一、单项选择题
1、 N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的
A 电子
B 空穴
C 三价硼元素
D 五价锑元素 【 D 】
2、晶体三极管用于放大时应使其发射结、集电结处于
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏 【 A 】
3、共集电极放大电路（射极输出器）的主要特点是【 B 】
A 电压放大倍数小于1，输入电阻小、输出电阻大
B 电压放大倍数小于1，输入电阻大、输出电阻小
C 电压放大倍数大于1，输入电阻小、输出电阻大
D 电压放大倍数大于1，输入电阻大、输出电阻小 4、由理想二极管组成的电路如图4所示，A 、B 两端的电压AB U 应为【 B 】
A V 12-
B V 6-
C V 6+
D V 12+
￥￥5、电路如图5所示，假设电容1C 、2C 对交流信号的影响可以不计，当输入信号为
kHz f 1= 的正弦电压时，用示波器观察?o U 和?
i U ，则两者的相位关系为
A
相差o
180
B
相差o
90
C
相差o
45
D
相差o
【 A 】
6图4
6、为了减小温度漂移，通用型运放的输入级大多采用
A 共射电路
B 共集电路
C 差动放大电路
D OCL 互补对称功放电路 【 C 】
7、所谓放大电路工作在闭环状态，是指
A 考虑信号源内阻
B 有反馈通路
C 接入负载
D 信号源短路 【 B 】
8、直流负反馈是指
A 存在于RC 耦合电路中的负反馈
B 放大直流信号时才有的负反馈
C 直流通路中的负反馈
D 只存在于直接耦合放大电路中的负反馈 【 C 】 加强9、如果希望提高放大电路的输入电阻和稳定输出电压，则应选用
A 电压串联负反馈
B 电压并联负反馈
C 电流串联负反馈
D 电流并联负反馈 【 A 】 不会10、某放大电路，当负载开路时，输出电压为6V ，当接入Ωk 2负载后，输出电压为
4V ，可知此放大电路的输出电阻为 A Ωk 10 B Ωk 2 C Ωk 1 D Ωk 50. 【 C 】
12、若要求仅在输入电压过零时，输出电压发生跃变，除此之外，输出电压保持不变，则应选用
A 反相输入比例运算电路
B 过零比较器
C 滞回比较器
D 双限比较器 【 B 】
15、用万用表的直流电压挡，测得电路中某三极管的各电极的电位如图15所示，可知此三极管工作在 A 饱和状态 B 放大状态 C 倒置工作状态 D 截止状态 【 A 】 16、分压式放大电路如图16所示，若更换三极管使电流放大系数由50=β变为100=β，则放大电路的电压放大倍数 A 约为原来的2
1
B 基本不变
C 约为原来的2倍
D 约为原来的4倍
【 B 】
V
5V V 图15
17、基本共射放大电路如图17所示，当输入电压mV t u i ) (2000sin 25π=时，输出电压出现顶部削平的失真，为了消除失真，应
A
减小集电极电阻C R
B 改换β小的管子
C
增大基极偏置电阻b R
D
减小基极偏置电阻b R
【 D 】
18、图18所示电路中，若三极管2VT 的射极旁路电容2C 开路，则
A 不仅影响静态工作点，而且影响电压放大倍数
B 仅影响静态工作点，但不影响电压放大倍数
C 不影响静态工作点，但影响电压放大倍数
D
不影响静态工作点，也不影响电压放大倍数
【 A 】
U.
图18
19、OCL互补对称功放电路中，引起交越失真的原因是
A 输入信号大
B 三极管的电流放大系数太大
C 工作电源电压太高
D 三极管输入特性非线性【 D 】
20、单相桥式整流电路中，变压器副边电压的有效值V
U20
2
，则每个二极度管承受的最大反向电压约为
A V
14 B V
28 C V
20 D V
56【B 】
21、为增大电压放大倍数，集成运放中间级采用形式电路。【 A 】
A.共射级电路
B.共基极电路
C.共集电极电路
22、在反馈放大电路中，已知放大增益A＝100，反馈系数F=2，则Af＝【B 】。
A.20
B.0.5
C.100
23、集成运放的输入级采用差动放大电路的原因是【 C 】。
A.提高放大倍数
B.提高输入电阻
C.减小温漂
24、集成运放的输入级采用直接耦合方式的原因是【 B 】。
A.可获得较大的放大倍数
B.集成工艺难以制造大容量电容
C.减小温漂
25、功率放大电路的转换效率是指【B 】。
A.输出功率与晶体管所消耗功率之比
B.输出功率与电源提供的平均功率之比
C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
26、对于放大电路，所谓开环是指【 B 】。
A.无信号源
B.无反馈通路
C.无电源
D.无负载
27、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【 D 】
A.输入电阻增大
B.输出量增大
C.净输入量增大
D.净输入量减小
28、已知交流负反馈有四种组态。欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入【 A 】。
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈
29、为了满足振荡的相位平衡条件，反馈信号与输入信号的相位差应为____。【C 】
A.90°
B.180°
C.360°
D.不确定
30、欲将方波电压转换成三角波电压，应选用电路。【D 】
A.反相比例运算电路
B.同相比例运算电路
C.微分运算电路
D.积分运算电路。
二、填空题
1、二极管的主要特性是单向导电性，硅二极管导通后的正向电压约为
0.7V 。
2、稳压管工作在 反向击穿 状态才有稳压作用。
3、放大电路如图3所示，V U BE 70.=。当三极管的电流放大系数50=β时，静态时基极电流A I BQ μ =【20】，管压降V U CEQ =【 6】。如换上100=β的管子，则A I BQ μ =【 20】，三极管工作在 饱和 状态。
U S
.
R 2k Ω
4、图4所示电路中，稳压管1Z D 的稳定电压V U Z 61=，稳压管2Z D 的稳定电压V U Z 72=，则电阻L R 上的电压V U O =【5】。
5、在（双极型）三极管放大电路的三种组态中，希望从信号源索取的电流较小，则应选用 共集电极 组态电路，希望既能放大电流、又能放大电压，应选用 共发射电极 组态电路。
6、若一个放大电路引入交流电流并联负反馈，则可以稳定输出 电流 和 减小 输入电阻。
7、在差分放大电路中，大小相等、极性（相位）相同的两个输入信号称为 共模 信号；大小相等、极性（相位）相反的两个输入信号称为 差模 信号。 8、图8所示各电路的交流反馈类型和极性分别为：
图(a ) 电压串联负 反馈，图(b ) 电压并联负 反馈，图(c ) 电压并联负
反馈。
图8
9、工作在线性区的理想运放，输入端有两个特点：即净输入电压0=id U 和净输入电流
0=id I ，通常分别称为 虚短 和 虚断 。
10、放大电路如图10所示，假设三极管的50=β，Ω=k r be 51.，则电压放大倍数
==
?
?
?
i
O
u U U A 【-50V 】
，输入电阻Ω=k R i 【 1.25 】，输出电阻Ω=k R O 【 3】。
图10
11、串联负反馈只有在信号源内阻 较小 时，其反馈效果才显著，并联负反馈只有在信号源内阻 较大 时，其反馈效果才显著。
12、在共射极阻容耦合放大电路中，输入不同频率的信号时，低频区电压放大倍数（增益）下降的原因通常是由于存在 耦合电容 和 旁路电容 ；高频区电压放大倍数（增益）下降的原因通常是由于存在 极间电容 和 杂散电容 。 13、当温度升高时，双极型三极管的共射极电流放大倍数 β【增大 】，反向饱和电流 CBO I 【增大】，发射结正向压降 BE U 【 减小】 14、在放大电路中，为了稳定输出电压，并能提高输入电阻，应引入 电压串联 负反馈。
15、在基本运算电路中，集成运放工作在 线性工作 区；在滞回比较器中，集成运放工作在 非线性工作 区。
16、在乙类推挽功率放大电路中，会产生一种由零偏置造成的非线性失真，叫 交越 失真。为了消除这种失真，应使电路工作在 甲乙 类状态。
17、图18所示电路中，设运放是理想的，其最大输出电压为V 15±。当m 、n 两点接通，
V U I 1=时，
V U O =【-1 】；如果m 点接地，
V U I 1-=时，V U O =【2 】。
R 100k Ω图18
18、集成运放内部电路主要有 【输入极】、【中间级】 、【 输出级别】 和 【偏置电路】 四部分组成。
19、交流负反馈的引入可以【提高 】放大倍数的稳定性， 【 减小】非线性失真，【扩展】 通频带。
20、根据三极管在一个正弦信号周期里导通时间的长短，把放大电路的工作状态分为【甲 】 类、【乙 】类、【甲乙 】和类【丙】类，电压放大器电路工作状态是 【甲 】 类，而功率放大电路是工作在【乙 】 类或 【甲乙 】 类状态。
21.对功率放大器所关心主要性能参数是【效率η】和 【 输出功率Pom 】 。
22.电路中引入直流负反馈，可以____稳定_____静态工作点，引入___交流_____负反馈可以改善电路的动态性能。
23理想运放的电压增益Aud=__∞ ___，输入阻抗rid=___∞____，输出阻抗rod=___0____。
二、分析计算题
1.分析如图题3.3所示电路对正弦交流信号有无放大作用。图中各电容对交流可视为短路。
(b)
(a)
(c)
(d)
2.已知：Rc1=Rc2、Rs1=Rs2、β1=β2=β、rbe1= rbe2、UCC=UEE ，滑动触头端在中间位置。求：（1）三极管单管发射极静态电流IEQ （2）差模电压放大倍数Aud 。
3 图题所示的电路中，应该将R f 如何接入电路才能构成：
（1）电压串联负反馈 （2）电流并联负反馈 （3）电压并联负反馈 （4）电流串联负反馈
R b
+-u s c d Ucc
o
4 在如图题所示电路，当输入交流信号时，出现如图题3.4所示输出波形图，试判断何种失真，产生该失真的原因是什么？如何才能使其不失真？
（a ） （b ）
5、R1=20k Ω，R2=40k Ω，UREF=3V ，±UZ=±9V 。输入电压ui 为正弦波，幅值uom 为6V ，试画出：（1）运放的传输特性（ui 与uo 关系）图；（2）输出电压uo 的波形图。
6、假设电路中运放是理想的，试写出：（1）两个运放分别工作在什么状态？为什么？（2）电路输出电压uo 与ui1、ui2、ui3、ui4的关系（表达式）。
u i 1 u i 2
7. 同相比例运算如图题3.10所示，求u 0。
o
R
图题3.10
8. 试设计一个运算电路，满足输出和输入之间的关系为
3212u u u u o -+=。
9.、结合下图电路，试说明： （1）正弦波振荡电路的组成部分；
（2）RT 有什么特点？在稳幅过程中起什么作用？
判断题 第一章 半导体1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。（对） 二极管 1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。（对） 2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。（错） 3、晶体二极管击穿后立即烧毁。（错） 三极管 1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。（错） 2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. （错） … 3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。（错） 4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。（错） 5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。（错） 6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。（错） 场效应管 1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区。（错） 第二章 1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对 2、基本放大电路在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。（对） 3、放大电路的三种组态 / 射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。（错） 三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。（对） 射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。（错） 射极输出器不具有电压放大作用。（对） 4、多级放大电路 直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。（错） 直流放大器只能放大直流信号。（错） 现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。（错）。 多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。（错） ~ 多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。（错） 第四章 在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。（对） 第五章 从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级，偏置电路这几个部分组成。（错） 差分放大器的基本特点是放大共模信号、抑制差模信号。（错） 放大器级间耦合方式有三种：阻容耦合；变压器耦合；直接耦合；在集成电路中通常采用阻容耦合。（错）
第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 课程教案 课程名称：模拟电子技术实验 任课教师：何淑珍 所属院部：电气与信息工程学院 教学班级：自动化1301-02 教学时间：2014 —2015学年第二学期 湖南工学院 课程基本信息 实验一单管共射放大电路的研究 一、本次实验主要内容 按要求连接实验电路，调试静态工作点，测量电压放大倍数、输入电阻、输出电阻，分析静态工作点对输出波形失真的影响。 二、教学目的与要求 学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响；掌握放大器各性能指标及最大不失真输出电压的测试方法；熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 三、教学重点难点 1、静态工作点调试； 2、输入电阻、输出电阻的测量。 四、教学方法和手段 课堂讲授、操作、讨论； 五、作业与习题布置 完成实验报告 实验一单管共射放大电路的研究(验证性) 1. 实验目的 （1）学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响； （2）掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法； （3）熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 2. 实验设备与器材 实验所用设备与器材见表。 表实验1的设备与器材 序号名称型号与规格数量备注 1实验台1台 2双踪示波器1台 3交流毫伏表1只 4万用表1只 5晶体管1只 6电阻若干 7电容若干 3. 实验电路与说明 实验电路如图所示，为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用R B1和R B2组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R E，以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号u i后，在放大器的输出端便可得到一个与u i 相位相反，幅值被放大了的输出信号u0，从而实现了电压放大。安装电路时，要注意电解电容极性、直流电源正负极和信号源的极性。 基本概念复习 第一章 电路基本元件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 （6）在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ， 则这只三极管是 。 A ．NPN 型硅管 B ．NPN 型锗管 C ．PNP 型硅管 D ．PNP 型锗管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C （6）A 第二章 基本放大电路 一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。 （1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ） （2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ） 实验一 晶体管共射极单管放大器 一、实验目的 1．学会放大器静态工作点的调式方法和测量方法。 2．掌握放大器电压放大倍数的测试方法及放大器参数对放大倍数的影 响。 3．熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 二、实验原理 图2—1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。偏置电阻R B1、R B2组成分压电路，并在发射极中接有电阻R E ，以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号后，在放大器的输出端便可得到一个与输入信号相位相反、幅值被放大了的输出信号，从而实现了电压放大。 三、实验设备 1、 信号发生器 2、 双踪示波器 3、 交流毫伏表 4、 模拟电路实验箱 5、 万用表 四、实验内容 1．测量静态工作点 实验电路如图1所示，它的静态工作点估算方法为： U B ≈ 2 11B B CC B R R U R +? 图1 共射极单管放大器实验电路图 I E ＝ E BE B R U U -≈Ic U CE = U C C －I C （R C ＋R E ） 实验中测量放大器的静态工作点，应在输入信号为零的情况下进行。 1）没通电前，将放大器输入端与地端短接，接好电源线（注意12V 电源位置）。 2）检查接线无误后，接通电源。 3）用万用表的直流10V 挡测量U E = 2V 左右，如果偏差太大可调节静态工作点（电位器RP ）。然后测量U B 、U C ，记入表1中。 表1 B2所有测量结果记入表2—1中。 5）根据实验结果可用：I C ≈I E ＝E E R U 或I C ＝C C CC R U U - U BE ＝U B －U E U CE ＝U C －U E 计算出放大器的静态工作点。 2．测量电压放大倍数 各仪器与放大器之间的连接图 关掉电源，各电子仪器可按上图连接，为防止干扰，各仪器的公共端必须连在一起后接在公共接地端上。 1）检查线路无误后，接通电源。从信号发生器输出一个频率为1KHz 、幅值为10mv （用毫伏表测量u i ）的正弦信号加入到放大器输入端。 2）用示波器观察放大器输出电压的波形，在波形不失真的条件下用交流毫 《电子技术基础2》复习题 一、判断题（本大题共10个小题，每小题2分，共20分） 1、N型半导体的多数载流子是空穴。（） 2、P型半导体的多数载流子是空穴。（） 3、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量相同。 （） 4、运算电路中一般引入负反馈。（） 5、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（） 6、在放大电路中引入正反馈，主要目的是改善放大电路的性能。（） 7、在放大电路中引入负反馈，主要目的是改善放大电路的性能。（） 8、若放大电路的放大倍数为零，则引入的反馈一定是负反馈。（） 9、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（） 10、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。（） 11、阻容耦合多级放大电路只能放大交流信号。（） 12、直接耦合可以放大缓慢变化的信号。（） 13、只有电路既放大电流又放大电压，才算其有放大作用。（） 14、共发射极放大电路输出与输入反相。（） 15、共基极放大电路输出与输入反相。（） 16、共集电极放大电路输出与输入反相。（） 17、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（） 18、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（） 19、在运算电路中，集成运放的输入端均可采用虚短和虚断。（） 20、运放的共模抑制比K CMR越大越好。（） 21、运放的共模抑制比K CMR越小越好。（） 22、运放的共模放大倍数越小越好。（） 23、运放的差模放大倍数越小越好。（） 24、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（）25、当输入电压U I和负载电流I L变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。 （） 26、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换成直流能量。（） 27、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的一半。（） 28、半波整流输出电压平均值是全波整流的一半。（） 29、用于滤波的电容通常串联连接。（） 30、用于滤波的电容通常并联连接。（） 31、用于滤波的电感通常串联连接。（） 32、用于滤波的电感通常并联连接。（） 33、稳压管正常工作状态下，处于正向导通状态。（） 34、低通滤波器是指信号幅度小才能通过。（） 35、高通滤波器是指信号幅度大才能通过。（） 36、电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。（） 模电实验教案实验 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN 课程教案 课程名称：模拟电子技术实验 任课教师：何淑珍 所属院部：电气与信息工程学院 教学班级：自动化1301-02 教学时间：2014 —2015学年第二学期 湖南工学院课程基本信息 实验一单管共射放大电路的研究 一、本次实验主要内容 按要求连接实验电路，调试静态工作点，测量电压放大倍数、输入电阻、输出电阻，分析静态工作点对输出波形失真的影响。 二、教学目的与要求 学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响；掌握放大器各性能指标及最大不失真输出电压的测试方法；熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 三、教学重点难点 1、静态工作点调试； 2、输入电阻、输出电阻的测量。 四、教学方法和手段 课堂讲授、操作、讨论； 五、作业与习题布置 完成实验报告 实验一单管共射放大电路的研究(验证性) 1. 实验目的 （1）学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响； （2）掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法； （3）熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 2. 实验设备与器材 实验所用设备与器材见表1.1。 3. 实验电路与说明 实验电路如图1.1所示，为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用R B1和R B2组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R E，以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号u i后，在放大器的输出端便可得到一个与u i相位相反，幅值被放大了的输出信号u0，从而实现了电压放大。安装电路时，要注意电解电容极性、直流电源正负极和信号源的极性。 模电知识要点总结_期末复习用_较全面【适合考前时间充分的全面复习】 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D； 模拟电子电路课程设计报告书 题目名称：直流稳压电源 姓名：刘海东潘天德 班级：15电科2 学号：23 26 日期：2017.6.11 目录 绪论 (2) 一设计目的 (3) 二设计要求与指标 (3) 三理论分析 (4) 四器件选择及计算 (9) 五具体制作步骤 (12) 六测试方法 (13) 七问题及总结 (15) 八心得体会 (17) 绪论 直流稳压电源一般由电源变压器，整流滤波电路及稳压电路所组成。变压器把市电交流电压变为所需要的低压交流电。整流器把交流电变为直流电。经滤波后，稳压器再把不稳定的直流电压变为稳定的直流电压输出。本设计主要采用直流稳压构成集成稳压电路，通过变压，整流，滤波，稳压过程将220V交流电，变为稳定的+/- 5v直流电，并实现电压可在8-15V连续可调。电源在生活中是非常常见的一种电器，任何电子电路都离不开电源，就像我们下学期即将学到的单片机一样，需要5V的直流电源，没有电源就不能进行正常的工作，如果用干电池进行供电，则有供电功率低，持续供电能力差，成本高等缺点。而交流电在产生、电能输送等方面具有独特的优点，发电站、各市电网中的电能传输都是以交流电的形式进行输送，如果我们对市电提供的电压进行降压整流等，把交流电转换成直流电，以获得我们所 需要的电压。 一设计目的 1.学习基本理论在实践中综合运用的初步经验，掌握模拟电路设计的基本方法、设计步骤，培养综合设计与调试能力。 2．学会直流稳压电源的设计方法和性能指标测试方法。 3．培养实践技能，提高分析和解决实际问题的能力。 二设计要求与指标 2.1设计要求 （1）分析电路组成及工作原理； （2）单元电路设计计算； （3）采用分立元件电路； （4）画出完整电路图； （5）调试方法； （6）小结与讨论。 2.2设计指标 （1）输出电压：8~15V可调 （2）输出电流：I O=1A （3）输入电压：交流 220V+/-10% 一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近 区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。 模电总结复习资料 1、半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2、特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3、本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4、两种载流子--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5、杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6、杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7、 PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0、6~0、8V，锗材料约为0、2~0、3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8、 PN结的伏安特性二、半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0、6~0、7V，锗管0、2~0、3V。 *死区电压------硅管0、5V，锗管0、1V。 3、分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础(总22页) 本页仅作为文档页封面，使用时可以删除 This document is for reference only-rar21year.March 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 设计题 一．设计一带通滤波电路 要求：（1）信号通过频率范围f在100 Hz至10 kHz之间； （2）滤波电路在1 kHz的幅频响应必须在±1 dB范围内，而在100 Hz至 10 kHz滤波电路的幅频衰减应当在1 kHz时值的±3 dB范围内； （3）在10 Hz时幅频衰减应为26 dB，而在100 kHz时幅频衰减应至少为 16 dB。 （一）．电路方案选择 这是一个通带频率范围为100HZ~10KHZ的带通滤波电路，在通带内我们设计为单位增益。根据题意，在频率低端f=100HKZ时，幅频响应要求衰减不小于16dB。因此可选择一个二阶低通滤波电路的截止频率FH=10khz，一个二阶高通滤波电路的截止频率FL=100hz，有源器件扔采用运放CF412(LF412),将这两个滤波电路串联如图所示，就构成了所要求的带通滤波器。 由巴特沃斯低通，高通电路阶数N与增益的关系可知：二阶巴特沃斯滤波器的Avf1=1.586，因此，由两级串联的带通滤波电路的通带电压增益（Avf1）*2=（1.586）*2=2.515，由于所需要的通带增益为0dB,因此在低通滤波器输入部分加了一个由电阻R1，R2组成的分压器。 （二）元件参数的选择和计算 在选用元件时，应当考虑元件参数误差对传递函数带来的影响。现规定选择电阻值的容差为1%，电容值的容差为5%。由于每一电路包含若干电阻器和两个电容器，预计实际截止频率可能存在较大的误差（也许是+10%，-10%）。为确保在100HZ和10KHZ处的衰减不大于3dB。现以额定截止频率90HZ,和11KHZ 进行设计。 由于在运放电路中的电阻不宜选择过大或过小。一般为几千欧至几十千欧较合适。因此，选择低通极电路的电容值为1000pF，高通级电路的电容值为0.1uF。然后由公式Wc=（1/RC)可计算出精确的电阻值。 对于低通级由于已知c=1000pF和FH=11kHZ,根据公式Wc=（1/RC)算得R3=14.47KΩ，现选择标准电阻值R3=14.0KΩ。对于高通级可作同样的计算。由于已知C=0.1uF和FL=90Hz,可求R7=R8=18KΩ。 分析/作图题 1.电路如图所示，稳压管的稳定电压Z1Z26V U U ==，正向压降不计，输入电压 u t I V =5sin ω，REF 0V U =，简要分析电路的工作原理并画出输出电压o u 的波形。 + -REF U I u R 1z D 2 z D o u 2. 如图所示为一波形发生器电路, （1）试说明，它是由那些单元电路组成的； （2）定性画出A 、B 、C 各点的波形 。 +- + -+ - R R C C f R 1 R 2 R 3R 0 R 1 C A B C z D ± A u B u C u t ωt ωt ω0 3. 如上图所示稳压电路，选择正确答案填空： （1）R2、R3为电路的______ ； R1、VDz 为电路的______； VT 为电路的______； A为电路的______。 A. 调整管部分 B. 基准电压部分 C. 比较放大部分 D. 输出电压采样部分 （2）比较放大环节所放大的对象______。 A. 基准电压 B. 采样电压 C. 基准电压与采样电压之差 4. 已知如下图所示电路中，场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(C)所示，利用图解法求解静态时IDQ 和UGSQ。 5. 试判断下图所示各电路是否满足自激振荡的相位平衡条件 6. 判断下图电路级间反馈的正负，如果是负反馈，说明反馈组态。 计算题 1、在图示放大器中，晶体管的静态V BE≈0.7V，β=100 （1）估算静态工作点I C和V CE 。 （2）画出交流等效电路。 （3）求放大器的A V、A VS、R i和R o 。 2设下图所示电路中T1、T2特性理想对称，且β＝100，U BEQ＝0.7V，rbe＝2kΩ。(1)静态时，流过Re的电流约为多少，I CQ1和I CQ2为多少？。(2)差模电压放大倍数Aud为多少；当u i1＝1mV，u i2＝-1mV时，输出信号uo为多少？ 3 下图所示电路引入了什么类型负反馈？若引入的是深度负反馈，则反馈系数是多少，电压放大倍数是多少？ 简要说明：本实验所有内容是经过十一年的使用并完善后的定稿；已经出版的较为成熟的内容，希望同学们主要参考本实验内容进行实验。 实验一常用电子仪器使用 为了正确地观察电子技术实验现象、测量实验数据，实验人员就必须学会常用电子仪器及设备的正确使用方法，掌握基本的电子测试技术，这也是电子技术实验课的重要任务之一。在电子技术实验中，所使用的主要电子仪器有：SS-7804型双踪示波器，EE-1641D函数信号发生器，直流稳压电源，DT890型数字万用表和电子技术实验学习机。学习上述仪器的使用方法是本实验的主要内容，其中示波器的使用较难掌握，是我们学习的重点，要进行反复的操作练习，达到熟练掌握的目的。 一、实验目的 1.学习双踪示波器、函数信号发生器、直流稳压电源的正 确使用方法。 2.学习数字万用表的使用方法及用数字万用表测量元器 件、辩别二极管和三极管的管脚、类型。 3.熟悉实验装置，学会识别装置上各种类型的元件。 二、实验内容 （一）、示波器的使用 1.示波器的认识 示波器是一种测量、观察、记录电压信号的仪器，广泛应用于电子技术等领域。随着电子技术及数字处理技术的发展，示 波器测量技术日趋完善。示波器主要可分为模拟示波器和数字存贮示波器两大种类。 模拟示波器又可分为：通用示波器、取样示波器、光电存储示波器、电视示波器、特种示波器等。数字存贮示波器也可按功能分类。 即便如此，它们各有各的优点。模拟示波器的优点是： ◆可方便的观察未知波形，特别是周期性电压波形； ◆显示速度快； ◆无混叠效应； ◆投资价格较低廉。 数字示波器的优点是： ◆捕捉单次信号的能力强； ◆具有很强的存储被测信号的功能。 示波器的主要技术指标： ①. 带宽：带宽是衡量示波器垂直系统的幅频特性，它指的是输入信号的幅值不变而频率变化，使其显示波形的幅度下降到3dB时对应的频率值。 ②. 输入信号范围： ③. 输入阻抗： ④. 误差： ⑤. 垂直灵敏度：指垂直输入系统的每格所显示的电压值，通常为2mV-5V/DIV。 ⑥. 扫描时间：指水平系统的时间测量范围，通常低限 1、在本征半导体中掺入微量的D价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 变宽 D. 无法确定 。 反向击穿 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 B. 前者正偏、后者反偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA 变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 13、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 C.NPN锗管 17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。 A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零 18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。 A.可变电阻（欧姆）区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 20、场效应管是 D 器件。D.电压控制电流 21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 22、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是 B 。 ① 0V 图1 ① 9V 图2 一、 半导体器件 1． N 型半导体，在本征半导体中掺入五价元素，它的多数载流子是电子，少数载流子是空 穴。 2． P 型半导体。在本征半导体中掺入三价元素，它的多数载流子是空穴，少数载流子是电 子。 3． 半导体中载流子的运动方式：漂移运动、扩散运动。 4． PN 结及基单向导电性 ① PN 结外加正向电压,即P 型区接外加电源正极, N 型区接外加电源负极,PN 结导通当PN 结外加正向电压时,扩散电流 增加,漂移电流减小扩散电流由N 型区,P 型区多数载流子产生 漂移电流由N 型区,P 型区少数载流子形成 ② PN 结外加反向电压,即P 型区接外加电源负极,N 型区接外加电源正极,PN 结截止,P 结呈高阻抗.PN 结反向偏置时,扩散电流趋于零,反向漂移电流很少 5.二极管 二极管由一个PN 结组成，二极管的伏安特性由正向伏安特性、反向伏安特性及击穿特性 三部份组成 ① 正向特性 当外加电压大于其阀值电压(Si: th V =0.5V , Ge: th V =0.1V)时, 流过二极管的电流由零显著增加. ② 反向特性 二极管外加反向电压时,其反向电流很少 ③ 击穿特性 当二极管承受的反向电压大于其本身的击穿电压时,反向电流急剧增大 例: 二极管电路如图示,试判断图4中二极管是导通还是截止,并求出0A 二端的电压0 A V ,设 二极管是理想的. 解: 对于图4a ） 首先断开二极管D,求 A V 、 B V 此时, A V =－12V, B V =－6V , 则BA V =B V －A V ＝－６－（－１２）＝６Ｖ 这样，二极管是正向导通的 由理想模型,F V ＝０． 由此 ＋６－１２＋３Ｉ＝０ Ｉ＝２mA A V ＝２×３－１２＝－６Ｖ． 解：对于图b ），当D 断开时， B V ＝－１５Ｖ，A V ＝－１２Ｖ 图1.PN 结外加正向电压 图2.PN 结外加反向电压 图3.二极管的伏案特性 O a) 第1章 常用半导体器件自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 判断题 1、在N型半导体中如果掺有足够量的三价素，可将其改型为P型半导体(√). 2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电（×）。 3、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） 4、结型场效应管的栅-源电压的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。（√） 5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作（√） 6、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用（√） 7、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，（√）它只能放大交流信号。（√） 8、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，（√）它只能放大直流信号。（×） 9、运放的输入失调电压U IO是两输入电压之差（×） 10、运放的输入失调电流I IO是两输入端电流之差（×） 11、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈（×） 12、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲基本相同（√） 13、运算放大电路一般均引入负反馈（√） 14、在集成运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地（×）。 15、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波震荡（×） 16、凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。（×） 17、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大（×） 18、功放电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率（√）。 19、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压（√）。 20、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出平均电压变为原来的一半（×）。 二、填空题 1、在本征半导体中加五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成形成P型半导体。 2、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12uA增大到22uA时，I C从1mA变到2mA，那麽它的β约为100 。 3、要求输入电阻1K至2K电压放大倍数大于3000，第一级采用共射放大电路，第二级采用共射放大电路 4、为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。 5为了稳定放大电路的输出电流，应引入电流负反馈。 6、反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而同相比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。 7、同相比例运算电路可实现Au＞1的放大器。 8、LC并联网络在谐振时呈阻性，在信号频率大于谐振频率时呈容性，在信号频率小于谐振频率时呈感性。 三、选择题 1、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A变窄B基本不变C变宽 2、当晶体管工作在放大区时发射结电压和集电结电压应为 B A前者反偏，后者也反偏B前者正偏，后者反偏C前者正偏，后者也正偏 3、Ugs=0时，能够工作在恒流区的场效应管有 A C A结型管B增强型MOS管C耗尽型MOS管模电实验教案实验
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