第三章
门电路第三章 门电路第二部分
本章主要内容-2
3.1 概述
3.2 半导体二极管门电路
3.3 CMOS门电路
3.4 其他类型的MOS集成电路
3.5 TTL门电路
3.6
3.6 其他类型的双极型集成电路
3.7
3.7 Bi－CMOS电路
3.8 TTL门电路与CMOS门电路的接口3.8
另一侧称为集电区和集电极，
用C 或c 表示（Collector ）3.5.1 双极型三极管的开关特性
一、 双极型三极管的结构 b -c 间的PN 结称为集电结(Jc)
中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B 或b 表示（Base ）
一侧称为发射区，电极称为发射极，用E 或e 表示（Emitter ）
b -e 间的PN 结称为发射结(Je)
3.5.1 双极型三极管的开关特性
双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。
若在放大工作状态：发射结外加正向电压，
集电结外加反向电压。
现以NPN型三极
管的放大状态为例，来
说明三极管内部的电流
关系，见图。
图双极型三极管的
电流传输关系
3.5.1 双极型三极管的开关特性
I E =I C+I B
3.5.1 双极型三极管的开关特性三极管放大的实质
3.5.1 双极型三极管的开关特性
三种接法
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；
共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。
三极管的电流放大系数
对于集电极电子电流I C N和发射极电流I E 之间的关系可以用系数来说明，定义:
α
α称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集
电极的电子电流I
CN
与总发射极电流I
E
的比值。I
CN
与I
E 相比，因I
CN
中没有I
EP
和I
BN
，所以的值小于1, 但接近1。由此可得:
αα
I=I+I= I+I= (I C+I B)+I CBO
3.5 TTL门电路
定义:
β=I C /I B =(I CN + I CBO )/I B
称为共发射极接法直流电流放大系数。于是
B
CBO B B C 1)
11(I I I I I αααβ?+?==B
B 1)
1(I I αα?≈α
α
?=
1因
≈≈1,所以 β >>1α
3.5.1
双极型三极管的开关特性
二、 双极型三极管的输入特性和输出特性输入特性曲线
输出特性曲线
以共发射极接法三极管为例：
输入特性曲线— i B =f ( v BE )? v CE =const 输出特性曲线— i C =f ( v CE )? i B =const
3.5.1 双极型三极管的开关特性
三、 双极型三极管的基本开关电路图3.5.1 晶体三极管开关电路
稳态时若合理选择电路的参数，即
当v I =V IH ，为高电平时，使得i B >I BS =V CC /βR C ，三极管处
V OL ＝T
当v I =V IL 其中： 三极管开关状态下的等效电路如图3.5.3.5.2 2所示四、双极型三极管的开关等效电路 当三极管截止时，发射结反偏，i C ≈0 ，相当开关断开； 当三极管饱和时，发射结正偏，v CE ＝V CE （sat ）≈0 ，相当开关闭合。 截止 饱和(c)饱和时的等效电路 图3.5.3.5.2 2阻值很小，忽略 五、双极型三极管的动态开关特性 图3.5. 3.5.33 六、三极管反相器 三极管反相器就是三极管的开关电路，如图3.5. 3.5.44所示 图3.5. 3.5.44三极管反相器 例3.5.1 电路如图3.5.3.5.5 5所示，已知 V IH =5V ，V IL =0V ，β=20，V CE(sat) = 0.1V ，试计算参数设计是否合理。3.5.1 双极型三极管的开关特性 5V -8V 3.3K Ω10K Ω 1K Ω 图3.5.3.5.5 5 例3.5.1的电路解：基极对地电路如 图3.5. 3.5.6 6所示图3.5.3.5.6 6 利用戴维南定理等效成电压源的形式如图3.5.3.5.7 7所示图3.5.3.5.66图3.5.3.5.7 7 其中： 等效电路如图3.5.3.5.8 8所示，则当v I =V IH =5V 时：) (8.13.33 .138 55V v B =+?=)(44.010 5.27.08.13 mA R V v i B BE B B =×?=?= 故三极管T 导通，其基极电流为 管子的深度饱和时的基极电流为 )(25.010 1201.05)(3 mA R sat V V I I C CE CC CS BS =××?=?==ββ 由于 mA 25.0mA 44.0=>=BS B i i V sat V v CE O 0)(≈=故管子处于饱和状态，其输出为 当v I =V I L =0V 时，其 V v v v I I B 0.23.33 .13803 .33.138 ?=?=×+?=V V V v i CC OH O C 0.50 ====三极管T 处于截止状态，则 因此参数设计合理。 第三章集成逻辑门电路 一、选择题 1。三态门输出高阻状态时,（）是正确的说法。 A.用电压表测量指针不动Ｂ．相当于悬空 C.电压不高不低 D.测量电阻指针不动 2. 以下电路中可以实现“线与”功能的有（ ). A。与非门B．三态输出门 C.集电极开路门Ｄ。漏极开路门 ３。以下电路中常用于总线应用的有（ )。 A．TSＬ门 B。OC门 Ｃ．漏极开路门Ｄ.CMOS与非门 4。逻辑表达式Y＝AB可以用（）实现。 A.正或门 B.正非门 C。正与门D。负或门 5.TTL电路在正逻辑系统中，以下各种输入中( ）相当于输入逻辑“1”。 A.悬空 B。通过电阻２.7kΩ接电源 Ｃ.通过电阻2．７ｋΩ接地Ｄ．通过电阻5１0Ω接地 6．对于TTL与非门闲置输入端的处理，可以( ）。 Ａ。接电源 B.通过电阻3ｋΩ接电源 C.接地 D.与有用输入端并联 ７．要使TＴL与非门工作在转折区，可使输入端对地外接电阻RI( ). Ａ.＞ＲON B。＜ROFＦ C。RＯFF＜RI 第三章逻辑门电路 u逻辑门电路的一般特性 u半导体二极管及其基本电路（模拟第三章） u半导体三极管BJT（模拟4.1） u MOS管（模拟5.1） u 基本逻辑门电路 u MOS逻辑门电路 u TTL逻辑门电路 u正负逻辑的概念 u逻辑门电路使用中的几个实际问题 本章的重点：一般特性；各种器件及门电路的外部特性。 内部工作原理作为了解内容。 条输入信号满足一定条件时，门开启， 开门状态：一、什么是门电路？——用来实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。（门电路是数字电路最为基本的逻辑单元） §3.1逻辑门电路的一般特性 件开关 允许信号通过。 关门状态：输入信号条件不满足，门关闭， 信号通不过。 与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。 门 因此门电路的输出和输入之间存在着一定的逻辑关系。不同的门电路，输出与输入之间的逻辑关系也不同，如： 二、数字集成电路的分类 1.按工艺结构区分： ?54/74系列?54H/74H 系列?54LS/74LS 系列TTL 电路逻辑门电路的一般特性 ?54AS/74AS 系列?54ALS/74ALS 系列IIL 电路ECL 电路HTL 电路CMOS 电路NMOS 电路PMOS 电路 BiMOS 型 MOS 型双极型 ?54HC/74HC 系列?54HCT/74HCT 系列?4000系列 ?54LVC/74LVC 系列 ?54VHC/74VHC 系列 各种系列逻辑门: 1）74TTL / 54TTL 标准TTL 2）74HTTL / 54HTTL 高速TTL 3）74STTL / 54STTL 肖特基TTL 4）74LSTTL / 54LSTTL 低功耗肖特基 TTL 10mW/ 10ns 22mW/ 6ns 19mW/ 3ns 2mW/ 9.5ns 5）74ALSTTL / 54ALSTTL 先进低功耗肖特基TTL 6）74ASTTL / 54ASTTL 先进肖特基TTL 7）74FTTL / 54FTTL 快速TTL 1mW/ 3.5ns 8mW/ 3ns 4mW/ 3.4ns 8）CC4×××× 标准CMOS 9）74HC / 54HC 高速CMOS 10）74HCT / 54HCT 与TTL 逻辑电平兼容的HC 第3章-门电路-课后答案 - 2 - 第三章 门 电 路 【题3.1】 在图3.2.5所示的正逻辑与门和图3.2.6所示的正逻辑或门电路中,若改用负逻辑,试列出它们的逻辑真值表,并说明Y 和A,B 之间是什么逻辑关系。 图3.2.5的负逻辑真值表 图3.2.6的负逻辑真值表 【题3.5】已知CMOS 门电路的电源电压5DD V V =，静态电源电流2DD I A μ=，输入信 号为200Z KH 的方波（上升时间和下降时间可忽略不计），负载电容200L C pF =，功 耗电容20pd C pF =，试计算它的静态功耗、 - 3 - 动态功耗、总功耗和电源平均电流。 【解】 静态功耗 621050.01S DD DD P I V mW mW -==??= 动态 功 耗 ()()2 12 5 2 20020102105 1.10D L pd DD P C C fV mW mW -=+=+????= 总功耗 0.01 1.10 1.11TOT S D P P P mW =+=+= 电源平均电流 1.11 0.225 TOT DD DD P I mA mA V = = = 【题3.5】已知CMOS 门电路工作在5V 电源电压下的静态电源电流5A μ，在负载电容100L C pF 为，输入信号频率为500Z KH 的 方波时的总功耗为1.56mW 试计算该门电路的功耗电容的数值。 【解】 首先计算动态功耗 ()31.565510 1.54D TOT S TOT DD DD P P P P I V mW mW -=-=-=-??≈ 根据()2 D L pd DD P C C fV =+得 312252 1.541010010135105D pd L DD P C C F pF fV --???= -=-?≈ ????? 第三章 门 电 路 【题3.1】 在图3.2.5所示的正逻辑与门和图3.2.6所示的正逻辑或门电路中,若改用负逻辑,试列出它们的逻辑真值表,并说明Y 和A,B 之间是什么逻辑关系。 图3.2.5的负逻辑真值表 图3.2.6的负逻辑真值表 【题 3.5】已知CMOS 门电路的电源电压5DD V V =，静态电源电流 2DD I A μ=，输入信号为200Z KH 的方波（上升时间和下降时间可忽略不 计），负载电容200L C pF =，功耗电容20pd C pF =，试计算它的静态功耗、动态功耗、总功耗和电源平均电流。 【解】 静态功耗 6 21050.01S D D D D P I V m W m W -==??= 动态功耗 ()()2125220020102105 1.10D L pd DD P C C fV mW mW -=+=+????= 总功耗 0.01 1.10 1.11T O T S D P P P m W =+=+= 电源平均电流 1.11 0.225 TOT DD DD P I mA mA V = = = 【题3.5】已知CMOS 门电路工作在5V 电源电压下的静态电源电流5A μ，在负载电容100L C pF 为，输入信号频率为500Z KH 的方波时的总功耗为1.56mW 试计算该门电路的功耗电容的数值。 【解】 首先计算动态功耗 ()31.565510 1.54D TOT S TOT DD DD P P P P I V mW mW -=-=-=-??≈ 根据() 2 D L pd DD P C C fV =+得 312252 1.541010010135105D pd L DD P C C F pF fV --???= -=-?≈ ????? 【题3.7】 试分析图P3.7 中各电路的逻辑功能，写出输出逻辑函数式。 A B C DD Y V DD Y （b） A 第三章门电路 第三章门电路 3.1 概述 TTL电路问世几十年来，经过电路结构的不断改进和集成工艺的逐步完善，至今仍广泛应用，几乎占据着数字集成电路领域的半壁江山。 把若干个有源器件和无源器件及其连线，按照一定的功能要求，制做在同一块半导体基片上，这样的产品叫集成电路。若它完成的功能是逻辑功能或数字功能，则称为逻辑集成电路或数字集成电路。最简单的数字集成电路是集成逻辑门。 集成逻辑门，按照其组成的有源器件的不同可分为两大类：一类是双极性晶体管逻辑门；另一类是单极性绝缘栅场效应管逻辑门，简称MOS门。 双极性晶体管逻辑门主要有TTL门(晶体管-晶体管逻辑门)、ECL门(射极耦合逻辑门)和I2L门(集成注入逻辑门)等。 单极性MOS门主要有PMOS门(P沟道增强型MOS 管构成的逻辑门)、NMOS门(N沟道增强型MOS管构成的逻辑门)和CMOS门(利用PMOS管和NMOS管构成的互补电路构成的门电路，故又叫做互补MOS门 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门…… 门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0 获得高、低电平的基本原理如图1所示。 图1 高/低电平都允许有一定的变化范围如图2所示。 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0 负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 图 2 3.2 半导体二极管门电路 二极管的结构如图3所示： PN结+ 引线+ 封装构成 图3 3.2.1二极管的开关特性 如图4，高电平：V IH=V CC，低电平：V IL=0 图4 3.2.2二极管与门 最简单的与门可以用二极管和电阻组成,图5是有两个输入端的与门电路。图中A，B为两个输入变量，Y为输出变量。 图5 二极管与门电路及图形符号 设VCC=5V，A，B输入端的高、低电平分别为VIH=3V，VIL=0V，二极管D1，D2的正向导通压降VDF=0.7V。由图可见，A，B当中只要有一个是低电平0V，则必有一个二极管导通，使Y=0.7V。只有A，B同时为高电平3V时，Y才为3.7V。将输出与输入逻辑电平的关系列表，即得如表1 电路的逻辑电平表电路的真值表 如果规定3V以上为高电平,用逻辑1表示,0.7V 数字电子技术基础第三章习题答案 3-1如图3-63a~d所示4个TTL门电路，A、B端输入的波形如图e所示，试分别画出F1、F2、F3和F4的波形图。 略 3-2电路如图3-64a所示，输入A、B的电压波形如图3-64b所示，试画出各个门电路输出端的电压波形。 略 3-3 答： F与 （2）图 A B F 000 010 100 111 F与A、B之间相当于正逻辑的“与”操作。 3-4试说明能否将与非门、或非门、异或门当做反相器使用？如果可以，各输入端应如何连接？ 答：三种门经过处理以后均可以实现反相器功能。(1)与非门:将多余输入端接至高电平或与另一端并联；(2)或非门：将多余输入端接至低电平或与另一端并联；(3)异或门：将另一个输入端接高电平。 3-5为了实现图3-65所示的各TTL 门电路输出端所示的逻辑关系，请合理地将多余的输入端进行处理。 答：a ）多余输入端可以悬空，但建议接高电平或与另两个输入端的一端相连； b)多余输入端接低电平或与另两个输入端的一端相连； c)未用与门的两个输入端至少一端接低电平，另一端可以悬空、接高电平或接低电平； d ）未用或门的两个输入端悬空或都接高电平。 3-6如要实现图3-66所示各TTL 门电路输出端所示的逻辑关系，请分析电路输入端的连接是否正确？若不正确，请予以改正。 答：a ）不正确。输入电阻过小，相当于接低电平，因此将?50提高到至少2K ?。b)不正确。第三脚V CC 应该接低电平。 c ）不正确。万用表一般内阻大于2K ?，从而使输出结果0。因此多余输入端应接低电平，万用表只能测量A 或B 的输入电压。 3-7（修改原题，图中横向电阻改为6k ?，纵向电阻改为3.5k ?,β=30改为β=80）为了提高TTL 与非门的带负载能力，可在其输出端接一个NPN 晶体管，组成如图3-67所示的开关电路。当与非门输出高电平V OH =3.6V 时，晶体管能为负载提供的最大电流是多少？ 答：如果输出高电平，则其输出电流为(3.6-0.7)/6=483u A ，而与非门输出高电平时最大负载电流是400u A ，因此最大电流L I (4000.7/3.5)8016mA =?×=。 第2章 逻辑门电路 2.1解题指导 【例2-1】 试用74LS 系列逻辑门，驱动一只V D =1.5V ，I D =6mA 的发光二极管。 解：74LS 系列与之对应的是T4000系列。与非门74LS00的I OL 为4mA ，不能驱动I D =6mA 的发光二极管。集电极开路与非门74LS01的I OL 为6mA ，故可选用74LS01来驱动发光二极管，其电路如图所示。限流电阻R 为 Ω =--=--=k V V V R OL D CC 5.065.05.156 【例2-2】 试分析图2-2所示电路的逻辑功能。 解：由模拟开关的功能知：当A =1时，开关接通。传输门导通时，其导通电阻小于1k Ω，1k Ω与200k Ω电阻分压，输出电平近似为0V 。 而A =0时，开关断开，呈高阻态。109Ω以上的电阻与200k Ω电阻分压，输出电平近似为V DD 。 故电路实现了非逻辑功能。 【例2-3】 试写出由TTL 门构成的逻辑图如图2-3所示的输出F 。 & ≥1 F ≥1 A B 图2-3 例2-3门电路 解：由TTL 门输入端悬空逻辑上认为是1可写出 【例2-4】 试分别写出由TTL 门和CMOS 门构成的如图2-4所示逻辑图的表达式或逻 辑值。 B F 图2-4 例2-4门电路 解：由TTL 门组成上面逻辑门由于10k Ω大于开门电阻R ON ，所以，无论 A 、B 为何值 。 由CMOS 门组成上面逻辑门由于CMOS 无开门电阻和关门电阻之说，所以， 。 2.2 例题补充 2-1 一个电路如图2-5所示，其三极管为硅管，β=20，试求：ν1小于何值时，三极管T 截止，ν1大于何值时，三极管T 饱和。 解：设v BE =0V 时，三极管T 截止。T 截止时，I B =0。此时 10) 10(020I --= -v v I =2V T 临界饱和时，v CE =0.7V 。此时 V CC v I v O +10V -V BB V V V 0200 11 DD F ≈+=DD DD 44 DD 599F 210101021010V V V V ≈+≈?+=A B A F =++?=110≡F AB F = 第三章集成逻辑门电路例题补充 第2章 逻辑门电路 2.1解题指导 【例2-1】 试用74LS 系列逻辑门，驱动一只V D =1.5V ，I D =6mA 的发光二极管。 解：74LS 系列与之对应的是T4000系列。与非门74LS00的I OL 为4mA ，不能驱动I D =6mA 的发光二极管。集电极开路与非门74LS01的I OL 为6mA ，故可选用74LS01来驱动发光二极管，其电路如图所示。限流电阻R 为 Ω =--=--= k V V V R OL D CC 5.06 5 .05.156 【例2-2】 试分析图2-2所示电路的逻辑功能。 解：由模拟开关的功能知：当A =1时，开关接通。传输门导通时，其导通电阻小于1k Ω，1k Ω与200k Ω电阻分压，输出电平近似为0V 。 而A =0时，开关断开，呈高阻态。109Ω以上的电阻与200k Ω电阻分压，输出电平近似为V DD 。 V V V 0200 11 DD F ≈+=DD DD 4 4 DD 5 9 9 F 2 1010 1021010V V V V ≈+≈?+= 故电路实现了非逻辑功能。 【例2-3】试写出由TTL门构成的逻辑图如图2-3所示的输出F。 & ≥1 F ≥1 A B 图2-3 例2-3门电路 解：由TTL门输入端悬空逻辑上认为是1可写出 【例2-4】试分别写出由TTL门和CMOS 门构成的如图2-4所示逻辑图的表达式或逻辑值。 && B F 10kΩ 图2-4 例2-4门电路 解：由TTL门组成上面逻辑门由于10kΩ大于开门电阻R ON，所以，无论A、B为何值。 由CMOS门组成上面逻辑门由于CMOS无开门电阻和关门电阻之说，所以，。 2.2 例题补充 2-1 一个电路如图2-5所示，其三极管为硅管，β=20，试求：ν1小于何值时，三极管T截止，ν1大于何值时，三极管T饱和。 解：设v BE=0V时，三极管T截止。T 截止 V CC v I v O +10V A B A F= + + ? =1 1 ≡ F AB F= 第三章 门 电 路 【题3.1】 在图3.2.5所示的正逻辑与门和图3.2.6所示的正逻辑或门电路中,若改用负逻辑,试列出它们的逻辑真值表,并说明Y 和A,B 之间是什么逻辑关系。 图3.2.5的负逻辑真值表 图3.2.6的负逻辑真值表 【题 3.5】已知CMOS 门电路的电源电压5DD V V =，静态电源电流 2DD I A μ=，输入信号为200Z KH 的方波（上升时间和下降时间可忽略不 计），负载电容200L C pF =，功耗电容20pd C pF =，试计算它的静态功耗、动态功耗、总功耗和电源平均电流。 【解】 静态功耗 6 21050.01S DD DD P I V mW mW -==??= 动态功耗 ()()2 125220********* 1.10D L pd DD P C C fV mW mW -=+=+????= 总功耗 0.01 1.10 1.11TOT S D P P P mW =+=+= 电源平均电流 1.11 0.225 TOT DD DD P I mA mA V = = = 【题3.5】已知CMOS 门电路工作在5V 电源电压下的静态电源电流5A μ，在负载电容100L C pF 为，输入信号频率为500Z KH 的方波时的总功耗为1.56mW 试计算该门电路的功耗电容的数值。 【解】 首先计算动态功耗 ()31.565510 1.54D TOT S TOT DD DD P P P P I V mW mW -=-=-=-??≈ 根据() 2D L pd DD P C C fV =+得 312252 1.541010010135105D pd L DD P C C F pF fV --???= -=-?≈ ????? 【题3.7】 试分析图P3.7 中各电路的逻辑功能，写出输出逻辑函数式。 A B C DD Y V DD Y （b） A 第三章集成逻辑门 一、选择题 1. 三态门输出高阻状态时，是正确的说法。 A.用电压表测量指针不动 B.相当于悬空 C.电压不高不低 D.测量电阻指针不动 2. 以下电路中可以实现“线与”功能的有。 A.与非门 B.三态输出门 C.集电极开路门 D.漏极开路门 3．以下电路中常用于总线应用的有。 A.T S L门 B.O C门 C.漏极开路门 D.C M O S与非门 4．逻辑表达式Y=A B可以用实现。 A.正或门 B.正非门 C.正与门 D.负或门 5．T T L电路在正逻辑系统中，以下各种输入中相当于输入逻辑“1”。 A.悬空 B.通过电阻 2.7kΩ接电源 C.通过电阻 2.7kΩ接地 D.通过电阻510Ω接地 6．对于T T L与非门闲置输入端的处理，可以。 A.接电源 B.通过电阻3kΩ接电源 C.接地 D.与有用输入端并联7．要使T T L与非门工作在转折区，可使输入端对地外接电阻R I。 A.＞R O N B.＜R O F F C.R O F F＜R I＜R O N D.＞R O F F 8．三极管作为开关使用时，要提高开关速度，可。 A.降低饱和深度 B.增加饱和深度 C.采用有源泄放回路 D.采用抗饱和三极管 9．C M O S数字集成电路与T T L数字集成电路相比突出的优点是。 A.微功耗 B.高速度 C.高抗干扰能力 D.电源范围宽 10．与C T4000系列相对应的国际通用标准型号为。 A.C T74S肖特基系列 B.C T74L S低功耗肖特基系列 C.C T74L低功耗系列 D.C T74H高速系列 二、判断题（正确打√，错误的打×） 1．TTL与非门的多余输入端可以接固定高电平。（） 2．当TTL与非门的输入端悬空时相当于输入为逻辑1。（） 3．普通的逻辑门电路的输出端不可以并联在一起，否则可能会损坏器件。（） 4．两输入端四与非门器件74LS00与7400的逻辑功能完全相同。（） 5．CMOS或非门与TTL或非门的逻辑功能完全相同。（） 6．三态门的三种状态分别为：高电平、低电平、不高不低的电压。（） 7．TTL集电极开路门输出为１时由外接电源和电阻提供输出电流。（） 8．一般TTL门电路的输出端可以直接相连，实现线与。（） 3 逻辑门电路 MOS 逻辑门电路 3.1.2 求下列情况下TTL 逻辑门的扇出数：（1）74LS 门驱动同类门；（2）74LS 门驱动74ALS 系列TTL 门。 解：首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ，两者中的最小值即为扇出数。 从附录A 可查得74LS 系列电流参数的数值为I OH =，I OL =8mA ，I IH =,I IL =；74ALS 系列输入电流参数的数值为I IH =，I IL =，其实省略了表示电流流向的符号。 （1） 根据（3.1.4）和式（）计算扇出数 74LS 系列驱动同类门时，输出为高电平的扇出数 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 输出为低电平的扇出数 8200.4OL OL IL I mA N I mA = == 所以，74LS 系列驱动同类门时的扇出数N O 为20。 （2） 同理可计算出74LS 系列驱动74ALS 系列时，有 0.4200.02OH OH IH I mA N I mA === 8800.1OL OL IL I mA N I mA = == 所以，74LS 系列驱动74ALS 系列时的扇出数N O 为20。 3.1.4 已知图题所示各MOSFET 管的 T V =2V ，忽略电阻上的压降，试确定其工作状态（导 通或截止）。 解：图题3.1.4（a ）和（c ）的N 沟道增强型MOS ，图题（b ）和（d ）为P 沟道增强型MOS 。N 沟道增强型MOS 管得开启电压V T 为正。当GS V ＜V T 时，MOS 管处于截止状态；当GS V ≥V T ，且DS v ≥（GS V —V T ）时，MOS 管处于饱和导通状态。数字电路第三章习题与答案
第三章 逻辑门电路的一般特性(1)2015 [兼容模式] (1)
第3章-门电路-课后答案
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