一、单项选择题（本大题共小题，每小题分，共分）在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
1．土木工程结构试验中，常用生产鉴定性试验解决的问题是（ C ）。
A.验证结构设计理论的假定
B.提供设计依据
C.处理工程事故，提供技术依据
D.提供实践经验
2．工程结构试验的四个阶段中，哪一个阶段是整个试验工作的中心环节？（ C ）
A.试验规划阶段
B.试验准备阶段
C.试验加载测试阶段
D.试验资料整理和分析阶段
3．在结构试验中应优先选择的结构就位形式是（ A ）。
A.正位试验
B.卧位试验
C.反位试验
D.原位试验
4．结构试验中，钢结构的荷载持续时间一般不少于（ B ）。
A.5min
B. 10min
C. 15min
D. 30min
5．对于量测振动频率、加速度等参数的动测仪表，要求仪表的频率、加速度范围（ A ）被测动态参数的上限。
A.大于
B.等于
C.小于
D.大于等于
6．工程结构的模型试验与实际尺寸的足尺结构相比，不具备的特点是（ D ）。
A.经济性强
B.数据准确
C.针对性强
D.适应性强
7．集中荷载相似常数与长度相似常数的（ B ）次方成正比。
A.1
B.2
C.3
D.4
8．弯矩或扭矩相似常数与长度相似常数的（ C ）次方成正比。
A.1
B.2
C.3
D.4
9．弹性模型材料中，哪一种材料的缺点是徐变较大，弹性模量受温度变化的影响较大？（ D ）
A.金属材料
B.石膏
C.水泥砂浆
D.塑料
10．哪一种模型的制作关键是“材料的选取和节点的连接”？（ C ）A.混凝土结构模型B.砌体结构模型
C.金属结构模型
D.有机玻璃模型
11．强度模型材料中，哪一种材料需要经过退火处理？（ A ）
A.模型钢筋
B.微粒混凝土
C.模型砌块
D.水泥砂浆
12．下列哪一种加载设备属于机械力加载设备？（ B ）
A.杠杆
B.弹簧
C.手动液压千斤顶
D.水
13．机械力加载设备中下列哪一种加载设备常用于结构的持久荷载试验？（ D ）
A.卷扬机
B.吊链
C.螺旋千斤顶
D.弹簧
14．支座的型式和构造与试件的类型和下列何种条件的要求等因素有关。（ A ）
A.实际受力和边界条件
B.位移的边界条件
C.边界条件
D.平衡条件
15．结构试验时，试件的就位型式最符合实际受力状态而应优先采用的是（ A ）。
A.正位试验
B.反位试验
C.卧位试验
D.异位试验
16．结构静力试验的试验加载制度是（ B ）。
A.采用控制荷载或变形的低周反复加载
B.采用包括预加载、设计试验荷载和破坏荷载的一次单调加裁
C.采用正弦激振加载
D.采用模拟地面运动加速度地震波的激振加载
17．超声回弹综合法检测混凝土强度时可以（ D ）。
A.既能反映混凝土的弹塑性，又能反映混凝土的内外层状态
B.测量精度稍逊于超声法或回弹法
C.先进行超声测试，再进行回弹测试
D.依据固定的m c cu R v f --关系曲线推定混凝土强度
18．当用一个液压加载器施加两点或两点以上的同步荷载时，可以通过（ C ）实现。
A.杠杆
B.卧梁
C.分配梁
D.反力架
19．结构试验中用分配梁传递荷载的下列装置中，不正确的是（ B ）。
20．超声波检测混凝土缺陷的基本原理是采用（ B ）超声波检测仪，测量超声脉冲的纵波在结构混凝土中的传播速度、接收波形信号的振幅和频率等声学参数的相对变化，来判定混凝土的缺陷。
A.超高频
B.高频
C.中频
D.低频
21．下列哪种仪器不能测量应变?（ D ）
A.电阻应变仪
B.手持应变仪
C.位移计
D.读数显微镜
22．下列试验中可以不遵循严格的相似条件的是（ A ）。
A.缩尺模型试验
B.相似模型试验
C.足尺模型试验
D.原型试验
23．在确定结构静力试验的观测项目时，应首先考虑（ B ）。
A.局部变形
B.整体变形
C.应变观测
D.裂缝观测
24．下列各种振动波形中为随机振动波形的是（ B ）。
25．当使用液压加载系统在试验台座上或现场进行试验时，必须配置各种（ B ），来承受液压加载器对结构加载时产生的反作用力。
A.加载装置
B.支承系统
C.测量系统
D.控制系统
26．下列各图中属于固定铰支座的是（ B ）。
27．实践证明，结构的尺寸效应、构造要求、试验设备和经费条件等因素将制约试件的（ C ）。
A.强度
B.刚度
C.尺寸
D.变形
28．使用应变计测应变值时，对于混凝土试件，标距应大于骨料粒径的（ D ）倍。
A.1
B.2
C.3
D.4
29．试件安装中，简支结构的两支点应在同一水平面上，高差不宜超过（ C ）跨度。
A.1/30
B.1/40
C.1/50
D.1/60
30．在进行柱静力试验时，为了减少支座与柱端的转动摩擦以及加载过程中避免出现施力位置改变，柱子试验支座通常采用（ B ）。
A.固定铰支座
B.刀口铰支座
C.球铰支座
D.滚动铰支座
31．偏心式激振器所产生的力F与偏心质量块旋转圆频率ω的（ B ）成正比。
A.一次方
B.二次方
C.三次方
D.四次方
32．当选择拾振器做测位移使用时，要使拾振器的相对位移振幅Y0与被测振动体的振幅X0之比趋近于1，则要求频率比u和阻尼比D满足：（ A ）A.u>>1;D<1B.u>>1;D>1
C.u<<1;D<1
D.u<<1;D>1
33．磁电式拾振器的（ C ）。
A.感应电动势与振动体的加速度成正比
B.感应电动势与振动体的速度成反比
C.感应电动势与振动体的速度成正比
D.感应电荷与振动体的加速度成正比
34．压电式传感器能直接感知被测振动体的（ B ）。
A.速度
B.加速度
C.位移
D.动应变
35．微积分电路中，要实现积分电路，需将电路中的（ A ）短接。
A.电感
B.电容
C.电阻
D.电阻和电容
36．微积分电路中，要实现微分电路，需将电路中的（ B ）短接。
A.电感
B.电容
C.电阻
D.电阻和电感
37．下列哪种方法是借助共振原理来得到结构自振特性的？（ D ）
A.突然加载法
B.突然卸载法
C.爆破法
D.脉动法
38．结构振动变位图是（ B ）。
A.结构在动荷载作用下的振动形状
B.结构在动荷载作用下的变形曲线
C.结构在自由振动状态下的振动形状
D.结构在自由振动状态下的变形曲线
39．动力系数总是（ A ）。
A.大于1
B.等于1
C.小于1
D.小于0
40．疲劳试验的荷载上限max Q 是根据构件在最大标准荷载最不利组合下产生的（ B ）计算而得到的。
A.轴力
B.弯矩
C.剪力
D.扭矩
41．疲劳试验时，荷载频率不应使构件及荷载架发生共振，同时应使构件在试验时与实际工作时的受力状态一致。为此，荷载频率θ与构件固有频率ω应满足以下条件：（ D ）
A.ωθ6.0<或ωθ5.1>
B.ωθ7.0<或ωθ8.1>
C.ωθ4.0<或ωθ2.1>
D.ωθ5.0<或ωθ3.1>
42．功率谱是纵坐标的某个物理量的（ B ）与频率之间的关系图谱。
A.平方值
B.均方值
C.平均值
D.方差
43．描述随机过程某一时刻1t 的数据值与另一时刻（τ+1t ）的数据值之间的依赖关系称之为（ A ）函数。
A.自相关
B.互相关
C.不相关
D.相关
44．下列哪个公式不属于结构阻尼比ξ的表达公式？（ B ） A.π
λξ2= B.012ωωωξ-= C.cr ββξ= D.0ωβξ= 45．回弹法每个测区的测点个数一般为（ C ）个。
A.4
B.9
C.16
D.25
46．超声波是一种频率超过（ C ）kHz 的机械波。
A.10
B.20
C.30
D.40
47．超声波的波速与混凝土的（ D ）。
A.密度成正比
B.密度成反比
C.密度的开方值成正比
D.密度的开方值成反比
48．利用回弹法检测混凝土质量时，当碳化深度小于（ B ）mm 时按无碳化进行处理，当碳化深度大于6mm 时，按6mm 计算。
A.0.25
B.0.5
C.0.75
D.1
二、填空题（本大题共小题，每小题分，共分）
1．工程结构试验所用试件的尺寸和大小，总体上分为模型和原型两类。
2．试件的就位形式有正位试验、卧位试验、反位试验和原位试验。
3．荷载分级的目的一方面是控制加荷速度，另一方面是便于观察结构变形，为读取各类试验数据提供必要的时间。
4．选用仪器仪表必须满足量测所需的精度和量程要求。
5．动测试验使用的仪表，尤其应注意仪表的线性范围、频响特性和相位特性要满足试验量测的要求。
6．确定相似条件的方法有方程式分析法和量纲分析法两种。
7．气压加载有两种：一种是正压加载，另一种是负压加载。
8．测量系统一般由感受、放大和显示三个基本部分组成。
9．测量仪器的主要技术指标有量程、刻度值、灵敏度、精确度和滞后等。
10．精确度简称精度，它是精密度和准确度的统称。
11．静力试验的测量项目不外乎有结构上的作用及结构作用效应。
12．双向应变场下，由于应变计的横向效应，使得应变计的灵敏度系数K 一般比单丝灵敏度系数小。
13．电阻应变片的温度补偿技术常用的有两种方法，分别是温度补偿片补偿和工作片互补偿。
14．惠斯顿电桥的连接主要有两种方法，分别是全桥和半桥。
15．数据采集系统包括硬件系统和软件系统，硬件系统包括传感器、数据采集仪和计算机三个部分。
16．对结构进行动力分析的目的是保证结构在整个使用期间，在可能发生的动荷载作用下能够正常工作，并确保其一定的可靠度。
17．动力试验的振源有两大类：一类是自然振源，另一类是人工振源。
18．电磁式激振器比偏心式激振器的激振力范围小，频率范围大。
19．结构疲劳试验机主要由控制系统、脉动发生系统和脉动千斤顶组成。
20．电荷放大器只适用于输出为电荷的传感器；动态电阻应变仪的前仪环节必须为应变式的传感器。
21．动荷载特性的测定方法包括直接测定法和比较测定法。
22．结构自振特性主要包括自振频率、阻尼和振型三个参数。
23．如在特殊情况下，结构必须在共振区工作，则阻尼可大大抑制动力反应。
24．两个频率较接近的合成波形，其波形特征为“拍振”。
25．典型的“拍振”波形中，若腰腹l l <，则频率较高的那个谐量的幅值较小；反之，腰腹l l >，则频率较低的那个谐量的幅值较小。
26．对于由多个简谐频率成分合成在一起的复杂周期振动波形，可采用Fourier 分解法进行分解。
三、名词解释（本大题共小题，每小题分，共分）
1．尺寸效应反映结构构件和材料强度随试件尺寸的改变而变化的性质。
2．加荷图式是试验荷载在试件上的布置形式。
3．几何相似就是要求模型与真型结构之间所有对应部分的尺寸成比例。
4．第一相似定理是彼此相似的物理现象，单值条件相同，其相似准数的数值也相同。
5．等效荷载是指加在试件上，使试件产生的内力图形与计算简图相近，控制截面的内力值相等的荷载。
6．单值条件是决定于一个现象的特性并使它从一群现象中区分出来的那些条件。
7．相似准数是联系相似系统中各物理量的一个无量纲组合。
8．相似条件是相似常数之间必须满足的一定的组合关系。
9．量纲是被测物理量的种类。
10．工程结构静力试验是对结构施加静力荷载以模拟结构工作状态的试验。
11．量程指仪器的测量上限值与下限值的代数差。
12．结构动力系数的定义为：在动力荷载作用下，结构动挠度与静挠度之比。
13．相关分析是指研究两个参数之间的相关性，它包括自相关和互相关。
14．频谱分析是研究振动的某个物理量与频率之间的关系。
15．功率谱是纵坐标的某个物理量的均方值与频率之间的关系图谱。 五、计算题（本大题共小题，每小题分，共分） 1．在静力模型试验中，若几何相似常数4
1==p m L L L S ，线荷载相似常数10
1==p m q q S ω，且应变的相似常数1=εS ，求原型结构和模型结构材料弹性模量的相似常数E S 。（提示：εσS S S E =，σS 为应力相似常数） 解：根据量纲分析，弹性模量的相似常数为：
5
24
1101
====L E S S S S ωσ 2．在简支梁的挠度测量中，已知支座1和支座2及梁中心处测得的位移分别为0.1mm 、0.56mm 和6.8mm ，求梁中心处的挠度值。
解：根据几何关系，梁中心处的挠度为：
()()mm f 47.656.01.02
18.62
12121=+-
=?+?-
?= 3．某结构在受动力荷载作用后，测得振动记录曲线如下图所示，试根据图示振动曲线所标明的数据，计算该结构的振动频率和阻尼比。（π
λξλ2,ln 2==+k n n x x k ）
解：（1）如图所示，振动曲线的半周期为s T 1.02
=，所以频率
Hz T f 52
.011=== （2）如图所示，在计算区间中4=k ，25=n x ，194=+n x ，所以
14.019
25ln 42==λ 02.0214.0==π
ξ 4．某结构构件，荷载和电阻应变计布置如图所示，测量时采用全桥桥路，应变仪显示的测量应变值为r ε=280με，已知结构材料的泊松比v =0.3。（43214εεεεε-+-==EK
U BD r ）
（1）画出测量应变桥路图；
（2）计算该测点的弯曲应变ε。
解：（1）桥路中电阻的顺序按图中编号的顺序。
（2）若纯弯曲梁的弯曲应变为ε，则：
εε=1；εε=2；εεv -=3；εεv =4 ()()()μεεεεεεε28012=-=--+--=v v v r
所以()()
μεε2003.01228012280=-=-=
v 5．简支梁构件受均布荷载q 作用产生变形，已知支座1和支座2在荷载作用下的沉降量分别为1?=0.12mm,2?=0.09mm ，梁的跨度L =12m ，支座1右侧x =4m 处A 点的挠度测量值A ?=2.11mm ，求A 点的真实挠度f 。
解：
()()mm
A f 09.202
.011.209.012.03
211.2213
2=-=--=?-?-?= 6．利用回弹法检测混凝土结构某测区的混凝土强度时，该测区16个测点的回弹值分别为38、39、37、37、38、43、39、38、37、41、42、39、35、
38、36、35。该测区平均碳化深度m d =7mm 。求该测区混凝土的强度c cu f 。
(题中c cu f =m Cd B m AR 10，其中A =0.0250,B =2.0108,C =-0.0358,m R 为该测区平均回弹值)
解：去掉回弹值的三个最高值和三个最低值后，平均回弹值
()1.383839373839383737393910
1=+++++++++=m R MPa
f c cu 2.215616.08157.1509025.0101.38025.07
0358.00108.2=??=??=?-
7．构件的截面尺寸如图，在1、2、3、4号测点测得Z 方向上的应变为1Z ε=200με,2Z ε=300με, 3Z ε=200με, 4Z ε=100με,已知结构材料的弹性模量为E =200GPa ，求该截面的内力N 、M 。
(图中a =10cm ,b =200cm )
解：弯矩在1、3测点不会产生轴力，所以轴力
()()MN Eab N Z Z 81020010102002
102002002
496
3
1=?????+=+=--εε 减去又轴力产生的弯矩后，2、4测点由弯矩产生的弯矩分别是
μεεε10020022=-='Z Z
；μεεε10020044-=-='Z Z 因为2测点的应力
2
22Z Z E I a M
εσ'== 所以 ()m MN ba E a ba E a EI M Z Z Z ?=?????='='='=---067.0101006
101010200102006
122262
22922
23
2εεε
数据库原理期中考试试卷A 班级：学号：姓名：成绩： 一、根据以下关系描述，画出ER图，注意ER图的规范表达。（20分） 图书馆数据库对每个借阅者存有读者记录，包括读者号、姓名、地址、性别、年龄、单位。对每本书存有书号、书名、作者、出版社、库存位置编号。对每本被借出的书存有书号、读者号、借出日期和应还日期。画出ER图。 二、基于SQL SERVER软件，使用T-SQL语言在D盘根目录下创建一个名 为test_db的数据库，包含主文件和log文件，文件大小都为5MB，请写出相关语句。（10分） CREATE DATABASE test1_db ON (NAME=test, FILENAME='D:\test_db.mdf', SIZE=5, MAXSIZE=100) LOG ON (NAME=test_log, FILENAME='D:\test_db.ldf', SIZE=5, MAXSIZE=100) GO 三、根据第一题ER图的分析，使用SQL语言在test_db数据库中建立表单， 请写出相关语句，要求设置表单主键和外键约束。（20分）
USE test1_db GO CREATE TABLE reader (rno CHAR(6) NOT NULL, rname CHAR(10) NOT NULL, rsex CHAR(2) NOT NULL, rage INT NOT NULL, rdept CHAR(20), CONSTRAINT rno_PK PRIMARY KEY (rno) ) GO CREATE TABLE books (bno CHAR(6) NOT NULL, bname CHAR(20) NOT NULL, bauthorpno CHAR(20) NOT NULL, bpublish CHAR(20) NOT NULL, blocation CHAR(20) NOT NULL, CONSTRAINT bno_PK PRIMARY KEY (bno)) GO
《模拟电子技术》期末考试卷 一、填空题（20 分） 1、二极管最主要的特性是 。 2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为 、 。 3、多级放大电路中，常见的级间的耦合方式有 、 、 。 4、负反馈放大电路中的四种组态为 、 、 、 。 5、正弦波振荡电路的振荡条件为 、 。 二、选择题（20分） 1、P 型半导体中的多数载流子是 ，N 型半导体中的多数载流子是 。A 、电子 B 、空穴 C 、正离子 2、杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体载流子的浓度。A 、大于 B 、小于 C 、等于 3、温度升高，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ，反向电流 。 A 、增大 B 、减小 C 、不变 4、如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的 约为 （ ）。 A ．1500 .80 C 5、RC 串并联网络在f=f 0=1/2 RC 时呈 。 A 、感性 B 、阻性 C 、容性 三、判断题（10分）（对的打“√”，错的打“×”） 1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度还是相等。（ ） 2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。（ ） 3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。( ) 4、负反馈越深，电路的性能越稳定。（ ） 5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（ ） 四、简答题：（ 25分） 1．写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝。 V 2 V 1
2、判断下图所示电路中是否引入了反馈，如果有反馈试判断反馈类型 ￥+ -+R S u o R L u i R F (b) R 1 R 2 R 4 R 5 R 3 u i + -+v cc -+ V 1 V 2 u o C 1 +- 3、 电路下图所示：请将图中左右两部分正确连接起来，使之能够产生正弦波振荡 五、计算题（25分） 1、电路如下图所示，试求出电路A U 、R i 、和R 0的表达式。
第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 B 。 A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 C 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 A 。 A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 A 。 A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路 解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。(×) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。(√) （3）运放的共模抑制比c d CMR A A K (√) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。(√) （5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。(× )
习题 4.1 通用型集成运放一般由几部分电路组成，每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？ 解：通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。 通常，输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数尽可能大。 对中间级的要求：放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。 对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压尽可能大。 对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。 第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 （1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 A 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 （2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 （3）当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。 A.3dB B.4dB C.5dB
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属
一、 选择题（本题共5小题，每小题2分，共10分） 1、下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 A B C D 2、硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.3V C 0.5V D 0.7V 3、在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。 A. C B E I I I += B. B C I I β= C. B E I I )1(β+= D. B E I I β= 4、当三极管的发射结和集电结都正偏时，工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 5、NPN 型三极管要实现放大作用，c 、b 、e 三个电极的电位必须符合：（ ） A. E B C U U U >> B. B E C U U U >> C. E B U U > D. B C U U > 二、填空题（（本题共5小题，每空2分，共20分） 1、在本征半导体中掺入 元素得N 型半导体，掺入 元素则得 P 型半导体。 2、二极管P 区接电源 极，N 区接电源 极，称正向偏置，二极 管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。 3、三极管电流放大作用的条件是：发射结加 电压，集电结 加 电压。 4、三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。 5、工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安 时，集电极电流从1毫安变为2.2毫安，则该三极管的β约为 。 三、计算题（本题共5小题，共70分） 1、二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电 路的输出电压AB U 。（设二极管为硅管，导通压降为0.7V ） （15分） 2、已知三极管的发射极电流mA I E 24.3=，基极电流A I B μ40=，求集电极电流C I 的数值。 （10分）
《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β
《数据库原理与应用》 一．单项选择题（每题1分，共20分） 1.目前市场上常见的DBMS 90%以上都是基于（ C ）数据模型的。 A．层次B．网状C．关系D．面向对象 2.E-R图是在数据库设计中用来表示（ A ）的一种常用方法。 A．概念模型B．逻辑模型C．物理模型D．面向对象模型 3.（ C ）是数据库中全体数据的逻辑结构和特征的描述，是所有用户的公共数据视图。 A．外模式B．内模式C．模式D．概念模式 4.（ B ）也称存储模式，是数据库物理结构和存储方式的描述，是数据在数据库内部的表示方式。 A．外模式B．内模式C．模式D．概念模式 5．数据库的概念模型独立于（ A ）。 A．具体的机器和DBMS B．E-R图C．信息世界D．现实世界 6.在数据库中存储的是（ C ）。 A．数据B．数据库模型C．数据以及数据之间的联系D．信息 7．规范化理论是关系数据库进行逻辑设计的理论依据，根据这个理论，关系数据库中的关系必须满足：其每一个属性都是（ B ）。 A．互不相关的B．不可分解的C．长度可变得D．互相关联的 8.在数据模型中有“型”和“值（或实例）”两个对应的概念。其中数据库的模式是一个（ D ）的概念，是一个相对（）的概念，而数据库在某一时刻的状态则是一个（）的概念，是一个相对（）的概念。 A．型；变化；值；不变B．值；不变；型；变化 C．值；变化；型；不变D．型；不变；值；变化 9.关系表A的属性个数为5，元组个数为10；关系表B的属性个数为6，元组个数为20. 则A与B的笛卡尔积A×B的属性有（ D ）个，元组个数有（）个。 A．30；200B．11；30 C．30；30D．11；200 10.父亲和子女的亲生关系属于（ B ）的关系。 A．1：1B．1：n C．m：n D．不一定 11.在SQL语言中，删除关系表中的一个属性列，要用动词（ D ），删除关系表中的一行或多行元组，要用动词（）。 A．delete，delete B．drop，drop C．delete，drop D．drop，delete 12.在SQL语言中，为关系模式增加一个属性要用动词（B）,为关系表增加一行或多行元组要用动词（）。 A．insert，insert B．add，insert C．insert，add D．add，add 13.实体完整性约束和SQL语言中的（ A ）相对应。 A．primary key B．foreign key C．check D．都不是 14.参照完整性约束和SQL语言中的（ B ）相对应。 A．primary key B．foreign key C．check D．都不是 15.在我们的学生-课程数据库中，SC表上建立了两个外码约束，被参照表是Student表和Course表，则最适当的说法是： A．Student表中的学生号Sno不能随意取值B．Course表中的课程号Cno不能随意取值 C．SC表中学生号Sno不能随便D．SC表中学生号Sno、课程号Cno均不能随意取值 16.如果在学生-课程数据库中的SC表上建立了参照完整性约束： Foreign Key （Sno）References Student（Sno）， Foreign Key （Cno）References Course（Cno）， 则（ D ）操作可能会违背该完整性约束。 A．在Student表上增加一行记录B．在Course表上增加一行记录 C．在SC表上删除一行记录D．更新SC表上的记录 17.关系R（X，Y，Z），函数依赖集FD={Y→Z，XZ→Y}，则关系R是（ C ）。 A．1NF B．2NF C．3NF D．BCNF 18、表之间一对多关系是指_B_____。 A．一张表与多张表之间的关系B．一张表中的一个记录对应另一张表中的多个记录 C．一张表中的一个记录对应多张表中的一个记录D．一张表中的一个记录对应多张表中的多个记录 19、SQL的SELECT语句中，“HAVING条件表达式”用来筛选满足条件的（D） A．列B．行C．关系D．分组 20、SQL语言中INSERT、DELETE、UPDA TE实现哪类功能 D 。 A．数据查询B．数据控制C．数据定义D．数据操纵 二．填空题（每空1分，共18分）： 1.从历史发展看来，数据管理技术经历了人工管理、文件管理和数据库管理三个阶段。 2.在SQL语言中，用符号—代表单个字符，用符号% 代表0到多个字符。 3.在SQL语言中，为了使查询的结果表中不包含完全相同的两个元组，应在select的后面加上关键词distinct 。 4、在SQL语句中，与表达式“工资BETWEEN 1210 AND 1240”功能相同的表达式是工资>=1210 and 工资<=1240 。 第 1 页/共 4 页
电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
一、填空题： 1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和 变流技术 。 2、举例说明一个电力电子技术的应用实例 变频器、 调光台灯等 。 3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC —DC ）、②直流变交流（DC —AC ）、③直流变直流（DC —DC ）、④交流变交流（AC —AC ）四种。 4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在 开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装 散热器 。 5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括 三个方面：通态损耗、断态损耗和 开关损耗 。 6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较 小 标值作为该器件的额电电压。选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。 7、只有当阳极电流小于 维持 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。导通：正向电压、触发电流 （移相触发方式） 8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现 失控 现象，为了避免单相桥式 半控整流电路的失控，可以在加入 续流二极管 来防止失控。 9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值 降低 。 10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为 触发角 。 ☆从晶闸管导通到关断称为导通角。 ☆单相全控带电阻性负载触发角为180度 ☆三相全控带阻感性负载触发角为90度 11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 2√2U1 。（电源相电压为U1） 三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 。（电源相电压为U 2） 12、四种换流方式分别为 器件换流 、电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 。 13、强迫换流需要设置附加的换流电路，给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。 14、直流—直流变流电路，包括 直接直流变流电路 电路和 间接直流变流电路 。（是否有交流环节） 15、直流斩波电路只能实现直流 电压大小 或者极性反转的作用。 ☆6种斩波电路：电压大小变换：降压斩波电路（buck 变换器)、升压斩波电路、 Cuk 斩波电路、Sepic 斩波电路、Zeta 斩波电路 升压斩波电路输出电压的计算公式 U= 1E β=1- ɑ 。 降压斩波电路输出电压计算公式： U=ɑE ɑ=占空比，E=电源电压 ☆直流斩波电路的三种控制方式是PWM 、 频率调制型 、 混合型 。 16、交流电力控制电路包括 交流调压电路 ，即在没半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，调节输出电压有效值的电路， 调功电路 即以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断，改变通态周期数和断态周期数的比，调节输出功率平均值的电路， 交流电力电子开关即控制串入电路中晶闸管根据需要接通或断开的电路。
2018—2019电子技术基础期中试题 姓名总分 一、填空题（每空1分，共20分） 1．P型半导体又称为____________型半导体，它由本征半导体掺入____________价元素形成，其多数载流子是____________，少数载流子是____________。 2．在室温附近，温度升高，杂质半导体中__________的浓度将明显增加。3．在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是____________作用下产生的，漂移运动是____________作用下产生的。 4．按照二极管的材料分，可分为_________二极管和锗二极管两种。5．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的___________区。6．三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结____________偏置，集电结____________偏置。 7．基本放大电路的非线性失真包括____________失真和____________失真。 8．图1所示电路，二极管VD1、VD2为理想元件，则U AB 为_______伏。图1图2 9．电路图如图2，已知R B = 240kΩ，R C = 3kΩ，晶体管β= 20，V CC = 12V。 现在该电路中的晶体管损坏，换上一个β= 40的新管子，若要保持原来的静态电流I C不变，且忽略U BE，应把R B调整为____________kΩ。10．在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图3所示。已量出I1= -1.2mA，I2 = -0.03mA，I3 = 1.23mA。由此可知： (1) 电极①是__________极，电极②是__________极，电极③是 __________极。 (2) 此晶体管的电流放大系数β约为__________。 (3) 此晶体管的类型是__________型（PNP或NPN）。 I1 I2 I3 二、选择题（每小题2分，共20分） 11．PN结加正向电压时，其空间电荷区会( ) A．不变B．变窄 C．变宽D．不定 12．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于( ) A．本征半导体B．温度 ① ② ③ 第 1 页，共 4 页
宁波工程学院2015–2016学年第2学期 《数据库理论与技术》课程期中考试卷 一、单项选择题（每小题1分，共20分） 1. （ B ）是长期存储在计算机内、有组织的、可共享的数据集合。 A．数据库系统 B．数据库 C．关系数据库 D．数据库管理系统 2. 下面哪个不是数据库系统必须提供的数据控制功能（B ）。 A．安全性 B．可移植性 C．完整性 D．并发控制 3. 通过修改（ C ）可以保证数据库的逻辑独立性。 A．模式 B．外模式 C．外模式/模式映射 D．模式/内模式映射 4. 学生社团可以接纳多名学生参加，但每个学生只能参加一个社团，从社团到学生之间的联系种类是( D )。 A.多对多 B.一对一 C.多对一 D. 5. 结构数据模型的三个组成部分中，不包括（ C ）。 A．完整性规则 B．数据结构 C．恢复 D．数据操作 6. SQL中，下列涉及空值的操作，不正确的是（ C ）。 A．AGE IS NULL B．AGE IS NOT NULL C．AGE=NULL D．NOT（AGE IS NULL）
7. 设有关系模式R （A ，B ，C ），其关系r 如右表所示： 下面叙述正确的是（ B ）。 A ．函数依赖 A → B 在上述关系中成立 B ．函数依赖 B C → A 在上述关系中成立 C ．函数依赖 B → A 在上述关系中成立 D ．函数依赖 A → BC 在上述关系中成立 8. 关系数据库规范化是为了解决关系数据库中（ A ）。 A ．插入、删除和数据冗余问题而引入的 B ．提高查询速度问题而引入的 C ．减少数据操作的复杂性问题而引入的 D ．保证数据的安全性和完整性问题而引入的 9. 实现关系代数选择运算的SQL 子句是（ D ）。 A ．SELECT B ．ORDER BY C ．FROM D ．WHERE 10.设关系R 和S 的属性个数分别为2和3，则与关系代数表示式 12R S >等价的是（ B ）。 A ．12(R S)σ>? B ．14(R S)σ>? C ．14(R S)σ> D ．12(R S)σ> 11.在关系模式R(A,B,C,D)中，有函数依赖集F={A→B,B→C,C→D}，则R 能达到（ B ）。 A ．1NF B ．2NF C ．3NF D ．以上三者都不行 12.SQL 的视图是从（ C ）中导出的。 A ．基本表 B ．视图 C ．基本表或视图 D ．数据库 13.在关系数据库中，实现数据之间联系的是（ B ）。 A ．主键码 B ．外键码 C ．域 D ．指针 14.下面列出的选项，哪项是关系数据库的基本特征？ ①.不同的列应有不同的数据类型；②.不同的列应有不同的列名；③.与行的次序无关；④.与列的次序无关。（ C ）
《电力电子技术》试卷 一．填空（共15分，1分/空） 1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U ，忽略主电路 2 各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。 6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。 二．单选（共10分，2分/题） 1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2．晶闸管属于（）。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。 A．180O B.90O C.120O 4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。 A.60 B. 180 C. 120 5．把交流电变成直流电的是（）。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三．多选（共10分，2分/题） 1．电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器 2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3．使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4．逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5．变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四．判断（共5分,1分/题） 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） 2.晶闸管是一种四层三端器件。（）
2012~2013年第二学期《电子技术》期中考试试卷 总分：100分时量：60分钟 班级：姓名：学号： 一、填空题（37×1分=37分） 1、能够将变成的电路称为整流电路，能够将变成比较平滑的的电路称为滤波电路。 2、PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN 结反偏时，P区接电源的极，N区接电源的极。 3、硅二极管的正向压降约为V，锗二极管的正向压降约为V。 4、利用半导体二极管的特性，将变成的过程称做整流。 5、交流电经过变成脉动直流电后，仍有变化，滤波电路能够脉动直流电中的成分。 6、半导体三极管有两个PN结，即结和结；有三个电极，即极、 极和极，分别用、、和表示。 7、晶体管有型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。 8、半导体三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即区、区和区。 9、放大电路设置静态工作点的目的是。 10、在纯净的硅晶体中掺入三价元素，就成为型半导体，它的多数载流子量是，少数载流子是。 二、选择题（6×4分=21分） 1、在纯净半导体硅中，掺入微量的（）价元素就成了N型半导体。 A. 三价 B. 四价 C. 五价 2、性能良好的二极管正向电阻（）反向电阻。A. 大于 B. 等于 C. 小于 D. 不确定 3、稳压二级管的稳压性能是利用二极管的（）特性实现的。 A. 单向导电 B.反向击穿 C.正向导通 D.反向截止 4、整流的目的是（）。 A. 将高频变为低频 B. 将低频变为高频 C. 将正弦波变为方波 D. 将交流变为直流 5、整流电路后面接入滤波电路的目的是（）。 A. 去除直流电中的脉动成份 B. 将高频变成低频 C. 将正弦交流信号变成矩形脉冲 D. 将直流电变成交流电 6、三极管的发射结正偏、集电路反偏时，三极管处于（）。 A. 放大状态 B. 饱和状态 C.截止状态 三、判断题（5×2分=10分） 1、PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止。（） 2、在P型半导体中，多数载流子是电子。（） 3、二极管加反向电压不一琯是导通状态。（） 4、稳压二极管是工作在反向击穿状态。（） 5、单相半波整流电路的特点是：电路简单、成本低，输出电压高、脉动小。（） 四、综合题（14分+15分=29分） 1、试画出单相半波整流的电路图，并说明它的整流过程。 2、请画出共射放大电路的原理图，并写出静态工作点的计算公式。（I BQ、I CQ、V CEQ）
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1
上海学院课程考试试卷 2012––2013 学年第1学期期末（√）补考（）重考（√）课程名称数据库管理技术试卷编号 A 年级11 专业计算机班级姓名学号 一、单项选择题（10*2=20%） 1、Microsoft SQL Server是一种基于客户机/服务器的关系型数据库管理系统，它使用（）语言在服务器和客户机之间传递请求。 A. TCP/IP B. Transact-SQL C. C D. ASP 2、（）是一个图形界面的查询工具，用它可以提交Transact-SQL语言，然后发送到服务器，并返回执行结果，该工具支持基于任何服务器的任何数据库连接。 A. SQL Server Management Studio B. 事件探测器 C. SQL 管理对象 D. DTS 3、一个关系中，能唯一标识元组的属性集称为关系的（）键。 A. 副键 B. 主键 C. 从键 D. 参数 4、下面哪些字符可以用于Transact-SQL的注释（）。 A. -- B. @@ C. ** D. /*…*/ 5、利用T—SQL语言创建表时，语句是（）。 A. Delete Table B. Create Table C. Add Table D. Drop Table 6、在数据库标准语言SQL中，关于NULL值叙述正确选项是（）。 A. NULL 表示空格 B. NULL表示0 C. NULL既可以表示0，也可以表示是空格 D. NULL表示空值 7、下列函数中，返回值数据类型为 int 的是（）。 A. LEFT B. LEN C. LTRIM D. SUNSTRING 8、下列关于ALTER TABLE语句叙述错误的是（）。 A.可以添加字段 B.可以删除字段 C.可以修改字段名称 D.可以修改字段数据类型 9、在一个表上，最多可以定义多少个聚集索引（）。 A. 1 B. 2 C. 3 D.4 10、在Transact-SQL的模式匹配中，使用（）符号表示匹配任意长度的字符串。 A. * B. - C. % D. #
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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