Materials Science and Engineering B71(2000)321–326
Properties of amorphous Si-rich silicon nitride prepared by
rf-magnetron sputtering
M.Vetter,M.Rojahn *
Institut fu ¨r Physikalische Elektronik ,Uni 6ersitat Stuttgart ,Pfaffenwaldring 47,70569Stuttgart ,Germany
Abstract
This article investigates the physics underlying ?eld effect passivation of p-type Si surfaces coated with SiN x (:H)of various Si
contents.We ?nd a correlation between the effective lifetime of minority carriers in p-type Si passivated with SiN x ,on the one hand,and the dark dc-conductivity data of corresponding a-SiN x -?lms with different composition,on the other hand.By increasing the amount of Si in a-SiN x (:H)structures the bandgap decreases from about 5to 2eV.As a result,the dark dc-conductivity rises by several orders of magnitude.The conductivity prefactors and the activation energies as calculated from the conductivity versus temperature data obey the Meyer–Neldel relation with an axio-intercept of about 10?7(V cm)?1and a slope of about 35meV.Thus,Si-rich a-SiN x (:H)?lms behave like a defect doped n-type semiconductor.The activation energy of the conductance in ?lms with the same composition changes with the hydrogen content.A minimum in the activation energy correlates with a minimum of the surface recombination velocity at the a-SiN x /p-Si interface.We ascribe both effects to a variation of the Fermi level in the ?lms.?2000Elsevier Science S.A.All rights reserved.
Keywords :Silicon nitride;Sputtering;Conductivity;Solar cell;Hetero junction;Field-effect passivation
https://www.doczj.com/doc/0618616236.html, /locate /mseb
1.Introduction
Amorphous silicon nitride is widely used in the pro-duction of microelectronic devices and also serves as anti-re?ection coating for silicon solar cells.In most cases,nearly stoichiometric,hydrogen containing sili-con nitride (a-Si 3N 4(:H))is prepared by using dichlorsi-lane (SiCl 2H 2)or silan (SiH 4)and ammonia (NH 3)as reactants either at high temperatures of about 800°C by chemical vapor deposition (CVD)or at lower tempera-tures of about 300°C by plasma enhanced CVD (PECVD).The CVD silicon nitride contains only a small amount of hydrogen (B 5at%)and exhibits a high defect density (N Def B (1019cm ?3)whereas in the PECVD silicon nitride up to 30at%of hydrogen saturates many of the defect states,thereby reducing N Def to the order of 1017cm ?3[1].However,it is the high defect density of hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiN x (:H),x =composition ratio N /Si)which is exploited for certain applications.From intense re-search on the defects in stoichiometric a-Si 3N 4(:H)[2,3]
it is known that the electrical active defects result from silicon dangling bonds which create a band of elec-tronic states about 3eV above the valence band of a-Si 3N 4(:H).As a result of the high defect density silicon nitride develops a high ?xed charge close to the surface when it comes in contact with silicon (Si).This effect is used in the fabrication of oxide nitride oxide semiconductor (ONOS)structures of storage ?eld-effect transistors [4]and also in the antire?ection coating of metal insulator semiconductor /inversion layer (MIS /IL)solar cells [5].The common feature of these applica-tions is that the ?xed charges in the silicon nitride induce a counter charge in the Si which leads to a space charge region and a strong band bending at the Si surface.In the case of MIS /IL solar cells the a-SiN x (:H)antire?ection coating is able to induce a strong band bending resulting in an inversion layer and creating a pn-junction.Recent investigations of MIS /IL solar cells show that the creation of this inversion layer is much improved when non-stoichiometric Si-rich a-SiN x (:H)is prepared [6].The inversion layer leads to a drastically reduced majority carrier concentration resulting in a much lower recombination rate of light generated charge carriers.Through this ?eld effect passivation [7]
*Corresponding author.Tel.:+49-711-685-7175.
E -mail address :rojahn@ipe.uni-stuttgart.de (M.Rojahn)
0921-5107/00/$-see front matter ?2000Elsevier Science S.A.All rights reserved.PII:S 0921-5107(99)00399-2
M.Vetter,M.Rojahn/Materials Science and Engineering B71(2000)321–326 322
surface recombination velocities lower than at the best SiO2/Si interfaces can be achieved.This study is aimed at a better understanding of the physical processes involved in the?eld effect passivation of a-SiN x(:H)/Si junction through the analysis of experimental data.By varying the composition ratio of Si-rich a-SiN x(:H) from x=1.33to0the bandgap is continuously reduced from about5eV at nearly stoichiometric composition to less than2eV,the value of a-Si(:H)[8,9].Thereby, a-SiN x(:H)evolves from an insulator to a wide band gap semiconductor causing the SiN x(:H)/Si contact to behave rather like a hetero junction.In our former investigations[8],we have prepared Si-rich a-SiN x(:H)?lms by rf-magnetron sputtering from a Si target in an Ar/N2plasma,adding H2if required.We have found a minimum of the surface recombination velocity at a certain amount of hydrogen in the plasma.We con-cluded that Si-rich a-SiN x(:H)is in effect a defect doped n-type semiconductor whose doping and there-fore Fermi level is somehow determined by the hydro-gen content[8].In order to understand the complex situation at the Si-rich a-SiN x(:H)/Si junction the role of hydrogen from the plasma and/or the a-SiN x(:H)?lm in saturating dangling bonds at the Si surface must also be analyzed.This may help to explain the reduc-tion of the surface state density at the Si interface which is a prerequisite for the formation of an inversion layer and a large space charge region[7].We prepare a-SiN x in Ar/NH3/H2plasma on p-Si and on glass substrate in an attempt to?nd out whether the use of NH3(10vol% NH3in Ar)instead of N2as nitrogen source leads to any signi?cant changes in the material properties of the a-SiN x(:H).As it turns out,the amount of hydrogen in the plasma resulting from the dissociation of NH3has little in?uence on the surface recombination velocity, i.e.the amount of hydrogen we have to add to either plasma in order to obtain a speci?c surface recombina-tion velocity is about the same.
In our analysis we take the surface recombination velocity of photogenerated carriers at the p-Si surface as a means for evaluating the band bending at the Si surface.We also determine the temperature dependent dark dc-conductivity of a-SiN x(:H)?lms on glass.The slope of the conductivity in the Arrhenius plot is used to calculate the activation energy E a in Si-rich a-SiN x(:H)according to[10]
|(T)=|0=exp(E a/kT),(1) where|0is the conductivity prefactor.By indicating the position of the Fermi level relative to the conduction band,the activation energy E a serves as a measure of the defect doping level.The correlation between|0and E a is referred to as the Meyer–Neldel relation which is described by[10]as
ln|0=ln|00+E a/kT m.(2)According to the Meyer–Neldel relation all tempera-
ture dependent data yield the same conductivity|00at
temperature T m.
2.Experimental
For the measurement of the effective surface recom-
bination velocity of minority carriers S eff we use double
sided polished single crystalline p-type Si wafers(FZ, B100\oriented,boron doped(N D=5×1016cm?3, thickness380m m)covered with a thermal oxide(100
nm)one side(called backside in the following).The
samples are treated by a RCA cleaning procedure fol-
lowed by an HF-dip(1%).Thereafter,a SiN x(:H)layer
of approximately100nm is deposited on the frontside
of the wafer from an intrinsic Si-target in an Ar/NH3/ H2plasma using a modi?ed rf(13.56MHz)magnetron sputtering device(Varian VT118)[11].The deposition rate at rf-powers of100,200and275W are about12, 40and70nm min?1,respectively.In every run a glass substrate is placed next to the Si wafers so that almost identical SiN x?lms can be tested for their dark dc-con-ductivity.For this purpose,we evaporate aluminium contacts in a double line con?guration,5mm in length, 1mm apart,using a shadow mask onto the a-SiN x(:H) on glass layer.
In order to determine the effective recombination
velocity S eff at the Si/SiN x interface,we measure the
effective lifetime~eff of minority carriers photogener-
ated in the p-Si wafer using the microwave detected
photo conductivity decay(MW-PCD)combined with
the Korona method[12,13].The effective lifetime re-
sults from volume and interface recombination and it
holds~?1
eff
=~?1v+~?1s,where~s is the surface minority carrier lifetime and~v the volume lifetime.Before the measurement,the oxidized side of the wafer is charged in a Korona chamber at16kV,resulting in an excellent ?eld effect passivation of the backside of the wafer and a negligible recombination rate.Consequently,only~s at the SiN x/St-interface and~v contributes to~eff.The volume lifetime~v obtained from a separate,double-sided oxidized and Korona-charged wafer using MW-PCD is about~vol:350m s.Thus,~eff is a direct measure of the S eff at the SiN x/Si-interface.In order to compute S eff we use
S eff=
'D n(~vol?~eff)
vol eff
tan W
'~vol?~eff
D n vol eff
,(3)
where D n is the minority diffusion constant(28cm2s?1 in0.35V cm FZ p-Si)and W the wafer thickness.
In the experimental setup(Phoenicon MRM[12,13]) excess charge carriers are generated in the SiN x(:H) coated Si wafer by a20ns laser puls(1047nm).In order to simulate solar illumination we use a bias light of about150mW cm?2(halogen lamp).The transient
M .Vetter ,M .Rojahn /Materials Science and Engineering B 71(2000)321–326323
of the photoconductivity after the laser puls is detected by the microwave re?ection of the wafer using a Gunn diode (10GHz)as the microwave source.~eff is ob-tained from an exponential ?t of the decay of the transient.
We measure the temperature dependent dc-conduc-tivity (Keithley 617Electrometer)of SiN x (:H)?lms on glass by applying 100V to the A1contacts and varying the temperature between 333and 213K.At tempera-tures above 350K the conductivity versus temperature curves are irreversibly shifted to lower conductivities.We attribute this mainly to an out-diffusion of hydro-gen and an annealing of defects in the ?lms at higher temperatures.As a measure of the composition of the a-SiN x (:H)?lms,we determine the quasi-static refrac-tive index n of all ?lms on the p-Si wafers using an ellipsometer with a rotating analyzer (SE400,Sentec Instruments,u =632.8nm).The thickness of the ?lms is measured independently with a thickness pro?ler (Sloan,DekTak 3030)which enables us to use the
absorbance of Si-rich ?lms as a free parameter in the ?tting routine of the ellipsometer.
3.Results
The composition of a-SiN x (:H)?lms can be varied from nearly stoichiometric (x =1.33,n =1.97)to a-Si(:H)(x =0,n :3,3)by adapting plasma parameters like gas partial pressures and rf input power [11].By changing the composition from stoichiometric a-Si 3N 4(:H)to a-Si(:H)the optical bandgap decreases from about 5to 2eV [8,9].Si-rich a-SiN x (:H)?lms with a refractive index n \2.1and an optical bandgap of about 3eV result in a good electronic passivation of p-Si surfaces which can be ascribed to ?eld-effect passi-vation caused by the creation of an inversion layer at the silicon surface.However,the deposition tempera-ture and the rf input power into the plasma as well as the hydrogen content in the ?lms must be carefully balanced in order to achieve values of S eff lower than 100cm s ?1[6,8].For several input power values the effective minority carrier lifetime ~eff in p-Si reaches a maximum (resp.S eff a minimum)at deposition temper-atures of about 170–200°C,as illustrated in Fig. 1.Here,for the Si wafers with the Korona passivated backside,the effective minority carrier lifetime is di-rectly related to S eff at the Si surface.Similarly,Fig.2shows that for a variety of deposition temperatures a maximum of the effective lifetime ~eff is obtained at a certain amount of H 2in the plasma which presumably yields to a speci?c hydrogen content of the a-SiN x (:H)layers.As proposed in [8],the ?eld-effect passivation of Si by a-SiN x (:H)is correlated to the passivation of Si dangling bonds at the Si surface and to the position of the Fermi levels in Si and a-SiN x (:H).Based on the model of a hetero junction,the band bending in the p-type Si is strongest as the Fermi level in a-SiN x (:H)gets close to the conduction band of a-SiN x (:H)leading to a maximum conductivity in the material.From the dark dc-conductivity of a-SiN x (:H)-?lms with different composition and hydrogen content we infer the posi-tion of the Fermi level,according to Eq.(1).
In order to separate the in?uence of differing Si to N ratios (as expressed by the varying refractive index n )from the in?uence of changing hydrogen content in the samples,we prepare one series of samples with zero hydrogen content but various refractive index and a number of series of samples with similar composition ratios but varying hydrogen contents.We expect a change of the composition ratio (Si /N)to have the following consequences on the activation energy of a-SiN x (:H).It is known from photoemission measure-ments [14]that the smaller bandgap when preparing Si-rich a-SiN x (:H)is mostly caused by a lower conduc-tion band level.Given that the defect band of Si-dan-
Fig.1.The effective life time ~eff depends on the deposition tempera-ture and rf-input power into the plasma.The maximum value of ~eff is reached at a deposition temperature of about 200°C.
Fig.2.In order to reach a maximum effective lifetime ~eff of photo induced carriers H 2must be added to the NH 3/Ar plasma.
M .Vetter ,M .Rojahn /Materials Science and Engineering B 71(2000)321–326
324Fig.3.The dark dc-conductivity of Si-rich SiN x prepared without hydrogen changes strongly with the composition,here indicated by the different refractive indexes of the samples.
quence,we ?xed the upper temperature limit to about 60°C.
The hydrogen ?ow in the plasma not only determines the effective lifetime,as demonstrated in Fig.2,but also effects the defect doping and therefore the Fermi level in the SiN x (:H)-?lms,as shown in Fig.4.The activation energy E a changes by more than 200meV and reaches a minimum at the same hydrogen ?ow which leads to a maximum effective lifetime ~eff (see Fig.2),as does the conductivity prefactor |0.The actual dark dc-conductivity shows a maximum at that point.In contrast to the just described response of the activation energy to different hydrogen content in the plasma,the activation energy of the samples shown in Fig.1remains almost constant throughout the varying deposition temperatures.A scatter of less than 100meV is caused by slightly differing refractive indexes,result-ing from minor changes in the composition of the samples.
Fig.5summarizes the activation energy data which we obtained for a large number of samples.The overall trend shows hydrogenated SiN x (:H)samples with higher refractive index than those samples prepared without hydrogen.It can also be observed that the activation energy E a tends to be higher for ?lms con-taining hydrogen.To be speci?c,of samples which show the same refractive index those prepared with hydrogen will have a signi?cantly higher activation energy E a The large scattering of the activation energy of about 400meV for a speci?c refractive index mainly results from the different hydrogen content of the sam-ples.Similarly,the conductivity prefactor |0as calcu-lated from Eq.(1)changes with the refractive index and the hydrogen content of the SiN x (:H)?lms.The con-
Fig.4.The comparison with Fig.2shows that the activation energy E a and the extrapolated conductivity prefactor |0reach their mini-mum when the effective life time ~eff has the maximum value.
Fig.5.The activation energy of a-SiN x ?lms without hydrogen is lower than that of hydrogen containing samples.The scatter in the activation energies of different hydrogen containing SiN x (:H)?lms mainly results from varying hydrogen content in the ?lms.The lines are for orientation and show a decreasing activation energy as the silicon content rises.
gling bonds in the middle of the bandgap determines the Fermi level,a change of the composition from stochiometric to a-Si should therefore reduce the activa-tion energy E a .This is demonstrated in Fig.3where the Arrhenius plots of the zero hydrogen series of ?lms is shown.A lower activation energy clearly correlates with a higher refractive index n ,indicating the more a-Si-like composition of the material.Also,a decreasing slope of the plots at lower temperatures can be ob-served which may hint a change in the transport mech-anism but has yet to be veri?ed through further research.The slope of the Arrhenius plots similarly increases with rising temperature for the hydrogen con-taining samples.As already mentioned,at temperatures above approximately 100°C the electronic properties of these samples are irreversibly changed.As a conse-
M.Vetter,M.Rojahn/Materials Science and Engineering B71(2000)321–326325
Fig. 6.Conductivity prefactor|0versus activation energy E a for SiN x(:H)?lms.As a reference,the Meyer–Neldel relation for doped and undoped a-Si(:H)[10]is also shown by dashed line.tent in SiN x(:H)results in a much enhanced conductiv-ity of the samples.This behavior is explained by a change of the electronical structure of a-SiN x(:H). Amorphous semiconductors do not exhibit a sharp bandgap but have large bandtails extending into the bandgap leading to located states[15].Also,as opposed to crystalline material,defects with similar origin do not generate the same discrete defect energy level.In-stead,resulting from the disorder in the material,they create a distribution of defects leading to a defect band in the bandgap.In a-Si3N4(:H)this defect band is created by Si dangling bonds and lies about3eV above the valence band.The nitrogen dangling bonds couple with the lone pair electrons of the N-atoms leaving rather less active electrical states in and near above the valence bandtail[16].In nearly stoichiometric a-Si3N4(:H),an insulator with a bandgap of about5eV, tunneling processes in the defect band are the dominant conduction mechanism[17].Photoemission studies show that changing a-SiN x(:H)to more Si-rich compo-sitions by substituting N-atoms for Si-atoms in the random network structure does not much in?uence the valence bandtail.However,the introduced Si dangling bonds lead to an extension of the defect band.In addition,non-binding states result in a more extended conduction bandtail.This change of the conduction bandtail causes a decrease of the optical bandgap whereas the increasing overlap between the conduction bandtail and the defect band results in a lower activa-tion energy E a and a higher dark dc-conductivity,as shown in Figs.3and5.Thus,Si-rich a-SiN x(:H)can be considered a defect doped n-type semiconductor.
In the same way,the generally lower conductivity and larger activation energy E a of hydrogen containing ?lms can be understood.By saturating the Si dangling bonds,the hydrogen reduces the extension of the con-duction bandtail and the defect band resulting in a smaller overlap of both bands.However,this theory of a rising activation energy with increasing hydrogen content in the?lms clashes with the observation of a minimum of the activation energy for a speci?c hydro-gen?ow into the plasma,as shown in Fig. 4.Pre-sumably,the defect state density is not homogeneously reduced through the hydrogen incorporation.Further research has yet to solve this question.In any case,an even further increased hydrogen content in the?lms will lead to even more dangling bonds being saturated, thereby lowering the defect dominated conductivity.A clear correlation between the minimum of the surface recombination velocity S eff and the minimum of the activation energy E a is apparent from Figs.2and4. Thus,we are lead to the assumption that an increasing Fermi level due to a rising hydrogen content results in a stronger band bending at the p-Si surface.This in turn leads to a inversion which causes the minimum of the surface recombination velocity S eff.
ductivity prefactor|0exhibits a similar dependence on the refractive index and the hydrogen content of the samples as the activation energy E a which is expressed in the Meyer–Neldel-relation,as shown in the following.
Our temperature dependent conductivity data are now used to verify the Meyer–Neldel-relation for the SiN x(:H)samples.The Meyer–Neldel-relation,as given by Eq.(2),states an exponential relationship between the conductivity prefactor|0and the temperature with a pre-conductivity prefactor|00.This relationship holds for a-Si(:H)and also m c-Si[19,20],|00ranging between 0.1(V cm)?1and0.01(V cm)?1.In Fig.6prefactors|0 are plotted against the activation energy E a Clearly,the Meyer–Neldel-relation holds also for our SiN x(:H) samples with|00of about10?7(V cm)?1and kT m of about35meV,respectively T m=400K.
4.Discussion
In order to?nd out how passivation of the surface of a silicon wafer at the p-Si/a-SiN x-interface can be ex-plained,we prepare series of SiN x(:H)?lms with vary-ing composition ratios and hydrogen content at different deposition temperatures.We obtain the effec-tive surface recombination velocity S eff using the mi-crowave detected photo conductivity decay combined with the Korona method as well as the temperature dependent conductivity of our?lms and their refractive index.Let us now explain the strong?eld-effect passi-vation of the silicon surface in terms of the energy of the bandgap,the position of the Fermi level and the conduction mechanisms in Si-rich a-SiN x(:H)?lms.The decreasing activation energy E a with increasing Si-con-
M.Vetter,M.Rojahn/Materials Science and Engineering B71(2000)321–326 326
However,the above model cannot explain the depen-dence of the photocarrier lifetime in p-Si on the SiN x deposition temperature.This is because the activation energy of the conductance of SiN x(:H)-?lms does not depend on this deposition temperature.Thus,the maxi-mum of~eff at200°C in Fig.1is not explained by optimum?eld effect passivation but by the maximum reduction of surface states at this deposition tempera-ture[18].
5.Conclusions
We have compared the effective lifetime of minority carriers in p-type Si passivated with SiN x with the dark conductivity data of corresponding a-SiN x-?lms of var-ious composition.We explain the decreasing activation energy of the conductance with increasing Si content in the SiN x-?lms by a change of the conduction bandtail and an increasing overlap between the conduction bandtail and the defect band.Our SiN x-?lms obey the Meyer–Neldel-relation;thus,Si-rich a-SiN x can be con-sidered a defect-doped n-type semiconductor.The max-imum lifetime of minority carriers in p-Si at the p-Si/SiN x-interface correlates with the minimum of the activation energy of the conductance of the SiN x-?lms. From our experiments with SiN x-?lms of various hy-drogen content we conclude that the Fermi level in-creases with a rising hydrogen content.Thus,the formation of an inversion causes the minimum of the surface recombination velocity. Acknowledgements
We like to thank Wacker Siltronic AG,Burghausen for the support with Si wafers and B.Winter for oxidation of Si wafer.We thank I.Ko¨tschau and U. Rau for valuable discussions.
References
[1]J.Robertson,M.J.Powell,Appl.Phys.Lett.44(1984)415.
[2]J.Robertson,W.L.Warren,J.Kanicki,J.Non-Crystal.Solids
187(1995)297.
[3]W.L.Warren, C.H.Seager,J.Robertson,J.Kanicki, E.H.
Poindexter,J.Electrochem.Soc.143(1996)3685.
[4]H.S.Momose,T.Morimoto,Y.Ozawa,K.Yamabe,H.Iwai,
IEEE Trans.Electr.Dev.ED42(1995)704.
[5]A.G.Aberle,R.Hezel,Progr.Photovolt.:Res.Appl.5(1997)
29.
[6]https://www.doczj.com/doc/0618616236.html,uinger,A.G.Aberle,R.Hezel,Proc.14.Europ.Photo-
voltaic Solar Energy Conf.,vol.1,H.S.Stephens&Associates, Bedford,1997,p.853.
[7]A.G.Aberle,S.Glunz,W.Warta,J.Appl.Phys.71(1992)4422.
[8]M.Vetter,Thin Solid Films337(1999)118.
[9]H.R.Philipp,J.Electrochem.Soc.120(1973)295.
[10]R.A.Street,Hydrogenated amorphous silicon,Cambridge Uni-
versity Press,Cambridge,1991,p.227.
[11]M.Vetter,Dissertation,University of Stuttgart,Shaker Verlag,
Aachen,1999.
[12]M.Schfthaler,U.Rau,W.Fssel,J.H.Werner,Proc.23rd IEEE
Photovolt.Spec.Conf.
[13]M.Schfthaler,Dissertation,University of Stuttgart,Shaker Ver-
lag,Aachen,1995.
[14]R.Krcher,L.Ley,R.L.Johnson,Phys.Rev.B30(1896)1984.
[15]R.A.Street,Hydrogenated Amorphous Silicon,Cambridge Uni-
versity Press,Cambridge,1991,p.135.
[16]J.Robertson,Philos.Mag.B63(1991)47.
[17]S.M.Sze,J.Appl.Phys.38(1967)295.
[18]M.Vetter,M.Jetter,Proc.14th Europ.PVSEC,vol.2,H.S.
Stephens&Associates,Bedford,1997,p.2473.
[19]R.Bru¨ggemann,M.Rojahn,M.Ro¨sch,Normal and Inverted
Meyer-Neldel Rule in Hot-Wire CVD Deposited Nanocrystalline Silicon,Rapid Research Notes,Phys.Stat.Sol.(A)166,R11 (1998).
[20]R.Bru¨ggemann,A.Hierzenberger,P.Reinig,et al.,Electronical
and optical properties of hotwire deposited microcrystalline sili-con,J.Non-Cryst.Solids227–230(1998)982.
.
ISO 26262-2 功能安全管理 译者：逯建枫 图1 ISO26262概览 1 范围 ISO26262适用于包含有一个或多个电子电气系统的安全相关系统，且该系统安装于车辆最大总质量为3500kg的一系列乘用车车型上。ISO26262不适用于特殊用途车辆（比如残疾人专用车辆）中的特殊电子电气系统。 在ISO26262发布日期之前已发布生产的、或已在开发过程中的系统及其零部件，不受此标准约束。在对ISO26262发布前生产的系统及其零部件进行开发或更改时，只需要使得更改的部分符合ISO26262的要求即可。 ISO26262阐述了E/E安全相关系统故障或系统相互作用故障可能导致的危害。ISO26262不涉及电击、火灾、烟雾、热量、辐射、毒性、易燃性、反应性、腐蚀性、能量释放等相关危害，除非以上这些危害是由于E/E安全相关系统故障直接导致的。 ISO26262不涉及E/E系统的名义性能，尽管这些系统（例如主动和被动安全系统、制动系统、自适应巡航系统）有专门的性能标准。
ISO26262-2部分规定了汽车应用的功能安全管理要求，包括： -相关组织的项目独立要求（全面安全管理），以及 -与安全生命周期的管理活动有关的具体项目要求（即概念阶段、产品开发期间以及生产发布后的管理）。 2 相关标准 略 3 术语、定义和缩略语 见ISO26262-1部分。 4 合规性要求 4.1 一般化要求 若声称符合ISO26262要求时，应当遵守每项要求，除非有以下其中一项： a)计划按照ISO26262-2对安全活动进行裁剪，发现该要求不适用，或者 b)有缘由表明，不合规是可以接受的，且该缘由经评估符合ISO26262-2。 标记为“注释”或“示例”的信息仅用于指导理解或澄清相关要求，不应理解为要求本身或完整需求或详细需求。 安全活动的结果是以工作产品的形式输出的。“先决条件”是指作为前一阶段工作产品提供的信息。考虑到某条款的某些需求是ASIL依赖的或定制的，某些工作产品可能不需要作为先决条件。 “进一步的支持信息”是可以考虑的信息，但在某些情况下，ISO 26262不要求该信息作为前一阶段的工作产品，并且可以由非功能安全人员或组织外部人员提供。 4.2 表格释义 根据上下文信息，表格可能是规范性的或信息性的。表中列出的不同方法，有助于将置信度提升到符合相应要求的水平。表中每个方法都是： a)连续条目（用最左边列中的序列号标记，例如1、2、3），或 b)一个可选条目（用数字和最左边一列中的字母标记，例如2a、2b、2c）。 对于连续条目，应按照ASIL的建议，考虑使用所有方法。如果要采用其他方法，应给出满足相应要求的理由。 对于替代条目，要根据ASIL的要求，采用适当的方法组合；至于表中是否有列出这些方法则无关紧要。若列出的这些方法的ASIL等级不相同，那么应当优先选择等级较高的方法。且要给出所选方法组合符合相应要求的理由。
QQ空间打不开最全面解答标签：杂谈 由于空间升级,不少用户反映说空间出现了这样或者那样的问题,但很多问题都是一样的,为 了提高客服给大家解决问题的效率,也为了节省大家的时间,现特将空间出现的有代表性的 问题罗列在此.请各位朋友发贴前仔细察看,如果其中说的方法能解决您空间的问题,则不必 要发贴,如果问题得不到解决,请您将您的问题以新贴的方式反馈到本版,方便客服人员给您 解决,切记,发贴时请尽量详细描述您所遇到的问题 一、空间无法进入的问题： 如果您无法登录空间，以下的方法请您参考： a.登陆https://www.doczj.com/doc/0618616236.html,，然后选择“安全模式”进入空间； b.清除网络浏览器缓存，在浏览器菜单里选择工具->Interner选项->删除Cookies和删除文件，然后再确定； c.打开一个好友的空间，点击“装扮自己的空间”,点开就进入了自己的空间，如果仍打不开,请多试几次； d.请您点击IE浏览器中的“工具”，选择“internet选项”，进入“安全”页面，点击“自定义级别”，将您的安全设置设为“低”； e.清空一下IE浏览器的cookies文件，在IE浏览器中设置“禁止自动脚本更新”，并不要选择“禁止运行ActiveX控件”，然后再尝试操作（请使用IE6.0以上版本) f。如果是3.0版本的空间尝试： A.查看flash版本的方法：可以让用户打开Qzone，在出现小精灵的loading时，对着小精灵的loading点击右键，查看关于macromediaflashplayer那一项，是否是8，如果是macromediaflashplayer7，建议您安装flash8. B.建议您到https://www.doczj.com/doc/0618616236.html,去下载，如果仍然无法安装flash8，建议您先卸载flash7后，再重新安装flash8。 卸载方法：打开IE的internet选项--设置--查看对象，将shockwaveflashobject删除即可。请大家操作时注意操作步骤，比如未安装flash8的朋友，请您在安装flash8以后再进行清除浏览器缓存操作。 二、显示脚本错误问题。 1、建议您在IE浏览器上的“工具”--然后再选择最下面的Internet选项，再点“高级”进行关闭“脚本调试”后尝试。同时建议您可以将浏览器的安全级别较低尝试。 2、也有可能是由于您的QQ空间添加的模块代码不符，建议您在打开空间的时候，在主页https://www.doczj.com/doc/0618616236.html,/web/选择“安全模式”登陆QQ空间--自定义--个人设置--模块管理/还原默认将QQ空间的代码删除尝试。 3、请清除一下浏览器的缓存,点浏览器上的工具--然后再选择最下面的Internet选项，再点Internet删除文件(记得勾上删除所有脱机内容),确定后,然后再重新打开浏览器尝试！ 4、建议安装MacromediaFlashPlayer8.0版本的软件，并清空一下IE浏览器的cookies 文件，然后再尝试操作（请使用IE6.0以上版本）。 三、为什么别人能进我的空间，我却不能进呢？？ 关于您咨询的问题，请您参照如下操作: 1.您登陆https://www.doczj.com/doc/0618616236.html,然后选择安全模式进您的空间 2.在您的网页上清缓存,在网页上选择工具->Interner选项->删除Cookies和删除文件,然后再确定.
SIL（Safety Integrity Level）-安全完整性等级。 SIL认证就是基于IEC 61508, IEC 61511, IEC 61513, IEC 13849-1, IEC 62061, IEC 61800-5-2等标准，对安全设备的安全完整性等级(SIL)或者性能等级(PL)进行评估和确认的一种第三方评估、验证和认证。功能安全认证主要涉及针对安全设备开发流程的文档管理(FSM)评估，硬件可靠性计算和评估、软件评估、环境试验、EMC电磁兼容性测试等内容。 欧洲电工标准化（CENELEC的缩写）委员会，欧洲三大标准化组织之一。 CENELEC 负责电子工程领域的欧洲标准化。CENELEC连同电信标准化（ETSI）和CEN（所有其他技术领域的标准化）形成了欧洲标准化体系。 SIL认证一共分为4个等级，SIL1、SIL2、SIL3、SIL4，包括对产品和对系统两个层次。其中，以SIL4的要求最高。 2主要标准 IEC 61508: 电气/电子/可编程电子安全相关系统的功能安全性 IEC61508标准规定了常规系统运行和故障预测能力两方面的基本安全要求。这些要求涵盖了一般安全管理系统、具体产品设计和符合安全要求的过程设计，其目标是既避免系统性设计故障，又避免随机性硬件失效。 IEC61508标准的主要目标为： · 对所有的包括软、硬件在内的安全相关系统的元器件，在生命周期范围提供安全监督的系统方法; · 提供确定安全相关系统安全功能要求的方法; · 建立基础标准，使其可直接应用于所有工业领域。同时，亦可指导其他领域的标准，使这些标准的起草具有一致性(如基本概念、技术术语、对规定安全功能的要求等); · 鼓励运营商和维护部门使用以计算机为基础的技术; · 建立概念统一、协调一致的标准架构和体系。 IEC61511: 过程工业领域安全仪表系统的功能安全要求 IEC61511是专门针对流程工业领域安全仪表系统的功能安全标准，它是国际电工委员会继功能安全基础标准IEC61508之后推出的专业领域标准，IEC61511在国内的协调标准为GB/T 21109。在过程工业中，仪表安全系统都被用来执行仪
功能安全认证工具 IAR系统公司提供了一套可靠的开发与安全相关应用程序的工具。它是基于IAR Embedded Workbench的针对ARM处理器的C / C ++ 编译器和调试器工具套件。 功能安全版本的工具套件由TüV南德意志集团根据IEC61508功能安全国际防护标准认证的，同时这个版本还通过了ISO26262汽车安全相关系统的认证。 如果您采购了这个认证的版本，我们将提供特殊的功能安全支持和更新协议。 主要特点: ●完整的开发工具套件，其中包括了IAR C / C ++ 编译器，汇编器，链接器，库管理 员，文本编辑器，项目管理器和C-SPY调试器。 ●综合的文档，包括证书，安全指南和TüV南德意志集团的报告 ●软件开发认证SIL3（IEC 61508）和ASIL D（ISO26262） ●支持基于ARM内核所有主要供应商的设备 ●阐述符合语言标准 ?严格模式禁用语言扩展 ?宽松模式允许特定扩展的嵌入式编程 ●集成MISRA-C规则检查 ●与IAR visualSTATE集成 ●内置Micrium，Express Logic，Sciopta等公司实时操作系统的插件 ●与子版本Subversion和其他源代码控制系统集成 功能安全版本的支持和更新协议（SUA） ●对长期合同的已售出的版本保证支持 ●优先技术支持 ●提供经过验证的服务包 ●定期报告已知的偏差和问题 注意：针对ARM的IAR Embedded Workbench目前认证的版本是IAR EWARM v6.50.4。 它与IAR EWARM v6.50.3版本中的功能是相同的。在以后的版本中添加的功能不包括在内。有关详细信息，请参阅发行说明。
精品文档 一.背景描述： 江南海岸总体规划和设计均体现了传统中国居家理想和现代生 活方式的有机融合，是依照21世纪人居标准精心打造的高级住宅小区。 整个小区无不营造一个舒适休闲的生活空间，是一所环境优雅，闹中 取静的花园式住宅小区，满足住户对高品质生活的追求。 二.工程说明： 江南海岸位于三明市列东区，由14栋高层住宅小区组成，总建 筑面积29.7627万平方米，其中包括4栋27层，6栋25层，4栋29 层，会所1间，负一层，一层。住户总数为1182户。 项目要求: 江南海岸，是集住宅、花园、会所于一体的高级住宅小区。小区智能化系统的工程建设具有投资大、工程复杂、专业性强等特点。小区要求建设成具有国内先进水平的，既具有自身特点，又具有时代潮流特色的高尚住宅楼宇。 整个工程规划、设计、实施上要求充分体现技术的先进性、系统的复杂性、严密的安防集控管理。注重整体功能强大，中心设备完善，系统配置科学合 理，真正体现高技术、高标准、高水平的现代化智能小区。 四.需求分析: 4.1分析与评估：
本方案以江南海岸小区住宅智能化管理及安全防范为设计目标为将力求建设成为高水平、高质量、高标准的信息化智能小区。我方提出以下见解，请发包方领导参考。 ①小区建设要求基于系统可靠、稳定、先进的基础上，既能满足用户住宅 的实际需求，同时又力求经济、实用、合理。 ②整个系统的结构要求清晰合理，小区实现全封闭管理，各个子系统既 相互关联又相对独立，形成一个全方位智能安防管理系统。 ③要求考虑未来系统扩展的需求，为小区以后系统功能的增加、升级，提 供良好的环境空间。 因此，考虑江南海岸属于大型的综合住宅小区，建筑规模庞大、结构复杂，小区各项功能模块齐备，因此在智能化建设方面，产品的集成度、统一化、高效管理方面尤为重要，同时，还必须考虑小区规模的不断扩大，智能化产品必须具备高度的扩展及冗余，顺应小区的发展。 我方进行多项分析与评估，结合小区建筑结构的分布特点、规模发展，以及对小区各功能模块的深层了解，建议江南海岸智能化系统工
室内空间设计说明
精品文档 收集于网络，如有侵权请联系管理员删除 室内空间设计说明 室内设计的基本目的是为人们的生活、娱乐及工作创造一个良好的室内环境。室内设计除 了需要满足物质功能的要求外，还要满足审美的需要。 区间划分 ? 因为厨房已定，因此将长廊中部作为餐厅，方便取放食物等书房需较好采光，故安置在阳台旁。再按空间 大小将剩余房间分划为主卧、次卧、客房。妻子业余爱好运动，将最后一间靠小阳台的房间设为健身房，可在健身同时呼吸到新鲜空气。 平面布置 ? 书房内放置有博古架，满足丈夫收藏古玩字画的业余爱好，还有书桌、书柜、装饰画、钢琴、沙发、地 毯、植物。钢琴可满足女儿对音乐的爱好；沙发可供休息；地毯营造舒适的氛围；植物可让疲劳的眼睛得到放松，还可清新空气。 ? 健身房放有健身器材、瑜伽垫、电视。阳台放休闲椅和桌子，以便运动劳累后休息放松。 ? 次卧装置齐全，采用活泼的风格。根据女儿喜欢动物，装饰物采用动物类的。 拆墙补墙 ? 玄关左侧设置鞋柜，既可放鞋又能将玄关与健身房隔开；右侧补上短墙，能保证主卧私密性。玄关与餐厅 用高柜隔开，保证了客厅及餐厅私密性。餐厅和书房间补上墙用来隔开两者，客厅与餐厅间用屏风隔开。书房、主卧、健身房与阳台间就梁补上墙，再在中间做成推拉门，可以有好的采光及通风性。 吊顶及灯光照明 ? 为节省成本，次卧、客房、书房及健身房没有吊顶。客厅、餐厅、玄关、主卧均根据天花板形状用石膏板 来吊顶，其中，客厅较小，所以采用局部吊顶。而厨房及厕所采用铝扣板吊顶。 ? 客厅、餐厅、主卧使用吊灯，显示气派，吊顶外围采用射灯，使吊顶富于变化。玄关采用筒灯。其他地方 使用节能灯。 地板铺装 ? 阳台使用300X300仿古砖。餐厅、厨房采用300X300防滑地砖。其他地方采用强化地板。门槛处均采用大 理石作为过渡。 电器设置 ? 客厅、主卧、健身房、客房放置有电视，且客厅、主卧设有音响，可在闲暇时观看电影或高歌一曲。主卧 书房、次卧设有电脑，供学习和娱乐。客厅放有立式空调，主卧、书房、采用挂式空调。洗衣机设在厕所，冰箱设在厨房。 整体风格 ? 现代与古典相结合，既满足了夫妇中年阶层的审美，又考虑了女儿作为年轻人需要的现代感。 ? 古典与现代的两种设计风格，在此方案中融合在一起，和谐而不突兀，将两者进行互补。古典的幽雅在电 视机下面的电视柜上体现出来。现代的简约则用于沙发、窗帘等的选择上。色彩上，深棕色厚重感与米色的轻柔感形成对比，和谐一致。 客厅电视墙 ? 采用圆弧形的线条，与其他地方的直线形成强烈对比，带来一种跳跃感。使狭小的客厅看起来更空旷。没 有繁杂的装饰，采用温暖的米色与棕黄色，让整个设计看起来简单而舒适。 主卧 ? 风格及色彩：用户是一对中年夫妇，简约而带有艺术感的设计是他们的需求。主卧中温韵的木材装饰为空 间添加了几分生气，几分奢华。再搭配以华丽的吊灯和艺术品，华丽之余又有悠远怀古的风情。色彩上运用米色、红色棕色，达到古典舒适并存的效果。 ? 背景墙：选用饰面板做背景墙，与客厅形成统一的装修风格。横与竖的线条组合井然有序，温馨中透着现 代的气息。
关于功能安全编程的软件实现方法 Author: Zhanzr21 @ 21ic BBS 功能安全与信息安全其实是两个概念,两者都很重要但相互独立.在汽车电子设计中,两个安全都很重要,但是功能安全往往涉及到很严重的事故,所以显得更为重要. 功能安全-一般使用Safety这个词 信息安全-使用这个词:Security 但是到了中文两者都是安全,本文只涉及到功能安全,也就是前者Safety. 关于功能安全,业界一直在积极研究与推行相关标准.比如IEC,VDE.应该说功能安全的研究与发展永远不会停止,因为没有任何一种设计能够达到百分百的绝对安全标准. 功能安全与EMC测试联系较为紧密,因为电磁辐射会影响其他部件或者使用者的健康,而如何防范EMC噪音也是评价功能安全的一项指标. 兼容IEC,VDE的标准 IEC(International Electrotechnical Commission)是一个非营利,非政府的标准制定组织.IEC制定的标准主要关注安全,性能,环保,电气能效与再生能力.IEC与ISO和ITU有着紧密联系.这些制定的标准不仅包括对硬件的规定也有软件方面的.另外这些标准一般会根据应用场景细化为若干子标准. 除了老资格,国际化的IEC之外,这个领域中比较知名的,认可度较高还有德国的VDE,英国的IET,美国的IEEE.其中VDE还包括一个测试与认证机构专注于软件功能安全方面的前沿性研究.该机构属于德国的国家注册的认证机构.其主要目的在于给各家电子制品厂商提供标准符合与质量检验服务. IEC的标准中最为人熟知的是IEC 60335-1.这个标准主要覆盖家用或类似场合的电子制品的功能安全与信息安全规范.其原则:被测品应该在各种元器件失效的情况下保持安全.从此标准的角度观察,微控制器(MCU)也属于众多器件之一.如果电子器件影响到最终产品的安全性,那么在连续的两次失效后该制品依然能够保持安全.这意味着该制品必须在微控制器不工作(正在复位或者运行异常)且硬件发生失效的情况下依然能保持安全. 如果安全取决于软件,那么软件被当做第二次失效来考虑.该标准规定了三种软件的安全类型: Class A: 安全根本不取决于软件
学生空间用户操作手册 电大在线远程教育技术有限公司 2013年12月
第一部分前言 (4) 前言 (4) 第二部分功能介绍 (5) 一、进入学生空间 (5) 二、页面头部全局导航区（空间信息区） (7) 2.1空间信息显示 (7) 2.2搜索 (7) 2.3隐私设置 (8) 2.4空间装扮 (9) 三、功能区 (10) 3.1课程学习 (10) 3.1.1我的课程 (10) 3.1.2学习计划 (12) 3.1.3学习活动 (14) 3.1.4我的问题 (15) 3.2学务管理 (19) 3.2.1我要选课 (19) 3.2.2我的选课 (19) 3.3学习档案 (19) 3.3.1个人信息 (19) 3.3.2学习信息 (22) 3.4资料管理 (24) 3.4.1学习心得 (24) 3.4.2资料分享馆 (25) 3.4.3我的资料 (28) 3.4.4我的资料收藏 (33) 3.4.5数字图书馆 (35) 3.5校园生活 (35) 3.5.1学习活动 (35) 3.5.2评优奖励 (35) 3.5.3学生风采 (35) 3.6论坛互动 (35) 3.6.1公共论坛 (35) 3.6.2专业论坛论坛 (35) 3.7课程班级 (36) 3.7.1我的课程班 (36) 3.8我要评价 (37) 3.8.1课程评价 (38) 3.8.2辅导教师评价 (39) 3.9其他 (40) 3.9.1日历 (40) 3.9.2调查问卷 (40) 3.9.3帮助 (41) 四、全站功能（交流互动区） (41)
4.1站内信 (41) 4.1.1发站内信 (41) 4.1.2查看站内信列表 (41) 4.1.3站内信详情页 (42) 4.2消息 (43) 4.3老师和同学 (44) 4.4动态心情 (44) 4.5通知公告 (45)
本文由ｋｋｄｔｋ贡献 ｐｄｆ１。 Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｔｅｃｈ ｏｆ Ｓａｆｅｔｙ ＆ Ｓｅｃｕｒｉｔｙ 功能安全标准化发展现状分析 Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｓｔａｔｕｓ ｏｆ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｓａｆｅｔｙ Ｓｔａｎｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎ 王春喜 石镇山 （机械工业仪器仪表综合技术经济研究所，北京市 １０００５５） Ｗａｎｇ Ｃｈｕｎｘｉ Ｓｈｉ Ｚｈｅｎｓｈａｎ （Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＆ Ｅｃｏｎｏｍｙ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ， Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００５５） 【摘 要】 通过对比国内外功能安全标准化发展及应用情况，说明我国在此领域发展相对发达国家较为落 后，提出应加强功能安全标准和技术的研究，积极开展功能安全产品认证，推动我国功能安全 标准体系的建立。并对功能安全标准体系的建立研究课题，得出结论和建议。 【关键词】 功能安全标准化 功能安全认证体系 Ａｂｓｔｒａｃｔ： Ｃｏｍｐａｒｅｄ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ａｎｄ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｓａｆｅｔｙ ｉｎ ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ ｃｏｕｎｔｒｉｅｓ， Ｃｈｉｎａ ｆａｌｌｓ ｆａｒ ｂｅｈｉｎｄ ｉｎ ｔｈｉｓ ？ｅｌｄ． Ｔｈｅ ｐａｐｅｒ ｐｕｔｓ ｆｏｒｗａｒｄ ｔｈｅ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｆ ｔｈｅ ｓｔａｎｄａｒｄ ａｎｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｓａｆｅｔｙ ｓｈｏｕｌｄ ｂｅ ｓｔｒｅｎｇｔｈｅｎｅｄ， ａｎｄ ｔｈｅ ｃｅｒｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｓａｆｅｔｙ ｐｒｏｄｕｃｔｓ ｓｈｏｕｌｄ ｂｅ ｐｒｏｍｏｔｅｄ． Ｔｈｅ ｐｒｏｊｅｃｔ ｏｆ ｅｓｔａｂｌｉｓｈｉｎｇ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｓａｆｅｔｙ ｓｔａｎｄａｒｄ ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ ｏｕｒ ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ ？ｅｌｄ ｐｒｅｓｅｎｔｓ ｔｈｅ ｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎｓ ａｎｄ ｓｕｇｇｅｓｔｉｏｎｓ ｂｙ ｒｅｓｅａｒｃｈｉｎｇ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ： Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｓａｆｅｔｙ Ｓｔａｎｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ Ｓａｆｅｔｙ Ｃｅｒｔｉ？ｃａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ 本文对国外功能安全标准化现状和实施情况进 行了认真调研，并分析了我国石油化工、机器人等典 型行业功能安全标准化基本情况。通过对比国外情 况，目的在于发现我国功能安全标准化当前存在的问 题，并提出我国功能安全标准体系的发展方向。本文 是机械工业仪器仪表综合技术经济研究所正在开展的 国家标准化研究课题《工业产品及系统功能安全标准 体系研究和建立》调研报告的主要内容。 １ 功能安全标准化概述 ２０００年，ＩＥＣ发布了功能安全基础标准ＩＥＣ 收稿日期：２０１０－０９－０７ 作者简介：王春喜（１９７４－），长期从事我国仪器仪表行业管理、仪 器仪表及自动化领域国际和国内标准化工作及相关课题研究。现 任机械工业仪器仪表综合技术经济研究所标准与检测中心副主 任、全国测量控制设备及系统实验室质量主管、全国工业过程测 量和控制标准化技术委员会（ＳＡＣ／ＴＣ１２４）副秘书长、全国智能建筑 及居住区数字化标准化技术委员会（ＳＡＣ／ＴＣ４２６）副秘书长。 石镇山（１９６２－），教授级高级工程师，主要从事仪器仪表发展战略 研究和信息咨询，电工电子产品安全测试技术研究开发。 ６１５０８“电气、电子、可编程电子安全相关系统的功 能安全”，解决了基于电气／电子／可编程电子技术的 安全系统或装置的功能安全保障理论与实践问题，在 工业界引起强烈反响。功能安全保障技术，涉及机械 制造、流程工业、运输、医药、矿山等行业，是在安 全控制或安全保护系统设计、维护、运行等活动中规 范相关组织和人员的技术和行为，以达到防止各类装 置、机械、器械尤其是成套设备系统发生不可接受危 险的目的的技术。以安全完整性等级（ＳＩＬ）和全安 全生命周期管理为特色的该项安全保障技术实现了安 全技术和管理理论的一大突破。随后，不同应用领域 的功能安全标准陆续出台：ＩＥＣ ６１５１１、ＩＥＣ ６１５１３、 ＩＥＣ ６２０６１等，同时安全系统的子系统、设备功能安 全标准也开始出台，如ＩＥＣ ６１７８４－３等，ＩＥＣ功能安全 标准体系已基本形成。 ＩＥＣ ６１５０８、ＩＥＣ ６１５１１等标准发布后，欧洲首先 采用，美国于２００３年底开始采用。欧洲与美国将其列 为强制性法规的内容，一批专门从事功能安全评估、 ２２ 仪器仪表标准化与计量 ２０１０ ． ５ 安全控制技术 培训、认证的中介服务机构已经新兴了一个产业；具 备功能安全能力（ＳＩＬ １～
智能化系统初步配置方案 一、设计原则 1、智能化系统设计，应综合考虑项目投资额度的可控性、设备选型的灵活性、工程施工的可行性、系统功能的可扩展性、系统运行维护的便利性和物业管理 的规范性等要求。 2、智能化系统的设计应参照本要求，其配置标准不得低于”初步配置方案” 的要求，同时应有一定的升级和扩展能力，并预留相应的接口。 3、智能化系统设计除了满足国家标准与规范的相关规定，以及本标准基本配 置要求外，还应满足建筑、结构以及与智能化系统存在设计相关联的其他专业 的设计规范和要求，特别需要注意符合项目当地现行有关标准和规范的特殊要求。 4、智能化系统设计与工程项目建设地点的实际情况相适应。 5、智能化系统所采用的设备及线路材料等均应符合国家现行的规定，并具有 产品合格证、质量检验证书和产品须通过国家的CCC认证。 二、智能化系统基本配置要求 1、安全防范系统 a、安全防范系统包括闭路电视监控、防盗报警系统、门禁系统、电子巡更系统及无线对讲系统。 b、闭路电视监控系统主要设置重要出入口，如公共场所、重要房间、楼梯通道、楼层电梯通道、电梯轿厢、室外主干道及交叉路口等处，电梯轿厢安装电 梯专用监控镜头并加装抗干扰器，户外监控镜头须带有红外夜视功能。所有的 监控镜头全部采用网络彩色摄像机，采用矩阵主机切换至电视墙，录像以全天 实时高清图像质量保存至少30天（具体保存时间可按照当地派出所要求确定）。 c、防盗报警系统主要设置在财务室、档案室等重要房间，并设置手动报警开关或脚挑报警开关，要求闭路电视监控系统同时显示出报警地点画面。 d、重要设备机房、财务室、档案室等重要房间设置门禁系统。 e、电子巡更系统要求采用离线式，设置于重要机房、楼层楼梯口、电梯厅。 f、无线对讲系统要求具有可进行信道改写和信道加密功能，满足内部通讯需要。 g、各系统设备品牌须选用技术成熟，性能稳定可靠的产品。 2、通讯网络系统
设计说明 此为服装设计公司装饰设计的图纸，设计的出发点是要体现一个温馨，内敛、低调、包容、宽松的工作环境，摒弃以往的办公空间的那种紧张压抑的感觉。对于办公空间的设计应该通过充分了解企业文化，使办公空间的设计更具生命力，达到对人的激励，体现对企业多年文化沉淀的一种认知。只有充分了解和领悟企业类型和企业文化，才能设计出能反映该企业风格与特征的办公空间，使设计具有企业文化上的个性与生命。二是对企业内部机构设置及其相互联系的了解。熟悉企业内部机构才能确定各部门所需面积设置和规划好人流线路，另外事先了解公司的扩充性亦相当重要，这样可使企业在迅速发展过程中不必经常变动办公室流线。三是前瞻性设计。现代办公空间，电脑等设备不可缺，大型的办公室需使用网络系统，因此规划通讯、电脑及电源、开关、插座必须注意其整体性和实用性。四是勿忘舒适标准。办公空间设计，应尽量利用简洁的设计手法，要避免采用过去造型繁琐的细部装饰，过多过浓的色彩点缀，在规划灯光、空调和选择办公家具时，应充分考虑其适用性和舒适性。 此服装设计平面布局采用了蜂窝状的分布形式。包含了设计部、财务部、市场部、人力资源部、会议室、经理办公室、T台展示摄影部、裁剪区、卫生间等。对于服装设计公司追求平面布局的秩序感。设计中的秩序，是指形的反复、形的节奏、形的完整和形的简洁。办公室设计也正是运用这一基本理论来创造一种安静、平和与整洁的环境。比如家具样式与色彩的统一；平面布置的规整性；隔断高低尺寸与色彩材料的统一；天花的平整性与墙面不带花俏的装饰；合理的室内色调及人流的导向等。这些都与秩序密切相关，可以说秩序在办公室设计中起着最为关键性的作用。 设计的立面装饰没有用过材料。只用了黄绿色和黄褐色颜色的乳胶漆，来体现空间的明快，在装饰中明快的色调可给人一种愉快心情，给人一种洁净之感，同时，明快的色调也可在白天增加室内的采光度。目前，许多设计将明度较高的绿色引入办公室，这类设计往往给人一种良好的视觉效果，从而创造一种春意，这也是一种明快感在室内的创意手段。同时立面加入了很多小的装饰，例如飞镖盘，毛绒的小玩具等来增加生活的气息，营造一个温馨、放松的工作环境。 除了展示区和经理办公室铺设了木质地板，其他区域都是600*600的大理石地板。因为空间的吊顶是井字梁的所以有些空间增建了一层石膏吊顶。家具大部分都是木质的面板，金属的支架。看起来简洁明快又不乏设计感。 本设计借鉴了国外的设计元素，抛弃了以往办公空间的装饰风格。不再有过多的饰面装饰，而是用色彩来增加空间的设计感觉。用生活中的细节来体现空间的温馨和舒适。营造一种温馨，内敛、低调、包容、宽松的工作环境。
安全完整性(SIL)评测简介 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所 测量控制设备及系统实验室 功能安全中心 产品评测项目 2015.6 中国?北京 西城区广安门外大街甲397, 100055
1 机构简介 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所（简称ITEI）是中央直属的科研院所，主要负责国内仪表自动化的研究、测试和推广服务。功能安全技术研发中心（简称“功能安全中心”）是ITEI的技术部门之一，主要负责功能安全技术的研究，以及安全产品和系统的测试、评估等工作。功能安全中心拥有国内最权威的安全专家团队，其核心成员皆是IEC国际功能安全标准制订与修订的专家组成员，有着深厚的可靠性基础和工业安全经验。功能安全技术研发中心可提供培训、辅导、面向项目的咨询服务、工程安全分析工具、详细的产品确认和验证分析以及一系列的安全与可靠性资源 测量控制设备及系统实验室（简称MCDL）为中国合格评定国家认可委员会(简称CNAS)授权，可在国内开展相关标准的检验测试服务，并颁发CNAS认可的认证报告和证书。MCDL隶属于ITEI，其中功能安全产品相关的评测由功能安全中心负责开展，对经过评测的产品可以颁发安全完整性等级（SIL）适用性证书和报告。 2目的与范围 本评测项目主要针对单个的产品或零部件，本评测的目的是通过分析、检查、测试和现场审核等方式，证明产品是否具有相应的SIL 适用能力（包括SIL1/2/3/4）。 一般情况下，本评测依据的标准为三个部分：
功能安全基础标准——IEC61508（国标GB/T20438）； 行业领域功能安全标准，如IEC61511，ISO13849等； 产品标准，如产品的质量规范、国家/国际检测要求等； 通过这些要求来满足随机硬件失效量目标控制量和系统性失效控制的双重要求，因此在评测的过程中需考察产品设计过程中以下三个方面： 一、产品安全完整性技术论据（机械、电子、电气和软件等） 二、产品研发过程管理（研发流程、文档化、管理规程等） 三、产品生产质量管理过程 3 评测方式 在评测开始前，功能安全中心将成立专门的评测团队，负责本次项目的技术分析、测试和完成报告等工作。 在评测开始前，制造商需提供产品的详细设计资料（包括图纸、设计规范、元器件选型等），并成立专门的配合团队，包括产品的主要研发技术人员、管理人员和质量控制人员，这些人员需解答评估团队的问题，接受质询和开展测试，以此来证明产品的标准符合性。 4 评测流程 具体的评测计划见：XXX公司XXX产品安全完整性评测计划。
1SIL认证简介 SIL（Safety Integrity Level）-安全完整性等级。 SIL认证就是基于IEC 61508, IEC 61511, IEC 61513, IEC 13849-1, IEC 62061, IEC 61800-5-2等标准，对安全设备的安全完整性等级(SIL)或者性能等级(PL)进行评估和确认的一种第三方评估、验证和认证。功能安全认证主要涉及针对安全设备开发流程的文档管理(FSM)评估，硬件可靠性计算和评估、软件评估、环境试验、EMC电磁兼容性测试等内容。 欧洲电工标准化（CENELEC的缩写）委员会，欧洲三大标准化组织之一。 CENELEC 负责电子工程领域的欧洲标准化。CENELEC连同电信标准化（ETSI）和CEN（所有其他技术领域的标准化）形成了欧洲标准化体系。 SIL认证一共分为4个等级，SIL1、SIL2、SIL3、SIL4，包括对产品和对系统两个层次。其中，以SIL4的要求最高。 2主要标准 IEC 61508: 电气/电子/可编程电子安全相关系统的功能安全性 IEC61508标准规定了常规系统运行和故障预测能力两方面的基本安全要求。这些要求涵盖了一般安全管理系统、具体产品设计和符合安全要求的过程设计，其目标是既避免系统性设计故障，又避免随机性硬件失效。 IEC61508标准的主要目标为： · 对所有的包括软、硬件在内的安全相关系统的元器件，在生命周期范围提供安全监督的系统方法; · 提供确定安全相关系统安全功能要求的方法; · 建立基础标准，使其可直接应用于所有工业领域。同时，亦可指导其他领域的标准，使这些标准的起草具有一致性(如基本概念、技术术语、对规定安全功能的要求等); · 鼓励运营商和维护部门使用以计算机为基础的技术; · 建立概念统一、协调一致的标准架构和体系。 IEC61511: 过程工业领域安全仪表系统的功能安全要求 IEC61511是专门针对流程工业领域安全仪表系统的功能安全标准，它是国际电工委员会继功能安全基础标准IEC61508之后推出的专业领域标准，IEC61511在国内的协调标准为GB/T 21109。在过程工业中，仪表安全系统都被用来执行仪表安全功能，IEC61511标准解决了仪表应达到怎样的安全完整性和性能水平的问题。
现在很多人经常会遇到QQ空间打不开的情况，当然解决方法并不是绝对的，QQ空间打不开的情况有很多种，关于打不开QQ空间主要有以下九种解决方法，能够解决目前绝大部分打不开QQ空间的问题，可以根据你的情况，选用以下其中一种或者几种方法，当然，你首先得要确保你能正确的访问网络，可以正常的浏览网页，并且你的网管没有屏蔽腾讯的QQ网址 方法一：启用IE浏览器的ActiveX控件执行权限 1. 点击IE浏览器中的“工具”； 2. 选择“internet选项”； 3. 进入“安全”页面，点击“自定义级别”； 4. 对“对标记为可安全执行脚本的ActiveX控件执行脚本”设置为“启用”； 5. 关闭所有IE浏览器，重新打开浏览器再访问QQ空间。 方法二：腾讯官方解决打不开QQ空间的方法 1. 打开一个ie窗口； 2. 点击菜单栏中的“工具”； 3. 选择“interner”选项； 4. 在“常规”页面中点击“删除文件”； 5. 将“删除所有脱机内容”选中； 6. 点击确定； 7. 重新打开空间查看。 方法三：重新注册脚本组件库（此种解决打不开QQ空间的方法最常见有效） 1. 点击“开始”按钮，然后点击“运行”； 2. 在弹出的窗口中输入regsvr32 jscript.dll后选择“确定”； 3. 再次点击“开始”按钮，然后点击“运行”，再次输入regsvr32 vbscript.dll 选择“确定”； 4. 若两次输入都会有注册成功提示，说明您已成功修复您的IE组件； 5. 打开浏览器，选择菜单中的“工具”->“Internet选项”->“内容”->“自动完成”->将勾全部去掉->点击“清除表单”和“清除密码”->确定； 6. 再次打开IE浏览器，选择菜单中的“工具”->“Internet选项”->“高级”->“还原默认”->确定； 7. 关闭所有IE浏览器，重新打开QQ空间试试。 方法四：安装Flash播放器并启用ActiveX控件执行权限 1. 先去https://www.doczj.com/doc/0618616236.html,/flashplayer/?promoid=BUIGP下载Flash Player 然后安装； 2. 再打开IE菜单->工具->Internet选项->安全->自定义级别； 3. 找到“ActiveX”一栏分别选禁用--启用--禁用--启用--禁用--启用--启用； 4. 如果以上已做，还是打不开QQ空间，则按照下面步骤设置（可能是MSXML 的问题）； 5. 点击这里下载MSXML 4.0 Service Pack 2，然后安装； 6. 关闭所有IE浏览器，然后再重新打开QQ空间试试。
开放空间会议操作手册（简体版） 编撰/方雅慧 2010年6月 前言 开放空间会议背后的领导哲学，是一种去自我中心的领导方式。藉由打开空间来唤起参与者的自我管理精神，过程中讨论的节奏与主题由参与者来定义与主导，成员将在高度参与的过程中投入热情，并愿意承诺行动的责任。参与过开放空间汇谈的伙伴，一定也曾经验过在圆圈当中，人与人之间关系被打开、大家共同投入在所关切议题的共同体感受；同时也惊喜地看到一两天会议过程后，参与者共同产出的大量讨论纪录，甚至行动方案。 这个会谈方式运用一些简单的空间布置与汇谈流程的设计，开启了一般会议讨论模式中所无法创造的能量。仔细端倪会议现场，好似只有圆、呼吸、布告栏与市集这些简单的元素。但重点在于这些看似简单的元素所形构成的氛围（精神），才是卷动所有议题参与者的关键。有经验的引导者带着相信对话与人的可能的信念，创造与护持着讨论的氛围，或者精神。确实，开放空间会议和世界咖啡馆都赋予会议参与者较大的权力，那种取得发言权仗的能力感，可能引发更多的热情与深度参与。甚至，有些汇谈的经验，会让人有种重拾人际互动中最原初的本能与热情。我想，开放空间会议的讨论氛围会令人向往，一点都不意外。回顾我们过往在教育制度与科层化的组织情境中，太多制度性的钳制，以及工作与日常生活中权力不对等关系的生产与再生产，驯化我们成为只听不说的沉默者。藉由开放空间会议所划设的「时间与空间」，参与者经验到更开放的会议参与模式，或许能鼓励参与者更自主地回到自身的经验分享与表达。但最终极的关系改变，仍需回到组织生活中，去拓展平权对话的工作氛围。 作为一个促进跨组织与组织学习的成人教育工作者，我尝试探索如何运用开放空间会议的平
一、ISO26262是什么？ ISO26262从2005年11月起正式开始制定，经历了约6年的时间，已于2011年11月正式颁布，成为国际标准。ISO26262是IEC61508对E/E系统在道路车辆方面的功能安全要求的具体应用。它适用于所有提供安全相关功能的电力、电子和软件元素等组成的安全相关系统在整个生命周期内的所有活动。ISO26262主要用于安装在最大毛重不超过3.5吨的乘用车上的一个或多个E/E系统的安全相关系统。ISO26262唯一不适用于为残疾人设计的特殊目的车辆的E/E系统。ISO26262为汽车安全提供了一个生命周期（管理、开发、生产、经营、服务、报废）理念，并在这些生命周期阶段中提供必要的支持。该标准涵盖功能性安全方面的整体开发过程（包括需求规划、设计、实施、集成、验证、确认和配置）。 二、ISO26262主要包括哪些部分？ Part1:定义 Part2:功能安全管理 Part3:概念阶段 Part4:产品研发:系统级 Part5:产品研发:硬件级 Part6:产品研发:软件级 Part7:生产和操作 Part8:支持过程
Part9:基于ASIL和安全的分析 Part10:ISO26262导则 三、ISO26262能为我们带来什么？ 3.1提供了汽车生命周期(管理，研发，生产，运行，服务，拆解)和生命周期中必要的改装活动。 3.2提供了决定风险等级的具体风险评估方法(汽车安全综合等级，ASILs)。 3.3使用ASILs方法来确定获得可接受的残余风险的必要安全要求。 3.4提供了确保获得足够的和可接受的安全等级的有效性和确定性措施。 四、ISO26262认证前提条件？ 4.1适用于具有电力、电子和软件控制并组成安全相关系统的道路车辆产品的研发、生产、检测和服务有 关的企业。 4.2需要具体与之相关的项目产品，且项目产品具备全生命周期的管理控制实践记录。 4.3需要具备成熟能力的流程管理。 4.4产品需要具备安全设计、安全分析和安全测试评估报告。 4.5人员需要具备在流程管理和产品安全设计、分析等有关的资格能力。 五、ISO26262认证实施流程？
空间操作规程 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】
扬州光彩印务有限责任公司 有限空间安全操作规程 一、范围 本规程分析了有限空间作业过程中的危险因素，规定了安全操作要领及应急措施等技术要求。 本规程适用于公司有限空间操作过程中的安全作业。包括公司酱乳罐、酱 二、安全操作规程 1、按照先检测、后作业的原则，凡要进入有限空间危险作业场所作业，必须根据实际情况事先测定其氧气、有害气体、可燃性气体浓度，符合安全要求后，方可进入。在未准确测定氧气浓度、有害气体、可燃性气体的浓度前，严禁进入该作业场所。 2、确保有限空间危险作业现场的空气质量。氧气含量应在%以上，%以下。其有害有毒气体、可燃气体容许浓度必须符合国家标准的安全要求。 3、在有限空间危险作业进行过程中，应加强通风换气，严禁用纯氧进行通风换气，在氧气浓度、有害气体、可燃性气体的浓度可能发生变化的危险作业中应保持必要的测定次数或连续检测。 4、作业时所用的一切电气设备，必须符合有关用电安全技术操作规程。照明应使用安全矿灯或36伏以下的安全灯，使用超过安全电压的手持电动工具，必须按规定配备漏电保护器。 5、发现可能存在有害气体、可燃气体时，检测人员应同时使用有害气体检测仪表、可燃气体测试仪等设备进行检测。 6、检测人员应佩戴隔离式呼吸器，严禁使用氧气呼吸器。
7、有可燃气体存在的作业现场，所有的检测仪器，电动工具，照明灯具等，必须使用符合要求的防爆型产品。 8、作业人员进入有限空间危险作业场所作业前和离开时应准确清点人数。 9、进入有限空间危险作业场所作业，作业人员与监护人员应事先规定明确的联络信号。 10、如果作业场所的缺氧危险可能影响附近作业场所人员的安全时，应及时通知这些作业场所的有关人员。 11、严禁无关人员进入有限空间危险作业场所，并应在醒目处设置警示标志。 12、在有限空间危险作业场所，必须配备抢救器具，如：呼吸器具、梯子、绳缆以及其它必要的器具和设备，以便在非常情况下抢救作业人员。 13、在密闭容器内使用二氧化碳或氦气进行焊接作业时，必须在作业过程中通风换气，确保空气符合安全要求. 扬州光彩印务有限责任公司 2017年8月31日
关于IEC61508的功能安全认证项目FSCP（functional safety certification program）的认证进程 我刚刚结束一个安全继电器的工作，完成了TüV SüD的功能安全认证项目FSCP （functional safety certification program），拿下了国内首个德国TüV FS MARK。 我该如何开始呢？谁将提供的认证？在什么时候，没有一个认证机构需要参与进来？——这是开始认证过程时可能遇到的所有问题。 结合个人经历，我总结了认证项目的启动的正常进展，会分几次进行介绍： 第1步：充分了解市场信息，明确您的客户需要什么认证，是否需要一个独立的第三方的评估和认证。 第2步：认证机构介入后，它需要开始了解这个项目的概念。这个过程是一个沟通的过程，可以在项目的开始阶段就避免走上错误的道路。 一般认证公司都会建议功能安全项目从研发初始就开始开展认证评估就是这个原因。但是，会有不少的公司会选择先把产品样机完成后，才选择开始认证——后果...应该会有很大比例的项目，有从头再来的经历。 第3步：获得和认证相关的标准副本。认证机构会为研发工程师提供标准的解析，以帮助工程师理解标准。尽管如此，当您第一次开展FSCP时，这些工作还是漫长和繁重的。有能力的公司如果有可能可以让认证机构提供培训，以加速这个阶段的工作。 第4步：工程师依据相关标准的规定，比较项目内部流程（包括管理和技术活动）的差距；此时，认证机构在你的开发过程中提供的公正和独立的评估。 第5步：通过上述评估，在项目开始之前能够确定项目的差距。一般认证机构会建议项目团队进行一次功能安全培训项目，这样其实可以使项目组的每个成员都能充分了解功能安全认证体系的全貌，使大家都站在同一个起跑线上。 这个环节，其实我个人感觉很深。针对我们这个项目来说，项目进程中，特别是项目前期，我参加过很多培训，如莱茵的IEC61508和ISO13849的普及课程，械工业仪器仪表综合技术经济研究所的IEC61508培训等。这些培训在项目的初期的特定时期还是起了必要的