ZnO薄膜材料

P型氧化锌薄膜的结构及其制备摘要:氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)II-VI族化合物半导体材料，具有较大的激子束缚能(60meV)，具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料，在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、表面声波元件以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途。ZnO薄膜的制备方法多样，各具优缺点

氧化物薄膜半导体材料的研制及应用ZnO 薄膜的结构、性能应用和制备摘要:介绍了宽禁带半导体ZnO 薄膜的结构、主要性质、制备工艺和应用等几方面内容。关键词:ZnO 薄膜;结构;性质;制备Abstract:The crystal structure,basic performance, and preparation of ZnO films with wid

湖南工业大学课程设计资料袋理学院课程名称材料科学导论指导教师李雪勇职称讲师学生姓名谷文红专业班级应用物理071班学号07411200123 题目太阳能ZnO薄膜材料的制备工艺设计成绩起止日期 2018 年12月13日～2018 年12月17日目录清单湖南工业大学课程设计任务书2009 —2018 学年第 2 学期理学院学院课程名称：材料科学导论设计题目：太阳

实验报告PB13203265 李颖杰19组实验题目：氧化锌薄膜的制备实验目的：学习制备氧化锌薄膜实验原理：1 制备技术概论溅射是制备透明导电薄膜的最主要的工艺之一。溅射过程包括在阴阳极之间加一定电压，使惰性气体(如Ar)产生等离子体，靶材为阴极，衬底为阳极，等离子体中的高能离子Ar+轰击靶材料，由于动量传输，使靶材粒子逸出表面，弥散开来，并沉积在衬底表面上形

开题报告电气工程与自动化ZnO-SnO2透明导电薄膜光电特性研究一、选题的背景与意义：随着电子信息产业的迅猛发展，透明导电薄膜材料被广泛应用于半导体集成电路、平面显示器、抗静电涂层等诸多领域，市场规模巨大。1. 透明导电薄膜的概述自然界中往往透明的物质不导电,如玻璃、水晶、水等，导电的或者说导电性好的物质往往又不透明,如金属材料、石墨等。但是在许多场合恰恰需

ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ

ZnO薄膜的应用Because of its diverse properties, both chemical and physical, zinc oxide is widel

薄膜的作用氧化锌是重要的Ⅱ-Ⅳ族半导体氧化物，其禁带宽度和激子束缚能都高于GaN和ZnSe等蓝光发光材料；ZnO属宽带能带材料，具有3.37eV的直接带隙，在室温下就有光致发光效应。能有效工作于室温及更高温度，而且光增举益系数高于GaN。另外氧化锌与GaN具有极为相近的晶格常数和禁带宽度（3.37eV），在紫外光探测和发射方面具有很好的应用潜力。同时它还具有

第25卷 第6期2009年3月甘肃科技Gansu Science and Techno logyVol.25 N o.6M ar. 2009氧化锌薄膜的制备技术*李 勇,马书懿,李锡森,蔡利霞(西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃兰州730070)摘 要:介绍了氧化锌薄膜的制备方法,主要有物理和化学两种方法。物理方法有:分子束外延法(M BE),脉冲激光溅射

ZnO半导体材料的制备与合成(安徽工业大学,材料科学与工程)摘要: 氧化锌半导体材料以其优良的光电性能在光电子、传感器、透明导体等领域得到广泛应用。综述了氧化锌半导体功能材料在敏感材料、压电材料、导电薄膜等方面的性能、应用及薄膜的制备技术, 相对于三维块体材料, 氧化锌薄膜可以适应大规模集成电路的需要, 更具发展前途和研究价值。氧化锌薄膜的性质随掺杂组分和制

ZnO薄膜的结构性质及其制备邵丽琴摘要:氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)II-VI族化合物半导体材料，具有较大的激子束缚能(60meV)，具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料，在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、表面声波元件以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途。ZnO薄膜的制备方法多样，各具

氧化锌薄膜的制备及应用0前言ZnO作为一种宽带隙半导体材料,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点。ZnO薄膜是一种具有广泛应用前景的材料，国际上也涌现出许多以ZnO 为研究重点的科研小组，开展了许多相关的科研工作。氧化锌薄膜作为一种优异的光电和压电相结合的电子信息材料，它在压电转换，光电显示以及集成电子器件等方面有广泛的应用。拥有优

2，ZnO 薄膜在声表面波器件方面的应用ZnO 薄膜具有优良的压电性能、良好的高频特性、 较高的机电耦合系数和低介电常数，是一种用于声表面波 （SAW）的理想材料，而且随着数字传输

ZNO半导体薄膜材料2012103120 王春雨 百度文库简介 制备方法 应用 研究进展ZNO材料简介及基本性质 氧化锌是重要的Ⅱ-Ⅳ族半导体氧化物，其能 带隙和激子束缚能较大，

OOLOPPELBBDE，、D复等合电致发光 光致发光阳极 阴极增加光吸 增加光出ZnO薄膜简介极性较强的半导体材料，由于导带自由电子和价带 自由空穴之间的库仑作用，使它们束缚在一

ZnO压电薄膜的性能无机非金属材料工程 09120225 钟史伟摘要：ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料，高质量的单晶或c轴择优取向的多晶ZnO薄膜具有良好的压电性质，能够用来制备高频纤维声光器件及声光调制器等压电转换器，在光电通信领域得到广泛的应用。本文综述了氧化锌压电薄膜的性能及其性能影响因素，同时叙述了掺杂铝或者锂氧化锌压电薄

2 结果与分析 图2所示是退火温度分别为550℃和650℃时 ZnO 薄膜的AFM 图。由图2可见，在550℃退火的 ZnO 薄膜样品表面平 均粗糙度 Ra=0.693 nm，晶粒

毕业设计（论文）题目：纯氧化锌薄膜的制备摘要氧化锌（ZnO）是一种宽带隙半导体材料，它是（Ⅱ-Ⅵ族）化合物，其禁带宽度（室温下为3.37eV）和激子束缚能（60meV）都高于GaN和ZnSe等蓝光发光材料。氧化锌是一种目前极其具有开发潜力的薄膜材料，氧化锌薄膜在光学上有透明的性质，纯氧化锌薄膜及其掺杂薄膜都有好的光电学性质，原材料容易得到，而且用途在现代化的