《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，
陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。
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教学过程 [引入新课] [新课教案] 一、什么是半导体？ 物质的导电能力介于导体和半导体之间。常见的半导体材料如硅、锗等。 二、半导体的基本特性 半导体的导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化。 1、掺杂性：在纯净的半导体中掺入及其微量的杂质元素，则它的导电能力将大大增强。 2、热敏性：温度升高，将使半导体的导电能力大大增强。 3、光敏性：对半导体施加光线照射时，光照越强，导电能力越强。 三、半导体的分类 分为本征半导体和杂质半导体。 1、本征半导体：不含其他杂质的纯净半导体。 【载流子：本征半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，但由于其载流子数量太少，且受温度影响太明显，因此本征半导体不能直接用来制造晶体二极管。】 2、杂质半导体 N型半导体：在本征半导体中掺入少量五价元素磷或砷，称为N型半导体。其多数载流子为电子，少数载流子为空穴，主要靠 自由电子导电。 P型半导体：在本征半导体中参入少量三家 元素铟或硼，称为P型半导体。其多数载流子 为空穴，少数载流子为电子，主要靠空穴导电。 [课后练习] 1、半导体与金属相比较有什么特点？ 答：（1）半导体的导电能力较弱 （2）金属靠自由电子导电，半导体靠自由电子和空穴导电。 2、半导体具有哪些特性？答：三个特性 3、什么是P型半导体？什么是N型半导体？ 答：主要靠空穴导电的是P型半导体，主要靠自由电子导电的是N型半导体。 4、N型半导体本身是带负电的还是中性的？为什么？
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内容 教学 程序 引入——新课——小结 学情 分析 在元器件课程中学生了解一些基本知识。教学 方法 讲授 教学 重点 二极管的特性及特性曲线 教学 手段 多媒体教学视频 教学 难点 二极管的特性曲线及测量方法 板 书 设 计 晶体二极管 一、二极管的构成和符号二、二极管的导电特性三、例题 （一）构成（一）实验一四、二极管的检测 （二）符号（二）实验二 （三）分类 教 学 过 [引入新课] 以前在元器件当中我们学习过二极管的符号、作用、分类和实训测量方法，以前学的是外表上面的，本书所讲的是从外到内的。 [新课教案] 一、二极管的结构和符号 （一）结构 在本征半导体上利用特殊工艺分别渗入硼元素和磷元素加工出一半是P型半导体、一半是N型半导体，在P型和N型半导体的结合部位形成一个特殊的结构，即PN结， PN结是构成各种半导体器件的基础。 在P区和N区两侧各接上电极引线，并将其封装在密封的壳体中，即构成半导体二极管，如图。接在P区的引线称为阳极（正极）用a表示，接在N区的引线称为阴 极或负极，用k表示。 二极管的核心即是一个PN结。 （二）符号
“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。
（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。
第11章 数-模和模-数转换一、选择题 1．一个12位的逐次逼近式A/D 转换器，参考电压为4.096V ，其量化单位为（ ）。[北京科技大学2010年研] A ．1mV B ．2mV C ．4mV D ．8mV 【答案】A 【解析】量化单位等于。n 124096==1mV 22 REF V .2．一个8位T 形电阻网络数模转换器，已知R f ＝3R ．U R ＝-10V ，当输入数字量d 7～d 0＝10100000时，输出电压为（ ）V 。[北京科技大学2010年研] A ．7.25 B ．7.50 C ．6.25 D ．6.75 【答案】C 【解析】76107507610n 810d 2+d 2++d 2+d 2=2+2=22 REF V V ()=-???（（6.253．（多选）比较并行式A/D 、逐次逼近式A/D 和双积分式A/D 这三种A/D 转换器的
性能，下列说法正确的是（）。[北京理工大学2008研] A．双积分式A/D的速度最慢，精度最低。 B．并行式A/D的速度最快，精度最低。 C．逐次逼近式A/D的速度居中，精度也居中。 D．双积分式A/D的速度最慢，精度最高。 【答案】BCD 【解析】速度：双积分式A/D＜A/D逐次逼近式A/D＜并行式A/D；精度：并行式A/D＜逐次逼近式A/D ＜双积分式A/D。 二、填空题 1．一个8位数模转换器（DAC）的最小输出电压增量为0.02 V，当输入代码为11010010时，输出电压V0＝______V。[电子科技大学2008研] 【答案】4.18 V 【解析】（11010010）2＝（210）10，输出电压：0.02×（210-1）＝4.18 V。 2.逐次渐近式A／D转换器的转换速度比计数式A／D转换器______（①高；②低），而其电路复杂程度比并联比较式A／D转换器______（①高；②低）。[中山大学2010研]【答案】①；② 【解析】计数式电路非常简单，但缺点是转换时间较长，即转换速度较慢，而逐次渐近式反之。
第一章数字电路基础 第一部分基础知识 一、选择题 1．以下代码中为无权码的为。 A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 2．以下代码中为恒权码的为。 A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。 A.１ B.２ C.４ D. 16 4．十进制数25用8421BCD码表示为。 A.10 101 B.0010 0101 C. D.10101 5．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。 A.（256）10 B.（127）10 C.（FF）16 D.（255）10 6．与十进制数（53.5）10等值的数或代码为。 A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(.1)2 D.(65.4)8 7．矩形脉冲信号的参数有。 A.周期 B.占空比 C.脉宽 D.扫描期 8．与八进制数(47.3)8等值的数为： A. (.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (.11)2 9.常用的B C D码有。 A.奇偶校验码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码 10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。 A.容易设计 B.通用性强 C.保密性好 D.抗干扰能力强 二、判断题（正确打√，错误的打×） 1. 方波的占空比为0.5。（） 2. 8421码1001比0001大。（） 3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。（） 4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。（） 5．八进制数（18）8比十进制数（18）10小。（） 6．当传送十进制数5时，在8421奇校验码的校验位上值应为1。（）
第一章数字逻辑基础 第一节重点与难点 一、重点： 1.数制 2.编码 (1) 二—十进制码（BCD码） 在这种编码中，用四位二进制数表示十进制数中的0~9十个数码。常用的编码有8421BCD码、5421BCD码和余3码。 8421BCD码是由四位二进制数0000到1111十六种组合中前十种组合，即0000~1001来代表十进制数0~9十个数码，每位二进制码具有固定的权值8、4、2、1，称有权码。 余3码是由8421BCD码加3（0011）得来，是一种无权码。 (2)格雷码 格雷码是一种常见的无权码。这种码的特点是相邻的两个码组之间仅有一位不同，因而其可靠性较高，广泛应用于计数和数字系统的输入、输出等场合。 3.逻辑代数基础 (1)逻辑代数的基本公式与基本规则 逻辑代数的基本公式反映了二值逻辑的基本思想，是逻辑运算的重要工具，也是学习数字电路的必备基础。 逻辑代数有三个基本规则，利用代入规则、反演规则和对偶规则使逻辑函数的公式数目倍增。 (2)逻辑问题的描述 逻辑问题的描述可用真值表、函数式、逻辑图、卡诺图和时序图，它们各具特点又相互关联，可按需选用。 (3)图形法化简逻辑函数 图形法比较适合于具有三、四变量的逻辑函数的简化。 二、难点： 1.给定逻辑函数，将逻辑函数化为最简 用代数法化简逻辑函数，要求熟练掌握逻辑代数的基本公式和规则，熟练运用四个基本方法—并项法、消项法、消元法及配项法对逻辑函数进行化简。 用图形法化简逻辑函数时，一定要注意卡诺图的循环邻接的特点，画包围圈时应把每个包围圈尽可能画大。 2.卡诺图的灵活应用 卡诺图除用于简化函数外，还可以用来检验化简结果是否最简、判断函数间的关系、求函数的反函数和逻辑运算等。 3.电路的设计 在工程实际中，往往给出逻辑命题，如何正确分析命题，设计出逻辑电路呢？通常的步骤如下：
康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）配套模拟试题及详解（一） 一、选择题（15×2，共,30分） 1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。 A ．19kΩ B ．2kΩ C ．4kΩ D ．3kΩ 【答案】C 【解析】输出电压为原输出电压的34，所以分压电阻值为原电阻值的34，即1231244k k k Ω=Ω+Ω2．图1电路工作于放大状态，为了使静态工作点I CQ 增大，应该（ ）。 A ．减小电阻R 和电容C B ．换成β大的管子 C ．增大电阻R E 的阻值 D ．减小R B1阻值
图1 【答案】D 【解析】电路是一个典型的利用直流电流串联负反馈稳定静态工作点的三极管分压式偏置电路。由于i C≈i E，则 由上述公式可以看出在题目给出的4个选项中，只有D项能满足题目的要求。 3．和TTL电路相比CMOS电路最突出的优势在（）。 A．可靠性高 B．抗干扰能力强 C．速度快 D．功耗低 【答案】D 【解析】TTL电路以速度见长，CMOS以功耗低而著名。 4．单端输出的差分放大器，能够抑制零点漂移，原因是（）。 A．电路参数的对称性
B．采用了正负两个直流电源供电 C．射级电阻R EE（或恒流源动态电阻）的差模负反馈作用 D．射级电阻R EE（或恒流源动态电阻）的共模负反馈作用 【答案】A 【解析】在差分电路中，无论是温度变化，还是电源电压的波动都会引起两管集电极电流以及相应的集电极电压相同的变化，其效果相当于在两个输入端加入了共模信号，由于电路的对称性和恒流源偏置，在理想情况下，可以使输出电压不变，从而抑制零点漂移。 5．由理想运放构成如图2所示电路，试判断电阻R f反馈的类型属于（）。 图2 A．串联电压负反馈 B．串联电流负反馈 C．并联电压负反馈 D．并联电流负反馈 【答案】A 【解析】利用瞬时极性法。输入为正，输出也为正，反馈电压也为正，使运放的输入减
1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电
压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。
第1章电路的基本定律与分析方法 【思1.1.1】(a) 图U ab＝IR＝5×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 (b) 图U ab＝－IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (c) 图U ab＝IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (d) 图U ab＝－IR＝－(－5)×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 【思1.1.2】根据KCL定律可得 (1) I2＝－I1＝－1A。 (2) I2＝0，所以此时U CD＝0，但V A和V B不一定相等，所以U AB不一定等于零。 【思1.1.3】这是一个参考方向问题，三个电流中必有一个或两个的数值为负，即必有一条或两条支路电流的实际方向是流出封闭面内电路的。 【思1.1.4】(a) 图U AB＝U1＋U2＝－2V，各点的电位高低为V C＞V B＞V A。 (b) 图U AB＝U1－U2＝－10V，各点的电位高低为V B＞V C＞V A。 (c) 图U AB＝8－12－4×(－1)＝0，各点的电位高低为V D＞V B(V A＝V B)＞V C。 【思1.1.5】电路的电源及电位参考点如图1-1所示。当电位器R W的滑动触点C处于中间位置时，电位V C＝0；若将其滑动触点C右移，则V C降低。 【思1.1.6】(a) 当S闭合时，V B＝V C＝0，I＝0。 当S断开时，I＝ 12 33 +＝2mA，V B＝V C＝2×3＝6V。 (b) 当S闭合时，I＝－6 3 ＝－2A，V B＝－ 3 21 + ×2＝－2V。 当S断开时，I＝0，V B＝6－ 3 21 + ×2＝4V。 【思1.1.7】根据电路中元件电压和电流的实际方向可确定该元件是电源还是负载。当电路元件上电压与电流的实际方向一致时，表示该元件吸收功率，为负载；当其电压与电流的实际方向相反时，表示该元件发出功率，为电源。 可以根据元件电压与电流的正方向和功率的正、负来判别该元件是发出还是吸收功率。例如某元件A电压、电流的正方向按关联正方向约定，即将其先视为“负载模型”，如图1-2(a)所示，元件功率P＝UI。设U＝10V(电压实际方向与其正方向一致)，I＝2A(电流实际方向与其正方向一致)，U、I实际方向一致，P＝UI＝10×2＝20W＞0(P值为正)，可判断A元件吸收功率，为负载。设U＝10V(电压实际方向与其正方向一致)，I＝－2A(电流实际方向与其正方向相反)，U、I实际方向相反，P＝UI＝10×(－2)＝－20W＜0(P值为负)，可判断A元件发出功率，为电源。
2009年浙江理工大学954电子技术基础（模电、数电）考研真题 考试科目：电子技术基础（模电、数电） 科目代码：954 一、填空题（1分/空，共30分） 1．在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体，加入_____元素可形成P型半导体。 2．电流串联负反馈放大器是一种输出端取样量为_____，输入端比较量为_____的负反馈放大器，它使输入电阻_____，输出电阻_____。 3．当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈_____；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英品体呈_____；其余情况下石英晶体呈_____。 4．用示波器观察PNP管共射单级放大器输出电压得到图1所示两种失真波形，试指出失真类型a：_______，b：_______，增大基极电源可消除____________失真，增大R b可消除______失真，减小β可同时消除________失真。 图1
5．在放大电路中测得一个β=150的三极管I B=10uA，I C=1mA，则这个晶体管处于______工作状态。 6．将二进制数（1010101.0011）2分别转换成下列进制数：十进制数_____，八进制数_____，十六进制数_____。 7．在一个CP脉冲作用下，引起触发器两次或多次翻转的现象称为触发器的_____，触发方式为_____式或_____式的触发器不会出现这种现象。 8．TTL与非门电压传输特性曲线分为_____区、_____区、_____区及_____区。 9．数字电路按照是否有记忆功能通常可分为两类：_____和_____。 10．分别写出RS触发器、JK触发器及T触发器的特性方程_____、_____及_____。 二、分别改正图2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。（12分） 图2
运算放大器习题解答 1．1 在图P1.1所示的电路中，运算放大器的开环增益A 是有限的，Ω=M R 11，Ω=K R 12。当V v i 0.4=时，测得输出电压为V v o 0.4=，则该运算放大器的开环增益A 为多少？ i v 图P1.1 解：V v R R R v i 1001441010106 33212=?+=+=+，100110014400===-=+-+v v v v v A 1．2 假设图P1.2所示电路中的运算放大器都是理想的，试求每个电路的电压增益i o v v G = ，输入阻抗i R 及输出阻抗o R 。 (a) i v Ω K 100 (b) i v i R Ω K 100(c) i v o Ω K 100(e) i v (d) i v i R Ω K 100(f) i v i R Ω K 100 图P1.2
解： （a ）01010=Ω=-=O i R K R G ，， （b ）01010=Ω=-=O i R K R G ，， （c ）01010=Ω=-=O i R K R G ，， （d ）00==-∞=O i R R G ， ， （e ）0100=Ω==O i R K R G ，， （f ）Ω=Ω=-=501010O i R K R G ， ， 1.3有一个理想运算放大器及三个ΩK 10电阻，利用串并联组合可以得到最大的电压增益 G （非无限）为多少？此时对应的输入阻抗为多少？最小的电压增益G （非零）为多少？ 此时对应的输入阻抗为多少？要求画出相应的电路。 解：最大的电压增益可以采用同相放大器形式，如下图（a ），其电压增益为3，对应的输入阻抗为无穷大； 最小的电压增益可以采用反相放大器形式，如下图（b ），其电压增益为0.5，对应的输入阻抗为ΩK 10或ΩK 5； i v i R Ω K 10o i v i R Ω K 10ΩK 10 1.4一个理想运算放大器与电阻1R 、2R 组成反相放大器，其中1R 为输入回路电阻，2R 为闭合环路电阻。试问在下列情况下放大器的闭环增益为多少？ （a ）Ω=K R 101，Ω=K R 502 (b) Ω=K R 101，Ω=K R 52
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了解特殊二极管：齐纳二极管、变容二极管、光电子器件、光电二极管、发光二极管、激光二极管。 三、半导体三极管及放大电路基础 掌握半导体BJT的结构、BJT的电流分配与放大作用、BJT的特性曲线、BJTR的主要参数。熟练掌握共射极、共集电极、共基极放大电路的工作原理及静态工作点的设置与估算，用微变等效电路法分析增益、输入电阻和输出电阻。 了解图解分析法和电流源的工作原理。 掌握放大电路的工作点稳定问题，了解温度对工作点的影响。 了解放大电路的频率响应。 四、场效应管放大电路 掌握结型场效应管：JFET的结构和工作原理、JFET的特性曲线及参数； 掌握金属—氧化物---半导体场效应管：N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET；各种FET的特性比较及使用注意事项 掌握场效应管放大电路：FET的直流偏置电路及静态分析、FET放大电路的小信号模型分析法； 掌握各种放大器件电路性能。 五、功率放大电路 掌握功率放大电路的一般问题； 掌握乙类双电源互补对称功率放大电路工作原理，电路组成及分析计算； 掌握甲乙类互补对称功率放大电路、甲乙类单电源互补对称电路工作原理及分析计算； 熟悉其特点和工作原理。掌握输出功率、管耗和效率的计算方法，正确理解交越失真及其克服。 了解集成功率放大器工作原理。 六、集成电路运算放大器 掌握集成电路运算放大器中的电流源工作原理； 熟练掌握差分式放大电路：基本差分式放大电路、FET差分式放大电路工作原理及分析计算；熟练掌握差动放大电路的工作原理，输入输出方式和差模电压增益、差模输入电阻及输出电阻的计算器；熟悉直接耦合方式的多级放大器的耦合特点及电压增益计算器；了解典型集成运放的组成和工作原理，正确理解不同类型运放的特点，熟悉运放的主要性能参数，会正确选用。 掌握差分式放大电路的传输特性； 七、反馈放大电路 掌握反馈的基本概念及四种类型的反馈组态； 掌握负反馈放大电路的方框图及增益的一般表达式；反馈放大器的概念性；反馈放大器的类型及其判断；负反馈对放大电路性能的影响；深度负反馈放大器的闭环电压增益计算。
《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12（第一章） 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具 有特性。 5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。 7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。 9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。 10当温度升高时，三极管的等电极电流I，发射结压降UBE。 11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。 12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与 外加电压。 13-19（第二章） 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二 级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多 级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______， 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。 20-26（第三章） 20、甲类功放的最大缺点是_______； 21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压，才能正常放大工作。
第一章习题答案 1.1.4 一周期性信号的波形如图题1.1.4所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比 012 （ms）图题1.1.4 解： 周期T=10ms 频率f=1/T=100Hz 占空比q=t w /T ×100%=1ms/10ms ×100%=10% 1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数、八进制数和十六进制数，要求误差不大于2-4： （1）43 （2）127 （3）254.25 （4）2.718 解： 1. 转换为二进制数： （1）将十进制数43转换为二进制数，采用“短除法”，其过程如下： 2 43 ………………………余1……b 02 21 ………………………余1……b 12 1 ………………………余1……b 52 2 ………………………余0……b 42 5 ………………………余1……b 32 10 ………………………余0……b 20高位 低位 从高位到低位写出二进制数，可得（43）D =（101011）B （2）将十进制数127转换为二进制数，除可用“短除法”外，还可用“拆分比较法”较为简单： 因为27=128，因此（127）D =128-1=27-1=（1000 0000）B -1=（111 1111）B （3）将十进制数254.25转换为二进制数， 整数部分（254）D =256-2=28-2=（1 0000 0000）B -2=（1111 1110）B 小数部分（0.25）D =（0.01）B （254.25）D =（1111 1110.01）B （4）将十进制数2.718转换为二进制数 整数部分（2）D =（10）B 小数部分（0.718）D =（0.1011）B 演算过程如下：
教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学 模拟电子技术课程作业 第1章 半导体器件 1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( A )。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有( B )。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( A )。 (a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O 的波形。 D 2 D 1 u O + - 图1 图2 5电路如图1所示，设输入信号u I 1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。
u I2 D 1 图1 图2 u u 第2章基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图()。 U o CC U CC U (c)(d) - o u o 2图示电路，已知晶体管 β=60，U BE .V =07 ，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流 I C调整到1.5mA，R B应取()。 (a)480kΩ(b)120kΩ(c)240kΩ(d)360kΩ
3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( )。 (a)增加 (b)减少 (c)基本不变 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE . V =07，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。 u o U CC 12V + - 5放大电路如图所示,已知晶体管的输入电阻r be k =1Ω，电流放大系数β=50，要求: (1)画出放大器的微变等效电路； (2)计算放大电路输入电阻r i 及电压放大倍数A u 。 Ω u o 12V + －
<<电子技术基础>>第一章单元试题 姓名：班级：得分： 一、填空题：（每空2分，共36分） 1、二极管由一个PN结构成，其特性是__________，即给P区加_______电位，N区加_________ 电位时，二极管就导通。它的电压和电流不成正比，所以它是一种元件。 2、用于制造半导体器件的半导体材料是。 3、在本征半导体中掺入3价元素形成的是半导体。 4、在P型半导体中，多数载流子是。 5、温度，将使半导体的导电能力大大增强。（选填：升高、降低、不变） 6、二极管反向饱和电流I R会随升高而增大。 7、半波整流电路的变压器二次侧电压为10V，其负载上的直流电压为。 8、整流电路的功能是将。 9、滤波电路可将输入的变为较平滑的直流电。 10、电容滤波电路的负载电阻越大，滤波电容的容量越，滤波效果越好。 11、稳压管是利用其陡峭的在电路中起稳定电压的作用。 12、稳压管的动态电阻r Z反映器件的稳压性能的好坏，动态电阻越大，稳压性能越。 13、光电二极管有光线照射时，反向电阻。（选填：增大、减小、不变） 14、发光二极管的功能是。 15、在桥式整流电路中，若有一只二极管断开，则负载两端的直流电压将。（选填：升高、下降、不变） 二、选择题（每小题3分，共30分） 1、单相桥式整流电路，如果负载电流为10A，则流过每只二极管的电流将是（） Ａ、１０ＡＢ、６ＡＣ、５ＡＤ、４.５Ａ ２、用万用表欧姆档测量二极管的极性好与坏时，应该把欧姆表档拨到（） A、R×100或R×1KΩ档 B、R×1档 C、R×10档 D、R×10KΩ档 3、电路如图一所示，设D Z1的稳定电压为5V，D Z2的稳定电压为7V，两管正向压降均为0V，在正常V I输入下，输出UＯ的值为（） 4、主要靠自由电子导电的半导体是（） ＡＰ型半导体Ｂ、Ｎ型半导体Ｃ、本征半导体 ５、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管（）的 关系曲线。 Ａ、ＶＤ－ＩＤＢ、ＶＤ－ｒＤＣ、ＩＤ－ｒＤＤ、ｆ－ＩＤ ６、在桥式整流电路中，若有一只整流二极管被击穿（短路），则（）Ａ、可能烧毁元器件Ｂ、输出电流变小Ｃ、电路变为半波整流Ｄ、输出电压为０。７、在滤波电路中，滤波效果最好的电路是（） A、电容滤波器 B、电感滤波器 C、RC-Π型滤波器 D、LC-Π型滤波器 8、普通整流二极管的两个主要参数（） A、最高反向工作电压V RM和最大整流电流I FM B、最大整流电流I FM和稳定电压V Z C、最高反向工作电压V RM和稳定电流I Z 9、二极管两端反向偏置电压增大时，在达到（）电压以前，能过电流很小。 A、击穿 B、最大 C、短路 D、死区 10、下列器件中，（）不属于特种二极管。 A、稳压管 B、整流管 C、发光管 D、光电管 三、分析与计算题：（共34分） 1、整流滤波电路如图所示，变压器副边电压V2= ，说明电路在以下四种情况时的工作状态，并求出相应的直流输出电压V O。（20分） （1）、开关S1、S2均闭合。 （2）、开关S1、S2均断开。 （3）、开关S1闭合，S2断开。 （4）、开关S1断开，S2闭合。 2、如上图所示，当开关S1、S2均闭合时，电路分别出现以下故障时，分析对电路工作的不良影响。（14分） （1）、二极管V1极性接反； （2）、二极管V1开路； （3）、二极管V1短路； （4）、负载R L短路； （5）、电容C开路。 √2×20Sinωt伏 + V1 -
《模拟电子技术基础》第4版习题解答 第1章半导体二极管及其基本应用电路 一、填空题 1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。 1．2 在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是，少子是。 1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。 1．4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。 1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。二、选择正确答案填空(只需选填英文字母) 1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。 1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。 1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。 三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示) 1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。( ) 1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。( ) 1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。( ) 1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。( ) 解答： 1.1 杂质浓度温度 1.2 电子空穴空穴电子
第一章习题解答[题1.1]」【解】 (1) () 2=(97) 16 =(151) 10 (2)() = 16 ) 6(D=(109)10 (3)( 0. ) 2=(0.5F) 16 =(0.) 10 (4)(11. 001) 2=(3. 2) 16 =（3.125） 10 [题1. 2]将下列十六进制数化为等值的二进制数和等值的十进制数。 【解】 (1) (8C) 16=() 2 =(140) 10 (2) (3D．BE) 16= (.) 2 =(61. ) 10 (3)(8F．FF) 16=(.) 2 =( 143.) 10 (4)(10.00) 16=(10000.) 2 = (16. ) 10 [题1. 3][解] (17) 10=(10001) 2 =(11) 16 (127) 10 =() 2 =(7F) 16 (0.39) 10=(0.0110) 2 =(0.6) 16 (25.7) 10 =(11001.1011) 2 =(19.B) 16 [题1. 4] [解] (1) (+1011) 2 的原码和补码都是01011(最高位的0是符号位)。 (2) (+00110) 2 的原码和补码都是(最高位的0是符号位)。 (3) (-1101) 2 的原码是11101(最高位的1是符号位)，补码是10011 (4) (-) 2 的原码是(最高位的1是符号位)，补码是 [题1. 5] [解] (1)首先找出真值表中所有使函数值等于1的那些输人变量组合。 然后写出一组变量组合对应的一个乘积项，取值为1的在乘积项中写
为原变量，取值为0的在乘积项中写为反变量。最后，将这些乘积项相加，就得到所求的逻辑函数式。 (2)将输人变量取值的所有状态组合逐一代入逻辑函数式，求出相 应的函数值。然后把输入变量取值与函数值对应地列成表，就得到了函数的真值表。 (3)将逻辑图中每个逻辑图形符号所代表的逻辑运算式按信号传输方 向逐级写出，即可得到所求的逻辑函数式。 (4)用逻辑图形符号代替函数式中的所有逻辑运算符号，就可得到由 逻辑图形符号连接成的逻辑图了。 [题1. 6] [解] 表Pl. 6( a)对应的逻辑函数式为 表P1.6(b)对应的逻辑函数式为 [题1. 7] [解]
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学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。