电力电子技术复习题库
第二章：
1.使晶闸管导通的条件是什么？
①加正向阳极电压；②加上足够大的正向门极电压。
备注：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流。
2.由于通过其门极能控制其开通，但是不能控制其关断，晶闸管才被称为（半控型）器件。
3.在电力电子系统中，电力MOSFET通常工作在（A）状态。
A. 开关
B. 放大
C. 截止
D. 饱和
4.肖特基二极管（SBD）是（A）型器件。
A. 单极
B. 双极
C. 混合
5.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度可以分为：
①不可控器件；②半控型器件；③全控型器件
6.下列电力电子器件中，（C）不属于双极型电力电子器件。
A. SCR
B. 基于PN结的电力二极管
C. 电力MOSFET
D. GTR
7.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件（电力二极管除外）分为（电流驱动型）和（电压驱动型）两类。
8.同处理信息的电子器件类似，电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为（单极性器件）、（双极型器件）和（复合型器件）。
9.（通态）损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时，（开关）损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。（填“通态”、“断态”或“开关”）
10.电力电子器件在实际应用中，一般是由（控制电路）、（驱动电路）和以电力电子器件为核心的（主电路）组成一个系统。
11.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，肖特基二极管（SBD）属于（不可控）型器件。
12.型号为“KS100-8”的晶闸管是（双向晶闸管）晶闸管，其中“100”表示（额定有效电流为100A），“8”表示（额定电压为800V）。
13.型号为“KK200-9”的晶闸管是（快速晶闸管）晶闸管，其中“200”表示（额定有效电流为200A），“9”表示（额定电压为900V）。
14.单极型器件和复合型器件都是（电压驱动）型器件，而双极型器件均为（电流驱动）型器件。（填“电压驱动”或“电流驱动”）
15.对同一晶闸管，维持电流I H<擎住电流I L。（填“>”、“<”或“=”）
16.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管阳极电流大于维持电流（保持晶闸管导通的最小电流）；
要使晶闸管由导通变为关断，可使阳极电流小于维持电流可以使晶闸管由导通变为关断。在实际电路中，常采用使阳极电压反向、减小阳极电压，或增大回路阻抗等方式使晶闸管关断。
17.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？
答：CTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断。
GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益1 a 和2 a ，由普通晶闸管的分析可得： 1 a + 2 a =1 是器件临界导通的条件。
1 a +
2 a ＞1，两个等效晶体管过饱和而导通；1 a + 2 a ＜1，不能维持饱和导通而关断。
GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：
②GTO 在设计时2 a 较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO 关断；
② GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1，普通晶闸管1 a + 2 a 3≥1.15，而GTO 则为1 a + 2
a ≈1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；
③多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
18.下面电力电子器件中（ D）属于电压驱动型器件。
A. GTR (电力晶体管)
B. GTO（门极可关断晶闸管）
C. SCR（晶闸管）
D. IGBT（绝缘栅双极性晶体管）
19.下面电力电子器件中（B）不属于全控型器件。
A. GTR
B.SCR
C. 电力MOSFET
D. IGBT
20.下面电力电子器件中（ A ）属于全控型器件。
A. GTR
B.SCR
C. 肖特基二极管
第三章：
1.整流电路按组成的器件可分为（不可控型电路）、（半控型电路）和（全控型电路）。
2.整流电路按电路结构可分为（桥式电路）和（零式电路）。
3.整流电路按交流输入相数分为（单相电路）和（双相电路）。
4.整流电路按变压器二次电流的方向是单向或双向，分为（单拍电路）和（双拍电路）。
5.整流电路按控制方式可分为（相控式电路）和（斩波式电路）。
6.什么叫触发延迟角？
答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起，到施加触发脉冲上的电角度，称之为触发延迟角。
7.带电阻负载的单相半波可控整流电路中晶闸管的α移相范围为（ 0 ）°~（ 180 ）°。
8.带阻感负载的单相半波可控整流电路中晶闸管的α移相范围为（ 0 ）°~（ 180 ）°。
9.单相半波可控整流电路中晶闸管承受的最大正向电压为（ √2U 2 ），最大反向电压为（ √2U 2 ）。（假设变压器二次侧电压的有效值为U 2）
10.带电阻负载的单相桥式全控整流电路中晶闸管承受的最大正向电压为（ √22U 2 ），最大反向电压
为（ √2U 2 ）。（假设变压器二次侧电压的有效值为U 2）
11.带阻感负载的单相桥式全控整流电路中晶闸管承受的最大正向电压为（ √2U 2 ），最大反向电
压为（√2U 2 ）。（假设变压器二次侧电压的有效值为U 2）
12.带电阻负载的单相桥式全控整流电路中晶闸管的 移相范围为（ 0 ）°~（ 180 ）°。
13.带阻感负载的单相桥式全控整流电路中晶闸管的 移相范围为（ 0 ）°~（ 90 ）°。
14.单相全波可控整流电路中晶闸管承受的最大电压为（ 2√2U 2 ）。（假设变压器二次侧电压的有
效值为U 2）
15.三相半波可控整流电路又称为（ B ）脉波整流电路，三相桥式全控整流电路又称为（ C ）脉波整流电路。
A. 双
B. 三
C. 六
D. 十二
16.什么叫自然换相点？
答：三相正弦波，无论在正半周还是在负半周,两相相交的点,就是三相整流波形的自然换相点。 17.带电阻负载的三相半波可控整流电路中晶闸管的α移相范围为（ 0 ）°~（ 150 ）°。
18.带阻感负载的三相半波可控整流电路中晶闸管的α移相范围为（ 0 ）°~（ 90 ）°。
19.三相半波可控整流电路中晶闸管承受的最大反向电压为（ √6U 2 ）。（假设变压器二次侧电压的
有效值为U 2）
20.带电阻负载的三相桥式全控整流电路中晶闸管的α移相范围为（ 0 ）°~（ 120 ）°。
21.带阻感负载的三相桥式全控整流电路中晶闸管的α移相范围为（ 0 ）°~（ 90 ）°。
22.三相半波可控整流电路中负载电流连续时，整流输出电压的平均值U d =（1.17 U 2cos α ）。（假设
变压器二次侧电压的有效值为U 2，晶闸管的触发延迟角为α）
23.三相桥式全控整流电路中负载电流连续时，整流输出电压的平均值U d =（2.34 U 2cos α）。（假设变
压器二次侧电压的有效值为U 2，晶闸管的触发延迟角为α）
24.三相桥式全控整流电路中晶闸管承受的最大反向电压为（√6U
）。（假设变压器二次侧电压的有
2
效值为U2）
25.什么叫换相重叠角？
答：换相过程持续时间用电角度用 表示，称为换相重叠角。
26.出现换相重叠角γ，整流输出电压平均值U d将（降低）。（填“降低”或“增加”）
27.由于电路中的电力电子器件采用整流二极管，不可控整流电路也称为（二极管）整流电路。
28.电容滤波的单相不可控整流电路，通常在设计时根据负载的情况选择电容C值，使，T为交流电源的周期，此时输出电压U d≈（√2U2）。（假设变压器二次侧电压的有效值为U2）
29.电容滤波的三相不可控整流电路，负载电流I d断续和连续的临界条件是（WRC=√3）。
）。（假设变压器二次侧电30.电容滤波的三相不可控整流电路中二极管承受的最大反向电压为（√6U
2
压的有效值为U2）
31.什么是谐波？什么是谐波次数？
答：谐波是指电流中所含有的频率为基波的整数倍的电量，一般是指对周期性的非正弦电量进行傅里叶级数分解，其余大于基波频率的电流产生的电量。
谐波次数为整数，用谐波频率同基波频率之比给出。（谐波次数是能引起谐振的谐波次数）32.在电压波形为正弦波、电流波形为非正弦波的电路中，功率因数由（基波电流相移）和（电流波形畸变）这两个因素共同决定。
33.单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次电流中含有哪些次数的谐波？其中主要是哪几次？
答：单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有2k（k=1、2、3…）次谐波，其中幅值最大的是2次谐波。变压器二次侧电流中含有2k＋1（k＝1、2、3……）次即奇次谐波，其中主要的有3次、5次谐波。
34.三相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次电流中含有哪些次数的谐波？其中主要是哪几次？
答：三相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有6k（k=1、2、3…）次谐波，其中幅值最大的是6次谐波。变压器二次侧电流中含有6k＋1（k＝1、2、3……）次，其中主要的有5次、7次谐波。
35.什么是有源逆变？
答：当交流侧和电网连接时，这种逆变电路称为有源逆变电路。
备注：将直流电变为和电网频率的交流电，并返送到交流电网去的过程称为有源逆变。
36.整流电路中产生有源逆变的条件是什么？
答：①直流电动势E>Ud，且极性与晶闸管方向一致。
②晶闸管的控制角 >π
2
，使Ud为负值。
37.什么是逆变失败（或逆变颠覆）？
答：逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或者逆变颠覆。
补充：逆变失败的原因：①逆变角太小；②出现触发脉冲丢失；③主电路期间损坏④电源缺失等。
防止逆变失败的方法采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角 等。
38.逆变时允许采用的最小逆变角一般取（30 ）o ~（35 ）o。
39.带阻感负载的三相桥式全控整流电路中，功率因数λ=（0.955cosα）。（假设晶闸管的触发
延迟角为α）3
π
cosα=0.955cosα
40.变流器工作在逆变状态时，控制角 必须在（D）。
A.0°~90°
B. 30°~120°
C. 60°~150°
D. 90°~150°
41.对于单相全波电路，当控制角0 < <π
2时，电路工作在（整流）状态；π
2
< < π时，电路工作在（逆
变）状态。（填“整流”或“逆变”）
42.教材第50页例3-1。43.教材第63页例3-2。
44.教材第95页第3题。45.教材第95页第4题。
第四章：
1.无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？
答：有源逆变电路的交流侧接电网，即交流侧接有电源。而无源逆变电路的交流侧直接和负载联接。
有源逆变电路是把交流低压或220V通过改变频率的方法，逆变成我们需要的电压或电流。
无源逆变电路应是纯逆变电路，它是将储存在电瓶中的电能变成我们所需要的交流电源。
有源逆变本质上是触发角大于90度的整流，有源逆变的拓扑结构与整流一模一样，只是当触发角大于90度时整流电路的功率方向发生了变化，相当于实现了逆变功能。所以有源逆变的交流侧一定需要电源
2.换流方式可分为（器件换流）、（电网换流）、（负载换流）和（强迫换流）四种。
3.逆变电路根据直流侧电源性质的不同可分为（电压逆变电路）和（电流型逆变电路）两种。
4.电压型逆变电路的特点有哪些？
答：（1）直流侧为电压源，或并联有大电容，相当于电压源。直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。
（2）由于直流电压源的钳位作用，交流侧输出电压波形为矩形波，并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电流波形和相位负载阻抗情况的不同而不同。
（3）当交流侧为阻感负载时，需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。
5.电流型逆变电路的特点有哪些？
答：（1）直流侧串联有大电感，相当于电流源。直流侧电流基本无脉动，直流回路呈现高阻抗。（2）电路中开关器件的作用仅是改变直流电流的流通路径，因此交流测输出电流为矩形波，并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电压波形和相位侧因负载阻抗情况的不同而不同。
（3）当交流测为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电感起缓冲无功能量的作用。因为反馈无功能量是直流电流并不反向，因此不必像电压型逆变电路那样要给开关器件反并联二极管。
6.电流型逆变电路中，采用半控型器件的电路仍应用较多，就其换流方式而言，有的采用（负载）换流，有的采用（强迫）换流。
7.电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么？为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管？
答：电压型逆变电路中反馈二极管的作用是使负载电流连续。
在电压型逆变电路中,当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率,直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂都并联了反馈二极管。当输出交流电压和电流的极性相同时,电流经电路中的可控开关器件流通，而当输出电压电流极性相反时,由反馈二极管提供电流通道。
在电流型逆变电路中,直流电流极性是一定的,无功能量由直流侧电感来缓冲。当需要从交流侧向直流侧反馈无功能量时,电流并不反向,依然经电路中的可控开关器件流通,因此不需要并联反馈二极管。
8.由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
第五章：
1.最基本的斩波电路有（降压斩波电路）和（升压斩波电路）两种。
2.根据对输出电压平均值进行调制的方式不同，斩波电路有（冲宽度调制）、（频率调制）和（混合型）三种控制方式。
3.电流可逆斩波电路用于拖动直流电动机时，可使电动机工作于第（C）象限。
A．1 B. 2 C. 1，2 D. 1，2，3，4
4.升降压斩波电路中占空比 需满足______1
_< <1____才能使之呈现升压状态。（ 为导通比）
2
5.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第（一）象限，升压斩波电路能使电动机工作于第（二）象限。
_______才能使之呈现降压状态。
6.升降压斩波电路中占空比 需满足_______0 < <1
2
7.直流斩波电路中最基本的两种电路是降压斩波电路和升压斩波电路。
8.教材第138页第1题。9.教材第138页第2题。10.教材第138页第3题。
11.教材第138页第4题。12.教材第138页第5题。13.教材第122页例5-1。
14.教材第122页例5-2。15.教材第124页例5-3。
第六章：
1.什么叫交流电力控制电路？
答：把两个晶闸管反并联后串联在交流电路中，通过对晶闸管的控制就可以控制交流输出。这种电路不改变交流电的频率，称为交流电力控制电路。
2.带电阻负载的三相交流调压电路，三相三线时触发延迟角 的移相范围是（0）°~（150）°。
3.带电阻负载的单相交流调压电路，其触发延迟角 的移相范围为（0）°~（180）°。
4.带阻感负载的单相交流调压电路，其触发延迟角 的移相范围为（ ） ~（ ）。
5.三相交-交变频电路主要有两种接线方式，即（公共交流母线进线方式）进线方式和（输入星型联结方式）联结方式。
6．交流调压电路喝交流调功电路有什么区别？
答：交流调压电路和交流调功的电路形式完全相同，二者区别在于控制方式不同。
交流调功电路是交流电源的每个周期对输出电压波形进行控制。而交流调功电路是将负载与交流电源接通几个周波，再断开几个周波，通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率。
7.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz时，单相交-交变频电路的输出上限频率约__20__Hz。
8.教材第161页第1题。
9.教材第161页第2题。
第七章：
1.什么叫PWM控制技术？
答：PWM控制技术：对脉冲的宽度进行调制的技术，即通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效的获得所需要的波形（含形状和幅值）。
2.什么是SPWM波形？
答：通常采用等腰三角波作为载波，当调制信号波为正弦波时，所得到的就是SPWM波形。
3.PWM逆变电路的控制方法中，调制法通常采用（等腰三角波）波作为载波应用最多。
4.PWM逆变电路的控制方法中实际应用的主要是调制法，三相桥式PWM逆变电路都是采用（双极性）控制方式。（填“单极性”或“双极性”）
5.在PWM控制电路中，（载波）频率与（调制信号）频率之比称为载波比。N=fc
fr
6.根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为（同步调制）和（异步调制）两种。
7.逆变电路的直流电压利用率是指( 逆变电路所能输出的交流电压基波最大幅值Um）和（直流电压Udc）之比。
8.PWM逆变电路的控制方法有（计算法）、（调制法）和（跟踪控制法）。
9.PWM跟踪控制法中常用的有（滞环比较）方式和（三角波比较）方式。
10.教材第184页第1题。11.教材第184页第3题。
12.教材第184页第5题。
第八章：
1.根据电路中主要的开关元件是零电压开通还是零电流关断，可以将软开关电路分成两大类：
①零电压电；②零电流电路。
2.根据软开关技术发展的历程，可以将软开关电路分为三类：
①零开关准谐振电路；②零电压开关PWM电路；③零电压转换PWM电路。
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
电力电子技术的简介、产品、技术及前沿动态摘要：本文简要地介绍了电力电子技术的内涵、产品；回顾了电力电子技术的发展历程以及主要应用；介绍了我国电力电子技术产业的发展现状以及电力电子技术将来的发展趋势。 关键词：电力电子、电力电子器件、电力电子设备和系统 如今，公认的是“电力技术是通向可持续发展的桥梁”，因为在保证相同的能源服务水平的前提下, 使用电力这种优质能源最清洁、方便，易于控制、效率最高。以下将对若干电力电子技术的产品，发展历史，以及前沿技术的现状和未来发展前景进行论述。 一、电力电子技术简介 现代电力电子技术的发展方向,是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学,向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。电力电子技术其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代,促进了电力电子技术在许多新领域的应用。现在已经进入现代电力电子时代。 电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的电子技术。它包括电力电子器件、电力电子设备和系统及其控制三个方面，与以信息处理为主的信息电子技术不同，电力电子技术主要用于功率变换。 二、电力电子技术的应用及产品 电力电子设备和系统种类繁多、行业应用范围极广，主要包括三大类产品：变频器、电能质量类产品以及电子电源产品。
电力电子技术应用领域十分广泛几乎涉及到国民经济各个工业部门和社会生活各个方面。下面具体说一下其的应用领域。 1、一般工业 工业中大量应用各种交直流电动机。例如，很多交流电机都广泛采用电力电子交直流调速技术来提高调速性能。一些对调速性能要求不高的大型鼓风机等近年来也采用了变频装置，以达到节能的目的。还有些不调速的电机为了避免起动时的电流冲击而采用了软起动装置，这种软起动装置也是电力电子装置。 2、交通运输 电气化铁道中广泛采用电力电子技术。电气机车中的直流机车中采用整流装置，交流机车采用变频装置；直流斩波器也广泛用于铁道车辆；车辆中的各种辅助电源、蓄电池的充电也应用了电力电子技术；此外，一台高级汽车中需要许多控制电机，它们也要靠变频器和斩波器驱动并控制。飞机、船舶需要很多不同要求的电源，因此航空和航海都离不开电力电子技术。 3、电力系统 电力电子技术在电力系统中有着非常广泛的应用。直流输电其送电端的整流阀和受电端的逆变阀都采用晶闸管变流装置。此外，近年发展起来的柔性交流输电也是依靠电力电子装置才得以实现的。晶闸管控制电抗器、晶闸管投切电容器都是重要的无功补偿装置。在配电网系统，电力电子装置还可用于防止电网瞬时停电、瞬时电压跌落、闪变等，以进行电能质量控制，改善供电质量。
2、射极输出器电路中，输出电压U o 与输入电压u i 之间的关系是（ ）。 （a ） 两者反相，输出电压大于输出电压 （b ） 两者同相，输出电压近似等于输入电压 （c ） 两者相位差90 ，且大小相等 3、为了放大变化缓慢的信号或直流信号，多级放大器级与级之间必须采 用（ ）。 （a ） 阻容耦合 （b ） 变压器耦合 （c ） 直接耦合 汁侶吗llTFF （咏宀、 方 亠z-r /咏宀\ 命题教帅（签字） 试做教师（签字） 系、室土任（签字） ）匚记标修重 ................ 名姓 题号 -一- _ 二 _ 三 四 五 七 八 合计 满分 32 10 8 10 6 7六 10 12 丿八 12 100 实得分 评阅人 得分 、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填 入括号内（本大题共16小题，总32分） 1、 电 路如图 所 示， 所有二极管 状 态为 ( )。 ⑻ D 1导 通，D 2、 D 3 截 止 (b) D 1、 D 2截止 D 3导通 (c) D 1、 D 3截止， D 2导 通 (d) D 1、 D 2、D 3均 截 止 均为理想元件，则D ,、D 2、D 3的工作 12V +6V J 1 ----------------- W D2 Ld D3 白R 0V D i
⑻L i、C i组成的电路 （b）L、C组成的电路 （c）L2、&组成的电路 +U cc 5、正弦波振荡器如图所示，为了获得频率可调的输出电压，则应该调节的电阻是（）。 ⑻R i （b）R F（c）R U o 6、模拟电路中晶体管大多工作于（）。 ⑻放大状态（b）开关状态（c）击穿状态 7、数字电路中的工作信号为（）。 ⑻随时间连续变化的电信号（b）脉冲信号（c）直流信号 8、逻辑电路如图所示，分析图中C, J, K的波形。当初始状态为“ 0” 时，输出Q是“1”的瞬间为（）。 ⑻t i (b) t2 (c) t3
专业班级____________ 考生姓名：____________ 学号_______ 一．选择（20分、2分/题） 1．变压器降压使用时，能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2．三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的 ________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角 3．电气控制线路原理图中，触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态 B、通电状态 C、根据情况确定状 态 4．为保证机床操作者的安全，机床照明灯的电压应选 ____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5．关于提高功率因数的说法，正确的是（ c ） A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数
B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数 C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6．乙类互补对称式功放电路，其输出波形的交越失真是指（ c ）。 A．频率失真 B、相位失真 C、波形过零时出现的失真 D、幅度失真 7．稳压管的动态电阻（ b ）稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8．运算放大器电路如图所示，该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 －＋∞ + u O u i 9．单稳态触发器的输出状态有（ a） A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10．一个8选1多路选择器，输入地址有 c 。 A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题（70分） 1．已知图5所示电路中U S1=24V，U S2 ＝6V，R 1 =12Ω，R 2 ＝6 Ω,R 3=2Ω，试用戴维宁定理求流过电阻R 3 中的电流I 3 。(10分) a I
电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变
一、填空题(每空1分，共５０分) 1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L __大于__ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是______智能功率集成电路_________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM __小于__ U BO。 U _，设U2 4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_ Fm2 为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。 6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______下降______。 7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_____________静态均压________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___Y形和△形___二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_________________输出电压基波________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用___快速恢复__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：_____________________维持电流 _______________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较_____小___的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用____正弦电流有效值___标定。 18、晶闸管的导通条件是：晶闸管______阳极____和阴极间施加正向电压，并在___门极____和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。 19、温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而____减小__，正反向漏电流随温度升高而____增大___，维持电流I H会_____减小______，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而____减小____。 导通后流过晶闸管的电流由_____负载阻抗____决定，负载上电压由_____输入阳极电压UA _____决定。20、晶闸管的派生器件有： __快速晶闸管____ 、 ___双向晶闸管__ 、 ____逆导晶闸管___ 、 __光控晶闸管___等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有： （1）____________过电流保护________，（2）___________过电压保护________，
内蒙古应用技术专修学院2014 — 2015 学年第 2 学期 电子技术基础期末考试卷（A卷） 班级姓名学号 一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个正确答案。） 1、半导体二极管加正向电压时，有（） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（） A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（） A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（） A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC 应当（） A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（） A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（） A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（） A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A、大 B、小 C、恒定 D、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（） A、U0=0.45U2 B、U0=1.2U2 C、U0=0.9U2 D、U =1.4U2 二、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共计10分。每小题叙述正确的在答题卡上选涂“ A”，叙述错误的在答题卡上选涂“ B”。）1.P型半导体中，多数载流子是空穴（） 2.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降（） 3.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开（） 4.稳压二极管工作在反向击穿区域（） 5.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件（） 图2
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带 阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出 现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。
电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
四种电力变换:①交流变直流（AC—DC）、②直流变交流（DC—AC）、③直流变直流（DC—DC）、④交流变交流（AC—AC）。晶闸管的导通条件：晶闸管承受的正向电压且门极有触发电流。 晶闸管关断条件是：（1）晶闸管承受反向电压时，无论门极是否触发电流，晶闸管都不会导通；(2)当晶闸管承受正向电压时，反在门极有触发电流，晶闸管都不会导通；(3)晶闸管一旦导通，门极就是去控制作用；(4)若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值一下。 晶闸管额定电流是指：晶闸管在环境温度40和规定的冷却状态下，稳定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 晶闸管对触发电路脉冲的要求是：1）触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通 2）触发脉冲应有足够的幅度3）所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极电压，电流和功率额定且在门极伏安特性的可靠触发区域之内4）应有良好的抗干扰性能，温度稳定性与主电路的电气隔离。 单相桥式全控整流电路结构组成： A．纯电阻负载：α的移相范围0~180o，U d和I d的计算公式， 要求能画出在α角下的U d，I d及变压器二次测电流的波形(参图3-5); B．阻感负载：R+大电感L下，α的移相范围0~90o，U d和I d计算公式 要求能画出在α角下的U d,I d，U vt1及I2的波形(参图3-6); 三相半波可控整流电路：α=0 o的位置是三相电源自然换相点 A）纯电阻负载α的移相范围0~150 o B）阻感负载（R＋极大电感L）①α的移相范围0~90 o②U d I d I vt计算公式 ③参图3-17 能画出在α角下能U d I d I vt的波形（Id电流波形可认为近似恒定） 3、A）能画出三相全控电阻负载整流电路，并括出电源相序及VT器件的编号。 B）纯电阻负载α的移相范围0~120 o C）阻感负载R＋L（极大）的移相范围0~90 o D) U d I d I dvt I vt 的计算及晶闸管额定电流I t（AV）及额定电压U tn的确定 三相桥式全控整流电路的工作特点： 1）每个时刻均需要两个晶闸管同时导通，形成向负载供电的回路，其中一个晶闸管是共阴极组的，一个共阳极组的，且不能为同一相得晶闸管。 2）对触发脉冲的要求：六个晶闸管的脉冲按V T1-V T2-V T3-V T4-V T5-V T6的顺序，相位一次差60 o；共阴极组V T1,V T3,V T5的脉冲依次差120 o，共阴极组V T4,V T6,V T2也依次差120 o；同一相得上下两个桥臂，即V T1与V T4，V T3与V T6，V T5与V T2，脉冲相差180o 3）整流输出电压U d一周期脉动六次，每次脉动的波形都一样，故该电路为六脉波整流电路。 4）在整流电路合闸启动过程种或电流断续时，为确保电路的正常工作，需保证导通的两个晶闸管均有脉冲。为此可采用两种方法：一种是使脉冲宽度大于60o（一般取80~100o），称为宽脉冲触发；另一种方法是，在触发某个晶闸管的同时，给前一个晶闸管补发脉冲，即用两个窄脉冲代替宽脉冲，连个窄脉冲的前沿相差60o，脉宽一般为20~30 o,称为双脉冲触发。 5）α=0 o时晶闸管承受最大正、反向电压的关系是根号6Uα 有源逆变：当交流侧接在电网上，即交流侧接有电源是，称为有源逆变。 逆变条件：1）要有直流电动势，其极性和晶闸管的到导通方向一致，其值应大于变流器直流侧的平均电压。 2）要求晶闸管的控制角α大于π/2，使U d为负值。 有源逆变失败：逆变运行时，一旦发生换相失败，外接的直流电源就会通过晶体管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变成顺向串联，由于逆变电路的内阻很小，形成很大的短路电流，这种情况称为逆变失败。 有源逆变失败原因： 1）触发电路工作不可靠，不能适时，准确的给各晶闸管分配脉冲，如脉冲丢失，脉冲延时等，致使晶闸管不能正常换相，使交流电源电压和直流电动势顺向串联，形成短路。 2）晶闸管发生故障，在应该阻断期间，器件失去阻断能力，或在应该导通时，器件不能导通，造成逆变失败。 3）在逆变工作时，交流电源发生缺相或突然消失，由于直流电动势Em的存在，晶闸管仍可导通，此时变流器的交流侧由于失去了同直流电动势极性相反的电压，因此直流电动势将通过晶闸管使电路短路。 4）换相的裕量角不足，引起换相失败，应考虑变压器漏抗引起重叠角，对逆变电路换相的影响。
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1
华东理工大学网络教育学院（全部答在答题纸上，请写清题号，反 面可用。试卷与答题纸分开交）电力电子技术1606模拟卷1答案 一、单选题（共10题,每题2分,共20分） 1. 可实现有源逆变的电路为( )。（2分） A.单相半波可控整流电路， B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路， C.单相全控桥接续流二极管电路， D.三相半控桥整流电路。.★标准答案：B 2. 晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。（2分）A.电阻 B.电 容 C.电 感 D.阻容元件 .★标准答案：A 3. 当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) （2分） A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不 定 .★标准答案：B 4. 单相全控桥式带电阻性
负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）（2分） A.90° B.120° C.150° D.180° .★标准答案：D 5. 有源逆变电路中，晶闸管大部分时间承受正压，承受反压的时间为（）。（2分）A.π－β B.30 °+β C. 10°+β D.β .★标准答案：D 6. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（2分） A.0~90° B.0~180° C.90°~180° D.180°~360° .★标准答案：A 7. 单相全控桥，带反电动势负载，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ为（2分） A.π-α-δB .π-α+δ C.π-2αD .π-2δ .★标准答案：A 8. 下列几种电力电子器件
中开关频率最高的是( ) （2分） A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 .★标准答案：C 9. 三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，α的移相范围( )。（2分） A.0o--60o； B. 0o--90o； C.0o --120o； D.0o--1 50o； .★标准答案：C 10. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和( )。（2分）A.单极性 B.多极性 C.三极性 D.四极性 .★标准答案：A 二、填空题（共10题,每题2分,共20分） 1. 单相交流调压电路电阻负载时移相范围是____________，电感负载时的移相范围是____________ （2分） .★标准答案：1. 0～π;2. 0～π; 2. 正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，改变____________可改变逆变器输出电压幅值；改变____________可改变
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术复习题库 第二章： 1.使晶闸管导通的条件是什么？ ①加正向阳极电压；②加上足够大的正向门极电压。 备注：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流。 2.由于通过其门极能控制其开通，但是不能控制其关断，晶闸管才被称为（半控型）器件。 3.在电力电子系统中，电力MOSFET通常工作在（A）状态。 A. 开关 B. 放大 C. 截止 D. 饱和 4.肖特基二极管（SBD）是（A）型器件。 A. 单极 B. 双极 C. 混合 5.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度可以分为： ①不可控器件；②半控型器件；③全控型器件 6.下列电力电子器件中，（C）不属于双极型电力电子器件。 A. SCR B. 基于PN结的电力二极管 C. 电力MOSFET D. GTR 7.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件（电力二极管除外）分为（电流驱动型）和（电压驱动型）两类。 8.同处理信息的电子器件类似，电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为（单极性器件）、（双极型器件）和（复合型器件）。 9.（通态）损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时，（开关）损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。（填“通态”、“断态”或“开关”） 10.电力电子器件在实际应用中，一般是由（控制电路）、（驱动电路）和以电力电子器件为核心的（主电路）组成一个系统。 11.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，肖特基二极管（SBD）属于（不可控）型器件。 12.型号为“KS100-8”的晶闸管是（双向晶闸管）晶闸管，其中“100”表示（额定有效电流为100A），“8”表示（额定电压为800V）。 13.型号为“KK200-9”的晶闸管是（快速晶闸管）晶闸管，其中“200”表示（额定有效电流为200A），“9”表示（额定电压为900V）。 14.单极型器件和复合型器件都是（电压驱动）型器件，而双极型器件均为（电流驱动）型器件。（填“电压驱动”或“电流驱动”）