1 电容器种类
依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别.
1.1 电解质电容器种类:
依照细部材质、形状、功能特性可再区分为标准型(>11mm高度), 迷你型(7mm高度), 超迷你型(5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型(7mm高度), 双极性
型, 无极性型, 及低内阻型(Low ESR)等.
1.2 电解质芯片电容器种类:
依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.
电解电容器是指在铝、钽、铌、钛等金属的表面采用阳极氧化法生成一薄层氧化物作为电
介质，以电解质（常为液体、半液体或胶状的电解液）作为阴极而构成的电容器。电解电容
器的阳极通常采用腐蚀箔或者粉体烧结块结构，其主要特点是单位面积的容量很高，可以做到几万甚至几十万微法的容量,在小型大容量化方面有着其它类电容器无可比拟的优势。目
前工业化生产的电解电容器主要是铝电解电容器和钽电解电容器。
由于构成电解电容器两电极的材料不同，因此有极性的区分，一般极性在壳体上有标注,有时也用引线的长短来表示，长线为正，短线为负,在电路中使用时正、负极不能接错。当
极性被反接或两端所加电压超出规格时因漏电流急剧增大发热，电解液将被气化而爆出,即发生所谓击穿。电解电容器特性受温度、频率的影响很大。
铝电解电容器
铝电解电容器采用铝箔做正极，正极表面生成的氧化铝为介质，电解质为负极。铝电解
电容器制造时是将电解质吸附在吸水性好、拉力强的衬垫上，另外再加一层铝箔作为负极引线，然后与正极铝箔一起卷绕起来放入铝壳或塑料壳中封装。
铝电解电容器单位体积所具有的电容量特别大，可以做到数万微法的大容量，这一点它
比其他类型的电容器有不可比拟的优势.铝电解电容器在工作过程中具有"自愈"特性。不过应注意铝电解电容器经受电击穿后很难完全自愈，即使能勉强使用也极不可靠。
铝电解电容器也有很显著的缺点：
1、其绝缘性能较差。铝电解电容器在所有类别的电容器中绝缘性能几乎是最差的,特别是高压大容量铝质电解电容器的漏电流可达1mA。漏电流会随着温度和电压的升高而增大。
2、损耗因子较大。由于电解质的导电性不太好，电阻较大，因此损耗较大，低压铝电
解电容器的DF（损耗因子）通常在10％以上。Tanδ（损耗角正切值）随着测量频率的增
加而变大，随测量温度的下降而增大。
3、温度特性及频率特性均较差。铝电解电容器的容量随频率的增加而减小；随着温度
的下降，电容量会变小。铝电解电容其一般只能在－20℃～＋70℃的范围内使用（低温时
阴极电解液会固结，高温时会使得电解电容器的性能迅速劣化，寿命及静电容量都缩短到只有原來的几分之一），也有在—40℃～＋105℃范围内应用的型号，要根据设备的运行环境
温度选择合适的温度范围。
4、铝电解电容器的性能容易劣化。使用经过长期存放的铝电解电容器，不宜突然施加
额定工作电压，而应逐渐升压至额定电压。
5、传统铝电解电容器由于采用电解液作为阴极，在片式化方面存在较大的障碍，故其
片式化进程落后于陶瓷电容器及金属化薄膜电容器。
铝电解电容器具有极性。如果极性接反,电容器的漏电流会急剧增大，芯子严重发热，导
致电容器失效，并可能燃烧爆炸，损害线路板上的其它器件。所以使用时要注意极性问题。
不过近年来也出现了无极性铝电解电容器，它适宜在要求容量大、体积小、耐压高、有电平翻转可能的电路中选用。但要注意，除非必要，一般不选用无极性铝电解电容器，因为和普通的极性铝电解电容器相比，它成本高，等效串联电阻大，且长期在极性状态下工作后介质
的翻转性能会变差。
近年来出现一种PA-Cap系列聚合物固体片式铝电解电容器，采用导电性高分子聚合物
材料作为固体电解质制成,相对于其它电解电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）值、有更好的容量频率曲线、稳定的温度特性，电性能也更好一些。在高频滤波、抗干扰、电源补
偿等电路中可以用作传统铝电解电容器和钽电解电容器的更新换代产品。
钽电解电容器
钽电解电容器按阳极结构的不同分为箔式和钽粉烧结式2种，箔式的构造与铝电解相仿，
需要量不是很大；钽粉烧结式产量较大。
钽电解电容器与铝电解电容器相比有以下优点： 1.正极钽氧化物的化学稳定性比铝氧化膜
高，从而保证了钽电解电容器在长期贮存后仍具有很小的漏电，其额定耐压也比较高； 2.钽电解电容器在高温下仍可稳定工作（一般为85到200摄氏度，不过要考虑降额使用），
且温度升高时，漏电流减小； 3.机械强度高； 4.体积比铝电解电容器小。
钽电解电容器容量从0.1UF到1200uF，额定耐压主要有 6.3V、10V、16V、63V、100V、125V、160V几种。性能远优于铝电解电容器，但价格比较贵。
另有铌电解电容器，性能与钽电解电容器基本相同，但体积更小，现用的好像不多了。
优点：
体积小由于钽电容采用了颗粒很细的钽粉，而且钽氧化膜的介电常数ε比铝氧化膜的介电
常数高，因此钽电容的单位体积内的电容量大。
使用温度范围宽，耐高温一般钽电解电容器都能在－50℃~100℃的温度下正常工作，虽然铝电解也能在这个范围内工作，但电性能远远不如钽电容。
寿命长、绝缘电阻高、漏电流小钽电容中钽氧化膜介质不仅耐腐蚀，而且长时间工作能保持
良好的性能
容量误差小
等效串联电阻小(ESR),高频性能好
双电层电解电容器
它是介于电池和电容器之间的一种特种元件，具有超大容量，被称作超级电容器。双
电层电解电容器除有超大容量外，还具有充放电能力强、漏电流小，电荷储存时间
长等特点，从而具有电池的特点。但由于等效电阻大，目前只能应用于直流或低频条
件下，常用作瞬时掉电保护电源、闪光灯及信号灯等大电流电源，以及用作低频滤波、延时电路、定时器等。
半导体电容器：具有体积小、容量大的特点，粒界层半导体电容器具有压敏电阻特性，电容器两端电压超过临界值时，其阻值突降，电流剧增，以便吸收异常高的电压。目前半导体电容器的额定电压范围在12—50V。
玻璃釉电容器：此种电容器的性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，抗潮性较
好，在相对湿度为98%的条件下能正常工作；一般可在200℃或更高温度下工作；额定工
作电压可达500V；损耗角正切值较小；由于介质的介电系数大，电容器的体积可以做得很
小，很适合在半导体电路和小型电子仪器中的交直流和脉冲电路中使用。
另外还有微调电容器，多用在收音机和录音机的输入调谐回路和振荡回路起补偿作用；可变电容器，多用于电台选择。
1.3 塑料薄膜电容器种类:
依照细部材质、形状、及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜、金属化聚乙烯薄膜、聚乙脂
薄膜、聚丙烯薄膜、直流用金属化聚丙烯薄膜及交流用金属化聚丙烯薄膜等.
聚苯乙烯电容
符号:CB
电容量:10p--1u
额定电压:100V--30KV
主要特点:稳定,低损耗,体积较大
应用:对稳定性和损耗要求较高的电路
聚丙烯电容
符号:CBB
电容量:1000p--10u
额定电压:63--2000V
主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差
应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路1.4 陶瓷电容器种类:
依照细部材质、形状、及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型, Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型等.
依照细部材质、形状、及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型, Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型等.
按照行业的名称分为 NPO材质系列；X7R材质系列；Y5V材质系列；X5R材质系列；Z5U材质系列
NPO (COG):一类电介质（Class-1），电气性能最稳定，基本上不随温度，电压与时间
的改变而改变，适用于对稳定性要求高的高频电路。事实上我们经常说到的精密电容，就是这一种，因为其他材质电容的容值随温度变化误差较大。
NPO材质电容温度特性－55°～＋125° |容值变化|< 30PPM/°C (PPM为百万分之一)。X7R (2X1):二类电介质，电气性能较稳定，在温度电压与时间改变时性能的变化并不显著，
适用于隔直，偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路。由于X7R是一种强电介质，因而能造出容量比NPO介质更大的电容。
X7R材质电容温度特性－55°～＋125°|容值变化|< 15% 老化特性 10年小于1%
Y5V (2F4)(Z5U):三类电介质，具有较高的介电常数，常用于生产比容较大的、标称容量
较高的大容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差，容量，损耗对温度、电压等测试条
件较敏感。
温度特性：－30°～85°－82% < 容值变化 < +22% 。老化特性 10年 5%
X5R :二类电介质，类似X7R
瓷介电容器
瓷介电容器是以陶瓷材料为介质，并在其表面烧渗上银层作为电极的电容器。因陶瓷材
料的介电系数较大，所以可以做得容量很大，体积很小；瓷介电容器稳定性好；具有优良的
绝缘性能；温度系数范围很宽，在电路中常作为温度补偿电容器。其缺点是机械强度低，易碎易裂。
瓷介电容器的外层常涂有各种颜色的保护漆，漆的颜色表示出了电容器的温度系数：蓝
色和灰色表示正温度系数；其他颜色的为负温度系数，其中以黑色的温度系数最小，浅绿色的温度系数最大。
根据陶瓷成分不同可以分为高频瓷介电容器（高频用CC表示，也称I型）和低频瓷介电容器（低频用CT表示，也称II型）。
高频瓷介电容器（CC）：其特点是体积小、损耗低，电容对频率、温度稳定性都较高，
常用于要求损耗小，电容量稳定的场合，并常在高频电路中用作调谐、振荡回路电容器和温度补偿电容器。高频瓷介电容的容量在零点几皮法至几百皮法之间，耐压常见的有160V、250V、500V几种，误差常见有±2%、±5%、±10%、±20%几种。
低频瓷介电容器（CT）：其特点是体积小、损耗大，电容对频率、温度稳定性都较差，常
用于对损耗及容量稳定性要求不高的低频电路。其容量在几百皮法到几十微法之间，额定直流工作电压常见有0.5KV、1KV、2KV、5KV等几种。
独石电容
独石电容器也是瓷介电容器的一种，它的制造工艺与一般瓷介电容器不同，是采用若干片厚度为微米级厚的陶瓷膜预先印刷上电极，然后叠放起来烧结而成，外形具有独石状，它相当于若干小陶瓷电容并联，由于每片陶瓷膜很薄，所以其电容体积比比一般瓷介电容要大很多。其容量从零点几个pF到10μＦ。独石电容的型号以CC4和CT4标识，其中4表示独石的意思。
常见的贴片电容MLCC（MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR 即片式多层陶瓷电容）也是独石电容。
电容器的电介质有以下几种类型（电容量温度特性是选用电介质种类的一个重要依据），
在电容器选形时要注意不同类型的电介质性能会差别很大：
NPO(COG) 一类电介质，电气性能最稳定，基本上不随温度，电压与时间的改变而改变，容量较小（一般零点几皮法到几十纳法），适用于低损耗、对稳定性要求高的高频电路，如
滤波器、振荡器、计时电路等。
X7R(2X1) 二类电介质，电气性能较稳定，在温度，电压与时间改变时性能的变化并不显著，适用于隔直、偶合、旁路、对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路等。由于X7R是一种强电介质，因而能造出容量比NPO介质更大的电容器。
Y5V(2F4)(Z5U) 二类电介质，具有较高的介电常数，常用于生产比容较大的，标称容量
较高的大容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差，容量，损耗对温度，电压等测试条
件较敏感，适用于要求容量大、温度变化不大的电路中。
另外还有温度补偿型HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL高频电容器也是一类电介质，此类电容器的容量随温度呈线性变化，主要应用于工作温度变化较大、要求高的谐振电路中，做温度补偿之用。
云母电容器
以云母为介质。其特点是损耗小，频率稳定性好，高频特性好；耐高温，温度系数小；电容
量精度高，适宜用于高频电路。云母电容器容量一般较小（几皮法到几十纳法），体积相对
较大。
纸介电容器
优点：容量范围宽（几十皮法到零点几微法），工作电压较高（几十千伏），成本低。缺点：损耗大，稳定性差。主要应用在低频或直流电路中。
金属化纸介电容器：体积和重量比同容量的一般纸介小得多，耐压从几十伏到几千伏，容量从零点几微法到几十微法。具有自愈作用，但自愈作用并不是无限制的。其性能比一般纸介电容器要好一些。
两种电容器的化学稳定性都比较差，其损耗随频率的增加而急剧升高，固有电感比较大，均不宜用于高频电路（通常不能在高于3～4MHZ的频率上运用）。
2 电容器主要电气规格
2.1 电容量Capacitance:
一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF, 测试频率为120Hz.
塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz.
陶瓷电容器
a、T/C type的电容量范围为 1 pF-680pF, 测试频率为1MHZ.
b、Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KHz.
c、S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.
大小标识识别：
一、直接标识：如上图的电解电容，容量47uf，电容耐压25v。
二、使用单位nF：
如上图的涤纶电容，标称4n7=4.7nF=4700pF。
还有的例如：10n=0.01uF；33n=0.033uF。后面的63是指电容耐压63v.
三、数学计数法：
如上图瓷介电容，标值104，容量就是：10X10000pF=0.1uF.
如果标值473，即为47X1000pF=0.047uF。（后面的4、3，都表示10的多少次方）。又如：332=33X100pF=3300pF
102=10×102pF=1000pF
224=22×104pF=0.22 uF
2.2 电容值误差Tolerance:
一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-20%,
塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种,
字母含义
F ±1％
G ±2％
J ±5％
K ±10％
M ±20％
N ±30％
陶瓷电容器
a、T/C type为C即 +/-0.25pF (10PF以下时), 或D即 +/-0.5pF (10PF以下时), 或J 或K四种.
b、Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即 +80/-20%三种.
2.3 损失角即D值:
一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下.
塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下.
陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下.
T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000. (Q值相当于D值的倒数)
2.4 温度系数Temperature Coefficient:
即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器.
T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm, UJ即为 -750+/-120ppm, SL即
为 +350+/-1000ppm.
Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为 B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为 +20/-55%, F (5V)即为 +30/-80%.
2.5 漏电流量Leakage current:
此为电解电容器之特定规格, 一般以电容器本身额定电压加压 3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下 (取其较大数值).
特定低漏电流量使用 (Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下. 2.6 冲击电压Surge Voltage:
一般以电容器本身额定电压之 1.3倍电压加压, 需工作正常无异状.
2.7 使用温度范围:
一般电解电容器的使用温度范围为 -25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者
为 -40℃至+105℃.
塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃.
陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为 -25℃至+85℃.
3 可调电容
空气介质可变电容器
可变电容量:100--1500p
主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用:电子仪器,广播电视设备等
薄膜介质可变电容器
可变电容量:15--550p
主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大应用:通讯,广播接收机等
薄膜介质微调电容器
符号:
可变电容量:1--29p
主要特点:损耗较大,体积小
应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿
陶瓷介质微调电容器
符号:
可变电容量:0.3--22p
主要特点:损耗较小,体积较小
应用:精密调谐的高频振荡回路
4 使用注意事项：
4.1 铝电解电容器注意
相同容量的铝电解电容器，由于寿命、耐压、封装形式（有表面贴装和引线两种）、尺
寸大小、允许偏差、频率及温度特性等各方面参数不尽相同而分有很多种类，在选型时要确认使用及安装环境，详细查阅数据手册以选择合适的电容器，注意不要在高温(温度超过最高使用温度)、低温（温度低于最低使用温度）过流（指电流超过额定纹波电流,施加纹波电流超过额定值后，会导致电容器体过热，容量下降，寿命缩短）、过压(当电容器上所施加电压高于额定工作电压时，电容器的漏电流将上升，其电性能将在短期内劣化直至损坏）、
施加反向电压或交流电压的情况下使用。另外要尽量避免将铝电解电容器使用于反复多次急
剧充放电的电路中，因为当常规电容器被用作快速充电用途，其使用寿命可能会因为容量下降、温度急剧上升等而缩减。如果电解电容器已放置长期不用，在使用前应先加以一段时间较低的直流电压（低于额定电压）后再使用。在电路的设计中要考虑电容器的寿命，选用与
机器寿命相当的电容器。
4.2 选择电容器：
1）选择合适的型号。不同介质的电容器的性能各不相同，容量范围、耐压值、温度
及频率稳定性、损耗等各方面的性能有很大差异；同一种介质的电容器又有很多不同的型号，
所以要根据自己电路的性能要求，在满足基本容量、耐压要求的情况下根据电路敏感的参数
选择最合适的电容器类型。
在各种电子设备中，调谐、耦合、滤波、去耦、隔断直流电、旁路交流电等，都
需要用到电容器。电容器通常叫做电容。电容的种类很多，按结构形式来分，有
固定电容、半可变电容、可变电容。常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介
电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容、铝电解电容、钽、铌电解电容等。
2、在电路图中电容单位的标注规则。通常在容量小于10000pF的时候，用pF 做单位，大于10000pF的时候，用uF做单位。为了简便起见，大于100pF而小于1uF的电容常常不注单位。没有小数点的，它的单位是pF，有小数点的，它的单位是uF。例如，3300就是3300pF，0.1就是0.1uF等。
3、电容使用常识。电容在电路中实际要承受的电压不能超过它的耐压值。在滤
波电路中，电容的耐压值不要小于交流有效值的 1.42倍。使用电解电容的时候，还要注意正负极不要接反。
不同电路应该选用不同种类的电容。揩振回路可以选用云母、高频陶瓷电容，隔直流可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容，滤波可以选用电解电容，
旁路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。
电容在装入电路前要检查它有没有短路、断路和漏电等现象，并且核对它的电容值。安装的时候，要使电容的类别、容量、耐压等符号容易看到，以便核实。
2）合理确定电容器的精度。在旁路、退耦、低频耦合等电路中，一般对电容器容
量的精度没有严格的要求，选用时可根据设计值，选用相近容量或容量略大些的电容器；但在振荡回路、延时回路等电路中对电容器的容量要求就高些，应尽可能选取和计算值一致的
容量值；在各种滤波器和网络中，对电容量精度有更高的要求，应该选用高精度的电容器以
满足电路的要求。
有时候也要综合考虑电路中其他元器件的精度，比如LC组成的振荡电路中，由于电感本
身的精度误差比较大，即使电容器选择精度及稳定性都很高的型号，振荡回路总的精度及性能也不会有很大的改善，而价格成本则可能会抬高很多倍，这就显得没有太大必要了。而
RC组成的振荡电路稳定性要好的多，很多时候精度是由总体决定的，而不是由个体的元件，不过个体的精度都提高了，一般总体的精度也就上去了。
3）确定电容器的额定工作电压。当电路工作电压高于电容器的额定电压时，不但
会使漏电流急剧增加，还会因为发热而损坏电容器。选用电容器时，应使额定电压高于实际工作电压，并留有足够的余量，以防止因电压波动而损坏电容器。对一般电路，应使工作电压低于电容器额定工作电压的10%—20% 。在某些特殊电路中，电压波动幅度较大，可留
更大的余量。
电容器的额定工作电压通常是指直流值。如果直流中含有脉动成分，该脉动直流的最大
值应不超过额定值；如果工作于交流，此交流电压的最大值应不超过额定值。并且随着工作频率的升高，工作电压应该降低。
有极性的电容器不能用于交流电路。电解电容器的耐温度性能很差，如果工作电压超过
允许值，介质损耗将增大，很容易造成温升过高，导致损坏。在PCB设计和设备安装时要注意，应使电容器尽量远离发热元件（如大功率管、变压器、散热器等），如果工作环境温
度较高，应降低工作电压使用。
4）尽量选择绝缘电阻大的电容器。绝缘电阻越小，电容器的漏电流就越大，漏
电流产生的功率损耗，会使电容器发热，而其温度的升高，又会产生更大的漏电流，如此循环，极易损坏电容器，导致电路工作失常或降低电路的性能。因此在选用电容器时，应尽可
能的选择绝缘电阻高的电容器，特别是在高温和高压条件下，更应如此。
一般作为电桥电路中的桥臂、运算元件等场合，绝缘电阻值的高低将影响测量、运算等
精度，必须采用高绝缘电阻值的电容器。在要求损耗尽可能小的电路如滤波器、振荡回路等电路中，选用绝缘电阻值尽可能高的电容器可以提高回路的品质因数，改善电路的性能。
5）考虑温度系数和频率特性。电容器的温度系数越大，其容量随温度的变化就越
大。在有些电路中，如振荡电路中的振荡回路元件、移相网络元件、滤波器等，温度系数大
会使电路产生漂移，造成电路工作不稳定，这时就要注意选用温度系数小的电容器，以确保电路的稳定工作。
在高频应用时，由于电容器自身电感、引线电感和高频损耗的影响，电容器的性能会变
差，频率特性差的电容器起不仅不能发挥其应有的作用，而且还会带来许多麻烦。所以选用高频电路的电容器时，一要注意电容器的频率参数，而且在使用中注意电容器的引线不能留
得过长，以减小引线电感对电路的不良影响。有时为了避免电容器分布电感的影响，常在大容量去耦电容器的两端，并联一只小容量的电容器，这只高频性能较好的陶瓷或云母电容器
虽然容量不大，但对中频和高频信号电流各自都有良好的通路，从而消除了有害的耦合。
6）注意使用环境。使用环境的好坏直接影响电容器的性能和寿命，对电容器影响最大
的是温度，在工作温度较高的环境中，电容器容易产生漏电并加速老化，在设计、安装时，
应尽量使用温度系数小的电容器，并远离热源，或者改善周围的通风散热；在寒冷的条件下，由于气温低，普通电解电容器会因电解液结冰而失效，应选择耐寒的电解电容器；在多风沙灰尘条件下或湿度较大环境下工作时，应选用密封型电容器；在周边电磁环境恶劣的条件下，选择抗辐射的电容器等。这对于安装在户外的设备来说工作环境问题就特别需要考虑了，总之是要根据实际应用环境的不同选择合适类型的电容器。
薄膜电容器（特别是聚丙烯薄膜电容器）在高温使用时，由于电介质耐热性不高，温度
太高会造成老化而缩短使用寿命，需要在高温条件下使用时，应注意降额使用。
7）其他。用于脉冲电路中的电容器，应选用频率特性和耐温性能较好的电容器，一般为
涤纶、云母、聚苯乙烯等电容器。超大容量电容器在CMOS电路中取代电池作备用时，其
维持时间与放电电流有直接关系：放电电流越小，维持时间越长。在计算后备时间时，应留有一定的余量。
5 封装和标识
注：有极性的电容
如钽电解电容器的外壳上都有CA标记，但在电路中的符号与其它电解电容器符号却是一样。最常见的钽电容结构外形如图所示，直插的：
贴片的：
有标记的均为正极。不可接反。
其它的电解电容：
有标记的为负极。
4.1 贴片电容的封装如下：
英制(inch)公制
(mm)
长(L)
(mm)
宽(W)
(mm)
高(t)
(mm)
020106030.60±0.050.30±0.050.23±0.05 04021005 1.00±0.100.50±0.100.30±0.10 06031608 1.60±0.150.80±0.150.40±0.10 08052012 2.00±0.20 1.25±0.150.50±0.10
12063216 3.20±0.20 1.60±0.150.55±0.10 12103225 3.20±0.20 2.50±0.200.55±0.10 18124832 4.50±0.20 3.20±0.200.55±0.10 20105025 5.00±0.20 2.50±0.200.55±0.10 25126432 6.40±0.20 3.20±0.200.55±0.10
4.2 直插的电容
由于种类繁多，根据实物自行查找封装。
附录 AVX钽电容封装和标识封装尺寸：毫米（英寸）
Code EIA
Code L±0.20
(0.008)
W+0.20
(0.008)
-0.10
(0.004)
H+0.20 (0.008)
-0.10 (0.004)
W1±0.20
(0.008)
A+0.30
(0.012)
-0.20
(0.008)
S Min.
A3216-18 3.20
(0.126)
1.60
(0.063)
1.60 (0.063) 1.20
(0.047)
0.80
(0.031)
1.80
(0.071)
B3528-21 3.50
(0.138)
2.80
(0.110)
1.90 (0.075)
2.20
(0.087)
0.80
(0.031)
1.40
(0.055)
C6032-28 6.00
(0.236)
3.20
(0.126)
2.60 (0.102) 2.20
(0.087)
1.30
(0.051)
2.90
(0.114)
D7343-317.30
(0.287)
4.30
(0.169)
2.90 (0.114) 2.40
(0.094)
1.30
(0.051)
4.40
(0.173)
E7343-437.30
(0.287)
4.30
(0.169)
4.10 (0.162) 2.40
(0.094)
1.30
(0.051)
4.40
(0.173)
V7361-387.30
(0.287)
6.10
(0.240)
3.45±0.30
(0.136±0.012)
3.10
(0.120)
1.40
(0.055)
4.40
(0.173)
W1
dimension
applies to
the
termination
width for A
dimensional
area only.
贴片钽电容：容量和额定电压(字母表示封装大小)
电容量85°Ｃ时DC 额定电压（VR）
μF Code 2.5V (e)4V (G) 6.3V
(J)10V
(A)
16V
(C)
20V
(D)
25V
(E)
35V
(V)
50V
(T)
0.10 0.15 0.22104
154
224
A
A
A
A
A/B
A/B
0.33 0.47 0.68334
474
684
A
A
A
A/B
A/B
B
B/C
B/C
1.0
1.5
2.2 105
155
225
A
A
A
A/B
A
A/B
A/B
A/B
A/B/C
A/B/C
B/C
C/D
C/D
3.3
4.7 6.8 335
475
685
A
A
A
A/B
A/B
A/B
A/B
A/B
A/B/C
A/B
B
B/C
B/C
B/C/D
C/D
C/D
D
D
10 15 22106
156
226
A
A
A
A
A/B
A/B
A/B/C
A/B/C
B/C/D
B/C
B/C
B/C/D
C/D
C/D
C/D
C/D/E
C/D
D/E
D/E
E
V
33 47 68336
476
686
A
A
A
A
B
A
A/B/C
B/C
A/B/C
B/C
B/C
B/C/D
C/D
C/D
C/D
C/D/E
D/E
D/E
D/E
E/V
D/E/V
E/V
V
100 150107
157
B
B
B
B/C
B/C
C/D
B/C/D
C/D/E
D/E
D/E/V
D/E/V
E/V
V
电容的分类和应用 一、电容的分类和作用 电容，由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同： 按结构可分为：固定电容，可变电容 按介质材料可分为：空气电容、液体电容、无机固体电容、有机固体电容、电解电容。 按极性分为：有极性电容和无极性电容。 电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐 二、电容的符号 电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法，但电容符号在国内和国际表示都差不多，唯一的区别就是在有极性电容上，国内的是一个空筐下面一根横线，而国际的就是普通电容加一个"＋"符号代表正极。（见下图） 三、电容的单位 电阻的基本单位是：F （法），此外还有μF（微法）、pF（皮法），另外还有一个用的比较少的单位，那就是：nF（纳法）。电容 F 的容量很大，我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位，而不是F的单位。 它们之间的具体换算关系如下： 1F＝1000000μF 1μF=1000nF 1nF=1000pF 四、电容的耐压单位：V（伏特） 每一个电容都有它的耐压值，这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等，有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低，一般的标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。 五、电容的种类 电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。 各种电容的优缺点及用途 无极性可变电容 制作工艺： 1、可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷
万鹏原创：最强最深入的电容讲座·实战篇 字体: 小中大| 上一篇| 下一篇发布: 01-18 09:39 作者: 万鹏来源: 泡泡网查看: 1718 次 本文作者万鹏简介：95年开始接触显卡，97年开始在《电脑报》、《微型计算机》上发表文章，99年进入耕宇公司，目前任职耕宇公司市场部，PCPOP技术顾问。曾用笔名：ECLIPSE、INTENSE、万大善人。假如您还没阅读过本文的上篇，那么我们强烈推荐您先阅读一遍：会攒机不叫DIY，迄今为止最深入的电容剖析。 第1页：铝电解液电容的制造过程 小地：万鹏你好，在上次的文章当中，我们了解了电容的构造、原理、阴极和阳极的分类，并且对如今性能最优秀的电解电容——固体聚合物导体电容进行了详尽的剖析。而这次，我们要谈些什么呢？ 万鹏：假如说上次我们所讲的内容，都是以理论为主的话，那么这次我们要谈的则更加的实际——这包括电容的制造过程、电容的寿命以及不同品牌、不同型号电容的性能特点。 在本章节我们首先讲一讲贴片铝电解液电容的制造方法，贴片铝电解液电容是如今的显卡上最常见的电容之一。大家看完本章后，就能明白这种电容是如何从原材料变成现在的模样了。事实上其它种类的贴片电解电容，例如铝固体聚合物电容的制造方法也和它类似，只是阴极采用的材料不是电解液，而是固体聚合物等等。
贴片铝电解液电容是显卡上最常见的电容 贴片铝电解液电容的制造过程包括九个步骤，我们就按顺序逐一为大家讲解： 第一步：铝箔的腐蚀。 假如拆开一个铝电解液电容的外壳，你会看到里面是若干层铝箔和若干层电解纸，铝箔和电解纸贴附在一起，卷绕成筒状的结构，这样每两层铝箔中间就是一层吸附了电解液的电解纸了。 因此首先我们谈谈铝箔的制造方法。为了增大铝箔和电解质的接触面积，电容中的铝箔的表面并不是光滑的，而是经过电化腐蚀法，使其表面形成凹凸不平的形状，这样能够增大7~8倍的表面积。普通铝箔一平方米的价格在10元人民币左右，而经过这道工艺之后，它的价格将升到40~50元/平米。电化腐蚀的工艺是比较复杂的，其中涉及到腐蚀液的种类、浓度、铝箔的表面状态、腐蚀的速度、电压的动态平衡等等。我们国家目前在这方面的制造工艺还不够成熟，因此用于制造电容的经过电化腐蚀的铝箔目前还主要依赖进口。 第二步：氧化膜形成工艺。
1 电容器种类 依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别. 1.1 电解质电容器种类: 依照细部材质、形状、功能特性可再区分为标准型(>11mm高度), 迷你型(7mm高度), 超迷你型(5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型(7mm高度), 双极性 型, 无极性型, 及低内阻型(Low ESR)等. 1.2 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等. 电解电容器是指在铝、钽、铌、钛等金属的表面采用阳极氧化法生成一薄层氧化物作为电 介质，以电解质（常为液体、半液体或胶状的电解液）作为阴极而构成的电容器。电解电容 器的阳极通常采用腐蚀箔或者粉体烧结块结构，其主要特点是单位面积的容量很高，可以做到几万甚至几十万微法的容量,在小型大容量化方面有着其它类电容器无可比拟的优势。目 前工业化生产的电解电容器主要是铝电解电容器和钽电解电容器。 由于构成电解电容器两电极的材料不同，因此有极性的区分，一般极性在壳体上有标注,有时也用引线的长短来表示，长线为正，短线为负,在电路中使用时正、负极不能接错。当 极性被反接或两端所加电压超出规格时因漏电流急剧增大发热，电解液将被气化而爆出,即发生所谓击穿。电解电容器特性受温度、频率的影响很大。 铝电解电容器
铝电解电容器采用铝箔做正极，正极表面生成的氧化铝为介质，电解质为负极。铝电解 电容器制造时是将电解质吸附在吸水性好、拉力强的衬垫上，另外再加一层铝箔作为负极引线，然后与正极铝箔一起卷绕起来放入铝壳或塑料壳中封装。 铝电解电容器单位体积所具有的电容量特别大，可以做到数万微法的大容量，这一点它 比其他类型的电容器有不可比拟的优势.铝电解电容器在工作过程中具有"自愈"特性。不过应注意铝电解电容器经受电击穿后很难完全自愈，即使能勉强使用也极不可靠。 铝电解电容器也有很显著的缺点： 1、其绝缘性能较差。铝电解电容器在所有类别的电容器中绝缘性能几乎是最差的,特别是高压大容量铝质电解电容器的漏电流可达1mA。漏电流会随着温度和电压的升高而增大。 2、损耗因子较大。由于电解质的导电性不太好，电阻较大，因此损耗较大，低压铝电 解电容器的DF（损耗因子）通常在10％以上。Tanδ（损耗角正切值）随着测量频率的增 加而变大，随测量温度的下降而增大。 3、温度特性及频率特性均较差。铝电解电容器的容量随频率的增加而减小；随着温度 的下降，电容量会变小。铝电解电容其一般只能在－20℃～＋70℃的范围内使用（低温时 阴极电解液会固结，高温时会使得电解电容器的性能迅速劣化，寿命及静电容量都缩短到只有原來的几分之一），也有在—40℃～＋105℃范围内应用的型号，要根据设备的运行环境 温度选择合适的温度范围。 4、铝电解电容器的性能容易劣化。使用经过长期存放的铝电解电容器，不宜突然施加 额定工作电压，而应逐渐升压至额定电压。 5、传统铝电解电容器由于采用电解液作为阴极，在片式化方面存在较大的障碍，故其 片式化进程落后于陶瓷电容器及金属化薄膜电容器。 铝电解电容器具有极性。如果极性接反,电容器的漏电流会急剧增大，芯子严重发热，导 致电容器失效，并可能燃烧爆炸，损害线路板上的其它器件。所以使用时要注意极性问题。 不过近年来也出现了无极性铝电解电容器，它适宜在要求容量大、体积小、耐压高、有电平翻转可能的电路中选用。但要注意，除非必要，一般不选用无极性铝电解电容器，因为和普通的极性铝电解电容器相比，它成本高，等效串联电阻大，且长期在极性状态下工作后介质 的翻转性能会变差。 近年来出现一种PA-Cap系列聚合物固体片式铝电解电容器，采用导电性高分子聚合物 材料作为固体电解质制成,相对于其它电解电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）值、有更好的容量频率曲线、稳定的温度特性，电性能也更好一些。在高频滤波、抗干扰、电源补 偿等电路中可以用作传统铝电解电容器和钽电解电容器的更新换代产品。 钽电解电容器
电容器 电容器通常简称其为电容，用字母C表示。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。 相关公式 电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2 多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 三电容器串联 C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3) 标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是：1法拉(F)= 1000毫法(mF)＝1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法：1m=1000 μF 1P2= 1n=1000PF 数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。如：102表示标称容量为1000pF。 221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。 在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=。 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为μF、误差为±5%。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I 级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。 精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%） 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。 注：用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量，n为正或负整数。 主要参数的意义：标称容量以及允许偏差：目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。 额定电压：在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。常见的电容额定电压与耐压测试仪测量值的关系（ 600V的耐压测试仪测量电压为760V以上550V的耐压测试仪测量电压为715V以上； 500V的耐压测试仪测量电压为650V以上； 450V的耐压测试仪测量电压为585V以上； 400V的耐压测试仪测量电压为520V以上； 250V的耐压测试仪测量电压为325V以上； 200V的耐压测试仪测量电压为260V以上；
電容器基本知識 一、定義：由兩金屬极板加以絕緣物質隔離所構成的可儲存電能的元件稱為電容器 二、代號：“C” 三、單位：法拉(F) 微法(uF) 納法(nF) 皮法(pF) 1F=106 uF =109nF=1012 pF 四、特性：通交流、阻直流 因電容由兩金屬片構成，中間有絕緣物，直流電無法流過電容，但通上交流電時，由於電容能充放電所致，所以能通上交流 五、作用：濾波、耦合交變信號、旁路等 六、電容的串聯、並聯計算 1.串聯電路中，總容量=1÷各電容容量倒數之和 例： 2.並聯電路中，總容量=各電容容量之和 例： 七、電容的標示： 1.直標法：直接表示容量、單位、工作電壓等。如1uF/50V 2.代表法：用數字、字母、符號表示容量、單位、工作電壓等 如：“104”表示容量為“100000pF” “Z”表示容量誤差“+80% -20%” “”表示工作電壓“50V” 八、電容的分類 1.按介質分四大類 1).有機介質電容器(極性介質與非極性介質，一般有真合介質、漆膜介質等)
2).無機介質電容器(雲母電容器、陶瓷電容器、波璃釉電容器 3).電解電容器(以電化學方式形式氧化膜作介質，如鋁Al2O3鉭Ta2O5) 4).氣體介質電容器(真空、空氣、充氣、氣膜復合) 2.按結構分四大類 1).固定電容器 2).可變電容器 3).微調電容器(半可變電容器) 4).電解電容器 3.按用途分 1).按電壓分低壓電容器、高壓電容器 2).按使用頻率分低頻電容器(50周/秒或60周/秒)和高頻電容器(100K周/秒) 3).按電路功能分：隔直流、旁路、藕合、抗干擾(X2)、儲能、溫度補償等 九、我司主要使用之電容： 1).電解電容 2).陶瓷電容(包括Y電容與積層電容、SMD電容) 3).塑膠薄膜電容(包括金屬薄膜電容器、X2電容器、嘜拉電容器) 電解電容(E/C) 一、概述 電解電容的構造是由陽箔、陰箔、電解紙、電解液之結合而成的，陽箔經化成後含有一高介電常數三氧化鋁膜(Al2O3)，此氧化膜當作陽箔與陰箔間的絕緣層，氧化膜的厚度即為箔間之距離(d)，此厚度可由化成來加以控制，由於氧化膜的介電常數高且厚度薄，故電解電容器的容量較其他電容高。電解電容的實值陽极是氧化膜接觸之電解液，而陰箔只是將電流傳屋電解液而已，電解紙是用來幫助電解液及避免陽箔、陰箔直接接觸因磨擦而使氧化膜磨損。 即電解電容器是高純度之鋁金屬為陽极，以陽极氧化所開氧化膜作為電介質，以液體電解液為電解質，另與陰极鋁箔所構成之電容器。
电容的分类、标识及识读（一） 电容(名词解释)： 由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同。 一、电容的分类 1.按结构可分为：1）固定电容、2）可变电容、3）半可变电容（微调电容） 2.按介质材料可分为： 1)气体介质电容：空气电容 2)电解电容：液态电解电容（如铝质电解液电容）、固态电解电容 3)无机介质电容： 瓷介电容、云母电容、璃釉电容 4)有机介质电容： 聚乙酯电容(Mylar电容)、金属化聚乙酯电容(MKT电容)、聚丙烯电容(PP电容) 金属化聚丙烯电容(MKP电容)、聚苯乙烯电容(PS电容)、聚碳酸电容、聚酯电容（涤纶电容） 3.按极性分为:1)有极性电容、2)无极性电容。 二、电容的主要参数： 标称容量、耐压、绝缘电阻、损耗、允许误差、温度系数、频率特性 1.电容量的单位及换算关系： 1F＝103mF、1mF=103μF、1μF=103 nF、1nF=103pF 2.耐压单位V（伏）：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。无极性电容的耐压值有： 63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等 有极性电容的耐压值有：（与无极性电容相比要低） 4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。 3.绝缘电阻：电容的是指电容器两极之间的电阻，或称漏电阻。绝缘电 阻的大小决定于电容器介质性能的好坏。使用电容器时应选绝缘电阻大的。 绝缘电阻越小，漏电越严重，这样会影响电路的正常工作。 4.允许误差：电容器的标称容量与其实际容量之差，再除以标称容量所得的百分数，就是电容器的允许误差。 表2-1常用电容其精度等级（与电阻的表示方法相同） 表2-2 电容偏差标识符号 表2-3 电容标称容量系列
电容品牌大全（转） 电容品牌大全 主板厂商惯用电容品牌 富士康Rubycon Sanyo 华擎KZG KZE 升技Rubycon 技嘉Rubycon KZG OST 磐正Sanyo OST GSC 微星KZG OST 华硕Nichicon KZG 硕泰克Sanyo Sacon 捷波GSC 七彩虹Taicon 按照Intel主板技术白皮书的介绍，主板CPU插槽附近的滤波电容单个容量最低要求为1000μF。大部分主板上常见电容的容量为2200μF，好的主板采用3500μF甚至更高容量的电容。而在Intel的原装主板上，一般单个电容容量都在3300μF以上，这就是Intel主板极其稳定的重要原因之一。可见“电容决定主板质量”这话一点不假。下面是主要电容品牌的体系图，都是从电容厂商的网站上DOWN下来的，买电容的时候可以参考一下： 目前只找到SANYO、nichicon的体系图，其它厂商只提供PDF文档，有兴趣的可以去看： SANYO: www.secc.co.jp/english/index.html nichicon: https://www.doczj.com/doc/124555144.html, chemicon: https://www.doczj.com/doc/124555144.html, rubycon: https://www.doczj.com/doc/124555144.html, teapo: https://www.doczj.com/doc/124555144.html,
OST: https://www.doczj.com/doc/124555144.html, 总结一下，比较适合主板使用的电容必须是\"Low Impedance & ESR\"、\"Very Low Impedance & ESR\"、\"Ultra Low Impedance & ESR\" 且温度为105C的，Ultra的最好 SANYO:MV-WG、MV-WX、MV-SWG、MB-UWG、MB-EXR等系列 nichicon: H开头的系列,P开头的系列 chemicon: KZE、KZG系列 rubycon: YXF、YXG、ZL、ZLH、MBZ、MCZ系列 teapo: SC、SM、SZ系列 OST: RLP、RLZ系列 系列太多了，列举不完。在可选的系列中，再根据PDF的资料，选择寿命比较长的就好了，一般PC 只需在2000小时以上就差不多了，5000小时以上的一是难买，二是贵。 还有，就是不要迷信什么音响发烧电容、拆机电容等。这些电容，有的是85C的，有的不是LOW ESR 的，拆机电容有的生产日期距今已有十多年，就算再好也不能用。 一句话，适合的才是最好的。 电容厂商电容品牌 日系名厂Nichicon Rubycon KZG Sanyo KZE Panasonic 二线厂商OST Jackcon Nippon Teapo Taicon 其他厂商Sacon GSC Chocon Fcon 一线电容： Sanyo----三洋电容 Rubycon---红宝石 Nichicon --日系电容 KZG-------日系电容日本化工,Nippon Chemi-con
1.瓷介电容器 （CC） 结构：用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金 属（银）薄膜，再经高温烧结后作为电极而成。瓷 介电容器又分 1 类电介质（NPO、CCG） ）；2 类电介质（X7R、2X1）和 3 类电介质（Y5V、 2F4）瓷介电容器。 用途：主要应用于高频电路中。 2.涤纶电容器 （CL） 结构：涤纶电容器，是用有极性聚脂薄膜为介质制 成的具有正温度系数（即温度升高时，电容量变大） 的无极性电容。 用途：一般应用于中、低频电路中。 常用的型号有CL11、CL21等系列。
3.聚苯乙烯电容 器（CB） 结构：有箔式和金属化式两种类型。 用途：一般应用于中、高频电路中。 常用的型号有CB10、CB11（非密封箔式）、CB14~16 （精密型）、CB24、CB25（非密封型金属化）、CB80 （高压型）、CB40 （密封型金属化）等系列。 4.聚丙烯电容器 （CBB） 结构：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温 度系数无极性电容。有非密封式（常用有色树脂漆 封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类 型。 用途：一般应用于中、低频电子电路或作为电动机 的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容：CBB10、 CBB11、CBB60、CBB61 等；金属化式聚丙烯电 容：CBB20、CBB21、CBB401 等系列。
5.独石电容器 结构：独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结 制成的多层叠片状超小型电容器。 用途：广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。 常用的有CT4 （低频）、CT42（低频）；CC4 （高频）、CC42（高频）等系列。 6.云母电容器 （CY） 结构：云母电容器是采用云母作为介质，在云母表 面喷一层金属膜（银）作为电极，按需要的容量叠 片后经浸渍压塑在胶木壳（或陶瓷、塑料外壳）内 构成。 用途：一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐 等使用。常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。
电容大小识别 上图举出了一些例子。其中，电解电容有正负之分，其他都没有。 电容的容量单位为：法（F）、微法（uf），皮法（pf)。一般我们不用法做单位，因为它太大了。各单位之间的换算关系为： 1F =1000mF=1000×1000uF 1uF=1000nF =1000×1000pF 电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 电容的使用，都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品，就因为使用了耐压不足的电容而引起故障（常见电容爆裂）。 电容的容量标识的几种方法： 一、直接标识：如上图的电解电容，容量47uf，电容耐压25v。 二、使用单位nF： 如上图的涤纶电容，标称4n7=4.7nF=4700pF。 还有的例如：10n=0.01uF；33n=0.033uF。后面的63是指电容耐压63v. 三、数学计数法： 如上图瓷介电容，标值104，容量就是：10X10000pF=0.1uF. 如果标值473，即为47X1000pF=0.047uF。（后面的4、3，都表示10的多少次方）。 又如：332=33X100pF=3300pF 102=10×102pF=1000pF 224=22×104pF=0.22 uF 四、电容容量误差表： 符号 F G J K L M
电容的基础知识 常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。 图1 电容的外形 表1 常用电容的结构和特点
电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表2。常用固定电容的标称容量 系列见表3。 表2 常用固定电容允许误差的等级 ±10%±20% (+20% -30%) (+50% -20%) (+100%-10%)
ⅡⅢⅣⅤ 表3 常用固定电容的标称容量系列 电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大值不能超 过电容的直流工作电压值。 表4是常用固定电容直流工作电压系列。有*的数值，只限电解电容用。 表4 常用固定电容的直流电压系列
由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小，漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。因此，漏电电阻越大越好。 电容的种类也很多，为了区别开来，也常用几个拉丁字母来表示电容的类别，如图2所示。第一个字母C表示电容，第二个字母表示介质材料，第三个字母以后表示形状、结构等。上面的是小型纸介电容，下面的是立式矩开密封纸介电容。表5列出电容的类别和符号。表6是常用电容的几项特性。 图2 表5 电容的类别和符号
表6 常用电容的几项特性
产品说明 贴片电容产品规格说明及选用基本知识 电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上分主要有：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容(即贴片电容或MLCC)、电解电容、钽电容等。我们将贴片电容选用时需要注意的事项和一些基本知识拿出来一起与大家探讨. 如何理解电容介质击穿强度 介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力，通常用伏特/密尔（V/mil）或伏特/厘米（V/cm）表示。 当外电场强度达到某一临界值时，材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射，产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应，进而导致突发击穿电流击穿介质，使其失效。除此之外，介质失效还有另一种模式，高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度，如果在这个程度上延续足夠长的时间，将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流。这种模式与温 度密切相关，介质强度隨温度提高而下降。 任何绝缘体的本征介质强度都会因为材料微结构中物理缺陷的存在而出现下降，而且和绝缘电阻一样，介质强度也与几何尺寸密切相关。由于材料体积增大会导致缺陷隨机出現的概率增大，因此介 质强度反比于介质层厚度。类似地，介质强度反比于片式电容器內部电极层数和其物理尺寸。基於以上考虑，进行片式电容器留边量设计时需要确保在使用过程中和在进行耐压测试（一般为其工作 电压的2.5倍）時，不发生击穿失效。 如何理解绝缘电阻IR 绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。 绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能自由移动的电子。对于陶瓷介质，其电子被离子键和共价键牢牢束缚住，理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是实际上绝缘体的电阻率 是有限，并非无穷大，这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。 电容器的射频电流与功率 这篇文章主要是讨论多层陶瓷电容器的加载电流、功率损耗、工作电压和最大额定电压之间的关系。通过电容的最大电流主要是由最大额定电压和最大功率损耗限制的。电容的容值和工作频率又决 定了它们的限制是可调节。对于在固定频率下一个较低容值的电容或者是一个电容在较低的频率下工作，它们的最高电压极限一般都比最大功率损耗的极限到达快一些。 最大的额定电压决定于电容器的阻抗（Xc），就好像功率损耗决定于电阻的阻抗，或者叫做电容的等效电阻（ESR） Xc是由公式：Xc＝1/[2πFC]计算出来，这里的F是频率，单位是Hz；C是容量，单位是F。 在没有超出电容器的额定电压情况下，允许流过电容的最大电流峰值是这样计算出来的：I=Er/Xc这里的Er是电容器的额定电压，电流是峰值电流，单位是A。 流过电容的实际电流是这样计算出来：I=Ea/Xc，这里的Ea是应用电压或者是实际工作。 下面几个例子是讲解在固定的频率不同的电容器这些变数是怎样影响电压和电流的极限值。 例1：0.1pF，500V的电容器使用在1000MHZ的频率上： 等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(0.1x10－12)]＝1591ohms 电流峰值：I=500/1591=0.315Apeak或0.22Arms. 如果超过这个电流，则工作电压将会超过额定电压。 例2：1.0pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上： 等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(1.0x10－12)]＝159ohms 电流峰值：I=500/159=3.15Apeak或者2.2Arms 如果超过这个电流，则工作电压将会超过额定电压。 例3：10pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上： 等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(10x10－12)]＝15.9ohms 电流峰值：I=500/15.9=31.5Apeak或者22.2Arms 如果超过这个电流，则工作电压将会超过额定电压。 结论：最大功率损耗值是在假设电容器的端头是一个无穷大的散热器情况下计算出来得。这时传导到空气中的热量是忽略的。一个10pF,500V的电容器工作在1000MHZ的频率，在功率极限下工作 的电流峰值是7A，平均电流大概是5Arms。在这种工作电流情况下，电容器的温度将会升到125℃。为了稳定地工作，它的实际最大工作电流是2Arms，如果端头的散热效果很好可以到达3Arms。 如何理解电容器的静电容量 A.电容量 电容器的基本特性是能够储存电荷（Q），而Q值与电容量（C）和外加电压（V）成正比。 Q=CV 因此充电电流被定义为： =dQ/dt=CdV/dt 当外加在电容器上的电压为1伏特，充电电流为1安培，充电时间为1秒时，我们将电容量定义为1法拉。 C=Q/V=库仑/伏特=法拉 由于法拉是一个很大的测量单位，在实际使用中很难达到，因此通常采用的是法拉的分数，即： 皮法（pF）=10-12F 纳法（nF）=10-9F 微法（mF）=10-6F B.电容量影响因素 对于任何给定的电压，单层电容器的电容量正比于器件的几何尺寸和介电常数： C=KA/f(t) K=介电常数 A=电极面积 t=介质层厚度 f=换算因子 在英制单位体系中，f=4.452，尺寸A和t的单位用英寸，电容量用皮法表示。单层电容器为例，电极面积1.0×1.0″，介质层厚度0.56″，介电常数2500， C=2500（1.0）（1.0）/4.452（0.56）=10027pF 如果采用公制体系，换算因子f=11.31，尺寸单位改为cm， C=2500（2.54）（2.54）/11.31（0.1422）=10028pF 正如前面讨论的电容量与几何尺寸关系，增大电极面积和减小介质层厚度均可获得更大的电容量。然而，对于单层电容器来说，无休止地增大电极面积或减小介质层厚度是不切实际的。因此，平行 列阵迭片电容器的概念被提出，用以制造具有更大比体积电容的完整器件。 在这种“多层”结构中，由于多层电极的平行排列以及在相对电极间的介质层非常薄，电极面积A得以大大增加，因此电容量C会随着因子N（介质层数）的增加和介质层厚度t’的减小而增大。这里A’指的是交迭电极的重合面积。 C=KA’N/4.452（t’） 以前在1.0×1.0×0.56″的单片电容器上所获得的容量，现在如果采用相同的介质材料，以厚度为0.001″的30层介质相迭加成尺寸仅为0.050×0.040×0.040″的多层元件即可获得（这里重合电极面积A’为0.030×0.020″）。 C=2500（0.030）（0.020）30/4.452（0.01）=10107pF 上面的实例表明在多层结构电容器尺寸相对于单层电容器小700倍的情况下仍能提供相同的电容量。因此通过优化几何尺寸，选择有很高介电常数和良好电性能（能在形成薄层结构后保持良好的绝 缘电阻和介质强度）的介质材料即可设计和制造出具有最大电容量体积系数的元件。 电容的型号命名 各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 电容的标志方法 （1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、U、M、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10PF 的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1PF，C——±0.2PF，D——±0.5PF，F——±1PF。 （3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为PF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V （4）进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。
电容器是电子设备中常用的电子元件，下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介绍，以供大家参考。 1铝电解电容器： 它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不要接反。 2钽铌电解电容器 它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是：体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好，用在要求较高的设备中。 3瓷电容器 用瓷做介质。在瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是：体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适用于高频电路。铁电瓷电容容量较大，但损耗和温度系数较大，适用于低频电路。 4云母电容器： 用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是：介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小，适用于高频电路。 5薄膜电容器
结构相同于纸介电容器，介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介质常数较高，体积小、容量大、稳定性较好，适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容器，介质损耗小、绝缘电阻高，但温度系数大，可用于高频电路。 6纸介电容器 用两片金属箔做电极，夹在极薄的电容纸中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，然后密封在金属壳或者绝缘材料壳中制成。它的特点是体积较小，容量可以做得较大。但是固有电感和损耗比较大，适用于低频电路。 7金属化纸介电容器 结构基本相同于纸介电容器，它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代金属箔，体积小、容里较大，一般用于低频电路。 8油浸纸介电容器 它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能增强其耐压。其特点是电容量大、耐压高，但体积较大。此外，在实际应用中，第一要根据不同的用途选择不同类型的电容器;第二要考虑到电容器的标称容量，允许误差、耐压值、漏电电阻等技术参数;第三对于有正、负极性的电解电容器来说，正、负极在焊接时不要接反。
电容符号 廉纶电容 金属膜电容
电子制作中需要用到各种各样的电容器，它们在电路中分别起着不同的作用。与电阻器相似，电容器通常简称其为电容，用字母C表示。顾名思义，电容器就是“储存电荷的容器”。尽管电容器品种繁多，但它 们的基本结构和原理是相同的。两片相距很近的金属中间被某绝缘物质(固体、气体或液体)所隔开，就构成了电容器。两片金属称为极板，中间的物质叫做介质。电容器也分为容量固定的与容量可变的。但常见的是固 定容量的电容，最多见的是电解电容和瓷片电容。 不同的电容器储存电荷的能力也不相同。规定把电容器外加 1 伏特直流电压时所储存的电荷量称为该电容器的电容量。电容的基本单位 为法拉(F)。但实际上，法拉是一个很不常用的单位，因为电容器的容量往往比1法拉小得多，常用的电容单位有微法(卩F)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，它们的关系是： 1 法拉(F)= 1000000微法(卩F) 1 微法(卩F)= 1000 纳法(nF)= 1000000 皮法(pF) 0
在电子线路中，电容用来通过交流而阻隔直流，也用来存储和释放电荷以充当滤波器，平滑输出脉动信号。小容量的电容，通常在高频电路中使用，如收音机、发射机和振荡器中。大容量的电容往往是作滤波和存储电荷用。而且还有一个特点，一般1卩F以上的电容均为电解电容，而1卩F以下的电容多为瓷片电容，当然也有其他的，比如独石电容、涤纶电容、小容量的云母电容等。电解电容有个铝壳，里面充满了电解质，并引出两个电极，作为正（+）、负（-）极，与其它电容器不同，它们在电路中的极性不能接错，而其他电容则没有极性。 把电容器的两个电极分别接在电源的正、负极上，过一会儿即使把电源断开，两个引脚间仍然会有残留电压（学了以后的教程，可以用万用表观察），我们说电容器储存了电荷。电容器极板间建立起电压，积蓄起电能，这个过程称为电容器的充电。充好电的电容器两端有一定的电压。电容器储存的电荷向电路释放的过程，称为电容器的放电。 举一个现实生活中的例子，我们看到市售的整流电源在拔下插头后，上面的发光二极管还会继续亮一会儿，然后逐渐熄灭，就是因为里面的电容事先存储了电能，然后释放。当然这个电容原本是用作滤波的。至于电容滤波，不知你有没有用整流电源听随身听的经历，一般低质的电源由于厂家出于节约成本考虑使用了较小容量的滤波电容，造成耳机中有嗡嗡声。这时可以在电源两端并接上一个较大容量的电解电容（1000卩F,注意正极接正极），一般可以改善效果。发烧友制作HiFi 音响，都要用至少1 万微法以上的电容器来滤波，滤波电容越大，输出的电压波形越接近直流，而且大电容的储能作用，使得突发的大信号到来时，电路有足够的能量。 电子电路中，电容器只能通过变化电流，不能通过直流电，在电路中起着“通交流，隔直流”的作用。电路中，电容器常被用作耦合、旁路、滤波等，都是利用它“通交流，隔直流”的特性。那么交流电为什么能够通过电容器呢？我们先来看看交流电的特点。交流电不仅方向往复交变，它的大小也在按规律变化。电容器接在交流电源上，电容器连续地充电、放电，电路中就会流过与交流电变化规律一致的充电电流。电容器的选用涉及到很多问题。首先是耐压的问题。加在一个电容器的两端的电压超过了它的额定电压，电容器就会被击穿损坏。一般电解电容的耐压分档为6.3 V ，10 V，16 V，25 V，50 V 等。 分类 1 ．固定电容器电容量固定的电容器叫做固定电容器。根据介质的不同可分为陶瓷、云母、纸质、薄膜、电解几种。 1.1 陶瓷电容器 陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷（钛酸钡一氧化钛）挤压成圆 管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又 分高频瓷介和低频瓷介两种。 高频瓷介电容器适用于无线电、电子设备的高频电路。具有小的正电容温度系数的电容器，使用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合(包括高频在内) 。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。常见的瓷介电容器有：穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，特别适于高频旁路用。
pn结电容（p-njunctioncapacitance）物理知 识大全 苏霍姆林斯基说：让学生变得聪明的办法，不是补课，不是增加作业量，而是阅读、阅读、再阅读。学生知识的获取、能力的提高、思想的启迪、情感的熏陶、品质的铸就很大程度上来源于阅读。我们应该重视它，欢迎阅读pn结电容(p-njunctioncapacitance)物理知识大全。 pn结电容（p-njunctioncapacitance） pn结电容(p-njunctioncapacitance) pn结具有电容特性。pn结电容包括势垒电容和扩散电容两部分。pn结的耗尽层宽度随加在pn结上的电压而改变。当pn结加正向偏压时，势垒区宽度变窄、空间电荷数量减少，相当于一部分电子和空穴存入势垒区。正向偏压减小时，势垒区宽度增加，空间电荷数量增多，这相当于一部分电子和空穴的取出。对于加反向偏压情况，可作类似分析。pn结的势垒宽度随外加电压改变时，势垒区中电荷也随外加电压而改变，这和电容器充放电作用相似。这种pn结的电容效应称势垒电容。另外，在正偏结中，有少数非平衡载流子分别注入n区和p区的一个扩散长度范围内(称做扩散区)，其密度随正向电压的增加而增加，即在两个扩散区内储存的少数非平衡载流子的数目随pn结的正向电压而变化。这种由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称
为pn结的扩散电容。pn结电容是可变电容。势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化。pn结电容使电压频率增高时，整流特性变差，是影响由pn结制成器件高频使用的重要因素。利用pn结电容随外加电压非线性变化特性，可制成变容二极管，在微波信号的产生和放大等许多领域得到广泛的应用。 感谢阅读pn结电容(p-njunctioncapacitance)物理知识大全，希望大家从中得到启发。
电容知识介绍 一、电容的基础知识： 电容是一种最基本的电子元器件，基本上所有的电子设备都要用到。小小一颗电容却是一个国家工业技术能力的完全体现，世界上最先进的电容设计和生产国是美国和日本，我国自主力量还很薄弱，并且生产的产品也都以低档为主。 电容的基本单位为法拉（F），常用微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）（皮法又称微微法）等，它们的关系是： 1法拉（F）= 106微法（μF） 1微法（μF）= 103纳法（nF）= 106皮法（pF） 1pF = 10-12F 1nF = 10-9F= 103 ×10-12F= 102pF 1uF = 10-6F= 106 ×10-12F= 105pF 104表示0.1uF，105表示1 uF， 106表示10uF，226表示22 uF。 电容的误差等级一般分为3级：I级±5%（J），II级±10%（K），III级±20%（M）0402封装：1.0mm长×0.5mm宽 0603封装：1.6mm长×0.8mm宽（60mil×0.0254=1.524mm，30mil=0.762mm）0805封装：2.0mm长×1.25mm宽（80mil×0.0254=2.032mm，50mil=1.27mm）1206封装：3.2mm长×1.6mm宽 1210封装：3.2mm长×2.5mm 宽 1812封装：4.5mm长×3.2mm宽 2010封装：5.0mm长×2.5mm 宽 2225封装：5.6mm长×6.5mm宽 2512封装：6.5mm长×3.2mm宽 A型钽电容：3.2mm长×1.6mm宽×1.6mm高 B型钽电容：3.5mm长×2.8mm宽×1.9mm高 C型钽电容：6.0mm长×3.2mm宽×2.5mm高 D型钽电容：7.3mm长×4.3mm宽×2.8mm高 E型钽电容：7.3mm长×4.3mm宽×4.0mm高
各种电容器的分类及特点 电容器是电子设备中常用的电子元件，下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介绍，以供大家参考。 1．铝电解电容器： 它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不要接反。 2．钽铌电解电容器： 它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是：体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好，用在要求较高的设备中。 3．陶瓷电容器： 用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是：体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大，但损耗和温度系数较大，适用于低频电路。 4．云母电容器： 用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是：介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小，适用于高频电路。 5.薄膜电容器： 结构相同于纸介电容器，介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介质常数较高，体积小、容量大、稳定性较好，适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容器，介质损耗小、绝缘电阻高，但温度系数大，可用于高频电路。 6.纸介电容器： 用两片金属箔做电极，夹在极薄的电容纸中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，然后密封在金属壳或者绝缘材料壳中制成。它的特点是体积较小，容量可以做得较大。但是固有电感和损耗比较大，适用于低频电路。 7、金属化纸介电容器： 结构基本相同于纸介电容器，它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代金属箔，体积小、容里较大，一般用于低频电路。 8、油浸纸介电容器：