protel 99se 中的常用元器件
名称英文名元件库封装封装库电阻RES AXIAL0.1-1.0
无极电容CAP RAD 0.1-0.4
电解电容ELECTRO RB 0.2/0.4-0.5/1.0
二极管DIODE DIODE0.1-0.7
全桥BRIDGE D-44 D-37 D-46
电位器POT VR-1 VR-5
三极管NPN PNP TO-18 TO-22
TO-3 (达林顿)
集成块PID PID-8 -40
晶体振荡器XTAL1
原理图常用库文件：
Miscellaneous Devices.ddb
Dallas Microprocessor.ddb
Intel Databooks.ddb
Protel DOS Schematic Libraries.ddb
PCB元件常用库：
Advpcb.ddb
General IC.ddb
Miscellaneous.ddb
分立元件库
部分分立元件库元件名称及中英对照
AND 与门
ANTENNA 天线
BATTERY 直流电源
BELL 铃,钟
BVC 同轴电缆接插件
BRIDEG 1 整流桥(二极管)
BRIDEG 2 整流桥(集成块)
BUFFER 缓冲器
BUZZER 蜂鸣器
CAP 电容
CAPACITOR 电容
CAPACITOR POL 有极性电容CAPVAR 可调电容
CIRCUIT BREAKER 熔断丝
COAX 同轴电缆
CON 插口
CRYSTAL 晶体整荡器
DB 并行插口
DIODE 二极管
DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3段LED
DPY_7-SEG 7段LED
DPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容
FUSE 熔断器
INDUCTOR 电感
INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感
JFET N N沟道场效应管
JFET P P沟道场效应管
LAMP 灯泡
LAMP NEDN 起辉器
LED 发光二极管
METER 仪表
MICROPHONE 麦克风
MOSFET MOS管
MOTOR AC 交流电机
MOTOR SERVO 伺服电机
NAND 与非门
NOR 或非门
NOT 非门
NPN NPN三极管
NPN-PHOTO 感光三极管
OPAMP 运放
OR 或门
PHOTO 感光二极管
PNP 三极管
NPN DAR NPN三极管
PNP DAR PNP三极管
POT 滑线变阻器
PELAY-DPDT 双刀双掷继电器
RES1.2 电阻
RES3.4 可变电阻
RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻
RESPACK ? 电阻
SCR 晶闸管
PLUG ? 插头
PLUG AC FEMALE 三相交流插头
SOCKET ? 插座
SOURCE CURRENT 电流源
SOURCE VOLTAGE 电压源
SPEAKER 扬声器
SW ? 开关
SW-DPDY ? 双刀双掷开关
SW-SPST ? 单刀单掷开关
SW-PB 按钮
THERMISTOR 电热调节器
TRANS1 变压器
TRANS2 可调变压器
TRIAC ? 三端双向可控硅
TRIODE ? 三极真空管
VARISTOR 变阻器
ZENER ? 齐纳二极管
DPY_7-SEG_DP 数码管
SW-PB 开关
其他元件库
Protel Dos Schematic 4000 Cmos .Lib
40.系列CMOS管集成块元件库
4013 D 触发器
4027 JK 触发器
Protel Dos Schematic Analog Digital.Lib 模拟数字式集成块元件库
AD系列DAC系列HD系列MC系列
Protel Dos Schematic Comparator.Lib 比较放大器元件库
Protel Dos Shcematic Intel.Lib INTEL公司生产的80系列CPU集成块元件库Protel Dos Schematic Linear.lib 线性元件库
例555
Protel Dos Schemattic Memory Devices.Lib 内存存储器元件库
Protel Dos Schematic SYnertek.Lib SY系列集成块元件库
Protes Dos Schematic Motorlla.Lib 摩托罗拉公司生产
2楼wws 发表于：2007-9-4 23:57:13
型号功能封装
AND与门
ANTNNA天线
BATTERY电池
BNC高频线接插器
BUFFER缓冲器
BUZZER蜂鸣器
COAXPAIR带屏蔽的电缆进线器
FUSE1熔断器
FUSE2熔断丝
GND 地
LAMP 电灯
METE 表头
MICROPHONE 麦克风(话筒)
NAND 与非门
NEON 氖灯
NOR 或非门
NOT 非门
OPAMP 运算放大器
OR 或门
PHONEJACKl 耳机插座PHONEJACK2 耳机插座PHONEPLUGl 耳机插头PHONEPLUG2 耳机插头PHONEPLUG3 耳机插头
PLUG 电气插头
PLUGSOCKET 电气插头
RCA 高频线接插器
RELAY-SPST 单刀单掷开关继电器RELAY-SPDT 单刀双掷开关继电器RELAY-DPST 双刀单双掷开关继电器RELAY-DPDT 双刀双掷开关继电器SOCKET 电气插座
SPEAKER 扬声器
SW-SPS 单刀单掷开关
SW-SPDT 单刀双掷开关
SW-DPST 双刀单掷开关
SW-DPDT 双刀双掷开关
SW-PB 按键开关
SW-6WAY 六路旋钮转换开关
SW—12WAY 十二路旋钮转换开关
SW-DIP4 双列直插封装四路开关DIP8 SW-DIP8 双列直插封装八路开关DIPl6 VOLTREG 电压变换器
TO-220
XNOR 异或非门
XOR 异或门
VCC 电压螈
VDD 电压塬
VSS 电压源
+5 +5电压源
-5 -5电压源
+12 +12电压源
-12 -12电压源
+15 +15电压源
-15 -15电压源
+18 +18电压源
-18 -18电压源
+24 +24电压源
-24 -24电压源
+30 +30电压源
-30 -30电压源
BRIDGEl 二极管整流电桥
BRIDGE2 内封装二极管整电桥
BRIDGE
DIODE 极管
JFET-N N沟道结型场效应管JFET-P
LED 发光二极管
MOSFET-N1 N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET-N2 双栅型N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET-N3 增强型N沟道金属氧化物半导体效应管MOSFET-N4 耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET-PI P沟道金属氧化物半导体场效应管
MOSFET-P2 双栅型P沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET-P3 增强型P沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET-P4 耗尽型P沟道金属氧化物半导体场效应管NPN NPN型晶体三极管
N-PHOTO NPN型光敏三极管
OPT01SO1 光电隔离开关(发光二极管+光敏二极管型) OPTOIS02 光电隔离开关(发光二极管+光敏三极管型) OPTOTRIAC 光电隔离开关(发光二极管+三端可控制硅型) PHOTO 光敏二极管
PNP PNP型晶体三极管
PNP-PHOTO PNP型光敏三极管
SCR 可控硅整流器
TRIAC 三端双向可控硅开关
TUNNEL 隧道二极管
UNLJUNC-N N型单结晶体管
UNLJUNC-P P型单结晶体管
ZENERI 齐纳二极管
ZENER2 齐纳二极管
ZENER3 齐纳二极管
CAP 无级性电容器
CAPVAR 无极性电容器
CRYSTAL 石英晶体
ELECTR01 有极性电容器
ELECTRO2 有极性大电容器
INDUCTORI 电感器(线圈)
INDUCTOR2 带磁芯电感器(线圈)
INDUCTOR3 可调电感器(线圈)
INDUCIOR4 带磁芯可调电感器(线圈)
POT1 可调电位器(用波浪线表示)
POT2 可调电位器(用长矩形表示)
RESl 电阻器(用波浪线表示)
RES2 电阻器(用长矩形表示)
RES3 可调电阻器(用波浪线表示)
RES4 可调电阻器(用长矩形表示)
RESPACKI 八单元内封装集成电阻器之一(用波浪线表示) DIPl6 RESPACK2 八单元内封装集成电阻器之一(用长矩形表示) DIPl6 RESPACK3 完整的八单元内封装集成电阻器之一(用波浪线表示)DIPl6 RESPACK4 完整的八单元内封装集成电阻器之一(用长矩形表示) DIPl6 TRANSI 带铁芯变压器
TRANS2 带铁芯可调变压器
TRANS3 不带铁芯可调变压器
TRANS4 带铁芯三插头大变压器
TRANS5 带铁芯三插头大变压器
4PIN 4脚插座FLY4
8PIN 8脚插座IDC8
16PIN 16脚插座IDCl6
20PIN 20脚插座IDC20
26PIN 26脚插座IDC26
34PIN 34脚插座IDC34
40PIN 40脚插座IDC40
50PIN 50脚插座IDC50
DB9 9芯插座DB9
DBl5 15芯插座DBl5
DB25 25芯插座DB25
DB37 37芯插座DB37
protel99se常用元件封装总结 1. 标准电阻：RES1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻：RES3、RES4；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR5 2.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPVAR 封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0. 3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR （变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管） 封装：DIODE0.4和DIODE 0.7;（上面已经说了，注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K） 4.三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管） 以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形，我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！ 5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N沟道增强型管）MOSFETP（P 沟道增强型管） 引脚封装形式与三极管同。 6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4（可变电感） 8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。 9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。 10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列， 不如40管脚的单片机封装为DIP40。 11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。 12、晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1 13、发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4） 14、发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自己做！ 15、拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！ 16、按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。 17、变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。 最后在说说PROTEL 99 的原理图库吧！ 常用元器件都在protel DOS schematic Libraries.ddb里 此外还有protel DOS schematic 4000 CMOS (4000序列元件) protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A转换元件) protel DOS schematic Comparator （比较器，如LM139之类） protel DOS schematic intel (Intel 的处理器和接口芯片之类) 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 无极性电容：cap; 封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi; 封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0
生态脆弱区煤炭开采地质环境效应与评价技术研究榆神府矿区地处毛乌素沙地与黄土高原丘陵沟壑区的过渡地带，该区地表为较厚松散层所覆盖，常年干旱少雨、植被稀疏，为典型的生态脆弱区。该矿区煤层埋藏浅、开采厚度大、上覆基岩厚度较薄，煤矿开采容易导致严重的地质环境问题。如何实现煤矿生产与生态、地质环境的有效保护的相互统一与协调发展，是西部地质环境脆弱地区煤炭资源开发的重大基础性研究课题。本文在对矿区地质环境现状进行调研、勘探测试的基础上，分析了影响研究区地质环境的地质采矿因素条件，研究了采动对各地质环境因素的影响；运用GIS进行了各因素的空间信息量化管理，并采用支持向量机理论分析方法进行了矿区地质环境采前因素综合评价，对开采后地质环境变化分区进行了预测，提出了生态脆弱区煤炭开采活动地质环境保护技术措施。主要成果有：（1）研究发现“水环境恶化”、“土地沙漠化”和“水土流失”是生态脆弱区浅部煤炭资源开发引发的三类主要地质环境效应；煤炭开采造成上覆水体进入矿井，水量、水位及水质的变异是水环境恶化的主要表现；水位的下降产生了土体的盐碱化从而造成土地沙漠化；水环境及土地沙漠化造成浅部生态退化，表土采动变形和破坏加剧产生水土流失。（2）研究确定了地形地貌、沙层厚度、水位埋深、开采煤层上覆基岩厚度、煤层厚度等是影响研究区地质环境的主要因素。榆神府矿区原生地质环境条件差,沙漠化、水土流失严重,在未开采煤炭时就应加强环境保护和治理。（3）基于对各因素现状及采动变化空间分布GIS量化管理，和各因素空间可视化成图的综合地质环境现状
GIS多元信息拟合评价技术可以有效分析和预测煤炭开采引起的环境动态变化趋势；探索并研究建立了综合地质环境质量评价和预测支持向量机（SVM）非线性预测模型，并将榆神府矿区地质环境现状分为5类，进行了现状地质环境类型评价分区，预测了煤层开采地质环境变化，给出了预测评价分区图。（4）榆神府矿区煤炭资源开发中，不会造成区内所有矿井地质环境加剧恶化；只是在煤炭埋深浅、且富水的地方，开采会加剧环境恶化，这些地方是今后煤炭开发时,重点保护与治理环境的地区。（5）研究得出：对于榆神府矿区煤炭资源的开发，应根据各矿井(区)具体的环境工程地质条件和对采前采后环境质量的变化评价预测结果合理部署，并提出优化开采顺序、科学选取开采方法和实施“保水采煤”综合技术是实现生态环境脆弱区煤炭资源开采和地质环境保护的技术措施。该论文有图55幅，表46个，参考文献220篇。
protel元件库的查找 原理图常用库文件： Miscellaneous Devices.ddb Dallas Microprocessor.ddb Intel Databooks.ddb Protel DOS Schematic Libraries.ddb PCB元件常用库： Advpcb.ddb General IC.ddb Miscellaneous.ddb 分立元件库 部分分立元件库元件名称及中英对照 AND 与门 ANTENNA 天线 BATTERY 直流电源 BELL 铃,钟 BVC 同轴电缆接插件 BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR 电容 CAPACITOR POL 有极性电容CAPVAR 可调电容 CIRCUIT BREAKER 熔断丝 COAX 同轴电缆 CON 插口 CRYSTAL 晶体整荡器 DB 并行插口 DIODE 二极管 DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE VARACTOR 变容二极管 DPY_3-SEG 3段LED DPY_7-SEG 7段LED DPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容 FUSE 熔断器 INDUCTOR 电感 INDUCTOR IRON 带铁芯电感
INDUCTOR3 可调电感 JFET N N沟道场效应管 JFET P P沟道场效应管 LAMP 灯泡 LAMP NEDN 起辉器 LED 发光二极管 METER 仪表MICROPHONE 麦克风MOSFET MOS管 MOTOR AC 交流电机 MOTOR SERVO 伺服电机NAND 与非门 NOR 或非门 NOT 非门 NPN NPN三极管 NPN-PHOTO 感光三极管OPAMP 运放 OR 或门 PHOTO 感光二极管 PNP 三极管 NPN DAR NPN三极管 PNP DAR PNP三极管 POT 滑线变阻器 PELAY-DPDT 双刀双掷继电器RES1.2 电阻 RES3.4 可变电阻 RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻RESPACK ? 电阻 SCR 晶闸管 PLUG ? 插头 PLUG AC FEMALE 三相交流插头SOCKET ? 插座 SOURCE CURRENT 电流源SOURCE VOLTAGE 电压源SPEAKER 扬声器 SW ? 开关 SW-DPDY ? 双刀双掷开关 SW-SPST ? 单刀单掷开关 SW-PB 按钮 THERMISTOR 电热调节器TRANS1 变压器 TRANS2 可调变压器 TRIAC ? 三端双向可控硅TRIODE ? 三极真空管
方案一： 1.进入C\WINDOWS下找到ADV PCB99SE.INI和ADV SCH99SE.INI两个文件； 2.用写字板打开ADVSCH99SE.INI文件,在[Change Library File List]下找到File0,大家可以发现,等号后面的的内容就是默认已经添加的库，如果要添加多个怎么办呢?简单，在File0后面添File1,File2..依次类推,但注意最后修改File0上面的Count属性,如果你添了两个,就把它的值改为2。 我用的是windows7系统，我如下改可行：配置SCH库 TypeCount=2 Count=5 File0=C:\Program Files\Design Explorer 99 SE\Library\Sch\Miscellaneous Devices.ddb File1=C:\Program Files\Design Explorer 99 SE\Library\Sch\Protel DOS Schematic Libraries.ddb File2=C:\Program Files\Design Explorer 99 SE\Library\Sch\Intel Databooks.ddb File3=C:\Program Files\Design Explorer 99 SE\Examples\Backup of AT89C2051.Lib File4=C:\Program Files\Design Explorer 99 SE\Examples\Backup of SHUMAGUAN.Lib 其中File3和File4是我自己画的两个元件。 3.同样对ADVPCB99SE.INI更改以配置PCB库。 同样是windows7系统改后可行。我做了如下更改可行： TypeCount=2 Count=5 File0=D>MSACCESS:$RP>C:\Program Files\Design Explorer 99 SE\Library\Pcb\Generic Footprints$RN>Advpcb.ddb$OP>$ON>PCB Footprints.lib$ID>-1$ATTR>0$E>PCBLIB$STF> File1=D>MSACCESS:$RP>C:\Program Files\Design Explorer 99 SE\Library\Pcb\Generic Footprints$RN>Miscellaneous.ddb$OP>$ON>Miscellaneous.lib$ID>-1$ATTR>0$E>PCBLIB$S TF> File2=D>MSACCESS:$RP>C:\Program Files\Design Explorer 99 SE\Library\Pcb\Generic Footprints$RN>General IC.ddb$OP>$ON>General IC.lib$ID>-1$ATTR>0$E>PCBLIB$STF> File3=D>MSACCESS:$RP>C:\Program Files\Design Explorer 99 SE\Library\Pcb\Generic Footprints$RN>InternationalRectifiers.ddb$OP>$ON>InternationalRectifiers.lib$ID>-1$A TTR>0 $E>PCBLIB$STF> File4=D>MSACCESS:$RP>C:\Program Files\Design Explorer 99 SE\Library\Pcb\Generic Footprints$RN>Transistors.ddb$OP>$ON>Transistors.lib$ID>-1$ATTR>0$E>PCBLIB 4.修改后,再打开PROTEL 99SE，OK。（注意每次修改时必须保证protel99se程序是关闭着的，不然你就白改了，因为protel在退出时会修改这两人文件。）
protel 99 se 常用器件封装 元件类别元件库中名称常用封装 电阻 RES1 、 RES2 AXIAL0.3 － AXIAL1.0 电阻排 RESPACK3 、 RESPACK4 DIP16 滑线变阻器 POT1 、 POT2 VR1 － VR5 无极性电容 CAP RAD0.1 － RAD0.4 电解电容 ELECTRO1 、 ELECTRO2 RB.2/.4 － RB.5/1.0 （一般 <100uF 用 RB.1/.2 ， 100uF-470uF 用 RB.2/.4 ， >470uF 用 RB.3/ .6 ） 电感 INDUCTOR AXIAL0.3 二极管 DIODE DIODE0.4 （小功率）、 DIODE0.7 （大功率）发光二极管 LED SIP2 或 DIODE0.4 光敏二极管 PHOTO DIODE0.7 三极管 NPN 、 NPN1 、 PNP 、 PNP1 TO- 系列 大功率三极管 T0-3 中功率三极管如果是扁平的用 TO-220 ，如果是金属壳的用 TO-66 小功率三极管 TO-5 ， TO-46 ， TO-92A ，TO-92B 场效应管、 MOS管、JFET 、MOSFET 可以用跟三极管一样的封装 光电耦合器 OPTOISO1 DIP4 光电耦合器 OPTOISO2 BNC 晶闸管 SCR TO-46
稳压管 DIODE SCHOTTKY DIODE0.4 电源稳压块 78 系列如 7805 ， 7812 等 TO-126 、 TO-220 79 系列有 7905 ， 7912 ， 7920 等 晶振 CRYSTAL XTAL1 整流桥 BRIDGE1 、 BRIDGE2 FLY4 74 系列集成块 74* DIP4- － DIP64( 数字为不连续偶数 ) 双列直插元件 DIP4- － DIP64( 数字为不连续偶数 ) 555 定时器 555 DIP8 熔断器 FUSE1 、 FUSE2 FUSE 单排多针插座 CON1 — CON50 （不连续） SIP2 — SIP20 （不连续） PIN 连接器（双排） 16PIN — 50PIN （不连续） IDC16 — IDC50 （不连续） 4 端单列插头 HEADER4 POWER4 双列插头 HEADER8 × 2 IDC16 D型连接器 DB9 、 DB15 、 D25 、 D37 DB9 、 DB15 、 D25 、 D37 变压器 TRANS* 封装在 Transformers.lib 库中 继电器 RELAY-* DIP* 、 SIP* 等 单刀单掷开关 SW-SPST RAD* 按钮 SW-PB DIP4 电池 BATTERY RAD0.4 电铃 BELL RAD0.4 扬声器 SPEAKER RAD0.3
丽江市地质环境脆弱性及其对策研究 丽江市地处藏滇地槽与扬子准地台的复合部位,地质构造复杂,地质环境脆弱,随着社会经济迅速发展,地质环境问题日益突出,制约着丽江市的可持续发展。论文通过收集地质环境资料,进行地质环境脆弱性研究,提出对策和建议。成果对丽江市社会经济与地质资源环境的协调发展具有重要的理论和实践意义。论文系统收集丽江市地质资源环境信息,对资料分析整理并借助GIS平台建立基础地质环境空间数据。 以空间数据为基础,开展丽江市主要地质环境问题及其效应分析,探讨地质 环境问题发生、发展规律。通过多源信息叠加,分析丽江市地质环境特征和主要控制因素。以上述研究成果为基础,构建丽江市地质环境脆弱性评价体系和评价模型,进行地质环境脆弱性评价与分区。以人—地质环境系统反馈机制为核心, 探讨人—地质环境可持续利用与保护模式,进行地质环境可持续利用与保护区划,提出丽江市地质环境脆弱性对策和建议。 论文主要取得以下研究成果：1、解译遥感地质信息,分析遥感地质特征对丽江市遥感地质信息解译,将遥感地质特征归纳为：活动断裂发育,线性特征清晰,连续性好,影像信息明显,显示了断裂的强烈活动性,由活动线性构造控制边界的环形构造发育。线—环构造特征反映了研究区构造格局：活动断裂带构成了菱格状—三角形的构造骨架,构造盆地、隆起受断裂带的控制,线、环构造形成共用边界、相切和相交的关系。2、主要地质环境问题及效应分析丽江市主要环境地质问题包括活动断裂、地震、地质灾害、土壤侵蚀、地方病、环境变迁造引发的地质环境问题、人类工程活动及环境污染等。丽江市活动断裂发育,活动断裂控制了区内地貌发育、资源分布及地震发生。 研究区属地震多发区,地震造成人员伤亡和经济损失,并引发次生地质灾害。丽江市主要发育滑坡、泥石流地质灾害,多个乡镇、矿山和多条公路受到危害, 地质灾害的发生、发展受地质环境、自然地理的控制,研究区分为易发区、较易发区两类,进一步划分9个危害区段。丽江市土壤侵蚀以轻、中度侵蚀为主,地质环境和自然地理条件是影响的主要因素,人类工程活动扰动加剧土壤侵蚀。丽江市化探未见放射性元素异常,地方病病种有地方性甲状腺病、地氟病和克山病, 发病地域有限并得到控制。
protel元件库中如何找到元器件 protel元件库中如何找到元器件 1.电阻 固定电阻：RES 半导体电阻：RESSEMT 电位计；POT 变电阻；RVAR 可调电阻;res1 2.电容 定值无极性电容；CAP 定值有极性电容;CAP 半导体电容：CAPSEMI 可调电容：CAPVAR 3.电感：INDUCTOR 4.二极管：DIODE.LIB 发光二极管：LED 5.三极管:NPN1 6.结型场效应管：JFET.lib 7.MOS场效应管 8.MES场效应管 9.继电器：PELAY. LIB 10.灯泡:LAMP 11.运放:OPAMP 12.数码管：DPY_7-SEG_DP (MISCELLANEOUS DEVICES.LIB) 13.开关;sw_pb 原理图常用库文件： Miscellaneous Devices.ddb Dallas Microprocessor.ddb Intel Databooks.ddb
Protel DOS Schematic Libraries.ddb PCB元件常用库： Advpcb.ddb General IC.ddb Miscellaneous.ddb 部分分立元件库元件名称及中英对照AND与门 ANTENNA天线 BATTERY直流电源 BELL铃,钟 BVC同轴电缆接插件 BRIDEG 1整流桥(二极管) BRIDEG 2整流桥(集成块) BUFFER缓冲器 BUZZER蜂鸣器 CAP电容 CAPACITOR电容 CAPACITOR POL有极性电容 CAPVAR可调电容 CIRCUIT BREAKER熔断丝 COAX同轴电缆 CON插口 CRYSTAL晶体整荡器 DB并行插口 DIODE二极管 DIODE SCHOTTKY稳压二极管 DIODE VARACTOR变容二极管 DPY_3-SEG 3段LED DPY_7-SEG 7段LED DPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO电解电容 FUSE熔断器 INDUCTOR电感 INDUCTOR IRON带铁芯电感INDUCTOR3可调电感 JFET N N沟道场效应管 JFET P P沟道场效应管 LAMP灯泡 LAMP NEDN起辉器 LED发光二极管
常用元件电气及封装 1. 标准电阻：RES1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻：RES3、RES4；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR5 2.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPV AR 封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0. 3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL （隧道二极管）DIODE V ARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管） 封装：DIODE0.4和DIODE 0.7;（上面已经说了，注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K） 4.三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO18、TO92A（普通三极管）TO220H （大功率三极管）TO3（大功率达林顿管） 以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形，我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！ 5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N 沟道增强型管）MOSFETP（P沟道增强型管） 引脚封装形式与三极管同。 6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR V AR、INDUCTOR3、INDUCTOR4（可变电感） 8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。 9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。 10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列，不如40管脚的单片机封装为DIP40。 11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。 12、晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1 13、发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4） 14、发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自己做！ 15、拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！ 16、按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。 17、变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。 原理图常用库文件： Miscellaneous Devices.ddb Dallas Microprocessor.ddb Intel Databooks.ddb Protel DOS Schematic Libraries.ddb PCB元件常用库： Advpcb.ddb General IC.ddb Miscellaneous.ddb 元件代号封装备注 电阻R AXIAL0.3 轴状 电容C RAD0.1方型电容
鲁西南煤炭化工经济区地质环境脆弱性研究本研究目的是分析煤化工经济区内的主要煤矿矿山及煤化工企业概况,论证煤矿矿山及煤化工生产对当地地质环境的影响现状y,对煤化工经济区进行地质环境脆弱性评价,论证煤化工经济区地质环境适宜性,预测煤化工生产对地质环境的影响,并提出地质环境防治对策,为煤化工建设和地质环境保护提供依据。在研究区进行建设全省乃至全国重要的煤化工基地,是山东省确定的“十一五”发展重大战略任务。但是煤化工基地运行势必会对当地地质环境产生负影响,尤其对地下水环境构成相当大的威胁,一旦污染,对其治理、恢复的难度和代价都是十分巨大的。因此,通过地下水脆弱性评价,分析地下水不同地段潜在的易污染性,圈定地下水脆弱范围,据此进行地质环境脆弱性研究,划定煤化工基地地质环境适宜性分区,具有很强的指导作用及科学意义,也为国内外类似基地或工业园区的建设提供借鉴和参考。 该研究通过资料收集、遥感解译、地面调查、地质环境监测、测量及GPS 等工作手段,查明了研究区地质环境条件,阐明了采空地面沉陷、水环境污染、地下水超采漏斗、地面沉降、岩溶塌陷等环境地质问题的发育现状、形成原因及造成危害。采用DRAMTIC方法对浅层地下水进行了脆弱性评价、利用专家聚类打分法进行了地质环境脆弱性研究。研究区矿山环境地质问题主要有采煤沉陷、废水排放对土壤和水体的污染等,煤化工环境地质问题主要表现为水环境污染,与地下水开发有关的环境地质问题主要有地下水落漏斗、岩溶塌陷、地面沉降等;地表水以轻度污染、中度污染和重度污染为主,浅层地下水水质总体较差,绝大部分为Ⅳ类水质。浅层地下水脆弱性很高区占评价区面积的0.72%,脆弱性高区占17.52%,脆弱性中等区占38.21%,脆弱性低区占42.44%,脆弱性很低区占1.11%。 煤化工经济区地质环境脆弱性划分为脆弱性高(Ⅰ)、脆弱性较高(Ⅱ)、脆弱性一般(Ⅲ)及脆弱性低(Ⅳ)4个区,Ⅰ区占评价区面积的12.94%,属地质环境不适宜区;Ⅱ区占评价区面积的15.36%,属地质环境较不适宜区;Ⅲ区占评价区面 积的33.51%,属地质环境较适宜区;Ⅳ区占评价区面积的38.19%,属地质环境适宜区。最后针对性的提出了地质环境保护对策与建议。主要创新点:1.针对特殊的煤化工产业进行了浅层地下水脆弱性及地质环境脆弱性评价;2.依据地质环境脆弱性研究,对煤化工经济区地质环境适宜性做出了分区评价,为煤化工基地安
元件库各子元件库的类型名称 1、系列数字电路逻辑集成块 2、七段数码管 3、三极管 4、缓冲器 5、放大器 6、 CMOS系列数字电路逻辑集成块 7、比较器 8、晶振 9、二极管 10、三极管 11、场效应管 12、数学函数 13、场效应管 14、混杂库 15、场效应管 16、放大器 17、光电系列 18、电压调整器 19、继电器 20、可控硅 21、各种模拟电路符号 22、可控开关源 23、定时器 24、变压器 25、传导线 26、双向可控硅
27、电子管 28、三极管 常用元件封装 1、电阻：~ 2、无极性电容：~ 3、有极性电容：.4~.5/ 4、二极管： 5、三极管：TO-92A TO-92B TO-220 .... 6、插件：SIP2..... 7、电位器：VR1~5 8、双列直插集成块：DIP4、DIP6、DIP8.... 9、电源：POWER4 POWER6 常用PCB库文件 1、\LIBRAYLY\PCB\CONNECTORS目录下的元件数据库所含的元件库中含有绝大部分的接插件的PCB封装。 A、D TYPE 含有并口、串口类接口元件的封装。 B、含有各种插头元件的封装。 2、\LIBRAYLY\PCB\GENERIC FOOTPRINTS目录下的元件数据库所含的元件库中含有绝大部分的普通元件的PCB封装。 A、GENERAL 含有CFP系列、DIP系列、JEDECA系列、LCC系列、DFP 系列、ILEAD 系列、SOCKET系列、PLCC系列、和表面贴装电阻、电容等元件的封装。 B、INTERNATIONAL 含有IR公司的整流桥、二极管等常用元件的封装。
Protel DXP元件库快速搜索 DXP2004下Miscellaneous Devices.Intlib元件库中常用元件有： 电阻系列（res*） 排组（res pack*） 电感（inductor*） 电容（cap*，capacitor*） 二极管系列（diode*，d*） 三极管系列（npn*，pnp*，mos*，MOSFET*，MESFET*，jfet*，IGBT*） 运算放大器系列（op*） 继电器（relay*） 8位数码显示管（dpy*） 电桥（bri*bridge） 光电耦合器( opto* ，optoisolator ) 光电二极管、三极管（photo*） 模数转换、数模转换器（adc-8，dac-8） 晶振（xtal） 电源（battery）喇叭（speaker）麦克风（mic*）小灯泡（lamp*）响铃（bell） 天线（antenna） 保险丝（fuse*） 开关系列（sw*）跳线（jumper*） 变压器系列（trans*） （tube*） （scr） （neon） （buzzer） （coax） 晶振（crystal oscillator）的元件库名称是Miscellaneous Devices.Intlib, 在search栏中输入*soc 即可。 ########### DXP2004下Miscellaneous connectors.Intlib元件库中常用元件有： (con*，connector*) (header*) (MHDR*) 定时器NE555P 在库TI analog timer circit.Intlib中 电阻AXIAL 无极性电容RAD 电解电容RB- 电位器VR 二极管DIODE 三极管TO
1.电阻 固定电阻：RES 半导体电阻：RESSEMT 电位计；POT 变电阻；RV AR 可调电阻;res1 2.电容 定值无极性电容；CAP 定值有极性电容;CAP 半导体电容：CAPSEMI 可调电容：CAPV AR 3.电感：INDUCTOR 4.二极管：DIODE.LIB 发光二极管：LED 5.三极管:NPN1 6.结型场效应管：JFET.lib 7.MOS场效应管 8.MES场效应管 9.继电器：PELAY. LIB 10.灯泡:LAMP 11.运放:OPAMP 12.数码管：DPY_7-SEG_DP (MISCELLANEOUS DEVICES.LIB) 13.开关;sw_pb 原理图常用库文件： Miscellaneous Devices.ddb Dallas Microprocessor.ddb Intel Databooks.ddb Protel DOS Schematic Libraries.ddb PCB元件常用库： Advpcb.ddb General IC.ddb Miscellaneous.ddb 部分分立元件库元件名称及中英对照 AND 与门 ANTENNA 天线 BATTERY 直流电源 BELL 铃,钟 BVC 同轴电缆接插件 BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR 电容
CAPACITOR POL 有极性电容CAPV AR 可调电容 CIRCUIT BREAKER 熔断丝 COAX 同轴电缆 CON 插口 CRYSTAL 晶体整荡器 DB 并行插口 DIODE 二极管 DIODE SCHOTTKY 稳压二极管DIODE V ARACTOR 变容二极管DPY_3-SEG 3段LED DPY_7-SEG 7段LED DPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点) ELECTRO 电解电容 FUSE 熔断器 INDUCTOR 电感 INDUCTOR IRON 带铁芯电感INDUCTOR3 可调电感 JFET N N沟道场效应管 JFET P P沟道场效应管 LAMP 灯泡 LAMP NEDN 起辉器 LED 发光二极管 METER 仪表 MICROPHONE 麦克风 MOSFET MOS管 MOTOR AC 交流电机 MOTOR SERVO 伺服电机 NAND 与非门 NOR 或非门 NOT 非门 NPN NPN三极管 NPN-PHOTO 感光三极管 OPAMP 运放 OR 或门 PHOTO 感光二极管 PNP 三极管 NPN DAR NPN三极管 PNP DAR PNP三极管 POT 滑线变阻器 PELAY-DPDT 双刀双掷继电器 RES1.2 电阻 RES3.4 可变电阻 RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻
protel dxp中 常用原理图库： 1. Miscellaneous Devices.ddb 包括电阻、电容、三极管、二极管、发光二极管、三端稳压管、变压器、开关类、可控硅、场效应管、蜂鸣器、电感、天线、保险丝、一位数码管、麦克风等基本元件。 2. Miscellaneous Connectors.IntLib 各种插针，电源接头、耳机接头，串口等接插件。 常用PCB库 1.Miscellaneous Devices.IntLib 对应以上原理图库1的封装。 2.Miscellaneous Connectors.IntLib 对应原理图2的封装，常用芯片封装也在里面。 protel99se常用元件封装 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率) 三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管) 电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等 79系列有7905，7912，7920等常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）
电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般 <100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8 贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下： 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是： 0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm
城市工程地质环境综合评价发展现状及研究方法浅析 1 引言 城市地质环境是城市存在和发展的物质基础和基本保障，是城市人们生产活动的载体，也是城市人们生产活动的主要对象。随着城市化进程的不断加快，形成了“菜粮要移位，村镇要搬家，道路要加宽，建筑向立体空间发展”的局面。城市不断扩建和新建导致了越来越多的城市地质灾害。地震、火山、崩塌、滑坡、泥石流、矿井突水、地面沉降、地面塌陷、地裂缝、水土流失、砂土液化、海水入侵、海岸侵蚀、地下水水质恶化等地质灾害严重阻碍了城市的快速发展。通过对全国196个城市调查显示，65个城市存在地下水降落漏斗，129个城市地下水污染，65个城市土壤污染，56个城市存在特殊土工程问题，87个城市有崩滑流现象，28个城市存在地面沉降，19个城市存在着地裂缝，55个城市有地面塌陷，36个城市存在岸坡失稳及海岸侵蚀淤积。据不完全统计，各类环境地质问题造成经济损失共计18799亿元，仍有147万人的生命财产安全面临环境地质问题的威胁，如不采取防治措施，还将造成9067亿元的经济损失[1]。城市化高速发展造成了城市生存环境的脆弱性及城市灾害的复杂性，正视城市生存环境恶化的现状，寻求合理的解决途径，已成为保障城市可持续发展的迫切要求。 2 城市工程地质环境综合评价的研究意义 2.1 工程地质环境质量评价 近几十年来，世界各国都不同程度的受到环境问题的严重挑战，例如水土的大量流失，森林覆盖率锐减，臭氧层破坏，酸雨，大气和地表水的品质恶化等。人类生存与发展受到了严重威胁。同时，人们也逐渐认识到在环境质量与人类需要之间客观的存在一种特定的关系环境质量的价值。所谓环境质量评价（environment quality evaluation），是评价环境质量价值，而不是评价环境质量本身，是对环境质量与人类社会生存发展需要满足程度进行评定。环境质量评价的对象是环境质量与人类生存发展需要之间的关系，也可以说环境质量评价所探讨的是环境质量的社会意义[2]。
文章来源：互联作者：不详 初学protel DXP 碰到最多地问题就是：不知道元件放在哪个库中. 这里我收集了DXP2004常用元件库下常见地元件. 使用时,只需在libary 中选择相应地元件库后,输入英文地前几个字母就可看到相应地元件了. 通过添加通配符*, 可以扩大选择范围. 下面这些库元件都是DXP 2004自带地不用下载. b5E2RGbCAP ########### DXP2004T Miscellaneous Devices」ntlib 元件库中常用元件 有： 电阻系列
7SEGDISP.lib：七段数码管库。 74xx.Lib：通用74系列数字集成电路库。BJT.lib：双极型三极管。 BUFFER.lib：缓冲器库。 CAMP.lib：电流放大器库。 CMOS.Lib：CMOS数字集成电路库。COMPARATOR.lib：比较器库。CRYSTAL.Lib：石英晶体库。 DIODE.Lib：二极管库。 IGBT.lib：绝缘栅双极性晶体管库。JFET.Lib：结型场效应晶体管。 MATH.lib：具有各种数学功能的两端口元件库。 MESFET.Lib：砷化镓场效应晶体管库。MISC.lib：杂元件库。包括模数、数模和锁相等电路。 MOSFET.Lib：金属氧化物场效应管库。 OPAMP.lib：运算放大器库。 OPTO.lib：光耦器库。包括4N25。REGULATOR.lib：稳压电源库。包括7805、7812、LM317和TL431。 RELAY.Lib：继电器库。5V、12V等继电器。SCR.Lib晶闸管库。 Simulation Symbols/Lib：基本仿真元件库。包括电阻、电容、电感、各种电源等 基本仿真器件。 SWITCH.Lib：开关元件库。 TIMER.lib：时基电路库。包括555和556。TRANSFORMER.Lib变压器元件库。TRANSLINE.Lib：传输线元件库。 TRIAC.lib：双向晶闸管库。 TUBE.lib：电子管库。 UJT.lib：单结晶体管库。PROTEL中英文對照 1.电阻 固定电阻：RES 半导体电阻：RESSEMT 电位计；POT 变电阻；RV AR 可调电阻;res1..... 2.电容 定值无极性电容；CAP 定值有极性电容;CAP 半导体电容：CAPSEMI 可调电容：CAPV AR 3.电感：INDUCTOR 4.二极管：DIODE.LIB 发光二极管：LED 5.三极管:NPN1 6.结型场效应管：JFET.lib 7.MOS场效应管 8.MES场效应管 9.继电器：PELAY. LIB 10.灯泡AMP 11.运放:OPAMP 12.数码管：DPY_7-SEG_DP (MISCELLANEOUS DEVICES.LIB) 13.开关;sw_pb 原理图常用库文件： Miscellaneous Devices.ddb Dallas Microprocessor.ddb Intel Databooks.ddb Protel DOS Schematic Libraries.ddb PCB元件常用库： Advpcb.ddb General IC.ddb Miscellaneous.ddb 部分分立元件库元件名称及中英对照 AND 与门 ANTENNA 天线 BA TTERY 直流电源 BELL 铃,钟 BVC 同轴电缆接插件 BRIDEG 1 整流桥(二极管) BRIDEG 2 整流桥(集成块) BUFFER 缓冲器 BUZZER 蜂鸣器 CAP 电容 CAPACITOR 电容 CAPACITOR POL 有极性电容 CAPV AR 可调电容 CIRCUIT BREAKER 熔断丝
Protel99se元件库清单 1 框架结构：分为原理图元件库和PCB元件库两个库,每个库做为一个单独的设计项目1.1 依据元器件种类，原理图元件库包括以下16个库： 1.1.1 单片机 1.1.2 集成电路 1.1.3 TTL74系列 1.1.4 COMS系列 1.1.5 二极管、整流器件 1.1.6 晶体管：包括三极管、场效应管等 1.1.7 晶振 1.1.8 电感、变压器件 1.1.9 光电器件：包括发光二极管、数码管等 1.1.10 接插件：包括排针、条型连接器、防水插头插座等 1.1.11 电解电容 1.1.12 钽电容 1.1.13 无极性电容 1.1.14 SMD电阻 1.1.15 其他电阻：包括碳膜电阻、水泥电阻、光敏电阻、压敏电阻等 1.1.16 其他元器件：包括蜂鸣器、电源模块、继电器、电池等 1.2 依据元器件种类及封装，PCB元件封装库包括以下11个库： 1.2.1 集成电路（直插）
1.2.2 集成电路（贴片） 1.2.3 电感 1.2.4 电容 1.2.5 电阻 1.2.6 二极管整流器件 1.2.7 光电器件 1.2.8 接插件 1.2.9 晶体管 1.2.10 晶振 1.2.11 其他元器件 2 PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插） 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装2.2 集成电路（贴片） 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽