模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的

模拟电路第二章知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体

-OtiC符号说明ICQ基本共u射BE放大U电BE路Q 的电ub压e 放大作i用是I利用晶i体管的 电 将流电放流iCB大 的作 变I用 化CBQQ， 转并化i依成bc 靠电压RC

第一章、半导体三极管的输入电阻Rbe其中IE = (1+β)IBRb’e = UT/IB (常温下UT=26mV ) 三极管的混合π模型等效为三极管工作状态放大状态（发射结正偏，集电结反偏）饱和状态（发射结正偏，集电结正偏）截止状态（发射结反偏/0偏）小结：BJT 由两个PN结组成，电流控制是它的主要特征。BJT 具有放大作用的内部结构条件是：i.e区掺杂浓

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现

动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负 载上能够获得放大了的动态信号。对实用放大电路的要求：共地、直流电源种类 尽可能少、负载上无直流分量。六、电路主要特点(1) 交直流共存 直

第一章、半导体三极管的输入电阻Rbe其中IE = (1+β)IBRb’e = UT/IB (常温下UT=26mV ) 三极管的混合π模型等效为三极管工作状态放大状态（发射结正偏，集电结反偏）饱和状态（发射结正偏，集电结正偏）截止状态（发射结反偏/0偏）小结：BJT 由两个PN结组成，电流控制是它的主要特征。BJT 具有放大作用的内部结构条件是：i.e区掺杂浓

第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1.本征半导体·单质半导体材料就是具有4价共价键晶体结构的硅(Si)与锗(Ge)(图1-2)。前者就是制造半导体IC的材料(三五价化合物砷化镓GaAs就是微波毫米波半导体器件与IC的重要材料)。·纯净(纯度>7N)且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象就是本征激发(又称

mA11解: 第二级是分压式偏置电路+24V+ Ui –RB1 1MΩC1+T1RE1 27kΩRB′ 1 82kΩRC2 10kΩ+C3+

Rb2+IBQ IRICQ IEQui Rb1IE ReRb1图 2.4.2阻容耦合的静态工作点稳定电路一、静态工作点的估算由于 IR >> IBQ， 可得(估

第二章 模拟电路总结考点1：（1）判断二极管导通还是截止：假定将二极管与电路断开，分别计算阳极和阴极，对参考点的电位(参考点可以是为地)并将二者比较，对理想二极管，当阳极电位大于阴极电位时，二极管正偏导通；反之，截止。若两个二极管均为正偏，则正向电压较大者优先导通，以此再判断另一个二极管的状态。（2）稳压管工作在反向击穿状态。 考点2 放大电路基础1、固定偏

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体

E， 6 Vu i 12 sin t ( V ) ，二极管u5.电路如图所示，设的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 o 2 的波形。E， 6 Vu i 12 sin t (

模拟电子技术基础章节总结篇一：模拟电子技术基础总结第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前者是制造半导体ic的材料（三五价化合物砷化镓Gaas 是微波毫米波半导体器件和ic的重要材料）。·纯净（纯度>7n）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下，本

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现

信号源 输入端 一般来说，ri越大越好。输出端当us是正弦信号时:Ri=Ui Ii（1）ri越大，ii就越小，从信号源索取的电流越小。（2）当信号源有内阻时， ri越大， ui就越

模拟电子技术分析方法• 图解法 （1）静态分析——确定工作点Q的位置 （2）动态分析——分析动态范围与失真 • 等效电路分析法 确定电压放大倍数，输入电阻，输出电阻CECCCB电路

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一。半导体的基础知识1.半导体——-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2。特性—-—光敏、热敏和掺杂特性。３.本征半导体————纯净的具有单晶体结构的半导体。4。两种载流子-—--带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体——-—在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的