CMOS图像传感器工作原理和应用 姓名： 学院： 班级： 组号： 日期：2014年12月9日
摘要 随着集成电路制造工艺技术的发展和集成电路设计水平的不断提高，基于CMOS集成电路工艺技术制造的CMOS图像传感器由于其集成度高、功耗低、体积小、工艺简单、成本低且开发周期较短等优势，目前在诸多领域得到了广泛的应用，特别是数码产品如数码相机、照相手机的图像传感器应用方面，市场前景广泛，因此对CMOS图像传感器的研究与开发有着非常高的市场价值。 本文首先介绍了CMOS图像传感器的发展历程和工作原理及应用现状。随后叙述了CMOS图像传感器的像元、结构及工作原理，着重说明了成像原理和图像信号的读取和处理过程，以及在数字摄像机，数码相机，彩信手机中的应用方式。 一、CMOS图像传感器的发展历史 上世纪60年代末期，美国贝尔实验室提出固态成像器件概念： 互补金属氧化物半导体图像传感器CMOS —Complementary Metal Oxide Semiconductor 电荷耦合器件图像传感器（CCD） CMOS与CCD图像传感器的研究几乎是同时起步，固体图像传感器得到了迅速发展。 CMOS图像传感器： 由于受当时工艺水平的限制，图像质量差、分辨率低、噪声降不下来，因而没有得到重视和发展。 CCD图像传感器： 光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点一直主宰着图像传感器市场。 由于集成电路设计技术和工艺水平的提高，CMOS图像传感器过去存在的缺点，现在都可以找到办法克服，而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的，因而它再次成为研究的热点。 1970年,CMOS图像传感器在NASA的喷气推进实验室JPL制造成功， 80年代末，英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型图像传感器件， 1995年像元数为（128×128）的高性能CMOS 有源像素图像传感器由喷气推进实验室首先研制成功。 1997年英国爱丁堡VLSI Version公司首次实现了CMOS图像传感器的商品化。 2000年日本东芝公司和美国斯坦福大学采用0.35mm技术开发的CMOS-APS，
电子商务概论真题含答案 广东财经大学试题纸 2014-2015学年第1学期课程：《电子商务》（A卷）【答题说明】：请务必将所有答案写在答题纸上，否则不得分。 一、单项选择（共10题，每小题1分，共10分） 1. 阿里巴巴是目前国内最大的（）电子商务企业。 A、B TO B B、B TO C C、C TO C D、B TO G 2. 电子商务活动的最终目的和归宿是为了实现（）。 A、信息流 B、资金流 C、商流 D、信用流 3. 供应链管理的英文简称为（）。 A、MRP B、MRPⅡ C、ERP D、SCM 4. 一般采用（）技术保证电子商务活动交易的不可抵赖性。 A、数字信封 B、防火墙 C、电子签名 D、支付网关 5. 网上销售的商品一般可以分为3类：有形商品、无形产品和（）。 A、在线商品 B、电子产品 C、物理产品 D、在线服务 6. 下列不属于电子支付的工具是（） A、电子货币 B、电子信用卡 C、电子支票 D、现金类 7. 以下哪一项在大多数情况下不能通过计算机和网络通信设备来实现( )。 A、信息流 B、商流 C、资金流 D、物流 8. 在商务活动的四种基本流中，（）最为重要。 A、物流 B、商流 C、资金流 D、信息流 9. 下列关于电子商务的说法正确的是（） A、电子商务的本质是技术 B、电子商务就是建网站 C、电子商务是泡沫 D、电子商务本质是商务 10. 认证中心的安全防范措施不包括（） A、假冒的防范 B、私钥的安全防范 C、违约的防范 D、认证人员违规的防范 二、名词解释（共10题，每小题2分，共20分） 1、电子商务 2、商流
3、交易链 4、边际效益 5、网络营销 6、战略 7、电子商务信用 8、企业电子商务 9、电子货币 10、电子支票 三、术语解释（指出下面英文缩写的英文单词及汉语意思，共10题，每小题2分，共20分） 1、WWW 2、SET 3、PKI 4、EDI 5、CRM 6、SCM 7、ERP 8、DB 9、DW 10、DBMS 四、简答题（共8题，每小题5分，共40分） 1、简述电子商务的分类。 2、试画出电子商务的一般架构图，并简要说明各部分之间的关系。 3、简述电子商务的安全要求(只列出要点) 4、简述网络营销有哪八项基本职能？ 5、强化电子商务信用管理的具体策略有哪些？ 6、电子商务企业可以分为哪几类？ 7、电子支票有哪些优势？ 8、电子货币有哪些特征？ 五、论述题（共1题，共10分） 试论述我国目前电子商务存在的主要问题与解决对策。
5.6 最小电导率 a. 考虑半导体的电导率e h en ep σμμ=+。掺杂总是能提高电导率吗？ b. 请说明：当Si 的p 型掺杂而使空穴浓度为下式所表示的值时，可以得到最小的电导率。 m p n = 与该式对应的最小电导率（最大电阻率）为 min 2en σ= c. 对Si 计算m p 和min σ，并与本征值进行比较。 解析： a. 半导体的电导率e h en ep σμμ=+，其中，n 和p 满足质量作用定律 2exp()g i c v E np n N N kT ==- ，在一定的温度下，np 为常数。 当掺杂增大电子浓度n 时，空穴浓度p 则会减小，反之亦然。在掺杂浓度一定时，由于e h μμ>，如果对半导体进行n 型掺杂，则n>p ，显然随着掺杂浓度的 p 型掺杂，则n
，因此，当Si 的p 后增大。对2i e h n e ep p σμμ=+求导得2' 2i e h n e e p σμμ=-+，令'0σ=得p n =
相应地2en σ=m p n =时，电导率最小，为 min 2en σ=。 c. 室温下，对于Si ，103i 1.010n cm -=?，2111350e cm V s μ--=??， 211450h cm V s μ--=??，带入m p n =和min 2en σ=得 1031031.710 1.010m i p cm n cm --=?>=? 611611min i 2.510 2.910cm cm σσ------=?Ω?<=?Ω? 若取103i 1.510n cm -=?，则有 1031032.610 1.510m i p cm n cm --=?>=? 611611min i 3.710 4.310cm cm σσ------=?Ω?<=?Ω? 5.13 砷化镓 Ga 具有的化合价是3，而As 具有的化合价是5。当Ga 和As 原子一起形成GsAs 单晶体时，如图5.54所示，一个Ga 的3个价电子与一个As 的5个价电子均共享，结果形成4个共价键。在具有大约23310cm -Ga 原子和As 原子（数量几乎相等）的GsAs 晶体中，无论是Ga 还是As ，每个原子平均具有4个价电子。因此我们可以认为：其价键的结合与Si 晶体中的相似，每个原子4个键。然而，它的晶体结构却不是金刚石结构，而是闪锌矿结构。 a. 对于每对Ga 和As 原子，以及在GaAs 晶体中，每个原子的平均价电子数是多少？ b. 如果在GaAs 晶体中以Ⅵ族元素硒（Se ）或碲（Te ）代替As 原子，情况如何？ c. 如果在GaAs 晶体中以Ⅱ族元素锌（Zn ）或镉（Cd ）代替Ga 原子，情况如何？ d. 如果在GaAs 晶体中以Ⅳ族元素硅（Si ）代替As 原子，情况如何？ e. 如果在GaAs 晶体中以Ⅳ族元素硅（Si ）代替Ga 原子，情况如何？两性掺杂表示什么？ f. 基于以上对GaAs 的讨论，你认为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体AlAs ，GaP ，InAs,InP 和InSb 的晶体结构是什么？
1、半导体材料有哪些特征？ 答：半导体在其电的传导性方面，其电导率低于导体，而高于绝缘体。 （1）在室温下，它的电导率在103~10-9S/cm之间，S为西门子，电导单位，S=1/ρ（Ω. cm) ；一般金属为107~104S/cm，而绝缘体则<10-10，最低可达10-17。同时，同一种半导体材料，因其掺入的杂质量不同，可使其电导率在几个到十几个数量级的范围内变化，也可因光照和射线辐照明显地改变其电导率；而金属的导电性受杂质的影响，一般只在百分之几十的范围内变化，不受光照的影响。 （2）当其纯度较高时，其电导率的温度系数为正值，即随着温度升高，它的电导率增大；而金属导体则相反，其电导率的温度系数为负值。 （3）有两种载流子参加导电。一种是为大家所熟悉的电子，另一种则是带正电的载流子，称为空穴。而且同一种半导体材料，既可以形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。在金属中是仅靠电子导电，而在电解质中，则靠正离子和负离子同时导电。 2、简述半导体材料的分类。 答：对半导体材料可从不同的角度进行分类例如： 根据其性能可分为高温半导体、磁性半导体、热电半导体； 根据其晶体结构可分为金刚石型、闪锌矿型、纤锌矿型、黄铜矿型半导体； 根据其结晶程度可分为晶体半导体、非晶半导体、微晶半导体， 但比较通用且覆盖面较全的则是按其化学组成的分类，依此可分为：元素半导体、化合物半导体和固溶半导体三大类。 3、化合物半导体和固溶体半导体有哪些区别。 答：由两个或两个以上的元素构成的具有足够的含量的固体溶液，如果具有半导体性质，就称为固溶半导体，简称固溶体或混晶。固溶半导体又区别于化合物半导体，因后者是靠其价键按一定化学配比所构成的。固溶体则在其固溶度范围内，其组成元素的含量可连续变化，其半导体及有关性质也随之变化。 4、简述半导体材料的电导率与载流子浓度和迁移率的关系。 答：s = nem 其中： n为载流子浓度，单位为个/cm3; e 为电子的电荷，单位为C（库仑），e对所有材料都是一样，e=1.6×10-19C 。 m为载流子的迁移率，它是在单位电场强度下载流子的运动速度，单位为cm2/V.s； 电导率s的单位为S/cm(S为西门子）。 5、简述霍尔效应。 答：将一块矩形样品在一个方向通过电流，在与电流的垂直方向加上磁场(H)，那么在样品的第三个方向就可以出现电动势，称霍尔电动势，此效应称霍尔效应。 6、用能带理论阐述导体、半导体和绝缘体的机理。 答：按固体能带理论，物质的核外电子有不同的能量。根据核外电子能级的不同，把它们的能级划分为三种能带：导带、禁带和价带（满带）。 在禁带里，是不允许有电子存在的。禁带把导带和价带分开，对于导体，它的大量电子处于导带，能自由移动。在电场作用下，成为载流子。因此，导体载流子的浓度很大。 对绝缘体和半导体，它的电子大多数都处于价带，不能自由移动。但在热、光等外界因素的作用下，可以使少量价带中的电子越过禁带，跃迁到导带上去成为载流子。 绝缘体和半导体的区别主要是禁的宽度不同。半导体的禁带很窄，（一般低于3eV），绝缘体的禁带宽一些，电子的跃迁困难得多。因此，绝缘体的载流子的浓度很小。导电性能很弱。实际绝缘体里，导带里的电子不是没有，并且总有一些电子会从价带跃迁到导带，但数量极少。所以，在一般情况下，可以忽略在外场作用下它们移动所形成的电流。但是，如果外场很强，束缚电荷挣脱束缚而成为自由电荷，则绝缘体就会被“击穿”而成为导体。 7、什么是本征半导体和杂质半导体？ 答：当半导体主要是靠热激发产生载流子时，导电称为本征导电，这种半导体称为本征半导体，其特点是自由电子数等于空穴数。另一种导电机制是靠电活性杂质形成的载流子导电，这种导电称为杂质导电，这种半导体称为杂质
1、电子元器件行业现状 我国电子元件的产量已占全球的近39％以上。产量居世界第一的产品有：电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板。 伴随我国电子信息产业规模的扩大，珠江三角洲、长江三角洲、环渤海湾地区、部分中西部地区四大电子信息产业基地初步形成。这些地区的电子信息企业集中，产业链较完整，具有相当的规模和配套能力。 我国电子材料和元器件产业存在一些主要问题：中低档产品过剩，高端产品主要依赖进口；缺乏核心技术，产品利润较低；企业规模较小，技术开发投入不足。 2、电子元器件行业发展趋势 技术发展趋势 新型元器件将继续向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。 市场需求分析 随着下一代互联网、新一代移动通信和数字电视的逐步商用，电子整机产业的升级换代将为电子材料和元器件产业的发展带来巨大的市场机遇。 我国“十一五”发展重点 我国《电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划》重点强调新型元器件、新型显示器件和电子材料作为主要分产业的发展目标。 注：上表所列信息与数据引自商务部网站、国研网、统计局网站 3、阿里巴巴关于“电子元器件”买家分布情况 在alibaba买家分布中，广东、浙江、江苏买家数占78%，其市场开发潜力巨大。 4、阿里巴巴电子元器件企业概况
目前通过阿里巴巴搜索“电子元器件”有43533310条产品供应信息，这些企业中有很多实现了从做网站、做推广、找买家，谈生意、成交等一站式的业务模式。当前有效求购“电子元器件”的信息已达到50536条（数据截止2008-10-23）。 阿里巴巴部分电子元器件行业企业 公司名称合作年限公司名称合作年限深圳市百拓科技有限公司 3 靖江市柯林电子器材厂 6 深圳赛格电子市场广发电子经营部 4 乐清市东博机电有限公司 6 镇江汉邦科技有限公司7 温州祥威阀门有限公司 6 无锡市国力机电工程安装有限公司 5 上海纳新工业设备有限公司 6 深圳市恒嘉乐科技有限公司 6 天津市天寅机电有限公司科技 开发分公司 6 厦门振泰成科技有限公司 6 常州市武进坂上继电器配件厂 6 5、同行成功经验分享 公司名：佛山市禅城区帝华电子五金制品厂——一个“很有想法”的诚信通老板主营产品：16型电位器;开关电位器;调光电位器;调速电位器;直滑式电位器等加入诚信通年限：第4年 佛山市禅城区帝华电子五金制品厂的董仁先生是一个“很有想法”的老板，虽然公司成立的时间不长，但是有很多经营理念。董先生是很健谈的人，据他介绍，帝华电子是以生产进口碳膜电位器和五金批咀的专业厂家，加入阿里巴巴诚信通已有两年时间。对于加入诚信通的目的，董先生的解释比较独特：“我们的产品属于电子设备及家用电器的元器件，和终端消费者没有直接的联系，就是把我们的产品扔两箱在大街上，扫大街的都没人要。而且我们的销售方式和普通厂家也不太一样，我们在国际国内都有销售办事处，同时还采用配套享受的形式。因此，我们加入诚信通并不是希望直接获得订单，而是想通过阿里巴巴的巨大知名度来提升我们公司的知名度，要让相关客户都知道中国有我们这样一个生产进口碳膜电位器和五金批咀的专业厂家。” 对于经营管理上的困难，董先生直言不讳：“当然，我们现在也遇到不少的困难，最困扰我的两个主要问题一是运输物流，二是生产。到现在我还没找到值得信赖和长期合作的物流公司，公司产品的运输经常得不到保证。现在阿里巴巴的网络交易渠道和交易方式已经很完善，我们也迫切希望阿里巴巴能提供物流服务。另一方面，最关键是生产上的问题，我们的生产往往赶不上订单的速度，这两个问题我正在努力解决中。” 对于公司今后的长远发展，“我们现在还属于生产元器件的厂家，随着公司的壮大，今后我们还将向半成品和终端消费品发展，我希望我们能形成终端消费品和相关的配套产业一条龙生产。”董先生显得踌躇满志。
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号
二．半导体管 三．其它电气图形符号
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 示例： (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器）
2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家规范，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， 表５
例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
一、填空题： 1.材料性质的表述包括力学性能、物理性质和化学性质。 2.化学分析、物理分析和谱学分析是材料成分分析的三种基本方法。 3.材料的结构包括键合结构、晶体结构和组织结构。 4.材料科学与工程有四个基本要素，它们分别是：使用性能、材料的性质、制备/加工和结构/成分。 5.按组成和结构分，材料分为金属材料，无机非金属材料，高分子材料和复合材料。 6.高分子材料分子量很大，是由许多相同的结构单元组成，并以共价键的形式重复连接而成。 7.复合材料可分为结构复合材料和功能复合材料两大类。 8.聚合物分子运动具有多重性和明显的松弛特性。 9.功能复合材料是指除力学性能以外，具有良好的其他物理性能并包括部分化学和生物性能的复合材料。如有 光，电，热，磁，阻尼，声，摩擦等功能。 10.材料的物理性质表述为光学性质、磁学性质、电学性质和热学性质。 11.由于高分子是链状结构，所以把简单重复（结构）单元称为链节，简单重复（结构）单元的个数称为聚 合度。 12.对于脆性的高强度纤维增强体与韧性基体复合时，两相间若能得到适宜的结合而形成的复合材料，其性能显示 为增强体与基体的互补。（ppt-复合材料，15页） 13.影响储氢材料吸氢能力的因素有：（1）活化处理；（2）耐久性（抗中毒性能）； （3）抗粉末化性能；（4）导热性能；（5）滞后现象。 14.典型热处理工艺有淬火、退火、回火和正火。 15.功能复合效应是组元材料之间的协同作用与交互作用表现出的复合效应。复合效应表现线性效应和非线性效 应，其中线性效应包括加和效应、平均效应、相补效应和相抵效应。 16.新材料发展的重点已经从结构材料转向功能材料。 17.功能高分子材料的制备一般是指通过物理的或化学的方法将功能基团与聚合物骨架相结合的过程。功能高 分子材料的制备主要有以下三种基本类型： ①功能小分子固定在骨架材料上； ②大分子材料的功能化； ③已有功能高分子材料的功能扩展； 18.材料的化学性质主要表现为催化性能和抗腐蚀性。 19.1977年，美国化学家MacDiarmid，物理学家Heeger和日本化学家Shirakawa首次发现掺杂碘的聚乙炔具有金 属的导电特性，并因此获得2000年诺贝尔化学奖。 20.陶瓷材料的韧性和塑性较低，这是陶瓷材料的最大弱点。 第二部分名词解释
一、电子及传感器基础知识、元器件基础知识前言： PCBA维修原则： 1、首先，要确认不良现象，排除误判误测，不良现象要有可重复性； 2、第二，要对外观进行复检，及时发现是否存在有错料，少料，多料等简单的外观不良； 3、第三，要找出维修记录或维修速查表，针对相应电子元件作检查。确认不良元件时可以与良 品交替互换或从电路板上拆除后单独测量； 4、第四，要找出PCBA功能的原理图，对照相应电路模块作检查，测量相关元件是否存在不良； 5、第五，如果是批量性不良，或以上方法无法维修的不良，可能是设计缺陷。 1、电子基础知识 电路的基本原理：电流，电压，电阻，电荷 电流是电荷在导线内流动的现象，电流的测量单位是安培(A)。电荷分为正电荷和负电荷二种。物质中的电子带有负电荷;而质子带有正电荷。电荷在导线内会由高电位的地方流向低电位的地方。电位的高低便形成了电位差，我们称为电压。电压愈大，流动的电流便愈大，电压的测量单位是伏特(V)。电流流动时会遇到阻力，就是电阻。每种物质都有电阻值，优良的导体如铜、白金等，它们的电阻很小，电流很容易通过。电阻很大，大到电流无法通过的物质就是绝缘体，而介于导体和绝缘体之间就是半导体。电阻的测量单位是欧姆(Ω)。 电流 是指电线中电子流动的相反方向，也就是质子流动的方向，通常以Ｉ表示，其单位为安培 A(Ampere)。直流电的电流方向固定由正极流向负极，并不会随时间而改变；而交流电的电流流向则会不断地交替变化，例如公司用电的电流便是每秒正负极交替变换50次的交流电，称为50赫兹(Hz)。而在台湾地区交流电的频率为60Hz。 电压 是指能使电在电线中流动的力量，通常以E表示，其单位为伏特V(Volt)，电流一般都是从高电压流向低电压，通常电源电位较高的一端以"+"号表示，而电位较低的一端则以"_"表示。电池、水银电池等，电压包含1.5V、3V、9V等，而家庭用电电压在台湾、美国日本为交流110V；在大陆为220V；欧州为240V。 电阻 是指阻挡电流在电线流动的阻力，通常以R表示，其单位为欧姆，任何物体都具有电阻，如同水流一般，物体的电阻大小随材质、长度、大小而异。电阻值大到不能导电的物质称为「绝缘体」，如塑料、木材等。电阻会消耗能量，消耗的能量通常以热的形式呈现，所以传输材料的电阻值愈低愈好，因此一般电线便采用导电性佳的铜线，为了减低能源的消耗，「低温超导体」已成为新兴的科技了。 电路符号示例 电路是由各种不同的组件组成，其相互关系通常使用电路图描述，而电路图的每个基本组件均使用电路符号表示。下图是摘取ATA2001(1866)一部分电路图为例。 如下图：
名词解释： 1、纳米：纳米是长度单位，10-9米，10埃。 2、纳米材料：指三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围（1-100nm）或由他们作为基本单元构成的材料。 3、原子团簇：由几个乃至上千个原子通过物理或化学结合力组成的相对稳定的微观或亚微观聚集体（原子团簇尺寸一般小于20nm）。 4、纳米技术：指在纳米尺寸范围内,通过操纵单个原子、分子来组装和创造具有特定功能的新物质。 5、布朗运动：悬浮微粒不停地做无规则运动的现象。 6、均匀沉淀法：利用某一化学反应使溶液中的构晶离子由溶液中缓慢地、均匀地释放出来，再与沉淀组分发生反应。 7、纳米薄膜材料：指由尺寸在纳米量级的颗粒构成的薄膜材料或纳米晶粒镶嵌与某种薄膜中构成的复合膜且每层厚度都在纳米量级的单层或多层膜。 8、真空蒸镀：指在高真空中用加热蒸发的方法是源物质转化为气相，然后凝聚在基体表面的方法。 9、超塑性：超塑性是指在一定应力下伸长率≥100％的塑性变形。 10、弹性形变：指固体受外力作用而使各点间相对位置的改变，当外力撤消后，固体又恢复原状。 11、塑性形变：指固体受外力作用而使各点间相对位置的改变，当外力撤消后，固体不会恢复原状。 HAII-Petch公式： σ－－强度；H－－硬度；d－－晶粒尺寸；K－－常数 纳米复合材料：指分散相尺度至少有一维小于100nm的复合材料。 14、蠕变：固体材料在保持应力不变的条件下，应变随时间延长而增加的现象。 15、热塑性：物质在加热时能发生流动变形，冷却后可以保持一定形状的性质。 大题： 纳米粒子的基本特性？ （1）小尺寸效应：随着颗粒尺寸的量变，在一定条件下会造成颗粒性质的质变，由于颗粒尺寸的变小，所导致的颗粒宏观物理性质的改变称为小尺寸效应。 （2）表面效应：纳米粒子表面原子数与总原子数之比随着纳米粒子尺寸的减小而显著增加，粒子的表面能和表面张力也随着增加，物理化学性质发生变化。（粒度减小，比表面积增大；粒度减小，表面原子所占比例增大；表面原子比内部原子具有更高的比表面能；表面原子比内部原子具有更高的活性） （3）量子尺寸效应：当金属粒子的尺寸下降到某一值时，金属费米能级附近的能级由准连续变为离散能级或能隙变宽的现象。 （4）宏观量子隧道效应：宏观物理量具有的隧道效应。 纳米陶瓷具有较好韧性的原因？ （1）纳米陶瓷材料有纳米相，具有纳米材料相关的性能，而纳米材料具有大的界面，界面原子排列相当混乱，原子在外力变形条件下容易迁移，从而表现出优良的韧性，因而纳米陶瓷也具有较好的韧性； （2）纳米级弥散相阻止晶粒长大，起到细晶强化作用，使强度、硬度、韧性都得到提高；（3）纳米级粒子的穿晶断裂，并由硬粒子对裂纹尖端的反射作用而产生韧化。
电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划 前言 电子材料和元器件是核心基础产业的重要组成部分，处于电子信息产业链的前端，是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础，作为体现自主创新能力和实现产业做强的重要环节，对于电子信息产业的技术创新和做大做强发挥着至关重要的作用。 根据信息产业“十一五”规划“加快元器件产业结构升级和提高电子专用材料配套能力”的总体要求，在深入调研、广泛论证的基础上，编制本规划，以此作为“十一五”我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件，作为国家进一步加强和规范行业管理的依据。 一、“十五”回顾 （一）产业规模进一步扩大 “十五”期间，我国电子材料和元器件产业保持了较快增长速度，产业规模进一步扩大（详见表1和表2），其销售收入、工业增加值、利润总额等指标均实现了快速增长，成为电子信息产业增长的重要力量。到“十五”末，我国电子材料和元器件产业规模仅次于日本和美国，居全球第三位。 表1 “九五”、“十五”末期电子材料和元器件发展指标对比 表2 2000-2005年我国电子材料和元器件产业指标情况
（二）部分产品产量居世界前列 经过“十五”的发展，我国已经成为世界电子基础材料和元器件的生产大国，产量占世界总产量的30%以上，部分产品产量居世界前列。其中，产量居全球首位的产品：电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、石英晶体器件、微特电机、电子变压器、彩管、玻壳、覆铜板材料、压电晶体材料、印刷电路板等。我国中低档电子材料和元器件产销量已居世界前列，成为全球重要的生产和出口基地（详见表3）。 表3 “十五”电子元件产品产量增长情况 （三）产品结构有所改善 “十五”期间，我国电子材料和元器件产品结构有所改善。阻容感元件片式化率已超过75%，接近世界平均水平；新型显示器件产业取得突破，国内两条第5代TFT-LCD 生产线均实现量产，PDP的研发和产业化取得一定进展，彩管正在向纯平、高清晰度方向发展；多层、挠性等中高端印刷电路板比例接近40%；锂离子、太阳能电池等绿色电池产量居世界前列；大功率高亮度的蓝光、白光LED已经批量生产。 （四）技术创新取得新进展 “十五”期间，国内关键元器件和电子材料产业在技术创新方面也取得了较大进展。内资电容器生产企业已经突破贱金属电极的瓶颈，大大降低了MLCC的成本；TFT-LCD 领域拥有了一定数量的核心专利，OLED技术研发取得重要进展；具有自主知识产权的光纤预制棒技术开发成功并实现产业化；已自主研制成功4英寸、6英寸GaAs单晶和4英寸InP单晶，并掌握主要技术；SOI（绝缘层上的硅）技术研究水平基本与国外同步，6英寸注氧隔离（SIMOX）晶片已经批量生产。 尽管“十五”以来，我国电子材料和关键元器件取得长足进步，但总体看，行业整体实力仍然不强。产品结构性矛盾突出，高端元器件和关键电子材料主要依赖进口；整机和元器件产业互动发展的机制尚未形成；国内骨干企业规模小、经济实力弱，自主创新能力不足；关税、投融资等政策环境亟待改善，低水平竞争、重复建设等问题仍较突出。 二、“十一五”面临的形势 （一）技术发展趋势 随着电子整机向数字化、多功能化和小型化方向发展，电子系统向网络化、高速化和宽带的方向发展，电子材料和元器件技术将发生深刻变化。 新型元器件将向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。微小型和片式化技术、无源集成技术、抗电磁干扰技术、低温共烧陶瓷技术、绿色化生产技术等已成为行业技术进步的重点。微电子机械系统(MEMS)和微组装技术的高速发展，将促进元器件功能和性能大幅提升。
3.在未加偏置电压的条件下，由于截流子的扩散运动，p 区和n 区之间的pn 结附近会形成没有电子和空穴分布的耗尽区。在pn 结附近，由于没有电子和空穴，无法通过电子-空穴对的复合产生光辐射。加上正向偏置电压，驱动电流通过器件时，p 区空穴向n 区扩散，在pn 结附近形成电子和空穴同时存在的区域。电子和空穴在该区通过辐射复合，并辐射能量约为Eg 的光子，复合掉的电子和空穴由外电路产生的电流补充。 5要满足以下条件a 满足粒子数反转条件，即半导体材料的导带与价带的准费米能级之差不小于禁带宽度即B.满足阈值条件，半导体由于粒子数产生的增益需要能够补偿工作物质的吸收、散射造成的损耗，以及谐振腔两个反射面上的透射、衍射等原因产生的损耗。即 第二章课后习题 1、工作物质、谐振腔、泵浦源 2、粒子数反转分布 5a.激光介质选择b.泵浦方式选择c 、冷却方式选择d 、腔结构的选择e 、模式的选择f 、整体结构的选择 第三章课后习题 10.要求：对正向入射光的插入损耗值越小越好，对反向反射光的隔离度值越大越好。原理：这种光隔离器是由起偏器与检偏器以及旋转在它们之间的法拉第旋转器组成。起偏器将输入光起偏在一定方向，当偏振光通过法拉第旋转器后其偏振方向将被旋转45度。检偏器偏振方向正好与起偏器成45度，因而由法拉第旋转器出射的光很容易通过它。当反射光回到隔离器时，首先经过起偏器的光是偏振方向与之一至的部分，随后这些这些光的偏振方向又被法拉第旋转器旋转45度，而且与入射光偏振方向的旋转在同一方向上，因而经过法拉第旋转器后的光其偏振方向与起偏器成90度，这样，反射光就被起偏器所隔离，而不能返回到入射光一端。 15.优点：A 、采用光纤耦合方向，其耦合效率高；纤芯走私小，使其易于达到高功率密度，这使得激光器具有低的阈值和高的转换效率。B 、可采用单模工作方式，输出光束质量高、线宽窄。C 、可具有高的比表面，因而散热好，只需简单风冷即可连续工作。D 、具有较多的可调参数，从而可获得宽的调谐范围和多种波长的选择。E 、光纤柔性好，从而使光辉器使用方便、灵巧。 由作为光增益介质的掺杂光纤、光学谐振腔、抽运光源及将抽运光耦合输入的光纤耦合器等组成。 原理:当泵浦激光束通过光纤中的稀土离子时，稀土离子吸收泵浦光，使稀土原子的电子激励到较高激发态能级，从而实现粒子数反转。反转后的粒子以辐射跃迁形式从高能级转移到基态。 g v c E F F 211ln 21R R L g g i th
物流学导论期末复习材料 一、考核目标和范围 本课程的教学任务是使学生掌握物流学的基本概念和学科组成，初步了解物流学的研究对象和基本理论体系，并使学生掌握学习物流的基本方法。具体要求学生了解现代物流与物流管理的概念及产生和发展的过程，理解物流系统及系统管理的方法，掌握物流的功能及作用、现代物流产业的构成和性质、物流服务、物流标准化、现代物流的发展趋势、物流政策等。
二、考核方式 期末考试采取开卷考试形式，考试内容应能客观反映出学生对本门课程主要概念的理解、掌握及综合运用能力。考试题型多样，偏重于对知识的理解和应用。 三、复习资源和复习方法 1、主教材：《物流学导论》汝宜红，北京交通大学出版社，2004年 2、教学课件：见学习平台“课程学习”。 复习方法：教材资料结合每周的周导学内容，完成每阶段作业 四、期末复习重难点 第一章物流的概念与作用 第一节物流的基本概念 物流的定义；物流的分类方法；第三方物流；国际物流 第二节物流管理概述 物流管理的定义、基本内容、应遵循的基本原则、特点 第三节物流的作用 物流创造时间效用、物流创造空间效用、物流在经济中的作用、物流对企业的作用 第二章物流的发展 本章重点掌握物流发展各个阶段的特点、世界物流发展趋势以及我国
的物流现状。 第三章物流学及其基本理论 本章重点掌握建立物流学科理论体系的意义；物流学学科体系；物流学的主要观点（商物分离、黑大陆和物流冰山说、第三个利润源说、效益背反说、物流森林） 第四章物流功能要素 本章内容也是本课程的重点。 1．理解物流活动的基本构成。 2．理解物流各功能要素的定义。 3．掌握包装、装卸搬运、运输、储存、流通加工、配送、物流信息等每一项物流功能要素的特点及其合理化方法。 第五章物流服务 1. 了解物流服务的概念及其影响因素。 2. 理解并掌握物流服务水平的确定方法。 3. 理解物流服务内容设计及物流服务的实施过程。 第六章物流标准化 主要介绍物流标准化方面的内容，要了解物流标准化的基本原则及我国物流标准体系组成框架构想。重点掌握物流标准化的概念、种类、作用及意义、物流标准化的方法。 第七章物流产业 本章重点：掌握物流产业的基本概念；理解并掌握物流产业的结构特点；了解中国物流产业的发展与现状；了解物流企业现状与发展趋势。
1.简述电子材料与信息技术间的关系？ 材料，能源，信息技术是当前攻击工人的新革命的三大支柱。在电子信息产业中，介电，磁电，光电，半导体，敏感等材料是信息技术基础和先导。 2. 简述半导体材料的分类及典型半导体材料的能带特点？ 功能分：微电子，光电半导体，热电半导体，微波半导体，敏感半导体等材料。化学分：元素半导体，有机半导体等。结构：晶态和非晶态半导体。能带特点：晶体中电子作共有化运动后，相应的能量也不同于孤立原子中的电子，将发生变化；原来孤立的原子能级都分裂成一组组彼此相距很 近的能级，每组构成一个能带。能带能级对应于晶体中电子作共有化运 动的能量称为允带。允许带间的能量范围对共有化运动状态时禁止的，称为禁带。典型半导体材料的能带结构与绝缘体类似，只有禁带宽度较窄，一般在2eV以下。 3. 硅主要以什么状态存在，为什么它不是一个好的光电子材料？ 硅在自然界中主要以二氧化硅或硅 酸盐化合物的形式存在。光电子材料的能带结构最好是直接带隙，而硅是间接带隙，而且对光的反射较强，光射在硅表面，能量损失30%左右，所以它不是一个号的光电子材料。 4. 电子材料可分为几代，每一代的代表材料是什么？ 三代：第一代是以Si和Ge为代表的单质半导体材料，第二代以GaAs和InP为代表的化合物半导体材料，第三代是以GaN和金刚石为代表的宽禁带半导体材料。 5. 半导体微结构材料分类方法及主要生长方法？ 分为三维材料二维材料一维材料零 维材料，按衬底不同分为GaAs基材料，InP基材料，Si基材料，生长方法：分子束外延MBE；金属有机化合物气相淀积MOCVD。 6.光电子材料可分为几类？典型的 探测器材料是那些？ 5类，激光材料，光电探测，光学功能，光纤，光电显示材料。典型的探测器材料有：HgCdTe,PtSi，PbS，InSb 等。 7.激光晶体和激光玻璃的特点是什么？ 激光晶体的特点是：荧光线宽，功率大，荧光寿命长，宽吸收带，高泵蒲量子效率。激光玻璃的特点：无荧光或较窄荧光，激光阀值高，储能能量大，热学性能差，膨胀系数大，热导率小，易于获得高光学质量和尺寸材料，各向同性。 8. 非线性光学晶体的性质？ 非线性光学系数大；能够实现相应匹配；透光波段宽，透明度高；有高的光转换效率；有较高的抗光损伤阀值；物理、化学性能稳定，硬度大；易于加工，价格低廉。 9. 光纤工作原理及结构特点？ 工作原理：全反射；结构特点：光导纤维由芯料外敷以涂层材料而成，大多数呈圆柱状。 10.简要回答主要集成电路衬底材料和互连材料及其发展方向？ 衬底材料：Si、SoI、3-5族氮化物半导体材料；发展方向：高热导率，高稳定性，宽带隙，耐高温材料。主要互连材料：金属导电，绝缘介质材料。发展方向：高热到率，低电阻率，抗点迁移率和应力迁移性好的材料发展。 11. 基板材料应该具有哪些特性，什么材料适合作基板？ 即高导热率。低介电常数与芯片具有良好的热匹配、低膨胀系数，优良的机械加工性能、化学活性小、低成本、无毒及电极的相容等性能。陶瓷，玻璃，树脂等材料。 12.简要回答半导体IC封装技术的 功能，介绍微电子封装技术发展趋势？ 保护、供电、冷却微电子器件、提供器件和外界的电和机械上的联系、保护芯片的导电丝。 发展趋势：多芯片封装，超薄型封装，三维封装乃至光互连。 13. 什么是微机电系统？简述其特点？其工艺与微电子工艺有哪些不同？ 是以微传感器，微执行器以及驱动和控制电路为基本元器件组成。特点：体积小、质量轻、功耗低，谐振频率高，响应时间短。微机电系统及器件的制造远非集成电路加工工艺所能及，必须在集成电路工艺基础上扩展一些专用的微机械加工技术，包括体型加工技术，表面加工技术，构件间的相互组装技术键合及封装技术，才能制造出具有一定性能的微器件和 微机电系统。 14.磁性材料按其组成可分为几类，各有何特点？ 金属磁性材料和铁氧体磁性材料。金属：磁导率大，磁滞损耗小，稳定性高。铁氧体：导电性属半导体范畴，高介电性。 15.软磁材料和永磁材料的磁滞回线的特点是什么？软磁材料的磁滞回线窄而长，起始磁 导率高，矫顽力小，容易获得磁性也 容易失去磁性。永磁材料的具有高的 剩余磁感应强度和矫顽力，磁能积 高，凸出系数和恢复磁导率趋于1， 稳定性好。 16.铁电材料和铁磁体有何相似的性 质？ 铁电材料在某温度范围内，具有自发 极化，且其极化强度可以因外电场而 反向，同铁磁体具有磁滞回线一样， 铁电材料具有电滞回线，铁磁体具有 磁畴，铁电材料也具有铁电畴。铁电 材料还有一个温度临界温度时，晶体 发生结构向转变，自发极化消失，没 有铁电性。 17.简述声光效应和磁光效应？ 声光效应：声波对光的“衍射”现象， 声波在透明介质中形成的介质密度 的周期性疏密变化，可视为一条光 栅，光栅条间隔等于声波波长，光通 过声波光栅时产生衍射；当光透过透 明的磁性物质或被磁性物质反射时， 由于存在自发磁化强度M，将产生的 各项异性，故可以观测到各种特殊的 光学现象，这些现象总称为慈光效 应。 18.正温度系数材料和负温度系数材 料的特点？ 正温度系数材料的电阻率随着温度 升高二增大，负温度系数材料的电阻 率随着温度升高而减少。 19.典型的气敏材料及敏感机理？ 典型的气敏材料有：SnO2气敏材料， ZnO气敏材料，氧化铁系气敏材料， 钙钛矿型气敏材料。敏感机理：当被 测气体在该物质表面吸附后，引起其 电学特性发生变化。 20.典型的电解电容器材料是什么？ 通过什么方法可以制备？ 典型的电解电容器材料有：铝和钼， 它们主要都是通过电化学的方法在 金属阳极表面生成氧化膜电解质。 21.介电陶瓷的特点是什么？ 介电常数高，变化范围大；串联电感 小；高强度，高可靠性，耐高温；电 阻率高，耐高点强度。 22.简述一种新型薄膜材料特点，制 备方法和应用？ Si基非晶态半导体薄膜：特点长程 有序，短程无序，可以部分实现连续 性的物性控制；制备方法：SiH4气体 的辉光放电分解法，溅射法，光CVD， 提高沉淀速率；应用：半导体集成电 路。 23.为什么说微电子材料是最重要的 信息材料，光电子材料是发展最快的 信息材料，光子材料是最有前途的信 息材料，请予以说明？ 微电子材料：芯片材料、基板材料、 封装材料、光刻材料、各种电子化学 材料。光电子材料：应用于光电子材 料的总称，是指具有光子和电子的产 生、转换、传输功能的材料，光电子 材料是光电技术的先导和基础，光电 子材料的研制与发展对光电子技术 起推动促进作用。 24.信息技术的哪几个环节依靠材料 和元器件的发展？ 信息技术的获取，传输，存储，显示， 处理环节依靠材料和元器件的发展。 25.晶体有哪些主要特征？ 有规则的外形；均匀性；解理性；固 定的熔点；各向异性。 26.简要说明单晶、多晶、非晶体的 主要特点？ 单晶体是指在整个晶体中，原子按照 同一种方式排列，整个材料被一个晶 格结构所贯穿，各向异性，有规则的 外形和固定的熔点；多晶体是由若干 个不同取向的小单晶组成，各项同 性，无规则的外形，原子仍对称和周 期性排列，有固定的熔点，非晶体中 原子排列不具有周期性，各项同性， 无规则的外形和固定的熔点。 27.请简要说明三种电子材料微观分 析方法？ （1）原子发射光谱：不同的元素， 其电子结构不同在光谱中波长的组 成和特征谱不同，可从原子受激后发 射的光谱及其强度对元素进行定性 和定量的分析。（2）结构分析方法： X射线衍射分析法，X射线在晶体中 传播满足一下关系发生反射：n=2d布 喇格反射公式，为X射线波长，d为 晶面间间距，为反射角，通过对衍射 花样的分析，可以获得晶体结构的各 种参数。测量衍射峰的位置，可以得 到晶胞的尺寸，对称性及晶面取向。 （3）显微分析法：光学显微镜 50~1500倍，透射显微镜几十万倍， 扫描显微镜几千~几万倍，可以观察 晶体结构、晶粒的大小和形状，晶粒 分布、晶粒取向、晶体缺陷。 28.简述电子材料发展趋势？ 晶体大尺寸化；晶体结构完美化；多 功能化；复合化；低维化；智能化。 29.研究半导体材料的结构主要有那 两个途径？ （1）能带论：从晶体结构长程周期 性研究电子能态结构；（2）化学键理 论：从物质化学组成，短程周期性研 究电子能态结构。 30.简要说明什么是半导体材料掺 杂，主要掺杂方式有哪些？重掺杂和 轻掺杂有什么不同，各用到哪方面？ 半导体掺杂就是在纯净的半导体掺 入浅能级杂质，主要的掺杂方式有热 扩散和离子注入，重掺杂与轻掺杂的 区别在于多子的浓度的大小，重掺杂 多子浓度大于轻掺杂浓度多子的浓 度。重掺杂用在做三极管的发射区， 轻掺杂用在做三极管的基区。 31.将简述Ge、Si的主要物理、化学 性质？ 都具有灰色金属光泽的固体，硬而 脆；锗的金属性更显著。在空气和常 温下化学性质时稳定的，但升温时， 却容易同氧，氯等多种物质发生化学 反应，锗不溶于盐酸和稀硫酸，但能 溶于弄硫酸，浓硝酸，王水以及 HF-HNO3，混合酸中。硅不溶于 HCL.H2SO4,HNO3,及王水,溶于 HF-HNO3混合酸中,锗与浓碱几乎不 起作用,但很容易溶于H2O2-NaOH混 合液,硅与碱在常温下就能发生反 应. 32.请简述三、五族化合物半导体的 性质、晶体结构、能带特点？ 典型材料:GaAs,Inp等.综合强度高, 熔点高,禁带宽度大,载流子迁移率 高,能带结构为直接跃迁型,几乎所 以得三五族化合物都排列成两种形 式的晶体结构,即立方闪锌矿型结构 和六角纤维锌矿型结构. 33.请简述GaN的特性？ GaN是一种坚硬稳定的高熔点材料. 晶体结构主要为闪锌结构,晶格常数 随生长条件,杂质浓度,化学配比的 变化而变化.非掺杂GaN为N型,电子 浓度为10(14~16)|cm3,呈高电导,利 用它的禁带宽度可制成蓝光器件. 34.什么是半导体微结构材料，简述 其分类及生长方法? 具有半导体异质结构,超晶格和具有 量子效应的半导体材料为半导体微 结构材料.按维数分为:三维,两维, 一维,零维材料,按衬底不同可 分:GaAs基材料,InP基材料,Si基材 料.生长方法主要有:分子束外延MBE, 金属有机化合物气相淀积MOCVD. 35.简述激光晶体的发展趋势？ 大功率激光,可调谐激光,二极管泵 浦激光,新波长晶体激光,适合光纤 通信新材料激光 36.简述HgCdTe红外探测器的特点？ （1）Hg1-xCdTe材料是HgTe-CdTe赝 二系化合物半导体合金材料，其禁带 Eg是组分x和温度T的函数，对x和 T的调节和选择，使Eg从半金属HgTe （-0.3ev）至半导体CdTe的Eg （1.648ev）之间连续变化，适当选 择x和T可以设计所需波长的探测器 材料，探测范围1~25微米； （2）HgCdTe 是一种本征半导体材料，其光吸收系 数比非本征半导体材料大得多，大约 1微米厚的材料可做到有效的光吸 收，探测器具有很高的量子效率；（3） HgCdTe材料热激发速率小，可在较高 温度下工作；（4）HgCdTe材料有很小 的电子有效质量，很高的电子迁移 率，低的本征载流子浓度和小的介电 常数，HgCdTe探测器有较高的光电导 增益和响应率，适合研制高频响应， 频带宽的探测器。 37.热释电探测器对材料有什么要 求？ (1),吸热,温度变化而产生的电压 大,(2),热释电系数大,(3),介电系 数小;(4),材料易于加工. 38.目前作为金属互连线是哪种材 料？具有何特点？取代原金属是哪 种材料，有何优势？ 目前是作为金属互联线的是AL,它具 有电阻率低,易淀积,易刻蚀,工艺成 熟的特点.取代它的是Cu,其特点是 低电阻率,抗电迁移和应力迁移性能 好,是理想的互连材料. 39.集成电路封装有哪些功能？ 保护芯片,以免由环境,传输引起芯 片损失;为芯片的输入,输出提供互 连;给芯片提供物理保障;给芯片散 热. 40.物质按磁性可分为几类？各有何 特点？ 软磁材料:磁滞回线窄而长,起始电 导率高,矫顽力小,既容易获得也容 易失去磁性.永磁材料:具有高的剩 余磁感应强度和矫顽力,磁能积液较 高,稳定性较好.压磁材料:形状和尺 寸能发生弹性变化,饱和磁化时磁致 伸缩系数大,能量密度大,应力产生 的推力大,能量转换率高,频带宽,工 作电压低,稳定性和可靠性高.旋磁 材料:高旋磁性,低损耗,高功率负荷, 高稳定性.磁光材料:主要是薄膜形 态的材料,一般具有高的磁光效应. 41.铁氧体的晶体结构有几种类型？ 各有何特点? 尖晶石型铁氧体:分子式AB2O4,A-B 间的超交换相互作用最强,主要用作 软磁材料,居里温度较低.磁铅石型 铁氧体:晶体结构分为六角晶系,不 易退磁,主要用作永磁材料,可制成 扁平状,原料丰富,价格低廉.石榴石 型铁氧体:晶体结构属于立方晶系, 主要用作旋磁材料,磁晶各向异性和 磁致伸缩系数均较小. 42.磁存储和磁记录是利用磁性材料 的何来记录和存储信息的？磁存储 和磁记录什么形式？ 利用磁性材料的矩形磁滞回线或磁 矩的变化来记录存储信息的.形式: 铁氧体存储器,磁膜存储器,超导存 储器磁光存储器;赐记忆形式:钢丝, 磁带,磁鼓.磁卡磁光盘. 43.请写出三种功能转换材料，各通 过何效应工作？ 压电晶体材料,通过压电效应工作, 热释电晶体材料,通过热释电效应工 作;电光晶体材料,通过电光效应工 作. 44.铁电体具有何特性？其居里温度 有何物理意义？ 特性:在某温度范围内具有自发极化, 自发极化强度可以因外电场而反向, 具有电电滞回线,存在一个温度临界 特性;及温度高于某一值时,机体结 构发生相变,自发极化消失,没有电 磁性,这个临界值就是居里温度. 45.声光效应将哪两种现象联系到一 起？其中一种现象起什么作用？ 衍射和反射,衍射是产生对称分布的 衍射光. 46.热敏电阻材料有什么特性？PTC 和NTC各代表什么材料？BaTiO3属哪 种材料？ 热敏电阻材料:电阻率随温度变化而 显著变化,PTC正温度系数热敏材料 NTC负温度系数热敏材料BaTiO3位 PTC材料 47简述氧化锡的气敏特性？ SnO2气敏材料主要检测对象为丙烷 酒精COH2H2S等,加入微量贵重金属 PtPd等作为增感剂可提高灵敏度和 选择性,添加CUNi等也对其工作温度, 灵敏度有一定影响. 48.湿度:大气中水蒸气的含量,可用 绝对湿度与相对温度表示,绝对温度 是指空气中水蒸气的绝对含量,相对 湿度是指某一待测蒸汽压与相同温 度下的饱和蒸汽压的比值百分数 49.主要的湿敏材料和气敏材料有哪 些？ 湿敏:电解质系的LiCL+聚乙烯醇膜, 有机物系的纤维素+炭,金属基金属 氧化物系的涂布膜.气敏:SnO2气敏 材料ZnO气敏材料FeO3气敏材料. 请介绍一种新材料:纳米材料,指在 三维空间中至少有一维处于纳米尺 度范围(1-100nm)或由他们作为基本 单元构成的材料,这个约相当于 10-100个原子紧密排列在一起的尺 度.应用研究方面:降解材料领域;制 造结构陶瓷材料;电磁材料方面的应 用纳米颗粒具有独特的电学性能.电 子计算机和电子工业可以从阅读 硬盘上读卡机以及存储容量为目前 芯片上千倍的纳米材料级存储器芯 片都已投入生产。计算机在普遍采用 纳米材料后，可以缩小成为“掌上电 脑”。环境保护环境科学领域将出现 功能独特的纳米膜。这种膜能够探测 到由化学和生物制剂造成的污染，并 能够对这些制剂进行过滤，从而消除 污染。惰性气体下蒸发凝聚法。通常 由具有清洁表面的、粒度为1-100nm 的微粒经高压成形而成，纳米陶瓷还 需要烧结。国外用上述惰性气体蒸发 和真空原位加压方法已研制成功多 种纳米固体材料，包括金属和合金， 陶瓷、离子晶体、非晶态和半导体等 纳米固体材料。我国也成功的利用此 方法制成金属、半导体、陶瓷等纳米 材料。 简述石墨烯的制备方法,特性及应 用. 机械剥离法;氧化石墨;化学气相沉 积法;外延生长法;电化学法;电弧法; 有机合成法.. 高比表面积,高导电性,机械强度高, 易于修饰及大规模生产等.应用:可 做成太空电梯缆线,代替硅生产超级 计算机,光子传感器,超高效太阳能 电池.本发明公开了一种石墨烯的制 备方法，属于化学合成技术领域。本 发明方法以金属钠和卤代烃为原料， 通过在惰性环境下在溶剂中进行反 应制备石墨烯。反应温度优选在120 －400℃之间，更优选为160－360℃之 间；金属钠和卤代烃的摩尔比优选在 1∶1－100∶1之间；其中卤代烃可在 反应前加入，也可在随着反应的进行 而加入；卤代烃优选为卤代C1－4脂 肪烃和卤代苯，如四氯乙烯、六氯苯、 三氯乙烯、溴苯、四溴乙烯等；本方 法还优选对制得的石墨烯进行后处 理以提高纯度。本发明方法具有设备 简单，容易操作，成本低廉，产率较 高且产物性能较好的优点，可在石墨 烯及相关产品如锂离子电池等的工 业化生产中发挥重要作用，应用前景 广阔。