周测2 半导体二极管
一、单项选择题(每题2分,共20分)
（）1．二极管正向电阻比反向电阻________
A．大B．小C．一样大D．无法确定
（）2．二极管的导通条件________
A．V D>0B．V D>死区电压
C．V D>击穿电压D．以上都不对
（）3．晶体二极管内阻是________
A．常数B．不是常数
C．不一定D．没有电阻
（）4．电路如图所示,输出电压U O应为________
A．0,7V
B．3,7V
C．10V
D．0,3V
（）5．把一个二极管直接同一个电动势为1. 5V,内阻为零的电池正向连接,该二极管________ A．击穿B．电流为零
C．电流正常D．电流过大使管子铙坏
（）6．面接触器型晶体二极管比较适用于________
A．小信号检波B．大功率整流
C．大电流开关D．稳压电路
（）7．下面列出的几条曲线中哪条表示的理想二极管的状安特性曲线________
（）8．当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是________
A．少数载流子B．多数载流子
C．既有少数裁流子又有多数载流子D．无法确定
（）9．硅二极管的导通电压是________
A．0.3V B．0.1V C．0.7V D．0.5V
（）10．二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线。
A．V D—I D B．V D—R D C．I D—R D D．F—I D
二、判断题(每题2分,共20分)
（）1．2AP系列品体管是硅半导体材料制成。
（）2．晶体二极管击穿后立即烧毁。
（）3．一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门坎电压)小于储晶体二极管的死区电压。（）4．二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定。
（）5．普通二极管正常使用时,不允许出现反向击穿现象。
（）6．二极管的内阻不是常数,所以其属于非线性器件
（）7．最大整流电流是指二极管长时间工作时允许通过的最大电流、
（）8．在反向截止区．随着反向电压的增加，反向电流迅速变大。
（）9．硅二极管比锗二极管的稳定性要好。
（）10．最高反向工作电压是指二极管正常使用时所允许加的反向电压。
三、填空题（每题2分，共20分）
1．硅二极管导通时的正向压降为________，锗二极管导通时的正向压降为________。
2．二极管的导电特性可分为________特性和________特性两部分。。
3．根据管芯结构的不同，二极管可分为________接触型、________接触型和________型几种。
4．二极管处于反向偏置时，呈现的内阻________，可等效开关________。
5．二极管的反向饱和电流会随________升高而增大。
6．二极管的正向特性部分分为________区和________区。
7．2AP系列品体二极管是________半导体材料制成的，P代表是________。
8．二极管的主要参数是反映正向特性的________和反映反向特性的________。
9．二极管的伏安特性反映的是二极管的________关系曲线。
10．硅二极管的死区电压是________V，锗二极管的死区电压是________V。
四、简答题（每题5分，共20分）
1．绘出硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，井标出各区。
2．为什么说二极管是非线性器件。
3．选用二极管时主要考虑哪些参数，这些参数的含义。
4．为什么二极管可以作为一个开关案使用。
五、分析题（每题10分，共20分）
1．分析图示电路中，二极管是导通还是截止，并求输出AO两点间的电压值。(设二极管为理想二极管)
2．图示电路中，二极管是导通还是截止,并求输出AO两点问的电压值。(二极管的导通电压值为0.7V)