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无机材料科学基础课后习题答案第六章共21页文档

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第六章答案

6-1 略。

6-2 什么是吉布斯相律?它有什

么实际意义?

解:相律是吉布斯根据热力学原理

得出的相平衡基本定律,又称吉布斯相律,用于描述达到相平衡时系统中自由度数与组分数和相数之间的关系。一般形式的数学表达式为F=C-P+2。其中F为自由度数,C为组分数,P为相数,2代表温度和压力两个变量。应用相率可以很方便地确定平衡体系的自由度数。

6-3 固体硫有两种晶型,即单斜硫、斜方硫,因此,硫系统可能有四个相,如果某人实验得到这四个相平衡共存,试判断这个实验有无问题?

解:有问题,根据相律,F=C-P+2=1-P+2=3-P,系统平衡时,F=0 ,则P=3 ,硫系统只能是三相平衡系统。

6-1

图6-2

6-4 如图6-1是钙长石(CaAl

2Si

2

O)的单元系统相图,请根据相图回解:

(1)六方、正交和三斜钙长石的熔点各是多少?(2)三斜和六方晶型的转变是可逆的还是不可逆的?你是如何判断出来的?(3)正交晶型是热力学稳定态?还是介稳态?

解:(1)六方钙长石熔点约1300℃(B点),正钙长石熔点约1180℃(C点),三斜钙长石的熔点约为1750℃(A点)。

(2)三斜与六方晶型的转变是可逆的。因为六方晶型加热到转变温度会转变成三斜晶型,而高温稳定的三斜晶型冷却到转变温度又会转变成六方晶型。

(3)正交晶型是介稳态。

6-5 图6-2是具有多晶转变的某物质的相图,其中DEF线是熔体的蒸发曲线。KE是晶型 I的升华曲线;GF是晶型II的升华曲线;JG是晶型III的升华曲线,回答下列问题:(1)在图中标明各相的相区,并写出图中各无变量点的相平衡关系;(2)系统中哪种晶型为稳定相?哪种晶型为介稳相?(3)各晶型之间的转变是可逆转变还是不可逆转变?

解:(1)KEC为晶型Ⅰ的相区,EFBC 过冷液体的介稳

区,AGFB晶型Ⅱ的介稳区,JGA晶型Ⅲ的介稳区,CED是液相区,KED

是气相区;

(2)晶型Ⅰ为稳定相,晶型Ⅱ、Ⅲ为介稳相;因为晶型Ⅱ、Ⅲ的蒸汽压高于晶型Ⅰ的,即它们的自由能较高,有自发转变为自由能较低的晶型Ⅰ的趋势;

(3)晶型Ⅰ转变为晶型Ⅱ、Ⅲ是单向的,不可逆的,多晶转变点的温度高于两种晶型的熔点;晶型Ⅱ、Ⅲ之间的转变是可逆的,双向的,多晶转变点温度低于Ⅱ、Ⅲ的熔点。

6-6 在SiO

2

系统相图中,找出两个可逆多晶转变和两个不可逆多晶转变的例子。

解:可逆多晶转变:β-石英←→α-石英α-石英←→α-鳞石英

不可逆多晶转变:β-方石英←→β-石英γ-鳞石英←→β-石英

6-7 C

2S有哪几种晶型?在加热和冷却过程中它们如何转变?β-C

2

S为什

么能自发地转变成γ-C

2S?在生产中如何防止β-C

2

S 转变为γ-C

2

S?

解:C

2

S有、、、四种晶型,它们之间的转变如右

图所示。由于β-C

2

S是一种热力学非平衡态,没有能稳定存在的温度区间,因

而在相图上没有出现β-C

2S的相区。C

3

S和β-C

2

S是硅酸盐水泥中含量最高的两

种水硬性矿物,但当水泥熟料缓慢冷却时,C

3S将会分解,β-C

2

S将转变为无水

硬活性的γ-C

2S。为了避免这种情况的发生,生产上采取急冷措施,将C

3

S和

β-C2S迅速越过分解温度或晶型转变温度,在低温下以介稳态保存下来。

6-8 今通过实验测得如图6-3所示的各相图,试判断这些相图的正确性。如果有错,请指出错在何处?并说明理由。

图6-3

解:第一图错,B组元有一个固定的熔点,因此液相线和固相线在B侧应交于一点。

第二图错,A、B组元具有一个低共熔点,因此A、B的两条液相线应交于一点。

第三图错,析晶过程中,达到共熔点后,系统进入低共熔过程,从液相中析出固溶体α、β,系统进入三相平衡状态,系统的温度不能变,因此中间的那条线应与AB平行。

第四图错,具有低共熔点的有限固

溶体二元系统相图中γ固溶体不可能存

在。

第五图错,具有转熔点的有限固溶

体二元系统相图中γ固溶体不可能存在。

6-9 根据图6-4所示的二元系统相

图回解:(1)注明各相区;(2)写出无变量点的性质及其相平衡关系;(3)写出M1和M2熔体的平衡冷却析晶过程;(4)计算从熔体刚冷至T P温度及离开T P温度时系统中存在各相的百分含量。

解:(1)相区如图所示:

(2)转熔点P:

低共熔点E:

(3)

液:

固:

图6-4 液:

固:

(4)点,刚到时

离开时,

点,刚到时

离开时,

6-10 图6-5为具有一个不一致熔融化合物的二元系统,在低共熔点E 发生如下析晶的过程:L A+A m B n。E点B含量为20%,化合物A m B n含B量为64%,今有C1和C2两种配料,其配料点分置于E点两侧。已知C1中B含量是C2中B含量的1.5倍,且在达低共熔点温度前的冷却析晶过程中,从该二配料中析出的初晶相含量相等。试计算C1和C2的组成。

图6-5

解:设A-B二元相图中组成以质量百分数表示。和两种配料量均为G(kg)。据题意,初相在低共溶点前析出,则和二配料组成必在AP之间(若在PB之间,初相比在转熔点P前析出)。又该二配料组成不同,而析出的初相含量相等,可知二配料点一定分置于低共溶点E两侧,析出初相分别为

和A。

设含B的量为x%,含B量为y%, 则根据杆杠规则可以建立下面方程:

解联立方程,得x=26%,y=17.3%。

所以,组成为含B的量26%,组成为含B17.3%

6-11 图6-6是一个未完成的具有一个不一致熔化合物并形成固溶体的二元系统相图。请根据已给出的诸点完成此相图的草图。

解:草图如下:

图6-6

6-12 已知A和B两组成构成具有低共熔点的有限固溶体的二元系统。试根据下列实验数据绘制粗略相图。已知A的熔点为1000℃,B熔点为700℃。含B为25mol%的试样在500℃完全凝固,其中含73.3mol%初晶相S

A(B)

26.7mol%(S A(B)+S B(A))共生体。含B为50mol%的试样在同一温度下凝固完毕,其中含40mol%初晶相S A(B)和60mol%(S A(B)+S B(A))共生体,而S A(B)相总量占晶相总量的50%。实验数据均在达到平衡状态时测定。

解:因a、b点温度及低共熔温度已知,欲绘此相图之草图,关键是求出C、E、D三点之组成。由于二个试样析出初晶相均为,且在同一温度下凝固完毕(此温度显然即低共熔温度,可知该二试样的组成必都落在CE间。

设C点含B量为x, E点含B量为z。根据题意借助杠杆规则可以获得下

面关系式。

解上述联立方程,得x=0.051,y=0.799,z=0.949, 据此,可确定C点含B 量0.05mol, E点含B量为0.80mol, D点含B量为0.95mol。这样相图中C、E、D位置可以找到,从而绘出相图的草图如下:

6-13 根据Al

2O

3

-SiO

2

系统相图说明:(1)铝硅质耐火材料:硅砖(含

SiO

2>98%)、粘土砖(含Al

2

O

3

35%~50%)、高铝砖(含Al

2

O

3

60%~90%)、

刚玉砖(含Al

2O

3

>90%)内,各有哪些主要的晶相?(2)为了保持较高的耐火

度,在生产硅砖时应注意什么?(3)若耐火材料出现40%的液相便软化不能使

用,试计算含40mol%Al

2O

3

的粘土砖的最高使用温度。

解:(1)硅砖(含 SiO

2>98%)主要晶相: SiO

2

、 2Al

2

3

· 2SiO

3 固溶体(莫来石),粘土砖(含 Al

20

3

35 ~ 50%)主要晶相: SiO

2

A 3S

2

,高铝砖(含 Al

2

3

60 ~ 90%)主要晶相: 60 ~ 72%A

3

S

2

72 ~

90% Al

20

3

、A

3

S

2

(2)为了保持硅砖的耐火度,要严格防止原料中混如 Al

20

3。

SiO

2熔点为1723 ℃ ,SiO

2

液相很陡,加入少量的 Al

2

3

后,硅砖中会产生

大量的液相, SiO

2的熔点剧烈下降。如加入 1wt% Al

2

3

,在低共熔点

(1595 ℃)时产生的液相量为 1/5.5=18.2% ,会使硅砖的耐火度大大下降;

(3)根据相图,当出现40%液相时,由杆杠规则可知,

,得x=0.1, 在相图中作出析晶路线,可以估计出粘土砖的最高温度约为

1670 ℃。

Al

2O

3

-SiO

2

系统相图

6-14 根据CaO-SiO

2

系统相图回答下列问题:(1)若以含CaO80%的熔

体1000g冷却到2150℃以后(温度即将离开2150℃时),会获得何种产物?这

些产物的量各为多少?(2)若以 CaO、SiO

2

二组元配料,加热至熔融后再冷却,

要求产物中只有C

2S和C

3

S,则配料范围应选在哪里?若平衡冷却能达到目的吗?

为什么?应采取什么措施?

解:CaO-SiO

2

系统如下:

CaO-SiO

2

系统相图

(1)根据上图,可知,含CaO80%的熔体1000g冷却到即将离开转熔点M

时(2150℃),产物为C

3S和CaO,根据杆杠规则可知:C

3

S为

,CaO为。

(2)若要求产物中只有C

2S和C

3

S,据相图可知,配料范围应选在含CaO65%~

74%之间。平衡冷却不能达到目的,因为平衡冷却得到的是C

2

S和CaO,为使产物

只有C

2S和C

3

S,应在温度降至1250℃急冷。

6-15 在CaO-SiO

2

和Al

2

O

3

-SiO

2

系统中,SiO

2

的液相线都很陡,解释为

什么在硅砖生产中可掺入少量CaO做矿化剂不会降低硅砖的耐火度,而在硅砖中

却要严格防止混入Al

2O

3

,否则便会使硅砖耐火度大大下降。

解:SiO

2

中加入少量的 CaO ,在低共熔点1436 ℃ 时,液相量为

2/37=5.4% ,液相量增加不多,不会降低硅砖的耐火度,故可加少量 CaO 作矿化剂。

6-16加热粘土矿物高岭石(Al2O3·2SiO2·2H2O)至600℃时,高岭石分解为水蒸气和Al2O3·2SiO2,继续加热到1595℃时会发生什么变化?在该温度下长时间保温达到平衡,系统的相组成如何?当系统生成40%液相时,应达到什么温度?在什么温度下该粘土完全熔融?

解:Al2O3· 2SiO2· H2O Al2O3· 2SiO2+ H2O

Al2O3· 2SiO2相图中 SiO2%=33%mol

(1)加热到 1595 ℃时,生成A3S2

(2)1595 ℃长时间保温,系统中为液相和A3S2, L%= =21.8%

(3)完全熔融即固相完全消失,应为33%直线与液相线交点处温度。

6-17将含有MgO和Al2O3的熔体冷却到一定温度,然后滤去析出的晶体并对剩下的液相进行分析,得知液相中含MgO为65%,

而且知道液相量是物系总量的70%,求原始熔体的组成。

解:MgO 45.5%;Al2O3 54.5%

6-18指出图6-7所示一些三元系统相图中的错误,并说明理由。

解:(a)此相图上等界线相应的连线可将图面划分成五个副三角形,但是只有四个无变量点,这是不可能的。事实上三元化合物XYZ的初晶区不可能延伸到YZ边上。

图6-7

6-19请划分图6-8所示四个相图中的副三角形。

图6-8

解:如下图所示

6-20在浓度三角形中画出下列配料的组成点的位置。M:A=10%、B=70%、C=20%;N:A=10%、B=20%、

C=70%;P:A=70%、B=20%、C=10%。若将3kg M、2kg N和5kg P混合,试根据杠杆规则用作图法找出新配料Q的组成点位置。

解:如图所示

6-21 图6-9是最简单的三元系统投影图,图中等温线从高温到低温的次序是:t5>t4>t3>t2>t1,根据此投影图回解:

(1)三个组元A、B、C熔点的高低次序是怎样排列的?

(2)各液相面的陡势排列如何?哪个最陡?哪个最平坦?

(3)指出组成为65%A、15%B、20%C的熔体在什么温度下开始析晶?析晶过程怎样?(表明液、固相组成点的变化及结晶过程各阶段中发生的变化过程)

解:(1)熔点:T B>T A>T C

(2)B最陡,C次之,A最平坦;

(3)如图所示,在M点所在的温度下开始析晶,

析晶过程如下:

6-9 图6-10

6-22图6-10为ABC三元系统相图,根据此相图:(l)判断化合物K和D的性质;(2)标出各条界线上的温度下降方向;(3)划分副三角形;

(4)判断各无变量点的性质,并写出相平衡关系式。

解:(1)K为一致熔融三元化合物;D为一致熔融二元化合物。

(2)如右图所示。

(3)如右图所示。

(4)无变量点M、N、O、P均为低共熔点,

向平衡关系如下:

M

N

O

P

6-23试分析图6-11上配料点1、2、3的结晶过程,写出结晶过程的相平衡表达式(表明液、固相组成点的变化及结晶过程各阶段系统中发生的相变化和自由度数的变化)。

解:1点冷却析晶过程:

2点冷却析晶过程:

3点冷却析晶过程:

图6-11 图6-12

6-24图6-12所示为生成一个三元化合物的三元系统相图。(1)判断三元化合物N的性质;(2)标出界线上的温降方向(转熔界线用双箭头);(3)指出无变量点K、L、M的性质,并写出相平衡方程;(4)分析点l、2的结晶过程,写出结晶过程的相平衡表达式。

解:(1)N为不一致熔融三元化合物

(2)如图所示

(3)副△ACN 对应M 低共熔点

副△BCN 对应L 低共熔点

副△ABN 对应K 单转熔点

(4)1的结晶过程:

2的结晶过程:

6-25根据图6-13三元系统相图:(1)判断无变量点E、P的性质,并写出相平衡关系式;(2)分析熔体M1、M2和M3的冷却析晶过程,并总结判断结晶产物和结晶结束点的规则;(3)加热组成为M4的混合物,将于什么温度出现液相?在该温度下出现的最大液相量是多少?在什么温度下完全熔融?写出其加热过程相平衡表达式。

解:(1)E为低共熔点

P为单转熔点

(2)①熔体M1的冷却析晶过程:

②熔体M2的冷却析晶过程:

③熔体M3的冷却析晶过程:

熔体组成点所在副三角形三个顶点所代表的晶相违结晶产物;三晶相对应的初晶区所包围的无变量点为结晶结束点。

(3)加热组成为M4的混合物,将于E点对应的温度出现液相。在该温度下出现的最大液相量为,在M4点对应的温度下完全熔融。

加热过程相平衡表达式:

6-13

图6-14

6-26图6-14为一个三元系统相图。根据此图:(1)判断化合物D的性质,标出图中各边界和界线温降方向并判断界线性质;(2)判断无变量点E、F、G的性质,并写出相平衡关系式;(3)写出熔体M1和M2的冷却析晶过程;(4)计算熔体M2液相刚到结晶结束点时以及结晶结束后的各相含量。

解:(1)化合物D为不一致熔融三元化合物;

(2)E 低共熔点

F 单转熔点

G 单转熔点

(3)熔体M1的冷却析晶过程:

熔体M2的冷却析晶过程:

(4)熔体M2液相刚到结晶结束点时各相的含量:

熔体M2液相到结晶结束点后各相的含量:

6-27图6-15为生成2个一致熔融二元化合物的三元系统,据图回答下列问题:(l)可将其划分为几个副三角形?(2)标出图中各边界及相区界线上温度下降方向。(3)判断各无变量点的性质,并写出相平衡关系式。

解:(1)三个副三角形,△AS1S2、△S1S2B、△S2CB

(2)如下图所示

(3)无变量点E1、E2、E3都是低共熔点,各向平衡关系式如下:

△AS1S2 E1

△S1S2B E2

△S2CB E3

图6-15 图6-16

6-28图6-16是生成一致熔融二元化合物(BC)的三元系统投影图。设有组成为35%A、35%B、30%C的熔体,试确定其在图中的位置。冷却时该熔体在何温度下开始析出晶体?

解:M点的位置如下图所示, M 点所在温度约 1050 ℃, 1050 ℃开始析晶。

6-29根据图6-17回答下列问题:(l)说明化合物S1、S2的性质;(2)在图中划分副三角形及用箭头指示出各界线的温度下降方向及性质;(3)指出各无变量点的性质并写出各点的平衡关系;(4)写

出1、3组成的熔体的冷却结晶过程;(5)计算熔体1结晶结束时各相百分含量,若在第三次结晶过程开始前将其急冷却(这时液相凝固成为玻璃相),各相的百分含量又如何?(用线段表示即可);(6)加热组成2的三元混合物将于哪一点温度开始出现液相?在该温度下生成的最大液相量是多少?在什么温度下完全熔融?写出它的加热过程。

解:(1)S1为一致熔融二元化合物,S2为不一致熔融化合物。

(2)如图所示。

(3)E 低共熔点

P1单转熔点

P2单转熔点

(4)1组成的熔体的冷却结晶过程

3组成的熔体的冷却结晶过程

(5)熔体1结晶结束时各相百分含量

在第三次结晶过程开始前将其急冷却,各相的百分含量

(6)在P2点对应的温度开始出现液相,在该温度下出现的最大液相量为:

在2点对应的温度下完全熔融。

组成2加热过程:

图6-17 图6-18

6-30根据图6-18回答下列问题:(1)说明化合物S的熔融性质,并分析相图中各界线上温度变化的方向以及界线和无变量点的性质;(2)写出组成点为1、2、3及4各熔体的冷却结晶过程;(3)分别将组成为5和组成为6的物系,在平衡的条件下加热到完全熔融,说明其固液相组成的变化途径。

解:(1)化合物S为不一致熔融三元化合物;P1E、P2E均为共熔界线,P1P2为转熔界线;无变量点E为低共熔点,P1、P2均为单转熔点。

(2)组成点为1的熔体的冷却结晶过程:

组成点为2的熔体的冷却结晶过程:

组成点为3的熔体的冷却结晶过程:

组成点为4的熔体的冷却结晶过程:

(3)组成为5物系的熔融过程:

组成为6物系的熔融过程:

6-31根据图6-19回答下列问题:(1)用箭头标出各界线的温度下降方向并说明界线性质;(2)指出各无变量点E、P、R、Q的性质,并写出其相平衡关系;(3)写出熔体M的结晶过程,说明液相离开R点的原因;(4)画出AB、BC二元系统相图。

解:(1)界线Ee2、e1P、ab、PE、RE、QR、e3Q均为共熔界线,界线aP、bR为转熔界线。

(2)E 低共熔点

P 单转熔点

Q 过渡点

(3)熔体M的结晶过程:

熔体M在副△BCS内,其结晶结束点应在E点,所以液相离开R点。

图6-19

6-32比较各种三元无变量点(低共熔点,单转熔点,双转熔点,过渡点和多晶转变点)的特点,写出它们的平衡关系。

解:低共熔点指是一种无变量点,系统冷却时几种晶相同时从熔液中析出,或加热时同时融化。相平衡关系为L(E)

若无变量点处于交叉位置的是单共熔分别点,在共轭位置的是双转熔点。相转变关系为

过渡点就是转熔性质和共熔性质转变的点,无对应三角形,相平衡的三晶相组成在一条直线上。

多晶转变点两种或者三种晶型发生晶型转变的温度点。

6-38如图6-25为CaO-Al2O3-SiO2系统的富钙部分相图,若原始液相组成位于硅酸盐水泥的配料圈内,并恰好在CaO和C3S初相区的边界曲线上。(1)分析此液相组成的结晶过程;(2)在缓慢冷却到无变量点K的温度1455℃时急剧冷却到室温,则最终获得哪些相,各相含量多少?

图6-25 CaO-Al2O3-SiO2系统高钙区部分相图

解:(1),

(2)溶体平衡冷却得到产物是C2S,C3S和C3A,其固相组成点为P点,各晶相可根据P点在△C2S—C3S—C3A中的位置按双线法求得,C2S=14.6%,C3S=63.9%,C3A=21.5%。实际生产过程中有可能会产生玻璃相。

6-39见图6-25,已知H点的温度1470℃,K点温度1455℃,F点温度1355℃。今取配料成分恰为无变量点H的组成,在充分平衡条件下,问:(l)加热该配料混合物,什么温度开始出现液相?(2)要使物料全部熔融,至少要加热到多高温度?(3)写出该配合料的加热过程相平衡表达式。

解:(1) 1335℃

(2)1455℃

(3)

6-40如图6-25,配料P的液相在无变量点K发生独立析晶,最终在低共熔点F结束结晶。问此时所获得的C3S、C2S、C3A和C4AF四种晶相的含量各为多少?如果在F点仍未达到充分平衡,残留液相能否离开F点向其它无变量点继续转移?为什么?

解:配料P的液相在无变量点K发生独立析晶,最终在低共熔点F结束结晶,所获得C3S为63.9%,C2S为14.6%,C3A和C4AF为21.5%。

独立析晶过程也不一定会进行到底,由于冷却速度较快,还可能使熟料中残留玻璃相,这样的话残留玻璃相有可能离开F点向其它无变量点继续转移。

6- 43参看CaO-A12O3-SiO2系统相图(图6-27),回答下列问题:(1)组成为 66%CaO、26%SiO2、8%A12O3的水泥配料将于什么温度开始出现液相?这时生成的最大液相量是多少;(2)为了得到较高的C3S含量,(1)中组成的水泥烧成后急冷好.还是缓冷让其充分结晶好?(3)欲得到(l)中组成的水泥,若只用高岭土和石灰石(A12O3·2SiO2·2H2O和CaCO3)配料,能否得到该水泥的组成点?为什么?若不能,需要加入何种原料?并计算出所需各种原料的百分含量。

图6-27 CaO-Al2O3-SiO2系统相图

解:(1) k 点开始出现液相,温度为 1455 ℃ ,连接 3k 交 CaO-C3S 线于 6 点 ,

L%=,线段长度可直接量取。

(2)急冷好, k 点将进行转熔过程

这样C3S量会减少,急冷使转熔过程来不及进行,从而提高C3S含量

(3) AS2与CaCO3配料,不能得到 3 点矿物组成

3 点组成 66 CaO 1.179mol 26 SiO20.433mol 8 Al2030.078mol化成 mol%

69.76% 25.62% 4.62% SiO2mol%/ Al203mol%=5.55

题目组成点 Al203· 2SiO2· 2H2O 与CaCO3配料, SiO2mol%/Al203mol%=2 :1,二者比较,SiO2量不够,所以需加入 SiO2。

设配料 100g ,含有66g CaO , 26g SiO2, 8g Al203 ,66g CaO 化成CaCO3量 66/56 ×

100=117.86g

8g Al203化成 Al203· 2SiO2· 2H2O 量 8/102 × 258=20.24g

AS2· 2H2O 提供 SiO28/102 × 2 × 60=9.41g

还需 SiO2量 20.24-9.41=10.83g,CaCO3wt%=79.14% ,AS2· 2H2O wt%=13.59% , SiO2wt%=7.27%

6-44根据Na2O-CaO-SiO2系统相图(图6-28)回解:(1)组成为13%Na2O,13%CaO,74%SiO2玻璃配合料将于什么温度熔化?在什么温度完全熔融?(2)上面组成的玻璃,当加热到1050℃、1000℃、900℃、800℃时,可能会析出什么晶体?(3)NC3S6晶体加热时是否会不一致熔化?分解出什么晶体,熔化温度如何?

图6-28 Na2O-CaO-SiO2系统相图

解:(1)该点位于△NC3S6-NCS5-SiO2中, Q 点附近β -CS 初晶区对应无变量H 点 1:3:6+ α-石英 +L 1:1:5,配料在 827 ℃熔化,完全熔化为 1050 ℃左右

(2)加热到 1050 ℃ L→β-CS,1000 ℃ L→1:3:6+ α-鳞石英,900 ℃ L→1:3:6+ α-石英,800 ℃加热到 800 ℃时未熔化,冷却到 800 ℃时三个晶相 1:3:6 1:1:5

(3)NC3S6加热是不一致熔融,加热分解

1:3:6 析晶,先析出α-CS ,α -CS →β-CS , RQ 线上 L+ β-CS→1:3:6

1:3:6 加热到 RQ 界线与 CS-1:3:6 交点温度开始熔化(1050 ℃左右)分解出β-CS

6-45在陶瓷生产中一般出现 35%液相就足以使瓷坯玻化,而当液相达到45%时,将使瓷坯变形,成为过烧。根据MgO-A12O3-SiO2系统相图(图6-29)具体计算含10%偏高岭石、90%偏滑石的配料的烧成温度范围。

图6-29 MgO-Al2O3-SiO2系统高硅部分相图

解:组成点确定下来,图中 M 点,△ MS-M 2 Al2S35-SiO2对应无变量点 1 点(1355 ℃)加热该组成点,于 1 点开始出现液相,液相组成点在 MS 与 SiO2界线上移动,固相组成点在 MS-SiO2连线上变化,以 M 点为支点连成杠杆,当 L%=35% 时,对应温度 1390 ℃, L%=45% 时,对应温度 1430 ℃,烧成温度范围为 1390 ~ 1430 ℃。

6-46根据K2O-A12O3-SiO2系统相图(图6-30),计算含50%高岭石、30%长石、20%石英的一个瓷器配方在1250℃烧成达到平衡时的相组成及各相的相对量。

图6-30 K2O-Al2O3-SiO2系统相图

解: 50%AS2 30%KAS6 20%SiO2组成点在△ QWD 中 3 点, 3 点位于初晶区,对应 E 点结晶结束 985 ℃ L SiO2+A3S2+ KAS 6 ,加热组成为 3 物质,于 E 点开始出现液相

计算机系统结构课后答案

1、数据结构和机器的数据表示之间是什么关系?确定和引入数据表示的基本原则是什么? 答:数据表示是能由硬件直接识别和引用的数据类型。数据结构反映各种数据元素或信息单元之间的结构关系。数据结构要通过软件映象变换成机器所具有的各种数据表示实现,所以数据表示是数据结构的组成元素。不同的数据表示可为数据结构的实现提供不同的支持,表现在实现效率和方便性不同。数据表示和数据结构是软件、硬件的交界面。 除基本数据表示不可少外,高级数据表示的引入遵循以下原则:(1)看系统的效率有否提高,是否养活了实现时间和存储空间。(2)看引入这种数据表示后,其通用性和利用率是否高。 2、标志符数据表示与描述符数据表示有何区别?描述符数据表示与向量数据表示对向量数据结构所提供的支持有什么不同? 答:标志符数据表示指将数据类型与数据本身直接联系在一起,让机器中每个数所都带类型樗位。其优点是:(1)简化了指令系统和程序设计;(2)简化了编译程序;(3)便于实现一致性校验;(4)能由硬件自动变换数据类型;(5)支持数据库系统的实现与数据类型无关;(6)为软件调试和应用软件开发提供支持。缺点是:(1)会增加程序所点的主存空间;(2)在微观上对机器的性能(运算速度)不利。 数据描述符指数据的描述与数据分开存放,描述所访问的数据是整块还是单个的,及访问该数据块或数据元素的地址住处它具备标志符数据表示的优点,并减少了标志符数据表示所占的空间,为向量和数组结构的实现提供支持。 数据描述符方法优于标志符数据表示,数据的描述与数据分开,描述所访问的数据是整块还是单个的,及访问该数据块或数据元素的地址信息,减少了樗符数据表示所占的窨。用描述符方法实现阵列数据的索引比用变址方法实现要方便,且便于检查出程序中的阵列越界错误。但它不能解决向量和数组的高速运算问题。而在有向量、数组数据表示的向量处理机上,硬件上设置有丰富的赂量或阵列运算指令,配有流水或阵列方式处理的高速运算器,不仅能快速形成向量、数组的元素地址,更重要的是便于实现把向量各元素成块预取到中央处理机,用一条向量、数组指令流水或同时对整个向量、数组高速处理.如让硬件越界判断与元素运算并行。这些比起用与向量、阵列无关的机器语言和数据表示串行实现要高效的多。 3、堆栈型机器与通用寄存器型机器的主要区别是什么?堆栈型机器系统结构为程序调用的哪些操作提供了支持? 答:有堆栈数据表示的机器称为堆栈机器。它与一般通用寄存器型机器不同。通用寄存器型

大学物理第六章课后习题答案(马文蔚第五版)

大学物理第六章课后习题答案(马文蔚第五版) -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

第六章静电场中的导体与电介质6 -1将一个带正电的带电体A 从远处移到一个不带电的导体B 附近,则导体B 的电势将() (A)升高(B)降低(C)不会发生变化(D)无法确定 分析与解不带电的导体B 相对无穷远处为零电势。由于带正电的带电体A 移到不带电的导体B 附近时,在导体B 的近端感应负电荷;在远端感应正电荷,不带电导体的电势将高于无穷远处,因而正确答案为(A)。 6 -2将一带负电的物体M靠近一不带电的导体N,在N 的左端感应出正电荷,右端感应出负电荷。若将导体N 的左端接地(如图所示),则() (A) N上的负电荷入地(B)N上的正电荷入地 (C) N上的所有电荷入地(D)N上所有的感应电荷入地 分析与解导体N 接地表明导体N 为零电势,即与无穷远处等电势,这与导体N在哪一端接地无关。因而正确答案为(A)。 6 -3如图所示将一个电量为q的点电荷放在一个半径为R的不带电的导体球附近,点电荷距导体球球心为d,参见附图。设无穷远处为零电势,则在导体球球心O点有() 2

3 (A )d εq V E 0π4,0== (B )d εq V d εq E 02 0π4,π4== (C )0,0==V E (D )R εq V d εq E 020π4,π4== 分析与解 达到静电平衡时导体内处处各点电场强度为零。点电荷q 在导 体球表面感应等量异号的感应电荷±q′,导体球表面的感应电荷±q′在球心O 点激发的电势为零,O 点的电势等于点电荷q 在该处激发的电势。因而正确答案为(A )。 6 -4 根据电介质中的高斯定理,在电介质中电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于这个曲面所包围自由电荷的代数和。下列推论正确的是( ) (A ) 若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零,曲面内一定没有自由电荷 (B ) 若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分等于零,曲面内电荷的代数和一定等于零 (C ) 若电位移矢量沿任意一个闭合曲面的积分不等于零,曲面内一定有极化电荷

高等数学课后习题答案第六章

习题6-2 1.求图6-21中各画斜线部分的面积: (1) 解 画斜线部分在x 轴上的投影区间为[0,1]. 所求的面积为 6 1]2132[)(1022310=-=-=?x x dx x x A . (2) 解法一 画斜线部分在x 轴上的投影区间为[0,1]. 所求的面积为 1|)()(101 0=-=-=?x x e ex dx e e A , 解法二 画斜线部分在y 轴上的投影区间为[1,e ]. 所求的面积为 1)1(|ln ln 1 11=--=-==??e e dy y y ydy A e e e . (3) 解画斜线部分在x 轴上的投影区间为[-3,1]. 所求的面积为

3 32]2)3[(1 32=--=?-dx x x A . (4) 解画斜线部分在x 轴上的投影区间为[-1,3]. 所求的面积为 3 32|)313()32(31323 12=-+=-+=--?x x x dx x x A . 2. 求由下列各曲线所围成的图形的面积: (1)221 x y =与x 2+y 2=8(两部分都要计算); 解: 3 88282)218(22 0220220220221--=--=--=????dx x dx x dx x dx x x A 3 4238cos 16402+=-=?ππ tdt . 3 46)22(122-=-=ππS A . (2)x y 1 =与直线y =x 及x =2;

解: 所求的面积为 ?-=-=2 12ln 2 3)1(dx x x A . (3) y =e x ,y =e -x 与直线x =1; 解: 所求的面积为 ?-+=-=-1 021)(e e dx e e A x x . (4)y =ln x ,y 轴与直线y =ln a , y =ln b (b >a >0). 解 所求的面积为 a b e dy e A b a y b a y -===?ln ln ln ln 3.求抛物线y =-x 2+4x -3及其在点(0,-3)和(3,0)处的切线所围成的图形的面积. 解:

无机材料科学基础答案

1、熔体的概念:不同聚合程度的各种聚合物的混合物 硅酸盐熔体的粘度与组成的关系(决定硅酸盐熔体粘度大小的主要因素就是硅氧四面体网络连接程度) 在熔体中加入LiO2、Na2O 、K2O 与BaO 、PbO 等,随加入量增加,粘度显著下降。 在含碱金属的硅酸盐熔体中,当Al2O3/Na2O ≤1时,用Al2O3代替SiO2可以起“补网”作用,从而提高粘度。一般加入Al2O3、SiO2与ZrO2有类似的效果。 流动度为粘度的倒数,Φ= 粘度的理论解释:绝对速度理论η=η0exp(ΔE/kT) 自由体积理论η=B exp [ ]=Aexp( ) 过剩熵理论η = Cexp [ = Cexp( ) 2、非晶态物质的特点 :近程有序,远程无序 3、玻璃的通性 (1)各向同性(若有应力,为各向异性) (2)介稳性 (3)熔融态向玻璃态转化的可逆与渐变性 (4)、熔融态向玻璃态转化时其物化性质随温度变化的连续性 4、 Tg 、Tf , 相对应的粘度与特点 钠钙硅酸盐熔体粘度与温度关系表明:熔融温度范围内,粘度为50~500dPa·s 。工作温度范围粘度较高,约103~107dPa·s 。退火温度范围粘度更高,约1012、5~1013、5 dPa·s 。 Tg-脆性温度、退火温度,Tf-软化温度、可拉丝的最低温度 5、 单键强度 > 335 kJ/mol(或80 kcal/mol)的氧化物——网络形成体。 单键强度 < 250 kJ/mol(或60 kcal/mol)的氧化物——网络变性体。 在250~335 kJ/mol 为——中间体,其作用介于玻璃的网络形成体与网络变性体之间。 6、玻璃形成的热力学观点: 熔体就是物质在TM 以上存在的一种高能状态。据随温度降低,熔体释放能量大小不同,冷却途径分为结晶化,玻璃化,分相 ΔGv 越大析晶动力越大,越不容易形成玻璃。 ΔGv 越小析晶动力越小,越容易形成玻璃。 玻璃形成的动力学观点: 过冷度增大,熔体质点动能降低,有利于质点相互吸引而聚结与吸附在晶核表面,有利于成核。 过冷度增大,熔体粘度增加,使质点移动困难,难于从熔体中扩散到晶核表面,不利于晶核长大。 过冷度与成核速率Iv 与晶体生长速率u 必有一个极值。 玻璃形成的结晶化学观点: (1)、键强(孙光汉理论) 熔点低的氧化物易于形成玻璃 (2)、键型 三种纯键型在一定条件下都不能形成玻璃。 )(00T T KV -α0T T B -)(0T T C D P -?0T T B -η1

计算机系统结构课后答案unit3

第3章总线、中断与输入输出系统 3.1.简要举出集中式串行链接,定时查询和独立请求3种总线控制方式的优缺点。同时分析硬件产生故障时通讯的可靠性。 答:集中式串行链连接方式。其过程为: ①所有部件都经公共的“总线请求”线向总线控制器发使用总线申请。 ②当“总线忙”信号未建立时,“总线请求”才被总线控制器响应,送出“总线可用”信号,它串行地通过每个部件。 ③如果某部件未发过“总线请求”,则它将“总线可用”信号往下一部件转,如果某部件发过“总线请求”,则停止“总线可用”信号的传送。 ④该部件建立“总线忙”,并除去“总线请求”,此时该部件获得总线使用权,准备传送数据。 ⑤数据传送期间,“总线忙”维持“总线可用”的建立。 ⑥传送完成后,该部件去除“总线忙”信号和“总线可用”信号。 ⑦当“总线请求”再次建立时,就开始新的总线分配过程。 优点:①选择算法简单;②控制总线数少;③可扩充性好;④可靠性高。 缺点:①对“总线可用”线及其有关电路失效敏感,②不灵活;③总线中信号传送速度慢。 集中式定时查询方式,过程: ①总线上每个部件通过“总线请求”发请求。 ②若“总线忙”信号未建立,则计数器开始计数,定时查询个部件,以确定是谁发的请求。 ③当查询线上的计数值与发出请求的部件号一致时,该部件建立“总线忙”,计数停止,查询也停止。除去“总线请求”,该部件获得总线使用权。 ④“总线忙”维持到数据传送完毕。 ⑤数据传送完,去除“总线忙”。 ⑥当“总线请求”线上有新的请求,就开始下一个总线分配过程。 优点:①优先次序灵活性强;②可靠性高。 缺点:①控制线数较多;②扩展性较差;③控制较为复杂;④总线分配受限于计数信号,不能很高。 集中式独立请求方式,过程:

第六章课后练习题答案

第四部分课后练习题 一、单项选择题 1.某投资方案的年营业收入为100000元,年总营业成本为60000元,其中年折旧额10000元,所得税率为33%,该方案的每年营业现金流量为( B )。 A.26800元B.36800元C.16800元D.43200元2.当两个投资方案为独立选择时,应优先选择( D )。 A.净现值大的方案B.项目周期短的方案 C.投资额小的方案D.现值指数大的方案 3.计量投资方案的增量现金流量时,一般不需要考虑方案( D )。 A.可能的未来成本B.之间的差额成本 C.有关的重置成本D.动用现有资产的账面成本 4.在计算现金流量时,若某年取得的净残值收入大于预计的净残值时,正确的处理方法是( C )。 A.只将两者差额作为现金流量B.仍按预计的净残值作为现金流量C.按实际净残值减去两者差额部分所补交的所得税的差额作为现金流量D.按实际净残值加上两者差额部分所补交的所得税的差额作为现金流量5.已知某设备原值160000元,累计折IH 127000,如现在变现,则变现价值为30000元,该公司适用的所得税率为40%,那么,继续使用该设备引起的现金流出量为( B)元。 A.30000 B.31200 C.28800 D.33000 6.某企业生产某种产品,需用A种零件。如果自制,该企业有厂房设备;但若外购,厂房设备可出租,并每年可获租金收入8000元。企业在自制与外购之间选择时,应( C)。 A.以8000元作为外购的年机会成本予以考虑 B.以8000元作为外购的年未来成本予以考虑 C.以8000元作为自制的年机会成本予以考虑 D.以8000元作为自制的年沉没成本不予以考虑 7.如果考虑货币的时间价值,固定资产平均年成本是未来使用年限内现金流出总现值与( C )的乘积。 A.年金终值系数B.年金现值系数 C.投资回收系数D.偿债基金系数 8.已知某设备原值60000元,税法规定残值率为10%,最终报废残值5000元,该公司所得税率为40%,则该设备最终报废由于残值带来的现金流入量为( A )元。 A.5400 B.6000 C.5000 D.4600 9.某公司于1999年拟投资一项目,经专家论证总投资需500万元,并已支付专家咨询费50000元,后因经费紧张此项目停了下来,2001年拟重新上马。则已发生的咨询费从性质上来讲属于( C )。 A.相关成本B.重置成本C.沉入成本D.特定成本10.某公司拟新建一车间用以生产受市场欢迎的甲产品,据预测甲产品投产后每年可创造100万元的收入;但公司原生产的A产品会因此受到影响,使其年收入由原来的200万元降低到180万元。则与新建车间相关的现金流量为( B )。 A.100 B.80 C.20 D.120

完整版计算机体系结构课后习题原版答案_张晨曦著

第1章计算机系统结构的基本概念 (1) 第2章指令集结构的分类 (10) 第3章流水线技术 (15) 第4章指令级并行 (37) 第5章存储层次 (55) 第6章输入输出系统 (70) 第7章互连网络 (41) 第8章多处理机 (45) 第9章机群 (45) 第1章计算机系统结构的基本概念 1.1 解释下列术语 层次机构:按照计算机语言从低级到高级的次序,把计算机系统按功能划分成多级层次结构,每一层以一种不同的语言为特征。这些层次依次为:微程序机器级,传统机器语言机器级,汇编语言机器级,高级语言机器级,应用语言机器级等。 虚拟机:用软件实现的机器。 翻译:先用转换程序把高一级机器上的程序转换为低一级机器上等效的程序,然后再在这低一级机器上运行,实现程序的功能。

解释:对于高一级机器上的程序中的每一条语句或指令,都是转去执行低一级机器上的一段等效程序。执行完后,再去高一级机器取下一条语句或指令,再进行解释执行,如此反复,直到解释执行完整个程序。 计算机系统结构:传统机器程序员所看到的计算机属性,即概念性结构与功能特性。 在计算机技术中,把这种本来存在的事物或属性,但从某种角度看又好像不存在的概念称为透明性。 计算机组成:计算机系统结构的逻辑实现,包含物理机器级中的数据流和控制流的组成以及逻辑设计等。 计算机实现:计算机组成的物理实现,包括处理机、主存等部件的物理结构,器件的集成度和速度,模块、插件、底板的划分与连接,信号传输,电源、冷却及整机装配技术等。 系统加速比:对系统中某部分进行改进时,改进后系统性能提高的倍数。 Amdahl定律:当对一个系统中的某个部件进行改进后,所能获得的整个系统性能的提高,受限于该部件的执行时间占总执行时间的百分比。 程序的局部性原理:程序执行时所访问的存储器地址不是随机分布的,而是相对地簇聚。包括时间局部性和空间局部性。

热学第六章课后习题答案

第六章热学答案 1. 解 :由致冷系数2122T T T A Q -== ε ()J T T AT Q 421221025.121 102731000?=-?=-= 2.解:锅炉温度K T 4832732101=+=,暖气系统温度K T 333273602=+=,蓄水池温度 K T 288273153=+=。kg 0.1燃料燃烧放出的热量为1Q 热机的工作效率1212111T T Q Q Q A -=-== η,向制冷机做功)1(1 21T T Q A -=,热机向暖气系统放热分别为11212Q T T A Q Q = -=;设制冷机的制冷系数3 2343T T T A A Q A Q -=-==ε, A T T T T T T T T T A Q ?-?-=-+ =3 22 1213234)1( 暖气系统得到热量为: 112322112421Q T T T T T Q T T Q Q Q ??? ? ??--+= +=1123231Q T T T T T ?-T -= cal 41049.115000483 333 288333288483?=???--= 3.解:(1)两个循环都工作与相同绝热线,且低温T 不变,故放热相同且都为2Q ,在第一个循环 过程中22 1212111Q A Q Q Q T T +- =-=- =η,2 122T T AT Q -=;在第二个循环过程中高温热源温度提高到3T 的循环过程中2223232111Q A Q Q Q T T +-=-=- =η,2 32 22T T T A Q -=;因此2 32 22122T T T A T T AT Q -=-= 解得()()K T T A A T T 473173373800 106.12733 211223=-?+=-+= (2)效率增大为:3.42473 273 1132=-=- =T T η % 4.解:热机效率 1211T T Q A -≤,当取等号时1Q 最小,此时1 211T T Q A -=,

无机材料科学基础 陆佩文 课后答案

2-1 名词解释(a )弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b )刃型位错和螺型位错 (c )类质同象与同质多晶 解:(a )当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子,热起伏后获得能量离开平衡位置,跃迁到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。(b )滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。(c )类质同象:物质结晶时,其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其它离子或原子所占有,共同组成均匀的、呈单一相的晶体,不引起键性和晶体结构变化的现象。同质多晶:同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。 2-6(1)在CaF 2晶体中,弗仑克尔缺陷形成能为2.8eV ,肖特基缺陷的生成能为5.5eV ,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度?(k =1.38×10-23J/K ) (2)如果CaF 2晶体中,含有百万分之一的YF 3杂质,则在1600℃时,CaF 2晶体中时热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。 解:(1)弗仑克尔缺陷形成能为2.8eV ,小于肖特基缺陷形成能5.5eV ,所以CaF 2晶体中主要是弗仑克尔缺陷,肖特基缺陷可忽略不计。-----------1分 当T =25℃=298K 时,热缺陷浓度为: 242319298 1006.2)2981038.1210602.18.2exp()2exp(---?=?????-=?-=??? ??kT G N n f ----2分 当T =1600℃=1873K 时,热缺陷浓度为: 423191873 107.1)18731038.1210602.18.2exp()2exp(---?=?????-=?-=??? ??kT G N n f -----2分 (2)CaF 2中含百万分之一(10- 6)的YF 3时的杂质缺陷反应为: Ca F Ca CaF V F Y YF ''++??→??62223 由此可知:[YF3]=2[Ca V ''],所以当加入10- 6YF3时,杂质缺陷的浓度为: 73105][2 1][-?==''YF V Ca 杂--------------------1分 此时,在1600℃下的热缺陷计算为: Ca i Ca V Ca Ca ''+→?? x x +5×10- 7 则:8241089.2)107.1()exp(][]][[--???=?=?-==''kT G k Ca V Ca f Ca Ca i 即:871089.21 )105(--?=?+x x ,x ≈8.1×10-4 热缺陷浓度: 4101.8][-?=≈''x V Ca 热------------------1分

计算机系统结构_课后答案

习题一 1、解释下列术语 计算机系统的外特性:通常所讲的计算机系统结构的外特性是指机器语言程序员或编译程序编写者所看到的外特性,即由他们所看到的计算机的基本属性(概念性结构和功能特性)。 计算机系统的内特性:计算机系统的设计人员所看到的基本属性,本质上是为了将有关软件人员的基本属性加以逻辑实现的基本属性。 模拟:模拟方法是指用软件方法在一台现有的计算机上实现另一台计算机的指令系统。 可移植性:在新型号机出台后,原来开发的软件仍能继续在升级换代的新型号机器上使用,这就要求软件具有可兼容性,即可移植性。可兼容性是指一个软件可不经修改或只需少量修改,便可由一台机器移植到另一台机器上运行,即同一软件可应用于不同环境。 Amdahl 定律:系统中对于某一部件采用某种更快的执行方式所能获得的系统性能改进程度,取决于这种执行方式被使用的频度或占总执行时间的比例。 虚拟机(Virtual Machine ):指通过软件模拟的具有完整硬件系统功能的、运行在一个完全隔离环境中的完整计算机系统。 6、 7、假定求浮点数平方根的操作在某台机器上的一个基准测试程序中占总执行时间的20%,为了增强该操作的性能,可采用两种不同的方法:一种是增加专门的硬件,可使求浮点数平方根操作的速度提高为原来的20倍;另一种方法是提高所有浮点运算指令的速度,使其为原来的2倍,而浮点运算指令的执行时间在总执行时间中占30%。试比较这两种方法哪一种更好些。 答:增加硬件的方法的加速比23.120 /2.0)2.01(1 1=+-= p S , 另一种方法的加速比176.12 /3.0)3.01(1 2=+-=p S ,经计算可知Sp1>Sp2第一种方 法更好些。 9、假设高速缓存Cache 的工作速度为主存的5倍,且Cache 被访问命中的概率

高等数学课后习题答案第六章

习题6-2 1. 求图6-21 中各画斜线部分的面积: (1) 解 画斜线部分在x 轴上的投影区间为[0, 1]. 所求的面积为 6 1]2132[)(1022310 =-=-=?x x dx x x A . (2) 解法一 画斜线部分在x 轴上的投影区间为[0, 1]. 所求的面积为 1|)()(101 0=-=-=?x x e ex dx e e A , 解法二 画斜线部分在y 轴上的投影区间为[1, e ]. 所求的面积为 1)1(|ln ln 1 11=--=-==??e e dy y y ydy A e e e . (3) 解 画斜线部分在x 轴上的投影区间为[-3, 1]. 所求的面积为

3 32 ]2)3[(1 32=--=?-dx x x A . (4) 解 画斜线部分在x 轴上的投影区间为[-1, 3]. 所求的面积为 3 32 |)313()32(3132312=-+=-+=--?x x x dx x x A . 2. 求由下列各曲线所围成的图形的面积: (1) 22 1 x y =与x 2+y 2=8(两部分都要计算); 解: 3 8 8282)218(220220*********--=--=--=????dx x dx x dx x dx x x A 34238cos 16402+=-=?ππ tdt . 3 4 6)22(122-=-=ππS A . (2)x y 1 =与直线y =x 及x =2;

解: 所求的面积为 ?-=-= 2 12ln 2 3)1(dx x x A . (3) y =e x , y =e -x 与直线x =1; 解: 所求的面积为 ?-+=-=-1021 )(e e dx e e A x x . (4)y =ln x , y 轴与直线y =ln a , y =ln b (b >a >0). 解 所求的面积为 a b e dy e A b a y b a y -===?ln ln ln ln 3. 求抛物线y =-x 2+4x -3及其在点(0, -3)和(3, 0)处的切线所围成的图形的面积. 解:

第六章课后练习题及答案

一、选择题(每小题2分,共30分) 1、在配位滴定中,下列有关酸效应的叙述正确的是(B )。 A. 酸效应系数越大,配合物的稳定性越大; B. 酸效应系数越小,配合物的稳定性越大; C. pH越大,酸效应系数越大; D. 酸效应系数越大,配位滴定曲线的pM突跃范围越大; 2、用EDTA滴定金属离子M,下列叙述中正确的是( A )。 A. 若c M 一定,lgK′ MY 越大,则滴定突跃范围越大; B. 若c M 一定,lgK′ MY 越小,则滴定突跃范围越大; C. 若lgK′ MY 一定,c M 越大,则滴定突跃范围越小; D. 若lgK′ MY 一定,c M 越小,则滴定突跃范围越大 3、下列各组酸碱对 中属于共轭酸碱对的是( B )。 A、H 2CO 3 —CO 3 2- B、HPO 4 2-—PO 4 3- C、H 3 PO 4 —HPO 4 2- 4、用0.10mol?L-1NaOH标准溶液滴定0.10mol?L-1弱酸HA( pKa=4.0)。当滴定一半时 溶液的pH是( A )。 A、4.0 , B、5.0 , C、10 5、下列数字中有效数字为四位的是( C )。 A、[H+]=0.030 B、pH=10.42 C、W MgO =19.96% 6、在pH=5 ---6时,用EDTA标准溶液滴定Pb2+,选用的缓冲溶液应是( B )。A、 HAc-NaAc ,B、六亚甲基四胺盐 7、在pH = 4.5的AlY-溶液中,含有0.2 mol / L游离F-。以下叙述正确的是……( C ) ( A ) [ Al ] = [ Y′] ( B ) [ Al ] = [ Y ] ( C ) [ Al′] = [ Y′] ( D ) [ Al′] = [ Al ] + [AlY] 8、在pH=9.0的条件下,用EDTA标准溶液滴定Zn2+应用的指示是( A )。 A、铬黑T(EBT) B、二甲酚橙(XO) 9、浓度均为2.0×1.0-2mol?L-1的下列金属离子,当pH=5.00时,用EDTA不能准确滴定 的是( C )。 ( pH=5.00时 lgαΥ(H) =10.60 lgk Zny =16.50 lgK Pby =18.04 lgK Mgy =8.7) A、 Zn2+ , B、Pb2+, C、Mg2+ , D、均不能

无机材料科学基础复习重点

第二章、晶体结构缺陷 1、缺陷的概念 2、热缺陷(弗伦克尔缺陷、肖特基缺陷) 热缺陷是一种本征缺陷、高于0K就存在,热缺陷浓度的计算 影响热缺陷浓度的因数:温度和热缺陷形成能(晶体结构) 弗伦克尔缺陷肖特基缺陷 3、杂质缺陷、固溶体 4、非化学计量化合物结构缺陷(半导体) 种类、形成条件、缺陷的计算等 5、连续置换型固溶体的形成条件 6、影响形成间隙型固溶体的因素 7、组分缺陷(补偿缺陷):不等价离子取代 形成条件、特点(浓度取决于掺杂量和固溶度) 缺陷浓度的计算、与热缺陷的比较 幻灯片6 8、缺陷反应方程和固溶式 9、固溶体的研究与计算 写出缺陷反应方程→固溶式、算出晶胞的体积和重量→理论密度(间隙型、置换型)→和实测密度比较 10、位错概念 刃位错:滑移方向与位错线垂直,伯格斯矢量b与位错线垂直 螺位错:滑移方向与位错线平行,伯格斯矢量b与位错线平行 混合位错:滑移方向与位错线既不平行,又不垂直。 幻灯片7 第三章、非晶态固体 1、熔体的结构:不同聚合程度的各种聚合物的混合物 硅酸盐熔体的粘度与组成的关系 2、非晶态物质的特点 3、玻璃的通性 4、 Tg 、Tf ,相对应的粘度和特点 5、网络形成体、网络改变(变性)体、网络中间体 玻璃形成的结晶化学观点:键强,键能 6、玻璃形成的动力学条件 (相变),3T图 7、玻璃的结构学说(二种玻璃结构学说的共同之处和不同之处) 8、玻璃的结构参数 Z可根据玻璃类型定,先计算R,再计算X、Y 注意网络中间体在其中的作用。 9、硅酸盐晶体与硅酸盐玻璃的区别 10、硼的反常现象 幻灯片8 第四章、表面与界面 1、表面能和表面张力,表面的特征 2、润湿的概念、定义、计算;槽角、二面角的计算 改善润湿的方法:去除表面吸附膜(提高固体表面能)、

计算机体系结构课后答案

计算机体系结构课后答案

计算机体系结构课后答案 【篇一:计算机体系结构习题(含答案)】 1、尾数用补码、小数表示,阶码用移码、整数表示,尾数字长p=6(不包括符号位),阶码字长q=6(不包括符号位),为数基值rm=16,阶码基值re=2。对于规格化浮点数,用十进制表达式写出如下数据(对于前11项,还要写出16进值编码)。 (1)最大尾数(8)最小正数 (2)最小正尾数(9)最大负数 (3)最小尾数(10)最小负数 (4)最大负尾数(11)浮点零 (5)最大阶码(12)表数精度 (6)最小阶码(13)表数效率 (7)最大正数(14)能表示的规格化浮点数个数 2.一台计算机系统要求浮点数的精度不低于10-7.2,表数范围正数不小于1038,且正、负数对称。尾数用原码、纯小数表示,阶码用移码、整数表示。 (1) 设计这种浮点数的格式 (2) 计算(1)所设计浮点数格式实际上能够表示的最大正数、最大负数、表数精度和表数效率。 3.某处理机要求浮点数在正数区的积累误差不大于2-p-1 ,其中,p是浮点数的尾数长度。 (1) 选择合适的舍入方法。

(2) 确定警戒位位数。 (3) 计算在正数区的误差范围。 4.假设有a和b两种不同类型的处理机,a处理机中的数据不带标志符,其指令字长和数据字长均为32位。b处理机的数据带有标志符,每个数据的字长增加至36位,其中有4位是标志符,它的指令数由最多256条减少到不到64条。如果每执行一条指令平均要访问两个操作数,每个存放在存储器中的操作数平均要被访问8次。对于一个由1000条指令组成的程序,分别计算这个程序在a处理机和b处理机中所占用的存储空间大小(包括指令和数据),从中得到什么启发? 5.一台模型机共有7条指令,各指令的使用频率分别为35%,25%,20%,10%,5%,3%和2%,有8个通用数据寄存器,2个变址寄存器。 (1) 要求操作码的平均长度最短,请设计操作码的编码,并计算所设计操作码的平均长度。 6.某处理机的指令字长为16位,有双地址指令、单地址指令和零地址指令3类,并假设每个地址字 段的长度均为6位。 (1) 如果双地址指令有15条,单地址指令和零地址指令的条数基本相同,问单地址指令和零地址指令各有多少条?并且为这3类指令分配操作码。 (2) 如果要求3类指令的比例大致为1:9:9,问双地址指令、单地址指令和零地址指令各有多少条?并且为这3类指令分配操作码。 7.别用变址寻址方式和间接寻址方式编写一个程序,求c=a+b,其中,a与b都是由n个元素组成的一维数组。比较两个程序,并回答下列问题: (1) 从程序的复杂程度看,哪一种寻址方式更好?

第六章课后习题与答案

第六章课后习题与答案: 1.何谓国际直接投资?国际直接投资有哪些类型?其各自的特征是什么? 国际直接投资是指投资者为了在国外获得长期的投资效益并得到对企业的控制权,通过直接建立新的企业、公司或并购原有企业等方式进行的国际投资活动。从一国角度出发,国际直接投资也被称为对外直接投资或外国直接投资(Foreign Direct Investment,简称FDI)。 按照不同的标准来划分,可以把国际直接投资分为不同的类型或形式: (1)按照投资者控制被投资企业产权的程度可以分为独资经营、合资经营、合作经营和合作开发等形式。独资经营是指完全由外商出资并独立经营的一种国际直接投资方式;合资经营是指两国或两国以上的投资者在平等互利原则基础上,共同商定各自在被投资企业的股权比例,并根据东道国的法律,通过签订合同举办合营企业,共同经营、共负盈亏、共担风险的一种投资方式,这也是在国际直接投资中较为常见的一种方式;合作经营与合作开发都是以签订合同或协议为基础的国际经济合作形式。合作经营企业一般不以股份确定产权,不按股权比例分配收益,而是根据合同规定投资方式和投资比例分配收益并承担风险。当然,合作经营企业本身是一个统一的经营实体,具有独立的法人地位。合作开发则通常是由拥有特定资源的国家,通过招标方式与外国投资者签订合作开发协定或合同,并联合组成开发公司对东道国资源进行开发。 (2)按照投资者控制被投资企业的方式,也可以把国际直接投资分为股权参与式的国际直接投资和非股权参与式的国际直接投资。按照这一标准,独资经营属于全部股权参与式投资;合资经营属于部分股权参与式投资;而投资者没有在东道国企业中参与股份,以其他一些形式如许可证合同、管理合约、销售协议等进行的直接投资,均属于非股权参与式的直接投资。 (3)按照投资者是否建立新企业,国际直接投资可分为创建新企业与控制现有国外企业两类。一国投资者到国外单独或合作创办新的企业,或者组建新的子公司进行生产经营活动,均属于前一种形式;而通过收购国外公司或与国外公司合并以获得对东道国企业的控制权,则属于后一种形式。 (4)按照投资主体与其投资企业之间国际分工的方式,可以把国际直接投资分为水平型投资、垂直型投资和混合型投资。水平型直接投资也称为横向型直接投资,是指一国的企业到国外进行投资,建立与国内生产和经营方向基本一致的子公司或其他企业。这类子公司和其他企业能够独立完成生产和销售,与母公司或国内企业保持水平分工关系。垂直型直接投资也称为纵向型直接投资,一般指一国企业或跨国公司到国外建立子公司或附属机构,这些国外子公司或附属机构与母公司之间实行纵向专业化分工协作。混合型投资则是一种水平型和垂直型相结合的直接投资方式。一般来说,目前企业进行国际直接投资,并不单纯是水平型投资或垂直型投资,而是两者兼有,进行混合型投资。 除此之外,还有一种划分国际直接投资类型的方法,即按照投资主体的性质把国际直接投资分为私人直接投资和国家直接投资,二者有时也被分别称为民间直接投资和官方直接投资。 2.战后以来国际直接投资迅速增长的原因有哪些? 国际直接投资的发展,其最根本的原因可以从国际资本流动本身的规律来考察。一般情况下,国际资本流动是随着生产力水平的提高和世界市场的成熟而从流通领域逐步深入到国际生产领域的。这一发展规律从根本上决定了国际直接投资不断扩大的趋势。但战后国际直接投资的增长势头如此迅猛,还有其他许多因素的作用。从宏观层面来看,主要包括以下

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第三章练习题 一、填空题 1.玻璃具有下列通性:、态转化时物理、化学性能随温度变化的连续性。 2.在硅酸盐熔体中,当以低聚物为主时,体系的粘度 3.物质在熔点时的粘度越越容易形成玻璃,大于,等于,小于)时容易形成玻璃。 4.熔体是物质在液相温度以上存在的一种高能量状态,在冷却的过程中可以出现和分相三种不同的相变过程。 5.当SiO2含量比较高时,碱金属氧化物降低熔体粘度的能力是Li2Na22O。 6. 2Na2O·CaO·Al2O3·2SiO2的玻璃中,结构参数Y为 3 。 7. 从三T曲线可以求出为避免析出10-6分数的晶体所需的临界冷却速率,该速率越小,越容易形成玻璃。 8.NaCl和SiO2两种物质中SiO2 容易形成玻璃,因其具有极性共价键结构。 9.在Na2O-SiO2熔体中,当Na2O/Al2O3<1时,加入Al2O3使熔体粘度降低。 10. 硅酸盐熔体中聚合物种类,数量与熔体组成(O/Si)有关,O/Si比值增大,则熔体中的高聚体[SiO4]数量减少。 11. 硅酸盐熔体中同时存在许多聚合程度不等的负离子团,其种类、大小和复杂程度随熔体的组成和温度而变。当温度不变时,熔体中碱性氧化物含量增加, O/Si比值增大,这时熔体中高聚体数量减少。 二、问答题 1.试述熔体粘度对玻璃形成的影响?在硅酸盐熔体中,分析加入—价碱金属氧化物、二价金属氧化物或B2O3后熔体粘度的变化?为什么? 答:1) 熔体粘度对玻璃形成具有决定性作用。熔体在熔点时具有很大粘度,并且粘度随温度降低而剧烈地升高时,容易形成玻璃。 2) 在硅酸盐熔体中,加入R2O,随着O/Si比增加,提供游离氧,桥氧数减小,硅氧网络断裂,使熔体粘度显著减小。加入RO,提供游离氧,使硅氧网络断裂,熔体粘度降低,但是由于R的场强较大,有一定的集聚作用,降低的幅度较小。加入B2O3,加入量少时,B2O3处于三度空间连接的[BO4]四面体中,使结构网络聚集紧密,粘度上升。随着B2O3含量增加,B开始处于[BO3]三角形中使结构网络疏松,粘度下降。 3+2+ 1当我排队等着站上小便池的时候有人已经在大便池先尿了■■■■■■■■■■■■张为政整理■■■■■■■■■■■■勿删■■■■■■■■■■■■ 2.试阐述网络形成体和网络变性体。 玻璃网络形成体:其单键强度>335KJ/MOL。这类氧化物能单独形成玻璃。 网络变性体:其单键强度<250KJ/MOL。这类氧化物不能形成玻璃,但能改变网络结构,从而使玻璃性质改变。

计算机体系结构课后习题

第1章 计算机系统结构的基本概念 试用实例说明计算机系统结构、计算机组成与计算机实现之间的相互关系。 答:如在设计主存系统时,确定主存容量、编址方式、寻址范围等属于计算机系统结构。确定主存周期、逻辑上是否采用并行主存、逻辑设计等属于计算机组成。选择存储芯片类型、微组装技术、线路设计等属于计算机实现。 计算机组成是计算机系统结构的逻辑实现。计算机实现是计算机组成的物理实现。一种体系结构可以有多种组成。一种组成可以有多种实现。 计算机系统设计中经常使用的4个定量原理是什么?并说出它们的含义。 答:(1)以经常性事件为重点。在计算机系统的设计中,对经常发生的情况,赋予它优先的处理权和资源使用权,以得到更多的总体上的改进。(2)Amdahl 定律。加快某部件执行速度所获得的系统性能加速比,受限于该部件在系统中所占的重要性。(3)CPU 性能公式。执行一个程序所需的CPU 时间 = IC ×CPI ×时钟周期时间。(4)程序的局部性原理。程序在执行时所访问地址的分布不是随机的,而是相对地簇聚。 计算机系统中有三个部件可以改进,这三个部件的部件加速比为: 部件加速比1=30; 部件加速比2=20; 部件加速比3=10 (1) 如果部件1和部件2的可改进比例均为30%,那么当部件3的可改进比例为多少时,系统加速比才可以达到10? (2) 如果三个部件的可改进比例分别为30%、30%和20%,三个部件同时改进,那么系统中不可加速部分的执行时间在总执行时间中占的比例是多少? 解:(1)在多个部件可改进情况下,Amdahl 定理的扩展: ∑∑+-= i i i n S F F S )1(1 已知S 1=30,S 2=20,S 3=10,S n =10,F 1=,F 2=,得: ) ()(10/20/0.330/0.30.30.3-11 1033F F +++++= 得F 3=,即部件3的可改进比例为36%。 (2)设系统改进前的执行时间为T ,则3个部件改进前的执行时间为:(++)T = ,不可改进部分的执行时间为。 已知3个部件改进后的加速比分别为S 1=30,S 2=20,S 3=10,因此3个部件改进后的执行时间为: T T T T T n 045.010 2.020 3.0303.0'=++= 改进后整个系统的执行时间为:Tn = + = 那么系统中不可改进部分的执行时间在总执行时间中占的比例是: 82.0245.02.0=T T 假设某应用程序中有4类操作,通过改进,各操作获得不同的性能提高。具体数据如下表所示: 操作类型 程序中的数量 (百万条指令) 改进前的执行时间 (周期) 改进后的执行时间 (周期)

统计学第六章课后题及答案解析

第六章 一、单项选择题 1.下面的函数关系是( ) A现代化水平与劳动生产率 B圆周的长度决定于它的半径 C家庭的收入和消费的关系 D亩产量与施肥量 2.相关系数r的取值范围( ) A -∞< r <+∞ B -1≤r≤+1 C -1< r < +1 D 0≤r≤+1 3.年劳动生产率x(干元)和工人工资y=10+70x,这意味着年劳动生产率每提高1千元时,工人工资平均( ) A增加70元 B减少70元 C增加80元 D减少80元 4.若要证明两变量之间线性相关程度高,则计算出的相关系数应接近于( ) A +1 B -1 C 0.5 D 1 5.回归系数和相关系数的符号是一致的,其符号均可用来判断现象( ) A线性相关还是非线性相关 B正相关还是负相关 C完全相关还是不完全相关 D单相关还是复相关 6.某校经济管理类的学生学习统计学的时间(x)与考试成绩(y)之间建立线性回归方程?=a+bx。经计算,方程为?=200—0.8x,该方程参数的计算( ) A a值是明显不对的 B b值是明显不对的 C a值和b值都是不对的 D a值和b值都是正确的 7.在线性相关的条件下,自变量的均方差为2,因变量均方差为5,而相关系数为0.8时,则其回归系数为:( ) A 8 B 0.32 C 2 D 12.5 8.进行相关分析,要求相关的两个变量( ) A都是随机的 B都不是随机的 C一个是随机的,一个不是随机的 D随机或不随机都可以 9.下列关系中,属于正相关关系的有( ) A合理限度内,施肥量和平均单产量之间的关系 B产品产量与单位产品成本之间的关系 C商品的流通费用与销售利润之间的关系

第6章_课后习题答案1006

第6章 习题解答 6-1 指出下列各类型的触发器中那些能组成移位寄存器,哪些不能组成移位寄存器,如果能 够,在()内打√,否则打×。 (1)基本RS 触发器 ( ); (2)同步RS 触发器 ( ); (3)主从结构触发器 ( ); (4)维持阻塞触发器 ( ); (5)用CMOS 传输门的边沿触发器 ( ); (6)利用传输延迟时间的边沿触发器( )。 解答:(1)×;(2)×;(3)√;(4)√;(5)√;(6)√; 6-2 试分析图6-79所示时序电路的逻辑功能,写出电路的驱动方程、状态方程和输出方程, 画出电路的状态转换图,并且说明电路能够自启动。 解答: 驱动方程:113J K Q ==;221J K Q ==;312J Q Q =、33K Q = 状态方程:111111313113n Q J Q K Q Q Q Q Q Q Q +=+=+= 1 2222212 12 12 n Q J Q K Q Q Q Q Q Q Q +=+=+=⊕ 133333123 33 123 n Q J Q K Q Q Q Q Q Q Q Q Q +=+=+= 输出方程:123CO QQ Q = 状态转换图如下:

此电路为能自启动的同步五进制加法计数器。 6-3 试分析图6-80所示时序电路的逻辑功能,写出电路的驱动方程、状态方程和输出方程, 画出电路的状态转换图。A 为输入逻辑变量。 解答: 驱动方程:12D AQ =;21212()D AQ Q A Q Q ==+ 状态方程:1112n Q D AQ +== 1 221 2()n Q D A Q Q +==+ 输出方程:12CO AQQ = 状态转换表如下: 此电路为串行数据检测器,当输入4个或4个以上的1时输出为1,其他输入情况下输出为0。 6-4 试分析图6-81所示时序电路的逻辑功能,写出电路的驱动方程、状态方程和输出方程, 画出电路的状态转换图。检查电路能否自启动。 解答:

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