电力电子技术答案2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于

电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）一、填空题（40分，每空1分）1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。4.按内部电子和

电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。4.按内部电子和

第 1 页 共 1 页（电力电子技术（本科））《电力电子技术（本科）》模拟题问答题答案1．产生有源逆变的条件是什么？答：逆变电路必须同时具备下述两个条件才能产生有源逆变：（1）变流电路直流侧应具有能提供逆变能量的直流电源电势Ed ，其极性应与晶闸管的导流电流方向一致。（2）变流电路输出的直流平均电压Ud 的极性必须为负（相对于整流时定义的极性），以保证与直流

一、单项选择题(每题2分, 共30分)1、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。A．有效值B．最大值C．平均值D．瞬时值2、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（A）度。A．180°B．60°C．360°D．120°3、单相半波可控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的（C）倍。A．1 B．0.5 C．0.45

华东理工大学网络教育学院（全部答在答题纸上，请写清题号，反面可用。试卷与答题纸分开交）电力电子技术1606模拟卷1答案一、单选题（共10题,每题2分,共20分）1. 可实现有源逆变的电路为( )。（2分）A.单相半波可控整流电路，B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路，C.单相全控桥接续流二极管电路，D.三相半控桥整流电路。.★标准答案：B2. 晶闸管串联时

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。3、在PWM控制电路中，载波频率与调

电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。18.在如下器件：电力二极管（Power

一、单项选择题(每题2分, 共30分)C）来表示的。、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ 1A．有效值 B．最大值 C．平均值 D．瞬时值A）度。 2、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（A．180° B．60° C．360° D．120°C）倍。 3、单相半波可控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的（A．1 B．0

电力电子技术试题（第一章）一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。1、两个、阳极A、阴极K、门极G。2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。2、正向、触发。3、、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。3、阻断、导通、阻断。4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名

二、单项选择题（每小题1分，共16分）在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题 目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为①一次击穿 ②二次击穿 ③临界饱和 逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成①大功率三极管 ②逆阻型晶闸管 ③双向晶闸管 在晶闸管应用电路中，为了防止误

哈尔滨工业大学远程教育学院 2007年秋季学期电力电子技术模拟试题5（开卷，时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）一、填空题（42分，每空1分）1.IGBT导通的条件是：集射极间加正电源且u GE大于开启电压U GE(th)。2. IGBT的输出特性分为三个区域，分别是：阻断区、有源区和饱和区。IGBT的开关过程，是在阻断区和饱和区之间切换。3.IG

电力电子复习姓名：***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路

电力电子技术考前模拟题一、选择题1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。A、180°，B、60°，c、360°， D、120°2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A，0度，B，60度，C，30度，D，120度，3、晶闸管触发电路中，若改变B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制

12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0<<时，电路工作在__整流_状态

哈尔滨工业大学远程教育学院 2007年秋季学期电力电子技术模拟试题3（开卷，时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）一、填空题（20分，每题1分）1.直流斩波电路完成的是直流到另一固定电压或可调电压的直流电的变换。2.直流斩波电路中最基本的两种电路是降压斩波电路和升压斩波电路。3.斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制、脉冲频率调制和混合型。其中最常用的

德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷题号一二三四合计分数阅卷人得分一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4

电力电子技术模拟试卷四（考试时间 150分钟）一、填空题（每小题1分，共14分）1． 1． 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________。2． 2． 功率集成电路PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________。3． 3． 电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U F