符号 、比特既可以表示数值和文字，也可以表示图像和声音 、比特“1”大于比特“0” 、使用存储器存储二进位信息时，存储容量是一项很重要的性能指标。存储容量的单位有多种，下面哪一种不是存储容量的单位。 、、、、 、与十六进制数等值的八进制数是。 、、、、 、所谓“变量操作”是指将一个整数变成绝对值相同但符号相反的另一个整数。假设使用补码表示的位整数，则经过变号操作后结果为。 、、、、 、下列关于集成电路（）的说法中错误的是。 、集成电路是现代信息产业的基础 、制造集成电路的材料只能是硅（） 、集成电路的特点是体积小、重量轻、可靠性高 、集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管的尺寸密切相关 、下列关于个人移动通信的叙述中，错误的是。 、第代个人移动通信采用的是模拟通信技术 、目前广泛使用的手机采用了数字通信技术，属于第代移动通信系统 、移动通信系统中，移动电话交换中心直接接收手机（移动台）的无线信号，并负责向手机发送信号 、第代移动通信系统将实现高质量的多媒体通信，包括语音通信、数据通信和高分辨率的图像通信等。 、计算机网络中采用的最基本的多路复用技术是复用技术。 、时分、频分、码分、波分

模拟电子技术基础 胡宴如 自测题答案

模拟电子技术 胡宴如（第3版）自测题 第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作(D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。(×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。

电功率中考试题分类汇编经典1

电功率中考试题分类汇编经典1 一、电功率选择题 1．如图甲所示电路中，电源电压可调，灯L1、L2的额定电压均为6V，L1、L2的I﹣U图象如图乙所示，闭合开关S，逐步调大电源电压至电路允许的最大值，此时（） A. L1正常发光 B. 电源电压为12V C. 电路总电阻为30Ω D. 电路总功率为 2.4W 【答案】D 【解析】【解答】解：由图乙可知，两灯泡两端的电压为6V时，通过两灯泡的电流I1=0.6A、I2=0.3A， 由电路图可知，两灯泡串联，电流表测电路中的电流， 因串联电路中各处的电流相等， 所以，电路中允许通过的最大电流I=I2=0.3A，则L2正常发光，故A错误； 由图乙可知，L1两端的电压U1′=2V， 因串联电路中总电压等于各分电压之和， 所以，电源的电压： U=U1′+U2=2V+6V=8V，故B错误； 由I= 可得，电路总电阻： R= = ≈26.7Ω，故C错误； 电路的总功率： P=UI=8V×0.3A=2.4W，故D正确． 故选D． 【分析】由图乙可知两灯泡额定电流下的电流，根据串联电路的特点可知电路中的最大电流为两灯泡额定电流中较小的，即额定电流较小的灯泡能正常发光，根据图象读出两灯泡两端的电压，根据串联电路的电压特点求出电源的电压，根据欧姆定律求出电路中的总电阻，利用电阻的串联求出电路的总功率． 2．如图所示，电路中电源电压保持不变，小灯泡标有“3V1.5W字样，不考虑灯泡电阻随温度的变化，滑动变阻器R的最大阻值为24Ω，电流表量程为0-0.6A，电压表量程为0-3V．当开关S闭合后，滑动变阻器R接入电路的电阻为3Ω时小灯泡正常发光。为了保证电路安全，小灯泡电压不超过额定电压，两电表的示数均不超过所选量程。在滑片P滑动过程中，下列说法（）

第一章测试题

第一章： 1. 若使用命令行： java Add 88 66 33 运行带有main方法的Java程序Add.，则开始运行时，args[1]中存放的内容为（（1）），args[2]中存放的内容为（（2））。 2．用Java虚拟机执行类名为Hello的应用程序的正确命令是： A. java Hello.class B. Hello.class C. java Hello.java D. java Hello 3．编译一个Java程序Hello.java的正确命令形式是： A. javac Hello B. Javac Hello C. javac Hello.java D. javac hello 4. 设Hello.html文件嵌入一个Applet类Hello，运行或查看这个Applet的命令是： A. appletviewer Hello.html B. 点击Hello.class C. appletviewer Hello.class D. 点击Hello.java 5. 填空 1、接口interface之间的继承采用方式。 2、所有自定义类的祖先类是________________。 3、系统System类位于_________包中。 4、标准输出流对象System.out属于________________类。 5、常量Math.PI在Math类中的定义语句：__________________________。 6、接口Runnable中定义了一个抽象方法，方法声明为__________________。 7、Java语言中符号常量SIZE定义为____________________。 8、Java类数据成员的访问权限，包括public、protected、_______和包权限。 9、int整型对应的包装器类是________________。 10、long型数据占用________________字节。

模拟电子技术第一章 习题与答案

第一章习题与答案 1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？ 答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。 2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？ 答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。 3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？ 答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。 4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？ 答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。而普通二极管反向击穿后就损坏了。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。 5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？ 答： 正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。 反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 6.三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么？ 答：内部条件：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 7.三极管有哪些工作状态？各有什么特点？ 答：三极管输出特性曲线可以分为三个区，即三极管有三种工作状态。 （1）放大区（放大状态）。即三极管静态时工作在放大区（处于放大状态），发射结必

模电自测题

模电自测题 分析与计算（本题共60分）： 1．(本小题15分)放大电路如图1所示，电路中电容容量足够大，三极管的β＝50，r bb’＝200Ω，U BE＝0.6V，R B1＝120KΩ，R B2＝40KΩ，R C＝R L＝4KΩ，R E＝2.1KΩ，V CC＝12V，信号源内阻R S＝10KΩ， （1）估算电路的静态工作点I BQ、I EQ、U CEQ； （2）画出微变等效电路； （3）计算电路的放大倍数 A 、us A 、输入电阻R i和输出电阻R o的值。 u （4）去掉旁路电容C E，求电压放大倍数 A ，输入电阻R i。 u 2．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算深度负反馈的闭环电压增益A usf。 图1 图2 3．(本小题10分) 在图3中，已知u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o可能的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 图3 4．(本小题15分) 图4所示电路中，A1～A5都是理想运放。

（1）当开关S闭合时，计算： u、2o u、3o u、4o u及o u的值。 1 o （2）t＝0时，将S打开，则经过多少时间， u＝0V ？ o 图4 5．(本小题10分)电路如图5所示，Vcc＝20V，R L＝8Ω，则：（1）该电路是什么电路？T1，T2，T3以及D1，D2的作用是什么？（2）当U i＝1sinωt（V），A US＝－10倍时，计算电路的最大输出功率P om。 图5 答案 四、分析与计算（本题共60分）：

1．(本小题15分) 解:(1) V 9.22 1 2 B B B B =?+= CC V R R R U V 3.2BE B E =-=U U U mA 09.1E E E C == ≈R U I I mA 02.0E B == β I I V 46.5)(C E C CC CE =?+-=I R R V U Ω =+=k ..4109 12651 200r be （2）略 (3) 70 ) //(be L C -≈- =r R R A u β Ω ≈=k 1////be B2B1i r R R R Ω ==k 9.3C O R R 8 17s i i s o s .A R R R u u A u u -≈+= = Ω ≈++=k 443])1([E be B2B1i .R r //R //R R β (4) 9 01E be L C u .R )(r )R //R (A -≈++- =ββ 2．(本小题10分) 解：直流时通过R f 为T1管的基极提供静态偏置电流，交流时通过R f 形成电流并联负反馈，R f 与R e2构成反馈网络，F ＝I f /I o ，A usf ＝Uo/Us ＝IoR C2/I f Rs ＝R C2/RsF ＝（1＋R f /R e2）R C2/Rs 3．(本小题10分) 解：（1）正常情况下，U o ＝U L ＝（1.1～1.2）U 2＝11～12V 。（2）电容虚焊时，成为单相桥式整流电路，U o ＝0.9U 2＝9V 。（3）R L 开路时，U o ＝ 2 U 2＝14.14V 。（4）一只整流管和电容C 同时开路 时，成为半波整流电路，U o ＝0.45U 2＝4.5V 。 4．(本小题15分) 解：（1）S 闭合时，U D ＝0，U B ＝1V ，uo1＝2V ，uo2＝－1V ，uo3＝0V ，uo4＝1V ，uo ＝－6V ；（2） o u ＝0V 时， 30 215 23-= +o u ，得uo3＝－3V ，S 打开时，由uo3＝－ ?t o dt u C R 0 121，得t ＝0.03秒。 5．(本小题10分) 解：（1）为功率放大电路，T3所在电路是电压放大，T1和T2组成互补对称甲乙类功率放大，D1和D2用来消除交越失真。（2）P om ＝6.25W 。

第1章概论自测题答案

第一章概论自测题答案 一、填空题 1. 数据结构是一门研究非数值计算的程序设计问题中计算机的操作对象以及它们之间的关系和运算等的学科。 2. 数据结构被形式地定义为（D, R），其中D是数据元素的有限集合，R是D上的关系有限集合。 3. 数据结构包括数据的逻辑结构、数据的存储结构和数据的运算这三个方面的内容。 4. 数据结构按逻辑结构可分为两大类，它们分别是线性结构和非线性结构。 5. 线性结构中元素之间存在一对一关系，树形结构中元素之间存在一对多关系，图形结构中元素之间存在多对多关系。 6．在线性结构中，第一个结点没有前驱结点，其余每个结点有且只有1个前驱结点；最后一个结点没有后续结点，其余每个结点有且只有1个后续结点。 7. 在树形结构中，树根结点没有前驱结点，其余每个结点有且只有1个前驱结点；叶子结点没有后续结点，其余每个结点的后续结点数可以任意多个。 8. 在图形结构中，每个结点的前驱结点数和后续结点数可以任意多个。 < 9．数据的存储结构可用四种基本的存储方法表示，它们分别是顺序、链式、索引和散列。 10. 数据的运算最常用的有5种，它们分别是插入、删除、修改、查找、排序。 11. 一个算法的效率可分为时间效率和空间效率。 二、单项选择题 （B）1. 非线性结构是数据元素之间存在一种： A）一对多关系B）多对多关系C）多对一关系D）一对一关系 （ C ）2. 数据结构中，与所使用的计算机无关的是数据的结构； A) 存储B) 物理C) 逻辑D) 物理和存储 （C）3. 算法分析的目的是： A) 找出数据结构的合理性B) 研究算法中的输入和输出的关系 】 C) 分析算法的效率以求改进D) 分析算法的易懂性和文档性 （A）4. 算法分析的两个主要方面是： A) 空间复杂性和时间复杂性B) 正确性和简明性 C) 可读性和文档性D) 数据复杂性和程序复杂性 （ C ）5. 计算机算法指的是： A) 计算方法B) 排序方法C) 解决问题的有限运算序列D) 调度方法 （B）6. 计算机算法必须具备输入、输出和等5个特性。 A) 可行性、可移植性和可扩充性B) 可行性、确定性和有穷性 C) 确定性、有穷性和稳定性D) 易读性、稳定性和安全性 } 三、简答题 1.数据结构和数据类型两个概念之间有区别吗 答：简单地说，数据结构定义了一组按某些关系结合在一起的数组元素。数据类型不仅定义了一组带结构的数据元素，而且还在其上定义了一组操作。 2. 简述线性结构与非线性结构的不同点。

模电数电复习考试题(已整理)

第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5

(2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。

第一章自测题

补充题目 1.以下有关数据的叙述错误的是（）。 A.计算机能够处理的数据包括整数、实数、字符、声音、图像等。 B.数据的逻辑结构是从逻辑关系上描述数据，它取决于数据的存储方式。 C.数据存储结构的实现依赖于计算机语言。 D.数据的运算是定义在数据的逻辑结构上的。 解释： （1）计算机能够处理的数据包括整数、实数和字符是显而易见的。随着计算机应用领域的拓宽，声音和图像也可以按照一定的编码方式达到数字化，交由计算机处理。故选项A是正确的。 （2）数据的逻辑结构是从抽象的逻辑关系上描述数据，是独立于计算机的。所以与数据的存储方式无关。故选项B是错误的。 （3）数据的存储结构是逻辑结构在计算机中的实现，它依赖于计算机语言。例如：链式存储结构的实现就要借助于计算机语言中的指针类型。故选项C正确。 （4）每种不同的逻辑结构都有各自的一个运算集合。例如，对线性表可以实施的操作种类与对树可以实施的操作种类是不同的，也就是说数据的运算是定义在其逻辑结构上的。故D正确。 2.以下关于算法的叙述中正确的是（）。 A.算法是指用计算机语言编写的程序。 B.算法中的指令必须是机器可执行的。 C.一个正确的算法必须在有限时间内完成。 D.一个算法允许有零个输入和零个输出。 解释： （1）算法可用自然语言描述，也可用流程图来表示，也可用程序设计语言来体现。但算法和程序在概念上是有区别的。算法必须满足有穷性，程序则不然。典型的例子就是计算机中的操作系统，只要接通电源，操作系统就一直在运行，除非出现故障。因此，作为程序的操作系统就不是一个算法。故选项A是不正确。（2）程序中的每一条指令必须是机器可执行的，而对于算法则无此限制。故选项B错误。 （3）算法的5个基本特征之一“有穷性”就是要求算法应该在有限时间内完成。故C正确。 （4）一个算法可以没有输入，这时算法中涉及的操作数可以是常数，或通过赋值获得；但一个算法必须有输出，用以表明运算结果，否则就没有存在的价值。故D错误。 3.以下关于存储结构的叙述中正确的是（）。 A.数据的存储结构是数据之间关系的抽象描述。 B.数据的存储结构对数据运算的具体实现没有影响。 C.数据的存储结构是逻辑结构在计算机存储器中的实现。 D.数据的存储结构分为线性结构和非线性结构。 解释： （1）描述数据之间抽象关系的是数据的逻辑结构而非存储结构。故A错误。 （2）对数据运算的实现是建立在一定的逻辑结构和存储结构之上的。例如：采用顺序存储结构的线性表和采用链式存储结构的线性表，无论是插入、删除，还是查找、输出，其操作都是截然不同的。故B错误。（3）数据的存储结构是其逻辑结构在计算机内存中的映像，它既要保证存储数据本身，又要保证能正确反映数据之间的逻辑关系。故C正确。 （4）线性结构和非线性结构是针对数据的逻辑结构而言的，故D错误。 4.请看以下用自然语言描述的一个计算过程： （1）开始 （2）0→sum （3）sum+1→sum （4）重复（3） （5）结束

模电第1单元自测题解答分析

第1章习题 一、填空题： 1. N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素构成。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。 2. 双极型三极管内部分有基区、发射区和集电区三个区，发射结和集电结两个PN结，从三个区向外引出三个铝电极。 3. PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，电阻很小，多子扩散形成较大的正向电流，PN结导通；PN结反向偏置时，其内、外电场方向相同，电阻很大，少子漂移形成很小的反向电流，PN结几乎截止。PN结的这种特性称为单向导电性。 4. 二极管的伏安特性曲线划分为四个区，分别是死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。 5. 用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都极小时，说明该二极管已经老化不通。 6. BJT中，由于集电极大电流i c受基极小电流i b控制，属于电流控制型器件；FET 中，由于漏极大电流i D受栅源电压u Gs控制，属于电压控制型器件。 7. 温度升高时，PN结内电场增强，造成二极管正向电压减小，反向电压增大。 8. 稳压管正常工作时应在反向击穿区；发光二极管正常工作时应在正向导通区；光电二极管正常工作应在反向截止区。 9. 晶闸管有阳极、阴极和门控极三个电极。 10. 晶闸管既有单向导电的整流作用，又有可以控制导通时间的作用。晶闸管正向导通的条件是阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压，关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。 二. 判断下列说法的正确与错误： 1. 半导体中自由电子是带负电的离子，空穴是带正电的离子。（错） 2. 晶体管和场效应管都是由两种载流子同时参与导电。（错） 3. 用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10k档位。（错） 4. 温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。（对） 5. 无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（对）

模电第一章练习习题

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。（√） （6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。（×） 解： 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）B （4）A C 第一章题解－1

第一章题解－2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。 图T1.3 解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。 图T1.4 解：(a)图能击穿稳压，U O 1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O 2＝5V 。