Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层
Active region 有源区 Active component 有源元
Active device 有源器件 Activation 激活
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区Admittance 导纳 Allowed band 允带
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝
Aluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃
Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷
Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程
Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发
Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂
Backward 反向 Backward bias 反向偏置
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合
Band 能带 Band gap 能带间隙
Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层
Barrier width 势垒宽度 Base 基极
Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效
应
Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢
Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带
Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方
Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子
Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件
Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿 Break over 转折
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区
Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场
Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合
Burn - in 老化 Burn out 烧毁
Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区
Can 外壳 Capacitance 电容
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流
子
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位
Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出
Cascade 级联 Case 管壳
Cathode 阴极 Center 中心
Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道
Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流
Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短
Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储
Chemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面
Clock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放
Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接
Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)
互补金属氧化物半导体场效应晶体管
Complementary error function 余误差函数
Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制
造
Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态Conductor 导体 Conductivity 电导率Configuration 组态 Conlomb 库仑
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数Constant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触 Contamination 治污
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔
Contact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件Contra doping 反掺杂 Controlled 受控的
Converter 转换器 Conveyer 传输器
Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合
Covalent 共阶的 Crossover 跨交
Critical 临界的 Crossunder 穿
交
