【免费下载】材料物理期末复习题
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1.扩散型相变:
是指依靠原子和离子的扩散而进行的相变。
2.成核-生长相变:
是指通过晶核的形成与生长过程而进行的相变过程。
3.马氏体相变:
把钢中的奥氏体转变为马氏体的相变称为马氏体相变。
4.奥氏体:
γ铁内固溶有碳和(或)其他元素的、晶体结构为面心立方的固溶体。
5.玻璃态转变:
晶体是通过液体凝固得到的,如果冷却速度足够慢,那么液体中的原子有足够的时间通过扩散重新排列,固化的产物为晶体。当冷却速度过快,原子没有足够的时间排列,则产物是非晶态的,叫做玻璃态转变。
6.退火:
将钢件加热到一定温度后,随炉冷却至室温的工艺过程。
7.淬火:
将钢加热到A1或A3以上30~50℃,保温后快速冷却的热处理.
8.间隙扩散:
在间隙固溶体中,溶质原子的扩散是通过不断的由一个点阵间隙位置跃迁到另一个相邻的点阵间隙位置而完成
9.第一热电效应-塞贝克效应Seeback:
当两种不同的导体组成一个闭合回路时,若在两接头处存在温度差则回路中将有电势及电流产生,这种现象称为塞贝克效应。其中产生的电势称为温差电势或热电势,电流称为热电流,上述回路称为热电偶或温差电池。
10强度:材料的强度是抵抗外加负荷的能力。
11脆性断裂:材料受力后,将在低于其本身结合强度的情况下作应力再分配;当外加应力的速度超过应力再分配的速率时,发生断裂。
12解决材料强度的理论:1. 位错理论:微观上抓住位错缺陷,阐明塑性形变的微观机理。2. 断裂力学:宏观上抓住微裂纹缺陷(脆性断裂的主要根源)。
13格里菲斯微裂纹理论:格里菲斯认为实际材料中总存在许多细小的裂纹或缺陷,在外力作用下,这些裂纹和缺陷附近就产生应力集中现象,当应力达到一定程度时,裂纹就开始扩展而导致断裂。
14影响强度的因素有哪些?
内在因素:材料的物性,如:弹性模量、热膨胀系数、导热性、断裂能;
显微结构:相组成、气孔、晶界(晶相、玻璃相、微晶相)、微裂纹(长度、尖端的曲率大小);
外界因素:温度、应力、气氛环境、式样的形状大小、表面;
工艺因素:原料的纯度、降温速率。
15晶体微观结构中存在缺陷:(a)位错组合;(b)晶界障碍;(c)位错交截。
16蠕变断裂:多晶材料在高温和恒定应力作用下,由于形变不断增加而导致断裂。
17蠕变断裂的理论:1. 黏性流动理论:高温下晶界发生粘性流动,在晶界交界处产生应力集中,并且使晶界交界处产生裂纹,导致断裂。2. 空位聚积理论:在应力及热波动作用下,晶界上空位浓度增加,空位大量聚积,形成裂纹,导致断裂。
18裂纹有三种扩展方式:(I)张开型、(II)错开型、(III)撕开型。
19热振动:实际上晶体点阵中的质点(离子、原子)总是围绕着各自的平衡位置附近作微小振动。
20热容:物体在温度升高1K时所吸收的热量称作该物体的热容。
21杜隆-珀替定律:恒压下元素的原子热容等于25J/(K·mol)。杜隆-珀替定律在高温时与实验结果符合得很好,但在低温时,热容的实验值并不是一个恒量,随温度降低而减小,在接近绝对零度时,热容值按T3的规律趋于零。
22徳拜定律:表明当温度T趋于0K时,热容C V与T3成比例地趋于零。在低温下,德拜模型与实验结果符合很好。
23热膨胀:物体的体积或长度随着温度的升高而增大的现象。
24固体材料热膨胀机理:晶格振动中质点间的作用力,是非线性的。即作用力并不简单的与位移成正比。温度越高,平衡位置向右移动越多,晶体膨胀。25热传导:当固体材料一端的温度比另一端高时,热量就会从热端自动地传向冷端的现象。
26固体的传热机理:固体中质点只在平衡位置附近做微振动,固体的导热主要是晶格振动的格波和自由电子的运动实现的。⑴金属主要靠自由电子来传热;
⑵非金属材料,自由电子很少,主要靠晶格振动来传递热量。将声频波的量子称为声子;把格波的传播看成是质点-声子的运动;格波与物质的相互作用,则理解为声子和物质的碰撞;格波在晶体中传播时遇到的散射,则理解为声子同晶体质点的碰撞;理想晶体中的热阻,则理解为声子与声子的碰撞。
27影响热导率的因素:温度、晶体机构、气孔
28热稳定性(抗热震性):是指材料承受温度的急剧变化而抵抗破坏的能力。
包括抗热震断裂性和抗热震损伤性两种类型。
29可见光是电磁辐射波谱的波长在400nm 到700nm范围的一个波段。
30折射率的色散:材料的折射率n随入射光频率v的减小(或波长的增加)而减小的性质。
31影响材料透光性的因素主要有:反射系数、吸收系数、散射系数。
32无机材料的颜色着色剂有:分子着色剂、胶态着色剂、着色化合物。
33何谓电介质:凡是能在电场作用下产生极化的物质称为电介质,俗称绝缘材料。
34极化强度:单位体积内的电偶极矩总和称为极化强度。
35极化类型包括:(1)电子位移极化、(2)离子式极化、(3)松弛极化、(4)转向极化、(5)空间电荷极化、(6)自发极化。
36电子位移极化:没有受电场作用时,组成电介质的分子或原子所带正负电荷中心重合,对外呈中性。受电场作用时,正、负电荷中心产生相对位移(电子云发生了变化而使正、负电荷中心分离的物理过程),中性分子则转化为偶极子,从而产生了电子位移极化。
37离子式极化:离子晶体中,无电场作用时,离子处在正常结点位置并对外保持电中性,但在电场作用下,正、负离子产生相对位移,破坏了原先呈电中性
分布的状态,电荷重新分布,相当于从中性分子转变为偶极子产生离子位移极化。
38离子位移极化与电子位移极化有何异同?
共同点:它们都属于弹性位移极化(无损耗);
不同点:(a)离子位移极化是整个离子的相对位移,极化结果——使正负离子间平衡距离缩短;(b)电子位移极化是电子云变形,电子云偏离原子核,而原子核不动;(c)离子位移极化中包含有电子位移极化,离子位移极化只产生在离子晶体中;而电子位移极化则存在于一切介质中。
39介质损耗:在电场的作用下,单位时间内电介质因发热而损耗的电能称为介质损耗功率,简称介质损耗。
40介质损耗产生的原因:主要来自二个方面——电导和极化(慢极化)。
41击穿:电介质在强电场中工作时,当所承受的电压超过某一临界值时而丧失绝缘性能(由介电状态变为导电状态)的现象。