一、简答题
2.1 晶闸管串入如图所示的电路，试分析开关闭合和关断时电压表的读数。
题2.1图
在晶闸管有触发脉冲的情况下，S开关闭合，电压表读数接近输入直流电压；当S开关断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管有出发脉冲，但是流过晶闸管电流低于擎住电流，晶闸管关断，电压表读数近似为0（管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值）。
2.2 试说明电力电子器件和信息系统中的电子器件相比，有何不同。
电力电子系统中的电子器件具有较大的耗散功率；通常工作在开关状态；需要专门的驱动电路来控制；需要缓冲和保护电路。
2.3 试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。
电流驱动型器件通过从控制极注入和抽出电流来实现器件的通断；电压驱动型器件通过在控制极上施加正向控制电压实现器件导通，通过撤除控制电压或施加反向控制电压使器件关断。
2.4 普通二极管从零偏置转为正向偏置时，会出现电压过冲，请解释原因。
导致电压过冲的原因有两个：阻性机制和感性机制。阻性机制是指少数载流子注入的电导调制作用。电导调制使得有效电阻随正向电流的上升而下降，管压降随之降低，因此正向电压在到达峰值电压U FP 后转为下降，最后稳定在U F。感性机制是指电流随时间上升在器件内部电感上产生压降，d i/d t 越大，峰值电压U FP 越高。
2.5 试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降随电流的大小变化很小。
若流过PN 结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过PN 结的电流较大时，注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。
2.6 比较肖特基二极管和普通二极管的反向恢复时间和通流能力。从减小反向过冲电压的角度出发，应选择恢复特性软的二极管还是恢复特性硬的二极管？
肖特基二极管反向恢复时间比普通二极管短，通流能力比普通二极管小。从减少反向过冲电压的角度出发，应选择恢复特性软的二极管。
2.7 描述晶闸管正常导通的条件。
承受正向电压且有门极触发电流。
2.8 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
晶闸管流过的电流大于维持电流，通过外部电路使晶闸管流过的电流低于维持电流。
2.9 试分析可能出现的晶闸管的非正常导通方式有哪几种。
I G=0时阳极电压达到正向转折电压U bo；阳极电压上升率d u/d t 过高；结温过高。
2.10 试解释为什么Power MOSFET的开关频率高于IGBT、GTO。
Power MOSFET 为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。
2.11 从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT 的特性。
最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR;开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFET；SCR为电流型驱动；而Power MOSFET和IGBT为电压型驱动。
2.12 解释电力电子装置产生过电压的原因。
电力电子装置可能的过电压原因分为外因和内因。外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因，如由分闸、合闸等开关操作引起过电压。而内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程。1）换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断，因而有较大的反向电流流过，当恢复了阻断能力时，该反向电流急剧减小，会因线路电感在器件两端感应出过电压；2）关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。
2.13 在电力电子装置中常用的过电流保护有哪些？
快速熔断器、快速断路器和过电流继电器都是专用的过电流保护装置，还有通过驱动实施保护的电子电路过流保护。
2.14 试分析电力电子器件串并联使用时可能出现什么问题及解决方法。
采用多个功率管串联时，应考虑断态时的均压问题。应在功率管两端并联电阻均衡静态压降，并联RC 电路均衡动态压降。
采用多个功率管并联时，应考虑功率管间的均流问题。在进行并联使用时，应尽选择同一型号且同一生产批次的产品，使其静态和动态特性均比较接近。其中功率MOSFET 沟道电阻具备正温度系数，易于并联。
2.15 电力电子器件为什么加装散热器？
与信息系统中的电子器件主要承担信号传输任务不同，电力电子器件处理的功率较大，具有较高的导通电流和阻断电压。由于自身的导通电阻和阻断时的漏电流，电力电子器件要产生较大的耗散功率，往往是电路中主要的发热源。为便于散热，电力电子器件往往具有较大的体积，在使用时一般都要安装散热器，以限制因损耗造成的温升。
二、计算题
2.16 在题2.16图中，电源电压有效值为20V ，问晶闸管承受的正反向电压最高是多少？考虑安全裕量为2，其额定电压应如何选取？
题2.16图
正反向电压最高是
，考虑安全裕量，额定电压选取
2.17 如图所示，U 为正弦交流电u 的有效值，VD 为二极管，忽略VD 的正向压降及反向电流的情况下，说明电路工作原理，画出通过R 1的电流波形，并求出交流电压表V 和直流电流表A 的读数。
题2.17图
当u >0时，VD 正向导通，R 2被短路，则流过R 1电流i 1和R 2上电流i 2分别为：
()()
112/)sin 0,π00,πi R t t i t ωωω=∈=∈ 当u <0时，VD 截止，R 1和R 2构成串联电路，电流为：
1212
=sin (π,2π)i i t t R R ωω=∈+ R 1上电流波形如图所示，
因为直流电流表测的是电流的平均值，所以电流表A 的指示为i 2平均值I 2d ，
22d π12121d()2π
I t t ωω==? Ω
u i
设i1的有效值为I1，则：
1
112 I=
==
设电压表V指示有效值为U R1，则：
R111
12
U I R
==
一、简答题
3.1 试简述4种基本DC-DC变换器电路构建的基本思路与方法。
1）Buck型DC-DC电压变换器构建的基本思路：
①构建Buck型DC-DC电压变换器的基本原理电路，输入电压源U i通过开关管VT 与负载R L相串联。开关管VT导通时，输出电压等于输入电压，即u o=U i；开关管VT断开时，输出电压等于零，即u o=0。输出电压的平均值为U o=(U i·t on+0·t off)/T=D·u i,由于D≤1，U o≤U i该电路起到了降压变换的基本功能。电路结构和工作模型见下图。
u i
②Buck型电压变换电路的输出电压呈方波脉动，为抑制输出电压脉动需要在基本原理电路的输出端两侧并入滤波电容C。电路结构见下图。
u o
③由于U o≤U i，开关管VT导通时，电压源将对滤波电容C充电，充电电流很大，相当于输入输出被短路，以至于开关管VT所受的电流应力大大增加而损坏。为了限制开关管VT导通时的电流应力，可将缓冲电感L串入开关管VT的支路中。电路结构见下图。
u o
④开关管VT关断时缓冲电感L中电流的突变为0，将感应出过电压，使开关管VT 的电压应力大大增加，为此需加入续流二极管VD缓冲电感释放能量提供续流回路。电路结构见下图。
u o
2）boost型DC-DC电压变换器构建的基本思路
①构建boost型DC-DC电压变换器的基本原理电路，输入电流源I i通过开关管VT 与负载R L相并联。开关管VT关断时，输出电流等于输入电流，即i o=I i；开关管VT导通时，
输出电流等于零，即i o＝0。输出电流的平均值为I o=（0·t on+
I i·t off）/T=(1-D)·I i,由于1-
D≤1，I o≤I i。该电路起到了降流变换的基本功能。电路结构见下图。
i i
i
②boost型电流变换电路的输出电流呈方波脉动，为抑制输出电流脉动，需要在基本原理电路的输出支路中串入滤波电感L。电路结构见下图。
i i
L
i o
③由于I o≤I i，当的开关管VT断开时，电感L中电流发生突变，将感应出极高的电压，以至于开关管VT所受的电压应力大大增加而损坏。为了限制开关管VT关断时的电压应力，可将缓冲电容C并入开关管VT的两端。电路结构见下图。
I i
L
I o
④开关管VT导通时缓冲电容两端电压由U o突变为0，将通过VT迅速放电，放电电流很大，使开关管VT的电流应力大大增加，为此需加入钳位二极管VD，阻止缓冲电容放电。电路结构见下图。
I i
I o
⑤若令变换器电路中的开关管、二极管、电容、电感均为理想无损元件并考虑变换器输入、输出能量的不变性，得u i i i＝u o i o，则buck型电流变换器在完成降流变换的同时也完成了升压变换。boost型电压变换和buck型电流变换存在功能上的对偶性。由buck型电流变换器电路可以导出boost型电压变换器。变换器电路中开关管的开关频率足够高时，buck 型电流变换器电路中的输入电流源支路可以用串联大电感的电压源支路取代。电路结构见下图。
u o
考虑到上述电路中缓冲电容C的稳压作用以及该电路的电压－电压变换功能，输出滤波电感L是冗余元件，可以省略。缓冲电容的作用变换为输出滤波。电路结构见下图。
u o
3）boost-buck型DC-DC电压变换器构建的基本思路
将boost型、buck型变换器电路相互串联并进行适当化简，即可构建boost-buck型变换
器。boost-buck 型DC-DC 电压变换器构建的方法：
① 输入级采用boost 型电压变换器电路，并将其输出负载省略。输出级则采用buck 型电压变换器电路，并将其输入电压源省略。串联boost 型电压变换器电路的输出与buck 型电压变换器电路的输入。
② 若假设两电路串联后的开关管VT 1、VT 2为同步斩波开关管，省略冗余元件。根据开关管VT 1、VT 2导通时，所构成的两个独立的电流回路拓扑，合并VT 1、VT 2为VT 12，得到一个等效电路。
根据开关管VT 1、VT 2关断时，所构成的两个独立的电流回路拓扑，合并VD 1、VD 2合并为VD 12，得到另一个等效电路。使上述两个变换器等效电路的输入输出具有公共电位参考点得到boost-buck 型DC-DC 电压变换器。
u o
4） buck-boost 型DC-DC 电压变换器构建的基本思路将buck 型、boost 型变换器电路相互串联并进行适当化简，即可构建buck-boost 型变换器。
buck-boost 型DC-DC 电压变换器构建的方法：
① 输入级采用buck 型电压变换器电路，并将其输出负载省略。输出级则采用boost 型电压变换器电路，并将其输入电压源省略。串联buck 型电压变换器电路的输出与boost 型电压变换器电路的输入。
② 若假设两电路串联后的开关管VT 1、VT 2为同步斩波开关管，省略冗余元件。 将VT 1、VT2之间的T 型储能网络中的电容省略，并合并L 1、L 2为L 12，合并后的VT 1、VT 2之间的储能电感L 12仍能使串联后的两级电压变换器电路正常工作。
根据开关管VT 1、VT 2导通时，所构成的两个独立的电流回路拓扑，合并VT 1、VT 2为VT 12，得到一个等效电路。
根据开关管VT 1、VT 2关断时，所构成的两个独立的电流回路拓扑，合并VD 1、VD 2合并为VD 12，得到另一个等效电路。
使上述两个变换器等效电路的输入输出具有公共电位参考点得到buck-boost 型DC-DC 电压变换器。
o
3.2 试比较脉冲宽度调制PWM 和脉冲频率调制PFM 。
脉冲宽度调制（PWM ）：指开关管调制信号的周期固定不变，而开关管导通信号的宽度可调；脉冲频率调制（PFM ）：指开关管导通信号的宽度固定不变，而开关管调制信号的频率可调。
相同点：脉冲宽度调制（PWM ）和脉冲频率调制（PFM ）都可以调节占空比D(D=t on /T)，从而改变电力电子变换器输出电压U o 的大小。不同点：脉冲频率调制（PFM ）开关管调制信号的频率是变化的，该控制方式下的变换器输出纹波大，输出谐波频谱宽，滤波实现较脉冲宽度调制（PWM ）困难。
3.3 电流断续对DC-DC 变换器电路的分析有何影响？
DC-DC 变换器出现缓冲元件中电流断续时，一个周期内有三种不同的换流状态，需分时间段分析：
① 在开关管VT 关断期间，续流二极管的续流过程结束（缓冲元件中电流降为0）后，其两端电压不为零。从而使各变换器电流断续工作模式对应的稳态电压增益G v 相对于电流连续模式对应的稳态电压增益G v 有所抬高。并且电流断续工作模式对应的稳态电压增益G v ，不仅与占空比D 有关还与负载电阻R L 、缓冲电感L 、开关频率f s 有关，已与占空比D 不成线性关系。由变换器输入输出功率平衡关系推出的稳态电流增益G i =1/G v ，也不仅与占空比D 有关还与负载电阻R L 、缓冲电感L 、开关频率f s 有关，与占空比D 不成线性关系。
② 开关管VT 关断期间承受的反压应分为：二极管续流中和二极管续流结束两个时间段来分析，对应的两个反压值不同。
③ 二极管不仅在开关管VT 导通时承受反压，在续流结束后亦要承受一定的反压，且两个反压值不同。
3.4 试分析理想的Buck 变换器在电感电流连续和断续情况下，稳态电压增益与什么因素有关。
理想buck 变换器在电感电流连续的情况下稳态电压增益为G V 。
对电感L 利用伏秒平衡特性有：i o on s on ()()o U U t U T t -?=?-。
o on V i s
U t G D U T ===,仅与占空比D 有关 理想buck 变换器在电感电流断续的情况下稳态电压增益为G V 。
令Buck 变换器中的二极管续流时间为t off1二极管续流占空比off1s 1=/D t T ，则在i L ≥0的时间段对电感L 利用伏秒平衡特性有：i o on off ()o U U t U t -?=?。
o on V i on off11
U t D G U t t D D ===++ ()1 与导通占空比D 已不是线性关系。
开关管VT 导通时间段（t on 时间段）的电流增量Δi L ＋与二极管VD 续流时间段（t off1时间段）的电流增量Δi L -相等且等于电感电流最大值I Lmax 。
+-i o o Lmax s 1s L L U U U i DT i DT I L L
-?==?== ()2 稳态条件下，由于电容C 中的平均电流为零，因此，电感电流断续时的电感平均电流I L 等于负载平均电流I o ，即I L ＝I o 。
()on off Lmax 1Lmax L s i o o o 1s 111()221()2I t t I D D I T U U U I D D DT L R
??=+=+????-==+= ()3 由上述三式可得
v G = 电感电流断续的情况下G v 不仅与占空比D 有关，还与电感L 、负载电流I o 、开关频率f s 、以及输出电流U o 有关。
3.5 Boost 变换器为什么不宜在占空比D 接近1的情况下工作？
因为在Boost 变换器中，开关管导通时，电源与负载脱离，其能量全部储存在电感中，当开关管关断时，能量才从电感中释放到负载。如果占空比D 接近于1，那么开关接近于全导通状态，几乎没有关断时间，那么电感在开关管导通期间储存的能量没有时间释放，将造成电感饱和，直至烧毁。因此Boost 变换器不宜在占空比D 接近1的情况下工作。同时，从Boost 变换器在电感电流连续工况时的变压比表达式/1/(1)O S M V V D ==-也可以看出，当占空比D 接近1时，变压比M 接近于无穷大，这显然与实际不符，将造成电路无法正常工作。
3.6 解释降压斩波电路和升压斩波电路的电容、电感、二极管各起什么作用？
降压型斩波电路中，电感L 和电容C 的主要作用是滤波，同时电感L 的储能将保持负载电流的连续，电容C 可稳定输出电压U o 。二极管为主开关管关断时的负载电流续流二极管。
升压型斩波电路中，电感L 为开关管开通时的储能元件，电容C 为开关管关断时的储能元件。二极管为两种模式转换过程中的隔离开关元件，开关管开通时二极管关断，开关管关断时二极管开通。
3.7 简述伏秒平衡和安秒平衡原则，并分别用两种方法分析Cuk 变换器的输出/输入关系。
（1） 电感电压的伏秒平衡特性
稳态条件下，理想开关变换器中的电感电压必然周期性重复，由于每个开关周期中电感的储能为零，并且电感电流保持恒定，因此，每个开关周期中电感电压u L 的积分恒为零，即：
s
on s
on 00d d d 0T t T L L L t u t u t u t =+=??? 电容电流的安秒平衡特性
稳态条件下，理想开关变换器中的电容电流必然周期性重复，而每个开关周期中电的储能为零，并且电容电压保持恒定，因此，每个开关周期中电容电流i C 的积分恒为零，即
s
on s
on C C C 00d d 0T t T t i t i t i dt =+=??? （2） Cuk 变换器电感电流连续时：
① 对电感L 1,L 2分别利用伏秒平衡特性进行分析有
()()i on c1i off
o c1on o s on ()
U t U U t U U t U T t =--=-- 得到稳态电压增益 o on v i s on 1U t D G U T t D =
==-- ② 对电容C 利用安秒平衡特性进行分析有
o on i s on ()I t I T t =-
根据理想变换器输入输出功率平衡原理
得到稳态电压增益 on i v i o s on 11t I D G G I T t D
====--
当 1/2＜D ＜1 时，即 cuk 变换器的稳态电压增益 G V ＞1，则 Cuk 变换器具有升压特性；而当 0＜D ＜1/2 时，即 cuk 变换器的稳态电压增益 G V ＜1，则 Cuk 变换器具有降压特性。因此，Cuk 变换器是升、降压变换器，并且其输入、输出电压具有相反的极性
（3） Cuk 变换器电感电流断续时
① 对电感L 1、L 2分别利用伏秒平衡特性进行分析有
()i on c1i off1
o c1on o off1()U t U U t U U t U t =--=-
其中Cuk 变换器中的二极管续流时间为t off1 得到稳态电压增益o v i 1
U D G U D == ② 对电容C 利用安秒平衡特性进行分析有
o on i off 1I t I t =
根据理想变换器输入输出功率平衡原理得到稳态电压增益
on i v i o off11
1t I D G G I t D ==== 3.8 试分析在直流斩波电路中储能元件（电容、电感）的作用。试以Cuk 电路为例分析。
直流斩波电路中的储能元件（电容、电感）有滤波与能量缓冲，能量传递三种基本功能。一般而言，滤波元件常设置在变换器电路的输入或输出，而能量缓冲元件常设置在变换器电路的中间。以Cuk 电路为例
u o
L 1、L 2为能量缓冲元件；C 1为传递能量的耦合元件；C 2为输出滤波元件。
3.9 试解释Cuk 变换器中间电容电压U c1等于电源电压U i 与负载电压U o 之和，即U c1=U i +U o ？
由于Cuk 变换器中有两个缓冲电感元件L 1、L 2，，因此，对电感L 1、L 2分别利用伏秒平衡特性进行分析，不难得出
()i 1off U on c i t U U t =- （3-37） )()(on s o on c1o T T U t U U --=- （3-38）
令PWM 占空比D = t on / T s ，则由式（3-37）、（3-38）可求出Cuk 变换器的电感电流连续时的稳态电压增益G V 为
o on V i off 1U t D G U t D ===- （3-39） 联立式（3-37）、式（3-39），不难得出U c1=U o +U i
3.10 试分析Buck-Boost 变换器和Boost-Buck 变换器各有何特点。
（1） Buck-Boost 型电压变换器和Boost-Buck 型电压变换器两者的输入输出电压极性均为反向极性；
（2） Buck-Boost 型电压变换器电路结构简单，储能元件较少，为一个电感，一个电容；
Boost-Buck 型电压变换器电路结构较复杂，储能元件较多，为两个电感，两个电容；
（3） Buck-Boost 型电压变换器的输入和二极管输出电流均为断续的脉动电流；
（4） Boost-Buck 型电压变换器的输入输出均有电感，因此变换器的输入输出电流一般情况下均为连续电流（轻载时电流可能断续），滤波易实现。
3.11 试以二象限DC-DC 变换器为例具体分析电路中二极管的作用。
U i
图3-10电流可逆型二象限DC －DC 变换器
二象限DC-DC 变换器电路中二极管的作用为通过续流缓冲负载无功，避免负载电感中电流突变，感应出过电压。同时二极管VD 1、VD 2还实现了开关管的零电压开通，减少了开通损耗，具体工作过程如下：
VT 1、VT 2采用互补调制驱动；
VT 1导通前，VD 1导通续流,输出电流i o 反向减小；
i o =0，VT 1零电压开通，直流侧电源通过VT 1向负载供电，输出电压u o ＝u i ，输出电流i o 正向增大，负载电感储能增加；
VT 1关断，由于负载电感电流不能突变，VD 2导通续流，输出电压u o ＝0。采用互补调制驱动模式使VT 2有驱动信号，但因VD 2导通对VT 2形成了反压钳位,VT 2不能导通，因此输出电流i o 正向减小，负载电感储能储能减少；
i o =0，VD 2关断，VT 2零电压开通，负载电动势通过VT 2向负载电阻和电感供电，输出电压u o ＝0，输出电流i o 反向增加，负载电感储能增加；
VT 2关断，由于电感电流不能突变，VD 1导通续流，输出电压u o ＝u i 。采用互补调制驱动模式使VT 1有驱动信号，但因VD 1导通对VT 1形成了反压钳位,VT 1不能导通，输出电流i o 反向减小，负载电感储能储能减少。
3.12 两象限和四象限DC-DC 变换器有何区别？驱动直流电动机正反转运行应采用何种DC-DC 变换器？
二象限DC-DC 变换器输出电压极性不变，输出电流极性可变；四象限DC-DC 变换器输出电压，输出电流极性均可变；两种变换器能实现能量的双向传输。
驱动直流电动机正反转运行需改变电枢电压极性，应采用输出电压可逆的四象限DC-DC 变换器。
3.13 试说明隔离型DC-DC 变换器出现的意义是什么。
① 形成低压供电负载与电网电压之间的电气隔离
② 通过变压器变压，缩小变换器输出电压等级与输入电压等级之间的差异，扩大调节控制范围
③ 通过设置不同匝数的副边耦合绕组形成多路输出，提供不同数值，不同极性的输出电压
3.14 单端正激式变换器和单端反激式变换器有何区别？
① 变换器变压器原边副边工作时间：
单端正激式变换器：变压器原边副边同时在开关管VT 导通时工作。
单端反激式变换器：变压器原边在开关管VT 导通时工作，变压器副边在开关管VT 关断时工作，两者不同步。
② 变压器原边加有单方向的脉冲电压，由于磁芯的磁滞效应，当VT 关断时，线圈电压或电流回到零，而磁芯中磁通并不回到零，形成剩磁通。剩磁通的累加可能导致磁芯饱和，因此需要进行磁复位。磁复位的方式：单端正激式变换器：变压器储存的磁能通过去磁绕组N 3和箝位二极管VD 2构成的复位电路馈送到输入电源侧。单端反激式变换器：变压器储存的磁能通过副边绕组传输给输出负载。
③ 输出电压的决定因素： 单端正激式变换器：o i 1U D U n
=??输出电压仅决定于变换器输入电压、变压器的匝比和n 功率管的占空比，与负载电阻无关。具有降压功能。单端反激式变换器：变压器磁
通连续状态和磁通临界连续状态下o i 11D U U n D
=?-,输出电压仅决定于变换器输入电压、变压器的匝比和功率管的占空比，与负载电阻无关，具有升降压功能。变压器磁通连续状
态和磁通临界连续状态下o i U U t =U o 与负载电阻R L 有关，R L 愈大则输出电压愈高，反之负载电阻愈小，则输出电压愈低，因此在进行开环实验时，不应让负载开路，必须接入一定的负载，或者在电路中接入“死负载”。此外输出电压U o 随输入电压U i 的增大而增大；也随导通时间t on 的增大而增大；还随N 1绕组的电感量L 1的减小而增大。
3.15 说明题3.15图隔离型Buck 电路中由绕组N 3和二极管VD 2构成的支路有何作用。
题3.15图
隔离型Buck 变换器在开关管VT 截止期间，副边传递能量的整流二极管VD 也截止，储存于变压器磁芯中的剩磁能量无释放途径，从而会造成剩磁通积累，导致的磁芯饱和。电路中设置由绕组N 3和二极管VD 2构成的支路为磁芯复位支路。在开关管VT 截止期间，N 3两端感应出上正下负的电压U N3，当U N3大小超过U i 时，VD 2导通，将变压器储存的剩磁能量送回输入电源侧，同时将U N3钳位在U i 上。N 1和N 2将承受下正上负的电压，若有N 3＝N 1，则U N1=U i ，U N2=U i /n ，开关管VT 承受反压为U DS =U i +U N1=2U i 。钳位二极管VD 2保证变压器原副边绕组，去磁绕组N 3两端均不产生过电压。并且将开关管VT ，副边整流二极管VD 承受的反压峰值限制在一定范围内，避免了器件损坏。
3.16 试推导负载电流连续时隔离型Buck-Boost 变换器的输出直流电压平均值。 在负载电流连续的情况下
VT 导通期间磁通增量为
i i +on s 11
=U U t D T N N φ?=?? +u i
R L
u G
u N1u DS i D
2u i u i
u i u i (1+0000
t t
t t t 0t 1t 2t 0u
o t on
T 0-u i
N 1N 3
N 1N 3)
VT 关断期间磁通增量为
i i -s on s 22
=()(1)U U T t D T N N φ?-=?-? 在稳态条件下，变压器一个周期内应无剩磁积累即
+-=φφ??
i i s s 12
=(1)U U D T D T N N ???-? 得输出电压表达式
o i 11D U U n D
=?- 3.17 试分析负载开路时，隔离型Buck-Boost 变换器会出现何种现象。
若隔离型Buck-Boost 变换器工作在磁通连续或临界连续的模式下输出电压为o i 11D U U n D
=?-与负载无关，则无影响; 若隔离型Buck-Boost
变换器工作在磁通断续的模式下，输出电压为o i U U t =由此可见，输出电压U o 与负载电阻R L 有关，R L 愈大则输出电压愈高，反之负载电阻愈小，则输出电压愈低，这是反激变换器的一个特点。在进行开环实验时，不应让负载开路，必须接入一定的负载，或者在电路中接入“死负载”。此外输出电压U o 随输入电压U i 的增大而增大；也随导通时间的增大而增大；还随N 1绕组的电感量L 1的减小而增大。
VT 截止时，VD 导通，副边绕组N 2上的电压幅值近似为输出电压U o (忽略VD 的正向压降及引线压降)，这样，绕组N 1上感应的电势U N1应为1N1o 2
N U U N =，因此VT 截止期间漏－源极间承受的电压为1DS i N1i o 2
N U U U U U N =+=+。由于U DS 与输出电压U o 有关，U o 还随负载电阻的增大而升高。因此，负载开路时，容易造成管子损坏。
3.18 试说明变压器隔离的推挽式变换器和变压器隔离的全桥变换器的特点是什么。 ① 变压器隔离的推挽式变换器是由开关管的控制信号占空比相同，在相位上相差180o 的两个正激变换器的输出并联得到，相比双正激变换器，推挽式变换器中将续流二极管去掉，滤波电感经过变压器副边绕组和整流二极管续流，且两个变压器共用一个磁芯，每个正激变换器从另一个正激变换器的原边绕组和IGBT 得本体二极管进行磁复位，从而也将原来的磁复位电路去掉，这使得推挽变换器电路简单，且拥有较高的磁芯利用率
② 变压器隔离的全桥变换器，使用两个开关管串联起来作一个开关管用，降低了开关管电压应力；且全桥变换器中的四个开关管工作在交错的半周，对角线相对的管子VT 2和VT 4或VT 2和VT 3同时导通，变压器原边磁通在一个半周沿磁滞回线上移，在另一个半周沿着磁滞回线反极性下移，从而提高了变压器的利用率。
3.19 试画出变压器隔离的全桥变换器的电路拓扑，并分析其变压器原边、开关管两端的电压波形和流过变压器原边的电流波形。
（1） 变压器隔离的全桥变换器的电路拓扑如图所示
R L
（2） 隔离型全桥变换器变压器原方、开关管两端的电压波形和流过变压器原边的电流波形
u
u i u u t 0t 1t 4t 3t 2t 5t 6
t 0~t 1阶段：能量传输阶段；t 0时刻，给VT l 、VT 4加驱动信号，VT 1、VT 4饱和导通。VT 2、VT 4两端电压u ce1、u ce4均为0。VT 2、VT 3均承受反压U i 即u ce2、u ce3均为U i 。由于VT 1、VT 4导通，变压器原边绕组N P 两端电压u T 极性为上正下负，大小等于输入电压U i 。其中流过电流i p ，i p 由负载电流折算值和磁化电流所组成并且在正方向上随时间以额定速率逐渐增大。同时，副边的整流二极管VD 5导通，VD 6关断，电流上升速率由滤波电感L 确定。
t 1~t 2阶段：续流阶段；VT 1~VT 4均关断，VT 1、VT 4串联承受反压U i ，VT 2、VT 3串联承受反压U i ,则VT 1~VT 4两端电压均为U i /2。变压器原边绕组NP 流过电流i p =0.电感L 中的电流通过变压器副边绕组和二极管VD 5、VD 6续流，两个二极管VD 5、VD 6几乎同等的导通，也有相同的正向压降，因而变压器副边绕组Ns 两端电压为0，折算到变压器原边绕组N P 两端电压u T 也为0。t 2时刻，给VT 2、VT 3加驱动信号，VT 2、VT 3饱和导通，电路进入下半
周期
t 2~t 3阶段：能量传输阶段；t 2时刻，给VT 2、VT 3加驱动信号，VT 2、VT 3饱和导通。VT 2、VT 3两端电压u ce2、u ce3均为0。VT 1、VT 4均承受反压U i 即u ce1、u ce4均为U i 。由于VT 2、VT 3导通，变压器原边绕组N P 两端电压u T 极性为上负下正，大小等于输入电压U i 。其中流过电流i p ，i p 由负载电流折算值和磁化电流所组成并且在反方向上随时间以额定速率逐渐增大。同时，副边的整流二极管VD 6导通，VD 5关断，电流上升速率由滤波电感L 确定。
t 3~t 4续流阶段；VT 1~VT 4均关断，VT 1、VT 4串联承受反压U i ，VT 2、VT 3串联承受反压U i ,则VT 1~VT 4两端电压均为U i /2。变压器原边绕组NP 流过电流i p =0。电感L 中的电流通过变压器副边绕组和二极管VD 5、VD 6续流，两个二极管VD 5、VD 6几乎同等的导通，也有相同的正向压降，因而变压器副边绕组Ns 两端电压为0，折算到变压器原边绕组N P 两端电压u T 也为0。
3.20 试以半桥变换器为例，说明开关管动态特性参数对电路工作有何不利影响，可以采取何种措施消除或减小这些影响。
L
图3-28 半桥变换器的电路拓扑
开关管动态特性参数对电路工作有何不利影响：由于两个电容连接点B 的电位随VT 1、VT 2导通情况而浮动的，所以能自动地平衡每个晶体管开关的伏秒值。若这两个晶体管开关具有不同的开关动态特性参数，即在相同宽度的基极驱动脉冲作用下开关管VT 1较慢关断，而开关管VT 2则较快关断时，则在VT 1连接点处产生了不平衡的伏·秒值。如果让这种不平衡的波形驱动变压器，将会发生偏磁现象，致使铁芯饱和并产生过大的开关管集电极电流，从而降低了变换器的效率，使开关管失控，甚至烧毁。
改善偏磁现象的措施：在变压器原边线圈中加入一个串联耦合电容C 3，则与不平衡的伏·秒值成正比的直流偏压将被此电容通过隔直作用滤掉，这样在开关管导通期间，就可以平衡电压的伏·秒值。
减少开关管动态特性参数对电路工作的不利影响：在晶体管基极电路上加入嵌位二极管，
使其工作在临界饱和状态下，较少了存储时间，使晶体管的关断时间尽量趋于一致。
3.21 Buck 电路是如何实现电压变换、电流变换的；Buck 电路和Boost 电路又有怎样的联系？
图3.1为基本的DC-DC 电压变换原理电路及输入、输出波形。基本的DC-DC 电压变换原理电路图见图3.1（a ），从图中可以看出：输入电压源 通过开关管VT 与负载 相关联，当开关管VT 导通时，输出电压等于输入电压，即u o =u i ；而当开关管VT 关断时，输出电压等于零，即u o =0。基本电压变化的输出波形如图3.1（c ）所示，显然，若令输出电压的平均值为U o ，则U o u i 。可见图3.1（a ）所示的电压变换器实现了降压型DC-DC 变换器（Buck 电压变换器）的基本变换功能。
图3-1（b ）为基本的DC-DC 电流变换原理电路，从图中可以看出：输入电流源I i 通过开关管VT 与负载R L 相并联，当开关管VT 关断时，输出电流等于输入电流，即i o =i i ;而当开关管VT 导通时，输出电流为0，即i o =0。基本的电流变化的输出波形如图3.1（d ）所示，显然，若令输出电流的平均值为I o ，则I o i i 。图3.1（b ）所示的变换电路实现了降流型DC-DC 变换器（Buck 电流变换器）的基本变换功能。
i i
o
u i
(a)电压变换原理电路 (b) 电流变换原理电路
(c) 电压变换波形 (d) 电流变换波形
图3-1 DC-DC 电压、电流变换原理电路及输入、输出波形
若考虑变换器的输入、输出能量的不变性（忽略电路及元器件的损耗），则Buck 型电压变换器在完成降压变换的同时也完成了升流变换，同理Boost 型电流变换器在完成降流变换的同时也完成了升压变换。可见，Boost 型电压变换和Buck 型电流变换以及Boost 型电流变换和Buck 型电压变换存在功能上的对偶性。
3.22 如何在Buck 和Boost 电路的基础上构建升降压斩波电路？并比较Buck-Boost 电路和Boost-Buck 电路之间存在怎样的异同点。
将Boost 型、Buck 型变换器电路相互串联并进行适当化简，即可构建Boost-Buck 型变
换器。Boost-Buck 型DC-DC 电压变换器构建的方法：
① 输入级采用Boost 型电压变换器，并将其输出负载省略。
输出级则采用Buck 型电压变换器电路，并将其输出电压源省略。
串联Boost 型电压变换器电路的输出与Buck 型电压变换器电路的输入。
② 若假设两电路串联后的开关管VT 1、VT 2为同步斩波开关管，省略冗余元件。 根据开关管VT 1、VT 2导通时，所构成的两个独立的电流回路拓扑，合并VT 1、VT 2为VT 12,得到一个等效电流。
根据开关管VT 1、VT 2关断时，所构成的两个独立的电流回路拓扑，合并VD 1、VD 2合并为VD 12，得到另一个等效电路。
使上述两个变换器等效电路的输入输出具有公共电位参考点得到boost-buck 型DC-DC 电压变换器。
两类变换器的输入输出电压极性均为反向极性，相对于Boost-Buck 型电压变换器，Buck-Boost 型电压变换器电路结构简单，并且其中的储能元件也比较小。但是Buck-Boost 型电压变换器中由于输入输出电流均有电感，因此变换器的输入输出电流一般情况下均为连续电流（轻载时电流可能断续）。
3.23 简述如图所示的升压斩波电路的工作原理。
o
_
题3.23图
假设电路中的电感值L 值很大，电容C 值也很大。当VT 处于通态时，电源向电感L 充电，充电电流基本恒定为I 1,同时电容C 上的电压向负载R 供电，因C 值很大，基本保持输出电压为恒值U o 。设VT 处于通态的时间为t on ,此阶段电感L 上积蓄的能量为EI 1t on 。当VT 处于断态时E 和L 共同向电容C 充电并向负载R 提供能量。设VT 处于断态的时间为t off ,则在此期间电感L 释放的能量为（U o -E ）I 1t off 。当电路工作于稳态时，一个周期T 中电感L 积蓄的能量与释放的能量相等，即：
1on o 1off ()EI t U E I t =-
化简得：
电力电子技术 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。 解：a) I d1= Im 2717 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 2 1 4 ≈ + = ?π ω π π π t I1= Im 4767 .0 2 1 4 3 2 Im ) ( ) sin (Im 2 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t b) I d2= Im 5434 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 1 4 = + = ?wt d t π π ? π I2= Im 6741 .0 2 1 4 3 2 Im 2 ) ( ) sin (Im 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题4分，共28分） 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
： 第1单元能力训练检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空分，共20分） 1、由二值变量所构成的因果关系称为逻辑关系。能够反映和处理逻辑关系的数学工具称为逻辑代数。 2、在正逻辑的约定下，“1”表示高电平，“0”表示低电平。 3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路也称为逻辑电路。在逻辑关系中，最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。 4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数，同一数码在不同数位所代表的权不同。十进制计数各位的基数是10，位权是10的幂。 5、8421 BCD码和2421码是有权码；余3码和格雷码是无权码。 . 6、进位计数制是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为数制。任意进制数转换为十进制数时，均采用按位权展开求和的方法。 7、十进制整数转换成二进制时采用除2取余法；十进制小数转换成二进制时采用乘2取整法。 8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成二进制，然后再根据转换的二进数，按照三个数码一组转换成八进制；按四个数码一组转换成十六进制。 9、逻辑代数的基本定律有交换律、结合律、分配律、反演律和非非律。 10、最简与或表达式是指在表达式中与项中的变量最少，且或项也最少。 13、卡诺图是将代表最小项的小方格按相邻原则排列而构成的方块图。卡诺图的画图规则：任意两个几何位置相邻的最小项之间，只允许一位变量的取值不同。 ！ 14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作1或0。 二、判断正误题（每小题1分，共10分） 1、奇偶校验码是最基本的检错码，用来使用PCM方法传送讯号时避免出错。（对） 2、异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。（对） 3、8421BCD码、2421BCD码和余3码都属于有权码。（错） 4、二进制计数中各位的基是2，不同数位的权是2的幂。（对） 3、每个最小项都是各变量相“与”构成的，即n个变量的最小项含有n个因子。（对）
一、选择题（每题2分） 1在调谐功率放大器中，晶体管工作延伸到非线性区域包括。（） A．截止和饱和区 B．线性和截止区 C．线性和饱和区 答案：A 2下列各参数不能够用于调节基本高频调谐功率放大器导通角的参数是。（） A． U B．b E C．L R j 答案：C 3调谐功率放大器工作状态的判定是根据 u与的比较判定。 ce min （） A． U B．bm U C．cm U ces 答案：A 4 一般不用作调谐功率放大器中自给偏压环节的是。（） A．射极电流 B．基极电流 C．集电极电流
答案：C 5 高频调谐功率放大器一般工作在。（） A．甲类 B．乙类 C．丙类答案：C 6 窄带高频功率放大器又被称为。（） A．调谐功率放大器 B．非调谐功率放大器 C．传输线放大器 答案：A 7 高频调谐功率放大器分析方法。（） A．近似法 B．折线法 C．等效分析法 答案：B 8 高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结。（） A．正偏 B．反偏 C．0偏置 答案：B
9 高频调谐功率放大器一般工作时的导通角为。（） A．180o B．90o C．小于90o 答案：C 10 高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于区。（） A．截止 B．饱和 C．线性放大 答案：A 11 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o 答案：B 12 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，锗管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o
答案：C 13高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，展开系数最大的是 。（ ） A ．0α B ．1α C ．2α 答案：B 14高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最大值为 。（ ） A ．3 B ．2 C ．1 答案：B 15高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最小值为 。（ ） A ．3 B ．2 C ．1 答案：C 16 某晶体管的转移特性，其转移导纳j b 10mA/V,U 0.6V,E 1V g ===-，激励信号 电压幅值bm U =3.2V ，则导通角为 。（ ） A ．90o B ．60o C ．30o 答案：B
《电工电子技术》（第二版）节后学习检测解答 第1章节后检验题解析 第8页检验题解答： 1、电路通常由电源、负载和中间环节组成。电力系统的电路功能是实现电能的传输、分配和转换；电子技术的电路功能是实现电信号的产生、处理与传递。 2、实体电路元器件的电特性多元而复杂，电路元件是理想的，电特性单一、确切。由理想元件构成的、与实体电路相对应的电路称为电路模型。 3、电路中虽然已经定义了电量的实际方向，但对某些复杂些的直流电路和交流电路来说，某时刻电路中电量的真实方向并不能直接判断出，因此在求解电路列写方程式时，各电量前面的正、负号无法确定。只有引入了参考方向，方程式中各电量前面的的正、负取值才有意义。列写方程式时，参考方向下某电量前面取正号，即假定该电量的实际方向与参考方向一致，若参考方向下某电量前面取负号，则假定该电量的实际方向与参考方向相反；求解结果某电量为正值，说明该电量的实际方向与参考方向相同，求解结果某电量得负值，说明其实际方向与参考方向相反。电量的实际方向是按照传统规定的客观存在，参考方向则是为了求解电路方程而任意假设的。 4、原题修改为：在图1-5中，五个二端元件 分别代表电源或负载。其中的三个元件上电流和电压的 参考方向已标出，在参考方向下通过测量得到：I 1＝－ 2A ，I 2＝6A ，I 3＝4A ，U 1＝80V ，U 2＝－120V ，U 3＝ 30V 。试判断哪些元件是电源？哪些是负载？ 解析：I 1与U 1为非关联参考方向，因此P 1=－I 1×U 1=－（－2）×80=160W ，元件1获得正功率，说明元件1是负载；I 2与U 2为关联参考方向，因此P 2=I 2×U 2=6×（－120）=－720W ，元件2获得负功率，说明元件2是电源；I 3与U 3为关联参考方向，因此P 3= I 3×U 3=4×30=120W ，元件3获得正功率，说明元件3是负载。 根据并联电路端电压相同可知，元件1和4及3和5的端电压之代数和应等于元件2两端电压，因此可得：U 4=40V ，左高右低；U 5=90V ，左低右高。则元件4上电压电流非关联，P 4=－40×（－2）=80W ，元件4是负载；元件5上电压电流关联，P 5=90×4=360W ，元件5是负载。 验证：P ＋= P 1+P 3+ P 4+ P 5= 160+120+80+360=720W P －= P 2 =720W 电路中电源发出的功率等于负载上吸收的总功率，符合功率平衡。 第16页检验题解答： 1、电感元件的储能过程就是它建立磁场储存磁能的过程，由2/2L LI W =可知，其储能仅取决于通过电感元件的电流和电感量L ，与端电压无关，所以电感元件两端电压为零时，储能不一定为零。电容元件的储能过程是它充电建立极间电场的过程，由2/2C CU W =可知，电容元件的储能只取决于加在电容元件两端的电压和电容量C ，与通过电容的电流无关，所以电容元件中通过的电流为零时，其储能不一定等于零。 2、此电感元件的直流等效电路模型是一个阻值等于12/3=4Ω的电阻元件。 3、根据dt di L u =L 可知，直流电路中通过电感元件中的电流恒定不变，因此电感元件两端无自感电压，有电流无电压类似于电路短路时的情况，由此得出电感元件在直流情况下相当于短路；根据 图1-5检验题4电路图 U 3
数字电子技术基础考题 一、填空题：（每空3分，共15分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（0 ）。 3．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。4．TTL器件输入脚悬空相当于输入（高）电平。 5．基本逻辑运算有: （and ）、（not ）和（or ）运算。 6．采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（最高）位。 7．触发器按动作特点可分为基本型、（同步型）、（主从型）和边沿型；8．如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用（积分型单稳态）触发器 9．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL ）电路和（CMOS ）电路。 10．施密特触发器有（2）个稳定状态.，多谐振荡器有（0 ）个稳定状态。 11．数字系统按组成方式可分为功能扩展电路、功能综合电路两种； 12．两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（半）加器。 13．不仅考虑两个_______本位_____相加，而且还考虑来自___低位进位____相加的运算电路，称为全加器。 14．时序逻辑电路的输出不仅和___该时刻输入变量的取值______有关，而且还与_电路原来的状态_______有关。 15．计数器按CP脉冲的输入方式可分为__同步计数器和____异步计数器_。 16．触发器根据逻辑功能的不同，可分为_____rs______、______jk_____、___t________、___d________、___________等。 17．根据不同需要，在集成计数器芯片的基础上，通过采用__反馈归零法_________、__预置数法_________、__进位输出置最小数法__等方法可以实现任意进制的技术器。 18．4. 一个JK 触发器有 2 个稳态，它可存储 1 位二进制数。 19．若将一个正弦波电压信号转换成同一频率的矩形波，应采用多谐振荡器电路。20．把JK触发器改成T触发器的方法是 j=k=t 。 21．N个触发器组成的计数器最多可以组成2n 进制的计数器。 22．基本RS触发器的约束条件是rs=0 。
试卷代号： ************************** 期末考试《高频电子技术》试卷(A) **级 电子信息 专业 200**年6月 一、填空题（每空1分，共30分） 1、调制的方式有 、 、 。它们分别由调制信号去控制高频载波的 、 、 。 2、高频放大器按负载形式可分为 放大器和 放大器。 3、单调谐放大器，多级级联增益 ，通频带 ，选择性 。 4、镜像干扰是指 ，抑制这种干扰的主要方法有 和 。 5、广播电台的载波是1500KHZ ，问接收机本振频率为 ，对接收机引起干扰的镜频为 。 6、有一调幅波表达式为u (t)=25(1+0.7cos 2π×5000t-0.3cos2π×1000t )cos2π×106t,此调幅波包含的频率分量有 ，各频率对应的幅度分量为 。 7、AM 信号幅度最大值为 ，最小值为 ，边频信号幅度为 ，载波信号幅度为 。 8、正弦波振荡器由 、 、 组成。 9、石英晶体与电感串联后，由于串联电感增加，串联谐振频率 ，而并联谐振频率 ，通频带向低频方向扩展 。 10、反馈式振荡器振荡条件是 和 。 二、选择题（每小题3分，共18分） ）时的等效阻抗最小。 A 串联谐振频率 B 并联谐振频率 C 串联谐振频率与并联谐振频率之间 D 工作频率 2、某丙类高频功率放大器原工作在过压状态，现欲调整使它工作在临界状态，可采用（ ）方法。 A UCC 增加、Ub 减小、UB B 减小、Re 减小 B UC C 减小、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 C UCC 减小、Ub 减小、UBB 减小、Re 减小 D UCC 增加、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 3、通信系统中，信号需要调制的原因是（ ） A 要发射的信号频率低 B 为了实现信道复用 C 减小发射天线尺寸 D A 和B 和C 4、低电平调幅器应用在（ ），高电平调幅器应用在（ ） A 发射机末级 B 发射机前级 C 发射机中间级 5、在调幅制发射机的频谱中，功率消耗最大的是（ ） A 载波 B 上边带 C 下边带 D 上、下边带之和 6、若单频调幅波的载波功率Pc=1000W ，调幅系数M=0.3，载波与边频总功率为（ ） C 1090W D 1180W 三、判断题（每小题1分，共10分） 1、混频可以用线性好的模拟乘法器来实现，这样，输出信号的失真可以减小。（ ） 2、非线性器件有频率变换作用，而混频电路中也是频率变换电路的一种，所以说非线性器件有混频作用。（ ） 3、调制信号和载波信号线性叠加也能得到调幅波。（ ） 4、二极管大信号包络检波器原来无失真，但当输入已调波信号幅度增大时，则将可能产生负峰切割失真。（ ） 5、同步检波，可以用来解调任何类型的调幅波。（ ） 6、石英晶体两个谐振频率fs 和fp 很接近，通频带宽度很窄。（ ） 7、谐振回路Q 值越高，谐振曲线就越尖锐，选择性就越好，而通频带就越宽。（ ） 8、声表面波滤波器的最大缺点是需要调谐。（ ） 9、为了是小信号调谐放大器工作稳定可采用中和法，但中和法较难调整。（ ） 10、电容三点式振荡器适用于工作频率高的电路，但输出谐波成分将比电感三点式振荡器的大。（ ） 四、画图题（10分） 已知调幅波表达式，画出他们的波形和频谱图。（c ω=5Ω） (1+0.5COS t t c ωsin )Ω
3章交流-直流变换电路课后复习题 第1部分：填空题 1.电阻负载的特点是电压与电流波形、相位相同；只消耗电能，不储存、释放电能，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是0?≤a≤ 180?。 2.阻感负载的特点是电感对电流变化有抗拒作用，使得流过电感的电流不发生突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是0? ≤a≤ 180? 2 ，续流二极管承受的最大反向电压 2 （设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为0?≤a≤ 180?，单 2和 2 ；带阻感负载时， α角移相范围为0?≤a≤ 90?，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 2 2U 2 ；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出 侧串联一个平波电抗器(大电感)。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ = 180?-2δ ; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ = 0?。 5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与单相全波可控整流电路的波形基 本相同，只是后者适用于较低输出电压的场合。 6. 2 ，随负载 加重U d 逐渐趋近于0.9 U2，通常设计时，应取RC≥ 1.5~2.5T，此时输出电压为U d ≈ 1.2 U2(U2为相电压有效值)。 7.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 2 ，晶闸管控制角α的最大移相范围是0?≤a≤90?，使负载电流连续的条件为a≤30?(U2为相电压有效值)。 8.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120?，当它 带阻感负载时，α的移相范围为0?≤a≤90?。 9.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是 电压最高的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是电压最低的相电压；这种电路 α 角的移相范围是0?≤a≤120?，u d波形连续的条件是a≤60?。 10*.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流i d断续和连续的临界条件是C Rω 3 =，电路中的二极管承受的最大反向电压为 2 U2。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时， 整流输出的电压u d 的谐波幅值随 α 的增大而增大，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压u d的谐波幅值随 α 的增大而减小。 12.三相桥式全控整流电路带阻感负载时，设交流侧电抗为零，直流电感L为足够大。当 α ＝30°时，三相电流有效值与直流电流的关系为I I d，交流侧电流中所含次谐波次数为 6k±1,k=1,2,3…，其整流输出电压中所含的谐波次数为 6k, k=1,2,3…。 13.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使输出电压平均值减小。
第14章 晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。 晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2．晶体管的电流分配关系 晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下： C B I I β≈ (1)E B C B I I I I β=+=+ C C B B I I I I ββ?= = ? 3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线： 晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。 （2）晶体管的输出特性曲线： 晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。在不同的B I 下， 输出特性曲线是一组曲线。B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 （3）晶体管的三个区域： 晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。 晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。此时，B I =0，C I =CEO I 。 晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。 14．3 典型例题 例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。设二极管导通电压D U =0.7V 。
数字电路习题答案(第一、二次实验) 2009-12-18 09:10 实验一： 1. 在示波器处于“内触发”、“常态”扫描方式时，若改变电压灵敏度（V/div）,特别是降低它，则可能会使信号波形消失。问若是“外触发”，是否也会影响信号波形的显示呢？ 解：这道题主要从以下几种情况来分析： A．示波器是“内触发”，而误打到“外触发”的情况下，如果是“自动”扫描方式，示波器有波形显示，但是不会稳定；如果是“常态”扫描方式，示波器没有波形显示； B．示波器确实是“外触发”，则要求外触发信号与被测信号的频率和相位都相关，这时波形才有可能稳定。 C．示波器在“外触发”工作时，若改变电压灵敏度，会影响波形的显示。当扫描方式为“常态”时，如果降低它，可能会使波形消失，原因是降低了电压灵敏度的同时也降低了触发信号的电平，当触发电平降低到一定的程度，就不足以使触发器工作，触发器不工作，扫描发生器也就不能工作产生扫描电压，波形就消失了。 2. 实验内容3中，如何用示波器观察CH1+CH2的波形？ 解：要观察CH1+CH2的波形，只要使示波器的显示方式处于“叠加”，同时保证CH1和CH2的电压灵敏度保持一致就可以了。 3. 简述用示波器测量TTL高、低电平的步骤。 解：将函数发生器输出TTL波形（f=1kHz）接到示波器一个通道上；示波器扫描方式打“AUTO”；电压灵敏度选择旋钮和时基因数选择旋钮处于适当的位置（比如1V/div和0.2ms/div）；微调旋钮都处于“校准”位置；把输入耦合方式打到“GND”，确定零电平线的位置，再打到“DC”，读出高低电平值。 4. 对于方波和三角波，交流毫伏表的指示值是否它们的有效值？如何根据交流毫伏表的指示值求得方波或三角波的有效值？
1 LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 2 LC串联谐振回路发生谐振时，回路总阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到。（）A．最大值B．最小值C．0 答案：A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。（） A．回路电流与谐振回路电流 B．回路电流幅值与信号电压频率 C．回路电压幅值与信号电流频率 答案：B 5LC串联谐振回路，谐振特性曲线越尖锐。（）A．回路Q值大B．回路Q值大C．0 答案：A 6LC串联谐振回路Q值大，回路选择性。（）A．差B．好C．不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。（）A．正比B．反比C．无关 答案：B 8单回路通频带B与谐振频率f成。（） A．正比B．反比C．无关 答案：A 9 并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 10 并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 11 并联谐振回路发生谐振时，阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 13 LC串联谐振回路发生失谐时，阻抗为。（） A．大B．小C．0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0
15 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 16 并联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 17 并联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，二次负载等效到一次边是阻抗。（） A．越小B．0 C．越大 答案：C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，对回路的影响。（） A．越小B．0 C．越大 答案：A 20 耦合回路临界耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：B 21 耦合回路强耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：A 22 耦合回路弱耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：C 23 强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷，。（） A．越大B．越小C．不出现 答案：A 24LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联阻抗。（） A．最大B．最小C．无法估计 答案：B 25LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中作为一条并联支路，它滤除信号的频率为。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 26 LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，频率为的信号最易通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 27 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，就能阻止频率为的信号通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 28 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中，对于的频率，并联回路对它阻抗最大（） A．f0B．大于f0C．小于f0
电力电子课后答案 第二章 2.2 使晶闸管导通的条件是什么？维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答： 使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者U AK >0且U GK >0； 维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 2.3图2-1中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，各波形的电流最大值均为m I ， 试计算各波形的电流平均值1d I 、2d I 、3d I 与电流有效值1I 、2I 、3I ，和它们的波形系数1f K ，2f K ，3f K 。 题图2.1 晶闸管导电波形 解： a) 1d I = 4 1 2sin()(1)0.27222 m m m I I t I π π ωπ π= +≈? 1I 24 131(sin )()0.4822 42m m m I I t d wt I ππ ?π π = +≈? 111/0.48/0.27 1.78f d m m K I I I I === b) 2d I =412 sin ()(1)0.5422 m m m I I td wt I ππ?=+=∏? 2I 24 21 31(sin )()0.67242m m m I I t d wt I π π ?π π = +≈? 222/0.67/0.54 1.24f d m m K I I I I === c) 3d I = 20 1 1()24 m m I d t I π ωπ = ? 3I 220 1 1()22 m m I d t I π ωπ = ? 333/0.5/0.252f d m m K I I I I === 2.4. 如果上题中晶闸管的通态平均电流为100A ，考虑晶闸管的安全裕量为1.5，问其允许通
高频电子技术试题库-第二章
1 LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 2 LC串联谐振回路发生谐振时，回路总阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到。（）A．最大值B．最小值C．0 答案：A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。（） A．回路电流与谐振回路电流 B．回路电流幅值与信号电压频率 C．回路电压幅值与信号电流频率 答案：B 5LC串联谐振回路，谐振特性曲线越尖锐。（）A．回路Q值大B．回路Q值大C．0 答案：A 6LC串联谐振回路Q值大，回路选择性。（）A．差B．好C．不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。（）A．正比B．反比C．无关 答案：B 8单回路通频带B与谐振频率f成。（） A．正比B．反比C．无关 答案：A 9 并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 10 并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 11 并联谐振回路发生谐振时，阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 13 LC串联谐振回路发生失谐时，阻抗为。（） A．大B．小C．0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0
15 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 16 并联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 17 并联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，二次负载等效到一次边是阻抗。（） A．越小B．0 C．越大 答案：C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，对回路的影响。（） A．越小B．0 C．越大 答案：A 20 耦合回路临界耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：B 21 耦合回路强耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：A 22 耦合回路弱耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：C 23 强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷，。（） A．越大B．越小C．不出现 答案：A 24LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联阻抗。（） A．最大B．最小C．无法估计 答案：B 25LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中作为一条并联支路，它滤除信号的频率为。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 26 LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，频率为的信号最易通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 27 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，就能阻止频率为的信号通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 28 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中，对于的频率，并联回路对它阻抗最大（） A．f0B．大于f0C．小于f0
《电力电子技术》习题及解答 思考题与习题 什么是整流它与逆变有何区别 答：整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为逆变，它是对应于整流的逆向过程。 单相半波可控整流电路中，如果： (1)晶闸管门极不加触发脉冲； (2)晶闸管内部短路； (3)晶闸管内部断开； 试分析上述三种情况负载两端电压u d和晶闸管两端电压u T的波形。 答：（1）负载两端电压为0，晶闸管上电压波形与U2相同； （2）负载两端电压为U2，晶闸管上的电压为0； （3）负载两端电压为0，晶闸管上的电压为U2。
某单相全控桥式整流电路给电阻性负载和大电感负载供电，在流过负载电流平均值相同的情况下，哪一种负载的晶闸管额定电流应选择大一些 答：带大电感负载的晶闸管额定电流应选择小一些。由于具有电感，当其电流增大时，在电感上会产生感应电动势，抑制电流增加。电阻性负载时整流输出电流的峰值大些，在流过负载电流平均值相同的情况下，为防此时管子烧坏，应选择额定电流大一些的管子。 某电阻性负载的单相半控桥式整流电路，若其中一只晶闸管的阳、阴极之间被烧断，试画出整流二极管、晶闸管两端和负载电阻两端的电压波形。 解：设α=0，T 2被烧坏，如下图： 相控整流电路带电阻性负载时，负载电阻上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率，为什么带大电感负载时，负载电阻R d 上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率，为什么 答：相控整流电路带电阻性负载时，负载电阻上的平均功率d d d I U P =不等于负载有功功率UI P =。因为负载上的电压、电流是非正弦波，除了直流U d 与I d 外还有谐波分量Λ ,,21U U 和Λ,,21I I ，负载上有功功率为Λ+++=22212P P P P d >d d d I U P =。
电子技术基础(模拟篇) 第一章半导体二极管 一、单选题 1.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（） A. U I e S B. T U U I e S C. )1 e( S － T U U I D. 1 e S － T U U I 4.下列符号中表示发光二极管的为（）。 5.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 6.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN结形成后，空间电荷区由（）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不
电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2.使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极 电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0 2-3 .维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶 闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值丨1、I 2、I 3。 2-5上题中如果不考虑安全裕量，问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少这时，相应的电流最大值I m1、I m2 I m3各为多少 解：额定电流算结果知I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计 解：a）I d1= 24 Im sin( t) 罟"Em I—(Im sin t)2d(wt) 11= 2 410.4767Im 2 b) J—(Imsin t)2d(wt) d2= I 2= Im <2 Im sin td (wt) ( 1) 4 2 Im 3 1 4 2 0.67411m 0.5434 Im c) 丄2Im d( d3= 2 0 t) 1 Im 4 3= 1 2Im2d( t) 2 0 i Im
数字电子技术基础答案 第1章 自测题 1.1填空题 1. 100011.11 00110101.01110101 11110.01 1E.4 2. 4 3. n 2 4. 逻辑代数 卡诺图 5.)(D C B A F += )(D C B A F +=' 6.))((C B D C B A F +++= 7. 代数法 卡诺图 8. 1 1.2判断题 1. √ 2.√ 3. × 1.3选择题 1.B 2.C 3.C 1.4 A F =1⊙B AB F =2 B A F +=3 1.5 1.6 C L = 1.7 AB C B A BC Y ++= 习题 1.1 当000012=A A A ,7A 到3A 有1个不为0时，就可以被十进制8整除 1.2 (a)AC BC AB F ++=1 （b ）B A AB F +=2 (c)C B A S ⊕⊕= AC BC AB C ++=0 1.3略 1.4 (1) ）（B A D C F ++=)(1 ))((1B A D C F ++=' (2) ）（B A B A F ++=)(2 ))((2B A B A F ++=' (3) E D C B A F =3 DE C AB F =' 3
(4) )()(4D A B A C E A F +++=）（ ))()((4D A C AB E A F +++=' 1.5 C B A F ⊕⊕= 1.6 (1) B A C B C A L ++= (2) D B C B D C A L +++= (3) AD L = (4) E ABCD L = (5) 0=L 1.7 C B A BC A C AB ABC C B A L +++=),,( 1.8(1) ABD D A C F ++=1 (2) BC AB AC F ++=2 (3) C A B A B A F ++=3 (有多个答案) (4) C B D C AB C A CD F +++=4 (5) C B A ABD C B A D B A F +++=5 (6) 16=F 1.9 (1) AD D C B B A F ++=1 (2) B A AC F +=2 (3) D A D B C B F ++=3 (4) B C F +=4 1.10 (1) C A B F +=1 (2) B C F +=2 (3) D A B C F ++=3 (4) C B A D B D C F ++=4 1.11 C A B A D F ++= 1.12 (1) D B A D C A D C B F ++=1（多种答案） (2) C B BCD D C D B F +++=2 (3) C B C A D C F ++=3 (4) A B F +=4 (5) BD D B F +=5 (6) C B D A D C A F ++=6（多种答案） (7) C A D B F +=7（多种答案） (8) BC D B F +=8（多种答案） (9) B D C F +=9 1.13 略 第2章 自测题 2.1 判断题 1. √ 2. √ 3. × 4. √ 5. √ 6. √ 7. × 8. √ 9. × 10√ 2.2 选择题 1．A B 2．C D 3．A 4．B 5．B 6．A B D 7．C 8．A C D 9．A C D 10.B 习题 2.1解：ABC Y =1
第1单元能力训练检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空分，共20分） 1、由二值变量所构成的因果关系称为逻辑关系。能够反映和处理逻辑关系的数学工具称为逻辑代数。 2、在正逻辑的约定下，“1”表示高电平，“0”表示低电平。 3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路也称为逻辑电路。在逻辑关系中，最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。 4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数，同一数码在不同数位所代表的 权不同。十进制计数各位的基数是10，位权是10的幂。 5、8421 BCD码和2421码是有权码；余3码和格雷码是无权码。 6、进位计数制是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为数制。任意进制数转换为十进制数时，均采用按位权展开求和的方法。 7、十进制整数转换成二进制时采用除2取余法；十进制小数转换成二进制时采用 乘2取整法。 8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成二进制，然后再根据转换 的二进数，按照三个数码一组转换成八进制；按四个数码一组转换成十六进制。 9、逻辑代数的基本定律有交换律、结合律、分配律、反演律和非非律。 10、最简与或表达式是指在表达式中与项中的变量最少，且或项也最少。 13、卡诺图是将代表最小项的小方格按相邻原则排列而构成的方块图。卡诺图的画图规则：任意两个几何位置相邻的最小项之间，只允许一位变量的取值不同。 14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作1或0。 二、判断正误题（每小题1分，共10分） 1、奇偶校验码是最基本的检错码，用来使用PCM方法传送讯号时避免出错。（对） 2、异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。（对） 3、8421BCD码、2421BCD码和余3码都属于有权码。（错） 4、二进制计数中各位的基是2，不同数位的权是2的幂。（对）