１．概要 SCM1200M 是在输出部分使用 IGBT、并将驱动用的前置驱动 IC 封装在同一个模块内的高压 3 相桥接产品。 适合于 AC100～200V 输入的中容量电机的变频调速。
２．特长 每个半桥内置有前置驱动 IC 内置防止上下臂同时导通电路（STP） （同时 ON 信号输入时） FO 端子相连时，可以关断全部 IGBT 内置自举二极管和防冲击电流的电阻（3 路） CMOS（3.3V、5V）输入电平对应 内置控制电源电压低下保护电路（UVLO） （可自恢复） 内置过电流保护电路（OCP） 过电路保护动作保持时间可调功能（通过外部电容控制） 过热保护（TSD）功能内藏（自恢复） 保护电路动作时输出报警信号（UVLO（仅 Lside） 、OCP、STP 动作时） 采用了 DIP 型功率封装 内部焊锡、引脚焊锡无铅（Pb Free） 保证绝缘耐压 2000V1 分钟
完全封装 DIP 型 图 1．封装外观
带 Cu 散热板 DIP 型
1
３．产品系列和内部构造
(1)CFO 端子类型(与 Ver.1 相同)
(2)OCP 端子类型 图 2 内部框图（一相的部分）
SCM1200M 系列的过电流保护（OCP）动作时的基准电位可从内部取得（如上的（1）CFO 端子类型） ，也可 从外部向 OCP 端子输入(如上的(2)OCP 端子类型)。 各类型的选定基准如下： CFO 端子类型 欲将过电流保护（OCP）信号接到 MCU 的 I/O 口，而非中断口时（延长过电流保护保持时间） 欲尽量减少外部器件（电阻，电容）时（使用 OCP 端子时，通常有必要在前端使用 R,C 滤波器） OCP 端子类型 欲使到 MCU 的电流信号增益（电压/电流比）大于过电流保护增益时（欲将电流检测电阻的电压分压后接到 IPM 时） 为设定过电流保护而计算电流检测电阻阻值时，不想包含 PCB 布线电阻部分时（额定电流越大，此影响越大， 因此当额定在 15A 以上时推荐采用 OCP 端子类型）
2
SCM1200M 系列一览表如下所示。
产品名 SCM1203M SCM1204MF SCM1204M SCM1221MF SCM1221M SCM1223M SCM1224MF SCM1224M SCM1225MF SCM1226MF SCM1226M SCM1230MF SCM1231MF 规格 600V／ 5A 600V／ 8A 600V／ 8A 600V／10A 600V／10A 600V／ 5A 600V／ 8A 600V／ 8A 600V／15A 600V／10A 600V／10A 600V／15A 600V／20A VCE(sat) 1.7V 1.75V 1.75V 1.75V 1.75V 1.7V 1.75V 1.75V 1.75V 2.2V 2.2V 2.2V 1.75V SW Speed Low/High Low/High Low/High Low Low Low/High Low/High Low/High Low High High High Low/High Rboot 22?typ 22?typ 22?typ 22?typ 22?typ 22?typ 22?typ 22?typ 22?typ 22?typ 22?typ 22?typ 22?typ 端子 CFO CFO CFO OCP OCP OCP OCP OCP OCP OCP OCP OCP OCP 封装 完全封装 带散热板 完全封装 带散热板 完全封装 完全封装 带散热板 完全封装 带散热板 带散热板 带散热板 带散热板 带散热板
产品名末尾处的 F 表示带 Cu 散热板。 ?
共通规格 输入接口：3.3V、5V 对应，高电平有效 报警信号输出：开路漏极（报警时 L）
3
?
内部构造 SCM1200M 系列的内部构造概略图（断面图）如下所示。 Cu 衬底（橙色）放置在发热源 IGBT 的下面，充分考虑了散热特性，设计了该衬底的厚度和形状。在该衬
底上实装各种器件（IGBT、FRD、自举 Di、MIC） ，各器件和器件间或者和衬底间通过线连接（AL 线、Au 线） 。 然后用树脂将各器件进行保护并形成可以实装的形状。 带 Cu 散热板的产品，在衬底下嵌入了高散热绝缘的 Cu 板，针对要求散热特性更加良好的用途，构成产品 系列。散热板（下图的最下面）与引脚之间绝缘，保证绝缘耐压为 2000V１分钟。另外，内部焊锡和引脚焊锡无 铅。
Al wire
FRD
IGBT
MIC
Au wire
Al wire
FRD
IGBT
MIC
Au wire
Total 4.4mm
Total 4.4mm
Cu
Cu
Cu Fin
(a) 完全封装产品 图 3.内部构造
(b) 带 Cu 散热板产品
器件 Cu 衬底 焊锡 芯片 Al 线
材质 铜，镀 Ni，端子部：Sn-Cu-Ni 无 Pb 焊锡 硅 铝 Au 线 封装树脂
器件 金 环氧 銅 环氧
材质
Cu 散热片 绝缘材料
4
４．端子功能
25
33
24
CFO 端子类型
1
端子编号
端子编号 端子名称 1 FO1 过电流及ＵＶＬＯ检验失效信号输出端子（Ｕ相） 2 CFO1 过电流保护保持时间设定用电容接续端子（Ｕ相） 3 LIN1 Ｌｏｗ Ｓｉｄｅ 相输入端子（Ｕ相、Active Ｈi） 4 COM1 控制回路ＧＮＤ端子（Ｕ相） 5 HIN1 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 相输入端子（Ｕ相、Active Ｈi） 6 VCC1 控制回路电源端子（Ｕ相） 7 VB1 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 浮置电源端子（Ｕ相） 8 HS1 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 浮置基准端子（Ｕ相） 9 FO2 过电流及ＵＶＬＯ检验失效信号输出端子（V相） 10 CFO2 过电流保护保持时间设定用电容接续端子（V相） 11 LIN2 Ｌｏｗ Ｓｉｄｅ 相输入端子（Ｖ相、Active Ｈi） 12 COM2 控制回路GND端子（V相) 13 HIN2 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 相输入端子（Ｖ相、Active Ｈi） 14 VCC2 控制回路电源端子（Ｖ相） 15 VB2 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 浮置电源端子（Ｖ相） 16 HS2 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 浮置基准端子（Ｖ相） 17 FO3 过电流及ＵＶＬＯ检验失效信号输出端子（W相） 18 CFO3 过电流保护保持时间设定用电容接续端子（Ｗ相） 19 LIN3 Ｌｏｗ Ｓｉｄｅ 相输入端子（Ｗ相、Active Ｈi） 20 COM3 控制回路ＧＮＤ端子（Ｗ相） 21 HIN3 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 相输入端子（Ｗ相、Active Ｈi） 22 VCC3 控制回路电源端子（Ｗ相） 23 VB3 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 浮置电源端子（Ｗ相） 24 HS3 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 浮置基准端子（Ｗ相） 25 VBB 主电源电压端子（Ｗ相） 26 W 输出端子（Ｗ相） 27 LS3 Ｌｏｗ Ｓｉｄｅ Source端子（Ｗ相） 28 VBB 主电源电压端子（Ｖ相） *剪脚 29 V 输出端子（Ｖ相） 30 LS2 Ｌｏｗ Ｓｉｄｅ Source端子（Ｖ相） 31 VBB 主电源电压端子（Ｕ相） *剪脚 32 U 输出端子（Ｕ相） 33 LS1 Ｌｏｗ Ｓｉｄｅ Source端子（Ｕ相）
5
OCP 端子类型
端子编号 端子名称 1 FO1 过电流及ＵＶＬＯ检验失效信号输出端子（Ｕ相） 2 OCP1 过电流保护输入端子（Ｕ相） 3 LIN1 Ｌｏｗ Ｓｉｄｅ 相输入端子（Ｕ相、Active Ｈi） 4 COM1 控制回路ＧＮＤ端子（Ｕ相） 5 HIN1 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 相输入端子（Ｕ相、Active Ｈi） 6 VCC1 控制回路电源端子（Ｕ相） 7 VB1 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 浮置电源端子（Ｕ相） 8 HS1 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 浮置基准端子（Ｕ相） 9 FO2 过电流及ＵＶＬＯ检验失效信号输出端子（V相） 10 OCP2 过电流保护输入端子（V相） 11 LIN2 Ｌｏｗ Ｓｉｄｅ 相输入端子（Ｖ相、Active Ｈi） 12 COM2 控制回路GND端子（V相) 13 HIN2 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 相输入端子（Ｖ相、Active Ｈi） 14 VCC2 控制回路电源端子（Ｖ相） 15 VB2 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 浮置电源端子（Ｖ相） 16 HS2 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 浮置基准端子（Ｖ相） 17 FO3 过电流及ＵＶＬＯ检验失效信号输出端子（W相） 18 OCP3 过电流保护输入端子（Ｗ相） 19 LIN3 Ｌｏｗ Ｓｉｄｅ 相输入端子（Ｗ相、Active Ｈi） 20 COM3 控制回路ＧＮＤ端子（Ｗ相） 21 HIN3 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 相输入端子（Ｗ相、Active Ｈi） 22 VCC3 控制回路电源端子（Ｗ相） 23 VB3 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 浮置电源端子（Ｗ相） 24 HS3 Ｈｉｇｈ Ｓｉｄｅ 浮置基准端子（Ｗ相） 25 VBB 主电源电压端子（Ｗ相） 26 W 输出端子（Ｗ相） 27 LS3 Ｌｏｗ Ｓｉｄｅ Source端子（Ｗ相） 28 VBB 主电源电压端子（Ｖ相） *剪脚 29 V 输出端子（Ｖ相） 30 LS2 Ｌｏｗ Ｓｉｄｅ Source端子（Ｖ相） 31 VBB 主电源电压端子（Ｕ相） *剪脚 32 U 输出端子（Ｕ相） 33 LS1 Ｌｏｗ Ｓｉｄｅ Source端子（Ｕ相）
6
（1）U、V、W端子 连接电机的端子。
（2）VB1、VB2、VB3端子 是上臂IGBT 驱动电源端子。请把自举 电路连接此端子。由于这自举电路会进行浮 置动作，所以在各桥接中均需连接（共为3 电路）。 此外，在启动时，自举电容CBOOT 需要充电。因要将Low Side 的IGBT予以导 通，请将CBOOT予以充分充电。 自举电容请一定安装在IC 的旁边，并且使用 电解电容或瓷片电容。 自举电路的参数可从以下公式计算。 ◆自举电容 CBOOT(CB1、CB2、CB3） CBOOT[μF] ＞ 800×TLoff [s] 同时满足 CBOOT ≧ 1uF ※TLoff：下臂侧关闭状态的（自举电容不充电)最大时间[sec] H-side上臂侧的IGBT即使不导通时，自举电容的电压会由于IC的功耗电流降低。在低频率启动运转时，确 认自举电压的不要欠压。确认电容的静态电容量的允许误差规格，选定器件。自举电压欠压之后，控制电源欠 压保护电路会启动。 上述的计算方式的计算值得适当性需要在实际的机器上进行验证确认。VB1、VB2、VB3 端子内部有控制电源欠压保护电路。VB1、VB2、VB3端子的电压需要设定在保护电路范围外。 Vcc-VB 端子间与 Dboot 串接了防冲击电流的电阻 Rboot （如图） ， Rboot 的电阻值为 22?±20%或者 210?±20%。 请根据自举电容容量 CBOOT 的时间常数 Rboot×CBOOT 来设定充电时间。
7
（3）HS1、HS2、HS3 端子 自举电路的基准端子。请接到自举电容的负侧。HS1、HS2、HS3 各在内部同 U、V、W 连接。 （4）VCC1、VCC2、VCC3 端子 内部配备的前置驱动IC的控制电源端子。请在外部电路板上把VCC1、VCC2、VCC3予以连接。为防止电 源浪涌等导致误动作，请在端子旁边安装陶瓷电容(0.01uF~0.1uF)后再使用。 （5）COM1、COM2、COM3 端子 内部配备的前置驱动IC的控制GND端子。请在外部电路板上把COM1、COM2、COM3予以连接。若此端 子的电位发生变化就有可能引起误动作请在布线时予以充分注意。（连接到没有电源电流而发生变化的 位置、缩短并布线长度等） （6）HIN1、HIN2、HIN3、LIN1、LIN2、LIN3 端子 控制电机用的相输入端子。其构成为 5V 系统的 CMOS 施密特触发电路。输入理论为 Active Hi。内部配 备下拉电阻。下拉电阻为 22k?。在干扰大或估计输入不稳定时、请考虑在外部加输入滤波器、或是加下 拉电阻等。
图５．HIN 及 LIN 端子内部等价电路图 （7）VBB 端子 主电源的端子。为了控制浪涌电压滤波电容及IC 的旁边安装防浪涌电路用0.1uF 左右的薄膜电容。 VBB1、VBB2、VBB3间的配线尽量缩短设计。
8
（8）LS1、LS2、LS3 端子 主电源 GND 端子。电流检出用的检测电 阻连接在此端子和 COM 之间。用于 L-side IGBT 的发射极电压检测，作为过电流保护电 路的输入信号使用。该电压包含了电流检测电 阻的电压降、 IPM 内部的布线阻抗以及印刷电 路板上的布线阻抗的电压降，因此在选择电流 检测电阻阻值时，请充分考虑。 此外， OCP 端子类型是以输入 OCP 端子 的信号为基准来进行过电流保护。 设计LS 端子和检测电阻的距离请尽量 缩短距离。配线太长会成为误动作的原因，和 主电源之间请进行低抗阻连接。
图 发射极的布线阻抗
SCM1200M
（9-1）CFO1、CFO2、CFO3 端子 通过过电流保护电路输出IGBT 被遮断时，此状态的保持时间使用安装于这个端子的电容容量来调整。设 定方法请参考设定方法的5项「有关保护功能」。另外，通过过电流保护电路关断的IGBT 包括上臂和下臂的 双方。 CFO 端子如果开路的话，过电流保护功能动作之后立即恢复，因此必须外接电容。 （9-2）OCP1、OCP 2、OCP 3 端子 进行过电流保护的基准信号的输入端子。输入端子的等价电路如图所示。 在内部，有 200 k? 的下拉电阻，超过基准 电压 Vref 一定时间(1.65us(min))后,进行 OCP 动 作（IGBT 的门极关断，FO 输出的内部三极管 ON） 。 门极关断后，电流降低，过电流状态解除， FO 输出持续一定时间(20us(min))后,恢复正常运 行。请设置 OCP 功能的时序为，以异常时为前 提，FO 信号 ON 后，停止运行。
图 7.OCP 端子内部等价电路
9
（10）FO 端子 异常信号输出端子兼关断输入端子。内部电路如图。 ① ② ③ ④ VCC电压为UVLL 以下（UVLO） HIN及LIN 同时为H（STP） 由于过电流VTRIP电压超过1.65us(typ) 以上的情况（OCP） 过热保护功能动作后（TSD） 上述任何状况发生的情况，保护电路会 动作，FO端子内部的三极管ON的同时， 关断输出IGBT的H-side及L-side。因为是集 电极开路，FO输出请从外部连接电源（5V 或3.3V）及上拉电阻（RFO）（RFO值请使 用1K?以上） 另外, FO端子电位在IC中被监视，「7.应用电路例」中三相的FO连接时，它相的FET会导通，则检出电位 为L，会关断IGBT。为了防止干扰等原因使FO电位降低，故请在IC旁边安装（0.01uF以下)电容。
图 端子内部电路
10
５．有关保护功能 （１）控制电源欠压保护(UVLO） 输出IGBT的门槛驱动不足之后会增加开关损耗，最坏的情况有可能破坏开关器件。 为了防止控制电源欠压，内置控制电源欠压保护电路。 控制电源欠压时，HO(Hside输出)、LO(Lside输出)和FO的时序图为：
HIN：H-side IGBT 指令信号 LIN：L-side IGBT 指令信号、VB-HS：H-side 自举电压、 HO：H-side IGBT 栅极电压、LO：H-side IGBT 栅极电压、FO：报警输出信号 作为 H-side 侧 IGBT 驱动电源的自举电压(VB-VS 间电压)下降到 UVHL 电压(11V±１V)以下时，H-side 侧 的 IGBT OFF。但是 FO 输出不发生变化。(FO 电路的 FET 保持 OFF） 此后，自举电压恢复到 UVHH 电压(11.5V±1V)以上系统自行恢复，恢复的时序是输入信号(HIN,LIN)的上 升边沿。 自举电压请设定在 13.5V～16.5V 范围内。
11
上图为，作为低压侧电源的 VCC 电压下降时的时序图。 VCC 电压下降到 UVLL 电压(11V±1V)以下后，H-side 和 L-side 的输出 IGBT 全部关断。此时，FO 电路的 FET ON (通过上拉电阻接到电源时，H →L） 。 此后，VCC 电压恢复到 UVLH 电压(11.5V±1V)以上后，FO 电路的 FET OFF，但 IGBT 输出在 HIN 或者 LIN 的上升沿到来之前保持 OFF。 VCC 电压和自举电压一样，请设定在 13.5V～16.5V 范围内。
12
（２）同时 ON 防止电路（STP） 上臂及下臂同时输入 ON（H）的信号时，造成上下臂短路流入过电流。为了防止此问题本制品在上下臂 导通时，内置使双方都变为 OFF 的保护功能（STP)。通过此措施，防止发生错误向上下臂输入 H 指令的情 况或者干扰误动作时发生上下臂短路。 同时，当上下臂输入均为 H 时，FO 电路的 FET 将导通，通知异常状况的出现。 当同时 ON 消失后， 与 UVLO 电路一样， 等到输入信号的上升边(HIN 或 LIN)沿出现以后才进行 HO 和 LO 的输出。 同时 ON 防止功能没有加入死区时间生成电路。必须在外部将死区时间设定在 1.5us 以上。
*HIN,LIN 为同一相
*HIN,LIN 端子中同时输入 High 时， HO 及 LO OFF， 输出 FO
13
（３）过电流保护电路 SCM1200M 内置过电流保护回路。 CFO端子类型中， 检测外部连接的电流检测电阻中流过的电流， OCP端子类型中，OCP输入端子的电压在内部设定的标准电压（VTRIP=0.5V）以上持续1.65us(typ)后 关断输出IGBT（H-side及L-side）。输出关断后保持此状态的时间可以通过与CFO端子接续的电容容量 来调整（CFO端子类型）。OCP端子类型中，门关断及输出FO信号的状态保持25us(typ)。 检测电阻在各相均有设置的情况，仅对发生过电流的相的门槛进行关断。 另外， 过电流检出之后保持时间内FO电路的FET导通， 电源及电阻导通的上拉(Pull up)端子高电平 =>低电平(0V)。FO回路的FET的导通期间不管输入信号的状态，输出IGBT(H-side及L-side)持续遮断状 态。 过电流保护回路，各相（臂）虽然分别动作，参考「7.应用回路例」三相的FO连接的情况，在它 相检测到FO电路动作时，会关闭全部相的IGBT。FO端子欠压到IGBT的关断为止需要的时间为1us以 下。
14
因过电流 IGBT 输出禁止后，过电流保护保持时间后，FO 电路的 FET 恢复到 OFF 状态。此 时输出功率器件根据输入指令（HIN，LIN）开始动作（电平动作） 。
15
＜过电流保护设定＞ ◆检测电阻的选取（CFO 端子类型时） 根据以下式子来计算。 RS [?]＝VTRIP[V] / ITRIP [A] －RIPM[?]－RPCB[?] VTRIP＝0.5V(typ)±0.04V RIPM＝0.0051?(typ)±0.001?(额定 8A 以下） ＝0.0027?(typ)±0.0005?(额定 10A 以上） RIPM：IPM 内部的布线阻抗 (温度系数 ＋0.44％/℃) RPCB＝1.7E-6 L/(W ｔ）
图 端子的布线阻抗
RPCB：印刷电路板上的铜箔布线阻抗 L：引线长(cm)、W：引线的导体宽度(cm)、ｔ：导体厚度(cm) 例：L＝5cm、W＝1cm、ｔ＝35um(35E-4cm)时 RPCB＝2.4m?
◆过电流保护保持时间调整电容设定方法（CFO 端子类型时）
单独使用时的保持时间 保持时间 例 时
＊ 外加电容(CFO)请尽量设定在 10nF 以下。当容量超过 10nF 时，此时 的保持时间可能会偏离上式的值。
图 端子内部电路
16
（4）过热保护（TSD） SCM1200M 系列内藏过热保护电路。因过负荷导致消耗功率增加，IC 周围温度上升等，使得 IC 过热 时，关断功率器件。温度检测，在 MIC 执行，动作温度如表所示，超过 150 （ （ ）时解除关断，根据 信号动作。 表 4.过热保护值 ）时执行关断，低于 120
过热保护 [ TDH TDL HYS
]
MIN 135 105 -
TYP 150 120 30
MAX 165 135 -
温度检测，监视着
的温度，过热保护动作时，关断
两侧的功率器件，导通
端子的集电极开路
。
温度检测并非监视着功率器件的芯片温度，不能完全防止因过热而导致的破坏。请注意，功率器件温度急剧上升 等情况时，温度检出会延迟。
17
６．绝对最大额定值和推荐使用条件
绝对最大额定值(Tc＝25℃） 项目 电源电压 电源电压(浪涌） IGBT 输出耐压 控制电源电压 控制电源电压(自 举) 输出电流(连续) 符号 VBB
[15A 品为例] 规格 450 500 600 20 20 单位 V V V V V 说明 VBB-LS 间能施加的最大电压。 开关噪声等引起的短时间 VBB-LS 间电压。 浪涌超过该电压时，强化吸收电路使电压低于规格 值。 IGBT 的 CE 间耐压。施加的电压超过该值以上会引 起 IGBT 损坏。 VCC1,2-COM1,2 间施加的最大电压。施加的电压超 过该值以上会引起 IC 损坏。 VB1,2,3 －HS(U,V,W) 间施加的最大电压。施加的电 压超过该值以上会引起 IC 损坏。 Tc＝25℃，一个 IGBT 可以流过的 DC 电流值。 该值以 Tc=25℃为条件， 需要根据实际表面温度减额 使用。 Tc＝25℃，一个 IGBT 短时间(＜1ms)可以流过的电 流值。 请设定过电路保护电平， 保证电流不会超过该 值。 HIN1,2,3－COM1,2,3、LIN1,2,3－COM1,2,3 间可以 施加的电压范围。超过该范围会引起 IC 损坏。 FO1,2,3 可以上拉的最大电压。施加的电压超过该值 以上会引起 IC 损坏。 Tc=25℃一个 IGBT 的允许损耗(Tj≦150℃)。 IGBT 接合部和表面间的热电阻值(通常值） 。过渡热 特性请参照下页的图。 FRD 接合部和表面间的热电阻值(通常值） 。 IPM 动作时的表面温度的允许温度范围。 请在该温度 范围内使用。 为保证可靠性各芯片接合部温度的上限值。 即使在过 渡期间内也请不要超过该温度。 IPM 的允许保存温度范围。请在该温度范围内保存。 表面全引脚间的绝缘耐压保证值 (AC １分钟、60Hz、≦1mA)。
VBB(Surge) VCES VCC VBS Io
15
Adc
输出电流(脉冲) 输入电压 FO 端子电压 允许损耗 热电阻 (IGBT) 热电阻 (FRD) 动作表面温度 接合部温度 保存温度 绝缘耐压
Iop VIN VFO PD R(j-c)Q R(j-c)F TOP Tj Tstg Viso
30 －0.5～＋7 7 41 3.0 4.0 －20～＋100 150 －40～+150 2000
Adc V V W ℃/W ℃/W ℃ ℃ ℃ V
18
以下为 IGBT 的过渡热电阻特性。纵轴使用的归一化值，相当于产品规格书中绝对最大额定值所记载的的热电阻 (IGBT)值(15A 品为 3.0） 。
19
推荐动作条件 项目 主电源电压 控制电源电压 最小输入脉冲宽度 输入信号死区时间 FO 上拉电阻 CFO 电容容量 FO 上拉电压 自举电容 电流检测电阻 PWM 载波频率 接合部温度 关于各条件 (１）电源时序 SCM1200M 系列没有时序要求，建议在控制电源 VCC 确立后，再输入控制信号 HIN、LIN。另外在电源关断 时，请在控制信号全部 OFF 后降低 VCC 电源。 (２）输入对地短路保护 内部没有设置输入对地短路保护电路。请避免出现输入对地短路模式。 符号 Min. VBB VCC,VBS tINmin(on) tINmin(off) tdead RFO CFO VFO CBOOT RS fc Tj － 13.5 0.5 0.5 1.5 470 0.001 4.5 1 25.5 － － 推荐值 Typ. 300 － － － － － － － － － － － Max. 400 16.5 － － － 22k 0.01 5.5 220 － 20 125 V V μs μs μs ? uF V uF m? kHz ℃ 发 生 短 路 时 ， 可 以 保 证 IPM 不 损 坏 的 VBB-LS 间电压。电流检测电阻实装时。 可以保证输出电流(脉冲)规格的电压范围。 建议避免输入该宽度以下的脉冲。 输入信号的死区时间务必设定在 1.5us 以上。 涉及到桥臂短路和损耗増加。 ５V 和 FO 端子间上拉电阻的推荐范围。 CFO-COM 间电容的推荐范围。 通过电阻连接到 FO 端子的电源电压推荐范 围。 VB1,2,3－HS(U,V,W)间电容容量的推荐范 围。建议追加与电解电容并联的瓷片电容。 不会超过输出电流(脉冲)规格的推荐电流检 测电阻下限值。 载波频率上限值。同时保证表面温度、芯片 温度不会超过绝对最大额定值。 通常使用时的芯片温度上限值。 单 位 说明
(３）布线长 SCM1200M 周围的布线请尽量设计得短。布线过长，不仅可能会导致误动作，而且会因在布线上所带的电感 成分而使浪涌增大，最终甚至可能导致损坏，请予以充分注意。特别需要对 LS 端子和 COM 端子间的布线进 行最优化布局。 (４）浪涌施加 各端子如果可能有浪涌叠加，请追加滤波电路(电阻＋电容） 、稳压二极管等。浪涌施加不但会导致误动作，如 果超过了绝对最大额定值，可能会导致产品损坏。请进行实机评价确保没有问题。 (５)死区时间 本产品内置上下同时 ON 防止电路，但没有设置死区时间生成电路。必须在外部设置死区时间。
20