功能陶瓷复习题解答
This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020
1、举出3种以上的典型的超导陶瓷(氧化物超导体)，定义及其应用。
LaBaCuo、SrBaCuo、NbBaCuo；
2、说明Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ电容器陶瓷的典型材料、性能特点和用途。I类陶瓷主要用于高频电
路中使用的陶瓷电容器。性能特点a:一般具有负温度系数，有时为正温度系数；b:介电
常数较高为飞铁电电容陶瓷；c:温度系数值稳定且高频下及高温时具有低的介质损耗。典型材料：MgTiO3瓷。II类陶瓷主要用于制造低频电路中使用的陶瓷电容器。性能特点：a:介电常数值高（4000-8000）b:温度稳定性好；c:居里点在工作温度范围内且能方便的调整。典型材料：BaTiO3系、反铁电系。 III类陶瓷介质的半导体主要用于制造汽车、电
子计算机等电路中要求体积非常小的电容器，性能特点a:介电常数非常大7000-几十万以上b:主要用于低频下典型材料：半导化BaTiO3
3、何为铁电陶瓷 BaTiO
3
铁电陶瓷老化的含义是什么是一类在某一温度范围内具有自发极化且极化强度随电场反向而反向，具有与铁磁回线相仿的电滞回线的陶瓷材料老化意义：铁电陶瓷烧成后其介电常数和介电损耗随时间的推移而逐渐减少
4、BaTiO
3陶瓷有哪几种晶型相变画出BaTiO
3
陶瓷的介电常数-温度特性曲线示意图。立方
相、四方相、斜方相和三方相；
5、何谓移峰效应和压峰效应改性加入物可以有效的移动居里温度，即移动介电常数的居里峰，但对介电常数的陡度一般不呈现明显的压抑作用，这时所引起的效应为移峰效应；有的改性加入物可使介电常数的居里峰受到压抑并展宽所引起的效应为压峰效应。
6、为什么BaTiO
3
陶瓷最适合做低频电容器介质由于频率f升高，ε降低，Tanδ升高性能恶化，所以要在低频下使用由于新畴的成核与生长需要一定的时间内，所以ε和f有关。损耗产生的原因是：1、电畴运动：畴壁运动是克服杂质、气孔、晶界的摩擦阻力；2、自发极化反转时。伴随着集合形变的换向，必须克服晶胞间与晶粒间应力作用的反复过程。都要消耗电场能，并以热的形式相空间散逸。反转愈剧烈，次数愈频繁，则Tanδ愈大。
7、BaTiO
3，PbTiO
3
，SrTiO
3
为什么具有铁电性它们为什么具有不同的居里温度其居里点
分别是多少BaTiO
3，PbTiO
3
，SrTiO
3
具有铁电性的原因：这三种化合物都属于钙钛矿结
构。由A与O离子共同作立方密堆积，B离子处于O八面体中心，所有[BO6]八面体共顶点联结，当温度低于Tc时，B离子偏离八面体中心而产生离子位移极化，从而使B－O线上的O2－离子产生电子位移极化，互相耦合，使内电场Ei↑→[BO6]八面体沿B－O线方向伸长，另外两方向收缩，带动相邻[BO6]八面体在相同方向极化→电畴。2）Tc是自发极化稳定程度的量度。Tc反映了B4＋偏离氧八面体中心后的稳定程度高低，B－O间互作用能较大，需要较大的热运动能才能使B离子恢复到对称平衡位置，从而摧毁晶体的铁电性（铁电相→顺电相），因此Tc高。反之亦然。3）120、490、—250。
8、对BaTiO
3
电容器的要求如何在使用温度范围内，具有尽可能高的介电常数，尽可能低的介电常数变化率或容量变化率，尽可能高的Ej，尽可能低的tgδ ，介电常数随交直流电场的变化尽可能小和尽可能小的老化率。
9、BaTiO
3
陶瓷为什么要在采用氧化气氛下烧结保持氧化气氛防止由于还原气氛使部分
Ti4+转化为Ti3+产生氧空位从而导致BaTio3陶瓷介质的电性能恶化，损耗显着增加
10、简述BaTiO
3
陶瓷产生半导化途径和机理。1）原子价控制法（施主掺杂法），用离于半径与Ba2+相近的La3+、Y3+、Sb3+等三价离子置换Ba2+离子;用离于半径与Ti 4+相近的Nb5+ 、Ta5+等五价离子置换Ti 4+离子.在室温下，上述离子电离而成为施主，向BaTiO3提供导带电子（使部分Ti4++e→Ti3+），从而ρV下降（102Ωcm），成为半导瓷。2）强制还原法，BaTiO3陶瓷在真空、惰性气氛或还原气氛中烧成时，将生成氧空位而使部分
Ti4+→Ti3+，可制得ρv为102~106Ω·cm 的半导体陶瓷。3）AST法，当材料中含有Fe、K 等受主杂质时，不利于晶粒半导化。加入SiO2或AST玻璃（Al2O3·SiO2·TiO2）可以使上述有害半导的杂质从晶粒进入晶界，富集于晶界，从而有利于陶瓷的半导化。4）对于工业纯原料，原子价控制法的不足，对于工业纯原料，由于含杂量较高，特别是含有Fe3+、Mn3+(或Mn2+)、Cu+、Cr3+、Mg2+、Al3+(K+、Na+)等离子，它们往往在烧结过程中取代BaTiO3中的Ti4+离子而成为受主，防碍BaTiO3的半导化。
11、高频电容器陶瓷产生高介电系数的原因。金红石型和钙钛矿型结构的陶瓷具有特殊的结构，离子位移极化后，产生强大的局部内电场，并进一步产生强烈的离子位移极化和电
子位移极化，使得作用在离子上的内电场得到显着加强，故ε大。钛酸锶铋也是利用
SrTiO3钙钛矿型结构的内电场，而加入钛酸铋等，使之产生锶离子空位，产生离子松弛极化，从而使ε增大。12、说明金红石电容器陶瓷在生产和使用中应该注意的问题。1、防止sio2杂质的引入2、由于Tio2可塑性差，坯料还需要适当的陈腐时间，是氧化钛水解提高了可塑性3、严格控制烧结温度4、严格控制气氛保证氧化气氛烧结因为tio2高温下发生分解，Nb5+/Sb5+存在会是Tio2还原5、Tio2陶瓷电容器使用银电极且长期在高温和直流电场下工作时会发生电化学反应使Ti4+被还原为Ti3+(直流老化)是金红石陶瓷性能恶化。13、什么是介电常数的温度系数α
ε
说明高频电容器陶瓷介电系数的温度系数不同的原因。何谓温度补偿电容器陶瓷和温度稳定电容器陶瓷，有何应用为什么在高频稳定电容器
陶瓷钛酸镁瓷加入钛酸钙可以调节α
ε
有什么实际意义1）介电常数温度系数：
在一定温度范围内，温度每升高一摄氏度时介电常数的相对平均变化率。2）实际意义：
正钛酸镁和偏钛酸镁都有小的正α
ε，其与负的α
ε，
晶相钛酸钙适当配比，制的具有系列
α
ε，
的瓷料
14、微波介质陶瓷的性能要求如何有何意义按其介电常数分类有哪些列出以上典型的陶瓷材料体系，说明其应用背景。微波介质陶瓷（MWDC）：是指应用于微波频段（主要是UHF/SHF频段，300MHz—300GHz）电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷。它在微波器中作介质谐振器。
15、性能特点：高介电常数，高品质因数，近零的谐振频率温度系数。工作稳定，不产生漂移。
16、介电常数分类：（1）高介电常数，低品质因数BaO-稀土-TiO2 1-3GHz（2）中介电常数，中品质因数BaO-TiO2系和Ba2Ti9020 3-10GHz(3)低品质因数，高品质因数。BZT>10GHz 应用背景：高介电常数f1-3GHz用于移动通信；中介电常数f3-10GHz用于卫星基站；低介电常数f>10GHz用于卫星雷达。
17、15、说明微波介质陶瓷的低温烧结工艺的方法和特点，其说明其意义。方法：（1）加助烧剂（低软化点玻璃、低熔点氧化物陶瓷）（2）湿化学方法制备超细粉纳米颗粒（3）采用燃烧温度本来就很低的燃料。意义：MLCC使多层陶瓷电容器，它用铅-钯做电
