ULN2003
L I NEAR I NTEGRATED CI RCUI T
HIGH VOLTAGE AND HIGH CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
DESCRIPTION
The
ULN2003is a monolithic high voltage and high current
Darlington transistor arrays.It consists of seven NPN darlington pairs that features high-voltage outputs with common-cathode clamp diode for switching inductive loads.The collector-current rating of a single darlington pair is 500mA.The darlington pairs may be parrlleled for higher current capability.Applications include relay drivers,hammer drivers,lampdrivers,display drivers(LED gas discharge),line drivers,and logic buffers.
The ULN2003has a 2.7k ?series base resistor for each darlington pair for operation directly with TTL or 5V CMOS devices.
FEATURES
*500mA rated collector current(Single output)*High-voltage outputs:50V
*Inputs compatibale with various types of logic.*Relay driver application
DIP-16
1B 2B 3B 4B 5B 6B 7B E
1C 2C
3C
4C 5C 6C
7C COM
C
ULN2003
L I NEAR I NTEGRATED CI RCUI T
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Colletor-Emitter Voltage V CE 50V Input Voltage
V I 30A Peak Collector Current Io 500mA Total Emitter-terminal I OK 500mA Power Dissipation Pd 950Tamb=25°C 495Tamb<85°C
mW mW Operating Temperature Topr -20~+85°C Storage Temperature
Tstg
-65~+150
°C
Note:All volatge values are with repect to the emitter/substrate terminal E,unless otherwise noted.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C,unless otherwise specified)
Characteristic
Test Figure
Symbol Test Conditions
Min Typ Max
Units
V CE =2V,Ic=200mA
2.4V CE =2V,Ic=250mA 2.7On-state Input Voltage 6
V I(ON)V CE =2V,Ic=300mA
3
V
I I =250μA,Ic=100mA
0.9 1.1I I =350μA,Ic=200mA
1 1.3Collector-Emitter Saturation
Voltage
5
V CE(SAT)I I =500μA,Ic=350mA
1.2
1.6V
1V CE =50V,I I =0
50Collector Cutoff Current 2I CEX V CE =50V,I I =0,Ta=70°C 100
μA Clamp Forward Voltage 8V F I F =350mA
1.72
V Off-state Input Current
3I I (OFF)V CE =50V,I C =500mA,Ta=70°C 50
65μA
Input Current 4I I V I =3.85V 0.95
1.35mA V R =50V
50Clamp Reverse Current 7I R V R =50V,Ta=70°C 100
μA Input Capacitance --C I V I =0,f=1MHz
1525pF Propagation delay time,low-to-high-level output 9t PLH 0.251μs Propagation delay time,high-to-low-level output 9t PHL 0.25
1
μs High-level output Voltage after
switching
10
V OH
Vs=50V,Io=300mA
Vs-20
mV
ULN2003
L I NEAR I NTEGRATED CI RCUI T
TEST CIRCUITS
Figure 1ICEX Test Circuit Figure 2ICEX Test Circuit
Figure 3II(off)Test Circuit Figure 4II(on)Test Circuit
Note:II is fixed for measuring VCE(sat),variable for measuring HFE.
Figure 5HFE,VCE(sat)Test Circuit
Figure 6VI(on)Test Circuit
ULN2003
L I NEAR I NTEGRATED CI RCUI T
F
Figure 7
IR Test Circuit Figure 8VF Test Circuit
INPUT Figure 9.Propagation Delay Time Waveforms
Input Note:A.The Pulse generatoe has the following characteristics:PRR=12.5kHz,Zo=50?
B.CL includes proble and jig capacitance.
Figure https://www.doczj.com/doc/0e4138723.html,tch-up Test Circuit and Voltage Waveforms
ULN2003
L I NEAR I NTEGRATED CI RCUI T
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
0.51.0
1.5
2.0
2.5
Collector-Emitter saturation Voltage
vs.Collector Current
C o l l e c t o r -E m i t t e r s a t u r a t i o n V o l t a g e ,V C E (s a t )(V )
Collector-Emitter saturation Voltage
vs.Total Collector Current Input Current,Ii(μA)0
100200
300400
500
C o l l e c t o r C u r r e n t ,I c (m A )
Duty Cycle,(%)
ULN2003
L I NEAR I NTEGRATED CI RCUI T
TYPICAL APPLICATION CIRCUIT
V
Lamp test
TTL to Load
V
Use of pullup Resistor to increase drive Current
This datasheet has been downloaded from: https://www.doczj.com/doc/0e4138723.html, Datasheets for electronic components.
ULN2003 L I NEAR I NTEGRATED CI RCUI T HIGH VOLTAGE AND HIGH CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY DESCRIPTION The ULN2003is a monolithic high voltage and high current Darlington transistor arrays.It consists of seven NPN darlington pairs that features high-voltage outputs with common-cathode clamp diode for switching inductive loads.The collector-current rating of a single darlington pair is 500mA.The darlington pairs may be parrlleled for higher current capability.Applications include relay drivers,hammer drivers,lampdrivers,display drivers(LED gas discharge),line drivers,and logic buffers. The ULN2003has a 2.7k ?series base resistor for each darlington pair for operation directly with TTL or 5V CMOS devices. FEATURES *500mA rated collector current(Single output)*High-voltage outputs:50V *Inputs compatibale with various types of logic.*Relay driver application DIP-16 1B 2B 3B 4B 5B 6B 7B E 1C 2C 3C 4C 5C 6C 7C COM C
1.1 查看/更改控制器属性 依照以下步骤查看和更改控制器属性。 1.单击WebBIOS主界面中的“Controller Selection”，显示当前控制器信息。 说明： 控制器信息分布在两个页面上，可通过单击“Next”和“Back”进行切换。 图2-42 控制器信息界面 2.在控制器信息的第二个页面单击“Next”进入控制器属性界面，如图2-43所示。 说明：
1.控制器属性分布在两个页面上，可通过单击“Next”和“Back”进行 切换。 2.通过“Link Speed”项可进行链路速率设置，如图2-44所示。 图2-43 控制器属性界面 图2-44 设置链路速率
对控制器属性进行设置后，可以单击“Submit”保存设置，或单击“Reset”返回默认值。 1.2 查看/更改虚拟磁盘属性 1.单击WebBIOS主界面中的“Virtual Drives”进入虚拟磁盘选项界 面，如图2-45所示。 图2-45 虚拟磁盘选项界面 选择“Properties”进入虚拟磁盘属性界面，如图2-46所示。 图2-46 虚拟磁盘属性界面
1.在“Properties”信息框中列出了虚拟磁盘的RAID 等级、状态、容量、条带尺寸等信息。 2.在“Policies”信息框中类列出了存储配置创建时设定的虚拟 磁盘配置策略。 3.在“Operations”信息框中列出了允许对虚拟磁盘进行的操作。 在“Operations”信息框中选择要执行的操作，单击“Go”执行。具体选择项介绍如下： 注意： 请在更改虚拟磁盘配置之前确认虚拟磁盘上的数据已经做好备份。 0.Virtual Drive Erase：擦除虚拟硬盘中所有用户自定义信息， 有Simple、Normal和Thorough三种方式。 1.Delete：删除虚拟硬盘。 2.Locate：使能当前虚拟硬盘对应的实际物理硬盘的LED灯，并 闪烁。本功能只在硬盘已被正确安装在硬盘托架中，并支持SA FTE时可用。
前言 感谢您选用曙光服务器，配置曙光服务器SAS RAID卡前请详细阅读本手册。 本手册主要介绍了RAID的功能以及对各RAID级别进行了解释；同时对于曙光服务器中的SAS RAID卡的配置进行了说明。 本手册主要包括如下三个部分： 一、RAID简介及各RAID级别介绍； 二、对基于LSI ROC1078芯片的RAID卡的配置、操作系统下的管理工具的安装使用进行了介绍； 三、对基于Adaptec SAS RAID卡的配置、作系统下的管理工具的安装使用进行了介绍。 版权所有 ?2006 曙光信息产业有限公司。 本手册受版权法保护，本手册的任何部分未经曙光信息产业有限公司授权，不得擅自复制或转载。 本手册中提到的信息，如因产品升级或其他原因而导致变更，恕不另行通知。 “Lsilogic”及图标是LSI公司的注册商标。 “Adaptec”及图标是Adaptec公司的注册商标。 其他注册商标均由其各自的商标持有人所有。
目录 前言--------------------------------------------------------------------------------1第一章 Raid技术简介---------------------------------------------------------3 1 Raid技术简介------------------------------------------------------------------------------------------3 2 Raid级别简介------------------------------------------------------------------------------------------3 3 Raid各级别的对比------------------------------------------------------------------------------------8 4 Raid术语简介------------------------------------------------------------------------------------------8 第二章 LSI Raid配置及管理软件介绍-----------------------------------12 2.1 LSI Raid WebBIOS Configuration Utility配置向导------------------------------------------12 2.1.1 WebBIOS Configuration Utility简介---------------------------------------------------12 2.1.2 如何进入WebBIOS Configuration Utility--------------------------------------------12 2.1.3 WebBIOS Configuration Utility 存储配置--------------------------------------------14 2.1. 3.1 自动配置：-------------------------------------------------------------------------------15 2.1. 3.2 自定义配置：----------------------------------------------------------------------------15 2.1.4 设置热备盘（Hot Spare）---------------------------------------------------------------17 2.1.5查看及修改相关配置信息----------------------------------------------------------------19 2.2 MegaRaid Storage manager 管理软件安装与使用-------------------------------------------23 2.2.1 MegaRaid Storage manager在Windows下的安装----------------------------------24 2.2.2 MegaRaid Storage manager配置与使用-----------------------------------------------28 2.2.3 MegaRaid Storage manager 管理软件在Linux系统下的安装与使用--------35 第三章 Adaptec Raid配置及管理软件介绍------------------------------36 3.1 Adaptec Configuration Utility配置向导--------------------------------------------------------36 3.1.1 Array Configuration Utility---------------------------------------------------------------37 3.1.2 SerialSelect Utility--------------------------------------------------------------------------43 3.1.3 Disk Utilities---------------------------------------------------------------------------------44 3.1.4 View the Event Log------------------------------------------------------------------------44 3.2 Adaptec Storage Manager 管理软件安装与使用---------------------------------------------45 3.2.1 Adaptec Storage manager在Windows下的安装-------------------------------------45 3.2.2 Adaptec Storage Manager配置与使用-------------------------------------------------48 3.2.3 Adaptec Storage manager在Linux下的安装与使用--------------------------------55
适用于Perc3/SC/DC/QC Perc4/DC/DI Perc4E/DI/DC 使用新配置（文档中的配置方法仅供参考） 配置热备（hotspare）请点击这里 https://www.doczj.com/doc/0e4138723.html,/cn/zh/forum/thread.asp?fid=19&tid=31778 注意：对阵列以及硬盘操作可能会导致数据丢失，请在做任何操作之前，确认您的数据已经妥善备份！！！ New Configuration（新配置）选项允许将逻辑驱动器与多个物理阵列相关联（阵列跨接）。注意：选择New Configuration（新配置）选项将擦除所选控制器上现有的配置信息。要使用跨接功能并保持现有的配置，应使用View/Add Configuration（查看/添加配置） 1.从Management Menu（管理菜单）中选择Configure（配置）。 2.选择Configure（配置）-> 这里建议选择view/add Configuration。如果是新配置，就选择new configuration. 阵列选择窗口显示与当前控制器相连接的设备。屏幕底部显示热键信息。
热键具有以下功能：
ULN2003A引脚图及功能 一、集成电路简介： ULN是集成达林顿管IC，内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管，可用来驱动继电器。它是双列16脚封装,NPN晶体管矩阵,最大驱动电压=50V,电流=500mA,输入电压=5V,适用于TTL COMS,由达林顿管组成驱动电路。 ULN是集成达林顿管IC,内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管,它的输出端允许通过电流为200mA，饱和压降VCE 约1V左右，耐压BVCEO 约为36V。用户输出口的外接负载可根据以上参数估算。采用集电极开路输出，输出电流大，故可直接驱动继电器或固体继电器，也可直接驱动低压灯泡。通常单片机驱动ULN2003时，上拉2K的电阻较为合适，同时，COM引脚应该悬空或接电源。 ULN2003是一个非门电路，包含7个单元，但独每个单元驱动电流最大可达350mA.资料的最后有引用电路，9脚可以悬空。 比如1脚输入，16脚输出，你的负载接在VCC与16脚之间，不用9脚。 二、ULN2003的特点及作用 ULN2003是大电流驱动阵列,多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中，可直接驱动继电器等负载。输入5VTTL电平，输出可达500mA/50V。
ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅NPN达林顿管组成。该电路的特点如下: ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器。 ULN2003 是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。 三、ULN2003A引脚图及功能 ULN2003 是高耐压、大电流、内部由七个硅NPN 达林顿管组成的驱动芯片。 经常在以下电路中使用，作为： 1、显示驱动 2、继电器驱动 3、照明灯驱动 4、电磁阀驱动 5、伺服电机、步进电机驱动等电路中。 ULN2003 的每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。 四、技术参数
此文档为自行整理，非官方提供资料，仅供参考。疏漏之处敬请反馈。 对RAID进行操作很可能会导致数据丢失，请在操作之前务必将重要数据妥善备份，以防万一。 名称解释： Disk Group：磁盘组，这里相当于是阵列，例如配置了一个RAID5，就是一个磁盘组 VD(Virtual Disk)：虚拟磁盘，虚拟磁盘可以不使用阵列的全部容量，也就是说一个磁盘组可以分为多个VD PD(Physical Disk)：物理磁盘 HS：Hot Spare 热备 Mgmt：管理 【一】，创建逻辑磁盘 1、按照屏幕下方的虚拟磁盘管理器提示，在VD Mgmt菜单（可以通过CTRL+P/CTRL+N切换菜单），按F2展开虚拟磁盘创建菜单 2、在虚拟磁盘创建窗口，按回车键选择”Create New VD”创建新虚拟磁盘
3、在RAID Level选项按回车，可以出现能够支持的RAID级别，RAID卡能够支持的级别有RAID0/1/5/10/50，根据具体配置的硬盘数量不同，这个位置可能出现的选项也会有所区别。 选择不同的级别，选项会有所差别。选择好需要配置的RAID级别（我们这里以RAID5为例），按回车确认。
4、确认RAID级别以后，按向下方向键，将光标移至Physical Disks列表中，上下移动至需要选择的硬盘位置，按空格键来选择（移除）列表中的硬盘，当选择的硬盘数量达到这个RAID级别所需的要求时，Basic Settings的 VD Size中可以显示这个RAID的默认容量信息。有X标志为选中的硬盘。 选择完硬盘后按Tab键，可以将光标移至VD Size栏，VD Size可以手动设定大小，也就是说可以不用将所有的容量配置在一个虚拟磁盘中。如果这个虚拟磁盘没有使用我们所配置的RAID5阵列所有的容量，剩余的空间可以配置为另外的一个虚拟磁盘，但是配置下一个虚拟磁盘时必须返回VD Mgmt创建（可以参考第13步，会有详细说明）。 VD Name根据需要设置，也可为 空。 注：各RAID级别最少需要的硬盘数量，RAID0=1 RAID1=2 RAID5=3 RAID10=4 RAID50=6 5、修改高级设置，选择完VD Size后，可以按向下方向键，或者Tab键，将光标移至Advanced Settings处，按空格键开启（禁用）高级设置。如果开启后（红框处有X标志为开启），可以修改Stripe Element Size大小，以及阵列的Read Policy与Write Policy，Initialize处可以选择是否在阵列配置的同时进行初始化。 高级设置默认为关闭（不可修改），如果没有特殊要求，建议不要修改此处的设置。
ULN2003管脚排列如下图所示：ULN2003的内部结构和功能 ULN是集成达林顿管IC，内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管，可用来驱动继电器。它是双列16脚封装,NPN晶体管矩阵,最大驱动电压=50V,电流=500mA,输入电压=5V,适用于TTL COMS,由达林顿管组成驱动电路。ULN是集成达林顿管IC,内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管,它的输出端允许通过电流为200mA，饱和压降VCE 约1V左右，耐压BVCEO 约为36V。用户输出口的外接负载可根据以上参数估算。采用集电极开路输出，输出电流大，故可直接驱动继电器或固体继电器，也可直接驱动低压灯泡。通常单片机驱动ULN2003时，上拉2K的电阻较为合适，同时，COM引脚应该悬空或接电源。 ULN2003是一个非门电路，包含7个单元，但独每个单元驱动电流最大可达350mA.资料的最后有引用电路，9脚可以悬空。 比如1脚输入，16脚输出，你的负载接在VCC与16脚之间，不用9脚。 uln2003的作用： ULN2003是大电流驱动阵列,多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中。可直接驱动继电器等负载。 输入5VTTL电平，输出可达500mA/50V。 ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅NPN达林顿管组成。该电路的特点如下: ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器。 ULN2003 是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。 ULN2003A引脚图及功能
海康威视磁盘阵列使用说明 一.登录 1.存储系统默认登录账户为：web_admin 密码为：123 2.登录时应以高级模式登录 二.设定IP SAN的访问IP 管理员可以通过与存储设备相互连通的网络，来设置IP SAN的访问IP。存储设备分为管理网口和数据网口，可以通过管理网口或者数据网口连接管理PC 连接管理网口后，用户可以将用来进行存储管理的设备IP改为同网段的IP，确认网络连接正常后，便可以在IE中输入：https：//192.168.10.138：2004来登录IP SAN的管理界面。 一.网络配置 下图是系统正常登录后的界面，如图1所示 图1 1.进入系统后，可以首先进入网络管理，在进入网络管理界面后首先要进行网口绑定：点击“绑定管理”按钮，在弹出的界面选择要绑定的网口且绑定模式为“虚拟化”，在点击“创建绑定”并确认绑定成功 2.接下来就是“网口管理”，网口管理即就是修改系统IP
地址，进入网口管理界面如图2所示：可在此修改系统的访问IP地址 图2 二.创建RAID 1.网络管理之后就是RAID管理，首先要创建阵列，进入“阵列创建”界面，如图3所示 图3
输入阵列名称，并将阵列类型选为RAID5，然后在可用物理盘中勾选至少3块盘创建阵列，选好后点击“创建阵列”即可。 2.第二步则要进行“阵列重构”，阵列重构是对于已经存在的阵列中，某个物理盘出现不稳定或者出现故障的情况下，为了拯救出故障硬盘中的数据而设定的，从而达到保护数据和恢复阵列的完整性。但，前提是系统中存在可用的物理盘，并且和出故障的硬盘容量大小相同。如图4所示 图4 初始时候阵列自动重构状态默认是关闭的，首先我们要开启自动重构然后输入阵列名称并选择1块可用物理盘，点击“重构阵列”（阵列重构一般是在有故障盘的时候才会用到）
曙光Raid配置手册 一、曙光服务器Raｉd配置说明 1。1、Raｉd配置途径 本手册适用于曙光天阔Ｉ６40r—G服务器，raid卡型号是Adapeｔc ５２4４5,其它供参考使用，配置RAID可通过两种途径，第一种通过ＩPMI远程配置，第二种进行本地操作配置RAID；如何通过ＩPMI实现远程配置ＲAＩD，相见曙光ＩPMI配置手册，进入Bioｓ以后，操作同本地一样。 1.2、Raid规划方案 本服务器共2４块硬盘，前两块硬盘划分一个磁盘组，做Raiｄ1，供安装系统使用；第3块至第22块硬盘，分三组，每组7块硬盘,做Raid5,做存储用；第24块做热备，供其它磁盘损坏备用。 注:服务器磁盘,从０数字键开始，至２3共2４块；这里描述的第几块,是从自然块1开始的，请不要混淆。 二、曙光服务器Raiｄ配置操作步骤 2.1、初始化磁盘驱动器 步骤: 第一步:开机启动如下图,按Cｔrｌ + Ａ键进入Ｒaｉd设置界面
第二步：进入Ｒaiｄ设置界面，如下图选择Array Ｃｏnfiguｒation Utility 第三步:选择Array Cｏnfigurａｔion Utiliｔy后,按回车键,进入下图界面，选择Inｉｔｉaｌｉze Ｄrｉves
第四步:选择Ｉnitiaｌｉze Drives后,同样按回车键,进行驱动器初始化，进入下图界面按空格键和翻页键选择所有磁盘
第五步：选择所有磁盘后,按回车键，如下图,均输入Y同意
第六步：均同意后,进入下图,正在初始化磁盘驱动器 2．2、创建磁盘阵列 根据Raｉd规划方案进行磁盘组划分 2。2．1、创建系统磁盘阵列 步骤： 第一步：在初始化磁盘驱动器后,返回主界面，如下图，选择ＣrｅａｔｅＡｒraｙ,按回车键进入磁盘组选择界面
U L N2003A引脚图及功能04848
在ULN2003A引脚图及功能 ULN2003管脚排列如下图所示：ULN2003的内部结构和功能 ULN是集成达林顿管IC，内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管，可用来驱动继电器。它是双列16脚封装,NPN晶体管矩阵,最大驱动电压=50V,电流 =500mA,输入电压=5V,适用于TTL COMS,由达林顿管组成驱动电路。 ULN是集成达林顿管IC,内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管,它的输出端允许通过电流为200mA，饱和压降VCE 约1V左右，耐压BVCEO 约为36V。用户输出口的外接负载可根据以上参数估算。采用集电极开路输出，输出电流大，故可直接驱动继电器或固体继电器，也可直接驱动低压灯泡。通常单片机驱动ULN2003时，上拉2K的电阻较为合适，同时，COM引脚应该悬空或接电源。 ULN2003是一个非门电路，包含7个单元，但独每个单元驱动电流最大可达350mA.资料的最后有引用电路，9脚可以悬空。 比如1脚输入，16脚输出，你的负载接在VCC与16脚之间，不用9脚。 uln2003的作用： ULN2003是大电流驱动阵列,多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中。可直接驱动继电器等负载。
输入5VTTL电平，输出可达500mA/50V。 ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅NPN达林顿管组成。该电路的特点如下: ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器。 ULN2003 是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。 ULN2003A引脚图及功能 ULN2003 是高耐压、大电流、内部由七个硅NPN 达林顿管组成的驱动芯片。 经常在以下电路中使用，作为： 1、显示驱动 2、继电器驱动
EX16650用户手册 一、SuperBuild Configuration Utility 1、按F2进入BIOS，将Quiet Boot ：设置为[Disabled]，保存后重启。根据提示按打开SuperBuild Utility 主菜单 2、用方向键移动亮度条，选择Controller Selection,按
创作编号： GB8878185555334563BT9125XW 创作者：凤呜大王* ULN2003步进电机驱动电路 ULN是集成达林顿管IC，内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管，可用来驱动继电器。它是双列16脚封装,NPN晶体管矩阵,最大驱动电压=50V,电流=500mA,输入电压=5V,适用于TTL COMS,由达林顿管组成驱动电路。ULN是集成达林顿管IC,内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管,它的输出端允许通过电流为200mA，饱和压降VCE 约1V左右，耐压BVCEO 约为36V。用户输出口的外接负载可根据以上参数估算。采用集电极开路输出，输出电流大，故可直接驱动继电器或固体继电器，也可直接驱动低压灯泡。通常单片机驱动ULN2003时，上拉2K的电阻较为合适，同时，COM引脚应该悬空或接电源。ULN2003是一个非门电路，包含7个单元，但独每个单元驱动电流最大可达350mA.资料的最后有引用电路，9脚可以悬空。比如1脚输入，16脚输出，你的负载接在VCC与16脚之间，不用9脚。
ULN2003的作用：ULN2003是大电流驱动阵列,多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中。可直接驱动继电器等负载。输入5VTTL 电平，输出可达500mA/50V。ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅NPN达林顿管组成。 ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器。ULN2003 是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。 ULN2003A引脚图及功能:
PERC5/6 RAID配置中文手册 2010年07月20日星期二01:26 此文档为自行整理，非官方提供资料，仅供参考。疏漏之处敬请反馈。 对RAID进行操作很可能会导致数据丢失，请在操作之前务必将重要数据妥善备份，以防万一。 名称解释： Disk Group：磁盘组，这里相当于是阵列，例如配置了一个RAID5，就是一个磁盘组 VD(Virtual Disk)：虚拟磁盘，虚拟磁盘可以不使用阵列的全部容量，也就是说一个磁盘组可以分为多个VD PD(Physical Disk)：物理磁盘 HS：Hot Spare 热备 Mgmt：管理 【一】，创建逻辑磁盘 1、按照屏幕下方的虚拟磁盘管理器提示，在VD Mgmt菜单（可以通过CTRL+P/CTRL+N 切换菜单），按F2展开虚拟磁盘创建菜单 2、在虚拟磁盘创建窗口，按回车键选择”Create New VD”创建新虚拟磁盘
3、在RAID Level选项按回车，可以出现能够支持的RAID级别，RAID卡能够支持的级别有RAID0/1/5/10/50，根据具体配置的硬盘数量不同，这个位置可能出现的选项也会有所区别。 选择不同的级别，选项会有所差别。选择好需要配置的RAID级别（我们这里以RAID5为例），按回车确认。 4、确认RAID级别以后，按向下方向键，将光标移至Physical Disks列表中，上下移动至需要选择的硬盘位置，按空格键来选择（移除）列表中的硬盘，当选择的硬盘数量达到这个RAID级别所需的要求时，Basic Settings的VD Size中可以显示这个RAID的默认容量信息。有X标志为选中的硬盘。 选择完硬盘后按Tab键，可以将光标移至VD Size栏，VD Size可以手动设定大小，也就是说可以不用将所有的容量配置在一个虚拟磁盘中。如果这个虚拟磁盘没有使用我们所配置
LIS 阵列卡操作手册 2011-4-10 by LFM 一、 如何进入RAID 卡BIOS 界面 1、 开机到此界面时按下组合键Ctrl+H 进入RAID 卡BIOS 管理界面。 二、 BIOS 主界面 1、Controller Selection 选择RAID 卡（机器上安装有多张RAID 卡时） 按下组合键进入BIOS 界面 阵列卡信息
2、Controller Properties RAID卡属性设置 3、Scan Devices 刷新硬盘设备， 4、Virtual Drives 虚拟磁盘管理，设置阵列引导顺序-选择 要引导的阵列-选择-set boot drive〔currnet=0〕后点GO 5、Drives 物理硬盘管理 6、Configuration Wizard 创建阵列配置（配置向导） 7、Logical View/Physical View查看逻辑/物理磁盘（点击切换） 8、Events 事件日志 9、Exit 退出 三、创建阵列 1、查看物理硬盘在界面右面可看到可用于做RAID的硬盘 ○1Slot：0——为硬盘的物理位置，在0号端口。 ○2Unconfigured Good——好的，未配置的硬盘。 2、点击“Configuration Wizard”进入创建阵列配置，如图： 1 2 ○1Clear Configuration 清除所有的阵列配置信息 ○2New Configuration 新建RAID配置(会清除所有的数据，一般 只在新机器第一次做阵列时选择) ○3Add Configuration 曾加RAID配置
3、一般选择Add Configuration，按Nex t进入下一步： 1 ○1Manual Configuration 手动配置 ○2Automatic Configuration 自动配置 3、选Manual Configuration手动配置进入下一步： 1 2 ○1在左边“Drives”框中选择要做RAID的磁盘，按住Ctrl键可一次同时几个。○2选择完硬盘后点击“Add To Array”将选择好的硬盘添加到右边的“Drive Groups”磁盘组框中，如图：
LIS阵列卡操作手册 2011-4-10 by LFM 一、如何进入RAID卡BIOS界面 1、开机到此界面时按下组合键Ctrl+H进入RAID卡BIOS管理界面。 二、BIOS主界面 1、Controller Selection 选择RAID卡（机器上安装有多张 按下组合键进入BIOS 阵列卡
RAID卡时） 2、Controller Properties RAID卡属性设置 3、Scan Devices 刷新硬盘设备， 4、Virtual Drives 虚拟磁盘管理，设置阵列引导 顺序-选择要引导的阵列-选择-set boot drive〔currnet=0〕后点GO 5、Drives 物理硬盘管理 6、Configuration Wizard 创建阵列配置（配置向导） 7、Logical View/Physical View查看逻辑/物理磁盘（点击切换） 8、Events 事件日志 9、Exit 退出 三、创建阵列 1、查看物理硬盘在界面右面可看到可用于做RAID的硬盘 ○1Slot：0——为硬盘的物理位置，在0号端口。 ○2Unconfigured Good——好的，未配置的硬盘。 2、点击“Configuration Wizard”进入创建阵列配置，如图： ○1Clear Configuration 清除所有的阵列配置信息 ○2New Configuration 1 2
新建RAID配置(会清除所 有的数据，一般 只在新机器第一次做阵列时 选择) ○3Add Configuration 曾加RAID配置 3、一般选择Add Configuration，按Nex t进入 下一步： 1 2 ○1Manual Configuration 手动配置 ○2Automatic Configuration 自动配置 3、选Manual Configuration手动配置进入下一步：
ULN2003步进电机驱动电路 ULN是集成达林顿管IC，内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管，可用来驱动继电器。它是双列16脚封装,NPN晶体管矩阵,最大驱动电压=50V,电流=500mA,输入电压=5V,适用于TTL COMS,由达林顿管组成驱动电路。ULN是集成达林顿管IC,内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管,它的输出端允许通过电流为200mA，饱和压降VCE 约1V左右，耐压BVCEO 约为36V。用户输出口的外接负载可根据以上参数估算。采用集电极开路输出，输出电流大，故可直接驱动继电器或固体继电器，也可直接驱动低压灯泡。通常单片机驱动ULN2003时，上拉2K的电阻较为合适，同时，COM引脚应该悬空或接电源。ULN2003是一个非门电路，包含7个单元，但独每个单元驱动电流最大可达350mA.资料的最后有引用电路，9脚可以悬空。比如1脚输入，16脚输出，你的负载接在VCC 与16脚之间，不用9脚。 ULN2003的作用：ULN2003是大电流驱动阵列,多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中。可直接驱动继电器等负载。输入5VTTL电平，输出可达500mA/50V。ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅NPN 达林顿管组成。 ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器。ULN2003 是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。?????? ULN2003A引脚图及功能: 图七ULN2003引脚图 ULN2003 是高耐压、大电流、内部由七个硅NPN 达林顿管组成的驱动芯片。经常在以下电路中使用，作为显示驱动、继电器驱动、照明灯驱动、电磁阀驱动、伺服电机、步进电机驱动等电路中。ULN2003 的每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路直接相
此文档为自行整理,非官方提供资料,仅供参考.疏漏之处敬请反馈。 对RAIＤ进行操作很可能会导致数据丢失,请在操作之前务必将重要数据妥善备份，以防万一. 名称解释:?Dｉsk Gｒoup：磁盘组,这里相当于就是阵列，例如配置了一个ＲAID5,就就是一个磁盘组 VD（Virtuａl Disk）：虚拟磁盘，虚拟磁盘可以不使用阵列得全部容量,也就就是说一个磁盘组可以分为多个VD PD（Physical Dｉsk):物理磁盘?ＨS：Ｈoｔ Spａre 热备 Mgmt：管理 1、按照屏幕下方得虚拟磁盘管理器提示,在VD Mgｍｔ菜单(可以通过CTRL＋P/Ｃ ?【一】，创建逻辑磁盘? TRL+N切换菜单),按Ｆ２展开虚拟磁盘创建菜单 ? ２、在虚拟磁盘创建窗口,按回车键选择"Create NeｗVD”创建新虚拟磁盘
3、在ＲAID Ｌeveｌ选项按回车,可以出现能够支持得ＲAID级别，RAID卡能够支持得级别有ＲAIＤ０/1/5/10/５0，根据具体配置得硬盘数量不同，这个位置可能出现得选项也会有所区别.?选择不同得级别,选项会有所差别.选择好需要配置得RＡＩＤ级别（我们这里以ＲAＩD5为例）,按回车确认。 ?
４、确认RAID级别以后,按向下方向键，将光标移至Phyｓiｃaｌ Diｓks列表中，上下移动至需要选择得硬盘位置，按空格键来选择(移除）列表中得硬盘，当选择得硬盘数量达到这个RAＩＤ级别所需得要求时，Basic Settｉnｇs得VD Size中可以显示这个RAID得默认容量信息。有X标志为选中得硬盘。 选择完硬盘后按Tａｂ键，可以将光标移至VD Siｚe栏，VD Ｓize可以手动设定大小，也就就是说可以不用将所有得容量配置在一个虚拟磁盘中。如果这个虚拟磁盘没有使用我们所配置得RＡID5阵列所有得容量，剩余得空间可以配置为另外得一个虚拟磁盘，但就是配置下一个虚拟磁盘时必须返回VD Mｇmt创建（可以参考第１3步，会有详细说明）.VＤ Naｍｅ根据需要设置，也可为 空。 注：各RAID级别最少需要得硬盘数量，RAIＤ0=1 RAID1=2 RAID5＝３ RAID10=4 RAID50=6 ? ５、修改高级设置，选择完ＶD Ｓiｚe后，可以按向下方向键,或者Tab键，将光标移至Advａｎcｅd Settｉngs 处，按空格键开启(禁用）高级设置.如果开启后（红框处有Ｘ标志为开启），可以修改Ｓｔrｉpe Eｌｅment Sizｅ大小，以及阵列得Ｒeaｄ Pｏlicy与Write Polｉcｙ，Iniｔｉａlize处可以选择就是否在阵列配置得同时进行初始化.?高级设置默认为关闭(不可修改）,如果没有特殊要求,建议不要修改此处得设置。
磁盘阵列正面图： 磁盘阵列背面图： 1，打开背面风扇的电源（2个），磁盘阵列启动，背面上面的的一个网口是控制口，设定和修改参数必须通过这个口访问，下面并排4个口是通道口，用来数据的交换和储存。2，在前面板有个液晶微型控制键盘，用来配置磁盘阵列， 按键操作说明：ENT长按——进入主菜单 方向键——翻页 ENT短按——选择对应的菜单 3，查看后面控制口(lan)和通道口（ch0~3）的IP地址，以此进入下列菜单 view and edit configuration parameters->conmunication parameters->internet protocol (tcp/ip)->然后选择需要查看的网口，我们现在查看控制口lan的IP，选择lan0->view and set ip address 查看当前的lan口IP或者更改IP,详细配置方法可看附录1《利用液晶面板设置IP地址.pdf》为方便叙述，现在假设lan口IP为192。168.0.2，ch0口IP为192.168.0.3，ch1为192.168.0.4 通过IE配置磁盘阵列 4，通过IE输入LAN口地址，//192.168.0.2选择configuration，密码为空，进入配置界面。5，选择logic Drive->create logical Drive(创建RAID),绿色的是可以使用的硬盘。选择要创建
RAID的硬盘，这里选取5块硬盘来创建RAID5+space，在RAID Level里选择RAID5+space Drive，其他默认，点击APPLY确认创建 6，给创建的RAID分区，，点击图画的raid阵列，然后选择PARTITION进入分区列表 7，在下图位置点加号新建分区，减号删除分区 8，创建好分区，点击左边标题栏；host lan->Creat lan创建映射，点击下面的位置，可以看
4024RAID卡使用手册 本册主要介绍RAID卡常用功能，raid的创建，参数配置及管理软件的介绍 下面先从开机启动时如何进入管理界面开始介绍 1.当机器开启后，显示器出现阵列卡检测信息时，会提示用户是否要进入管理界面对阵列 卡进行操作，此时按下Ctrl+H即可，如下图1 图1 2.按下Ctrl+H后，进入控制器选择界面，若只有一张卡，便如下图2所示，多张卡会分行显示，选择相应的控制器后，按start进入管理界面 图2 3.若出现图3所示：Foreign Config(s) Found.则说明当前使用的硬盘存在之前使用的raid设定信息。若要重新导入raid设定，可点击Preciew尝试；对于正常新建raid,请直接点击clear 进入下一步
图3 4.此时，会出现提示窗，如图4，告知当前的操作会清除掉硬盘上之前的所有raid配置信息，是否要继续，请直接点击yes进入下一步： 图4
5．图5所示为RAID卡的WebBIOS管理界面，左侧边栏为功能设定选项，右侧部分会显示阵列和磁盘的相关状态信息。 图5 6．新建raid时，请点击左侧Configuration Wizard选项，进行相关操作。如图6 Raid配置向导，点击可创建Raid 图6
7.点击Configuration Wizard后，会出现下图7所示界面，提示选择相关操作， A:Clear Configuration 选择此项后，可清除已经存在的raid 设定 B:New Configuration 选择此项后, 清除已经存在的raid设定，并可继续进行新的Raid配置。C: Add Configuration 选择此项后，可新建Raid,对已经存在的Raid不会有任何影响。 通常情况下，Clear Configuration用于清除阵列卡上所有的已经存在的阵列信息，一旦进行，所有的Raid信息都不存在。 而Clear Configuration选项一般为客户首次进行Raid设定，此时阵列卡上一般不存在阵列。Add Configuration选项用于阵列卡已经存在有Raid设定了，而使用者想新增其他Raid来满足使用要求时使用的，对已经存在的Raid不会有影响。 图7 8.以选择Add Configuration为例，点击next后，就会出现图8所示，选择配置模式，手动设置还是自动设定，一般选择默认手动设定继续进行。 图8