集成电路课程设计
目录
1 .引言 (1)
1.1 课题目的与意义 (1)
1.2 设计题目与要求 (1)
1.3 Tanner软件的介绍 (2)
2反相器设计 (2)
2.1 S-edit设计反相器 (2)
2.2反相器的瞬时分析 (3)
2.3反相器直流分析 (4)
3 L-edit画PMOS和NMOS布局图 (5)
3.1 L-edit的使用 (5)
3.2 使用L-Edit画PMOS布局图 (5)
3.3 使用L-Edit画NMOS布局图 (6)
3.4 使用L-Edit画基板节点元件 (7)
3.5 L-edit画反相器布局并作瞬时和直流分析 (7)
3.6使用LVS对比反相器 (8)
3.7关于功耗和延迟方面的计算 (9)
4.仿真注意事项 (11)
5 总结 (12)
参考文献 (13)
1 .引言
集成电路产业是信息产业的核心，在全球集成电路产业重心转移的背景下，中国集成电路产业取得了前所唯有的发展，为信息产业向纵深发展奠定了一定的基础。在全球集成电路竞争中，中国国产集成电路仍然处于较弱的地位，一方面供给无法满足中国电子整机产品的需求，另一方面则是自主创新能力不足。同时,也应看到中国集成电路产业发展的希望与契机,作为全球集成电路产业增长最快的地区和全球最具发展潜力的市场,伴随市场需求的扩张、产业规模的升级、技术水准的提高,该看到中国集成电路产业发展的希望。作为全球第三大集成电路市场中国占了20%的份额,而且产业发展速度和市场潜力在全球首屈一指。如今,由于我国集成电路产业还处于发展初期,富有经验的中高层工程，技术人才、设计人才及企业管理运营人才缺口很大。我国集成电路产业对专业设计、制造、营销、管理人才的需求量是25万一30万人,但目前国内这方面的人才数量远远不够。人才短缺,将成为制约我国集成电路产业快速发展的另一个瓶颈。然而，这也是作为一位学生，也是我们的机会，是我们为国家的集成电路信息安全做贡献的机会。让我们国家的集成电路不受外国掣肘。
1.1 课题目的与意义
本课程设计是《集成电路分析与设计基础》的实践课程，其主要目的是使学生在熟悉集成电路制造技术、半导体器件原理和集成电路分析与设计基础上，训练综合运用已掌握的知识，利用集成电路设计软件，初步熟悉和掌握集成电路芯片系统设计→电路设计及模拟→版图设计→版图验证等正向设计方法。掌握微电子技术人员所需要的基本理论和技能，日后从事集成电路设计工作打下基础。
通过此课程设计使学生对集成电路设计有了初步的认识认识并熟练使用集成电路相关软件，熟练集成电路设计的技能及规则等方面有重要意义。
1.2 设计题目与要求
1设计时使用的工艺及设计规则：MOSIS:mhp-s5；
2根据所用的工艺，选取合理的模型库；
3选用以lambda(λ)为单位的设计规则；
4全手工、层次化设计版图；
5达到指导书提出的设计指标要求。
1.3 Tanner软件的介绍
Tanner集成电路设计软件是由Tanner Research 公司开发的基于Windows平台的用于集成电路设计的工具软件。该软件功能十分强大，易学易用，包括S-Edit，T-Spice，W-Edit，L-Edit与LVS，从电路设计、分析模拟到电路布局一应俱全。其中的L-Edit版图编辑器在国内应用广泛，具有很高知名度。
L-Edit Pro是Tanner EDA软件公司所出品的一个IC设计和验证的高性能软件系统模块，具有高效率，交互式等特点，强大而且完善的功能包括从IC设计到输出，以及最后的加工服务，完全可以媲美百万美元级的IC设计软件。L-Edit Pro 包含IC设计编辑器(Layout Editor)、自动布线系统(Standard Cell Place & Route)、线上设计规则检查器（DRC）、组件特性提取器（Device Extractor）、设计布局与电路net list的比较器(LVS)、CMOS Library、Marco Library，这些模块组成了一个完整的IC设计与验证解决方案。L-Edit Pro丰富完善的功能为每个IC设计者和生产商提供了快速、易用、精确的设计系统。
2反相器设计
2.1 S-edit设计反相器
打开S-Edit程序，建立新的design（file-new-newdesign），取名为INV。新建一个CELL（cell-new view）。增加必要元件库（FILE-OPEN-Add l ibrary）。S-Edit本身附有多个元件库，分别是Devices、 LogicGates、 Misc、SPICE_Commands、 SPICE_Elements和IO_Pads等。增加相应元件库之后，可以在S-Edit左侧看到各库中元件，可以通过选择相应库中的元件并点击其下方的instance来引用该元件。从元件库引用模块：编辑反相器会用到NMOS、 PMOS、Vdd和GND四个模块，可从Devices、Misc元件库中引用新建一个CELL（cell-new view）。也可以增加必要元件库（FILE-OPEN-Addlibrary）。S-Edit编辑方式是以模块为单位而不是以文件为单位，一个文件中可以包含多个模块，而每一个模块则表示一种基本组件或者一种电路。每次打开一个新文件时便自动打开一个模块并命名为cell0也可以重命名模块名。方法是选择命令，在弹出的对话框中的输入符合实际电路的名称，如inv即可，之后单击OK按钮就可以。编辑反相器：移动各对象，正确连接相关节点。之后加入联机：完成各端点的信号连接（左键转向，右键终止）。然后加入输入输出端口：用输入端口按钮和输
出端口按钮。最后建立反相器符号（cell-update symbol）：可自动得到所画器件的基本符号。最终可以根据实际情况进行编辑得到满意的符号。结果反相器原理图设计如图1所示。
图1反相器原理图
2.2反相器的瞬时分析
打开以上设计中的反相器cell，将其另存为INV_tran，在此单元中进行以下操作。加入工作电源：在spice_element元件库中找到Voltagesource单元并引用，作为电路工作电压源（正端接Vdd,负端接Gnd）。右键点击该电压源，可以修改其各个属性，如电源性质（默认为直流电源）、名称等。加入输入信号：同样在spice_element元件库中找到Voltagesource单元并引用，作为反相器输入信号，（正端接输入端口IN,负端接Gnd）将电源性质改为pulse，并修改周期、脉宽、上升下降时间、名称等。在Spice Commands元件库中找到printvoltage 并引用，分别连接到in和out端。结果如图2所示。
图2反相器瞬时分析原理图
单击命令工具栏中的“开始”按钮，打开Run Simulation 对话框，如图示十二所示，选中Showing during 单选按钮，再单击Start Simulation 按钮，则会出现模拟状态窗口，并自动打开W-Edit 窗口，以便观察模拟波形如图3
图3瞬态分析结果图
2.3反相器直流分析
打开反相器cell ，将其另存为INV_DC ，在此单元中进行本节操作。加入工作电源：在spice_element 元件库中找到Voltagesource 单元并引用，作为电路工作电压源（正端接Vdd,负端接Gnd ）。加入输入信号：正端接输入端口In,负端接Gnd ，修改名称为Vin ，数值为1V 。在SpiceCommands 元件库中找到printvoltage 并引用，分别连接到in 和out 端，将Analysis 下拉框改为DC 。结果如图4所示。
图4反相器直流分析原理图
单击命令工具栏中的“开始”按钮，打开Run Simulation对话框，如图示十二所示，选中Showing during单选按钮，再单击Start Simulation按钮，则会出现模拟状态窗口，并自动打开W-Edit窗口，以便观察模拟波形如图5所示。
图5直流传输特性波形图
由上图可以看出随着输入信号的增大，反相器的工作状态可以分为5个阶段
来描述。即输入等于输出、输出缓慢减小（速率加快）、输出急剧下降、输出再
减小（速率变慢）和输出几乎为零五个阶段，与理论分析一致，分别对应N管截
止，P管饱和导通，N管饱和导通，P管非饱和导通，N管、P管都饱和导通，N
管非饱和导通，P管饱和导通，N管N管非饱和导通，P管截止。
3 L-edit画PMOS和NMOS布局图
3.1 L-edit的使用
打开L-Edit程序，保存新文件。取代设定（File－Replace Setup）。环境
设定（Setup－Design），选取图层。选择绘图形状绘制布局图。设计规则设定
（MOSIS/mhp-s5）和设计规则检查（DRC）。检查错误，修改（移动）对象。再
次进行设计规则检查。
3.2 使用L-Edit画PMOS布局图
用到的图层包括N Well，Active，N Select，P Select，Poly，Metal1，
Active Contact。绘制N Well图层：L-Edit编辑环境是预设在P型基板上，不
需定义P型基板范围，要制作PMOS，首先要作出N Well区域。根据设计规则中
Well区最小宽度的要求（10Lambda），可画出N Well区。绘制Active图层：
定义MOS管的范围。PMOS的Active图层要绘制在N Well图层之内。根据设计
规则要求，Active的最小宽度为3Lambda。可在N Well中画出Active图层。绘
制P Select图层：定义要布置P型杂质的范围。绘制前进行DRC可发现相应错
误（4.6 Not Existing: Not Selected Active）。绘制时注意遵守4.2b规则：Active to P-Select Edge最少2Lambda。同时还要注意pdiff层与N Well层要遵守2.3a（5Lambda）。结果如图6所示。
图6 PMOS布局图
3.3 使用L-Edit画NMOS布局图
用到的图层包括P Well，Active，P Select，N Select，Poly，Metal1， Active Contact。绘制N Well图层：L-Edit编辑环境是预设在P型基板上，不需定义P 型基板范围，要制作NMOS，首先要作出P Well区域。根据设计规则中Well区最小宽度的要求（10Lambda），可画出P Well区。绘制Active图层：定义MOS 管的范围。NMOS的Active图层要绘制在P Well图层之内。根据设计规则要求，Active的最小宽度为3Lambda。可在P Well中画出Active图层。绘制N Select 图层：定义要布置N型杂质的范围。绘制前进行DRC可发现相应错误（4.6 Not Existing: Not Selected Active）。绘制时注意遵守 4.2b规则：Active to N-Select Edge最少2Lambda。同时还要注意pdiff层与P Well层要遵守2.3a （5Lambda）。结果如图7所示。
图7 NMOS布局图
3.4 使用L-Edit画基板节点元件
编辑PMOS基板节点元件用到的图层包括N Well，N Select，Active，Active contact，Metal1。结果如图8所示。编辑NMOS基板节点元件用到的图层包括P Well，P Select，Active，Active contact，Metal1。结果如图9所示。
图8 PMOS基板节点元件布局图图9 NMOS基板节点元件布局图
3.5 L-edit画反相器布局并作瞬时和直流分析
复制、引用元件。设计规则检查并移动对象使之符合规则。引用Basecontactp元件和Basecontactn 元件，连接栅极Poly，连接漏极。绘制电源线：以Metal1图层表示，宽39格点，高5格点。标出Vdd和GND节点。连接电源与接触点：将PMOS左边接触点与 basecontactp的接触点用metal1与Vdd 电源相连接，而把NMOS左边接触点与basecontactn的接触点用metal1与GND 电源相连接。加入输入端口。需要metal2、Via、metal1、Poly contact、poly 几个图层才能将信号从Metal2传至poly层。加入输出端口。在连接PMOS与NMOS 漏极区的Metal1上绘制Via层与Metal2层，才能将信号从metal1传至metal2。更改元件名称，把成果转化为spice文件。进行T-spice仿真。结果如图10，图11所示。
图10反相器布局图图11仿真图
3.6使用LVS对比反相器
1打开LVS程序：执行在..\Tanner\LEdit82目录下的lvs.exe文件，或选择“开始”——“程序”——Tanner EDA——L-Edit Pro v8.2——LVS命令，即可打开LVS程序。
2打开文件：先打开要进行对比的两个反相器电路，inv.spc文件与inv.sp 文件，其中inv.spc文件是从第12章的L-Edit编辑的布局图inv组件（inv Cell）转化出的结果，而inv.sp文件是从第三章的S-Edit编辑的电路图inv模块（inv Module）输出成SPICE文件的结果。在LVS环境下，可选择File—Open，打开“打开”对话框，在“文件类型”下拉列表中选择Spice Files（*.sp*）选项。在“文件名”下拉列表中选择inv.sp文件与inv.Spc文件。
3修改文件：观察打开的inv.Spc文件与inv.sp文件，将.include设定修改。注意包含文件的路径不要加上引号。
4打开LVS新文件:在LVS环境下选择File--New命令，出现“打开”对话框，在其中的列表框中选择LVS Setup选项，再单击“确定”按钮。
5文件设定：在Setup1对话框中有很多项目需要设定，包括要对比的文件名称、对比结果的报告文件、要对比的项目等。先选择File选项卡来进行文件设定，在Input Files选项组的Layout net list文本框中输入自L-Edit转化出的inv.spc文件，在Schematic net list 123文本框中输入自S-Edit输出的inv.sp文件：在Output File选项组中的Output files文本框中输入对比结果的报告文件文件名，选中Node and element list复选框，并在其后的文本框中输入节点与组件对比结果的报告文件名，之后选中Overwrite existing output files。
6选项设定：选择Option选项卡来进行选项设定，选中其中的Operate in T-Spice syntax mode，单选按钮与Consider bulk nodes （substrate）during iteration matching复选框。
7高级参数设定：选择Advanced Parameter选项卡来做进一步的设定，在MOSFET Elements选项组中选中Lengths and widths复选框。
8执行设定：选择Performance选项卡进行设定。选择其中的单选按钮。
9显示设定：选择Verbosity Level选项卡来进行设定，选中其中的所有选
项。
10存储文件：设定完成后，存储LVS 的设定，选择File —Save 命令，存储Exl2.vdb 。
11执行对比：设定完成后开始进行inv.spc 文件与inv.sp 文件的对比，选择命令Verification-Run 命令可进行对比。
12修改电路：修改反向器布局图，使之转化后的NMOS 参数为22u ，PMOS 参数W 也为22u ，再进行LVS 对比，可以看到电路相等的结果。
3.7关于功耗和延迟方面的计算
反相器的N 管和P 管尺寸依据充放电时间tr 和tf 方程来求。关键点是先求出式中CL （即负载）。它的负载由以下三部分电容组成：①本级漏极的PN 结电容CPN ；②下级的栅电容Cg ；③连线杂散电容CS 。
①本级漏极的PN 结电容CPN 的计算CPN ＝Cj ×（Wb ）+Cjsw ×(2W+2b)其中Cj 是每um2的结电容，Cjsw 是每um 的周界电容，b 为有源区宽度，可从设计规则获取。如若最小孔为2λ×2λ，孔与多晶硅栅的最小间距为2λ，孔与有源区边界的最小间距为2，则取b ＝6λ。Cj 和Cjsw 可用相关公式计算，或从模型库选取，或用经验数据。其中采用的模型库参数如下所示：
25./109m F C N j -?= m F C N jsw /1025.510.-?=
24./10033.2m F C P j -?= m F C P jsw /10310.-?=
总的漏极PN 结电容应是N 管和P 管的总和，即：
注意：此处WN 和WP 都为国际单位
②栅电容Cg 的计算
C g ＝C g ，N ＋C g ，P ＝???? ??ox
ox N t A ε＋???? ??ox ox P t A ε＝（W N ＋W P ）L ???
? ??ox ox t ε 此处WN 和WP 为与本级漏极相连的下一级的N 管和P 管的栅极尺寸，近似取输出级WN 和WP 的尺寸。
将输出级N 管和P 管的宽长比：（W/L ）N=48和（W/L ）P=140代入公式进行计算，根据设计规则，λ=0.6μ，L=2λ=1.2μ，代入得：
()()F C g 135********.2103951085.89.310
6.0228096----?=???????+=
③连线杂散电容s C
C S ＝???
? ??ox ox t A ε
一般s g PN C C C 10≈+，可忽略s C 作用，因此可以得出：
13
991043.210332.110429.1---?+?+?=+=N g PN L W C C C
又因为：
()()()??????? ??--+???--??? ????=dd tn dd tn dd tn dd dd tn n n ox ox L f V V V V V V V V V W L t C t 2019ln 11.022με ()()()??
????? ??--+????--??? ????=?dd tp dd tp dd tp dd dd tp p p ox ox L r V V V V V V V V V W L t C t 2019ln 11.022με令f r t t =，并把L C 的值代入公式，根据f r t t =≤2nS 的条件，计算出N
W 和P W 的值。
即，错误！未找到引用源。
使错误！未找到引用源。=2nS，即
因此，
所以，内部反相器的尺寸为：
4.仿真注意事项
在仿真之前首先确保反相器画得没问题。
注意事项一：设定提取规则，extract setup
General选项中
1要设定提取时的设定文件，找到布局反相器的设定文件，lights.ext的位置。
2指定所提取文件的路径。这项随意。
Output选项中
关键是要设定SPICE include statement
指定一个写入文本作为输出网表文件的the second line。关于spice include statement的定义大家可以查看，help中的design Verification中的解释。定义中说这个文件通常是model or subcircuit file.经过搜索找到四五个以md格式的文件。等设定之后，就可以输出，然后用T-spice对输出的文件打开，打开之后，对Vdd Transition 等参数进行设定，并插入命令（insert command）。
5总结
两个星期的实训结束了，在这次实训中我收获颇丰，在此期间我学习了不少的新知识，还在实训中体会到了不少的感悟。在这次实训中，我学习了关于集成电路设计的CAD工具Tanner,这是一款功能强大的软件，可以帮助我们设计电路，分析电路，大大减少我们做出实物后的错误。在画出反相器的电路图之后，我们对其进行了瞬时分析直流分析等，这帮助我们更加了解各种器件的工作原理，提升对器件的理解。之后又进行了反相器的版图设计，经过一番的努力终于画出了反相器的版图，并且仿真了出来。
在这个过程中，我深深的体会到了理论联系实践这句话的含义。课本上的知识终究只是书面上的知识，不经过实践是变成不了自己的知识的。理论和实际还是有差距的，虽然自己感觉学的很不错了，但是如果真的让你去动手实践的话，还是错误百出。然而这正是实践的意义，查找自己的不足，从而更好的提升自己。
在这两周，我深深地感到了互相帮助的重要性，在学习的过程中，总会遇到自己不会而其他同学会的知识，这时去求教其他会的同学可以大大节省自己的时间，而且通过交流，可以让自己学到更多的知识。
参考文献
[1]贾新章，郝跃，吴玉广.微电子技术概论.北京：高等教育出版社，2004
[2]韩雁.专用集成电路设计基础.成都：电子科技大学出版社，2001
[3]王志功，沈永朝.集成电路设计基础.北京：电子工业出版社，2004
[4]侯建军.数字电子技术基础[M]. 高等教育出版社，2007，12
[5]薛忠杰.CMOS门电路延迟时间经验模型与估算[J].中国集成电路，总第33期
[6]王接枝,熊熙烈,吕岿,黄先恺,何锦军.CMOS触发器在CP边沿的工作特性研究
[7]朱正涌.半导体集成电路[M].北京:清华大学出版社,2001.01
中国集成电路产业研究报告 一、产业现状 根据魏少军教授在早前于珠海举办的ICCAD 2018公布的数据显示，从事集成电路设计的1698家中国企业中，有783家是从事消费类产品的研发的;然后有307家是从事通信相关的;模拟相关的则有210家。 但从营收上看，拥有最多集成电路设计公司的消费类芯片领域，却只贡献了整体营收的23.95%，远远落后于以智能手机为代表的通信领域的营的1046.75亿元。再看模拟和功率方面，这两个领域加的公司总数量其实是超过通信芯片公司的，但是营收却仅仅为通信芯片的21%。再看计算机芯片方面，虽然这个领域公司贡献的营收同比暴增了180.18%，但是营收与通信芯片领域相去甚远。 二、产业链 集成电路作为半导体产业的核心，市场份额达83%，由于其技术复杂性，产业结构高度专业化。随着产业规模的迅速扩张，产业竞争加剧，分工模式进一步细化。目前市场产业链为IC设计、IC制造和IC封装测试。 在核心环节中，IC设计处于产业链上游，IC制造为中游环节，IC封装为下游环节。 全球集成电路产业的产业转移，由封装测试环节转移到制造环节，产业链里的每个环节由此而分工明确。 由原来的IDM为主逐渐转变为Fabless+Foundry+OSAT。 （一）IC设计企业： 1、 EDA设计：三星、英特尔、SK海力士、美光、博通、高通、东芝、 德州仪器、英伟达、西部数据； 2、 IP设计：华为海思、展讯、RDA、华大半导体、大唐电信、国民技
术、汇顶科技、中星微电子、北京君正； （二）IC制造企业 台积电、美国格罗方德、台湾联华电子、韩国三星、上海中芯国际、力晶科技、TOWER JAZZ、台湾Vanguard、华虹宏力； （三）IC封测 1、封装企业，台湾日月光、美国安靠、江苏长电科技、台湾力成科技、甘肃天水华天、江苏南通通、富微电子、京元电子、联测 2、测试企业：台湾颀邦科技、富士通微电子、韩国Nepes、马来西亚Unisem、苏州晶方半导体科技、深圳气派科技、无锡华润安盛、广东风华芯电 三、产业规模 据中国半导体行业协会（CSI A）公布数据，2018年中国集成电路产业销售收入达6532亿元，同比增长20.7%，增速较2017年回落4.1个百分点，属较快的增长。 2014-2018年中国集成电路产值（亿元） 四、竞争格局 中国集成电路芯片设计企业的营收分布(按照产品领域划分)
集成电路设计 实验报告 时间：2011年12月
实验一原理图设计 一、实验目的 1.学会使用Unix操作系统 2.学会使用CADENCE的SCHEMA TIC COMPOSOR软件 二：实验内容 使用schematic软件，设计出D触发器，设置好参数。 二、实验步骤 1、在桌面上点击Xstart图标 2、在User name：一栏中填入用户名，在Host：中填入IP地址，在Password：一栏中填入 用户密码，在protocol：中选择telnet类型 3、点击菜单上的Run！，即可进入该用户unix界面 4、系统中用户名为“test9”，密码为test123456 5、在命令行中（提示符后，如：test22>）键入以下命令 icfb&↙(回车键)，其中& 表示后台工作，调出Cadence软件。 出现的主窗口所示： 6、建立库(library)：窗口分Library和Technology File两部分。Library部分有Name和Directory 两项，分别输入要建立的Library的名称和路径。如果只建立进行SPICE模拟的线路图，Technology部分选择Don’t need a techfile选项。如果在库中要创立掩模版或其它的物理数据（即要建立除了schematic外的一些view），则须选择Compile a new techfile(建立新的techfile)或Attach to an existing techfile(使用原有的techfile)。 7、建立单元文件(cell)：在Library Name中选择存放新文件的库，在Cell Name中输 入名称，然后在Tool选项中选择Composer-Schematic工具(进行SPICE模拟)，在View Name中就会自动填上相应的View Name—schematic。当然在Tool工具中还有很多别的
集成电路测试员实习报告 篇一：测控技术与仪器专业生产实习报告 测控技术与仪器专业 《生产实习报告》 一、实习概况 实习时间：XX.7.28-XX.8.8 实习地点：无锡市公共实训基地 实习要求：掌握如下的专业知识和技能并通过考核。 1.集成电路及测试常识 2.模拟集成电路测试原理、方法及设备详细构成； 3.集成电路主要参数及测试设备框架构成； 4.评估集成电路的具体技术指标； 5.集成电路测试实际操作。 二、实习企业介绍 北京信诺达泰思特科技股份有限公司成立于XX年11月，注册资本为632万人民币，主要从事集成电路测试系统的研发。在集成电路测试领域具有深厚的技术实力与市场储备，同时承接集成电路测试服务、电路板测试维修业务。公司是集研制、开发、销售、服务于一体的高新技术企业。由研发人员发明了“一种快速获取DSP测试向量的方法及装置”并取得国防专利证书。公司核心研发团队多年来一直从事半导体测试系统的研发工作，参与并完成的项目包括国家六.五
重点科技攻关项目“大规模/超大规模存储器集成电路测试系统研制”；国家“七五”、“八五”重点科技攻关项目“测试程序库的开发与实 用化”；北京市科学院“100M超大规模数字电路测试系统研制”项目等，以上项目均顺利通过验收。公司所研发的产品涵盖数字集成电路测试、模拟集成电路测试、数模混合集成电路测试、存储器测试、继电器测试、电源模块测试等，曾为多家封装测试企业、军工企业及科研院所提供产品及服务，广泛应用于航空、航天、铁路、船舶、兵器、电子、核工业等领域。还可以针对用户实际需求，量身为客户提供最优的测试解决方案。公司秉承“敬业、奉献、协同、创新”的精神，为客户提供高质高效的测试展品和服务。 三、实习内容 第一周： 7月28日上午我们来到无锡公共实训基地学习集成电路测试的相关知识。下午基地领导带我们参观了公司、介绍了相关产品。 产品描述： ST5000是一款高精度的半导体分立器件测试系统，该系统采用了标准的PXI总线，能够兼容CPCI和PXI设备。它是一款浮动资源的测试工作站，这种特殊的架构方式使得用户可以最有效的利用系统资源，配置出最经济、高效的测试
武汉大学教学实验报告 实验名称集成电路实验指导教师孙涛姓名王晓东年级08 学号2008301200188 成绩 一、预习部分 1．实验目的 2．实验基本原理 3．主要仪器设备（含必要的元器件、工具）
实验一：Shell命令与Solaris9桌面管理 一．实验目的 了解Sorlaris 平台发展历史，Unix 操作系统的主要三个部分。掌握Unix 的Shell 基本命令，公共桌面管理(Common Desk Environment)基本操作，Unix 的文件管理。 二．预备知识与实验原理 计算机基本知识，Unix 操作系统发展的历史、特点，基本UNIX Shell 文件管理命令（见本章第一节）。 三．实验设备与软件平台 Unix 服务器，工作站。 四．实验内容与要求 熟悉三种UnixShell，及基本文件管理命令行命令： 掌握UnixShell 的基本命令、使用、参数意义；并学会使用帮助； 熟悉Unix 文件管理系统； 基本掌握Sorlaris 公共桌面管理平台(CDE)。 五．实验步骤 1. 分别完成并熟练掌握如下实验内容（参阅第一节内容） Bourneshell($) Kornshell($) Cshell(%) ls 显示文件名 cd 目录转换 mkdir 创建目录 rmdir 删除目录 cp 文档复制 find 文件查找 vi 编辑器 geidt 编辑器 man 帮助 exit 系统退出 reboot 系统重启 pwd 显示当前路径 二、实验操作部分 1．实验操作过程（可用图表示） 2．结论
2. Sorlaris 操作系统的三个基本组成，熟悉命令行下的文件管理，子目录等。 3. CDE（公共桌面环境） （1）geidt 编辑文本文件 （2）在CDE 下运行可执行程序 （3）文件管理 思考题 1.简述UNIX 操作系统的三个组成部分。 答：UNIX 操作系统是基于文件的，其三个主要部分是Kernel(内核)、Shell、文件系统。Kernel是操作系统的核心，Shell是用户与kernel之间的接口。它就像是命令的解释器或翻译器。Solaris环境的文件结构是分层的目录树结构，类似于DOS的文件结构。2.简述UNIX 演化过程和特点。 答：最早的计算机都采用的是批处理的方式，耗费的时间和财力都比较大，为克服这一缺点，贝尔实验室研制了一种较为简单的操作系统即UNIX。随着许多商业机构和学术机构的加入，使UNIX得到了迅速的发展。直至今天拥有强大功能、性能良好的的UNIX 系统。 UNIX系统具有可移植性好、可靠性高、伸缩性强、开放性好、网络功能强、数据库支持强大、用户界面良好、文本处理工具强大而完美、开发环境良好、系统审计完善、系统安全机制强、系统备份功能完善、系统结构清晰、系统的专业性和可制定性强的特点。 3.何为UNIX shell？有那些常用shell 命令？ 答：UNIX Shell 是Unix 内核与用户之间的接口，是Unix 的命令解释器。常用的shell 命令有Bourne Shell（sh）、Korn Shell（ksh）、C Shell（csh）、Bourne-again Shell （bash）。 实验二：Tcl脚本命令与编程——从1到100的累加 一. 实验目的 掌握Tcl 基本命令，脚本编程的语法，数据类型、控制结构命令，以及基本Tcl 脚本 编程。 二. 预备知识与实验原理 见本章第二节，Tcl/Tk 脚本基础。 三. 实验设备与软件平台 UNIX 服务器一台，工作站数台，Tcl 8.3.2。 四. 实验要求 （1）掌握Tcl 的基本语法、命令结构。 （2）编写脚本程序实现1 到100 的累加。 五. 实验步骤 阅读第二节内容并完成如下实验：
精品范文-省集成电路产业发展调研报告_调研报告 省集成电路产业发展调研报告 集成电路（ic）产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核心与基础，是调整产业结构、保障国家信息安全的重要支撑。现代经济发展的数据表明，集成电路每1元的产值，可以带动电子工业10元、gdp100元的产值，对国民经济的发展有很高的贡献率。在欧、美、日等发达国家，以集成电路为核心的电子信息产业对gdp增长的贡献率大多在30%以上，成为国民经济的支柱。经过多年发展，我国已经成为世界最大、增长最快的集成电路市场，xx年集成电路进口额高达2271亿美元，为进一步加快产业发展，尽快实现确保国家信息安全的战略目标，xx年起，国家连续出台重大政策措施，全力支持集成电路产业发展壮大，国内各省市也竞相上马集成电路项目。在这种形势下，辽宁集成电路产业也迎来了历史性发展机遇。为进一步贯彻落实《中国制造2025辽宁行动纲要》，增添工业发展新动能，加快产业结构转型升级，我们对全省集成电路产业发展情况进行了专题调研，并结合实际提出相关建议，仅供参考。（一）、集成电路产业发展概况 （一）全球集成电路产业发展现状 xx年，全球集成电路市场规模为3389亿美元，同比增长（1）、62%。全球集成电路产业主要分布在北美、欧洲、日本和亚太地区，美、日、韩、荷兰和中国台湾仍然占据着产业高端地带。其中，美国、日本分别是全球第（一）、第二大集成电路强国，热门思想汇报美国在芯片设计、晶元制造和封装测试等全产业链发展上全面领先，日本在基础材料和ic设备（集成电路装备）方面优势明显；荷兰在核心设备光刻机方面已形成技术垄断；韩国是全球主要的集成电路制造国；台湾则在晶圆代工规模和设计方面有一定优势。当前，集成电路生产水平已达7nm，接近摩尔定律极限，但阶段性技术瓶颈的出现，并未制约产业发展。伴随芯片设计和制造模式不断创新，芯片应用范围已由简单的机电和pc设备，实现了向人工智能和物联网等领域的无限拓展，全球集成电路产业迎来了又一轮发展浪潮。（二）国内集成电路产业发展现状 为推动国内集成电路产业加快发展，xx年6月，国务院正式批准发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，成立了以国家领导人为组长的国家集成电路产业发展领导小组，同年9月设立了规模超过1300亿元的国家集成电路产业发展专项基金，自此我国集成电路产业进入高速发展的新阶段。xx 年，全国集成电路产业完成销售额433（5）、5亿元，同比增长20.1%。在规模上，形成以长三角、珠三角、环渤海和中西部地区为主的四大发展区域。其中，以上海、江苏、浙江为重点的长三角地区，TOP100范文排行占全国产业比重约为5（5）、4%；以北京、天津为重点的环渤海地区，占全国产业比重约为1（9）、1%；以广州、深圳为重点的珠三角地区，占全国产业比重约为xx.9%；湖北、四川、安徽等中西部地区，占全国产业比重约为（10）、6%。在技术上，北京是设计实力强大的综合性基地；上海是拥有完备产业链的制造基地；深圳则依托庞大市场，聚焦设计和应用；武汉在专项资金、税收、人才引进等方面制定了优惠政策，初步形成了从设计到封装测试的全产业链。上述地区都把加快发展集成电路产业作为抢占新兴产业战略制高点的重要举措，以提升区域核心竞争能力。 （三）我省集成电路产业发展现状 全省集成电路产业主要集中在沈阳、大连两市，截至目前，全省拥有集成电路相关企业近100家，产业涵盖集成电路设计、制造、封装测试、装备制造以及相关材料等领域。预计2xx年实现主营业务收入xx0亿元，同比增长120%以上，形成了一定的产业规模，具备进一步发展的产业基础和条件。集成电路芯片制造业。英特尔12英寸65纳米芯片厂是我省目前最大的芯片制造项目，该芯片厂晶圆年产能60多万片(按2500块/片折算，集成电路产能超过15亿块)。今年全年，预计英特尔产值同比增长190%左右。此外，中国电科集团四十七所拥有完备的集成电路制版、芯片加工等技术和手段，以小批量军品为主要市场，产品包括微控制器/微处理器及其接口电路、专用集成电路、存储器电路、厚膜混合集成电路等；沈阳仪表科学研究院拥有一条完整的4英寸硅基力敏传感器芯片中试生产线。罕王微电子（辽宁）正在建设8英寸mems高端智能传感器芯片生产线，工作总结现设备已全部到位，正进行产线安装调试。 ic设备制造业。我省ic设备与北京、上海形成三足鼎立，关键零部件制造技术全国第一。在ic装
《集成电路设计》课程设计实验报告 （前端设计部分） 课程设计题目：数字频率计 所在专业班级：电子科 作者姓名： 作者学号： 指导老师：
目录 （一）概述 2 2 一、设计要求2 二、设计原理 3 三、参量说明3 四、设计思路3 五、主要模块的功能如下4 六、4 七、程序运行及仿真结果4 八、有关用GW48－PK2中的数码管显示数据的几点说明5（三）方案分析 7 10 11
（一）概述 在电子技术中，频率是最基本的参数之一，并且与许多电参量的测量方案、测量结果都有十分密切的关系，因此频率的测量就显得十分重要。测量频率的方法有多种，数字频率计是其中一种。数字频率计是计算机、通讯设备、音频视频等科研生产领域不可缺少的测量仪器，是一种用十进制数字显示被测信号频率的数字测量仪器。数字频率计基本功能是测量诸如方波等其它各种单位时间内变化的物理量。在进行模拟、数字电路的设计、安装、调试过程中，由于其使用十进制数显示，测量迅速，精确度高，显示直观，经常要用到频率计。 频率计的基本原理是应用一个频率稳定度高的时基脉冲，对比测量其它信号的频率。时基脉冲的周期越长，得到的频率值就越准确。通常情况下是计算每秒内待测信号的脉冲个数，此时我们称闸门时间是1秒。闸门时间也可以大于或小于1秒，闸门的时间越长，得到的频率值就越准确，但闸门的时间越长则每测一次频率的间隔就越长，闸门时间越短，测的频率值刷新就越快，但测得的频率精度就受影响。 本文内容粗略讲述了我们小组的整个设计过程及我在这个过程中的收获。讲述了数字频率计的工作原理以及各个组成部分，记述了在整个设计过程中对各个部分的设计思路、程序编写、以及对它们的调试、对调试结果的分析。 （二）设计方案 一、设计要求： ⑴设计一个数字频率计，对方波进行频率测量。 ⑵频率测量可以采用计算每秒内待测信号的脉冲个数的方法实现。
集成电路制造生产实习报告 一．工艺原理 1.氧化 在集成电路工艺中，氧化是必不可少的一项工艺技术。自从早期人们发现硼、磷、砷、锑等杂质元素在SiO2的扩散速度比在Si中的扩散速度慢得多， SiO2膜就被大量用在器件生产中作为选择扩散的掩模，并促进了硅平面工艺的出现。同时在Si表面生长的SiO2膜不但能与Si有很好的附着性，而且具有非常稳定的化学性质和电绝缘性。因此SiO2在集成电路中起着极其重要的作用。 在平导体器件生产中常用的SiO2膜的生长方法有:热生长法、化学气相沉积法、阴极溅射法,HF一HNO3气相钝化法、真空蒸发法、外延生长法、阳极氧化法等。在深亚微米IC制造中，还发展了快速加热工艺技术。选择何种方法来生SiO2层与器件的性能有很大关系。 SiO2在器件中可以起到的作用有作为MQS器件的绝缘栅介质；作为选择性掺杂的掩模；作为缓冲层；作为绝缘层；作为保护器件和电路的钝化层等。 Si的氧化过程是一个表面过程，即氧化剂是在硅片表面处与Si原子 起反应，当表面已形成的SiO 2 层阻止了氧化剂与Si的直接接触，氧化剂 就必须以扩散的方式穿过SiO 2层、到达SiO 2 一Si界面与Si原子反应，生 成新的SiO 2层，使SiO 2 膜不断增厚，同时SiO 2 一Si界面向Si内部推进. 2.扩散 在一定温度下杂质原子具有一定能量，能够克服阻力进入半导体并在
其中做缓慢的迁移运动。 扩散的形式有：替代式扩散和间隙式扩散；恒定表面浓度扩散和再分布扩散。 扩散方式：气态源扩散、液态源扩散、固态源扩散。 扩散方式：气态源扩散、液态源扩散、固态源扩散 扩散工艺主要参数：1.结深：结距扩散表面的距离叫结深。2.薄层电阻3.表面浓度：扩散层表面的杂质浓度。 .结深：x R j s ρ= 浓度：][),(21 )(20Dt x erfc N t x N =（余误差） 费克第一定律：x t x N D t x J ??-=),(),(（扩散粒子流密度，D 粒子的扩散系数） 杂质扩散方程（费克第二定律）：22),(),(x t x N D t t x N ??=?? 费克定律的分析解：1.恒定表面浓度扩散，在整个过程中杂质不断进入硅中，而表面杂质浓度s N 始终保持不变。余误差：][),(21 )(20Dt x erfc N t x N =
集成电路设计综合实验 题目：集成电路设计综合实验 班级：微电子学1201 姓名： 学号：
集成电路设计综合实验报告 一、实验目的 1、培养从版图提取电路的能力 2、学习版图设计的方法和技巧 3、复习和巩固基本的数字单元电路设计 4、学习并掌握集成电路设计流程 二、实验内容 1. 反向提取给定电路模块（如下图1所示），要求画出电路原理图，分析出其所完成的逻辑功能，并进行仿真验证；再画出该电路的版图，完成DRC验证。 图1 1.1 查阅相关资料，反向提取给定电路模块，并且将其整理、合理布局。 1.2 建立自己的library和Schematic View（电路图如下图2所示）。 图2 1.3 进行仿真验证，并分析其所完成的逻辑功能（仿真波形如下图3所示）。
图3 由仿真波形分析其功能为D锁存器。 锁存器:对脉冲电平敏感，在时钟脉冲的电平作用下改变状态。锁存器是电平触发的存储单元，数据存储的动作取决于输入时钟（或者使能）信号的电平值，当锁存器处于使能状态时，输出才会随着数据输入发生变化。简单地说，它有两个输入，分别是一个有效信号EN,一个输入数据信号DATA_IN，它有一个输出Q，它的功能就是在EN有效的时候把DATA_IN的值传给Q，也就是锁存的过程。 只有在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号。其中使能端A 加入CP信号，C为数据信号。输出控制信号为0时，锁存器的数据通过三态门进行输出。所谓锁存器，就是输出端的状态不会随输入端的状态变化而变化，仅在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号到来时才改变。锁存，就是把信号暂存以维持某种电平状态。 1.4 生成Symbol测试电路如下(图4所示) 图4
计算机专业生产实习报告 一、摘要 1、通过理论联系实际，巩固所学知识，提高实际动手能力，提高处理实际问题的能力。 2、了解实际工作的具体流程和需要掌握的知识以及应用方法。 3、发现自己知识缺乏的方面，及时进行补充，为将来顺利进入社会工作做好准备。 二、关键词 计算机组装CPU主板硬盘内存光驱机箱。 三、正文 1、实习日记 四月二十九号我们开始参加生产实习，老师安排了实习前的认识培训，让我们观看了关于硬件试验所必需了解的常识的录像带，比如说：台式组装计算机所具备的几大部件，各大部件的主要功能以及性能指标等等。实习中的笔记总结为： 4月29号-30号（硬件实习第一天、第二天） 这两天其实也没动手去拆机装机，只是先叫大家学习一下拆机装机的基本必备知识，所以，学院统一安排看拆机装机视频，当然，学到了很多东西，看不到的东西。平时虽说在这方面有积累，但归咎
是表面的，一些细节及一些原理自己是没有总结出来，而通过看这两次视频补充了自己在这方面的缺陷。让我看后得到最多的不是流程，而是原因，比如，在以前，只知道哪根线往哪插，那个设备该怎么样放置，完完全全的是靠死记硬背性的，可通过这两天的学习，不仅让我知道了这些，更让我知道了为什么要这样做，这样做的意义何在，利弊是什么，该怎么样去防止及保护等等以前看不到的知识，使我受益匪浅！ 5月8号-9号（硬件实习第三天、第四天） 说实话，只有这两的实习才真正的体验了一下拆机装机的过程，可这毕竟来自前两天的准备工作。虽然说拆机装机早在自己的机子上做过"实验"了，但在这里有不一样的地方。 一是拆机装机气氛不一样，大家也是讨论的很激烈，问同学，问老师，总要问个为什么，可见大家的兴趣及高。 二是这些古董机子几乎大家都没见过，就像我们这一组，CPU 还是卡插式的，整了半天才卸下来，大家也对这玩意很感兴趣，拿着到处研究，当然，给装机带来了好多麻烦，因为没见过，所以在以前的实习中没装过，也就造成了现在不会装的后果。 拆机装机分组，大约3-5人为一组，每组里有自己的"高手"带头，第一天的拆机装机先由每组中的高手示范，第二天才由剩下的人拆装。高手在示范时不光是头低下一直拧螺丝，还要讲解一些注意事项，而低手，在装机时要按照高手的指示去做，老实交待了，他会转着检查，还可能提问，如果哪一组有问题，对低手没什么处分，而
实验 3 使用T-Spice 进行单元电路的瞬时分析3.1 实验目的及要求 1．进一步熟悉Tanner Pro 软件中T-Spice 软件的使用； 2．掌握使用T-Spice 分析简单电路的方法与操作流程，从而学会分析较为复杂的逻辑电路。 3.2 实验内容 3.2.1 反相器瞬时分析 （1）打开S-Edit，由于本实例中所使用的电路需要在反相器电路的基础上进行适当修改，为不影响后面的版图设计，同学们可以建立新文件EX3，将EX2 中反相器模块复制到EX3 文件中，再打开加入电源进行适当修改即可。反相器电路设计较为简单，在此只是教大家掌握复制模块的方法，希望大家掌握。 （2）复制inv 模块方法如下：先打开实验 2 中设计的“EX2.sdb”。进行复制前必须回到EX3 文件环境，方法为选择Module－>Open 命令，打开Open Module 对话框，在Files下拉列表中选择EX3，单击OK 回到EX3 环境，才能进行复制模块操作。选择Module－>Copy命令，打开Copy Module 对话框，在下拉列表中选择EX2 选项，在Select Module To Copy列表中选择inv 选项，单击OK 按钮即可。 （3）加入工作电源：inv 模块在电路设计模式下，选择Moudle－>Symbol Browser 命令，在Library 列表框中选择spice 组件库，其中有很多电压源符号，选取直流电压源Source_v_dc 作为此电路的工作电压源。直流电压源Source_v_dc 符号有正（+）端与负（－）端。在inv 模块编辑窗口中直流电压源有两种接法可以直接连线接到原电路图的Vdd 与Gnd，也可另外复制两个Vdd 与Gnd（Ctrl＋C 复制Ctrl＋V 粘贴）接到电压源正负极，虽然两个全域符号Vdd 与Gnd 符号分开放置，但两个分离的Vdd 符号实际上是接到同一个节点，而两个Gnd 符号也是共同接地的。 （4）加入输入信号：选择Moudle－>Symbol Browser 命令，在Library 列表框中选择spice 组件库，选取脉冲电压源Source_v_pulse 作为反相器输入信号，将脉冲电压源Source_v_pulse 符号的正端接输入端口in，负端接Gnd，编辑完成。为避免文件混杂且便于分辨可将原模块名称改为“inv_tran”，方便日后应用于其他的分析中。 （5）输出成SPICE 文件：此操作有两种方法前面已经介绍过了，可以直接单击S-Edit右上方的按钮，则会自动输出成SPICE 格式并打开T-Spice 程序。 (6)加载包含文件:由于不同的流程有不同的特性,在模拟之前必须要引入MOS 组件的模型文件,此模型文件内有包括电容电阻系数等数据,以供T-Spice 模拟之用。本实验是引用 1.25um 的CMOS 流程组件模型文件“m12_125.md”。鼠标移至主要电路前，选择Edit－>Insert Command 命令或点击，打开T-Spice Command Tool 对话框，在左边列表框中选择Files选项。此时窗口将出现3个选项，单击Include Files按钮，点击下方的CreateCommand 按钮，在\tanner EDA\T-Spice Pro\models 下找到m12_125.md 文件，点击InsertCommand 添加即可。添加完成出现如下指令：.include “C:\ProgramFiles\Tanner EDA\T-Spice Pro\models\ml2_125.md”
我国集成电路行业分析报告 一、行业概述 （一）行业定义 根据《国民经济行业分类》，集成电路业（Integrated Circuit，英文缩写为IC，行业分类代码4053）是指单片集成电路、混合式集成电路和组装好的电子模压组件、微型组件或类似组件的制造，包括半导体集成电路、膜集成电路、集成电路芯片、微型组件、集成电路及微型组件的零件。 （二）行业分类 集成电路行业分类方法很多，从制造流程来看，集成电路的制造流程主要经过集成电路设计、制造、封装测试等环节，因此集成电路行业也分为集成电路设计、集成电路制造、集成电路封装测试等三个子行业。 （三）行业特点 1、产业规模迅速扩大，行业周期波动趋缓 集成电路作为信息产业的基础和核心，具有很高的渗透性和高附加值特性，由于其倍增效应大，各国对该行业都极为重视，发达国家和许多新兴工业化国家和地区竞相发展，使得这一行业的规模迅速扩大。 全球集成电路产业一直保持着周期性的上升与下降，主要特点是：平均每隔四至五年一个周期，国际集成电路市场呈现周期性的繁荣与下降衰退，几乎每隔十年出现一个大低谷或者大高峰。人们称这种周期性变化为“硅周期”。供求关系的变化是硅周期存在的主要原因，全球经济状况也强烈影响着集成电路产业的周期变化。 2、技术密集度高，工艺进步疾速如飞 技术进步是推动集成电路产业不断发展的主要动力之一，工艺技术持续快速发展，带动了芯片集成度持续迅速的提高，单元电路成本呈指数式降低。集成电路技术进步遵循摩尔定律，即集成电路芯片上的晶体管数目，约每18个月增加1倍，性能也提升1倍，而价格降低一半；集成电路晶体管技术的特征尺寸平均每年缩小到0.7倍或每两年0.5倍。 3、资本密集度不断加大，规模经济特征明显 集成电路行业的投资强度和技术门槛越来越高，设备费用和研发费用都非常大。一条12英寸集成电路前工序生产线投资规模超过15亿美元，产品设计开发成本上升到几百万美元乃至上千万美元。企业的资金实力和技术创新能力成为竞争的关键。集成电路的芯片产量和性能飞速提高，而芯片的平均成本却在不断下降，因此只有依靠大规模生产，实现规模经济，才能降低单位成本，实现盈利。随着技术不断进步，集成电路行业的资本密集度将不断增强。 4、专业分工是方向，竞争与协作并存 在集成电路发展早期，主要是由一些大的公司和研究机构参与，因此商业模式上以IDM （Integrated Device Manufacturers，即集成设备制造商）为主，其特征是经营范围覆盖IC设计、芯片制造、封装测试，甚至下游的终端产品制造。如三星、英特尔、德州仪器、东芝、意法半导体等，全球前二十大半导体厂商大多为IDM厂商。 随着行业的发展，产业链上IC设计、芯片制造、封装、测试各环节的技术难度不断加大，进入门槛不断提升，产业链开始向专业化分工方向发展。专业分工带来三大优势：第一、成本更省（台积电成本可以做到英特尔的一半）；第二、协助行业内公司专注于擅长的环境（规模效应）；第三、解决巨额投资门槛（更多公司进入上游芯片设计环节）。 二、政策环境 集成电路产业作为国防安全和经济发展的支柱产业，国家从政策上给予了高度重视和大力支持，推动加大资金投入力度，加快行业创新与发展，对集成电路行业实施税收优惠等，主要法规、政策及内容见下表：
北京邮电大学 实验报告 实验题目：cmos模拟集成电路实验 姓名：何明枢 班级：2013211207 班内序号：19 学号：2013211007 指导老师：韩可 日期：2016 年 1 月16 日星期六
目录 实验一:共源级放大器性能分析 (1) 一、实验目的 (1) 二、实验内容 (1) 三、实验结果 (1) 四、实验结果分析 (3) 实验二:差分放大器设计 (4) 一、实验目的 (4) 二、实验要求 (4) 三、实验原理 (4) 四、实验结果 (5) 五、思考题 (6) 实验三：电流源负载差分放大器设计 (7) 一、实验目的 (7) 二、实验内容 (7) 三、差分放大器的设计方法 (7) 四、实验原理 (7) 五、实验结果 (9) 六、实验分析 (10) 实验五：共源共栅电流镜设计 (11) 一、实验目的 (11) 二、实验题目及要求 (11) 三、实验内容 (11) 四、实验原理 (11) 五、实验结果 (14) 六、电路工作状态分析 (15) 实验六：两级运算放大器设计 (17) 一、实验目的 (17) 二、实验要求 (17) 三、实验内容 (17) 四、实验原理 (21) 五、实验结果 (23) 六、思考题 (24) 七、实验结果分析 (24) 实验总结与体会 (26) 一、实验中遇到的的问题 (26) 二、实验体会 (26) 三、对课程的一些建议 (27)
实验一:共源级放大器性能分析 一、实验目的 1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法； 2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真； 3、输入共源级放大器电路并对其进行DC、AC分析，绘制曲线； 4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响 二、实验内容 1、启动synopsys，建立库及Cellview文件。 2、输入共源级放大器电路图。 3、设置仿真环境。 4、仿真并查看仿真结果，绘制曲线。 三、实验结果 1、实验电路图
精选范文:半导体公司实习报告（共6 篇）为期第三个月的实习结束了，我在这三个月 的实习中学到了很多在课堂上根本就学不到的知识，受益非浅。现在我就对这个月的实习做一个工作小结。实习是每一个大学毕业生必须拥有的一段经历，他使我们在实践中了解社会，让我们学到了很多在课堂上根本就学不到的知识，也打开了视野，长了见识，为我们以后进一步走向社会打下坚实的基础。实习使我开拓了视野，实习是我们把学到的理论知识应用在实践中的一次尝试。实习时把自己所学的理论知识用于实践，让理论知识更好的与实践相结合，在这结合的时候就是我们学以致用的时候，并且是我们扩展自己充实自己的时候。实习期间，我利用此次难得的机会，努力工作，严格要求自己，遇到不懂的问题就虚心地向师傅们请教，搞清原理，找到方法，然后再总结经验，让自己能很快融入到工作中去，更好更快的完成任务。同时我也利用其他时间参考一些书籍、搜索一些材料来完善自己对策划管理工作的认识，这也让我收获颇多，让我在应对工作方面更加得心应手。格公司是在1997 年经历千辛万苦独立出来自主经营的公司，已经有十三多年的发展历史，成为集研制、生产、销售、技术培训于一体，拥有高精度电脑控制机械加工中心等全套加工设备的大型专业包装设备制造厂。目前主要生产驱动类集成ic 与光电鼠标等，产品包括：动和半自动轮转循环，机械有d/b 与w/b ，这些机械都是日本、美国高科技的技术。具有高精度、高效率、先进的自动模切机、dbing 机、wbing 机等。该半导体厂的组织机构设置很简练。主要是总经理副总经理主管管理各个部门。由于矽格公司的设备很先进，在生产线上不会像往常的工厂那样满布工人，主要是某三五个人负责工作流程。这对我了解该工厂的生产流程提供了方便。该厂生产的ic 依据季节可以算得上的需求稳定，是属于定单供货型的生产。由于产品的质量要求和技术含量要求都很高，因此，生产周期也比较长，单次产品需求的数量也不大。同时，每台产品的价格非常昂贵，在万元以上。生产部门主要包括，采购，技术，生产，供应。我被安排在技术生产部工作。但其工作并不是坐在办公室悠闲地搞技术，而是跟住生产随时跑，没得座，出现问题就及时解决。实习期间，刚好该厂正是定单最鼎盛时候，也就是历年来定单最多的一年，生产进行得如火如荼。我在跟随生产部门工作的时候，方才发现，生产这部门，在企业中极其重要。它是一个公司的根源，其他的管理基层都是辅助生产高效率生产。质量是企业的第一信誉，是产品的形象。公司严把质量关，这就掌握了企业的未来。该公司正是怀着这种信念，检验程序相当严格，不合格的产品严格反工甚至对员工、调试工、组长进行罚款等处分。通过这次实习，我学会了不少东西。实践出真知啊。 ［半导体公司实习报告（共6篇）］篇一：半导体公司实习报告 半导体公司实习报告 为期 ［半导体公司实习报告（共6 篇）］单次产品需求的数量也不大。同时，每台产品的价格非常昂贵，在万元以上。生产部门主要包括，采购，技术，生产，供应。我被安排在技术生 产部工作。但其工作并不是坐在办公室悠闲地搞技术，而是跟住生产随时跑，没得座，出现问题就及时解 决。 实习期间，刚好该厂 正是定单最鼎盛时候，也就是历年来定单最多的一年，生产进行得如火如荼。我在跟随生产部门工作的时 候，方才发现，生产这部门，在企业中极其重要。它是一个公司的根源，其他的管理基层都是辅助生产高效 率生产。 质量是企业的篇二： 半导体公司实习报告 实习时间： 2015.03.06~ 今
CMOS放大器设计实验报告 一、实验目的 1.培养学生分析、解决问题的综合能力； 2.熟悉计算机进行集成电路辅助设计的流程； 3.学会适应cadence设计工具； 4.掌握模拟电路仿真方法 6.掌握电子电路、电子芯片底层版图设计原则和方法； 7.掌握使用计算机对电路、电子器件进行参数提取及功能模拟的过程； 8.熟悉设计验证流程和方法。 二、实验原理 单级差分放大器结构如下图所示： 在电路结构中，M2和M3组成了NMOS差分输入对，差分输入与
单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰；M0和M1电流镜为有源负载，可将差分输入转化为单端输出；M5管提供恒定的偏置电流。三、实验要求 设计电路使得其达到以下指标： 1.供电电压： 2.输入信号：正弦差分信号 3.共模电压范围为 4.差分模值范围 5．输出信号：正弦信号 6.摆率大于 7.带宽大于 8.幅值增益： 9.相位裕度： 10.功耗： 11.工作温度： 四、差分放大器分析
1、直流分析 为了使电路正常工作，电路中的MOS管都应处于饱和状态。 1.1 M2管的饱和条件: 1.2 M4管的饱和条件: 2.小信号分析 小信号模型如下：
由图可得： 2．1 增益分析 其中 2.2 频率响应分析由小信号模型易知： 其中 3．电路参数计算3．1确定电流 根据摆率指标：
根据功耗指标易知： 根据带宽指标： 综上，取: 3.2宽长比的确定 M4与M5：电流源提供的电流为，参数设为，根据电流镜原理，可以算出 M2与M3： 带入数据可得 取值为20，则取 M0与M1：这两个PMOS管对交流性能影响不大，只要使其下方的
2018年集成电路行业 研究报告 2018年1月
目录 一、集成电路景气持续回升，中国发展速度领跑全球 (7) （一）半导体是信息社会和现代工业的根基 (7) （二）半导体产业在自西向东转移过程中加速升级 (7) 1、设计、制造、封测环节构成半导体核心产业链 (7) 2、半导体产业发展催生新型业务模式 (8) 3、半导体产业已经历两次产业转移 (10) （1）集成电路产业起源于美国 (11) （2）日本凭借DRAM夺得集成电路产业市场份额 (11) （3）韩国把握市场，台湾专注分工 (11) （4）中国正迎来第三次产业转移机遇 (12) （三）行业景气度持续回升，中国市场迅速成长 (12) 1、全球集成电路市场稳定增长 (12) 2、我国集成电路产业快速增长，领跑全球 (14) （四）中国芯亟需中国造，国产化任重道远 (15) 1、关系安全，芯片当自给自足 (15) 2、我国集成电路产业过度依赖进口 (16) （五）政策支持，产业发展迎来新机遇 (17) （六）资金助力，产业发展获新动力 (18) 1、国家成立集成电路产业投资基金 (18) 2、地方政府成立产业投资基金规模已超3000亿 (20) 二、设计环节快速成长，存储及新兴领域是发展重点 (21) （一）全球IC设计发展整体向好 (21) 1、全球IC设计产业销售额呈上升趋势 (21) 2、我国IC设计产业发展状况蒸蒸日上，但仍伴随结构性问题 (24) （二）国家和地方纷纷出台政策，支持IC设计业发展 (27) （三）IC产业发展重创新，大基金未来将更加关注设计环节 (28) （四）存储器需求爆发带动了本轮半导体产业景气回升 (30)
集成电路工艺认识实习报告 1.专题一MEMS（微机电系统）工艺认识 1.1 重庆大学微系统研究中心概况 重庆微光机电工程技术研究中心依托于重庆大学，主要合作单位有中国电子科技集团公司第二十四研究所等。中心主要从事MEMS设计、研发及加工关键技 术研究、产业化转化和人才培养。 中心建立了面向西南地区的“MEMS器件及系统设计开发联合开放实验室，拥有国际先进的MEMS和CMOS电路设计及模拟软件，MEMS传感器及微型分析仪 器的组装和测试设备。 1.2主要研究成果 真空微电子压力传感器、集成真空微电子触觉传感器、射频微机械无源元件、硅微低电压生化分析系统、折衍混合集成微小型光谱分析仪器、全集成硅微二维加速度传感器、集成硅微机械光压力传感器、硅微加速度阵列传感器、硅微力平衡电容式加速度传感器、反射式混合集成微型光谱分析系统、微型振动式发电机系统、真空微电子加速度传感器 1.3微系统中心主要设备简介 1.3.1. 反应离子刻蚀机 1.3.2双面光刻机 1.3.3. 键合机 1.3.4. 探针台
1.3.5. 等离子去胶机 1.3.6. 旋转冲洗甩干机 1.3.7. 氧化／扩散炉 1.3.8. 低压化学气相淀积系统 1.3.9. 台阶仪 1.3.10. 光学三维形貌测试仪 1.3.11. 膜厚测试仪 1.3.1 2. 感应耦合等离子体（ICP）刻蚀机
1.3.13. 箱式真空镀膜机 1.3.14. 槽式兆声清洗机 1.3.15.射频等离子体系统 1.4MEMS的主要特点 体积小，重量轻，材料省，能耗低；完整的MEMS一般是由微动力源、微致动器、微传感器组成，智能化程度高，集成度高；MEMS整体惯性小，固有频率高，响应快，易于信号实时处理；由于采用光刻、LIGA等新工艺，易于批量生产，成本低；MEMS可以达到人手难于达到的小空间和人类不能进入的高温，放射等恶劣环境，靠MEMS的自律能力和对微机械群的遥控，可以完成宏观机械难于完成的任务。 1.5MEMS器件的应用 1.5.1 工业自动控制领域 应用MEMS器件对“温度、压力、流量”三大参数的检测与控制，目前普遍采用有微压力、微流量和微测温器件 1.5.2生物医学领域 微型血压计、神经系统检测、细胞组织探针和生物医学检测，并证实MEMS器件具有再生某些神经细胞组织的功能。
哈尔滨理工大学数字集成电路设计实验报告 学院：应用科学学院 专业班级：电科12 - 1班 学号：32 姓名：周龙 指导教师：刘倩 2015年5月20日
实验一、反相器版图设计 1.实验目的 1）、熟悉mos晶体管版图结构及绘制步骤； 2）、熟悉反相器版图结构及版图仿真； 2. 实验内容 1）绘制PMOS布局图； 2）绘制NMOS布局图； 3）绘制反相器布局图并仿真； 3. 实验步骤 1、绘制PMOS布局图： (1) 绘制N Well图层；(2) 绘制Active图层； (3) 绘制P Select图层； (4) 绘制Poly图层； (5) 绘制Active Contact图层；(6) 绘制Metal1图层； (7) 设计规则检查；(8) 检查错误； (9) 修改错误； (10)截面观察； 2、绘制NMOS布局图： (1) 新增NMOS组件；(2) 编辑NMOS组件；(3) 设计导览； 3、绘制反相器布局图： (1) 取代设定；(2) 编辑组件；(3) 坐标设定；(4) 复制组件；(5) 引用nmos组件；(6) 引用pmos组件；(7) 设计规则检查；(8) 新增PMOS基板节点组件；(9) 编辑PMOS基板节点组件；(10) 新增NMOS基板接触点； (11) 编辑NMOS基板节点组件；(12) 引用Basecontactp组件；(13) 引用Basecontactn 组件；(14) 连接闸极Poly；(15) 连接汲极；(16) 绘制电源线；(17) 标出Vdd 与GND节点；(18) 连接电源与接触点；(19) 加入输入端口；(20) 加入输出端口；(21) 更改组件名称；(22) 将布局图转化成T-Spice文件；(23) T-Spice 模拟； 4. 实验结果 nmos版图