裕量测试条件以及影响参数
测试目的：测试电路中主要元器件的电应力参数，验证其是否工作在其规格值的降额范围内，保证元器件的可靠性，达到提高整机可靠性的目的。
测试范围主要为：二极管，晶体管，行管，集成IC，薄膜电阻，可调电阻，电解电容，薄膜电容，陶瓷电容，电感，保险丝。
测试流程：
一：检查样机状态，调试样机测试条件。
确认样机的状态：检查亮度是否合格，样机的功率是否正常。
“标准”“晴天”3种模式，应该选择其功率最大的一个状态----晴天模式）。
如果为单电源项目，根据规格书中各路的带载情况接到电子负载。
整改项目，需有整改方案，并将其收录在案。
二：仪器校准。
示波器，电压探头，电流探头，以及交流电源（AC SOURCE等）校准。
详细校准步骤见《仪器检查表格表---降额测试》----田俊。
示波器型号：TEK VM5000.带宽1GHZ,最大采样率5GS/S.
电压探头：TEK P5050（10：1）。主要指标：11.1PF/500MHZ/10M欧姆。
300VDC。测试次级DC输出部分参数常用。
TEKP5100（100：1）。主要指标：1000VDC，2500Vpk。测
试电源初级部分电压参数常用。
TEK5210（100：1，1000：1）。高压差分探头：16M欧/3.5PF
between inputs. 4.4KVrms 5.6KV(DC+peakAC)。测试
灯管高压常用。
电流探头：TEK TCPA300+TCP312. 30ADC.测试电容纹波电流等
TEKTCPA300+TCP303. 150ADC.测试初级二极管冲击
电流，保险丝冲击电流常用。
交流变压电源：变频电源AFC-11002.
可编程电源FLUKE61604.
三：选点。选取电路中影响整机可靠性的主要元器件。
二极管：桥堆，PFC续流二极管，Bulk电容快速充电二极管。各输出端整流二极管。
晶体管：PFC MOS管，PWM MOS管。IPB,LPS电源屏高压MOS管。
IC:温升较高的IC。
电阻：温升较高的电阻器件。
电解电容：24V/12V水桶电容，待机水桶电容，次级输出滤波电容。
薄膜电容：温升较高电容，桥堆后的整流薄膜电容。
陶瓷电容：温升较高点。
电感：温升较高点。
保险丝：所有。
四：查取规格书。查找选点后的相关元器件规格书中需测试的参数指标。
五：测试。详情见下页
六：整理数据，输出报告。
二极管
测试方法：用小刀割断PCB上二极管其中一管脚的连接铜皮，用较粗导线将割断位置连通。测试导线上电流，以及二极管两端反向电压。分
别在各个电压下测试。
测试技巧：水桶电容放电，多次开关机测试反向峰值电压和浪涌电流。
快速开关机抓取反向峰值电压和浪涌电流。取其中较大者。
快速开关机指开机之后有正常图像和伴音的时候，迅速关机再开
机，此时电源拓扑出于异常工作状态，容易出现破坏性峰值电压
（如果电源加有缓启动电路，则可能此时峰值出现在其他位置）。
测试注意：注意二极管反峰电压是否有冲击，规格书中重复反向峰值（repetitive reverse peak voltage）与不重复反向峰值电压有不同的
规格值。
晶体管
测试方法：将电压探头夹在晶体管DS/CE两端，GS/EB两端分别测试其冲击峰值电压Vgs/Veb,Vds/Vce。
测试技巧：（1）将水桶放电后抓开机电压峰值。
（2）快速开关机抓电压峰值。
测试注意：PFC MOS管需测试常态与瞬态的2个峰值电压数据。常态的最大峰值出现在低压的时候。瞬态的峰值出现高压输入快速开关机的
时候。
测试初级部分开关管常用高压差分探头100：1档位测试。如果
次级输出部分滤波电容较大，掉电很慢，开关机的时候可以稍
微放慢速度。
整改：如果是PFC开关管出现冲击，可以在PFC电压取样的电
阻上并联电容，降低开机瞬间的反馈速度。
IC
测试方法：将IC焊取下来，并用导线将其引脚接到电路的原位置。测试IC 正常工作时的输入输出管脚电压以及电流，并计算其消耗功率。P=Vin*Iin-V out*Iout.对于周边铜皮较少的，可以选择割开铜皮，测试其连接线上电流。
注意：测试前先查取IC的规格书，和周围电路图，选择合适的测试位置。电阻
测试方法：测试电阻峰值电压，工作电压（RMS），并计算其消耗功率P=U2/R。
薄膜电容
测试方法:测试正常工作峰值电压。
陶瓷电容
测试方法：测试冲击峰值电压。
电解电容
测试方法：纹波电流：将电容焊下，用尽量短，电阻小的导线将电容接入电路（一般选择2根1m欧姆，长约3CM的较粗导线），测试导线上
电流Irms。正常工作电压峰值：用电压探头直接测试电容两端最大
值Vmax。
测试步骤：
1：调整好负载的状态。使其工作在标准负载状态下（电容的纹波电流与其负载轻重密切相关。负载越大，纹波电流越大）。
2：关机后将电容焊下，用尽量短，电阻小的导线将电容接入电路。电容焊接上去之后，稍等使其温度稳定（温度会影响测试结果准确性）。
注意不要使用无绝缘层的裸线等，否则将对电流探头（TCP312）造
成损害。
3：选取合适的电流探头，常用探头为TEK—TCPA300+TCP312。选择合适的衰减档位，1：1或者10：1.按照仪器检查表格表-降额测试校准
示波器及探头。每次测试之前对探头消磁调零，保证探头的误差干扰
最小。将电流探头夹入导线。注意探头的延长线不要从高频的开关管
或者变压器上经过，应该绕开这些元器件的表面。否则将耦合较大的
外界的干扰。
4：开机。样机正常工作起来，稳定10分钟左右，调整示波器设置使电流波形纵向达到屏幕高度的80%，时间轴显示3-5个稳定的周期。读
取此时的Irms。水桶电容为100hz的频率，所以需要读取时长30-50mS
的电流纹波值以及纹波频率。
读取电容纹波时候，注意采样率的设置，如果一个屏幕内显示1个稳
定周期与几个稳定周期电容纹波电流有效值读数相差很大时，说明此
时采样率设置偏小，需增大采样率，使其读数基本相同。一般设置示
波器采样点2M。
如果为CCFL背光，因为屏的亮度（功率）随时间将会先增加后减
小，供给屏电路的滤波电容纹波值开始会逐渐升高，达到一定数值
后会渐渐变小，大概稳定的整个过程时间为半个小时，为了节省时
间，可以在开机后10分钟左右读数，此时数据相差不大。如果为
LED背光，功率变化较小，所以无需等待时间。如果为电源带电子
负载测试，亦无须等待。
测试结果：
初级BULK电容：AC输入电压越高，电容纹波电流越低，此电容的
纹波电流频率为100hz。包络内部频率与PFC开关频率相同。
次级滤波电容：
24V/12V输出：如果电源带有PFC，24V输出滤波电容频率为PWM
开关频率，纹波电流值与AC输入电压无关。变压器次级输出后的第
一个滤波电容纹波电流最大。如果没有PFC，输入电压越高（无PFC），
纹波电流值越小。
同一路并联的电容纹波频率相同，位置越靠近输入端（变压器端）纹
波数值越大。
3.3V输出：输入电压越高（无PFC），纹波电流值越小。
如果纹波电流不合格，可以加大滤波电容或者滤波电感。或者改变前端开关频率，频率越高，纹波输出越小。
保险丝
测试方法：测试流经保险丝上正常工作电流（RMS），以及浪涌电流（PEAK），
选择示波器上math,设置积分函数。I2T=∫I2dt，读取最大值。
测试技巧：保险丝浪涌电流与水桶容量有关。电容容量越大，浪涌电流越大。
一般将水桶电容放电完测试浪涌电流最大，高电压时浪涌电流最
大。I2T最大值也有可能出现在快速开关机低电压时，此时可能出
现几个连续的高能浪涌。
测试注意：保险丝的I2t测算是在保险丝的熔断时间小于10ms（通常是以8 ms）时的I2t来计算。保险丝的抗冲击寿命，取决于脉冲的I2t占保险
丝本身I2t的百分比。UL和IEC均未对I2t作要求，但I2t对选用
fuse有帮助。
注意：带屏的电源板因为屏的功率稳定需要一段时间，针对元器件寿命的测试如电容等应该在屏热了之后功率基本稳定之后测试其指标。
而对于冲击方面的指标，应该在冷开机的时候测试，此时电源板所带负载最大。对于电源设计初期的带电子负载的测试，因为功率无浮动，则无需要等待时间。
测试电压问题：
①设计阶段的单电源项目，一般按照规格书（100-240V）上的宽电压范围测试：90-264V。要求测试电压：90V，220V, 264V。
②电源第一次配整机项目进行裕量测试时，应选取功率较大的整机进行测试。此时测试电压为全电压范围：
90V---102V---120V---135V---198V---220V---242---264V。但是报告中仅对销售区域电压的几个数值做判断。如CN市场：只对198-220-242V 此3个电压时所测试的数值做判断。对EU市场：只对198-220-264此3个电压测试值判断。对NA市场：102-120-135.等
③对于电源配量产整机项目，按照铭牌上电压（±10%）测试。
示波器使用注意：
1：使用两芯电源线（使用差分探头时可用三芯接地线）。
2：选择20M带宽。
3：选择探头。1，量程选择。2，对于反馈敏感电路，选择高阻低容抗电压探头。4：选择合适的档位。电流以及电压均选择DC档位。量程档位选择根据被测数值大小而定。
5：校准，调零。（GND调零，以及DC档位1KHZ信号幅值调整）
6：电流电压探头连接线不宜从高频开关的元器件旁经过，如PFC电感，变压器，开关管等。电压探头地线不宜过长（1：信号衰减。2：信号耦合）。如果过长可将其缠绕在探头的正极上。差分探头正负端线用双绞线方法缠绕。
7：测试直流时，注意电流探头的方法与电流方向一致。如果为交流，如电容的纹波电流，选择与电容充电的方向一致。给屏灯管的高压，选择与进入屏的方向一致。
8：带宽：开关电源测试一般设置为20M带宽。
9：采样率：采样率理论上需要满足香农采样定律，即被测信号的最高频率信号的每个周期理论上至少需要采2个点，否则会造成混叠。
10：上升时间：探头和示波器的总上升时间应该比被测信号的快3-5倍。如果没有指定上升时间，可以使用下述关系：T=0.35/带宽。
探头的关键指标：带宽，采样率，上升时间，阻抗，接地（串联电感，与探针电容一起组成振荡），探针电容（减幅振荡，被测信号失真，耦合到示波器显示。增大了测量系统的上升时间，降低了系统的带宽）。
我们公司设计电源常用元器件部分规格：
24V整流管常用：80V/175A
3.3V整流管常用：常州银河SR160 (10-0SR160-SBX) 60V/40A
水桶快速充电二极管（2个）：山东临沂RL255 10-0RL255-EBX
800V（不重复）600V（重复）/150aPFC续流二极管：THOMSON/MUR460 600V/70A
待机水桶整流二极管：临沂永光1N4007 1000V-30A
3.3V变压器削尖峰二极管：临沂永光1H8。
MOS常用管：TOSHIBA 2SK3568 500V/30V/12A/40W
2SK3934 500V/30V/15A/50W
深圳大学实验报告 课程名称：电路分析 实验项目名称：交流电路元件参数的测定学院： 专业： 指导教师： 报告人：学号：班级： 实验时间： 实验报告提交时间： 教务部制
实验目的与要求： 1．正确掌握交流电流表、电压表、功率相位组合表的用法。 2．加深对交流电路元件特性的了解。 3．掌握交流电路元件参数的实验测定方法。 方法、步骤： 电阻器、电容器和电感线圈是工程上经常使用的基本元件。在工作频率不高的条件下，电阻器、电容器可视为理想电阻和理想电容。一般电感线圈存在较大电阻，不可忽略，故可用一理想电感和理想电阻的串联作为其电路模型。 电阻的阻抗为： 电容的阻抗为： 电感线圈的阻抗为： 电阻器、电容器、电感线圈的参数可用交流电桥等仪器测出，若手头没有这些设备，可搭建一个简单的交流电路，通过测阻抗算出元件参数值。 1．三表法 利用交流电流表、交流电压表、相位表（或功率表）测量元件参数称为三表法。这种方法最直接，计算简便。元件阻抗为 对于电阻 对于电容 对于电感，， 由已知的电源角频率ω，可进一步确定元件参数。 2．二表法 若手头上没有相位表或功率表，也可只用电流表和电压表测元件参数，这种方法称为二表法。由于电阻器和电容器可看作理想元件，已知其阻抗角为0或90度，故用二表法测其参数不会有什么困难。 二表法测电感线圈参数的电路如图2所示。图中的电阻R是一个辅助测量元件。由 图2可见，根据基尔霍夫电压定律有，而，其中和为假想电压，分别代表线圈中等效电阻r和电感L的端电压。各电压相量关系如图3所示，由于电压U、U1、U2可由电路中测得，故图中小三角形Δaob的各边长已知，再利用三角 形的有关公式求出bc边和ac边的长度，即电压U r和U L可求。最后，由式、 及已知的电源角频率ω可求得线圈的参数。 3．一表法 只用一个交流电压表测量元件参数的方法称为一表法，其原理与二表法相同，不同 的是辅助测量电阻R的阻值应预先已知，这样电路中电流可求，可省去一个电流表。此法有更强的实用性。
电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的标准化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方式且统一为9位. 具体 以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6位数字或字母表示器件的具体规格或型号，第7位是附加的备注或特殊的识别标记（除电容的命名方式外） 1.2对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外形相同则不同厂家的 产品也可采用统一编号. 1.4对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件的外形尺寸, 主要规 格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明： ＸＸ－ＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸ－Ｘ ｜｜｜｜｜空位（环保区分时备用） ｜｜｜｜误差/封装信息/引脚数/修正编号/空位｜｜｜ ｜｜｜元件种类/电气参数/型号 ｜｜供应商名代码 ｜物品代码 注：编码长度一至，编码中间的“—”不纳入ERP系统，例：RE0120000061280 2.1、电子元器件物品（电子元器件的命名字母缩写）:
2.2、电子元器件材料明细分类编码规则： 2.2.1、电阻类： RE—BB—C1 C2 C3 C4 C5 C6— X1 X2 X3 X4---X4修正编号 X 3 封装及包装形式（见表2.2.1G） X 1X 2 误差（见表2.2.1F） C 3C 4 C 5 C 6 定额电阻（见表2.2.1D特例2.2.1E） C 2 功率（见表2.2.1C） C 1 分类（见表2.2.1A特例见2.2.1B） BB制造厂家 RE固定电阻 表2.2.1A: C 1 分类 表2.2.1B：特例 表2.2.1C：C2功率（
123电子元器件的规格参数 描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。规格参数包括标称值、额定值和允许偏差等。电子元器件在整机中要占有一定的体积空间，所以其外形尺寸也是一种规格参数。 电子元器件的质量系数：用于度量电子元器件的质量水平，通常描述了元器件的特性参数、规格参数环境因素变化的规律，或者划定了他们不能完成功能的边界条件。 电子工艺的质量参数一般有：温度系数、噪声电动势、高频特性及可靠性等，从整机制造工艺方面考虑，主要有机械强度和可焊性。 通常，用信噪比来描述电阻、电容、电感一类无源元件的噪声指标，对于晶体管或集成电路一类有源器件的噪声，则用噪声系数来衡量。在设计制作接收微弱信号的高增益放大器时，应当尽量选用低噪声的电子元器件。使用专用的“噪声测试仪”可以方便的测量出元器件的噪声指标。 电子元器件的命名与标注 通常电子元器件的名称应该反映出它们的种类、材料、特征、型号、生产序号和区别代号，并且能够表示出主要的电器参数。电子元器件的名称由字母和数字组成。对于元件来说，一般用一个字母代表它的主称，如R表示电阻器，C 代表电容，L表示电感，W表示电位器，等等；用数字或字母表示其他信息。型号及参数在电子元器件上的标注：直标法、文字符号法和色标法。 文字符号法：①用元件的形状及其表面的颜色区别元件的种类，如在表面安装的元件中，除了形状的区别外，黑色表示电阻，棕色表示电容，淡蓝色表示电感。②电阻的基本标注单位是欧姆，电容的基本标注单位是皮法，电感的基本标注单位是微亨；用三位数字标注元件的数值。③对于十个基本标注单位以上的元件，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。例如，对于电阻器上的标注，100表示其阻值为10×10^0=10,223表示其阻值为22×10^3=22K 对于电容器上的标注，103表示其容量为10×10^3pf=0.01uf,475表示其容量为47×10^5=4.7uf 对于电感器上的标注，820表示82×10^0=82Uh
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号
二．半导体管 三．其它电气图形符号
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 示例： (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器）
2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家规范，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， 表５
例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
常用电子元器件检测方法与技巧
民常用电子元器件检测方法与技巧元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说，熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要，以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。 一、电阻器的检测方法与经验： 1固定 1固定电容器的检测 A检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。B检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C对于001μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。 2电解电容器的检测 A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。 B将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。C对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是
电子元器件S参数的含义和用途 上网时间：2008-12-19 作者：Albert 来源：电子元件技术网中心议题： S参数介绍的由来和含义 S参数的使用范围 S参数在电路仿真中的应用 解决方案： 对于高频电路，需要采用网络法来进行分析，此时需要用到S参数 可以使用元器件厂家的S参数也可以自己搭建测试电路使用网络分析仪来测得S参数 要想深刻的理解S参数，需要具备足够的高频电子电路的基础知识 在进行射频、微波等高频电路设计时，节点电路理论已不再适用，需要采用分布参数电路的分析方法，这时可以采用复杂的场分析法，但更多地时候则采用微波网络法来分析电路，对于微波网络而言，最重要的参数就是S参数。在个人计算机平台迈入 GHz阶段之后，从计算机的中央处理器、显示界面、存储器总线到I/O接口，全部走入高频传送的国度，所以现在不但射频通信电路设计时需要了解、掌握S参数，计算机系统甚至消费电子系统的设计师也需要对相关知识有所掌握。 S参数的作用S参数的由来和含义 在低频电路中，元器件的尺寸相对于信号的波长而言可以忽略(通常小于波长的十分之一)，这种情况下的电路被称为节点(Lump)电路，这时可以采用常规的电压、电流定律来进行电路计算。其回路器件的基本特征为： 具体来说S参数就是建立在入射波、反射波关系基础上的网络参数，适于微波电路分析，以器件端口的反射信号以及从该端口传向另一端口的信号来描述电路网络。 针对射频和微波应用的综合和分析工具几乎都许诺具有用S参数进行仿真的能力，这其中包括安捷伦公司的ADS（Advanced Design System），ADS被许多射频设计平台所集成。 在进行需要较高频率的设计时，设计师必须利用参数曲线以及预先计算的散射参数（即S-参数）模型，才能用传输线和器件模型来设计所有物理元件。 电阻：能量损失（发热） 电容：静电能量 电感：电磁能量 但在高频微波电路中，由于波长较短，组件的尺寸就无法再视为一个节点，某一瞬间组件上所分布的电压、电流也就不一致了。因此基本的电路理论不再适用，而必须采用电磁场理论中的反射及传输模式来分析电路。元器件内部电磁波的进行波与反射波的干涉失去了一致性，电压电流比的稳定状态固有特性再也不适用，取而代之的是“分布参数”的特性阻抗观念，此时的电路被称为分布（Distributed）电路。分布参数回路元器件所考虑的要素是与电磁波的传送与反射为基础的要素，即： 反射系数
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号 一．电阻器、电容器、电感器和变压器
二．半导体管 三．其它电气图形符号
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 示例： (1)精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器）
2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， 表５
例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
常用电子元件封装、尺寸、规格汇总 贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。（c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。（d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。二、常用元件封装1）电阻：最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照
IRF10N15N沟 150V 10A 75W IRF120N沟100V 8A 40W 70/70ns Ron=0.3ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF121N沟60V 8A 40W 70/70ns Ron=0.3ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF122N沟100V 7A 40W 70/70ns Ron=0.4ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF123N沟60V 7A 40W 70/70ns Ron=0.4ΩMOS场效应开关/功率放大管 IRF12N0812A 80V 75W IRF130N沟100V 14A 79W 75/45ns Ron=0.16ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF130CHPN沟100V Ron=0.18ΩMOS场效应开关管IRF131N沟60V 14A 79W 75/45ns Ron=0.16ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF1310N沟 100V 43A 190W通用型场效应管 IRF1310SN沟 100V 43A 150W通用型场效应管 IRF132N沟100V 12A 79W 75/45ns Ron=0.25ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF133N沟60V 12A 79W 75/45ns Ron=0.25ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF140N沟100V 27A 150W 110/75ns Ron=0.077ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF140CHPN沟100V 27A 125W 60/30ns Ron=0.085ΩMOS场效应开关/功率放大 管 IRF141N沟80V 28A 150W 110/75ns Ron=0.077ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF142N沟100V 25A 150W 110/75ns Ron=0.077ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF143N沟100V 25A 150W 110/75ns Ron=0.1ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF150N沟 100V 40A 150W 100/100ns Ron=0.0550624MOS场效应开关/功率放大 管 IRF150CFN沟100V 44A 150W 100/100ns Ron=0.055ΩMOS场效应开关/功率放大 管 IRF150CHPN沟100V Ron=0.055ΩMOS场效应开关/功率放大管 IRF151N沟60V 40V 150W 100/100ns Ron=0.055ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF151CHPN沟60V 40A Ron=0.055ΩMOS场效应开关/功率放大管 IRF152N沟100V 33A 150W 100/100ns Ron=0.08ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF153N沟60V 33A 150W 100/100ns Ron=0.08ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF210N沟 200V 2.2A 15W通用型场效应管 IRF211N沟 150V 2.2A 15W通用型场效应管 IRF212N沟 200V 1.8A 15W通用型场效应管 IRF213N沟 150V 1.8A 15W通用型场效应管 IRF220N沟200V 4A 40W 60/60ns Ron=0.8ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF221N沟150V 4A 40W 60/60ns Ron=0.8ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF222N沟200V 3.5A 40W 60/60ns Ron=1.2ΩMOS场效应开关/功率放大管IRF222RN沟200V 3A 20W 60/60ns Ron=1.2ΩMOS场效应开关/功率放大管
实验5-1交流电路元件参数的测定实验 实验目的： 1. 学习正确选用交流仪器和设备； 2．学习用三表法(伏安瓦计法)测定交流电路器件参数的方法； 3．掌握功率表、调压器的使用； 4．了解如何校正由仪表内阻引起的测量误差 实验假设：假设三表法能够准确的通过Ｕ、I和P的测量求出电容器的电阻，电感器的感抗，电容器的容抗。三压法能够准确的测量电感器的相关参数。 实验原理：（1）低频电路元件的的参数。 交流电路中的实际无源元件有电阻器、电感器和电容器。严格讲，这些实验元件都不能用单一的电阻参数、电感参数和电容参数来表示各自的特征。 在低频（如工频）情况下，电阻器周围的磁场和电场可以忽略不计，可以不考虑其电感和分布电容，将其看成纯电阻，可用电阻参数来表征电阻启动的特征。 点赶的物理原型是导线绕制的线圈，导线电阻不可忽视。在低频情况下电匝间的分布电容可以忽略，因此电感线圈用电阻和电感两个参数来表征。 在低频时，电容器可以略去引导电感，忽略其电解质损耗和漏电，可用电容参数来表示特征。 综上所述，在低频情况下，交流电路元件参数主要有电阻器的电阻参数R、电容器的电容参数C、电感线圈的电感参数L和电阻参数R。 （2）元件参数的测量方法很多，如三表法、电桥法、谐振法以及Q表法等，以及实验采用三表法和三压法测量电阻器、电感器和电容器的参数。 ！：三表法。图1所示的电路中，Z为被测元件。有电路理论可知，元件的电压U、电流I 及有功功率P有一下关系。 阻抗的模： |Z|=U/I； 等效电阻： R=P/I2= |Z|cos； 等效电抗： X=±（|Z|2-R2）?= |Z|sin； 等效电感： L=X/ω（当X＞0时）； 等效电容： C=1/（Xω）（当X<0时）； 这是测量交流参数的一种方法，由于采用三块仪表，所以简称三表法。 ！！：三压法。在图2 a所示的电路中，已知电阻r与被测阻抗Z串联，设Z为电感线圈，则总电流、电阻电压和电感电压间的相量关系如图2 b所示。
电子元器件的规格参 数
123电子元器件的规格参数 描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。规格参数包括标称值、额定值和允许偏差等。电子元器件在整机中要占有一定的体积空间，所以其外形尺寸也是一种规格参数。 电子元器件的质量系数：用于度量电子元器件的质量水平，通常描述了元器件的特性参数、规格参数环境因素变化的规律，或者划定了他们不能完成功能的边界条件。 电子工艺的质量参数一般有：温度系数、噪声电动势、高频特性及可靠性等，从整机制造工艺方面考虑，主要有机械强度和可焊性。 通常，用信噪比来描述电阻、电容、电感一类无源元件的噪声指标，对于晶体管或集成电路一类有源器件的噪声，则用噪声系数来衡量。在设计制作接收微弱信号的高增益放大器时，应当尽量选用低噪声的电子元器件。使用专用的“噪声测试仪”可以方便的测量出元器件的噪声指标。 电子元器件的命名与标注 通常电子元器件的名称应该反映出它们的种类、材料、特征、型号、生产序号和区别代号，并且能够表示出主要的电器参数。电子元器件的名称由字母和数字组成。对于元件来说，一般用一个字母代表它的主称，如R表示电阻器，C代表电容，L表示电感，W表示电位器，等等；用数字或字母表示其他信息。型号及参数在电子元器件上的标注：直标法、文字符号法和色标法。 文字符号法：①用元件的形状及其表面的颜色区别元件的种类，如在表面安装的元件中，除了形状的区别外，黑色表示电阻，棕色表示电容，淡蓝色表示电感。②电阻的基本标注单位是欧姆，电容的基本标注单位是皮法，电感的
基本标注单位是微亨；用三位数字标注元件的数值。③对于十个基本标注单位以上的元件，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。例如， 对于电阻器上的标注，100表示其阻值为10×10^0=10,223表示其阻值为22×10^3=22K 对于电容器上的标注，103表示其容量为10×10^3pf=0.01uf,475表示其容量为47×10^5=4.7uf 对于电感器上的标注，820表示82×10^0=82Uh ④对于十个基本标注单位以下的元件，第一位、第三位数字表示数值的有效数字，第二位用字母R表示小数点。例如， 对于电阻器上的标注，3R9表示其阻值为3.9 色表法：在圆柱形元件（主要是电阻）上印制色环，在球形元件（电容、电感）和异形器件（如三极管）体上印制色点，表示它们的主要参数和特点，称为色码标注法。 用背景颜色区别种类——用浅色表示碳膜电阻，用红色表示金属膜或金属氧化膜电阻，深绿色表示线绕电阻。在研制电子产品是，要仔细分析电路的具体要求。在那些稳定性、耐热性、可靠性要求比较高的电路中，应该选用金属膜或金属氧化膜电阻；如果要求功率大、耐热性好，工作频率又不高，则可选用线绕电阻；对于无特殊要求的一般电阻则可使用碳膜电阻，以便降低成本。 电阻器的质量判别方法 ①看电阻器引线有无折断及外壳烧焦现象。
Cds 漏-源电容 Cdu 漏-衬底电容 Cgd 栅-源电容 Cgs 漏-源电容 Ciss 栅短路共源输入电容 Coss 栅短路共源输出电容 Crss 栅短路共源反向传输电容 D 占空比（占空系数，外电路参数）di/dt 电流上升率（外电路参数） dv/dt 电压上升率（外电路参数） ID 漏极电流（直流） IDM 漏极脉冲电流 ID(on) 通态漏极电流 IDQ 静态漏极电流（射频功率管） IDS 漏源电流 IDSM 最大漏源电流 IDSS 栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat) 沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG 栅极电流（直流） IGF 正向栅电流 IGR 反向栅电流 IGDO 源极开路时，截止栅电流 IGSO 漏极开路时，截止栅电流 IGM 栅极脉冲电流 IGP 栅极峰值电流 IF 二极管正向电流 IGSS 漏极短路时截止栅电流 IDSS1 对管第一管漏源饱和电流 IDSS2 对管第二管漏源饱和电流 Iu 衬底电流 Ipr 电流脉冲峰值（外电路参数） gfs 正向跨导 Gp 功率增益 Gps 共源极中和高频功率增益 GpG 共栅极中和高频功率增益 GPD 共漏极中和高频功率增益 ggd 栅漏电导 gds 漏源电导 K 失调电压温度系数 Ku 传输系数 L 负载电感（外电路参数） LD 漏极电感 Ls 源极电感 rDS 漏源电阻
rDS(on) 漏源通态电阻 rDS(of) 漏源断态电阻 rGD 栅漏电阻 rGS 栅源电阻 Rg 栅极外接电阻（外电路参数） RL 负载电阻（外电路参数） R(th)jc 结壳热阻 R(th)ja 结环热阻 PD 漏极耗散功率 PDM 漏极最大允许耗散功率 PIN 输入功率 POUT 输出功率 PPK 脉冲功率峰值（外电路参数） to(on) 开通延迟时间 td(off) 关断延迟时间 ti 上升时间 ton 开通时间 toff 关断时间 tf 下降时间 trr 反向恢复时间 Tj 结温 Tjm 最大允许结温 Ta 环境温度 Tc 管壳温度 Tstg 贮成温度 VDS 漏源电压（直流） VGS 栅源电压（直流） VGSF 正向栅源电压（直流） VGSR 反向栅源电压（直流） VDD 漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG 栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss 源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th) 开启电压或阀电压 V（BR）DSS 漏源击穿电压 V（BR）GSS 漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on) 漏源通态电压 VDS(sat) 漏源饱和电压 VGD 栅漏电压（直流） Vsu 源衬底电压（直流） VDu 漏衬底电压（直流） VGu 栅衬底电压（直流） Zo 驱动源内阻 η漏极效率（射频功率管） Vn 噪声电压
实验七 用三表法测量电路等效参数 一、实验目的 1. 学会用交流电压表、 交流电流表和功率表测量元件的交流等效参数的方法。 2. 学会功率表的接法和使用。 二、原理说明 1. 正弦交流信号激励下的元件的阻抗值，可以用交流电压表、 交流电流表及功率表分别测量出元件两端的电压U 、流过该元件的电流I 和它所消耗的功率P ，然后通过计算得到元件的参数值，这种方法称为三表法。 计算的基本公式为： 阻抗的模I U Z = ， 电路的功率因数UI P =?cos 等效电阻 R ＝ 2I P ＝│Z │cos φ， 等效电抗 X ＝│Z │sin φ 2. 阻抗性质的判别方法 可用在被测元件两端并联电容的方法来判别, 若串接在电路中电流表的读数增大，则被测阻抗为容性，电流减小则为感性。其原理可通过电压、电流的相量图来表示： 图7-1 并联电容测量法 图7-2 相量图 3. 本实验所用的功率表为智能交流功率表，其电压接线端应与负载并联，电流接线端应与负载串联。 三、实验设备 DGJ-1型电工实验装置：交流电压表、交流电流表、功率表、自耦调压器、白炽灯、镇流器、电容器。 四、实验内容 测试线路如图7-3所示，根据以下步骤完成表格7-1。 1. 按图7-3接线，将调压器调到表1中的规定值。 2. 分别测量15W 白炽灯(R)、镇流器(L) 和4.7μF 电容器( C)的电流和功率以及功率因数。 3. 测量L 、C 串联与并联后的电流和功率以及功率因数。 4. 如图7-4，用并联电容法判断以上负载的性质。
图7-3 图7-4 五、实验数据的计算和分析 根据表格7-1的测量结果，分别计算每个负载的等效参数。 白炽灯：I U Z ==2386.6， UI P =?cos =1 镇流器L ：I U Z ==551.7，UI P =?cos =0.172 电容器C ：I U Z ==647.2，UI P =?cos =0，C Z f ωπω1 ||,2==，f=50Hz ，因此C=4.9μF L 和C 串联：I U Z ==180.9，UI P =?cos =0.35；并联1μF 电容后，电流增大，所以是容 性负载 L 和C 并联：I U Z ==2515.7，UI P =?cos =0.47；并联1μF 电容后，电流减小，所以是感性负载 由以上数据计算等效电阻 R ＝│Z│cosφ，等效电抗 X ＝│Z│sinφ，填入表7-1中。 六、实验小结 掌握了交流电路的基本实验方法，学会使用调压器，交流电压表、交流电流表，用功率表测量元件的功率。通过三表法可以通过实验方法测量并计算出负载元件的阻抗。实验中，线路接错会出现报警，也可能烧坏功率表的保险丝，需按照例图仔细检查线路。通过测量发现，被测负载有些不是线性元件。 Z
一、电子及传感器基础知识、元器件基础知识前言： PCBA维修原则： 1、首先，要确认不良现象，排除误判误测，不良现象要有可重复性； 2、第二，要对外观进行复检，及时发现是否存在有错料，少料，多料等简单的外观不良； 3、第三，要找出维修记录或维修速查表，针对相应电子元件作检查。确认不良元件时可以与良 品交替互换或从电路板上拆除后单独测量； 4、第四，要找出PCBA功能的原理图，对照相应电路模块作检查，测量相关元件是否存在不良； 5、第五，如果是批量性不良，或以上方法无法维修的不良，可能是设计缺陷。 1、电子基础知识 电路的基本原理：电流，电压，电阻，电荷 电流是电荷在导线内流动的现象，电流的测量单位是安培(A)。电荷分为正电荷和负电荷二种。物质中的电子带有负电荷;而质子带有正电荷。电荷在导线内会由高电位的地方流向低电位的地方。电位的高低便形成了电位差，我们称为电压。电压愈大，流动的电流便愈大，电压的测量单位是伏特(V)。电流流动时会遇到阻力，就是电阻。每种物质都有电阻值，优良的导体如铜、白金等，它们的电阻很小，电流很容易通过。电阻很大，大到电流无法通过的物质就是绝缘体，而介于导体和绝缘体之间就是半导体。电阻的测量单位是欧姆(Ω)。 电流 是指电线中电子流动的相反方向，也就是质子流动的方向，通常以Ｉ表示，其单位为安培 A(Ampere)。直流电的电流方向固定由正极流向负极，并不会随时间而改变；而交流电的电流流向则会不断地交替变化，例如公司用电的电流便是每秒正负极交替变换50次的交流电，称为50赫兹(Hz)。而在台湾地区交流电的频率为60Hz。 电压 是指能使电在电线中流动的力量，通常以E表示，其单位为伏特V(Volt)，电流一般都是从高电压流向低电压，通常电源电位较高的一端以"+"号表示，而电位较低的一端则以"_"表示。电池、水银电池等，电压包含1.5V、3V、9V等，而家庭用电电压在台湾、美国日本为交流110V；在大陆为220V；欧州为240V。 电阻 是指阻挡电流在电线流动的阻力，通常以R表示，其单位为欧姆，任何物体都具有电阻，如同水流一般，物体的电阻大小随材质、长度、大小而异。电阻值大到不能导电的物质称为「绝缘体」，如塑料、木材等。电阻会消耗能量，消耗的能量通常以热的形式呈现，所以传输材料的电阻值愈低愈好，因此一般电线便采用导电性佳的铜线，为了减低能源的消耗，「低温超导体」已成为新兴的科技了。 电路符号示例 电路是由各种不同的组件组成，其相互关系通常使用电路图描述，而电路图的每个基本组件均使用电路符号表示。下图是摘取ATA2001(1866)一部分电路图为例。 如下图：
电阻 分类：固定电阻；排阻；可变电阻；特殊电阻 固定电阻： 1．主要参数：阻值材料类型精度功率封装 2．示例： 4.7K SMD +/-5% 1/16W 0603 备注：常用材料：SMD；碳膜；金属膜；合成膜；玻璃釉；水泥电阻； 常见封装：0603；0805；1206；AXIAL0.3； 派瑞电子选型参数： 排阻： 1．主要参数：阻值材料类型精度功率封装 2．示例： 4.7K SMD +/-5% 1/16W 0603*3 备注：常用材料：SMD；碳膜；金属膜；合成膜；玻璃釉； 常见封装：0603*3；0603*4；0805*3；AXIAL0.3*5；AXIAL0.5*6；派瑞电子选型参数： 可变电阻 1．主要参数：总调电阻变化类型精度功率封装 2．示例： 20K 线性 +/-10% 1W VR-6 备注：变化类型：线性；对数 常见封装：VR-6 派瑞电子选型参数：
特殊电阻 常见分类：热敏电阻；压敏电阻 1．热敏电阻： 1.1主要参数：型号类型标称电阻最大电压封装 1.2示例： MZ72-7RM PTC 7欧 220V RAD0.2 备注：类型：PTC；NTC； 常见封装：RAD0.2；DO-35； 风华高科选型参数：. 2.压敏电阻： 1.1主要参数：型号工作电压压敏电压功耗峰值电流封装 1.2示例： FPV100505G3R3 DC=3.3V,AC= 2.5V 5V 0.05W 20A RAD0.2 备注：常见封装：RAD0.2 风华高科选型参数： 电容 常用分类：瓷电容；其他电容 瓷电容： 1．主要参数：材料类型容值精度耐压值封装 2．示例： X7R 100nF +/-10% 25V 0805 备注：常用材料类型：X7R; X5R; Y5V; Z5U; NPO(COG) 常用封装分类：0402；0603；0805；1206；1210；1812；2220； 派瑞电子选型参数：.
常用电子元器件检测方法与经验总结 1
常见电子元器件检测方法与经验 摘要:常见电子元器件检测方法与经验 元器件的检测是家电维修的一项基本功,如何准确有效地检测元器件的相关参数,判断元器件的是否正常,不是一件千篇一律的事,必须根据不同的元器件采用不同的方法,从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说,熟练掌握常见元器件的检测方法和经验很有必要,以下对常见电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。 一、电阻器的检测方法与经验: 1固定电阻器的检测。A将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度,应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系,它的中间一段分度较为精细,因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置,即全刻度起始的20％～80％弧度范围内,以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5％、±10％或±20％的误差。如不相符,超出误差范围,则说明该电阻值变值了。B注意:测试时,特别是在测几十kΩ以上阻值的
电阻时,手不要触及表笔和电阻的导电部分;被检测的电阻从电路中焊下来,至少要焊开一个头,以免电路中的其它元件对测试产生影响,造成测量误差;色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定,但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。 2水泥电阻的检测。检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。 3熔断电阻器的检测。在电路中,当熔断电阻器熔断开路后,可根据经验作出判断:若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦,可断定是其负荷过重,经过它的电流超过额定值很多倍所致;如果其表面无任何痕迹而开路,则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断,可借助万用表R×1挡来测量,为保证测量准确,应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大,则说明此熔断电阻器已失效开路,若测得的阻值与标称值相差甚远,表明电阻变值,也不宜再使用。在维修实践中发现,也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象,检测时也应予以注意。 4电位器的检测。检查电位器时,首先要转动旋柄,看看旋柄转动是否平滑,开关是否灵活,开关通、断时”喀哒”声是否清脆,并听 3
CT势垒电容 Cj结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv偏压结电容 Co零偏压电容 Cjo零偏压结电容 Cjo/Cjn结电容变化 Cs管壳电容或封装电容 Ct总电容 CTV电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC电容温度系数 Cvn标称电容 IF 正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）正向平均电流 IFM（IM）正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH恒定电流、维持电流。 Ii发光二极管起辉电流 IFRM正向重复峰值电流 IFSM正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)正向过载电流 IL光电流或稳流二极管极限电流 ID暗电流 IB2单结晶体管中的基极调制电流 IEM发射极峰值电流 IEB10双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM最大输出平均电流 IFMP正向脉冲电流 IP峰点电流 IV谷点电流 IGT晶闸管控制极触发电流 IGD晶闸管控制极不触发电流 IGFM控制极正向峰值电流 IR（AV）反向平均电流 IR（In）反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM反向峰值电流
常用元器件主要参数 电阻 容差：通用场合选用1％精读，当有特殊要求比如输出电压精度要求时选用更小的 选择比率：当阻值不是很重要时，比如分压器，以减少电路中不同阻值种类数目以实现大批量采购节约成本 最大电压：电阻其实也可以被击穿，高压应用时要注意 温度系数：大多数电阻都有很小的温度系数（50～250ppm每度），电阻发热时，线绕电阻的温度系数会有较大变化 额定功率：一般电阻功耗为额定值一半 脉冲功率：在较短时间内，线绕电阻可以承受远大于其额定功率的冲击，但非线绕电阻不行 电容 铝电解电容大容量小体积 钽电容中等电容量 陶瓷电容定时与信号电路 多层陶瓷电容低ESR场合 塑胶电容高dv/dt场合 容差：典型值正负20％，电解电容还要差好多 ESR：等效串联电阻，设计大容量滤波器时ESR比容量重要 老化：“电源寿命1000h”实际就是对电解电容电容而言，如果把电源放到实际温度条件或者工作几年就要选择2000h到5000h 肖特基二极管 常用在整流器中，正向导通电压小，没有反向恢复时间 整流二极管 反向恢复：二极管正向导通后在很短时间内能够反向流过电流这段时间叫反向恢复时间，这对变换器的效率非常不利 但并不是越快越好，会产生快速的电压电流尖锋 晶体管（BJT） 脉冲电流：一般BJT上不会提到脉冲电流（除非专为电源设计），取额定直流电流的两倍 放大倍数：一般假定为10，不管手册数据如何 晶体管（MOSFET） 功率损耗：导通损耗＋门极充电损耗＋开关导通损 导通损耗：当MOSFET全部导通时漏源极之间存在一个电阻，导通损耗大小取决于管中电流大小，而且电阻随温升增大 门极充电损耗：由于MOSFET有一个相当大的等效门极电容引起 开关导通损：在开通或关断转换的任何时候，晶体管上同时既有电压又有电流产生功率损耗 最大门极电压：通常20V 电阻型号命名方法分类及主要特性参数等