哈尔滨工业大学微电子学与固体电子学专业复试——基础电子技术习题
第一章基本放大电路
1-1 填空：
1．本征半导体是，其载流子是和。载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是
和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。它工作在。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有
和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225V
U O
1k Ω
( )
b D Z1D Z225V
U O
1k Ω( )
c ( )
d ( )a D Z1D Z225V
U O
1k Ω
D Z1D Z225V
U O
1k Ω
图1-2
1-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b
( )
c
图1-3
1-4在如图1-4所示的基本放大电路中，设晶体管的β=100，U BEQ=-0.2V，r bb′=200Ω，C1，C2足够大。
1．计算静态时的I BQ，I CQ和U CEQ。
2．计算晶体管的r be的值。
3．求出中频时的电压放大倍数A u。
4．若输出电压波形出现底部削平的失真，问晶体管产生了截止失真还是饱和失真？若使失真消失，应该调整电路中的哪个参数？
5．若将晶体三极管改换成NPN型管，电路仍能正常工作，应如何调整放大电路，上面1~4得到的结论是否有变化？
6．用EWB仿真验证上述结论。
图1-4
1-5放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a：增大、b：减小、c：不变（包括基本不变）
1．要使静态工作电流I c减小，则R b2应。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
3．R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
4．从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。
5．V cc减小时，直流负载线的斜率。
图1-5
1-6电路如图1-5所示，设V CC=15V，R b1=20kΩ，R b2=60Kω，R C=3kΩ，R e=2kΩ,电容C2，C2和C e都足够大，β=60，U BE=0.7V，R L=3kΩ
1．电路的静态工作点I BQ、I CQ、U CEQ。
2．电路的电压放大倍数A u，放大电路的输出电阻r i和输出电阻r0
3．若信号源具有R S=600Ω的内阻，求源电压放大倍数A us。
1-7 图1-7所示电路中，已知三极管的β=100，U BEQ =0.6V ，r bb ′=100Ω。 1．求静态工作点。 2．画微变等效电路。
3．求i o1u U U A ='
。
4．求r i ，r o1，r o2。
图1-7
1-8 在图1-8中所示电路中，已知U GS =-2V ，管子参数I DSS =4mA 。U p =-4V 设电容在交流通路中可视为短路。
1．求电流I D 和电阻R S1。
2．求正常放大条件下，R S2可能的最大值。
3．画出微变等效电路，用已求得的有关数值计算A u ，r o1和r o2（设r DS 的影响可以忽略不计）。
4．为显著提高u A ，最简单的措施是什么？
(+10V)
u
图1-8
1-9电路如图1-9所示，场效应管的r DS>>R D，求：
1．画出该放大电路的微变等效电路；
2．写出A u，r i和r o的表达式；
3．定性说明当R S增大时，A u，r i，r o是否变化，如何变化？
4．若C S开路，A u，r i，r o是否变化，如何变化？写出变换后的表达式。
图1-9
第二章 多级放大电路与频率特性
2-1 填空：
1．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为：
)
1(1(100061010
10
u f
f f
j j
A ++=
式中f 单位Hz
表明其下限频率为 ；上限频率为 ；中频电压增益为 dB ，输出电压与输入电压中频段的相位差为 。
2．幅度失真和相位失真统称为 失真，它属于 失真，在出现这类失真时，若u i 为正弦波，则u o 为 波，若u i 为非正弦波，则u o 与u i 的频率成分 ，但不同频率成分的幅度 变化。
3．饱和失真，截止失真都属于 失真，在出殃这类失真时，若u i 为正弦波，则u o 为 波。u o 与u i 的频率成分 。
4．多级放大电路的通频带比组成它的各个单级放大电路的通频带 。 5．多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单级放大电路在相同频率产生的附加相移 。
6．多级放大电路放大倍数的波特图是各级波特图的 。
7．在三级放大电路中，已知|A u1|=50，|A u2|=80，|A u3|=25，则其总电压放大倍数|A u |= ，折合为 dB 。
8．在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ，而前级的输出电阻则也可视为后级的 ；前级对后级而言又是 。
9．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用 耦 合方式。
10．为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用 耦合方式。
2-2 电路图2-2所示：其中V cc =6.7V ，R b =300k Ω，R c =2 k Ω，晶体管的β=100，r bb ’=300Ω，U BE =0.7V ，电容C 1=C 2=5μF ，R L =∞
1．求中频电压放大倍数A u 2．求下限频率f L
3．若信号频率f =10Hz ，希望放大倍数|A u |仍不低于0.7|A um |则应更换哪个元件？其值为多少?
图2-2
2-3 放大电路如图2-3所示，试判断下列说法是否正确。
1．增大电容C 1，C 2，将有利于高频信号流通，因此可以提高上限频率f H 。
2．当集电极电阻R C 增大时，中频增益|A um |增大，由于电路的增益带宽积近似为常数，因此f H 减小。
3．C b'e 通常远小于C b'e ，所以它对频率特性的影响可以忽略不计，在分析f H 时，只需考虑C b'e 的作用的就行了。
2-4 某放大电路的电压放大倍数复数表达式为： )
1)(1)(1(5.0510100
2
2
u f
f
f
j j
j
f
A +++=
f 的单位为Hz
1．求中频电压放大倍数A um 2．画出A u 幅频特性波特图
3．求上限截止频率f H 和下限截止频率f L
2-5 图2-5中的T 1，T 2均为硅管，U BE =0.7V ，两管间为直接耦合方式，已知β1=β2=50，r b b’1= r b b’2=300Ω，电容器C 1，C 2，C 3，C 4的容量足够大。 1．估算静态工作点I CQ2，U CEQ2（I BQ2的影响忽略不计） 2．求中频电压放大倍数A u 3．求输入电阻r i 和输出电阻r o 4．用仿真验证上述结果
+-
U o L ΩCC
图2-5
2-6 电路如图2-6所示
1．写出i o u U U
A =及r i ，r o 的表达式（设β1，β2 ，r be1，r be2及电路中各电阻均为已知
量）
2．设输入一正弦信号时，输出电压波形出现了顶部失真。若原因是第一级的Q 点不合适，问第一级产生了什么失真？如何消除？若原因是第二级Q 点不合适，问第二级产生了什么失真？又如何消除？
+-
U o
图2-6
第三章 差动、功放电路
3-1 填空
1．放大电路产生零点漂移的主要原因是 。
2．在相同的条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电路 。这是由于 。
3．差动放大电路是为了 而设置的，它主要通过 来实现。
4．在长尾式差动电路中，R e 的主要作用是 。
5．抑制零漂的主要措施有 种，它们是 。
3-2 某差动放大电路如图3-2所示，设对管的β=50，r bb ′=300Ω,U BE =0.7V ，R W 的影响可以忽略不计，试估算： 1．T 1，T 2的静态工作点。 2．差模电压放大倍数A ud =12
11o
ΔΔΔU U U
3．仿真验证上述结果。
V EE (-12V)
图3-2
3-3 在图3-3所示的差动放大电路中，已知两个对称晶体管的β=50，r be =1.2k Ω。 1．画出共模、差模半边电路的交流通路。
2．求差模电压放大倍数i2i1o
ud ΔU U U A ??-=。
3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR 。
V V EE
EE
图3-3 图3-4
3-4 分析图3-4中的电路，在三种可能的答案（a ：增大；b ：减小；c ：不变）中选择正确者填空，设元件参数改变所引起的工作点改变不致于造成放大管处于截止或饱和状态。 1．若电阻R e 增大，则差模电压放大倍数 ，共模电压放大倍数 。
2．若电阻R 增大，则差模电压放大倍数 ；共模电压放大倍数 。
3．若两个R C 增大同样的数量，则差模电压放大倍数 ；共模电压放大倍数 。
3-5 在图3-5所示的放大电路中，各晶体管的β均为50，U BE =0.7V ，r be1=r be2=3k Ω，r be4=r be5=1.6k Ω，静态时电位器R W 的滑动端调至中点，测得输出电压U o =+3V,试计算： 1．各级静态工作点：I C1、U C1、I C2、U C2、I C4、U C4、I C5、U C5（其中电压均为对地值）以及R e 的阻值。
2．总的电压放大倍数1
o
u ΔΔU U A =（设共模抑制比极大）。
(+6V)
(-6V)
图3-5
3-6在图3-4的电路中，T1，T2的特性相同，且β很大，求I C2和I CE2的值，设U BE=0.6V。
I
I
图3-6
3-7 填空：
1．功率放大电路的主要作用是。
2．甲类、乙类、甲乙类放大电路的是依据放大管的大小来区分的，其中甲类放大；乙类放大；甲乙类放大。
3．乙类推挽功率放大电路的较高，这种电路会产生特有的失真现象称；为消除之，常采用。
4．一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选至少为
W的功率管个。
3-8在图3-8功放电路中，已知V CC=12V，R L=8Ω。u i为正弦电压，求：1．在U CE(sat)=0的情况下，负载上可能得到的最大输出功率；
2．每个管子的管耗P CM至少应为多少？
U至少应为多少？
3．每个管子的耐压
(BR)CEO
CC
L u o
图3－8
3-9 电路如图3-9所示，已知T 1，T 2的饱和压降为2V ，A 为理想运算放大器且输出电压幅度足够大，且能提供足够的驱动电流。u I 为正弦电压。 1．计算负载上所能得到的最大不失真功率； 2．求输出最大时输入电压幅度值U im ； 3．说明D 1，D 2在电路中的作用。
180k Ω
L
u o
R Ω
图3-9
3-10 填空：
1．集成运算放大器是一种采用 耦合方式的放大电路，因此低频性能 ，最常见的问题是 。
2．理想集成运算放大器的放大倍数A u ＝ ，输入电阻r i ＝ ，输出电阻r o ＝ 。
3．通用型集成运算放大器的输入级大多采用 电路，输出级大多采用 电路。
4．集成运算放大器的两上输入端分别为 端和 端，前者的极性与输出端 ；后者的极性同输出端 。
5．共模抑制比K CMR 是 之比，K CMR 越大，表明电路 。 6．输入失调电压U IO 是 电压。
第四章 集成运算放大器的线性应用
4-1 在图4-1所示的电路中，A 为理想放大器，D 为想理二极管，试分析U o 和U i 的函数关系。
A
R D
i
u o
u 2
1
R f
R
图4-1
4-2 在图4-2所示的电路中，线性组件A 均为理想运算放大器，其中的图（e ）电路，已知运放的最大输出电压大于U z ，且电路处于线性放大状态，试写出各电路的输出与输入的关系式。
A
i
u o
u R
2R
（a ） (b)
A
R 1R 2
o u i1u i2
u C
A
i
u o
u R R
R/2
3
(c) (d) (e)
图4-2
4-3 电路如图4-3（a ）所示 1.写出电路的名称
2.若输入信号波形如图（b ）所示，试画出输出电压的波形并标明有关的电压和所对应 的时间数值。设A 为下想的运算放大器两个正、反串接稳压管的稳压值为±5V。
3.用仿真验证。
i
u k Ω
10u i t (s)
10
-10
1
2
3
4
(V)
图4－3
4-4 在图4-4所示的增益可调的反相比例运算电路中，已知R 1＝R w =10kΩ，
R 2=20kΩ，U i =1V ，设A 为理想运算放大器，其输出电压最大值为±12V，求：
1． 当电位器R w 的滑动端上移到顶部极限位置时，U o =? 2． 当电位器R w 的滑动端下移至底部极限位置时，U o =? 3． 当电位器R w 的滑动端处在中间位置时U o =? 4． 电路的输入电阻r i =？
图4-4
4-5 在图4-5所示的电路中，A 1，A 2理想运算放大器，求U o 的表达式。
图4-5
4-6图4-6中的D为一个PN结测温敏感元件，它在20℃时的正向压降为0.560V，其温度系数为—2mV/℃，设运算放大器是理想的，其它元件参数如图中所示，试回答：
1．I流向何处？它为什么要用恒流源？
2．第一级的电压放大倍数多少？
3．当R w的滑动端处于中间位置时，U o（20℃）=？U o（30℃）=？
4．U o的数值是如何代表温度的（U o与温度有何关系）？
5．温度每变化一度，U o变化多少伏？
R
图4-6
4-7 设图4-7中的运算放大器都是理想的，输入电压的波形如图4-7（b ）所示，电 容器上的初始电压为零，试画出u o 的波形。
O -0.1
u i1
u i2
t (s)
O
2134
t (s)
图4-7
4-8 用集成运算放大器实现下列运算关系（画电路图） t u u u u d 532i3i2i1o ?-+=
要求所用的运放不多于三个，元件要取标称值，取值范围为 1kΩ≤R ≤1MΩ 0.1μF≤C ≤10μF
第五章：负反馈放大电路
5-1 负反馈可以展宽放大电路的通频带，图5-1所示画出了三种负反馈放大电路的频率特性，你认为哪一种是正确的？
闭环
开环
A
lg 20f
闭环
开环A
lg 20f 闭环
开环A
lg 20f
（a ） （b ） （c ）
图5-1
5-2 判断图5-2所示各电路中的反馈支路是正反馈还是负反馈。如是负反馈，说明是何种反馈类型。
o CC
V
+o
f
（a ） （b ） （c ）
图5-2
2009年本部微电子专业复试笔试题。 建议：复习参考书选择，晶体管原理部分，用罗老师讲课的小本的就行。 如时间充裕可适当看大本的。 电子技术选用本部的基础电子技术和集成电子技术，基本是原题，课后思考题，主要看1---10章，后面的部分不是重点。 半导体集成电路看韩老师讲的课件，本部历年的真题，半导体集成电路那本书也可以适当看看。 题目比较简单，但是题量比较大，文字部分的书写较多，合理分配时间。 晶体管原理 一．简答 1.发射效率和基区输运系数的定义，有什么意义。 2 .JEFT,MOSFET,MAOSFET,MNSFET个代表什么 3.基区宽度扩展对什么参数或什么特性有什么影响 4.镇流电阻如何接，阻值大小有何影响 5.扩散电容的原理.其本质是什么? 二：结合BJT的载流子输运过程，说明为什么说尽量增加发射区掺杂浓度，大于基区掺杂浓度，可以提高共发射极电流放大系数。 三：电荷控制方程以及每部分代表的意义是什么。 四：PN结加正向偏压Vf 和反向偏压Vr 时，画出少数载流子浓度分布图，并写出边界区载流子浓度表达式和载流子浓度分布方程。 五：发射极电流集边效应定义，产生原因。 电子技术 六：本部基础电子技术64页图2.3.1，求其负载电阻分别为无穷大和5K时的Q点，放大倍数、Ri 、Ro。 七：出自本部基础电子技术第3章第5题 【3-5】在图3-5所示的差分放大电路中，已知两个对称晶体管的β=50，r be=1.2kΩ。 1．画出共模、差模半边电路的交流通路。 A。 2．求差模电压放大倍数ud 3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR。 V C V EE 图3-5题3-5电路图 解：
哈尔滨工业大学《材料结构与力学性能》考研大纲 一、考试要求 试卷内容分为两部分：第一部分为材料结构与缺陷；第二部分为材料力学性能。 材料结构与缺陷部分的基本要求是应考者需全面掌握晶体材料结构及其缺陷的基本概念、基本规律、基本原理，要求能灵活运用材料结构与缺陷的基本理论综合分析材料结构与性能的相关性。 材料力学性能的基本要求是：(1)理解并掌握材料弹性变形、塑性变形与断裂等基本力学行为的宏观规律及微观本质，并进一步了解应力状态、试样几何因素以及环境因素对材料力学行为的影响；(2)熟悉材料常用力学性能指标的意义、测试原理、影响因素及其应用范围，具有按照实际工作条件和相关标准、规范等正确选择试验方法和指标进行材料测试、评价及选择材料的能力，并了解改善材料力学性能的基本方法和途径。 二、考试内容 1）材料结构与缺陷部分 a:晶体学基础：原子的结合键、结合能；结合键的特点、与性能的关系；晶体学的基本概念；晶面指数、晶向指数的标定；晶面间距的计算；晶体的对称性。 b:晶体结构：典型纯金属的晶体结构；合金相的晶体结构；离子晶体结构；共价晶体结构；亚稳态结构。 c:晶体缺陷：晶体缺陷的分类、结构、表征、运动特性；空位和间隙原子形成与平衡浓度；位错的基本类型与表征、位错的运动与增殖、位错的弹性性质、实际晶体中的位错；界面、相界、孪晶界；位错及位错与其他晶体缺陷的交互作用。 d:相图：相图的基本规律、分析方法与应用；分析各种类型的二元相图及其晶体的结晶过程和组织；三元相图的基本知识。 2）材料力学性能部分 a:材料基本力学性能试验：(1)掌握静载拉伸试验方法与拉伸性能指标的含义及测定，熟悉典型材料拉伸变形断裂行为与应力－应变曲线；(2)熟悉压缩、弯曲、扭转试验原理、特点及应用，了解应力状态对材料力学行为的影响；(3)掌握布氏、洛氏、维氏硬度试验原理、特点及应用范围。 b:材料变形行为与变形抗力：(1)掌握弹性变形行为及其物理本质，熟悉材料的弹性常数及其工程意义；(2)熟悉材料塑性变形行为及其微观机制，了解材料物理屈服现象；(3)了解材料的理论与实际屈服强度、微观与宏观屈服应力及宏观屈服判据；(4)了解材料强化的基本途径与常用方法。 c:材料断裂行为：(1)了解材料常见断裂形式及其分类方法；(2)熟悉金属延性断裂行为及微观机制；(3)熟悉解理和沿晶断裂行为及微观机制；(4)了解断裂的宏观强度理论。 d:材料的脆性及脆化因素：(1)了解材料脆性的本质及表现，熟悉微观脆性与宏观脆性的联系与区别；(2)熟悉缺口顶端的应力和应变特征，了解缺口试样拉伸行为及缺口敏感性；(3)了解冲击载荷特征与冲击变形断裂特点，掌握缺口试样冲击试验与冲击韧性的意义及应用； (4)了解材料低温脆性的本质及其评定方法。 e:材料裂纹体的断裂及其抗力：(1)了解材料的理论断裂强度，掌握Griffith强度理论及应用；(2)掌握线弹性断裂力学的基本概念与基本原理，了解裂纹尖端塑性区及其修正；(3)了解裂纹体的断裂过程与断裂韧性的测定及其影响因素。 f:材料的疲劳：(1)熟悉高周、低周疲劳行为,s-N与-N疲劳曲线及其经验规律，掌握疲劳抗力的意义及表征；(2)了解疲劳断裂过程、特征及微观机制；(3)掌握疲劳裂纹扩展的断
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院 2017\2018年硕士研究生招生复试指导 根据教育部关于加强硕士研究生招生复试工作的指导意见及学校有关要求，硕士研究生入学考试初试合格的考生和推免生均需参加复试，材料科学与工程学科2015/2016年硕士研究生招生复试指导确定如下： 复试比例及主要内容， Ⅰ复试由笔试和面试两部分组成，外国语听力考试在面试中进行。复试的总成绩为280分，其中笔试200分，面试80分。 Ⅱ复试笔试科目 （一）报考080501材料物理与化学学科的考生 以下共有六套考题供考生选择。参加复试的考生须从六套题中任选两套考题回答。每套题100分，共200分。 第一套题：材料X射线与电子显微分析 一、X射线物理基础 1. 连续X射线 2. 特征X射线 3. X射线与物质相互作用（包含相干散射、非相干散射、光电子、X射线荧光及俄歇电子） 二、X射线衍射方向 1. 布拉格方程的推导 2. 布拉格方程的讨论（包含反射级数、干涉指数、消光等） 三、X射线衍射强度 1．原子散射因子 2．结构因子（包括含义、推导及如何用结构因子推导晶体消光规律） 3．多晶体X射线衍射强度影响因素 四、电子光学基础与透射电子显微镜 1. 电子光学 2. 电磁透镜及相差分析。 五、透射电镜的构造 1. 透射电子显微镜结构及成像原理 2. 透射电子显微镜的分辨本质及放大倍数。 六、电子衍射 电子衍射原理及衍射花样的标定 七、透射电子显微镜的衬度原理 1. 质厚衬度 2. 衍衬成像原理 3.消光距离 八、扫描电子显微分析 扫描电子显微镜工作原理及构造，表面形貌衬度原理及应用 九、电子探针显微分析 电子探针仪的结构及工作原理，电子探针仪的分析方法及应用
哈尔滨工业大学微电子学与固体电子学专业复试——基础电子技术习题 第一章基本放大电路 1-1 填空： 1．本征半导体是，其载流子是和。载流子的浓度。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。 3．漂移电流是在作用下形成的。 4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是 和。 5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。它工作在。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。 7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有 和两种载流子参与导电。 8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。 9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。 10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。 11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。 12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。 13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。 1-2设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225V U O 1k Ω ( ) b D Z1D Z225V U O 1k Ω( ) c ( ) d ( )a D Z1D Z225V U O 1k Ω D Z1D Z225V U O 1k Ω 图1-2 1-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。 ( )a ( )b ( ) c 图1-3
复旦微电子考研心得 复旦的复试还是很公正的,复试的时候分了三个组,每组5个老师,4个设计1个工艺,4个设计包括模拟和数字的.先是英语听说,让你读一段专业英语,然后用英语总结,呵呵,说真的,那段英语我没看懂.然后让我用英语介绍下合肥,我又蒙了!英语测试后是专业测试,都是很基础的问题,不过范围很广,从模电,数电,到模拟设计,工艺,大家也不要怕,老师也知道你不怎么懂的,个人感觉我回答的不好.复试出来的时候,楸了一眼,足足记录了两页纸,老师对每一项都打分,感觉好象我说的每一句话,他们都记录下来了,感叹一下! 介绍下心得和情报吧！复旦没有想象的那么难，但也不简单。分析一下，复旦专业课最高分132，还是一个哈工大的人考的，所以专业课难大家都难，复旦的学生专业课上的优势没有想象的那么大，但同样不能忽视专业课的复习。考复旦，基础课一定要好，英语70+数学130+，专业课考个110左右，这样总分就差不多了。 1.复旦07年设计的复试线是343，比06年的369低了20多分吧！今年题目比较难。 2.大家不要轻信网上买的复旦资料，我买了一份，200块，拿到手一看一无是处，我复习的时候根本就没有看买的那些资料。 3.复试非常重要，今年有个360+的被刷了。专业背景很重要，所以不鼓励跨专业。 下面谈谈专业课复习 1)模电看的是（童）的书，错误很多，我是都看完了，课后习题全做了。又听网上介绍买了一本清华出的习题集（唐竞新），作完后感觉没什么用处，题目重复很多，还超范围，可以说完全没必要买这本习题集。大家把童的书多看几遍就没问题了。今年听说复旦出了一本模电，没有看过，不评论。 2)数电看的是复旦的教材（陈光梦）和配套的教学参考，这本书写的非常不错，内容和讲解都很详细，错误只有一两处吧！课后习题当然是全做了，06年考了一个奇偶校验的题和课后习题很像，07年的题的解题思路和教学参考上讲的一样。读看几遍吧，基础差的可以找别的数电来加强一下。 3)集成电路部分说真的，这部分内容我还是不知道怎么考的，非常乱。06年出了一道VHDL的题，07年一道版图，一点规律都摸不到。要说经验，先把考试大纲上要求的概念背下来吧，再看看CMOS，CMOS上的几个公式非常重要。07年模电部分的一道大题，差分放大，恒流源的电流没有直接给出来，而是用CMOS上的电流公式求解。解出来电流，整个题就非常简单了。题目很简单，但是没看过CMOS，电流不会求，这个题得不到分了。CMOS的内容还是有点多，我有复旦老师总结的10多页资料，记下来就好了。ASIC和数字电路设计就只有碰碰运气了，听听工大自己开的课。05年考的判断电路故障的一维通路敏化法，工大老师就讲过。 总体来说,大家先树立考复旦的信心!付出总有回报,坚持到底,希望明年能见到工大的学弟学妹^_^ 心得之二:
1、课程代码 2、课程名称 材料科学基础 3、授课对象 金属材料工程专业本科生 4、学分 3.5 5、修读期 第4学期 6、课程组负责人 彭志方教授、雷燕讲师 7、课程简介 材料科学基础是材料科学与工程专业一级学科公共主干专业课。本课程将系统、全面地介绍材料基础理论知识，诸如材料的结合键、材料的晶体结构、晶体结构缺陷、材料的相结构与相图、材料的凝固、材料中的扩散，材料的塑性变形与强化、材料的亚稳态。本课程着眼于材料基本问题、从金属材料的基本理论出发，将高分子聚合物材料、陶瓷材料、复合材料等结合在一起，使学生能把握材料的共性，熟悉材料的个性。通过理论教学与实验教学，使学生不仅能掌握基本理论，善于分析和解决问题，同时也培养学生的动手能力、验证理论、探索新知识的能力。本课程也是材料科学与工程专业的技术基础课，它为该专业学生的后续课程，如材料加工成型、材料热处理、材料的性能、工程材料学、材料测试、材料的近代研究方法、计算机在材料科学中的应用等提供基础。 8、实践环节学时与内容或辅助学习活动 材料科学基础综合实验1周 9、课程考核 布置课后作业，作为平时成绩，占30％。 期末考试为闭卷考试，卷面考试成绩占70％。 10、指定教材 石德珂，材料科学基础，机械工业出版社，2006 11、参考书目 [1] 物理冶金基础，冶金工业出版社，唐仁正，1997 [2] 材料科学基础，哈尔滨工业大学出版社，赵品，谢辅洲，孙文山.，2000 [3] 材料科学基础，清华大学出版社，潘金生等，1998 [4] 金属学，上海科技出版社，胡庚祥，钱苗根.，1980 12、网上资源
1、课程代码 2、课程名称 材料工程基础 3、授课对象 金属材料工程专业本科生 4、学分 2.5 5、修读期 第5学期 6、课程组负责人 李正刚讲师、梁夏讲师 7、课程简介 《材料工程基础》是材料专业学生的重要技术基础课，主要阐述了固态相变的基础理论和材料强化的基本工艺方法，并介绍了常用的各种工程材料。本课程重点放在基本现象、基本概念和基本方法上，主要内容包括钢的加热转变、冷却转变、回火转变，珠光体相变，马氏体相变，贝氏体相变，钢的退火、正火、淬火和回火和工业用钢、铸铁及有色合金等内容。阐明了钢在不同工艺条件下的组织转变规律，介绍基本的和成熟的相变理论。并运用有关基本知识分析认识和研究材料发展的内在规律，提出提高材料强韧性的途径。对不同种类材料的合金化问题分别进行了分析，目的在于是学生掌握如何根据构件的服役条件和对性能的要求正确地选择材料和合理地制订工艺。 8、实践环节学时与内容或辅助学习活动 材料工程基础综合实验1周 9、课程考核 布置课后作业，作为平时成绩，占30％。 期末考试为闭卷考试，卷面考试成绩占70％。 10、指定教材 崔忠析，金属学与热处理，机械工业出版社， 1993 11、参考书目 [1] 胡光立，谢希文. 钢的热处理. 西安：西北工业大学出版社，1993 [2] 戚正风. 金属热处理原理.北京：机械工业出版社，1988 [3] 安运铮. 热处理工艺学. 北京：机械工业出版社，1988 12、网上资源
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院 2012\2013年硕士研究生招生复试指导 根据教育部关于加强硕士研究生招生复试工作的指导意见及学校有关要求，硕士研究生入学考试初试合格的考生和推免生均需参加复试，材料科学与工程学科2011年硕士研究生招生复试指导确定如下： 复试比例及主要内容， Ⅰ复试由笔试和面试两部分组成，外国语听力考试在面试中进行。复试的总成绩为280分，其中笔试200分，面试80分。 Ⅱ复试笔试科目 （一）报考080501材料物理与化学学科的考生 以下共有六套考题供考生选择。参加复试的考生须从六套题中任选两套考题回答。每套题100分，共200分。 第一套题：材料X射线与电子显微分析 一、X射线物理基础 1. 连续X射线 2. 特征X射线 3. X射线与物质相互作用（包含相干散射、非相干散射、光电子、X射线荧光及俄歇电子） 二、X射线衍射方向 1. 布拉格方程的推导 2. 布拉格方程的讨论（包含反射级数、干涉指数、消光等） 三、X射线衍射强度 1．原子散射因子 2．结构因子（包括含义、推导及如何用结构因子推导晶体消光规律） 3．多晶体X射线衍射强度影响因素 四、电子光学基础与透射电子显微镜： 1. 电磁透镜的像差种类、消除或减少像差的方法； 2. 透射电子显微镜结构、成像原理 五、电子衍射： 1. 爱瓦尔德球图解法 2. 晶带定理与零层倒易面 3. 电子衍射基本公式 参考书目： 周玉、武高辉编著，《材料X射线与电子显微分析》，哈尔滨工业大学出版社。 第二套题热力学 一、热力学基本规律 1．物态方程 2．热力学第一定律 3．热容量和焓 4．热力学第二定律 5．熵和热力学基本方程 6．熵增加原理的简单应用
第一章绪论 1. 机器人学（Robotics）它包括有基础研究和应用研究两个方面，主要研究内容有：(1) 机械手设计；(2) 机器人运动学、动力学和控制；(3) 轨迹设计和路径规划；(4) 传感器(包括内部传感器和外部传感器)；(5) 机器人视觉；(6) 机器人语言；(7) 装置与系统结构；(8) 机器人智能等。 2. 机器人学三原则：（1）机器人不得伤害人（2）机器人应执行人们的命令，除非这些命令与第一原则相矛盾（3）机器人应能保护自己的生存，只要这种保护行为不与第一第二原则相矛盾。 3. 6种型式的机器人： (1) 手动操纵器：人操纵的机械手，缺乏独立性； (2) 固定程序机器人：缺乏通用性； (3) 可编程机器人：非伺服控制； (4) 示教再现机器人：通用工业机器人； (5) 数控机器人：由计算机控制的机器人； (6) 智能机器人：具有智能行为的自律型机器人。 4. 按以下特征来描述机器人： （1）机器人的动作机构具有类似于人或其他生物体某些器官 ( 如肢体、感官等 ) 的功能； （2）机器人具有通用性，工作种类多样，动作程序灵活易变，是柔性加工主要组成部分； （3）机器人具有不同程度的智能，如记忆、感知、推理、决策、学习等；（4）机器人具有独立性，完整的机器人系统，在工作中可以不依赖于人的干预。 5. 机器人主要由执行机构、驱动和传动装置、传感器和控制器四大部分构成 6. 控制方式主要有示教再现、可编程控制、遥控和自主控制等多种方式。 7. 示教－再现即分为示教－存储－再现-操作四步进行。 8. 控制信息顺序信息：位置信息：时间信息： 9. 位置控制点位控制－PTP（Point to Point）： 连续路径控制－CP（Continuous Path）： 10. 操纵机器人可分为两种类型：能力扩大式机器人：遥控机器人： 11. 第三代智能机器人应具备以下四种机能：运动机能感知机能： 思维能力：人－机对话机能： 智能机器人是一种“认知－适应"的工作方式。 12.目前我国机器人的发展正朝着实用化、智能化和特种机器人的方向发展。
1 中国高校微电子排名 电子科学技术一级学科下设四个二级学科，分别是物理电子学，电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学 国家重点学科分布如下: 电子科大:物理电子学，电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学 西电:电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学清华:电路与系统，微电子与固体电子学，物理电子学 北大:物理电子学，微电子与固体电子学 复旦:电路与系统，微电子学与固体电子学 北邮:电磁场与微波技术，电路与系统 东南:电磁场与微波技术 上海交大:电磁场与微波技术 西安交大:微电子与固体电子学 华中科大:物理电子学 北京理工大学:物理电子学 南京大学:微电子与固体电子学 吉林大学:微电子与固体电子学 哈工大:物理电子学
西北工大:电路与系统 通信工程一级学科下设两个二级学科，分别是通信与信息系统，信息与信号处理 清华大学通信与信息系统，信息与信号处理 北京邮电大学通信与信息系统，信息与信号处理 电子科技大学通信与信息系统，信息与信号处理 西安电子科技大学通信与信息系统，信息与信号处理 东南大学通信与信息系统，信息与信号处理 北京交通大学通信与信息系统，信息与信号处理 北京大学通信与信息系统 浙江大学通信与信息系统 中科大通信与信息系统 华南理工通信与信息系统 哈工大通信与信息系统 北京理工大学通信与信息系统 上海交通大学通信与信息系统 电子与通信重点学科分布: 电子科大 6
清华5 西电5 北邮4 北大3 东南3 北理工 3 上交2 哈工大 2 复旦2 北京交大 2 华南理工，华中科大，西安交大，中科大，浙大，西北工大，南京大学，吉林大学各一个 国家重点实验室（电子与通信，不包括光学及光电）分布如下: 电子科技大学 2 电子薄膜与集成器件实验室宽带光纤传输与通信系统技术实验室 清华大学 1 微波与数字通信技术实验室 北京邮电大学 1 程控交换技术与通信网实验室
哈工大-精密和超精密加工技术-大作业
《精密和超精密加工技术》课程 大作业 院（系）英才学院 专业机械设计制造及其自动化 姓名xxx 学号612xxx 班号1236xxx 完成日期2015.7.8 哈尔滨工业大学机电工程学院 2015年
精密和超精密加工技术（大作业） 目录 1前言 (1) 2LIGA工艺[2] (2) 3UV-LIGA工艺[3] (4) 4LIGA技术的应用[5] (5) 5结论[6] (6) 参考文献 (6)
LIGA技术及其应用 摘要：微电子机械系统（MEMS）技术的兴起及其在现代信息社会中的广泛应用，推动了能实现高深宽比三维微细加工的LIGA及准LIGA技术的迅速发展。本文介绍了LIGA相关技术的发展状况并举例说明了它们在射频、光学等方面上的一些应用。 关键词：三维微细加工；LIGA技术；UV-LIGA技术 The Development and Application of LIGA Abstract: LIGA and quasi-LIGA technologies used for high aspect ratio 3-D micromachining were accelerated by the rise and wide applications in information society of MEMS (micro-electro-mechanical systems) technology. LIGA and related technologies are presented, and the applications of these technologies are illustrated for examples. Keywords: 3-D micromachining；LIGA technology；UV-LIGA technology 1 前言 随着MEMS技术的发展和人们在微机械制造方面所取得的成就，对各种微执行器、微传感器等微结构的制造方法的研究成为MEMS 技术研究的一个热点，同时微机械制造技术也是MEMS技术向更高层次发展的推动力。微结构的广泛应用直接导致MEMS市场对三维微机械部件的需求量呈指数增长。因此，三维微细加工技术就成为MEMS技术非常重要的工艺技术之一[1]。 LIGA是德文Lithographie、Galvanoformung和Abformung三个词的缩写，是X射线深层光刻、微电铸和微复制工艺的完美结合，20 世纪80 年代由德国卡尔斯鲁尔核研究中心开发而成。LIGA 技术自问世后, 发展非常迅速, 德国、美国和日本都开展了该技术领域的研究工作。LIGA 技术是一种利用同步辐射X 射线制造三维器件的先进制造技术。它由X射线掩模板制备、同步X射线光刻、微结构模具、微电铸和微复制工艺组成，用LIGA 技术可以进行微器件的大批量生产,使成本大大降低。 LIGA 技术主要有以下几个特点： ?它的产品具有很大的结构强度，因而坚固耐用，实用性强； ?LIGA 产品可以用多种材料制备，如金属、陶瓷、聚合物等； ?可以直接生产复合结构。并同时具有电路制作能力，便于制作机电一体
H a r b i n I n s t i t u t e o f T e c h n o l o g y 课程设计说明书（论文） 课程名称：集成电路课程设计 设计题目：一阶补偿的带隙基准电路设计 院系：航天学院微电子科学与技术系 班级： 设计者： 学号： 指导教师：王永生 设计时间：2013年9月16日-2013年9月27日 哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学课程设计任务书
*注：此任务书由课程设计指导教师填写
一、功能描述 模拟电路中广泛包含电压基准和电流基准，这种基准是直流量，它与电源和工艺参数的关系很小，但与温度的关系是确定的。产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压或电流。在大多数应用中，所要求的温度关系采取下面三种形式中的一种：（1）与绝对温度成正比（PTA T）；（2）常数Gm特性，也就是，一些晶体管的跨导保持常数；（3）与温度无关。 与温度关系很小的电压或电流基准被证实在许多模拟电路中是必不可少的。而且，如果基准是与温度无关的，由于大多数工艺参数都是随着温度变化的，那么通常它也是与工艺无关的。因此本次课程设计的电路功能是产生于温度无关的带隙基准电压 二、电路设计 本次课程设计产生与温度无关的带隙基准电压，它的原理是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准。在半导体工艺的各种不同参数中，双极晶体管的特性参数被证实具有最好的重复性，并且具有能提供正温度系数和负温度系数的严格定义的量。因此本次电路设计利用了二极管的基极发射极压降（负温度系数）和工作在不相等电流密度下的两个双极晶体管基极发射极电压的差值（正温度系数）之和产生与温度无关的带隙基准，同时采用了一个高增益的运算放大器对晶体管基射级电压进行一阶的温度补偿，并忽略曲率系数以及电源影响和启动的问题。 2.1 负温度系数电压 双极晶体管的基极-发射极电压，或者更一般的说pn结二极管的正向电压，具有负温度系数。对于一个双极性器件，可以写出： 为求出V BE的温度系数，对上式两边求导，同时假设I S为常数，得到： 同时由于，对温度求导得到： ，代入得到 从式中可以看出，V BE的温度系数本身与V BE的大小和温度都有关，如果正温度系数的量表现出一个固定的温度系数，那么在恒定基准的产生电路中就会产生误差。这个现象可以从后面的带隙基准与温度的特性曲线中观察得到。 2.2 正温度系数电压 如果两个双极晶体管工作在不相等的电流密度下，那么他们的基极-发射极电压的差值就与绝对温度成正比。例如图1所示的电路中：如果两个同样的晶体管（I S1=I S2）偏置的集电极电流分别为nI O
1-1 思考题 1-1-1.典型PN结隔离工艺与分立器件NPN管制造工艺有什么不同（增加了哪些主要工序）？ 增加工序的的目的是什么？ 答：分立器件NPN管制造工艺：外延→一氧→一次光刻→B掺杂→二氧→二次光刻 →P掺杂→三氧→三次光刻→金属化→四次光刻。 典型PN结隔离工艺：氧化→埋层光刻→埋层扩散→外延→二氧→隔离光刻→ 隔离扩散、推进（氧化）→基区光刻→基区扩散、再分 布（氧化）→发射区光刻→发射区扩散、氧化→引线孔 光刻→淀积金属→反刻金属→淀积钝化层→光刻压焊 点→合金化及后工序。 增加的主要工序：埋层的光刻及扩散、隔离墙的光刻及扩散。 目的：埋层：1、减小串联电阻；2、减小寄生PNP晶体管的影响。 隔离墙：将N型外延层隔离成若干个“岛”，并且岛与岛间形成两个背靠背的反偏二极管，从而实现PN结隔离。 1-1-2.NPN管的电极是如何引出的？集电极引出有什么特殊要求？ 答：集成电路中的各个电极均从上表面引出。要求：形成欧姆接触电极：金属与参杂浓度较低的外延层相接触易形成整流接触（金半接触势垒二极管）。因此，外延层电极引出处应增加浓扩散。 1-1-3.典型PN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩散或发射区扩散之后？ 答：由于隔离扩散深度较深，基区扩散深度相对较浅。放在基区扩散之前，以防后工序对隔离扩散区产生影响。 1-1 作业 1-1-1.典型PN结隔离工艺中器件之间是如何实现隔离的？ 答：在N型外延层中进行隔离扩散，并且扩穿外延层，与P型衬底连通，从而将N 型外延层划分为若干个“岛”；同时，将隔离区接最低电位，使岛与岛之间形成两个背靠背的反偏二极管，从而岛与岛互不干涉、互不影响。通过以上两点实现了器件间的隔离。 1-1-2. 设典型PN结隔离工艺允许的最小线宽、外延层的厚度和各相关图形间的间距都为W，画出最小面积NPN晶体管图形和剖面结构图，并分别估算W为1μm 和0.5μm时，在1cm2的芯片面积上可以制作多少各这种相互隔离的最小面积晶体管。 答： 长为9W，宽为5W，面积min为45W2。 计算略。
2016 年春季学期研究生课程考核 考核科目:航天材料与工艺可靠性技术学生所在院（系）:机电工程学院 学生所在学科: 学生姓名: 学号: 学生类别: 考核结果阅卷人
航空航天材料发展现状与展望 一、航空航天材料的地位和作用 1.1 高性能材料是发展高性能飞行器的基础保障 自莱特兄弟制造的人类第一架飞机“飞行者一号”问世以来，航空技术取得了大跨越的发展，以战斗机为代表的军用飞机现已发展到第5 代，其最大飞行速度达4倍声速。在此过程中，航空材料的发展所经历的阶段如表1所示。可以看到，材料的进步对飞机的升级换代起到关键的支撑作用。 表 1 飞机机体材料发展阶段 发展阶段年代机体材料 第 1 阶段1903—1919 木、布结构 第 2 阶段1920—1949 铝、钢结构 第 3 阶段1950—1969 铝、钛、钢结构 第 4 阶段1970—21 世纪初铝、钛、钢、复合材料结构（以铝为主）第 5 阶段21 世纪初至今复合材料、铝、钛、钢结构（以复合材料为主） 发动机是飞机的“心脏”，其性能的优劣制约发动机是飞机的“心脏”，其性能的优劣制约着飞机的能力，而发动机性能的提高又与所使用的耐高温结构材料密切相关。随着飞机航程的加长和速度的提高，要求发动机推力、推重比（发动机推力与重量之比）越来越大，这就意味着发动机的压力比、进口温度、燃烧室温度以及转速都须极大地提高。根据美国先进战斗歼击机研究计划和综合高性能发动机技术研究计划，发动机推重比要达到20，而其油耗比要比目前再降低50%。众所周知，推重比的提高取决于发动机涡轮前进口温度的提高：对于推重比在15～20以上的发动机，其涡轮前进口温度最高达2227～2470℃。高性能航空发动机对材料的性能提出了更高要求，除高比强度、高比模量外，对耐高温性能需求更为突出。由此可见，航空发动机性能的提高有赖于高性能材料的突破。 1.2 轻质高强度结构材料对降低结构重量和提高经济效益贡献显著 轻质、高强度是航空航天结构材料永远追求的目标。碳纤维复合材料是20世纪60年代出现的新型轻质高强度结构材料，其比强度和比模量是目前所有航空航天材料中最高的。有数据表明：碳纤维复合材料的比强度和比刚度超出钢与铝合金的5～6倍。复合材料在飞行器上的应用日益扩大，质量占比在不断增加。材料具有较高的比强度和比刚度，就意味着同样质量的材料具有更大的承受有效载荷的能力，即可增加运载能力。结构重量的减少意味着可多带燃油或其他有效载荷，不仅可以增加飞行距离，而且可以提高单位结构重量的效费比。飞行器的结构重量每减1磅所获得的直接经济效益见表2。 表 2 飞行器结构减重的直接经济效益 机种减重经济效益/(万美元·磅-1) 小型民机50 直升机300 战斗机400
第一章随机事件和概率 第一节：1.、将一切具有下面三个特点：（1）可重复性（2）多结 果性（3）不确定性的试验或观察称为随机试验，简称为试验，常用 E表示。 在一次试验中，可能出现也可能不出现的事情（结果）称为随 机事件，简称为事件。 不可能事件：在试验中不可能出现的事情，记为Ф。 必然事件：在试验中必然出现的事情，记为S或Ω。 2、我们把随机试验的每个基本结果称为样本点，记作e 或ω. 全体 样本点的集合称为样本空间. 样本空间用S或Ω表示. 一个随机事件就是样本空间的一个子集。 基本事件—单点集，复合事件—多点集 一个随机事件发生，当且仅当该事件所包含的一个样本点出现。 事件间的关系及运算，就是集合间的关系和运算。 3、定义：事件的包含与相等 1
若事件A发生必然导致事件B发生，则称B包含A，记为B?A 或A?B。 若A?B且A?B则称事件A与事件B相等，记为A＝B。 定义：和事件 “事件A与事件B至少有一个发生”是一事件，称此事件为事件A与事件B的和事件。记为A∪B。用集合表示为: A∪B={e|e∈A，或e∈B}。 定义：积事件事件“事件A与事件B都发生”为A与B的积事件，记为A∩B或AB，用集合表示为AB={e|e∈A且e∈B}。 定义：差事件 称“事件A发生而事件B不发生,这一事件为事件A与事件B的差事件,记为A－B,用集合表示为 A-B={e|e∈A，e?B} 。 定义：互不相容事件或互斥事件 如果A，B两事件不能同时发生，即AB＝Φ，则称事件A与事件B是互不相容事件或互斥事件。 2
3 定义6：逆事件/对立事件 称事件“A 不发生”为事件A 的逆事件，记为ā 。A 与ā满足：A ∪ā= S,且A ā=Φ。 运算律： 设A ，B ，C 为事件，则有 （1）交换律：A ∪B=B ∪A ，AB=BA （2）结合律：A ∪(B ∪C)=(A ∪B)∪C=A ∪B ∪C A(BC)=(AB)C=ABC （3）分配律：A ∪(B ∩C)＝(A ∪B)∩(A ∪C) A(B ∪C)＝(A ∩B)∪(A ∩C)= AB ∪AC （4）德摩根律： 小结： 事件的关系、运算和运算法则可概括为 四种关系：包含、相等、对立、互不相容； B A B A =B A B A =
哈工大微电子考研初试心得 一转眼距离出结果已经过去半个月了，这半个月好好的休息了下，考研真的是个体力活。今天正好闲下来，打算认真的写一个经验贴，算是心得吧，毕竟原来也没少看别的师兄的经验，算是对考研生涯画一个句号吧! 我考的是哈工大的微电子，录取的是学硕，综合排名是前五，二等奖学金（今年工大整个21系没有一等奖学金，不知道为什么）。最后联系的是八楼嵌入式方向的导师，嵌入式算是比较火的方向嘛。 下面简单说一下三大主科，重点说说专业课。 数学：毫无疑问，数学是重中之重了，毕竟数学150分，而且今年很简单，只要认真复习打130以上还是问题不大的，而你要是数学能过130，其他的只要过线应该就可以考得上。建议数学早点复习，最好是从七八月份就开始复习数学。如果你底子薄，那可以先看教材，就是所谓的同济的高数，浙大的概率，清华的线代这个组合。先认真过两遍，有点底子。差不多要花一个月左右的时间吧！然后开始啃李正元李永乐那本大厚本，切记，是北大燕园那个，不是王式安那个，毕竟北大燕园这么些年，很成熟也很靠谱了。王的那个才出没几年，错误还有不少呢！这个大厚本会耗费你大量的时间，没办法，啃吧，从七月份到九月份基本上你每天就是数学教材加大厚本了，中间穿插着背单词。而且大厚本刚开始是很打击人的，要挺住。大厚本的课后题可以不做，如果时间不够的话，但是例题一定要认真看！九月份左右就可以做做真题了，做12年以前的，也是二李的那个，可以先做分类的，后再成套做，做12年之前的，留下两套最后测试用。如果你追求高分，可以在最后来一下660题，磨练填选的。至于模拟题，都差不多，做几套就可以了，不用太多。 英语:这是从考研开始到结束一直陪伴你的东西，切记一点：单词要天天背。这是无数前人血淋林的教训。每天背一个半小时左右吧！有个叫扇贝的软件，还不错。至于真题，也是从九月份开始做，也是做12年之前的，每一套都认真做，每个阅读，完型可以做到通篇翻译的程度，也就是精读。这既可以联系长难句，也可以复习单词。如果底子薄就来考研真相，底子还可以就上黄皮书。黄皮书确实不错的。在就是最后一个月需要一本写作的书，推荐新东方那个或者是写作160篇，就是背，没疑问。考研英语就需要这三本书就够了，没必要弄别的了。 政治：这个从九月份开始就可以，你可以考虑看红宝书，或者是肖秀荣的那个，都可以。然后用肖秀荣的一千题磨练磨练。等风中劲草出来来一本那个概念的，不用题，认真再看个两遍。之后就可以坐等肖八肖四了，不得不说肖秀荣的东西还可以。尽管今年似乎压对的不多，但是依然可以找到不少。这个就不多说了！ 专业课：这个毫无疑问是重点。我是从九月份开始看的，本校的教材是半导体物理，国防科大那本蓝皮书。每天保证接近三小时，结合着课件。先认真看个两个月吧！以理解为主，毕竟你不能靠死记硬背解决所有问题，而且近两年出题趋势也是越来越倾向于理解。当然重点还是有的，那就是五六七八这四章。一二三主要是概念，九章基本不考，不放心的话就背一下异质结这个概念就行了，第十章概念不少。 专业课一定要记住的几点：1 一定要把问题思考的简单一些，主要是针对第五章的那个大题，别把问题想复杂了，这是出题老师亲口强调的 2 一定要自己总结一个笔记，这个是真正属于你自己的，你知道自己哪块需要重点背。3 答题
吉林大学 二0 一三年研究生入学考试试题考试科目：材料科学基础 1、对比解释下列概念（50分）题目序号可能有的记不清了，但内容就是这些 1.1晶体非晶体准晶体 1.2比强度屈服强度 1.3日然时效人工时效过时效 1.4弹性变形滞弹性 1.5点缺陷面缺陷线缺陷 1.6均匀形核和非均匀形核 1.7冷加工热加工 1.8结晶再结晶 1.9韧性断裂脆性断裂 1.10共晶反应共析反应 2、简答下列问题（40分） 2.1试画出刃型位错，螺型位错的位错线与柏氏矢量的关系图，并说明在切应力作用下，刃型位错线的滑移方向和晶体的滑移方向以及螺型位错位错线滑移方向及晶体滑移方向。 2.2结品和玻璃转变过程的异同，以及两者形成材料的性能特点。 2.3金属晶体，陶瓷晶体，聚合物晶体在结构和性能上的异同。 2.4画出面心立方的晶体结构，并给出r和晶格常数a的关系。写出面心立方晶体所涉及的滑移面以及滑移方向以及滑移系个数，比较其与密排六方晶体型性变形能力的大小并给出解释。 3、论述题（30分） 3.1这一题是扩散的计算题，考的是渗碳，我不会算，题目很长，我记不清了。 3.2在同一坐标系中画出金属晶体和半晶态聚合物的应力应变曲线。两曲线分别可以分为几个阶段？各个阶段发生了哪些变化？并说明两种材料强化和软化的机理。 4、画图讨论题（30分） 4.1给出的钢是1.0%的过共析钢，回答下列问题： （1）画出完整的Fe-Fe3C相图，标出关键点的温度和成分。 （2）写出各相区的相组成物和组织组成物。 （3）写出1.0%钢冷却过程的组织转变过程，画出冷却曲线，并示意画出各阶段组织变化过程。计算FcC II的含量 吉林大学的专业课历来不按套路出牌，每年总会有一两个大题让你措手不及。比如今年第三大题的第一小题，你只看他指定的那木上交版的材料科学与工程基础这一题你肯定是做不出来的。所以在复习的时候还要看看其他教材，比如哈工大的那本热处理。吉林大学指定的那木英文教材有时间也要看看。特别是那木英文教材第六章的扩散，第七章力学性质，第九章失效，第十一章相变。我那本英文教材差不多都看了，但看扩散那一章时觉得扩散的计算题不可能考，因为从98-12涉及扩散的题目只是让写出两个扩散定律，结果，今年考了 15分的大题。可见，侥幸心理是不能有的。我给学弟学妹们的建议只有一个，看教材一定要仔细, 至嘱至嘱！！！ 希望对你们有所帮助。
哈尔滨工业大学半导体物理真题荟萃一、解释下列名词或概念：（20 分）1、准费米能级6、布里渊区2、小注入条件7、本征半导体3、简并半导体8、欧姆接触4、表面势9、平带电压5、表面反型层10、表面复合速度二、分别化出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点（20 分）三、简述半导体中可能的光吸收过程（20 分）四、画出p-n 结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n 结势垒区形成的物理过程（20 分）五、在一维情况下，以p 型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（20 分）六、解释下列名词或概念：（20 分）1、准费米能级6、施主与受主杂质2、小注入条件7、本征半导体3、简并半导体8、光电导4、表面势9、深能级杂质5、表面反型层10、表面复合速度七、画出n 型半导体MIS 结构理想C-V 特性曲线，如果绝缘层存在正电荷或者绝缘层-半导体存在界面态将分别对曲线有和影响？（20 分）八、简述半导体中可能的光吸收过程（20 分）九、画出p-n 结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n 结势垒区形成的物理过程（20 分）十、在一维情况下，以n 型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（20 分）十一、解释下列名词或概念（30 分）：1．有效质量2. 复合中心3. 载流子散射 4. 简并半导体5. 少子寿命6. 空穴7. 表面复合速度8. 光生电动势9. 表面态10. 表面强反型状态二、画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化曲线(10 分),并解释其变化规律(20 分)。三、用能带论解释金属、半导体和绝缘体的导电性（30 分）。四、分别画出零偏、正偏和反偏情况下，p-n 结能带图（15 分），并简述p-n 结势1 垒区形成的物理过程（15 分）五、如图所示，半导体光敏电阻上表面受到均匀的频率为ν的恒定光照，光功率为Popt(w), 在电阻两端施加恒定偏压，光敏电阻内载流子的平均漂移速度为vd, 设表面反射率为R，吸收系数为α，光敏电阻厚度d>>1/α,量子产额为β，非平衡载流子寿命为τ，试求：(1) 光敏电阻中光生载流子的平均产生率g；分）（8 (2) 光生电流IP（忽略暗电流）分）设IPh 为光生载流子被电极收集一次形成（8 ，的电流，求光电导增益G = IP 的表达式（14 分）。I Ph 2 一、解释下列名词或概念：1．重空穴、轻空穴2. 表面态 3. 载流子散射4. 本征半导体 5. 少子寿命二、简述杂质在半导体中的作用。三、简述理想p-n 结光生伏特效应，画出开路条件下的能带图（12 分）；根据理想光电池电流电压方程，确定开路电压VOC 和短路电流ISC 表达式（8 分)，设p-n 结反向电流为IS，光生电流为IL。四、以p 型硅MOS 结构为例，画出可能测得的高频和低频C-V 特性曲线，说明如何确定平带电压（10 分）；若SiO2 层中存在Na 离子，曲线将如何变化？如何通过实验确定其面密度（10 分）？五、如图所示，有一均匀掺杂的ｐ型半导体（非高阻材料），在稳定光照下，体内均匀地产生非平衡载流子，且满足小注入条件，产生率为gｎ，半导体内部均匀掺有浓度为Nt 的金，电子俘获系数为rn。仅在一面上存在表面复合，表面复合速度为Sｎ，载流子的扩散系数为Dｎ，试确定非平衡载流子的分布。+ 6. k 空间等能面7. 热载流子8. 格波9. 陷阱中心10. 光电导灵敏度五、解释下列名词或概念（30 分）： 6. 高度补偿半导体7. 状态密度8. 消光系数9. 表面复合率 3 1．布里渊区 2. 光生伏特效应 3. 本征吸收 4. 间接带隙式半导体 5. 准费密能级10. 光电导增益二、分别论述深能级和浅能级杂质对半导体的影响(30 分)。 三、在一维情况下，以p 型非均匀掺杂半导体为例，推出空穴的爱因斯坦关系式（30 分） 四、画出理想p-n 结和硅p-n 结的电流电压曲线（15 分），并根据曲线的差异简述硅p-n 结电流电压曲线偏离理想p-n 结主要因素（15 分）十二、五、以p 型硅MOS 结构为例，画出可能测得的高频和低频C-V 特性曲线，说明如何确定平带电压（15 分）；若SiO2 层中存在Na+离子，曲线将如何变化？如何通过实验确定其面密度（15 分）？十三、解释下列名词或概念：（30 分）1、异质结6、杂质电离能2、间接带隙式半导体7、光电导3、载流子散射8、空穴4、光生电动势9、有效质量5、施主与受主杂质10、少子寿命十四、分别化出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点（30 分）十五、试