封装基板技术的发展
芯片封装基板是印刷电路板中一个特殊的类别。它提供给先进芯片封装，例如BGA，CSP和倒装芯片使用．它的尺寸较小。通常在3、4厘米或更小。它要求在较小的区域具有较高的布线密度，以便将芯片上的所有引线脚通过金线键合或倒装芯片技术连接到封装基板上的焊盘上。制成封装体，再通过封装体上焊点连接到系统组装基板上。对用倒装芯片互连的封装体，在芯片正下方封装基板局部地区往往要求极高的布线密度。芯片封装基板都采用层积技术制造。
集成电路正在发生巨大变革。它对电子封装和印刷电路板正在产生重大影响。近几年来，集成电路芯片制造技术已进入纳米范围，并正在向物理”极限”挑战。集成电路的集成度越来越高。功能越来越强，所需引线脚数越来越多。集成电路的这种快步发展使得集成电路芯片封装基板面临着巨大的挑战。相对于半导体集成电路技术的发展，印刷电路板技术的发展却显得相对落后。两者的差距甚至在扩大。二十年来刻线能力的进展。印刷电路板工业没能跟上半导体工业的步伐。集成电路功能增强，使得管脚引线增多。在八十中叶，IBM(美国)就展示了具有10，000个焊盘的芯片。传统的周边引线封装型式已变得不可能。解决办法则是从周边引线封装型式转变为面阵列分布型封装型式。球栅阵列封装，芯片规模封装和倒装芯片等面阵列型芯片封装型式的采用和发展使得电子系统高性能化和微型化。特别是
倒装芯片技术将是下一代新型高性能电子系统内，芯片至次一级封装内连的最关键的技术。然而在设计和制造安装这些芯片的基板方面却遇到了巨大的困难。常规的印刷电路板技术包括单层板和多层板都不能满足这些新型封装的布线要求。在这种先进封装需求驱动下而发展起来的高密度互连封装基板技术已经成为了所有高端电子产品和移动电子产品，包括移动手机，笔记本电脑，游戏机，工作站，直至航天航空仪器所必需的基本技术。多年来INEMI，SIA，ITRS，IPC等学会组织了大量的学者和专家进行了长期调研，预测了今后十数年内半导体集成电路技术发展趋势和半导体工业的需求。表一展示了由ITRS发布的2005至2010年间微电子技术发展和对高端产品对倒装芯片技术的需求。可以看到在今后四至五年内，倒装芯片的引线脚将增加到4600至4800个，引线脚中心间距将减小到100微米。假设焊盘尺寸为中心间距的一半(50微米)，为在此间距内布入二至三根金属导线，则线宽和线距必需在10微米或更细．即使布入一根线，线宽和线距也必需小于16、17微米。目前最先进的印刷电路板技术约在20、30微米，与这要求还有相当大的差距。
印刷电路技术今后将继续提高布线密度，制造更薄更小的
基板，实现电子系统微型化和高性能化。与此同时，将向多功能和高集成方面发展，向多功能集成印刷电路技术转化。其发展趋势将会表现在以下几个方面：
在高密度方面
·在近期，降低成本和进一步提高布线密度，包括研究减除法精密细线技术和发展平整式无空洞微通孔技术，以满足目前日益成长的集成封装3S技术：System—On—Chip(SOC)，System—in—Package(SiP)，和System一0n—Package(SOP)．SiP 目前主要型式为芯片叠加或称为3D封装。SOC的功能的强化和多芯片的叠加必定需要更高密度的基板来支撑。SOP由于高度集成化，它要求更先进的高密度集成基板。
·在中长期，则是超高密度基板的研究和探索，配合半导体工业的发展，跟上半导体工业的步伐，为满足未来5、10年较长时期的需求作准备。2009—2010年4600引线100微米间距的倒装芯片将会进入市场。现在就需要开发小直径(<35微米)的微通孔技术，超精密窄间距金属细线((10微米)技术，低成本平整式微通孔及其直叠多层互连技术，为将出现的新的倒装芯片提供基板保证。
在高性能方面
·保持信号的完整性和功率的一致性。这要求在缩短信号传播路径的同时，要求严格的阻抗匹配要求。基板制造工艺要求严格控制。
·减薄基板厚度和开发超薄基板或无内芯基板。在元器件集成方面埋入式无源元件。将被动元件，电容，电阻，电感等埋入到基板内，埋入式有源元件，将芯片，主要是高性能芯片，视频元件等埋入到基板内，以获得最好的系统性能。
光学集成和光互连
将超高速光学系统集成到印数电路中，应用光束在波导中的传播来传递信号，即用光互连来替代金属导线互连。以期用于需要快速大容量信号交换的宽带系统以及用于将来的超级计算机和将来的超高速通信系统。
系统封装集成(System-On—Package-SOP
由Rao R Tummala教授提出的系统封装集成SOP技术是一种为构造高度集成的超微型化的多功能系统的新概念．这种系统要求相应的超微型化的高度集成的多功能电路板(SOP—Board)，多管脚，窄间距倒装芯片将直接安装在SOP组装电路板上．免除了芯片封装这一过程，实现无芯片封装封装。减少了封装级数，系统进一步微型化，集成化，性能进一步提高，成本进一步下降．一些国际大公司开始实施SOP计划。它将成为今后高端电子系统最强有力的封装手段．在2004年五月IEEE的”先进封装学报”专门出了一期特刊，称为System—On-Package(SOP) 特刊。有关SOP和相关技术方面的资料，请参阅该期学报特刊。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910117332.0 (22)申请日 2019.02.15 (71)申请人 西安明科微电子材料有限公司 地址 710000 陕西省西安市航天基地东长 安街888号2号楼1层厂房南区 (72)发明人 刘昌涛 陈燕 (74)专利代理机构 深圳市精英专利事务所 44242 代理人 王文伶 (51)Int.Cl. H01L 21/48(2006.01) H01L 23/498(2006.01) (54)发明名称一种铝碳化硅封装基板及其制备方法(57)摘要本发明涉及封装基板技术领域，具体为一种铝碳化硅封装基板及其制备方法。本发明先通过制备形成具有孔位的碳化硅陶瓷基板以及与孔位匹配的硅片，然后将硅片镶嵌于孔位中形成整体陶瓷基板并向整体陶瓷基板中渗铝形成具有铝碳化硅和铝硅两相材料的铝碳化硅基板，在孔位处的铝硅材料上可轻松实现机加工制作各种形状和尺寸的安装孔，不仅可制作丝孔，且丝孔不易滑牙，解决了铝碳化硅封装基板的安装孔难加工制作的问题，且通过该制作方法，孔位处的铝硅材料与铝碳化硅材料结合稳固，不易开裂和脱落，从而使在铝硅材料上制作的安装孔可靠性 高。权利要求书2页 说明书7页 附图3页CN 110277318 A 2019.09.24 C N 110277318 A
权 利 要 求 书1/2页CN 110277318 A 1.一种铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S10、分别制作具有孔位的碳化硅陶瓷基板及与碳化硅陶瓷基板上所述孔位匹配的硅片； S20、将硅片镶嵌在碳化硅陶瓷基板的孔位并对它们进行渗铝处理，形成孔位处由铝硅材料填充的铝碳化硅基板； S30、在铝硅材料上制作安装孔，形成铝碳化硅封装基板。 2.根据权利要求1所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，步骤S10中，所述具有孔位的碳化硅陶瓷基板的制作步骤为： S111、将粒径分别为0.5-1μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料混合均匀，得到粉料M1； S112、向粉料M1中加入氧化铝、高岭土、苏州土并混合均匀，得到混合物M2； S113、配制溶质的质量百分浓度为5-15％的溶液M5，所述溶质包括以下质量百分比的各组分：羟甲基丙基纤维素钠5-30％、聚乙烯醇50-80％、乳蜡1-10％； S114、将溶液M5与混合物M2混合均匀，得到坯料M6；然后将坯料M6放入模具中并压制成型，得到坯体M7； S115、对坯体M7进行烧结处理，得到陶瓷基体M10；所述烧结处理的排胶温度为200-500℃，烧结温度为1000-1500℃； S116、对陶瓷基体M10进行机械加工钻孔，形成具有孔位的碳化硅陶瓷基板M12。 3.根据权利要求2所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，所述粉料M1中，粒径分别为0.5-1μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种碳化硅粉料的质量百分比分别为10-30％、10-40％、20-40％、20-60％。 4.根据权利要求3所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，所述混合物M2中，粉料M1、氧化铝、高岭土、苏州土的质量百分比分别为85-95％、0.1-1％、0.1-1％、3-15％。 5.根据权利要求1所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，步骤S10中，所述硅片的制作步骤为： S121、将粒径分别为4-6μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种硅粉混合均匀，得到粉料M3； S112、向粉料M3中加入氧化铝、高岭土、苏州土并混合均匀，得到混合物M4； S123、配制溶质的质量百分浓度为5-15％的溶液M5，所述溶质包括以下质量百分比的各组分：羟甲基丙基纤维素钠5-30％、聚乙烯醇50-80％、乳蜡1-10％； S124、将溶液M5与混合物M4混合均匀，得到坯料M8；然后将坯料M8放入模具中并压制成型，得到坯体M9； S125、对坯体M9进行烧结处理，得到陶瓷基体M11；所述烧结处理的排胶温度为200-500℃，烧结温度为800-1300℃； S126、对陶瓷基体M11进行机械加工，形成与碳化硅陶瓷基板上所述孔位匹配的硅片M13。 6.根据权利要求5所述的铝碳化硅封装基板的制备方法，其特征在于，所述粉料M3中，粒径分别为4-6μm、20-25μm、50-60μm、80-90μm的四种硅粉的质量百分比分别为20-40％、 2
摘要：近年来，封装与微组装技术进入了超高速发展时期,新的封装和组装形式不断涌现,而其标准化工作已经严重滞后，导致概念上的模糊，这必然会对该技术的发展造成影响。力求将具有电子行业特点的封装与微组装技术的内涵和特点加以诠释,并对其发展提出见解和建议，以促进该技术的发展。 关键字:封装、微组装、发展、BGA、SOP、FC、CSP、MCM、集成电路、系统级封装 正文： 一、电子产品技术概述 第一代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。 随着电子元器件向小型化、复合化、轻量化、多功能、高可靠、长寿命的方向变革，从而相继出现了各种类型的片式电子元器件（SMC/SMD），导致了第四代组装技术即表面组装技术（SMT）的出现，在世界上引发了一场电子组装技术的新革命。在国际上，片式电子元器件应用于电子整机，始于用年代，当时美国ＩＢＭ公司首先把片式电子元器件用于微机。 目前世界上发达国家已广泛采用表面贴装技术，片式元器件已成为电子元器件的主体，其中片式电容、片式电阻、片式电感以及片式敏感元件的需求量约占片式元件的90%，世界上发达国家电子元器件片式化率己高达80%以上，全世界平均亦在40%，而我国仅为约30%，可以预见，加入WTO后,片式元件产业的市场竞争将更趋激烈。实现了批量生产全系列片式电容器、片式电阻器、片式电感器，开始摆脱一代代重复引进的被动局面，并逐步走上自主发展的道路。2001年片式电容器、片式电阻器、片式电感器等片式元件市场低迷,价格普遍下调15%～20%，对国内元件生产企业造成了一定的影响。 二、集成电路与微电子封装技术 集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于硅的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于锗的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。
年产xx吨显示屏封装基板项目 实施方案 参考模板
年产xx吨显示屏封装基板项目实施方案 封装基板已经成为封装材料细分领域销售占比最大的原材料，占封装材料比重超过50%，全球市场规模接近百亿美金。有机封装基板主要用于消费电子领域，目前是封装基板的主流产品，根据数据统计，有机封装基板的产值占整个IC封装基板的80%。 该显示屏封装基板项目计划总投资18446.40万元，其中：固定资产投资13216.87万元，占项目总投资的71.65%；流动资金5229.53万元，占项目总投资的28.35%。 达产年营业收入41436.00万元，总成本费用31471.17万元，税金及附加381.34万元，利润总额9964.83万元，利税总额11720.63万元，税后净利润7473.62万元，达产年纳税总额4247.01万元；达产年投资利润率54.02%，投资利税率63.54%，投资回报率40.52%，全部投资回收期 3.97年，提供就业职位634个。 报告目的是对项目进行技术可靠性、经济合理性及实施可能性的方案分析和论证，在此基础上选用科学合理、技术先进、投资费用省、运行成本低的建设方案，最终使得项目承办单位建设项目所产生的经济效益和社会效益达到协调、和谐统一。 ......
封装基板是芯片封装体的重要组成材料，主要起承载保护芯片与连接上层芯片和下层电路板作用。封装基板作为芯片封装的核心材料，一方面能够保护、固定、支撑芯片，增强芯片导热散热性能，保证芯片不受物理损坏，另一方面封装基板的上层与芯片相连，下层和印刷电路板相连，以实现电气和物理连接、功率分配、信号分配，以及沟通芯片内部与外部电路等功能。随着封装技术向多引脚、窄间距、小型化的趋势发展，封装基板已经逐渐成为主流封装材料。
关于成立显示屏封装基板公司可行性分析报告
报告摘要说明 封装基板是芯片封装体的重要组成材料，主要起承载保护芯片与连接 上层芯片和下层电路板作用。封装基板作为芯片封装的核心材料，一方面 能够保护、固定、支撑芯片，增强芯片导热散热性能，保证芯片不受物理 损坏，另一方面封装基板的上层与芯片相连，下层和印刷电路板相连，以 实现电气和物理连接、功率分配、信号分配，以及沟通芯片内部与外部电 路等功能。随着封装技术向多引脚、窄间距、小型化的趋势发展，封装基 板已经逐渐成为主流封装材料。 xxx实业发展公司由xxx集团（以下简称“A公司”）与xxx科技 公司（以下简称“B公司”）共同出资成立，其中：A公司出资1000.0万元，占公司股份62%；B公司出资620.0万元，占公司股份38%。 xxx实业发展公司以显示屏封装基板产业为核心，依托A公司的渠 道资源和B公司的行业经验，xxx实业发展公司将快速形成行业竞争力，通过3-5年的发展，成为区域内行业龙头，带动并促进全行业的发展。 xxx实业发展公司计划总投资18738.37万元，其中：固定资产投 资13847.08万元，占总投资的73.90%；流动资金4891.29万元，占总投资的26.10%。 根据规划，xxx实业发展公司正常经营年份可实现营业收入43589.00万元，总成本费用33777.80万元，税金及附加391.79万元，
利润总额9811.20万元，利税总额11556.26万元，税后净利润7358.40万元，纳税总额4197.86万元，投资利润率52.36%，投资利税率61.67%，投资回报率39.27%，全部投资回收期4.05年，提供就业职位795个。 集成电路产业链大致可以分为三个环节：芯片设计、晶圆制造和封装测试。封装基板属于封装材料，是集成电路产业链封测环节的关键载体，不仅为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时为芯片与PCB之间提供电子连接，甚至可埋入无源、有源器件以实现一定系统功能。封装材料中封装基板占比46%左右，是集成电路产业链中的关键配套材料。
微电子封装答案 微电子封装 第一章绪论 1、微电子封装技术的发展特点是什么？发展趋势怎样？（P8、9页） 答：特点： （1）微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展。 （2）微电子封装向表面安装式封装发展，以适合表面安装技术。 （3）从陶瓷封装向塑料封装发展。 （4）从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。 发展趋势： （1）微电子封装具有的I/O引脚数将更多。 （2）微电子封装应具有更高的电性能和热性能。 （3）微电子封装将更轻、更薄、更小。 （4）微电子封装将更便于安装、使用和返修。 （5）微电子封装的可靠性会更高。 （6）微电子封装的性能价格比会更高，而成本却更低，达到物美价廉。 2、微电子封装可以分为哪三个层次（级别）？并简单说明其内容。（P15～18页）答：（1）一级微电子封装技术 把IC芯片封装起来，同时用芯片互连技术连接起来，成为电子元器件或组件。 （2）二级微电子封装技术 这一级封装技术实际上是组装。将上一级各种类型的电子元器件安装到基板上。 （3）三级微电子封装技术 由二级组装的各个插板安装在一个更大的母板上构成，是一种立体组装技术。 3、微电子封装有哪些功能？（P19页） 答：1、电源分配2、信号分配3、散热通道4、机械支撑5、环境保护 4、芯片粘接方法分为哪几类？粘接的介质有何不同（成分）？。（P12页） 答：(1)Au-Si合金共熔法(共晶型) 成分：芯片背面淀积Au层,基板上也要有金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。 （2）Pb-Sn合金片焊接法(点锡型) 成分：芯片背面用Au层或Ni层均可，基板导体除Au、Pd-Ag外，也可用Cu (3)导电胶粘接法(点浆型) 成分：导电胶（含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。） (4)有机树脂基粘接法(点胶型) 成分：有机树脂基（低应力且要必须去除α粒子） 5、简述共晶型芯片固晶机（粘片机）主要组成部分及其功能。 答：系统组成部分： 1 机械传动系统 2 运动控制系统 3 图像识别（PR）系统 4 气动/真空系统 5 温控系统 6、和共晶型相比，点浆型芯片固晶机（粘片机）在各组成部分及其功能的主要不同在哪里？答： 名词解释：取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶
晶圆：由普通硅砂熔炼提纯拉制成硅柱后切成的单晶硅薄片 微电子封装技术特点： 1：向高密度及高I/O引脚数发展，引脚由四边引出趋向面阵引出发展 2：向表面组装示封装(SMP)发展,以适应表面贴装（SMT）技术及生产要求 3：向高频率及大功率封装发展 4：从陶瓷封装向塑料封装发展 5：从单芯片封装（SCP）向多芯片封装（MCP）发展 6：从只注重发展IC芯片到先发展封装技术再发展IC芯片技术技术 微电子封装的定义：是指用某种材料座位外壳安防、固定和密封半导体继承电路芯片，并用导体做引脚将芯片上的接点引出外壳 狭义的电子封装技术定义：是指利用膜技术及微细连接技术，将半导体元器件及其他构成要素在框架或基板上布置、固定及连接，引出接线端子，并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺技术。（最基本的） 广义的电子封装技术定义：是指将半导体和电子元器件所具有的电子的、物理的功能，转变为能适用于设备或系统的形式，并使之为人类社会服务的科学与技术。（功能性的） 微电子封装的功能： 1：提供机械支撑及环境保护； 2：提供电流通路； 3：提供信号的输入和输出通路； 4：提供热通路。 微电子封装的要点： 1：电源分配； 2：信号分配; 3：机械支撑； 4：散热通道； 5：环境保护。 零级封装：是指半导体基片上的集成电路元件、器件、线路；更确切地应该叫未加封装的裸芯片。 一级封装：是指采用合适的材料（金属、陶瓷或塑料）将一个或多个集成电路芯片及它们的组合进行封装，同时在芯片的焊区与封装的外引脚间用引线键合（wire bonding,WB）、载带自动焊（tape automated bonding,TAB）、倒装片键合（flip chip bonding，FCB）三种互联技术连接，使其成为具有实际功能的电子元器件或组件。 二级封装技术：实际上是一种多芯片和多元件的组装，即各种以及封装后的集成电路芯片、微电子产品、以及何种类型元器件一同安装在印刷电路板或其他基板上。
高功率LED的封装基板发展趋势 相关专题：电子资讯 时间：2011-09-21 11:01 来源：华强电子网 长久以来显示应用一直是led发光元件主要诉求，并不要求LED高散热性，因此LED大多直接封装于一般树脂系基板，然而2000年以后随著LED高辉度化与高效率化发展，尤其是蓝光LED元件的发光效率获得大幅改善，液晶、家电、汽车等业者也开始积极检讨LED的适用性。 现今数码家电与平面显示器急速普及化，加上LED单体成本持续下降，使得LED 应用范围，以及有意愿采用LED的产业范围不断扩大，其中又以液晶面板厂商面临欧盟颁布的危害性物质限制指导(RoHS: Restriction of Hazardous Substances Directive)规范，而陆续提出未来必须将水银系冷阴极灯管(CCFL: Cold Cathode Fluorescent Lamp)全面无水银化的发展方针，其结果造成高功率LED的需求更加急迫。 技术上高功率LED封装后的商品，使用时散热对策实为非常棘手，而此背景下具备高成本效率，且类似金属系基板等高散热封装基板的产品发展动向，成为LED 高效率化之后另1个备受嘱目的焦点。 环氧树脂已不符合高功率需求 以往LED的输出功率较小，可以使用传统FR4等玻璃环氧树脂封装基板，然而照明用高功率LED的发光效率只有20%~30%，且芯片面积非常小，虽然整体消费电力非常低，不过单位面积的发热量却很大。 汽车、照明与一般民生业者已经开始积极检讨LED的适用性，业者对高功率LED 期待的特性分别是省电、高辉度、长使用寿命、高色彩再现性，这意味著散热性佳是高功率LED封装基板不可欠缺的条件。 树脂基板的散热极限多半只支持0.5W以下的LED，超过0.5W以上的LED封装大多改用金属系与陶瓷系高散热基板，主要原因是基板的散热性对LED的寿命与性能有直接影响，因此封装基板成为设计高辉度LED商品应用时非常重要的元件。 金属系高散热基板又分成硬质(rigid)与可挠曲(flexible)系基板两种，硬质系基板属于传统金属基板，金属基材的厚度通常大于1mm，广泛应用在LED灯具模块与照明模块，技术上它与铝质基板相同等级高热传导化的延伸，未来可望应用在高功率LED封装。 可挠曲系基板的出现是为了满足汽车导航仪等中型LCD背光模块薄形化，以及高功率LED三次元封装要求的前提下，透过铝质基板薄板化赋予封装基板可挠曲特性，进而形成兼具高热传导性与可挠曲性的高功率LED封装基板。
封装基板技术的发展 芯片封装基板是印刷电路板中一个特殊的类别。它提供给先进芯片封装，例如BGA，CSP和倒装芯片使用．它的尺寸较小。通常在3、4厘米或更小。它要求在较小的区域具有较高的布线密度，以便将芯片上的所有引线脚通过金线键合或倒装芯片技术连接到封装基板上的焊盘上。制成封装体，再通过封装体上焊点连接到系统组装基板上。对用倒装芯片互连的封装体，在芯片正下方封装基板局部地区往往要求极高的布线密度。芯片封装基板都采用层积技术制造。 集成电路正在发生巨大变革。它对电子封装和印刷电路板正在产生重大影响。近几年来，集成电路芯片制造技术已进入纳米范围，并正在向物理”极限”挑战。集成电路的集成度越来越高。功能越来越强，所需引线脚数越来越多。集成电路的这种快步发展使得集成电路芯片封装基板面临着巨大的挑战。相对于半导体集成电路技术的发展，印刷电路板技术的发展却显得相对落后。两者的差距甚至在扩大。二十年来刻线能力的进展。印刷电路板工业没能跟上半导体工业的步伐。集成电路功能增强，使得管脚引线增多。在八十中叶，IBM(美国)就展示了具有10，000个焊盘的芯片。传统的周边引线封装型式已变得不可能。解决办法则是从周边引线封装型式转变为面阵列分布型封装型式。球栅阵列封装，芯片规模封装和倒装芯片等面阵列型芯片封装型式的采用和发展使得电子系统高性能化和微型化。特别是
倒装芯片技术将是下一代新型高性能电子系统内，芯片至次一级封装内连的最关键的技术。然而在设计和制造安装这些芯片的基板方面却遇到了巨大的困难。常规的印刷电路板技术包括单层板和多层板都不能满足这些新型封装的布线要求。在这种先进封装需求驱动下而发展起来的高密度互连封装基板技术已经成为了所有高端电子产品和移动电子产品，包括移动手机，笔记本电脑，游戏机，工作站，直至航天航空仪器所必需的基本技术。多年来INEMI，SIA，ITRS，IPC等学会组织了大量的学者和专家进行了长期调研，预测了今后十数年内半导体集成电路技术发展趋势和半导体工业的需求。表一展示了由ITRS发布的2005至2010年间微电子技术发展和对高端产品对倒装芯片技术的需求。可以看到在今后四至五年内，倒装芯片的引线脚将增加到4600至4800个，引线脚中心间距将减小到100微米。假设焊盘尺寸为中心间距的一半(50微米)，为在此间距内布入二至三根金属导线，则线宽和线距必需在10微米或更细．即使布入一根线，线宽和线距也必需小于16、17微米。目前最先进的印刷电路板技术约在20、30微米，与这要求还有相当大的差距。 印刷电路技术今后将继续提高布线密度，制造更薄更小的
微电子封装技术及发展探析 摘要近年来，随着科学技术的不断进步与发展，集成电路的广泛使用使得我国工业的飞跃发展成为现实和可能，受此影响，集成电路产业也成为可我国国民经济长期可持续发展的关键。在集成电路产业之中，微电子封装技术的高低将直接决定整个集成电路的电性能、机械性能、光性能和热性能的优劣，在这样的情况下，对微电子封装技术及其发展进行分析和探讨就变得十分有必要了。基于此，本文从微电子封装技术的发展历程、现状出发，就现阶段我国微电子封装技术的特点及其未来的发展趋势进行了探析。 关键词微电子；封装技术；发展探析 在电子信息技术不断发展的当下，微型化、多功能化、高性能化逐步成为电子产品未来发展的基本要求，而为了更好地实现上述目的、确保电子产品能够正常使用，就离不开微电子封装技术对其提供相应的支持。目前，我国常用的微电子封装技术主要有倒装芯片技术、芯片规模封装等，不同的封装技术有不同的应用范围，只有在明确不同封装技术的特点的基础上，才能保证对大限度地发挥不同封装技术的优势和作用。下面，本文将就微电子封装技术及其发展进行详细阐述。 1 微电子封装技术常见分类及特点 1.1 BGA封装技术 BGA封装技术诞生于20世纪90年代，其中文全称为焊球阵列封装技术，由于已经有了较长的发展历程，因而在目前的应用实践中有着较高的技术成熟度，通过球柱形焊点阵列进行I/O端与基板的封装是其主要的封装原理。相较于其他常见微电子封装技术，BGA封装技术的主要优势在于阵列密度高、组装成品率高。在塑料焊球阵列、陶瓷焊球阵列、金属焊球阵列等多种BGA封装技术中，装芯片焊球阵列封装将是未来BGA技术的主要发展方向[1]。 1.2 3D封装技术 3D封装技术是伴随着移动互联网的发展而逐渐兴起的，目前主要应用于手持设备的高密度立体式组装之中，是同时满足多个芯片组立体式封装需求的有效途径。在现阶段市面上常见的各种封装技术中，3D封装技术具备的主要技术优势在于功能性丰富、封装密度高、电性能热性能突出。 1.3 表面封装技术 钎焊技术是目前使用最广的一种微电子表面封装技术，根据具体的衔接需要，将需要衔接的物体表面的电子元件与指定的焊盘进行钎焊，使原件与焊盘之间产生电路功能是钎焊技术的主要封装原理。此种焊接方式下，原件与焊盘的连
先进微电子封装工艺技术培训 培训目的： 1、详细分析集成电路封装产业发展趋势； 2、整合工程师把握最先进的IC封装工艺技术； 3、详细讲述微电子封装工艺流程及先进封装形式； 4、讲述微电子封装可靠性测试技术； 5、微电子封装与制造企业以及设计公司的关系； 6、实际案例分析。 参加对象： 1、大中专院校微电子专业教师、研究生；； 2、集成电路制造企业工程师，整机制造企业工程师； 3、微电子封装测试、失效分析、质量控制、相关软件研发、市场销售人员； 4、微电子封装工艺设计、制程和研发人员； 5、微电子封装材料和设备销售工程师及其应用的所有人员； 6、微电子封装科研机构和电子信息园区等从业人员 【主办单位】中国电子标准协会培训中心 【协办单位】深圳市威硕企业管理咨询有限公司 课程提纲（内容）： Flip Chip Technology and Low Cost Bumping Method l What is Flip Chip l Why Use Flip Chip
l Flip Chip Trend l Flip Chip Boding Technology l Why Underfill l No Flow Underfill l Other Key Issues Wafer Level Packaging l What is IC packaging? l Trend of IC packaging l Definition and Classification of CSP l What is wafer level packaging? l Overview Technology Options —Wafer level High Density Interconnections —Wafer level Integration —Wafer Level towards 3D l WLP toward 3D l Wafer level Challenges l Conclusion 讲师简介： 罗乐（Le Luo）教授 罗教授1982年于南京大学获物理学学士学位，1988年于中科院上海微系统与信息技术研究所获工学博士学位。1990年在超导研究中取得重大突破被破格晋升为副研究员，1991—199
第一次作业 1 写出下列缩写的英文全称和中文名称 DIP: Double In-line Package, 双列直插式组装 BGA: ball grid array, 球状矩阵排列 QFP: Quad flat Pack, 四方扁平排列 WLP: Wafer Level Package, 晶圆级封装 CSP: Chip Scale Package, 芯片级封装 LGA: Land grid array, 焊盘网格阵列 PLCC: Plastic Leaded Chip Carrier, 塑料芯片载体 SOP: Standard Operation Procedure, 标准操作程序 PGA: pin grid array, 引脚阵列封装 MCM: multiple chip module, 多片模块 SIP: System in a Package, 系统封装 COB: Chip on Board, 板上芯片 DCA: Direct Chip Attach, 芯片直接贴装，同COB MEMS: Micro-electromechanical Systems, 微电子机械系统 2 简述芯片封装实现的四种主要功能，除此之外LED封装功能。 芯片功能 （1）信号分配;(2)电源分配；（3）热耗散：使结温处于控制范围之内；（4）防护：对器件的芯片和互连进行机械、电磁、化学等方面的防护 LED器件 （2）LED器件：光转化、取光和一次配光。 3 微电子封装技术的划分层次和各层次得到的相应封装产品类别。 微电子封装技术的技术层次 第一层次：零级封装-芯片互连级（CLP） 第二层次：一级封装SCM 与MCM（Single/Multi Chip Module） 第三层次：二级封装组装成SubsystemCOB（Chip on Board）和元器件安装在基板上 第三层次：三级微电子封装，电子整机系统构建 相对应的产品如图（1）所示：
第一章绪论 1、封装技术发展特点、趋势。（P8） 发展特点：①、微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向引出向面阵列排列发展；②、微电子封装向表面安装式封装（SMP）发展，以适合表面安装技术（SMT）；③、从陶瓷封装向塑料封装发展；④、从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。 发展趋势：①、微电子封装具有的I/O引脚数将更多；②、应具有更高的电性能和热性能；③、将更轻、更薄、更小；④、将更便于安装、使用和返修；⑤、可靠性会更高；⑥、性价比会更高，而成本却更低，达到物美价廉。 2、封装的功能（P19） 电源分配、信号分配、散热通道、机械支撑和环境保护。 3、封装技术的分级（P12） 零级封装：芯片互连级。 一级封装：将一个或多个IC芯片用适宜的材料（金属、陶瓷、塑料或它们的组合）封装起来，同时在芯片的焊区与封装的外引脚间用如上三种芯片互连方法（WB、TAB、FCB）连接起来使之成为有实用功能的电子元器件或组件。 二级封转：组装。将上一级各种微电子封装产品、各种类型的元器件及板上芯片（COB）一同安装到PWB或其它基板上。 三级封装：由二级组装的各个插板或插卡再共同插装在一个更大的母板上构成的，立体组装。4、芯片粘接的方法（P12） 只将IC芯片固定安装在基板上：Au-Si合金共熔法、Pb-Sn合金片焊接法、导电胶粘接法、有机树脂基粘接法。 芯片互连技术：主要三种是引线键合（WB）、载带自动焊（TAB）和倒装焊（FCB）。早期有梁式引线结构焊接，另外还有埋置芯片互连技术。 第二章芯片互连技术（超级重点章节） 1、芯片互连技术各自特点及应用 引线键合：①、热压焊：通过加热加压力是焊区金属发生塑性形变，同时破坏压焊界面上的氧化层使压焊的金属丝和焊区金属接触面的原子间达到原子引力范围，从而使原子间产生引力达到键合。两金属界面不平整，加热加压可使上下金属相互镶嵌；加热温度高，容易使焊丝和焊区形成氧化层，容易损坏芯片并形成异质金属间化合物影响期间可靠性和寿命；由于这种焊头焊接时金属丝因变形过大而受损，焊点键合拉力小（＜0.05N/点），使用越来越少。②、超声焊：利用超声波发生器产生的能量和施加在劈刀上的压力两者结合使劈刀带动Al丝在被焊区的金属化层表明迅速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性形变来实现原子间键合。与热压焊相比能充分去除焊接界面的金属氧化层，可提高焊接质量，焊接强度高于热压焊；不需要加热，在常温下进行，因此对芯片性能无损害；可根据不同需要随时调节 键合能量，改变键合条件来焊接粗细不等的Al 丝或宽的Al带；AL-AL超声键合不产生任何化合 物，有利于器件的可靠性和长期使用寿命。③、 金丝球焊：球焊时，衬底加热，压焊时加超声。 操作方便、灵活、焊点牢固，压点面积大，又无 方向性，故可实现微机控制下的高速自动化焊接； 现代的金丝球焊机还带有超声功能，从而具有超 声焊的优点；由于是Au-Al接触超声焊，尽管加 热温度低，仍有Au-Al中间化合物生成。球焊用 于各类温度较低、功率较小的IC和中、小功率晶 体管的焊接。 载带自动焊：TAB结构轻、薄、短、小，封装高 度不足1mm；TAB的电极尺寸、电极与焊区节距均 比WB大为减小；相应可容纳更高的I/O引脚数， 提高了TAB的安装密度；TAB的引线电阻、电容 和电感均比WB小得多，这使TAB互连的LSI、VLSI 具有更优良的高速高频电性能；采用TAB互连可 对各类IC芯片进行筛选和测试，确保器件是优质 芯片，大大提高电子组装的成品率，降低电子产 品成本；TAB采用Cu箔引线，导热导电性能好， 机械强度高；TAB的键合拉力比WB高3~10倍， 可提高芯片互连的可靠性；TAB使用标准化的卷 轴长度，对芯片实行自动化多点一次焊接，同时 安装及外引线焊接可实现自动化，可进行工业化 规模生产，提高电子产品的生产效率，降低产品 成本。TAB广泛应用于电子领域，主要应用与低 成本、大规模生产的电子产品，在先进封装BGA、 CSP和3D封装中,TAB也广泛应用。 倒装焊：FCB芯片面朝下，芯片上的焊区直接与 基板上的焊区互连，因此FCB的互连线非常短， 互连产生的杂散电容、互连电阻和电感均比WB 和TAB小的多，适于高频高速的电子产品应用； FCB的芯片焊区可面阵布局，更适于搞I/O数的 LSI、VLSI芯片使用；芯片的安装互连同时进行， 大大简化了安装互连工艺，快速省时，适于使用 先进的SMT进行工业化大批量生产；不足之处如 芯片面朝下安装互连给工艺操作带来一定难度， 焊点检查困难；在芯片焊区一般要制作凸点增加 了芯片的制作工艺流程和成本；此外FCB同各材 料间的匹配产生的应力问题也需要很好地解决 等。 2、WB特点、类型、工作原理（略）、金丝球焊主 要工艺、材料（P24） 金丝球焊主要工艺数据：直径25μm的金丝焊接 强度一般为0.07~0.09N/点，压点面积为金丝直 径的2.5~3倍，焊接速度可达14点/秒以上，加 热温度一般为100℃，压焊压力一般为0.5N/点。 材料：热压焊、金丝球焊主要选用金丝，超声焊 主要用铝丝和Si-Al丝，还有少量Cu-Al丝和 Cu-Si-Al丝等。 3、TAB关键材料与技术（P29） 关键材料：基带材料、Cu箔引线材料和芯片凸点 金属材料。 关键技术：①芯片凸点制作技术②TAB载带制作 技术③载带引线与芯片凸点的内引线焊接技术和 载带外引线的焊接技术。 4、TAB内外引线焊接技术（P37） ①内引线焊接（与芯片焊区的金属互连）：芯片凸 点为Au或Ni-Au、Cu-Au等金属，载带Cu箔引线 也镀这类金属时用热压焊（焊接温度高压力大）； 载带Cu箔引线镀0.5μm厚的Pb-Sn或者芯片凸 点具有Pb-Sn时用热压再流焊（温度较低压力较 小）。 焊接过程：对位→焊接→抬起→芯片传送 焊接条件：主要由焊接温度（T）、压力（P）、时 间（t）确定，其它包括焊头平整度、平行度、焊 接时的倾斜度及界面的侵润性，凸点高度的一致 性和载带内引线厚度的一致性也影响。 T=450~500℃，P≈0.5N/点，t=0.5~1s 焊接后焊点和芯片的保护：涂覆薄薄的一层环氧 树脂。环氧树脂要求粘度低、流动性好、应力小 切Cl离子和α粒子含量小，涂覆后需经固化。 筛选测试：加热筛选在设定温度的烘箱或在具有 N2保护的设备中进行；电老化测试。 ②外引线焊接（与封装外壳引线及各类基板的金 属化层互连）：供片→冲压和焊接→回位。 5、FCB特点、优缺点（略，同1） 6、UBM含义概念、结构、相关材料（P46） UBM（凸点下金属化）：粘附层-阻挡层-导电层。 粘附层一般为数十纳米厚度的Cr、Ti、Ni等；阻 挡层为数十至数百纳米厚度的Pt、W、Pd、Mo、 Cu、Ni等；导电层金属Au、Cu、Ni、In、Pb-Sn 等。 7、凸点主要制作方法（P47—P58） 蒸发/溅射凸点制作法、电镀凸点制作法、化学镀 凸点制作法、打球（钉头）凸点制作法、置球及 模板印刷制作焊料凸点、激光凸点制作法、移置 凸点制作法、柔性凸点制作法、叠层凸点制作法、 喷射Pb-Sn焊料凸点制作法。 8、FCB技术及可靠性（P70—P75） 热压FCB可靠性、C4技术可靠性、环氧树脂光固 化FCB可靠性、各向异性导电胶FCB可靠性、柔 性凸点FCB可靠性 9、C4焊接技术特点（P61） C4技术，再流FCB法即可控塌陷芯片连接特点： ①、C4除具有一般凸点芯片FCB优点外还可整个 芯片面阵分布，再流时能弥补基板的凹凸不平或 扭曲等；②、C4芯片凸点采用高熔点焊料，倒装 再流焊时C4凸点不变形，只有低熔点的焊料熔 化，这就可以弥补PWB基板的缺陷产生的焊接不 均匀问题；③、倒装焊时Pb-Sn焊料熔化再流时 较高的表面张力会产生“自对准”效果，这使对 C4芯片倒装焊时的对准精度要求大为宽松。 10、底封胶作用（P67） 保护芯片免受环境如湿气、离子等污染，利于芯
1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为，引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat package with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心
微电子封装技术论文范文 微电子封装技术是90年代以来在半导体集成电路技术、混合集成电路技术和表面组装技术(SMT)的基础上发展起来的新一代电子组装技术。下面是由 ___的微电子封装技术，谢谢你的阅读。 微电子封装技术的发展趋势 【摘要】本文论述了微电子封装技术的发展历程，发展现状和发展趋势，主要介绍了几种重要的微电子封装技术，包括:BGA 封装技术、CSP封装技术、SIP封装技术、3D封装技术、MCM封装技术等。 【关键词】微电子技术;封装 1.微电子封装的发展历程 IC 封装的引线和安装类型有很多种，按封装安装到电路板上的方式可分为通孔插入式(TH)和表面安装式(SM)，或按引线在封装上的具体排列分为成列、四边引出或面阵排列。微电子封装的发展历程可分为三个阶段： 第一阶段：上世纪70 年代以插装型封装为主，70 年代末期发展起来的双列直插封装技术(DIP)。
第二阶段：上世纪80 年代早期引入了表面安装(SM)封装。比较成熟的类型有模塑封装的小外形(SO)和PLCC 型封装、模压陶瓷中的CERQUAD、层压陶瓷中的无引线式载体(LLCC)和有引线片式载体(LDCC)。PLCC，CERQUAD，LLCC和LDCC都是四周排列类封装，其引线排列在封装的所有四边。 第三阶段：上世纪90 年代，随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI，VLSI，ULSI相继出现，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，因此，集成电路封装从四边引线型向平面阵列型发展，出现了球栅阵列封装(BGA)，并很快成为主流产品。 2.新型微电子封装技术 2.1焊球阵列封装(BGA) 阵列封装(BGA)是世界上九十年代初发展起来的一种新型封装。BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是：I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率;虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能;厚度和
IC封装基板技术 随着电子产品微小型化、多功能化和信号传输高频高速数字化，要求PCB迅速走向高密度化、高性能化和高可靠性发展。为了适应这个要求，不仅PCB迅速走向HDIBUM板、嵌入（集成）元件PCB等，而且IC封装基板已经迅速由无机基板（陶瓷基板）走向有机基板（PCB板）。有机IC封装基板是在HDI/BUM板的基础上继续‘深化（高密度化）’而发展起来的，或者说IC封装基板是具更高密度化的HDI/BUM板。 1 封装基板的提出及其类型 1.1 有机封装基板的提出 封装基板是用于把多个一级（可用二级）封装IC组件再封（组）装形成更大密度与容量的一种基板。由于这类基板的封装密度很高，因此，其尺寸都不大，大多数为≤50*70mm2。过去主要是采用陶瓷基板，现在迅速走向高密度PCB封装基板。 （1）陶瓷封装基板。 陶瓷封装基板的应用已有几十年的历史了，基优点是CTE较小，导热率较高。但是，随着高密度化、特别是信号传输高频高速数字化的发展，陶瓷封装基板遇到了严厉的挑战。 ①介电常数εr大（6∽8）。 信号传输速度V是由来介电常数εr决定的，如下式可得知。 V=k·C/(εr)1/2 其中：k——为常数；C——光速。这就是说，采用较小的介电常数εr，就可以得到较高的信号传输速度。还有特性阻抗值等问题。 ②密度低。L/S≥O.1mm，加上厚度厚、孔径大，不能满足IC高集成度的要求。 ③电阻大。大多采用钼形成的导线，其电阻率（烧结后）比铜大三倍多或更大，发热量大和影响电气性能。 ④基板尺寸不能大，影响密度和容量提高。由于陶瓷基板的脆性大，不仅尺寸不能大， 而且生产、组装和应用等都要格外小心。 ⑤薄型化困难。厚度较厚，大多数为1mm以上。 ⑥成本高。 （2）有机（PCB）基板。 有机（PCB）基板，刚好与陶瓷封装基板相反。 ①介电常数εr小（可选择性大，大多用3∽4的材料）。 ②高密度化好。L/S可达到20∽50μm，介质层薄，孔径小。 ③电阻小。发热低，电气性能好。 ④基板尺寸可扩大。大多数为≤70*100mm2。 ⑤可薄型化，目前，双面/四层板，可达到100∽300μm。 ⑥成本低。 在1991年，由日本野洲研究所开发的用于树脂密封的倒芯片安装和倒芯片键合（连接）的PCB和HDI/BUM板，这些有机封装基板和HDI/BUM板等比陶瓷基板有更优越的的有利因素和条件，使它作为IC的裸芯片封装用基板是非常合适的，特别是用于倒芯片（FC）的金属丝的封装上，既解决了封装的CTE匹配问题，又解决了高密度芯片的安装的可行性问题。 关于PCB基板的CTE较大和导热差方面，可以通过改进和选择CCL基材得到较好的解决。 1.2 IC封装基板的类型
微电子封装技术的发展趋势 陆逢 （中国矿业大学材料学院，221116） 【摘要】 :论述了微电子封装的发展历程，发展现状和发展趋势，主要介绍了几种重要的微电子封装技术（BGA封装技术.CSP封装技术。MCM封装技术. 3D封装技术.SIP封装技术等）。封装技术的进步满足了人们的需求，促进了电子产业的发展. 【关键词】：微电子技术；封装；BGA; MCM ；3D封装 ; SIP 0引言 电子产品正朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展[9］,这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求，单位体积信息的提高和单位时间处理速度的提高成为促进微电子封装技术发展的重要因素。 封装承接承接集成电路的制作,是电子产品制造过程的重要环节，它保护芯片,并提供元器件之间的信号传递。人们对电子产品的要求逐步提高，因而对PCB的依赖性越来越大。PCB的制作逐步向高密度。多层化。细线路发展,电子产品也趋于轻.薄。密.小，推动了封装小型化[1］。 1 微电子封装的发展历程 集成电路封装的引线和安装类型有很多，按安装到电路板的方式可分通孔插入式和表面安装式，目前的电子封装主要采用表面贴装方式，通孔插入的方式已经很少使用，只用在在个别部件.集成电路封装的历史，其发展主要划分为三个阶段。 第一阶段，在二十世纪七十年代之前,以插装型封装为主。包括最初的金属圆形(TO型)封装，后来的陶瓷双列直插封装、陶瓷—玻璃双列直插封装和塑料双列直插封装（PDIP)。尤其是PDIP,由于性能优良、成本低廉又能批量生产而成为主流产品。 第二阶段，在二十世纪八十年代以后，以表面安装类型的四边引线封装为主。当时，表面安装技术被称作电子封装领域的一场革命，得到迅猛发展。与之相适应，一批适应表面安装技术的封装形式，如塑料有引线片式裁体、塑料四边引线扁平封装、塑料小外形封装以及无引线四边扁平封装等封装形式应运而生，迅速发展.由于密度高、引线节距小、成本低并适于表面安装，使PQFP 成为这一时期的主导产品。 第三阶段，在二十世纪九十年代以后，以面阵列封装形式为主。二十世纪九十年代初，集成电路发展到了超大规模阶段，要求集成电路封装向更高密度和更高速度发展[1]。 一般说来，微电子封装分为三级［14]。所谓一级封装就是在半导体圆片裂片以后，将一个或多个集成电路芯片用适宜的封装形式封装起来，并使芯片的焊区与封装的外引脚用引线键合(WB）、载带自动键合(TAB）和倒装芯片键合（FCB）连接起来，使之成为有实用功能的电子元器件或组件.一级封装包括单芯片组件（SCM）和多芯片组件(MCM)两大类.应该说，一级封装包含了从圆片裂片到电路测试的整个工艺过程，即我们常说的后道封装，还要包含单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM）的设计和制作，以及各种封装材料如引线键合丝、引线框架、装片胶和环氧模塑料等内容。这一级也称芯片级封装。