高分辨电子显微分析方法

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试样 q(x,y)作用使入射波的振幅和相位都发生改变,以上近似成
立的条件是观察距离远大于试样大小(Fraunhofer diffraction),即 R<<x,y,则有:
r R x s y t
2 2

2 1/ 2

r0 sx / r0 ty / r0
高分辨像(HRTEM)的成像原理
图示是YBa2Cu3O7超导氧化物中位错环的高分辨电子显微想, 途中两个箭头所指的部分有一个多余的原子面,这个多余的 原子面对应于晶体生长阶段引入的 Cu-O层,在箭头处存在位 错矢量平行于c轴的刃型位错。
二、晶界和相界面 一般情况下,无机材料是由细小晶粒的集合体或不同物质 (或相)的复合体构成的,材料的特性对它们的集合体或 复合体的界面,即晶界或相界面的结构很敏感。晶界和相 界面的研究已成为材料科学研究的重要领域。
射条件不确定,但对揭示非晶中微晶的存在状态和微晶的形状等 信息非常有效,而关于晶体结构的信息,可以从电子衍射花样的
德拜环的直径和晶格条纹的间隔获悉。
二、一维结构像
如果晶体位置不正,是 电子束平行于某一晶面
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族入射,就可以得到一 维衍射条件(相对原点 强度对称)的花样,在 最佳聚焦条件下就可得 到一维结构像。
u
2
v2

1/ 2
2 .4 C s
2 1 / 2
1 / 4 3 / 4

电子显微镜的分辨率为:d s u v
2


0.65C s1 / 4 3 / 4
所以,透射电子显微镜的性能由球差系数 Cs、点分辨率ds来表示,
要获得高的分辨率,缩短波长(提高加速电压)会有更大效果。
此图是 Bi 系超导氧化物的一维结构像,明亮的线对应于 Cu-O层,从它到的数目可以知道 Cu-O层堆积的层数。这种一 维结构像对于分析多层结构等复杂的层状堆积很有效,另外,
一维结构像只要是电子束平行于晶面入射就可以获得。
三、二维晶格像
倾转试样使某晶带轴与入射电子 束平行 , 能够得到如右图的二维衍射条 件的电子衍射花样,由透射波与若干 衍射波相干成像 , 获得显示单胞的二 维晶格像 , 这个像仅包含单胞尺度信 息,不反映单胞内原子的排列。 计算机模拟发现,晶格像的黑白 衬度会随着试样厚度反转,但即使对 于比较厚的区域也能观察到同样的晶
SiC晶格像: 图中出现的线状衬度是层 错或孪晶晶界 ,从它们的 方向可以知道存在三个方 向不同的晶粒 。锯齿状的 衬度显示的是晶粒晶界。
A图中x-y段是对称晶界,类 似于反映孪晶, y-z 段的对
称晶界由于层错使晶界变乱 了。 B 图中,由于层错和孪晶的 存在,使晶界变得很乱;晶 界处出现了晶格畸变。
S(u,v) 称为衬度传递函数,表示物镜引起的电子相位的变化, 其中的χ(u,v)可以表示为:
u , v f u v 0.5C s u v
2 2 3 2

2 2

式中, ⊿ f和 Cs分别为物镜的离焦量和球差系数,另外右边的第一项 和第二项分别对应于透射波和衍射波。
高分辨电子显微像的形成
高分辨电子显微像的形成有三个过程: 1、入射电子在物质内的散射; 2、通过物镜后,电子束在后焦面上形成衍射波; 3、在像平面上形成电子显微像。 一、入射电子在物质内的散射: 对于薄膜试样,不考虑电子吸收,试样的作用只引起入射电子
的相位变化(相位体近似),试样作用可用透射函数表示:
透射电子显微镜的分辨率
对于薄试样,物镜的衬度传递函数在很宽的范围内为一定值i 时,高分辨像能很好反映晶体势,表明它有高的分辨率。在实际情
况下,谢尔策离焦量值由下式给出():
f 1.2Cs
1/ 2
⊿f 的符号在欠焦一侧取正值,此时散射波的相位没有乱,在还能
成像的高波数一侧的边界处,有χ(u,v)变为零,此时有:
I x , y x , y x , y 1 iF C u , v F x , y z expi u , v
2
在物镜光栏的作用下,假设两个理想的物镜条件:
expi u ,v i
u ,v 0

x , y F F x , y
金属间化合物Ni3(Al,Ti)的三种 倾斜晶界,这些晶界是将单晶 沿特定方向切开,再在高温下 扩散连接在一起的人造倾斜晶 界。
Al-Si合金粉末的高分辨电子 显微像, Al 基体中析出的 Si 晶体与 Al 晶体间具有确定的 取向关系,图中所示, Al 的 [110] 和 Si 的 [110] 轴平行, Al 晶体和 Si 晶体的晶界几乎垂 直于纸面,能很好地显示晶 界结构。A、E畴和Al的界面 很整齐,界面结构可理解为 Si 晶 体 (1-11) 面 间 距 的 3 倍 (0.939nm) 和 Al 晶 体 的 (1-11) 面间距的 4 倍 (0.936nm) 几乎
高分辨电子显微像的种类
高分辨电子显微像是通过后焦面的复数波干涉而形成的相位
衬度,电子衍射花样具有怎样的强度分布,就可以观察到带 有各种相应信息的高分辨电子显微像。由于衍射条件和式样 厚度不同,可以将具有不同结构信息的高分辨电子显微像划 分为五类: 1、晶格条纹像; 2、一维结构像; 3、二维晶格像; 4、二维结构像(原子尺度的像。晶体结构像); 5、特殊像。
二、物镜后焦面上衍射波的形成:
物镜后焦面上电子散射振幅可以用透射函数的傅里叶变换来表示:
x , y Qu ,v expi u ,v F qx , y expi u ,v u ,v iF x , y z expi uv 其中: S u ,v expi u , v
一、晶格条纹像
利用物镜光栏选择后焦面 上的两个对应的波成像,由于 两个波干涉,得到一维方向上 强度周期变化的条纹花样,即 晶格条纹像。这种晶格条纹可 以在各种试样厚度和聚焦条件 下观察到,每个晶体上的衍射 条件不同,产生的晶格条纹有 的清晰,有的有些模糊。
晶格条纹像不要求电子束准确平行于晶格平面,成像时的衍
三、像平面上高分辨电子显微像的形成
像平面上的电子散射振幅可以由后焦面上散射振幅的傅里 叶变换给出,其中,C(u,v)表示物镜光栏的作用:
x , y F C u ,v u ,v
其中 Cu ,v 1 u 2 v2 r; 0 u 2 v2 r
像平面上观察到的像的强度为像平面上电子散射振幅的平方:
像的强度变为:I x , y 1 x , y z 2 1 2 x , y z
关于函数χ(u,v)
在最佳聚焦条件(谢尔策聚 焦条件)下,物镜的衬度传递函 数的虚部(sinχ(u,v))值在很宽的 范围都接近于 1,理想透镜情况的 像强度分布为:
图a是一种超导氧化物中位错的高分辨像,中心区域的箭头表 示存在位错,在位错核芯处可看到晶格畸变。 图b是噪音过滤后位错核芯处的结构,可看到箭头处插入了半
个原子面,表示这个位错是局域的。
图示为硅中 Z 字型缺陷的 高分辨电子像 ,即 Z 字型 层错偶极子,这个位错是 两个扩展位错在滑移面上 移动时相互作用,夹着一 片层错 AB 相互连接而不能 运动的缺陷。且层错的上 部和下部分别存在插入原 子层。
氮化硅的晶界和三叉晶界处的
高分辨电子显微像。 上图中,在 Si3N4 晶界和三叉
晶界中都存在着SiO2的非晶层;
一般情况下,杂质相主要在三 叉晶界处析出,即使在晶界处 看不到杂质,也可能在三叉晶 界处出现。 下图 C 中是大角度晶界,没有 观察到晶格畸变,这个大角度 晶界类似于孪晶现象。而 E 图 中小角度晶界出现了周期性的 晶界位错的畸变衬度。
高分辨电子显微分析方法
电子散射与傅里叶变换
晶体试样散射电子,在物镜的后焦 面形成衍射花样,以及在物镜的像平 面形成电子显微像,这两个过程在数 学上都可以用傅里叶变换来表述。从 试样上的 (x , y ) 点到距离 r 的 ( s, t ) 点的散射振幅表示为:
expikr s ,t c qx , y dxdy c qx , y exp 2i ux vydxdy r 其中 c c expikr0 / r0 , u s / r0 , v t / r0
高分辨电子显微像的衬度与原子序数
的关系:由于 x , y z有比1小得多的 值,在电子束方向上,由于重原子列具有
I x , y 1 2 x , y z
较大的势场,因而在重原子列的位置,像
强度弱,轻原子列位置像强度强。右图中, 重原子Tl和Ba的位置出现大黑点,而金属 原子列的周围相对是明亮的,特别是没有 氧原子的空隙,势场最低,像最亮。
要获得结构像,要求试样
的厚度较薄,一般来说,对于 轻原子构成的密度低的物质, 直到较厚的区域也能观察到结 构像,对于密度高的合金试样, 以及多波激发的准晶,都能观 察到二维结构像。
高分辨电子显微图像的实验技术
获得高质量HRTEM像的几个基本要素:
调整好仪器对中 高压(或电流)中心的调整 试样观测区域的选择 试样倾转到合适方位(某晶带轴) 聚光镜、中间镜、物镜消象散 避免辐照损伤
q x , y expi x , y z ;

V 1 1 2

2

其中 σ称为相互作用常数,它是由电镜加速电压决定的量, β=v (电子速度)/c(光速), ⊿z的二维投影势。 (x,y) ⊿Z表示在入射电子方向,厚度为
弱相位近似:
qx , y 1 i x , y z


晶体势场
高分辨电子显微图像的实验技术
三、衍射条件的设定:尽可能选择小的选区光栏,通过调整试样 的角度,观察电子衍射花样的变化,最终使晶体的某一晶带轴平
行于电子束,得到的衍射谱至少具有二次对称的特征,这样有利
于二维晶格像或原子结构像的获得。 四、消像散:要获得高质量的高分辨像,消除各级透镜的象散是
至关重要的环节。其中,最重要的是物镜象散的消除,但聚光镜
和中间镜的象散也不容忽视。 1 、聚光镜消象散:通过调节聚光镜消象散器,使照明光束在顺、
逆时针旋转时都呈圆形束斑。调节时放大倍数最好大于20万倍。
2 、中间镜消象散:在衍射模式下,把束斑旋钮顺时针旋转到最 大,调节中间镜消象散器,使束斑呈现出奔驰像,即奔驰汽车的 符号图像。
高分辨电子显微图像的实验技术
一、透射电子显微镜的光路对中:进行电镜的照明系统调整和电 压对中,是透射电镜处于最佳工作状态。
二、试样观测区域的选择:观测区域试样厚度<50 nm,最好在20
nm 以下。如果找到试样中边缘平滑的薄的区域,就相当于高分辨 电子显微观察完成了一半,好的晶体受电子束损伤小,试样弯曲 和翘曲小,且满足一定的衍射条件。 晶带轴 晶带轴 晶带轴
格像。晶格像可以用于研究晶格缺陷,
而对于已知结构,能明确晶格像中的 亮点是否对应于原子。
四、二维结构像
成像方式与二维晶格像雷同 , 所获得的高分辨像不仅反映晶体 的周期 , 而且含有单胞内原子排列的信息。在分辨率允许的范围内, 用尽可能多的衍射波成像,就能得到含有单胞内原子排列信息的结 构像。因为参与结构像成像的衍射波很多,拍摄应限定在谢尔策聚 焦附近。
高分辨电子显微图像的实验技术
3、物镜消像散:采用非晶膜(通常是碳膜)高分辨像
的FFT,调整物镜象散。用CCD相机在15万倍率下拍摄非
晶碳的高分辨像,得到傅里叶变换花样,用物镜消像散 器将椭圆形傅里叶变换花样校正为正圆形即可。
高分辨电子显微方法的应用
一、晶格缺陷 位错是对材料力学性能影响很大的最有代表性的晶格缺 陷。采用高分辨电子显微方法,能够从原子尺度观察位错核 芯(dislocationcore)的结构,在高分辨电镜中,观察到 的是试样的晶体势在电子束方向的投影。