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电力电子技术课后习题答案

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电力电子技术习题集

标* 的习题是课本上没有的,作为习题的扩展

习题一

* 试说明什么是电导调制效应及其作用。

答:当PN结通过正向大电流时,大量空穴被注入基区(通常是N型材料),基区的空穴浓度(少子)大幅度增加,这些载流子来不及和基区的电子中和就到达负极。为了维持基区半导体的电中性,基区的多子(电子)浓度也要相应大幅度增加。这就意味着,在大注入的条件下原始基片的电阻率实际上大大地下降了,也就是电导率大大增加了。这种现象被称为基区的电导调制效应。

电导调制效应使半导体器件的通态压降降低,通态损耗下降;但是会带来反向恢复问题,使关断时间延长,相应也增加了开关损耗。

1.晶闸管正常导通的条件是什么,导通后流过的电流由什么决定?晶闸管由导通变为关断

的条件是什么,如何实现?

答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压(U AK>0),并在门极施加触发电流(U GK>0)。

2.有时晶闸管触发导通后,触发脉冲结束后它又关断了,是何原因?

答:这是由于晶闸管的阳极电流I A没有达到晶闸管的擎住电流(I L)就去掉了触发脉冲,这种情况下,晶闸管将自动返回阻断状态。在具体电路中,由于阳极电流上升到擎住电流需要一定的时间(主要由外电路结构决定),所以门极触发信号需要保证一定的宽度。

* 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?

答:维持晶闸管导通的条件是使其阳极电流I A大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流I H。

要使晶闸管由导通转为关断,可利用外加反向电压或由外电路作用使流过晶闸管的电流降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。

3.图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为I m,试计算各波形的

电流平均值、有效值。如不考虑安全裕量,额定电流100A的晶闸管,流过上述电流波形时,允许流过的电流平均值I d各位多少?

(f)

图1-30 习题1-4附图

解:(a)m

m m m

I

11

I sin()()2I0.3185I

22

da

I t d t

π

ωω

πππ

====

?

m

I

2 a

I==

额定电流100A 的晶闸管允许流过的电流有效值为157A ,则m I 3140.5

a

I A ==;平均值I da 为:

m

I 100da I A π

=

=

(b )m m m 0

1

2

I sin()()I 0.6369I db I t d t π

ωωππ

=

=

=?

b I =

= 额定电流100A 的晶闸管允许流过的电流有效值为157A ,

则m I 222b A =;平均值I db 为:m 0.6369I 141.4db I A ==

(c )m m m 3

1

3

I sin()()I 0.4777I 2dc I t d t π

π

ωωπ

π

=

=

=?

m 0.6343I c I =

= 额定电流100A 的晶闸管允许流过的电流有效值为157A ,则m I 247.50.6343

c

I A ==;平均值I dc

为:m 0.4777I 118dc I A == (d )m m m m 3

3I 1

13

I sin()()I 0.2388I 2224dd I t d t π

π

ωωπ

ππ

=

=

==?

m 0.4486I d I =

= 额定电流100A 的晶闸管允许流过的电流有效值为157A ,则m I 3500.4486

d

I A ==;平均值I dd

为:0.2388*35090.7dd I A == (e )4m m m 0

1

1I ()I 0.125I 224

de I d t π

π

ωπ

π=

=

=?

m 0.3536I e I =

=

额定电流100A 的晶闸管允许流过的电流有效值为157A ,则m I 4440.3536

e

I A ==: 平均值I de 为:0.125*44455.5de I A == (f )4m

m m 01

1I ()I 0.25I 4

df I d t π

π

ωπ

π=

=

=?

m 0.5I f I =

=

额定电流100A 的晶闸管允许流过的电流有效值为157A ,则:m I 3140.5

f I A ==

平均值I de 为: 0.25*31478.5df I A ==

* 在图1-31所示电路中,若使用一次脉冲触发,试问为保证晶闸管充分导通,触发脉冲宽度至少要多宽?图中,E =50V ;L =0.5H ;R =0.5?; I L =50mA (擎住电流)。

图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图

解:晶闸管可靠导通的条件是:必须保证当阳极电流上升到大于擎住电流之后才能撤掉触发脉冲。当晶闸管导通时有下式成立: di

E L

Ri dt

=+ 解之得:(1)R t L E

i e R

-=-

可靠导通条件为:0.05L i I >= 解得:0.50.5500.05(1)(1)0.5

R

t t L E e e R --<-=-

即 4100

ln

51000.05

t e s ->=-

500t us >

也即触发脉冲宽度至少要500μs

4. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流,而GTO 却可以?

答:GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,由P 1N 1P 2和N 1P 2N 2构成两个晶体管V 1、V 2分别具有共基极电流增益α1和α2,由普通晶闸管得分析可得,α1+α2=1是器件临界导通的条件。α1+α2>1两个晶体管饱和导通;α1+α2<1不能维持饱和导通而关断。

GTO 能关断,而普通晶闸管不能是因为GTO 在结构和工艺上有以下几点不同:

A 多元集成结构使每个GTO 元的阴极面积很小,门极和阴极的距离缩短,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

B GTO 导通时α1+α2更接近1,晶闸管α1+α2>1.15,而GTO 则为α1+α2≈1.05,饱和程度不深,在门极控制下易于退出饱和。

C GTO 在设计时,α2较大,晶体管V2控制灵敏,而α1很小,这样晶体管V1的集电极电流不大,易于从门极将电流抽出,从而使GTO 关断。

* GTO 与GTR 同为电流控制器件,前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同?

答:二者都是电流型驱动型器件,其开通和关断都要求有相应的触发脉冲,要求其触发电流脉冲的上升沿陡且实行强触发。

GTR 要求在导通期间一直提供门极触发电流信号,而GTO 当器件导通后可以去掉门极触发电流信号;GTO 的电流增益(尤其是关断电流增益很小)小于GTR ,无论是开通还是关断都要求触发电流有足够的幅值和陡度,其对触发电流信号(尤其是关断门极负脉冲电流信号)的要求比GTR 高。

5. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点及主要应用领域。

* 请将VDMOS (或IGBT )管栅极电流波形画于图1-32中,并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。 答:

VDMOSFET 和IGBT 都是电压驱动型器件,由于存在门极电容,其门极电流的波形类似于通过门极电阻向门极电容的充电过程,其峰值电流为Ip =U GE /R G 。栅极电阻的大小对器件的静态和动态开关特性有很大的影响:R G 增加,则开通时间、关断时间、开通损耗关断损耗增加;CE

dU dt

和位移电流减小;触发电路振荡抑止能力强,反之则作用相反。因此在损耗容许的条件下,R G 可选大些以保证器件的安全,具体选择要根据实际电路选。典型的应用参数为:+U GE =15V ,-U GE =-(5~10)V ,R G =10~50欧

* 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么?试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。 答:缓冲电路的主要作用是抑止器件在开关过程中出现的过高的

dU dt 、dI

dt

和过电压,减小器件的开关损耗保证器件工作在安全范围之内。

RCD 缓冲电路中主要是为了防止器件关断过程中的过电压。器件关断时,负载电流经二极管D 向吸收电容C 充电,使器件两端的电压由0缓慢上升,减缓

dU

dt

,一方面可以抑止过电压,一方面可以减小关断损耗;开通时,吸收电容的能量经电阻R 向器件放电,为下次关断做好准备,电阻R 的作用是限制放电电流的大小、抑止缓冲电路的振荡。

* 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么?实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量? 答:限制功率MOSFET 应用的主要原因是其电压、电流容量难以做大。因为MOSFET 是单极性器件,所以通态损耗较大,其通态电阻为 2.5

DSon

U R S

=。高压大电流时,其通态电阻(对应损耗)达到令人难以接受的程度(目前的市场水平最大为1200V/36A )。

实际使用时由于MOSFET 具有正的温度系数,可以方便地采用多管串并联的方法来提高其功率容量。

习题二

1*.具有续流二极管的单相半波可控整流电路,带阻感性负载,电阻为5?,电感为0.2H ,电源电压的有效值为220V ,直流平均电流为10A ,试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值,并指出晶闸管的电压定额(考虑电压2-3倍裕度)。 解:本题困难,可不作为习题要求。

a)

L T

R

u 1

b)

c)

d)

e)

f)

g)

i

电路上图所示。设触发角为α,则在α~π期间晶闸管导通,其直流输出电压U d 如图(b )所示;在0~α和π~2π+α期间,续流二极管导通,直流输出电压为0,则直流平均电压为2

(1cos )2d U απ

=+ cos )d d U I R α=

=+ 带入已知参数可得10cos )α=

+,即2πα=。

设晶闸管开始导通时的电流值为I 0,晶闸管关断、二极管开始导通时的电流值为I 1,则在晶闸管导通期间的回路方程为:

202

1sin ..................(1)|......................................(2)| (3)

t t di

L

iR t dt

i i i i πωωπω=

=+=== 由(1)可得方程的通解为

)R t L

i t Ae

L arctg

R

ω?ω?-=

-+= (4)

带入式(2

)的初值条件,解得20sin()2R L A I e πωπ

?????=-????

将上式带入(4)并将已知参数带入可得

0.1252504.6sin( 1.5)(0.32)t i t I e ω-=-+-

将式(3)的条件带入得

1004.59(0.32)*0.880.88 4.3I I I =+-=+ (5) 当二极管导通时,电流表达式为 2511R t t L

i I e

I e --==

在ωt=2π+π/2处,i=I 0,可得I 1和I 0之间的关系

0.3750110.69I I e I -== (6)

由(5)、(6)可解得

1010.957.55I A I A

==

则得电流的完全表达式如下

0.12525254.6sin( 1.5)7.23.........()210.95................(0,)

22

t

t t e t i e t t πωωπππωπωπ--?-+<≤??=??<≤<≤+?? (7)

按照(7)用解析方法求解晶闸管和二极管的电流有效值非常复杂,为简化计算,用I 1和I 0之间的直线段来代替实际的曲线方程(由于L 较大,这种代替不会带来很大误差)。 则晶闸管和二极管的电流有效值分别为

4.66VT

I A =

=

5.14D I A =

从图(g

)可以看出,晶闸管承受的反压为电源电压峰值,即2311V V ==,考虑3倍安全余量可选耐压1000V 的晶闸管。

2.单相桥式全控整流电路接电阻性负载,要求输出电压在0~100V 连续可调,输出电压平均值为30 V 时,负载电流平均值达到20A 。系统采用220V 的交流电压通过降压变压器供电,且晶闸管的最小控制角αmin =30°,(设降压变压器为理想变压器)。试求: (1)变压器二次侧电流有效值I 2;

(2)考虑安全裕量,选择晶闸管电压、电流定额;

(3)作出α=60°时,u d 、i d 和变压器二次侧i 2的波形。

解:由题意可知负载电阻30

1.520

d d U R I ===欧,

单相全控整流的直流输出电压为cos )d U α=

+

直流输出最大为100V ,且此时的最小控制角为αmin =30°,带入上式可求得

2119U V ==

(1

)2U I R =

== αmin

=30°时,2max 78.2I A ==

(2)晶闸管的电流有效值和承受电压峰值分别为

255.3168.3VT VT I A

U V

=

===

考虑3倍余量,选器件耐压为168×3=500V ;电流为(55.3/1.57)×3=100A

(3)

3.试作出图2-7所示的单相桥式半控整流电路带大电感负载,在α=30°时的u d 、i d 、i VT1、

i VD4的波形。并计算此时输出电压和电流的平均值。 解:

a)

b)

d

i

i

i

i

c)

d)

e)

f)

g)

输出电压和电流的平均值分别为:

d22

1cos

0.90.84

2

U U U

α

+

==

d22

d

1cos

0.90.84

2

U U U

I

R R R

α

+

==?=

4.单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2 ?,L值极大,反电动势E=60V,当α=30°时,试求:

(1)作出u d、i d和i2的波形;

(2)求整流输出电压平均值U d、电流I d,以及变压器二次侧电流有效值I2。

解:整流输出电压平均值U d、电流I d,以及变压器二次侧电流有效值I2分别为:

2

2

0.9cos()77.94

()/(77.9460)/29

9

d

d d

d

U U V

I U E R A

I I A

α

===

=-=-=

==

T

u 1

E

5. 某一大电感负载采用单相半控桥式整流接有续流二极管的电路,负载电阻R =4Ω,电源

电压U 2=220V ,α=π/3,求:

(1) 输出直流平均电压和输出直流平均电流; (2) 流过晶闸管(整流二极管)的电流有效值; (3) 流过续流二极管的电流有效值。 解:(1)电路波形图见第3题

2

1cos 0.90.9*220*0.75148.52

148.537.1254

d d d U U V U I A

R α

+======

(2)21.4VT I A =

=

=

(3)21.4D I A =

=

=

6. 三相半波可控整流电路的共阴极接法和共阳极接法,a 、b 两相的自然换相点是同一点

吗?如果不是,它们在相位上差多少度?试作出共阳极接法的三相半波可控的整流电路在α=30°时的u d 、i VT1、u VT1的波形。

解:a 、b 两相的自然换相点不是同一点,它们在相位上差多少180度,见下图。

R

i d

a

R

i d

共阳极三相半波

共阳极接法的三相半波可控的整流电路在α=30°时的u d 、i VT1、u VT1的波形如下图

i

u

7. 三相半波可控整流电路带大电感性负载,α=π/3,R =2Ω,U 2=220V ,试计算负载电流

I d ,并按裕量系数2确定晶闸管的额定电流和电压。 解:21.17cos 1.17*220*0.5128.7d U U V α===

128.7

64.352

d d U I A R =

== 0.57737VT d I I A ==

按裕量系数2确定晶闸管的电流定额为:(/1.57)*247.350VT I A =≈;电压定额为:

2*210761200V =≈

* 三相半波共阴极接法的整流电路中,如果c 相的触发脉冲消失,试绘出在电阻性负载和

大电感性负载下整流的输出电压U d (α=300

)。

解:电阻负载时波形如下图:

大电感负载时的波形为:

***三相桥式全控整流电路中,如果c相上桥臂晶闸管(第5号管)的触发脉冲消失,试绘出在电阻性负载和大电感性负载下整流的输出电压U d(α=600)。

解:电阻负载时波形如下图:

解释:当3、4号晶闸管导通(直流输出为Uba)完即将切换到4、5号晶闸管导通时,由于5号晶闸管触发丢失,且由于是电阻负载,在本该4、5导通的区间内由于Uba为负值,所以3号管被加反压关断,整流输出为0。在随后本该5、6管导通区间,由于5号管丢失脉冲,回路也没法导通,输出还是0。随着6、1的再次导通,进入下一个循环。

电感负载时波形如下图:

解释:当3、4号晶闸管导通(直流输出为Uba)完即将切换到4、5号晶闸管导通时,由于5号晶闸管触发丢失,没法给3号管提供反压使之关断,且由于是电感负载,所以3号管将会继续导通。这时实际导通的管子还是3、4两个晶闸管,即整流输出仍为Uba。

在随后本该5、6管导通区间,4号管被导通的6号管关断,直流电流通过3、6两管形成的短路回路续流,直流输出是0。随着6、1的再次导通,进入下一个循环。

8.三相桥式全控整流电路,U2=100V,带阻感性负载,R=5 ?,L值极大,当α=60°,试求:

(1)作出u d、i d和i VT1的波形;

(2)计算整流输出电压平均值U d、电流I d,以及流过晶闸管电流的平均值I dVT和有效值

I VT;

(3)求电源侧的功率因数;

(4)估算晶闸管的电压电流定额。

解:(1)

i

(2)22.34cos 2.34*100*0.5117d U U V α===

117

23.45d d U I A R =

== 7.83d

dVT I I A == 13.5VT I A =

=

(3)由功率因数的定义知:1

1cos 0.955cos 0.955*0.50.4775I I

λ?α=

=== (4)按22*2489.9500V =≈;

晶闸管的电流定额为:(/1.57)*217.220VT I A =≈

9.三相桥式不控整流电路带阻感性负载,R =5 ?,L =∞,U 2=220V ,X B =0.3 ?,求U d 、

I d 、I VD 、I 2和γ的值,并作出u d 、i VD1和i 2的波形。

解:三相桥式不控整流电路相当于三相桥式全控整流电路在触发角为0时的情况,则

226*0.3

2.34cos 2.34cos 225

b d d d

d d

d mX U U I U I U U

I R ααππ

=-

=-==

解上述2个方程可得:

486.997.4d d U V I A

==

二极管的电流平均值为:97.4

32.533

d VD I I A =

== 变压器二次侧电流有效值为:279.5d I A =

=

cos cos()ααγ-+= 可得

cos 0.892γ= 026.9γ=

u d 、i VD1和i 2的波形的波形如下:

i i

10.请说明整流电路工作在有源逆变时所必须具备的条件。

答:(1) 外部条件——直流侧应有能提供逆变能量的直流电动势,极性与晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧的平均电压。

(2) 内部条件——变流器直流侧输出直流平均电压必须为负值,即α>π/2,U d <0。 以上两条件必须同时满足,才能实现有源逆变。 11.什么是逆变失败?如何防止逆变失败?

答:但当变流器工作于逆变工况时,一旦由于触发脉冲丢失、突发电源缺相或断相等原因造成换流失败,将使输出电压U d 进入正半周,与E M 顺向连接,由于回路电阻很小,造成很大的短路电流,这种情况叫逆变失败或逆变颠覆。

为了保证逆变电路的正常工作,必须1)选用可靠的触发器,2)正确选择晶闸管的参数,3)采取必要的措施,减小电路中d u /d t 和d i /d t 的影响,以免发生误导通,4)保证交流电源的质量,5)逆变角β的角度有一最小限制,留出充足的换向余量角。

12. 三相全控桥变流器,已知L 足够大、R =1.2Ω、U 2=200V 、E M = -300V ,电动机负载处于发

电制动状态,制动过程中的负载电流66A ,此变流器能否实现有源逆变?求此时的逆变角β。

解:电动机处于发电制动状态可以提供逆变能量,满足有源逆变的外部条件,可以实现有源

逆变。

三相全控桥变流器处于有源逆变时有

22.34cos()d U U πβ=- (1)

而 d M d U E I R -=

,即 300

66220.81.2

d d U U V +=?=- 解(1)式可得:220.8 2.34*200*cos()πβ-=- 061.85β=

13.三相全控桥变流器,带反电动势阻感负载, R =1 ?,L =∞,U 2=220V ,L B =1mH ,当

E M =-400V ,β=60°时求U d 、I d 和γ的值,此时送回电网的有功功率是多少? 解:226*2.34cos 2.34cos 22b B

d d d mX L U U I U I ωααππ

=-

=- d M

d U E I R

-=

带入已知参数解上2式,可得

290.3d U V =-;109.7d I A =

由换流重叠角公式可得:cos cos()0.1279ααγ-+==

即 00cos(120)0.62798.9γγ+=-?=

送回电网的有功功率为:22400*109.7109.7*131.85M d d P E I I R kW =-=-=

14.三相桥式全控整流电路,其整流输出电压中含有哪些次数的谐波?其中最大的是哪一

次?变压器二次电流中含有哪些次数的谐波?其中主要的是哪几次?对于m 相全控整流电路呢?

答:三相桥式全控整流电路,其整流输出电压中含有6k (k=1、2、3…)次的谐波,其中最

大的是6次谐波。变压器二次电流中含有6k ±1(k=1、2、3…)次的谐波,其中主要的是哪5、7次。

对于m 相全控整流电路,其整流输出电压中含有2mk (k=1、2、3…)次的谐波,其中最大的是2m 次谐波。变压器二次电流中含有2mk ±1(k=1、2、3…)次的谐波,其中主要的是哪2mk ±1次。

15.试计算第4题中i 2的3、5、7次谐波分量的有效值I 23、I 25、I 27,并计算此时该电路的

输入功率因数。

解:由第4题的解答可知:Id =9A ,则

23 2.73d I A π===

25 1.625d I A π==

27 1.16I A =

== 基波有效值

218.1I A ==

=

输入功率因数 118.1

cos cos 0.9*0.8660.7799

I I λ?α=

=== 16.试计算第8题中的i 2的5、7次谐波分量的有效值I 25、I 27。

解:由第8题的解答可知:Id =23.4A ,则

25 3.655d I A π===

27 2.61I A =

== 17. 三相晶闸管整流器接至10.5kV 交流系统。已知10kV 母线的短路容量为150MVA ,整流

器直流侧电流I d =400A ,触发延迟角α=15°,不计重叠角γ,试求:

(1) 相移功率因数cos φ1、整流器的功率因数λ; (2) 整流测直流电压U d ;

(3) 有功功率、无功功率和交流侧基波电流有效值; (4) 截止到23次的各谐波电流的大小、总谐波畸变率。 解:(1)01cos cos cos150.966?α=== 10.955cos 0.92λ?== (2

)022.34cos 13.7d U U kV α=== (3)基波电流有效值

21312d I A ==

=

总电流有效值

2326.6d I A =

= 有功功率

5464.4P S kW λ==

无功功率

2327.8Q kVAR (4

)2562.4d I A ===

2744.6d I A ==

=

21128.4d I A =

==

21324d I A ===

21718.4d I A ==

21916.4d I A ==

22313.6d I A =

== 总谐波畸变率

21

28.5%i THD =

=

= 18.晶闸管整流电路的功率因数是怎么定义的?它与那些因素有关?

答:晶闸管整流电路的功率因数由畸变因子v 和位移因子1cos ?构成,表达式为

1

1*cos cos I v I

λ?α==

功率因数主要由整流触发角α和整流电路的电路结构决定。 19. 综述抑制相控整流电路网侧电流谐波的措施。 答:抑制网侧电流谐波的措施主要有:

1选择合适的输入电压(可采用输入变压器),在满足控制和调节范围的情况下尽可能减小控制角α。

2网侧设置补偿电容器和有针对性的滤波器。

3增加整流相数,即采用多相整流器,可使网侧电流更加接近正弦波。 4利用多重化技术进行波形叠加,以消除某些低次谐波。 5 利用有源滤波技术进行滤波。

20. 综述改善相控整流电路网侧功率因数的措施。 答:改善功率因数的途径主要有:

1选择合适的输入电压,在满足控制和调节范围的情况下尽可能减小控制角α。 2增加整流相数,改善交流电流的波形,减少谐波成分。 3设置补偿电容器和有针对性的滤波器。

4对于直流电抗滤波的整流器,换相重叠角会使谐波电流减小,可适当增加变压器的漏感。 5对于电容滤波的整流器,直流侧加装平波电感。

习题三

1. 一升压换流器由理想元件构成,输入U d 在8~16V 之间变化,通过调整占空比使输出U 0=24V

固定不变,最大输出功率为5W ,开关频率20kHz ,输出端电容足够大,求使换流器工作在连续电流方式的最小电感。

解:由U 0=24V 固定不变,最大输出功率为5W 可知

22024115.25

U R P ===Ω

当输入U d 为8V 间时 088182

11243d U U D D =?=-=-

输入U d 为16V 时 016161161

11243d U U D D =?=-=-

则实际工作时的占空比范围为:12~33

D = 由电流断续条件公式可得

2

(1)2L D D RT -≥

即2(1)2

D D RT L -≥

2(1)D D -在12

~33

D =

范围内是单调下降的,在1/3处有最大值,所以 22

111(1)*115.2*

(1)33200000.4322

D D RT L mH --≥=

= 2. 一台运行在20kHz 开关频率下的升降压换流器由理想元件构成,其中L=0.05mH ,输入电

压U d =15V ,输出电压U 0=10V ,可提供10W 的输出功率,并且输出端电容足够大,试求其占空比D 。

解:00010

0.411015

d d U D U U D D U U =-

?===-++

3.在图3-1所示的降压斩波电路中,已知E =100V ,R =0.5Ω,L =1mH ,采用脉宽调制控制方

式,T =20μs,当t on =5μs 时,试求:

(1)输出电压平均值U O 、输出电流的平均值I O ;

#(2)输出电流的最大和最小瞬时值(由于课本上没讲,这一问是否可以取消?),判断负载电流是否断续;

(3)当t on =3μs 时,重新进行上述计算。 解:(1)05

1002520

U DE V ==

= 0025

500.5U I A R =

== (2)0

0100

M E m E =

== 0.0010.0020.5L R τ=

== 620*100.010.002

T

ρτ-===

0.0025on

t αρτ

=

=

0.00250.01110.249011e e m e e αρρ--==>=--,所以电流连续。 0.0025m 0.0111100

I ()(0)50.20.511ax e E e m A R e e αρρ------=-=-=--

0.0025min

0.0111100

I ()(0)49.80.511

e E e m A R e e αρρ--=-=-=--

(3)同(2)

0003

1001520

15300.5

U DE V U I A

R ==

====

0.0015on

t αρτ

=

=

0.00150.0111

0.149011

e e m e e αρρ--==>=--,所以电流也是连续的。 0.0015m 0.01

0.0015

min 0.0111100I ()(0)30.130.51111100I ()(0)29.90.511

ax e E e m A

R e e e E e m A

R e e αρραρρ------=-=-=----=-=-=--

电力电子技术课后习题全部答案解析

电力电子技术 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。要使晶闸由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。 解:a) I d1= Im 2717 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 2 1 4 ≈ + = ?π ω π π π t I1= Im 4767 .0 2 1 4 3 2 Im ) ( ) sin (Im 2 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t b) I d2= Im 5434 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 1 4 = + = ?wt d t π π ? π I2= Im 6741 .0 2 1 4 3 2 Im 2 ) ( ) sin (Im 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t

(完整版)数字电子技术基础模拟试题A及答案

74LS191功能表 LD CT D U / CP D 0 D 1 D 2 D 3 Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 0 × × × d 0d 1 d 2 d 3 1 0 0 ↑ ×××× 1 0 1 ↑ ×d 0 d 1 d 2 d 3 加法计数 减法计数 命 题 人 : 审 题 人 : 命 题 时 间 : 系名 专业 年级、班 学号 姓名 数字电子技术 课程试题( 卷) 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 (请将答案写在答题纸上,答在试卷上不给分) 一. 选择题(16分) 1.已知A B A B B A Y +++=,下列结果正确的是( ) a . Y =A b .Y=B c .A B Y += d .Y=1 2.已知A=(10.44)10(下标表示进制),下列结果正确的是( ) a . A=(1010.1)2 b .A=(0A .8)16 c . A=(12.4)8 d .A=(20.21)5 3.下列说法不正确的是( ) a .当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑 b .三态门输出端有可能出现三种状态(高阻态、高电平、低电平) c .OC 门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算 d .集电极开路的门称为OC 门 4.以下错误的是( ) a .数字比较器可以比较数字大小 b . 半加器可实现两个一位二进制数相加 c .编码器可分为普通全加器和优先编码器 d .上面描述至少有一个不正确 5.下列描述不正确的是( ) a .触发器具有两种状态,当Q=1时触发器处于1态 b .时序电路必然存在状态循环 c .异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢 d .主从JK 触发器具有一次变化现象 6.电路如下图(图中为上升沿Jk 触发器),触发器当前状态Q 3 Q 2 Q 1为“100”,请问在时钟作用下,触发器下一状态(Q 3 Q 2 Q 1)为( ) a .“101” b .“100” c .“011” d .“000” 7.电路如下图,已知电路的当前状态Q 3 Q 2 Q 1 Q 0为“1100”,74LS191具有异步置数的逻辑功能,请问在时钟作用下,电路的下一状态(Q 3 Q 2 Q 1 Q 0)为( ) a .“1100” b .“1011” c .“1101” d .“0000” 8.下列描述不正确的是( ) a .EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便 b .DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换 c .积分型单稳触发器电路只有一个状态 d .上面描述至少有一个不正确 二.判断题(9分) 1.TTL 输出端为低电平时带拉电流的能力为5mA ( ) 2.TTL 、CMOS 门中未使用的输入端均可悬空( ) 3.当决定事件发生的所有条件中任一个(或几个)条件成立时,这件事件就会发生,这种因果关系称为与运算。() 4.将代码状态的特点含义“翻译”出来的过程称为译码。实现译码操作的电路称为译码器。() 5.设计一个3进制计数器可用2个触发器实现( ) 6.移位寄存器除了可以用来存入数码外,还可以利用它的移存规律在一定的范围内构成任意模值n 的计数器。所以又称为移存型计数器( ) 7. 判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现( ) 8. 施密特触发器电路具有两个稳态,而多谐振荡器电路没有稳态( ) 9. DRAM 需要定期刷新,因此,在微型计算机中不如SRAM 应用广泛( ) 三.计算题(8分) 1、在如图所示电路中,U cc =5V ,U BB =9V ,R 1=5.1kΩ, R 2=15kΩ,R c =1kΩ,β=40,请计算U I 分别为5V ,0.3V 时输出U O 的大小?。 密 线 封 A B

数字电子技术基础答案

Q 1 CP Q 1 Q 0 &&D 1D 0第一组: 计算题 一、(本题20分) 试写出图示逻辑电路的逻辑表达式,并化为最简与或式。 解:C B A B A F ++=C B A B A F ++= 二、(本题25分) 时序逻辑电路如图所示,已知初始状态Q 1Q 0=00。 (1)试写出各触发器的驱动方程; (2)列出状态转换顺序表; (3)说明电路的功能; 解:(1)100Q Q D =,101Q Q D =; (2)00→10→01 (3)三进制移位计数器 三、(本题30分)

由集成定时器555组成的电路如图所示,已知:R 1=R 2=10 k Ω,C =5μF 。 (1)说明电路的功能; (2)计算电路的周期和频率。 解:(1)多谐振荡器电路 (2)T 1=7s , T 2=3.5s 四、(本题25分) 用二进制计算器74LS161和8选1数据选择器连接的电路如图所示, (1)试列出74LS161的状态表; (2)指出是几进制计数器; (3)写出输出Z 的序列。 "1" 解: (1)状态表如图所示 (2)十进制计数器 (3)输出Z 的序列是0010001100 C R R CC u o

第二组: 计算题 一、(本题20分) 逻辑电路如图所示,试答: 1、写出逻辑式并转换为最简与或表达式,2、画出用“与”门及“或”门实现的逻辑图。 B 二、(本题25分) 试用与非门设计一个三人表决组合逻辑电路(输入为A、B、C,输出为F),要求在A有一票决定权的前提下遵照少数服从多数原则,即满足:1、A=1时,F一定等于1,2、A、B、C中有两2个以上等于1,则输出F=1。 试:(1)写出表决电路的真值表; (2)写出表决电路的逻辑表达式并化简; (3)画出用与非门设计的逻辑电路图。 解: (1)真值表

数字电子技术基础试题及答案

数字电子技术基础期末考试试卷 课程名称 数字电子技术基础 A 卷 考试形式 闭 卷 考核类型 考试 本试卷共 4 大题,卷面满分100分,答题时间120分钟。 一、填空题:(每小题2分,共10分) 1.二进制数(1011.1001)2转换为八进制数为 (13.41) ,转换为十六进为 B9 。 2.数字电路按照是否具有记忆功能通常可分为两类: 组合逻逻辑电路 、 时序逻辑电路 。 3.已知逻辑函数F =A ⊕B ,它的与非-与非表达式为 ,或与非表达式 为 。 4.5个变量可构成 32 个最小项,变量的每一种取值可使 1 个最小项的值为1。 5.555定时器构成的施密特触发器,若电源电压V CC =12V ,电压控制端经0.01μF 电容接地,则上触发电平U T+ = V ,下触发电平U T –= V 。 二、化简题:(每小题10分,共20分) 1.用代数法将下面的函数化为最简与或式:F=C ·[ABD BC BD A +++(B+C)D]

2. 用卡诺图法将下列函数化简为最简与或式: F(A 、B 、C 、D)=∑m (0,2,4,5,7,13)+∑d(8,9,10,11,14,15) 三、分析题:(每小题10分,共40分) 1.试分析题1图所示逻辑电路,写出逻辑表达式和真值表,表达式化简后再画出新的逻辑图。 题 1图 得分 评卷人

2.74161组成的电路如题 2 图所示,分析电路,并回答以下问题: (1)画出电路的状态转换图(Q 3Q 2Q 1Q 0); (2)说出电路的功能。(74161的功能见表) 题 2 图 …………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线………………………

数字电子技术基础习题及答案..

; 数字电子技术基础试题 一、填空题 : (每空1分,共10分) 1. 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为:、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器,其地址线为条、数据线为条。【 二、选择题: (选择一个正确的答案填入括号内,每题3分,共30分 ) 1.设图1中所有触发器的初始状态皆为0,找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是:()图。 图 1

2.下列几种TTL电路中,输出端可实现线与功能的电路是()。 A、或非门 B、与非门 ( C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路,其多余输入端正确的处理方法是()。 A、通过大电阻接地(>Ω) B、悬空 C、通过小电阻接地(<1KΩ) D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的()。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 " 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路()。图2 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6.下列几种A/D转换器中,转换速度最快的是()。图2 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 D、双积分A/D转换器 7.某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如图 3所示,则该电路为()。

图3 . A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8.要将方波脉冲的周期扩展10倍,可采用()。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为()。 A、B、C、D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时,最多可以有()个数据信号输出。 \ A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简(每题5分,共10分) 1、用代数法化简为最简与或式 Y= A + 2、用卡诺图法化简为最简或与式

电力电子技术第3章-习题答案

3章交流-直流变换电路课后复习题 第1部分:填空题 1.电阻负载的特点是电压与电流波形、相位相同;只消耗电能,不储存、释放电能,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是0?≤a≤ 180?。 2.阻感负载的特点是电感对电流变化有抗拒作用,使得流过电感的电流不发生突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是0? ≤a≤ 180? 2 ,续流二极管承受的最大反向电压 2 (设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为0?≤a≤ 180?,单 2和 2 ;带阻感负载时, α角移相范围为0?≤a≤ 90?,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 2 2U 2 ;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出 侧串联一个平波电抗器(大电感)。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ = 180?-2δ ; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ = 0?。 5.从输入输出上看,单相桥式全控整流电路的波形与单相全波可控整流电路的波形基 本相同,只是后者适用于较低输出电压的场合。 6. 2 ,随负载 加重U d 逐渐趋近于0.9 U2,通常设计时,应取RC≥ 1.5~2.5T,此时输出电压为U d ≈ 1.2 U2(U2为相电压有效值)。 7.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 2 ,晶闸管控制角α的最大移相范围是0?≤a≤90?,使负载电流连续的条件为a≤30?(U2为相电压有效值)。 8.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120?,当它 带阻感负载时,α的移相范围为0?≤a≤90?。 9.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是 电压最高的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是电压最低的相电压;这种电路 α 角的移相范围是0?≤a≤120?,u d波形连续的条件是a≤60?。 10*.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流i d断续和连续的临界条件是C Rω 3 =,电路中的二极管承受的最大反向电压为 2 U2。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时, 整流输出的电压u d 的谐波幅值随 α 的增大而增大,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压u d的谐波幅值随 α 的增大而减小。 12.三相桥式全控整流电路带阻感负载时,设交流侧电抗为零,直流电感L为足够大。当 α =30°时,三相电流有效值与直流电流的关系为I I d,交流侧电流中所含次谐波次数为 6k±1,k=1,2,3…,其整流输出电压中所含的谐波次数为 6k, k=1,2,3…。 13.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使输出电压平均值减小。

数字电子技术基础试题及答案 (1)

. 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数(56)10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ,想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路,它没有稳态,只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器,则该计数器的最大模值M= 。 二、化简、证明、分析综合题: 1.写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 2.证明逻辑函数式相等:()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3.已知逻辑函数F= ∑(3,5,8,9,10,12)+∑d(0,1,2) (1)化简该函数为最简与或式: (2)画出用两级与非门实现的最简与或式电路图: 4.555定时器构成的多谐振动器图1所示,已知R 1=1K Ω,R 2=8.2K Ω,C=0.1μF 。试求脉冲宽度 T ,振荡频率f 和占空比q 。 ………………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… 系别 专业(班级) 姓名 学号

图1 5.某地址译码电路如图2所示,当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时,1Y 、6Y 分别才为低电平(被译中)。 图2 6.触发器电路就输入信号的波形如图3所示,试分别写出D 触发器的Q 和Q1的表达式,并画出其波形。 图3 ………………封…………………………装…………………订………………………线………………………

D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示,试写出: ①驱动方程; ②状态方程; ③输出方程; ④状态表; ⑤电路功能。图4 三、设计题:(每10分,共20分) 1.设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1,否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。要求: (1)列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式; (2)画出逻辑电路图。 2.试用74161、3-8译码器和少量门电路,实现图5所示波形VO1、VO2,其中CP为输入波形。要求: (1)列出计数器状态与V01、V02的真值表;

电力电子技术课后答案

电力电子课后答案 第二章 2.2 使晶闸管导通的条件是什么?维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答: 使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或者U AK >0且U GK >0; 维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 2.3图2-1中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形,各波形的电流最大值均为m I , 试计算各波形的电流平均值1d I 、2d I 、3d I 与电流有效值1I 、2I 、3I ,和它们的波形系数1f K ,2f K ,3f K 。 题图2.1 晶闸管导电波形 解: a) 1d I = 4 1 2sin()(1)0.27222 m m m I I t I π π ωπ π= +≈? 1I 24 131(sin )()0.4822 42m m m I I t d wt I ππ ?π π = +≈? 111/0.48/0.27 1.78f d m m K I I I I === b) 2d I =412 sin ()(1)0.5422 m m m I I td wt I ππ?=+=∏? 2I 24 21 31(sin )()0.67242m m m I I t d wt I π π ?π π = +≈? 222/0.67/0.54 1.24f d m m K I I I I === c) 3d I = 20 1 1()24 m m I d t I π ωπ = ? 3I 220 1 1()22 m m I d t I π ωπ = ? 333/0.5/0.252f d m m K I I I I === 2.4. 如果上题中晶闸管的通态平均电流为100A ,考虑晶闸管的安全裕量为1.5,问其允许通

数字电子技术基础习题与答案

数字电子技术试卷(1) 一.填空(16) 1.十进制数123的二进制数是 1111011 ;十六进制数是 7B 。 2.1是8421BCD 码,其十进制为 861 。 3.逻辑代数的三种基本运算是 与 , 或 和 非 。 4.三态门的工作状态是 0 , 1 , 高阻 。 5.描述触发器逻辑功能的方法有 真值表,逻辑图,逻辑表达式,卡诺图,波形图 。 6.施密特触发器的主要应用是 波形的整形 。 7.设4位D/A 转换器的满度输出电压位30伏,则输入数字量为1010时的输出模拟电压为 。 8.实现A/D 转换的主要方法有 , , 。 三.化简逻辑函数(14) 1.用公式法化简- -+++=A D DCE BD B A Y ,化为最简与或表达式。 解;D B A Y +=- 2.用卡诺图化简∑∑=m d D C B A Y ),,,,()+,,,,(84210107653),,,(,化为最简与或表达式。 四.电路如图1所示,要求写出输出函数表达式,并说出其逻辑功能。(15) 解;C B A Y ⊕⊕=, C B A AB C )(1++=,全加器,Y 为和,1C 为进位。 五.触发器电路如图2(a ),(b )所示,⑴写出触发器的次态方程; ⑵对应给定波形画 出Q 端波形(设初态Q =0)(15) 解;(1)AQ Q Q n +=- +1,(2)、A Q n =+1 六.试用触发器和门电路设计一个同步的五进制计数器。(15) 七.用集成电路定时器555所构成的自激多谐振荡器电路如图3所示,试画出V O ,V C 的工作 波形,并求出振荡频率。(15)

数字电子技术基础期末考试试卷及答案1[1]

数字电子技术基础试题(一) 填空题: (每空1数字电子技术基础试题(一) 一、分,共10分) 1.(30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为:、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器,其地址线为12 条、数据线为 8 条。 二、选择题:(选择一个正确的答案填入括号内,每题3分,共30分) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0,找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是:(C )图。

2.下列几种TTL电路中,输出端可实现线与功能的电路是(D)。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路,其多余输入端正确的处理方法是(D )。 A、通过大电阻接地(>1.5KΩ) B、悬空 C、通过小电阻接地(<1KΩ) B、D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的(A )。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路(C )。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6.下列几种A/D转换器中,转换速度最快的是(A )。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、D、双积分A/D转换器 7.某电路的输入波形u I 和输出波形u O 如下图所示,则该电路为(C)。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8.要将方波脉冲的周期扩展10倍,可采用(C )。

电力电子技术习题与解答

《电力电子技术》习题及解答 思考题与习题 什么是整流它与逆变有何区别 答:整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为逆变,它是对应于整流的逆向过程。 单相半波可控整流电路中,如果: (1)晶闸管门极不加触发脉冲; (2)晶闸管内部短路; (3)晶闸管内部断开; 试分析上述三种情况负载两端电压u d和晶闸管两端电压u T的波形。 答:(1)负载两端电压为0,晶闸管上电压波形与U2相同; (2)负载两端电压为U2,晶闸管上的电压为0; (3)负载两端电压为0,晶闸管上的电压为U2。

某单相全控桥式整流电路给电阻性负载和大电感负载供电,在流过负载电流平均值相同的情况下,哪一种负载的晶闸管额定电流应选择大一些 答:带大电感负载的晶闸管额定电流应选择小一些。由于具有电感,当其电流增大时,在电感上会产生感应电动势,抑制电流增加。电阻性负载时整流输出电流的峰值大些,在流过负载电流平均值相同的情况下,为防此时管子烧坏,应选择额定电流大一些的管子。 某电阻性负载的单相半控桥式整流电路,若其中一只晶闸管的阳、阴极之间被烧断,试画出整流二极管、晶闸管两端和负载电阻两端的电压波形。 解:设α=0,T 2被烧坏,如下图: 相控整流电路带电阻性负载时,负载电阻上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率,为什么带大电感负载时,负载电阻R d 上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率,为什么 答:相控整流电路带电阻性负载时,负载电阻上的平均功率d d d I U P =不等于负载有功功率UI P =。因为负载上的电压、电流是非正弦波,除了直流U d 与I d 外还有谐波分量Λ ,,21U U 和Λ,,21I I ,负载上有功功率为Λ+++=22212P P P P d >d d d I U P =。

数字电子技术基础试卷及答案

数字电子技术基础试题(一) 一、填空题 : (每空1分,共10分) 1. (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为:、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器,其地址线为条、数据线为条。 二、选择题: (选择一个正确的答案填入括号内,每题3分,共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0,找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是:()图。 2.下列几种TTL电路中,输出端可实现线与功能的电路是()。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路,其多余输入端正确的处理方法是()。

A、通过大电阻接地(>1.5KΩ) B、悬空 C、通过小电阻接地(<1KΩ) D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的()。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路()。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6.下列几种A/D转换器中,转换速度最快的是()。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7.某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示,则该电路为()。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8.要将方波脉冲的周期扩展10倍,可采用()。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为()。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时,最多可以有()个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简(每题5分,共10分) 1、用代数法化简为最简与或式

数字电子技术基础第三版第一章答案

第一章数字逻辑基础 第一节重点与难点 一、重点: 1.数制 2.编码 (1) 二—十进制码(BCD码) 在这种编码中,用四位二进制数表示十进制数中的0~9十个数码。常用的编码有8421BCD码、5421BCD码和余3码。 8421BCD码是由四位二进制数0000到1111十六种组合中前十种组合,即0000~1001来代表十进制数0~9十个数码,每位二进制码具有固定的权值8、4、2、1,称有权码。 余3码是由8421BCD码加3(0011)得来,是一种无权码。 (2)格雷码 格雷码是一种常见的无权码。这种码的特点是相邻的两个码组之间仅有一位不同,因而其可靠性较高,广泛应用于计数和数字系统的输入、输出等场合。 3.逻辑代数基础 (1)逻辑代数的基本公式与基本规则 逻辑代数的基本公式反映了二值逻辑的基本思想,是逻辑运算的重要工具,也是学习数字电路的必备基础。 逻辑代数有三个基本规则,利用代入规则、反演规则和对偶规则使逻辑函数的公式数目倍增。 (2)逻辑问题的描述 逻辑问题的描述可用真值表、函数式、逻辑图、卡诺图和时序图,它们各具特点又相互关联,可按需选用。 (3)图形法化简逻辑函数 图形法比较适合于具有三、四变量的逻辑函数的简化。 二、难点: 1.给定逻辑函数,将逻辑函数化为最简 用代数法化简逻辑函数,要求熟练掌握逻辑代数的基本公式和规则,熟练运用四个基本方法—并项法、消项法、消元法及配项法对逻辑函数进行化简。 用图形法化简逻辑函数时,一定要注意卡诺图的循环邻接的特点,画包围圈时应把每个包围圈尽可能画大。 2.卡诺图的灵活应用 卡诺图除用于简化函数外,还可以用来检验化简结果是否最简、判断函数间的关系、求函数的反函数和逻辑运算等。 3.电路的设计 在工程实际中,往往给出逻辑命题,如何正确分析命题,设计出逻辑电路呢?通常的步骤如下:

电力电子技术(王兆安第五版)课后习题答案

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力?答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显着提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2.使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极 电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0 2-3 .维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶 闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值丨1、I 2、I 3。 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少这时,相应的电流最大值I m1、I m2 I m3各为多少 解:额定电流算结果知I T(AV)=100A的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计 解:a)I d1= 24 Im sin( t) 罟"Em I—(Im sin t)2d(wt) 11= 2 410.4767Im 2 b) J—(Imsin t)2d(wt) d2= I 2= Im <2 Im sin td (wt) ( 1) 4 2 Im 3 1 4 2 0.67411m 0.5434 Im c) 丄2Im d( d3= 2 0 t) 1 Im 4 3= 1 2Im2d( t) 2 0 i Im

数字电子技术基础试题及答案

D C B A D C A B ++《数字电子技术》试卷 姓名:__ _______ 班级:__________ 考号:___________ 成绩:____________ 1.?有一数码10010011,作为自然二进制数时,它相当于十进制数(147),作为8421BCD 码时,它相当于十进制数(93 )。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和(高阻)3种状态。 3.TTL 与非门多余的输入端应接(高电平或悬空)。 4.TTL 集成JK 触发器正常工作时,其d R 和d S 端应接(高)电平。 5. 已知某函数?? ? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ,该函数的反函数F = ( )。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码,则至少要( 7)位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为(5 )V ,其输出高电平为(3.6)V ,输出低电平为(0.35)V , CMOS 电路的电源电压为( 3--18) V 。 8.74LS138是3线—8线译码器,译码为输出低电平有效,若输入为A 2A 1A 0=110时,输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为( )。 9.将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有( 11)根地址线,有(16)根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后,最大计数容量为( 100)位。 11. =(AB )。 12. 13 二、分) 1.?函数 A .F(A,B,C)=∑m (0,2,4) B. (A,B,C)=∑m (3,5,6,7) C .F(A,B,C)=∑m (0,2,3,4) D. F(A,B,C)=∑m (2,4,6,7) 2.8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ,当优先级别最高的I 7有效时,其输出012Y Y Y ??的值是( C )。 A .111 B. 010 C. 000 D. 101 3.十六路数据选择器的地址输入(选择控制)端有( C )个。 A .16 B.2 C.4 D.8

数字电子技术基础习题及答案

《数字电子技术》习题 一. 单项选择题: 1.十进制数128的8421BCD码是()。 A.10000000 B. 000100101000 C.100000000 D.100101000 2.已知函数F的卡诺图如图1-1, 试求其最简与或表达式 3. 已知函数的反演式为 ,其原函数为()。 A. B. C. D. 4.对于TTL数字集成电路来说,下列说法那个是错误的:(A)电源电压极性不得接反,其额定值为5V; (B)不使用的输入端接1; (C)输入端可串接电阻,但电阻值不应太大; (D)OC门输出端可以并接。 5.欲将正弦信号转换成与之频率相同的脉冲信号,应用 A.T,触发器 B.施密特触发器 C.A/D转换器 D.移位寄存器 6.下列A/D转换器中转换速度最快的是()。 A.并联比较型 B.双积分型 C.计数型 D.逐次渐近型 7. 一个含有32768个存储单元的ROM,有8个数据输出端,其地址输入端有()个。 A. 10 B. 11 C. 12 D. 8

8.如图1-2,在TTL门组成的电路中,与非门的输入电流为I iL≤–1mA?I iH≤20μA。G1输出低电平时输出电流的最大值为 I OL(max)=10mA,输出高电平时最大输出电流为 I OH(max)=–0.4mA 。门G1的扇出系数是()。 A. 1 B. 4 C. 5 D. 10 9.十数制数2006.375转换为二进制数是: A. 11111010110.011 B. 1101011111.11 C. 11111010110.11 D. 1101011111.011 10. TTL或非门多余输入端的处理是: A. 悬空 B. 接高电平 C. 接低电平 D.接”1” 二.填空题(每小题2分,共20分) 1.CMOS传输门的静态功耗非常小,当输入信号的频率增加时,其功耗将______________。 2. 写出四种逻辑函数的表示方法: __________________________________________________________ _____; 3.逻辑电路中,高电平用1表示,低电平用0表示,则称为___逻辑; 4. 把JK触发器改成T触发器的方法是_____________。 5. 组合逻辑电路是指电路的输出仅由当前的_____________决定。 6. 5个地址输入端译码器,其译码输出信号最多应有 _____________个。 7. 输入信号的同时跳变引起输出端产生尖峰脉冲的现象叫做 _____________。 8.一片ROM有10根地址线,8根数据输出线,ROM共有________个存储单元。 9.N个触发器组成的计数器最多可以组成_____________进制的计数器。 8. 基本RS触发器的约束条件是_____________。 三.电路分析题(36分)

数字电子技术基础知识总结

数字电子技术基础知识总结引导语:数字电子技术基础知识有哪些呢?接下来是小编为你带来收集整理的文章,欢迎阅读! 处理模拟信号的电子电路。“模拟”二字主要指电压(或电流)对于真实信号成比例的再现。 其主要特点是: 1、函数的取值为无限多个; 2、当图像信息和声音信息改变时,信号的波形也改变,即模拟信号待传播的信息包含在它的波形之中(信息变化规律直接反映在模拟信号的幅度、频率和相位的变化上)。 3.初级模拟电路主要解决两个大的方面:1放大、2信号源。 4、模拟信号具有连续性。 用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路称为数字电路,或数字系统。由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能,所以又称数字逻辑电路。 其主要特点是: 1、同时具有算术运算和逻辑运算功能 数字电路是以二进制逻辑代数为数学基础,使用二进制数字信号,既能进行算术运算又能方便地进行逻辑运算(与、或、非、判断、比较、处理等),因此极其适合于运算、比较、存储、传输、控制、决策等应用。

2、实现简单,系统可靠 以二进制作为基础的数字逻辑电路,可靠性较强。电源电压的小的波动对其没有影响,温度和工艺偏差对其工作的可靠性影响也比模拟电路小得多。 3、集成度高,功能实现容易 集成度高,体积小,功耗低是数字电路突出的优点之一。电路的设计、维修、维护灵活方便,随着集成电路技术的高速发展,数字逻辑电路的集成度越来越高,集成电路块的功能随着小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)的发展也从元件级、器件级、部件级、板卡级上升到系统级。电路的设计组成只需采用一些标准的集成电路块单元连接而成。对于非标准的特殊电路还可以使用可编程序逻辑阵列电路,通过编程的方法实现任意的逻辑功能。 模拟电路是处理模拟信号的电路;数字电路是处理数字信号的电路。 模拟信号是关于时间的函数,是一个连续变化的量,数字信号则是离散的量。因为所有的电子系统都是要以具体的电子器件,电子线路为载体的,在一个信号处理中,信号的采集,信号的恢复都是模拟信号,只有中间部分信号的处理是数字处理。具体的说模拟电路主要处理模拟信号,不随时间变化,时间域和值域上均连续的信号,如语音信号。而数

电力电子技术第五版课后习题及答案

电力电子技术第五版课后习题及答案 第二章电力电子器件 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区,也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2.使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Imπ4π4π25π4a)b)c)图1-43

图2-27晶闸管导电波形 解:a)I d1=π21ππωω4 )(sin t td I m=π2m I(122+)≈0.2717I m I1=π π ωωπ42)()sin(21 t d t I m=2m Iπ 2143+≈0.4767I m b)I d2= π1ππωω4)(sin t td I m=πm I(122+)≈0.5434I m I 2=ππωωπ42)()sin(1t d t I m=2 2m Iπ2143+≈0.6741I m c)I d3=π2120)(πωt d I m=4 1I m I3=2 02)(21πωπt d I m=2 1I m2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A的晶闸管,允许的电流有效值I =157A,由上题计算结果知 a)I m1≈4767 .0I≈329.35,I d1≈0.2717I m1≈89.48 2/16b)I m2≈6741.0I≈232.90, I d2≈0.5434I m2≈126.56c)I m3=2I=314, I d3=41

数字电子技术基础答案

数字电子技术基础答案 第1章 自测题 1.1填空题 1. 100011.11 00110101.01110101 11110.01 1E.4 2. 4 3. n 2 4. 逻辑代数 卡诺图 5.)(D C B A F += )(D C B A F +=' 6.))((C B D C B A F +++= 7. 代数法 卡诺图 8. 1 1.2判断题 1. √ 2.√ 3. × 1.3选择题 1.B 2.C 3.C 1.4 A F =1⊙B AB F =2 B A F +=3 1.5 1.6 C L = 1.7 AB C B A BC Y ++= 习题 1.1 当000012=A A A ,7A 到3A 有1个不为0时,就可以被十进制8整除 1.2 (a)AC BC AB L ++=(b )B A AB L += (c)C B A S ⊕⊕= AC BC AB C ++=0 1.3略 1.4 (1) )(B A D C F ++=)(1 ))((1B A D C F ++=' (2) )(B A B A F ++=)(2 ))((2B A B A F ++=' (3) E D C B A F =3 DE C AB F =' 3

(4) )()(4D A B A C E A F +++=)( ))()((4D A C AB E A F +++=' 1.5 C B A F ⊕⊕= 1.6 (1) B A C B C A L ++= (2) D B C B D C A L +++= (3) AD L = (4) E ABCD L = (5) 0=L 1.7 C B A BC A C AB ABC C B A L +++=),,( 1.8(1) ABD D A C F ++=1 (2) BC AB AC F ++=2 (3) C A B A B A F ++=3 (有多个答案) (4) C B A D C AB C A CD F +++=4 (5) C B A ABD C B A D B A F +++=5 (6) 16=F 1.9 (1) AD D C B B A F ++=1 (2) B A AC F +=2 (3) D A D B C B F ++=3 (4) B C F +=4 1.10 (1) C A B F +=1 (2) B C F +=2 (3) D A B C F ++=3 (4) C B A D B D C F ++=4 1.11 C A B A D F ++= 1.12 (1) D B A D C A D C B F ++=1(多种答案) (2) C B BCD D C D B F +++=2 (3) C B C A D C F ++=3 (4) A B F +=4 (5) BD D B F +=5 (6) C B D A D C A F ++=6(多种答案) (7) C A D B F +=7(多种答案) (8) BC D B F +=8(多种答案) (9) B D C F +=9 1.13 略 第2章 自测题 2.1 判断题 1. √ 2. √ 3. × 4. √ 5. √ 6. √ 7. × 8. √ 9. × 10√ 2.2 选择题 1.A B 2.C D 3.A 4.B 5.B 6.A B D 7.C 8.A C D 9.A C D 10.B 习题 2.1解:ABC Y =1

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